KR20090130701A - 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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KR20090130701A
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Abstract

본 발명의 실시예들은 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 칩의 가장자리를 넘어서 절연막이 제공되어 반도체 칩과 본딩 와이어 사이의 전기적인 접촉을 방지할 수 있다.
칩, 플라즈마, 폴리이미드, 와이어 본딩

Description

반도체 패키지 및 그의 제조 방법 {Semiconductor package and method for manufacturing thereof}
본 발명의 실시 예들은 반도체 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
전자기기들의 경박단소화 추세에 따라 그의 핵심 소자인 패키지의 고밀도, 고실장화가 중요한 요인으로 대두하고 있다. 컴퓨터의 경우 기억 용량의 증가에 따른 대용량의 램(Random Access Memory; RAM) 및 프레쉬 메모리(Flash Memory)와 같이 반도체 칩의 크기는 자연적으로 증대되지만 패키지는 상기의 요건에 따라 소형화 되는 경향으로 연구되고 있다. 그리고 같은 용량의 반도체 칩이라도 전극 패드의 배치가 에지 패드형(edge pad type)에서 센터 패드형(center pad type)으로 갈수록 반도체 칩의 크기가 상대적으로 줄어들기 때문에, 6인치(inch), 8인치 또는 12인치의 제한된 크기를 갖는 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer)에서 더욱 많은 반도체 칩을 획득하기 위하여 센터 패드형으로 반도체 칩을 구현하고 있다.
이와 더불어 제품 설계의 목표 달성을 가능하게 하는 중요한 기술 중의 하나가 바로 패키지(package) 조립 기술이며, 이에 따라 근래에 개발된 패키지 중의 하나가 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array; BGA) 패키지이다. BGA 패키지는 통상적인 플라스틱 패키지에 비하여, 모 기판(mother board)에 대한 실장 면적을 축소할 수 있고, 전기적 특성이 우수하다는 장점들이 있다.
BGA 패키지는 통상적인 플라스틱 패키지와 달리 리드 프레임(lead frame) 대신에 인쇄회로기판을 사용한다. 인쇄회로기판은 반도체 칩이 접착되는 면의 반대쪽 전면을 외부접속단자인 솔더 볼(solder ball)들의 형성 영역으로 제공할 수 있기 때문에, 모 기판에 대한 실장 밀도 면에서 유리한 점이 있다.
그러나, 센터 패드형의 반도체 칩을 통상적인 다이 패드를 갖는 리드 프레임이나 BGA 패키지용 인쇄회로기판에 실장하고 전기적 연결수단으로서 본딩 와이어(bonding wire)를 사용할 경우에, 본딩 와이어가 반도체 칩의 활성면(active surface)의 모서리에 접촉하여 전기적 쇼트(electrical shorts)가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예는 본딩 와이어와 반도체 칩의 활성면의 전기적 쇼트를 방지할 수 있는 반도체 패키지 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 반도체 칩 분리방법을 제공한다. 이 반도체 칩 분리 방법은 집적회로가 형성된 반도체칩과 반도체 칩사이에 스크라이브 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼를 준비하는 것을 포함한다. 상기 반도체칩의 상부면을 덮는 절연층이 형성된다. 감광수지 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 스크라이브 영역을 식각하여 상기 반도체 칩들을 분리한다.
본 발명의 다른 실시 예는 반도체 패키지 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 집적회로가 형성된 반도체칩과 반도체 칩사이에 스크라이브 영역(scribe lane)을 포함한다. 상기 반도체칩의 상부면과 스크라이브 영역의 일부를 덮는 절연층이 형성된다. 반도체 웨이퍼의 상부면상에 제1 테이프가 부착된다. 감광수지 패턴을 식각 마스크로 사용하여, 상기 절연층이 노출되도록 상기 스크라이브 영역을 식각하여 상기 반도체칩들을 분리한다. 상기 반도체 웨이퍼의 하부면에 제2 테이프가 접착된다.
본 발명의 다른 실시 예는 반도체 칩을 제공한다. 상기 반도체 칩은 집적회로가 형성된 집적회로 기판을 포함한다. 상기 집적회로에 전기적으로 연결 전극 패드가 상기 집적회로 기판의 상부면에 제공된다. 상기 집적회로를 보호하도록 상기 전극 패드를 제외한 상기 집적회로 기판의 상부면 전체를 덮으며 상기 집적회로 기판의 가장자리 밖으로 연장한 절연층이 제공된다.
