KR20090128006A - 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents
마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090128006A KR20090128006A KR1020080053974A KR20080053974A KR20090128006A KR 20090128006 A KR20090128006 A KR 20090128006A KR 1020080053974 A KR1020080053974 A KR 1020080053974A KR 20080053974 A KR20080053974 A KR 20080053974A KR 20090128006 A KR20090128006 A KR 20090128006A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- metal pattern
- spacer
- micro
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 99
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2214/00—Aspects relating to resistive heating, induction heating and heating using microwaves, covered by groups H05B3/00, H05B6/00
- H05B2214/04—Heating means manufactured by using nanotechnology
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49083—Heater type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
기판상에서 상기 기판과 이격되어 형성된 금속 패턴; 상기 금속 패턴의 하부에서 상기 금속 패턴을 상기 기판에 고정하는 지지부; 및 상기 금속 패턴과 이격되어 상기 기판상에 형성된 간격재(spacer)를 포함하되, 상기 기판으로부터 상기 간격재의 상부면까지의 거리는 상기 기판으로부터 상기 금속 패턴의 상부면까지의 거리보다 크도록 구성된 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터를 사용하면, 마이크로 히터가 형성된 기판과 타겟 기판의 간격을 간격재에 의해 정밀하게 조절하여 세밀한 패턴 형성이 가능한 이점이 있다.
마이크로 히터, 스페이서, 유기 EL, 패턴
Description
본 발명은 간격재(spacer)를 구비한 마이크로 히터, 상기 마이크로 히터로 구성된 마이크로 히터 어레이, 상기 마이크로 히터의 제조 방법 및 상기 마이크로 히터를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
전계발광(Electroluminescent; EL) 물질 중 유기 EL 물질은 능동형 매트릭스 유기 발광 다이오드(Active Matrix Organic Light Emitting Diode; AMOLED) 등에 널리 사용되고 있다. 그러나 상기 유기 EL 물질은 화학적 안정성이 취약하므로 통상의 포토리소그래피(photolithography) 공정에 의해 패턴을 형성하기 어렵다.
이러한 유기 EL 물질의 패턴을 형성하기 위한 방법으로, 섀도우 마스크(shadow mask)를 이용한 증발법(evaporation)을 사용하거나, 레이저를 사용한 국소적 전사법으로서 LITI(Laser-Induced Thermal Imaging) 또는 LIPS(Laser-Induced Pattern-wise Sublimation) 등의 방법이 사용되고 있다.
섀도우 마스크를 이용한 증발법은 섀도우 마스크가 형성된 기판 상에 증착 대상물을 증발시켜 패턴을 형성하는 방법이며, LITI 또는 LIPS는 레이저 스캐닝에 의하여 목적하는 패턴으로 증착 대상물을 가열시킴으로써 패턴을 형성하는 방법이다.
본 발명의 일 실시예는 금속 패턴, 지지부 및 간격재를 포함하는 마이크로 히터를 제공한다. 상기 금속 패턴은 기판상에서 기판과 이격되어 형성되며, 상기 지지부는 상기 금속 패턴의 하부에서 상기 금속 패턴을 상기 기판에 고정한다. 상기 간격재는 상기 금속 패턴과 이격되어 상기 기판에 형성되며, 상기 기판으로부터 상기 간격재의 상부면까지의 거리는 상기 기판으로부터 상기 금속 패턴의 상부면까지의 거리에 비해 큰 값을 갖는다.
또한 본 발명의 일 실시예는 상기와 같이 구성된 마이크로 히터를 사용한 마이크로 히터 어레이를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 상기 마이크로 히터의 제조 방법을 제공한다. 상기 마이크로 히터의 제조 방법은, 상기 기판상에 가열층을 형성하고 패터닝하며, 상기 기판상에 상기 가열층보다 두꺼운 절연층을 형성하고, 상기 절연층 및 상기 기판의 일부를 식각하여 상기 지지부 및 상기 간격재를 형성하도록 구성된다.
또한 본 발명의 일 실시예는 상기 마이크로 히터를 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 패턴 형성 방법은, 전술한 바와 같이 구성된 마이크로 히터를 포함하는 기판에 전사 물질을 형성하고, 타겟 기판을 상기 간격재에 근접시키며, 상기 금속 패턴에 전력을 인가하여 상기 금속 패턴 상에 위치한 상기 전사 물질을 선택적으로 증발시켜 타겟 기판에 전사하도록 구성된다.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다. 그 러나, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터를 도시한 사시도이다. 또한, 도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I'에 따라 절단한 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 절단선 J-J'에 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1의 마이크로 히터를 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 일 실시예에 따른 마이크로 히터(1)는 기판(10)상에 구비되고, 금속 패턴(20), 지지부(30) 및 간격재(spacer; 40)를 포함한다.
상기 기판(10)은 실리콘 웨이퍼 또는 유리 재질로 이루어질 수 있다. 특히 상기 기판(10)이 유리 재질로 이루어진 경우 복사열(가시광선이나 IR)을 투과하므로 고온의 히팅이 가능하다.
금속 패턴(20)은 상기 기판(10)상에서 지지부(30)에 의해 상기 기판(10)과 이격된 채로 고정된다. 상기 금속 패턴(20)은 몰리브덴이나 텅스텐, 탄화실리콘 등으로 이루어질 수 있으며, 전력 인가에 의하여 발광 및 발열하게 된다.
도 1 내지 도 4에 도시된 실시예에서, 금속 패턴(20)은 제1 영역(A1), 제2 영역(A2) 및 제3 영역(A3)을 포함한다. 금속 패턴(20)의 제1 영역(A1)은 기판(10) 상에서 일방향(D1)을 따라 연장되며, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 양측으로부터 일방향(D1)에 수직한 방향(D2)으로 연장된다. 제3 영역(A3)은 제2 영역(A2)의 끝으로부터 제2 영역(A2)의 길이 방향(D2)으로 연장되어 지지부(30)에 의해 기판(10)에 고정된다.
도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에서 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 기준으로 제1 영역(A1)의 양측에 대칭적으로 구비되었다. 그러나, 이는 예시적인 것으로서, 다른 실시예에서 상기 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 양측에 엇갈려서 구비될 수도 있다.
지지부(30)는 상기 기판(10)과 금속 패턴(20)의 제3 영역(A3)의 사이에 구비되고, 금속 패턴(20)의 하부에서 금속 패턴(20)을 기판(10)에 고정한다. 도시된 실시예에서, 지지부(30)는 습식 식각의 특성으로 인하여 기판(10)에 접촉하는 영역의 크기가 금속 패턴(20)의 제3 영역(A3)에 접촉하는 영역의 크기보다 크도록 형성되었다.
도 1 내지 도 4에 도시된 실시예에서는 금속 패턴(20)의 제3 영역(A3) 및 제3 영역(A3)에 접촉하는 지지부(30)의 단면이 원형으로 도시되어 있지만, 식각에 따라서는 제3 영역(A3)이나 지지부(30)의 단면이 원형이 아닌 사각형 또는 기타 다른 형상이 될 수 있다.
한편 본 발명의 일 실시예에서, 지지부(30)는 상기 금속 패턴(20)으로부터 발생하는 열의 손실을 방지하기 위하여 열전도율이 작은 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 상기 지지부(30)는 유리(glass) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
간격재(40)는 기판(10)상에서 금속 패턴(20)과 이격되어 형성된다. 간격재(40)는 지지부(30)와 마찬가지로 유리 및 실리콘 산화물 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있으며, 추후 기판(10) 상에 위치하는 다른 기판과 금속 패턴(20) 을 원하는 간격만큼 이격시키는 역할을 한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 전술한 기능을 위하여, 기판(10)으로부터 간격재(40)의 상부면까지의 거리(L1)는 기판(10)으로부터 금속 패턴(20)의 상부면까지의 거리(L2)보다 크게 형성된다. 이와 같이 구성할 경우, 간격재(40) 상에 다른 기판이 위치하더라도 간격재(40) 보다 낮게 형성된 금속 패턴(20)은 다른 기판과 이격된 채로 유지된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터는 유기 전계발광(Electroluminescent; EL) 물질 등의 전사(transfer) 물질의 패턴을 형성하는 데에 사용될 수 있다. 즉, 금속 패턴(20) 위에 전사 물질을 형성하고 전력을 인가하면 금속 패턴(20)이 가열된다. 이때, 전사 물질의 융점 이상의 온도로 금속 패턴(20)을 가열하면 금속 패턴(20) 상의 전사 물질이 증발되어 다른 기판으로 전사되며, 다른 기판상에 패턴이 형성된다.