본 발명의 다른 실시 예는 반도체 패키지를 제공한다. 상기 반도체 패키지는 기판에 부착된 반도체 칩을 포함한다. 와이어 본딩이 상기 반도체 칩의 전극 패드와 상기 기판의 도전 패드를 전기적으로 연결한다. 상기 본딩 와이어와 상기 반도체 칩의 가장자리 사이에 위치하고 상기 반도체 칩의 전극 패드를 제외한 상기 반도체 칩의 상부면 전체를 덮으면서 상기 반도체 칩의 가장자리 밖으로 연장하는 절연층이 제공된다.
본 발명의 실시 예들은 반도체 칩 분리방법 및 그에 따라 형성된 반도체 칩, 반도체 패키지 형성 방법 및 그에 따른 반도체 패키지에 관련된 것이다. 반도체 패키지는 먼저 반도체 칩들을 분리한 후 분리된 반도체 칩을 인쇄회로기판 같은 베이스 기판 위에 부착하고 와이어 본딩을 통해 반도체 칩과 인쇄회로기판을 전기적으로 연결하는 과정을 통해 제조된다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 간단한 공정으로 반도체 칩과 와이어 본딩 사이의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.
통상적으로 반도체칩 분리 공정에서 반도체칩 분리는 반도체 웨이퍼의 활성면 반대면에 지지테이프가 부착되는 테이프 마운팅(tape mounting) 공정이 진행된 후에 이루어진다. 반도체칩을 웨이퍼에서 분리시키기 위해서는 레이저빔이나 플라즈마 등을 이용하는 경우도 있지만 다이아몬드 휠 블레이드(wheel blade)가 장착된 웨이퍼 소잉(sawing) 장치가 사용될 수도 있다. 종래의 경우 상기 다이아몬드 휠 블레이드는 그리트 사이즈(grit size)가 2 내지 4㎛ 또는 0.3 내지 3㎛이고, 35,000 내지 40,000rpm의 회전속도로 회전하여 초당 20mm로 스크라이브 영역을 따라서 웨이퍼를 절삭하는 다이아몬드 절삭 날을 이용하여 진행된다.
도 1 및 도 2를 참조하여 다이아몬드 절삭 날을 이용하여 칩을 분리할 경우에 발생할 수 있는 문제점을 살펴보기로 한다.
도 1은 BGA 패키지(100)를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 BGA 패키지에 적용되는 반도체 칩(10)을 웨이퍼(80)에서 분리하는 단계를 보여주는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, BGA 패키지(100)는 기판(20; substrate)의 상부면에 반도체 칩(10)이 실장되고, 반도체 칩(10)의 전극 패드(12; electrode pad)와 기판(20)은 본딩 와이어(50)에 의해 전기적으로 연결된다. 기판(20) 상부면의 반도체 칩(10)과 본딩 와이어(50)를 성형수지로 봉합하여 수지 봉합부(30; resin encapsulation part)를 형성한다. 그리고 기판(20) 하부면에 반도체 칩(10)과 전기적으로 연결된 복수개의 솔더 볼(40)이 형성된다.
기판(20)은 기판 몸체(22; substrate body)의 양면에 회로 배선 패턴(24; circuit trace pattern)이 형성된 인쇄회로기판으로서, 잘 알려져 있다시피, 소정의 두께를 가지는 절연판 즉, 기판 몸체(22)의 양면에 회로 배선 패턴(24)이 인쇄 된 기판이다. 회로 배선 패턴(24)은 기판 몸체(22) 상부면에 형성되며 반도체 칩(10)이 접착될 부분에 근접하게 형성되어 본딩 와이어(50)에 의해 전기적으로 연결되는 상부 배선 패턴(23; top trace pattern)과, 기판 몸체(22) 하부면에 형성되며 솔더 볼(40)이 융착되는 하부 배선 패턴(25; bottom trace pattern)을 포함한다. 이때, 하부 배선 패턴(25)들은 비아 홀(26; via hole)을 통하여 상부 배선 패턴(23)과 서로 전기적으로 연결된다.
반도체 칩(10)은 활성면의 중심 부분을 따라서 전극 패드(12)가 형성된 센터 패드형 반도체 칩으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(80)에 복수개가 함께 형성되며, 반도체 웨이퍼 (80)상에 형성된 반도체 칩(10)들은 스크라이브 영역(82; scribe area)에 의해 구분된다. 반도체 칩(10)은, 실리콘 기판(90)의 상부면에 집적회로와 전기적으로 연결된 복수개의 전극 패드(12)와, 실리콘 기판(90)의 내부의 집적회로들과 전극 패드(12)들을 보호하기 위한 불활성층인 질화막(14; nitride layer)과, 질화막(14) 상에 정전기의 발생을 억제하며 알파선(α-ray)에 의한 손상을 억제할 수 있도록 폴리이미드 층(16; polyimide layer)이 형성된 구조를 갖는다.
웨이퍼(80)는 다이아몬드 절삭 날(60)로 스크라이브 영역(82)을 따라 절삭되어 개별 반도체 칩(10)들로 분리된다. 한편, 웨이퍼(80)의 바람직한 절삭 공정을 진행하기 위하여, 스크라이브 영역(82) 상에 형성된 폴리이미드 층을 제거한다. 왜냐하면, 폴리이미드 층이 스크라이브 영역 상에 남아 있을 경우, 통상적인 절삭 날을 이용하여 웨이퍼 절삭 공정을 진행할 경우 폴리이미드 층을 형성하는 물질이 절삭 날에 증착되어 칩핑(chipping) 현상이 과다하게 발생될 수 있기 때문에, 통상적인 웨이퍼 제조 공정에서는 스크라이브 영역 상에 형성된 폴리이미드 층은 제거한다.
한편, 반도체 칩의 전극 패드(12)와 기판(20)의 상부 배선 패턴(23)을 연결하는 본딩 와이어(50)가 에지 패드형 반도체 칩에 적용되는 본딩 와이어에 비하여 본딩 와이어(50)의 길이가 길고, 반도체 패키지(100)의 두께를 줄이기 위하여 본딩 와이어(50)를 최대한 낮게 형성하기 때문에, 반도체 칩(10)의 활성면의 가장자리 부분(18)에 본딩 와이어(50)가 접촉하게 될 우려가 크다.
그런데 반도체 칩(10)의 활성면의 모서리 부분에는 폴리이미드 층이 없이 질화막(14)이 노출되어 있기 때문에, 집적회로가 형성된 질화막(14) 아래의 실리콘 기판(90)과 본딩 와이어(50)가 접촉하여 전기적 쇼트가 발생될 수 있다. 이와 같은 전기적 쇼트 문제는 절삭 날(60)을 이용한 웨이퍼(80)의 기계적인 절삭 공정과 관련이 있다. 즉, 웨이퍼(80)의 절삭 공정에 있어서, 질화막(14)에 손상을 주지 않는 아주 매끄러운 절삭면이 형성될 수 있도록 절삭하는 것이 바람직하지만, 실질적으로 칩핑 현상에 의해 반도체 칩(10)의 활성면의 가장자리 부분의 질화막(14) 아래의 실리콘 기판(90)이 외부에 노출될 수 있다. 그 노출된 실리콘 기판에 본딩 와이어가 접촉될 경우에 전기적 쇼트가 발생하게 된다.
한편, 이와 같은 전기적 쇼트를 방지하기 위하여 반도체 칩의 활성면의 가장자리 부분에 접촉하지 않도록 와이어 본딩 공정을 진행할 경우, 본딩 와이어의 최고점의 높이가 높아져 반도체 패키지의 전체 두께가 두꺼워지는 문제가 있다.
그리고 반도체 칩의 용량이 증가할수록 반도체 칩의 크기 또한 증가하게 되고, 아울러 센터 패드형의 전극 패드에서 반도체 칩의 가장자리까지의 거리도 멀어지게 될 것이기 때문에, 본딩 와이어가 반도체 칩의 모서리 부분에 접촉될 확률은 그만큼 높아지게 되고, 전술된 바와 같은 전기적 쇼트가 문제시 될 것이다.