일 실시예에서는 금속 패턴(20)의 가열 온도 및 가열 시간에 따라 금속 패턴(20) 상에 형성된 전사 물질을 선택적으로 증발시키는 것도 가능하다. 예컨대, 금속 패턴(20)의 제1 영역(A1) 상에 형성된 전사 물질만을 선택적으로 증발시킬 수도 있으며, 이는 상세히 후술한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 히터를 도시한 사시도이다. 도 5를 참조하면, 상기 실시예에 따른 마이크로 히터는 기판(10) 상에 구비되며, 금속 패턴(21), 지지부(30) 및 간격재(40)를 포함한다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 전술한 실시예와 달리, 도 5에 도시된 실시예에서 금속 패턴(21)은 전체적으로 라인 형상이며, 일방향(D1)으로 연장된다. 또한, 금속 패턴(21)은 복수 개의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함한다. 각 제1 영역(A1)은 라인 형상이며, 각 제2 영역(A2)은 제1 영역(A2) 사이마다 위치한다. 제2 영역(A2)의 하부에는 지지부(30)가 연결되어, 금속 패턴(21)을 기판(10)에 고정한다.
금속 패턴(21)의 형상이 상이한 점을 제외하면, 금속 패턴(21), 지지부(30) 및 간격재(40)의 구성 및 기능은 도 1 내지 도 4를 참조하여 전술한 실시예와 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서는 도 1 및 도 5에 도시된 금속 패턴의 형태를 조합하여 금속 패턴을 구성하는 것도 가능하다.
예컨대, 도 5에 도시된 마이크로 히터(1)에서 금속 패턴(21)의 제1 영역(A1)의 양측으로 연장되는 영역을 더 포함하는 것도 가능하다. 또한, 금속 패턴의 일부분은 도 5에 도시되는 금속 패턴(20)의 형상으로 구성하고, 일부분은 도 1에 도시되는 금속 패턴(21)의 형상으로 구성할 수도 있다.
또한, 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예에서 간격재는 직사각형 형상의 단면을 갖는 사각 기둥으로 도시되었으며, 복수 개가 서로 이격되어 형성되었다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 일 실시예에서 간격재는 식각에 따라 원 또는 타원 등 상이한 형상의 단면을 가질 수 있다. 또한 일 실시예에서 간격재는 기판 상에서 일방향으로 연장되는 단일한 라인 형상으로 구성될 수도 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터 어레이를 도시한 사시도이다.
도 6을 참조하면, 상기 실시예에 따른 마이크로 히터 어레이는 기판(10)상에 2개 이상의 마이크로 히터(1)가 동일한 방향으로 나란하게 배열되어 이루어진다. 상기 마이크로 히터 어레이에서 2개 이상의 마이크로 히터(1)를 병렬 연결하여 동일한 전력을 인가할 수 있다.
한편, 본 발명의 상기 마이크로 히터(1) 또는 마이크로 히터 어레이는 탄소나노튜브 트랜지스터, 저온 다결정 실리콘이나 박막 트랜지스터, 백라잇유닛용 티이 필드 방출 소스 등과 같이 고온 제조 공정 또는 고온 작동 공정이 요구되는 각종 전자 장치에 응용될 수 있다.
전자 장치에 응용할 경우, 본 발명의 마이크로 히터(1)의 구조에 의하면, 간격재를 사용하여 기판(10)과 기판(10) 상에 위치한 다른 기판 사이의 이격 거리를 원하는 대로 조절할 수 있어, 세밀한 패터닝이 가능한 이점이 있다.
도 6은 도 1에 도시된 실시예에 따른 마이크로 히터를 2개 이상 병렬 연결하여 형성된 마이크로 히터 어레이를 도시하였다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 본 발명의 다른 실시예에서는 도 5에 도시된 실시예에 따른 마이크로 히터 또는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 히터를 사용하여 마이크로 히터 어레이를 구성하는 것도 가능하다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터의 제조 방법의 각 단계를 도시한 측면도이다.