본 발명의 일 실시 예는 다이아몬드 절삭 날을 사용하는 물리적인 방법 대신에 식각 용액, 식각 가스를 사용하는 플라즈마 식각 방법, 화학적 식각 방법을 사용하여 칩 분리를 진행한다. 예를 들어 SF6 플라즈를 사용하여 칩 분리를 진행할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. 하지만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도 3 내지 도11까지는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 복수 개의 반도체 칩(100)을 갖는 웨이퍼(200)를 나타내는 단면도들이다. 도 3을 참조하면, 반도체 칩(100)들은 스크라이브 영역(260; scribe area)에 의해 구분된다. 반도체칩(100)은 실리콘 기판(210)의 상부면(220)에 집적회로(미도시)와 집적회로를 외부로부터 보호하기 위한 절연층(240), 예를 들어 폴리이미드층이 형성되어 있고, 상기 반도체 칩(200)의 상부면(220)에 백랩 테이프(backlap tape)(250)가 접착되어 있다. 본 출원 명세서에서 반도체 칩의 상부면은 집적회로가 형성되는 면을 가리키고 반도체 칩의 하부면은 상부면의 이면을 가리킨다. 백랩 테이프(250)는 반도체 칩의 하부면(230)을 적당한 두께로 가공할 때, 반도체 칩의 상부면을 보호하기 위한 것이다.개별 반도체 칩들 사이에 존재하는 스크라이브 영역(260)의 적어도 일부분을 노출하도록 폴리이미드층(240)이 형성되어 개별 반도체 칩의 분리가 용이하도록 할 수 있다.
절연층(240)은 에폭시 계열의 플라스틱 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어 반도체 웨이퍼 상부면 전체를 덮도록 폴리이미드를 형성한 후 포토리소그라피 공정을 진행하여 폴리이미드의 일부분을 제거하여 최종적으로 폴리이미드가 웨이퍼의 상부면 전체를 덮되, 전극 패드의 일부분을 노출하고 스크라이브 영역의 일부분을 노출하도록(스크라이브 영역의 일부분은 덮도록)을 덮도록 할 수 있다.
도4를 참조하게 되면 웨이퍼(200)의 하부면(230)을 적당한 두께로 가공한다. 구체적인 방법은 웨이퍼(200)에 연마제(Slurry)를 주입하면서 다이아몬드 휠(Diamond wheel)(300)을 이용하여 연마(grinding) CMP(chemical Mechanical Polishing)방법, 실리카 접착 패드(Silica adhesive pad)를 이용하는 건조 연마( dry polishing)방법, 화학약품(chemical)을 이용하여 식각(etching)하는 건식 식각(wet etching)방법 그리고 플라즈마( plasma)와 화학약품(chemical)을 이용한 플라즈마(plasma)방법등으로 진행할 수 있다. 웨이퍼에 가해진 스트레스를 완화해 주기 위해 플라즈마 스트레스 완화(plasma stress relief)공정을 추가로 진행할 수 있다.
도5를 참조하게 되면, 적당한 두께로 가공된 반도체 웨이퍼의 하부면(230)위에 감광수지(280)를 스핀 코팅과 같은 방법으로 형성시켜 준다. 이 때 감광수지 형성공정 전후에 경화공정이 추가될 수 있다.
도6을 참조하게 되면, 반도체 웨이퍼(210)의 하부면(230)위에 형성된 감광수지(280)를 포토리소그라프(photolithography)법을 이용하여 원하는 모양으로 패터닝해 감광수지 패턴(285)을 형성한다. 감광수지 패턴(285)은 이후에 진행될 공정에서 반도체 개별칩으로 분리시킬 수 있도록 스크라이브 영역(260)에 대응하는 위치에 개구부(287)를 구비한다. 감광수지 패턴(285)의 개구부(287)의 폭은 다양하게 형성될 수 있다.
도7을 참조하게 되면, 감광수지 패턴(285)의 개구부(287)에 노출된 반도체 웨이퍼(스크라이브 영역)를 제거하여 개별 반도체 칩(100)으로 분리한다. 예를 들 어 SF6 플라즈마를 사용하여 반도체 웨이퍼를 식각할 수 있다. 감광수지 패턴(285)의 개구부(287)의 폭은 폴리이미드층(240)이 분리된 개별 반도체 칩(100)의 가장자리를 넘어 밖으로 연장하도록, 결정될 수 있다.