도 7a를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 희생층(100)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 희생층(100)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 희생층(100)은 추후 희생층(100) 및 기판(10)의 일부를 식각하여 형성될 지지부의 크기를 균일하게 하기 위한 층이다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예에서는 기판(10) 상에 희생층(100)을 형성하지 않고 기판(10)의 구성 물질로만 지지부를 형성하는 것도 가능하다.
도 7b를 참조하면, 다음으로 기판(10) 상에 가열층(200)을 형성한다. 일 실시예에서, 가열층(200)은 텅스텐, 몰리브덴 및 산화실리콘 등으로 이루어질 수 있다.
도 7c를 참조하면, 다음으로 가열층(200)을 패터닝하여 금속 패턴(20)을 형성한다. 가열층(200)은, 전술한 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 히터의 금속 패턴 형상으로 패터닝 될 수 있으며, 예컨대, 도 1 또는 도 5에 도시된 금속 패턴(20, 21)의 형상으로 패터닝된다.
도 7d를 참조하면, 다음으로 기판(10) 상에 절연층(300)을 형성한다. 절연층(300)은 추후 식각에 의하여 간격재로 형성되는 층이며, 예컨대, 실리콘 산화물을 포함하여 이루어질 수 있다.
도 7d에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서, 절연층(300)의 두 께(T2)가 가열층(200)의 두께(T1)보다 두껍도록 형성한다. 절연층(300)이 가열층(200) 보다 두껍게 형성될 경우, 추후 절연층(300)을 식각하여 형성될 간격재의 상부면이 가열층(200)을 패터닝하여 형성된 금속 패턴(20)의 상부면보다 높게 위치하게 된다.
도 7e를 참조하면, 다음으로 기판(10) 상에 금속층(400)을 형성할 수 있다. 금속층(400)은 절연층(300)과 추후 식각을 위하여 절연층(300) 상에 형성될 포토 레지스트(Photo Resist; PR)(미도시)와의 접촉성을 증가시키기 위한 층으로 금속 물질로 이루어진다. 그러나 본 발명의 다른 실시예에서는, 금속층(400)을 형성하지 않고 절연층(300) 위에 바로 PR을 형성하는 것도 가능하다.
도 7f를 참조하면, 다음으로 금속층(400), 절연층(300), 희생층(100) 및 기판(10)의 일부를 식각하여 지지부(30) 및 간격재(40)를 형성한다. 도면에 도시되지는 않으나, 식각 공정은 금속층(400) 상에 PR을 형성하고 노광 및 식각을 수행하는 공정 단계를 포함할 수 있다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법의 각 단계를 도시한 측면도이다. 상기 실시예에 따른 패턴 형성 방법은 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터를 이용하여 수행된다.
도 8a를 참조하면, 먼저 금속 패턴(20) 및 간격재(40)가 형성된 기판(10)을 준비하고, 기판(10) 상에 전사(transfer) 물질(500, 501)을 형성한다.
일 실시예에서, 전사 물질(500, 501)은 유기 EL 물질 또는 금속 물질일 수 있다. 예컨대, 상기 전사 물질(500)은 트리스(8-퀴놀리놀라토)-알루미늄(tris(8-quinilinolato)-aluminium; Alq3)과 같은 유기 알루미늄 혼합물을 포함할 수 있다. 또는 상기 전사 물질(500)은 금속 패턴(20)의 가열 온도보다 낮은 융점을 갖는 저융점 금속 물질일 수도 있으며, 예컨대 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)일 수 있다.
도 8b를 참조하면, 다음으로 전사 물질(500, 501)이 형성된 기판(10)의 간격재(40)상에, 패턴을 형성하고자 하는 타겟 기판(50)을 근접시킨다. 일 실시예에서, 타겟 기판(50)은 실리콘 웨이퍼 또는 유리 재질로 이루어질 수 있다.
도 8b에서 타겟 기판(50)은 간격재(40)와 접합되었으나, 다른 실시예에서 타겟 기판(50)은 간격재(40)와 일정 간격 이격되어 위치할 수도 있다. 일 실시예에서, 타겟 기판(50)은 기계적인 압력을 사용하여 간격재(40)에 접합되거나, 또는 양 기판(10, 50) 사이의 공간의 압력을 낮춤으로서 기압차에 의하여 간격재(40)에 접합될 수 있다. 또는 기타 공지된 접합 방법을 사용하여 타겟 기판(50)을 간격재(40)에 접합할 수도 있다.
도 8c를 참조하면, 다음으로 금속 패턴(20)에 전력을 인가하며, 인가된 전력에 의하여 금속 패턴(20)이 가열된다. 간격재(40)로 인하여 금속 패턴(20)은 타겟 기판(50)과 이격되어 있다. 이때, 금속 패턴(20)이 전사 물질(500, 501)의 융점 이상의 온도로 가열되면 금속 패턴(20) 위에 위치한 전사 물질(501)이 증발되어 타겟 기판(50)으로 전사된다. 따라서, 타겟 기판(50)에는 금속 패턴(20)의 형상에 대응되는 패턴이 형성된다.
전술한 본 발명의 실시예에 따르면, 간격재(40)에 의하여 금속 패턴(20)이 타겟 기판(50)과 이격된다. 또한, 금속 패턴(20)과 타겟 기판(50)의 이격 거리는 간격재(40)에 의해 조절된다. 따라서, 간격재(40)의 크기를 조절함으로써 금속 패턴(20) 상의 전사 물질이 증발되어 이동하는 거리를 조절할 수 있으므로, 패턴의 선폭이 넓어지는 것을 방지하고 세밀한 패턴 형성이 가능하다.
본 발명의 일 실시예에서는, 금속 패턴(20)에 인가되는 전력을 조절하여 금속 패턴(20) 상의 전사 물질(501)을 영역에 따라 선택적으로 증발시킬 수도 있다. 예컨대, 금속 패턴(20)에는 구형파(square wave) 형태의 전력이 인가될 경우, 인가되는 전력의 크기 또는 전력 인가 시간 등을 조절함으로써 금속 패턴(20) 상에 위치한 전사 물질(501)을 선택적으로 증발시킬 수 있다.
즉, 금속 패턴(20)에 전력이 인가되는 시간이 충분할 경우 금속 패턴(20) 상에 형성된 모든 전사 물질(501)이 증발된다. 전력 인가 시간이 과도할 경우에는, 마이크로 히터 전체의 가열로 인하여 금속 패턴(20)뿐만 아니라 기판(10)의 다른 영역에 형성된 전사 물질(500)까지 증발될 수도 있다. 한편, 금속 패턴(20)에 전력이 인가되는 시간이 부족할 경우에는, 금속 패턴(20) 상에 증발되지 않은 전사 물질(501)이 잔류하게 될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서는, 금속 패턴(20)의 제1 영역(A1)에 형성된 전사 물질만 증발되고 제2 및 제3 영역(A2, A3)에 형성된 전사 물질은 증발되지 않도록 금속 패턴(20)에 인가되는 전력의 세기 및 지속 시간을 조절할 수도 있다. 일 예로, 본 발명가들은 제1 영역(A1)의 폭(w)이 15 ㎛인 금속 패턴(20)을 약 350°C로 약 30초간 가열함으로써 제1 영역(A1)에 형성된 전사 물질만 을 증발시키는 실험을 수행하였다.
도 9는 상기 실시예에 따른 패턴 형성 방법에 의해 형성된 패턴의 사진이다. 금속 패턴에 인가되는 전력을 조절한 결과, 금속 패턴 상의 전사 물질로 구성된 발광 물질 층(Emitting Material Layer; EML)이 선택적으로 증발되어 도시되는 것과 같은 라인 형상의 패턴이 전사되었다.
전술한 실시예에서는 금속 패턴에 구형파 형태의 전력을 인가하는 경우를 예를 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것으로서, 다른 실시예에서는 금속 패턴에 삼각파(triangular wave) 또는 기타 상이한 파형의 전력을 인가할 수도 있다.
나아가 본 발명의 일 실시예에서는, 도 8a 내지 도 8c를 참조하여 전술한 패턴 형성 과정을 2회 이상 반복함으로서, 타겟 기판에 복수 개의 패턴을 형성할 수 있다.
예컨대, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 AMOLED 에 적용할 경우, 상기 패턴 형성 방법은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 기판 뒷면(backplane)에 R(적색), G(녹색) 및 B(청색)의 3색 EL 물질의 패턴을 형성하기 위한 용도로 사용될 수도 있다.