반도체 칩(100)의 가장자리 밖으로 연장한 폴리이미드 층(240)은 후속 공정인 와이어 본딩 공정에서 반도체 칩의 가장자리와 와이어가 접촉하지 않도록 막아주는 역할을 하게 된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 칩 분리 방법에 따르면, 반도체 칩의 가장자리를 보호하기 위한 추가적인 공정을 진행할 필요 없이, 통상적으로 반도체 칩을 보호하기 위해 형성되는 폴리이미드 같은 보호층의 일부분으로 형성할 수 있어, 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 포토리소그라피 공정을 통해서 반도체 칩의 가장자리 밖으로 연장하는 부분의 길이를 쉽게 조절할 수 있다.
도8을 참조하게 되면, 개별 반도체 칩(100)으로 분리가 완료된 후 반도체 웨이퍼의 하부면(230)에 형성되어 있던 감광수지 패턴(285)를 제거하여 준다. 이 때, 산소 플라즈마를 이용한 방법(ashing)이 사용될 수 있다.
도9을 참조하게 되면, 개별 반도체 칩(100)들의 하부면(230)에 후속 공정으로 진행될 칩 본딩을 위해 칩접착필름(Die Attach Film)(310)을 형성하여 준다.
도10 및 도11을 참조하게 되면, 백랩 테이프(250)을 제거하고 칩접착필름(Die Attach Film)(310)을 개별 반도체 칩에 대응하도록 분리시킴으로서 개별 반도체 칩으로 분리공정을 완료하게 된다.
도12 및 13에서는 도 3 내지 도 11을 참조하여 설명을 한 방식으로 형성된 개별 반도체 칩(400)을 사용한 패키지 공정을 설명하기 위한 도면들이다. 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 칩(400)은 집적회로가 형성된 집적회로 기판(405), 집적회로에 전기적으로 연결된 전극 패드(420), 집적회로를 보호하기 위한 절연층(240)을 포함할 수 있다. 이 절연층(240)은 전극 패드(420)를 제외한 반도체 칩의 상부면 전체를 덮으면서 반도체 칩(400)의 가장자리를 넘어 밖으로 연장할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 절연층(240)은 전극 패드(420)의 가장자리도 덮을 수 있다. 이 절연층(240)은 반도체 공정에서 통상적으로 반도체 칩을 외부로부터 보호하거나 집적회로의 손상을 방지하기 위해 형성되는 폴리이미드 같은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 와이어 본딩이 지나가는 반도체 칩(400)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 일 실시 예에서 절연층(240)은 반도체 칩(400의 가장자리에서 밖으로, 즉 반도체 칩(400)의 측면으로부터 바깥쪽으로 약 1 마이크로 미터 또는 그 이상 연장할 수 있다.
반도체 칩의 전극 패드(420)에 본딩 와이어(430)가 접속되어 있는 가장자리 부근에 반도체 웨이퍼의 분리공정중에 발생한 반도체 칩 내부의 본딩 배선층과 기타 도전층의 비산물 내지 부착물이 있었다고 하더라도 가장자리부근에 형성된 폴리이미드 때문에 반도체 칩과 와이어 사이에 단락이 생기는 것을 억제할 수 있다.
반도체 칩을 분리한 후 인쇄회로기판 같은 기판(500)에 반도체 칩(400)을 접착제(600)를 사용하여 부착한다. 접착제(600)로서 전술한 방법의 칩접착필름(310)을 사용할 수 도 있다. 칩의 전극 패드(420)와 기판(500)의 도전 패드(510)을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(430)을 형성한다.또 다른 실시예로서, 반도체 칩의 본딩 패드에 와이어가 접속되는 구조에서 폴리이미드층이 대신 또는 추가로 다른 절연테이프가 모서리부위를 덮도록 동일하게 형성된다면 와이어와의 접촉을 막는 전기적 절연효과를 가져올 수 있다.