이때, 마이크로 히터 자체는 패턴 형성 과정에서 손실되거나 변형되지 않으므로, 하나의 마이크로 히터를 사용하여 여러 장의 기판 상에 패턴을 형성하는 것도 가능하다.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로 부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I'에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 절단선 J-J'에 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 마이크로 히터의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 히터를 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터 어레이를 도시한 사시도이다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 히터의 제조 방법의 각 단계를 도시한 측면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법의 각 단계를 도시한 측면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법에 의해 형성된 패턴의 사진이다.
Claims (18)
- 기판상에서 상기 기판과 이격되어 형성된 금속 패턴;상기 금속 패턴의 하부에서 상기 금속 패턴을 상기 기판에 고정하는 지지부; 및상기 금속 패턴과 이격되어 상기 기판상에 형성된 간격재(spacer)를 포함하되,상기 기판으로부터 상기 간격재의 상부면까지의 거리는 상기 기판으로부터 상기 금속 패턴의 상부면까지의 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 패턴상에 형성되며, 상기 금속 패턴이 가열됨에 따라 증발되는 전사(transfer) 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 2항에 있어서,상기 전사 물질은, 유기 전계발광(Electroluminescent; EL) 물질 또는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 1항에 있어서,상기 간격재 상에 형성된 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 패턴은 텅스텐, 몰리브덴 및 탄화실리콘 중 하나 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부 또는 상기 간격재는 유리 및 실리콘 산화물 중 하나 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 1항에 있어서,상기 간격재에 접합되거나 또는 상기 간격재와 이격된 타겟 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터.
- 제 1항에 따른 마이크로 히터가 2개 이상 나란하게 구비된 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 어레이.
- 기판상에 가열층을 형성하고 패터닝하는 단계;상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 및 상기 기판 일부를 식각하여, 패터닝된 상기 가열층과 식각된 상기 기판 사이에 위치하는 지지부 및 패터닝된 상기 가열층과 이격된 간격재를 형성하는 단계를 포함하되,상기 절연층은 상기 가열층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 마이크로 히터의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 가열층을 형성하고 패터닝하는 단계 전에, 상기 기판상에 희생층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 지지부 및 상기 간격재를 형성하는 단계는 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘 산화물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 히터의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계 후에, 상기 절연층 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 지지부 및 상기 간격재를 형성하는 단계는 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 가열층은 텅스텐, 몰리브덴 및 탄화실리콘 중 하나 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 히터의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 산화물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 히터의 제조 방법.
- 금속 패턴 및 간격재가 형성된 기판을 준비하는 단계 (a);상기 금속 패턴 상에 전사(transfer) 물질을 형성하는 단계 (b);타겟 기판을 상기 간격재에 근접시키는 단계 (c); 및상기 금속 패턴에 전력을 인가하여 상기 금속 패턴 상부에 위치한 상기 전사 물질을 선택적으로 증발시켜 상기 타겟 기판에 전사하는 단계 (d)를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 타겟 기판은 상기 간격재에 접합되거나 또는 상기 간격재와 이격되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 전사 물질은 유기 전계발광(Electrolumienscent; EL) 물질 또는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 단계 (a) 내지 상기 단계 (d)를 반복 수행하여, 상기 타겟 기판에 복수 개의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080053974A KR20090128006A (ko) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 |
US12/289,439 US8369696B2 (en) | 2008-06-10 | 2008-10-28 | Micro-heaters, methods for manufacturing the same, and methods for forming patterns using the micro-heaters |
CN2008101788539A CN101603168B (zh) | 2008-06-10 | 2008-12-04 | 微型加热器及其制造方法以及形成图案的方法 |
JP2008315771A JP5271063B2 (ja) | 2008-06-10 | 2008-12-11 | マイクロヒーター、その製造方法、及びマイクロヒーターを利用したパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080053974A KR20090128006A (ko) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090128006A true KR20090128006A (ko) | 2009-12-15 |
Family
ID=41400410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080053974A KR20090128006A (ko) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8369696B2 (ko) |
JP (1) | JP5271063B2 (ko) |
KR (1) | KR20090128006A (ko) |
CN (1) | CN101603168B (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101318292B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2013-10-18 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 전자 장치 |
EP3146277B1 (en) * | 2014-05-23 | 2021-10-27 | Laird Thermal Systems, Inc. | Thermoelectric heating/cooling devices including resistive heaters |