도 1 내지 도 2는 반도체 칩의 연결단자와 와이어와의 연결된 형태를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3 내지 도11은 본 발명의 실시예로서 개별 반도체 칩을 분리하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12 내지 도13은 본 발명의 실시예로서 개별 분리된 반도체 칩의 전극 패드에 와이어 본딩이 이루어진 것을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (15)

  1. 집적회로가 형성된 반도체칩과 반도체 칩사이에 스크라이브 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계;
    상기 반도체칩의 상부면을 덮는 절연층를 형성하는 단계;
    감광수지 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 스크라이브 영역을 식각하여 상기 반도체칩들을 분리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 분리방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 폴리이미드층인 것을 특징으로 하는 반도체칩 분리방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 스크라이브 영역을 식각하여 상기 반도체칩들을 분리하는 단계는, 상기 절연층이 분리된 반도체 칩의 가장자리 밖으로 적어도 1um이상 연장하도록 상기 스크라이브 영역을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 분리방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 스크라이브 영역의 일부분을 덮도록 형성하는 것을 포함하는 반도체칩 분리방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 감광수지 패턴을 형성하기 전에 상기 반도체 웨이퍼의 하부면을 연마하는 백랩 공정을 더 포함하며, 상기 백랩(backlap)공정은 화학기계연마법(CMP), 습식에칭법(Wet etching),플라즈마법(Plasma)법을 포함하는 반도체 분리방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 스크라이브 영역을 식각하여 상기 반도체칩들을 분리하는 단계는 상기 절연층이 노출되도록 상기 스크라이브 영역을 식각하는 반도체 분리방법.
  7. 집적회로가 형성된 반도체칩과 반도체 칩사이에 스크라이브 영역(scribe lane)을 포함하는 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계;
    상기 반도체칩의 상부면과 스크라이브 영역의 일부를 덮는 절연층를 형성하는 단계;
    반도체 웨이퍼의 상부면상에 제1 테이프를 형성하는 단계;
    감광수지 패턴을 식각 마스크로 사용하여, 상기 절연층이 노출되도록 상기 스크라이브 영역을 식각하여 상기 반도체칩들을 분리하는 단계;
    상기 반도체 웨이퍼의 하부면에 제2 테이프를 접착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 상부면으로부터 제1 테이프를 제거하는 단계;
    상기 분리된 반도체 칩을 기판에 부착하는 단계;
    상기 기판의 도전 패드와 상기 반도체 칩의 도전 패드 사이의 전기적 연결을 위한 본딩 와이어를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2 테이프를 접착 단계는 다이 접착 필름을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 패키지 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 상부면으로부터 제1 테이프를 제거하는 단계;
    상기 다이 접착 필름을 분리된 반도체 칩 단위에 대응하도록 분리하고, 상기 분리된 반도체 칩을 상기 다이 접착 필름을 사용하여 기판에 부착하는 단계;
    상기 기판의 도전 패드와 상기 반도체 칩의 도전 패드 사이의 전기적 연결을 위한 본딩 와이어를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지 형성 방법.
  11. 집적회로가 형성된 집적회로 기판;
    상기 집적회로에 전기적으로 연결되며 상기 집적회로 기판의 상부면에 제공된 전극 패드;
    상기 집적회로를 보호하도록 상기 전극 패드를 제외한 상기 집적회로 기판의 상부면 전체를 덮으며 상기 집적회로 기판의 가장자리 밖으로 연장한 절연층을 포함하는 반도체 칩.
  12. 제11항에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드를 포함하는 반도체 칩.
  13. 제11항에 있어서, 상기 절연층은 상기 집적회로 기판의 가장자리 밖으로 적어도 1um이상 연장하는 반도체 칩.
  14. 기판에 부착된 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 전극 패드와 상기 기판의 도전 패드를 전기적으로 연결하는 본딩와이어를 포함하며,
    상기 본딩 와이어와 상기 반도체 칩의 가장자리 사이에 위치하고 상기 반도체 칩의 전극 패드를 제외한 상기 반도체 칩의 상부면 전체를 덮으면서 상기 반도체 칩의 가장자리 밖으로 연장하는 절연층이 제공되는 반도체 패키지.
  15. 제14항에 있어서, 상기 절연층은 상기 반도체 칩의 가장자리 밖으로 적어도 1um이상 연장하는 반도체 칩.
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