WO2018027069A1 (en) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Roll-to-roll programmable film imprint lithography |
US11660427B2 (en) | 2019-06-24 | 2023-05-30 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Superheating system for inertial impulse generation to disrupt vascular lesions |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3745508A (en) * | 1972-05-25 | 1973-07-10 | Bourns Inc | Selectable fixed impedance device |
US4201218A (en) * | 1978-12-22 | 1980-05-06 | Berman Philip G | Therapeutic heat application |
US4374312A (en) * | 1981-03-16 | 1983-02-15 | Damron John W | Panel type heating apparatus |
US4696188A (en) * | 1981-10-09 | 1987-09-29 | Honeywell Inc. | Semiconductor device microstructure |
JPS58124943A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | マイクロヒ−タ付き限界電流式酸素センサとそれを用いた限界電流式酸素濃度検出装置 |
US4478077A (en) * | 1982-09-30 | 1984-10-23 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
US4651564A (en) * | 1982-09-30 | 1987-03-24 | Honeywell Inc. | Semiconductor device |
JPH0722315A (ja) | 1991-03-08 | 1995-01-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体膜の製造方法 |
US5288973A (en) * | 1991-12-28 | 1994-02-22 | Rohm Co., Ltd. | Heater for sheet material |
JPH08184514A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | New Japan Radio Co Ltd | 圧力センサ |
US5780524A (en) * | 1996-05-14 | 1998-07-14 | Olsen; Don E. | Micro heating apparatus for synthetic fibers and related methods |
JPH10100477A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-21 | Sharp Corp | 記録装置 |
JP3377162B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2003-02-17 | 株式会社リコー | 熱分析装置およびその計測方法 |
US6091050A (en) * | 1997-11-17 | 2000-07-18 | Roxburgh Limited | Thermal microplatform |
JPH11240150A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Ricoh Co Ltd | インクジェットヘッド及びサーマルアクチュエータ |
JPH11271121A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Denso Corp | フローセンサおよびその製造方法 |
US6705152B2 (en) * | 2000-10-24 | 2004-03-16 | Nanoproducts Corporation | Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays |
JP2002124466A (ja) | 2000-10-12 | 2002-04-26 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2002240437A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Sharp Corp | 薄膜形成用ドナーシートの製造方法、薄膜形成用ドナーシート及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100525436B1 (ko) | 2001-05-25 | 2005-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 다결정화 방법과 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 |
US6762049B2 (en) * | 2001-07-05 | 2004-07-13 | Institute Of Microelectronics | Miniaturized multi-chamber thermal cycler for independent thermal multiplexing |
US6460966B1 (en) * | 2001-08-23 | 2002-10-08 | Hewlett-Packard Company | Thin film microheaters for assembly of inkjet printhead assemblies |
CN1620704A (zh) * | 2001-09-10 | 2005-05-25 | 迈克罗布里吉技术有限公司 | 使用脉冲加热和热定位进行有效的电阻微调的方法 |
KR100449069B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2004-09-18 | 한국전자통신연구원 | 미소전극, 미소전극 어레이 및 미소전극 제조 방법 |
JP2003178868A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写材料及び有機薄膜素子の製造方法 |
JP2004089748A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-03-25 | Casio Comput Co Ltd | 化学反応装置及び燃料電池システム並びにその製造方法 |
JP2004087143A (ja) | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sony Corp | 転写基板、転写装置および転写方法 |
US6914220B2 (en) * | 2002-09-24 | 2005-07-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Microelectromechanical heating apparatus and fluid preconcentrator device utilizing same |
US20040178879A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-09-16 | Somenath Mitra | Micromachined heaters for microfluidic devices |
JP2004269968A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sony Corp | 蒸着用マスク |
KR20040103726A (ko) | 2003-06-02 | 2004-12-09 | 주식회사 엘리아테크 | 대면적 유기 전계 발광 소자의 증착 소스 및 증착 방법 |
US7329361B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for fabricating or altering microstructures using local chemical alterations |
JP2005149751A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Olympus Corp | 発熱素子 |
JP4495951B2 (ja) | 2003-11-20 | 2010-07-07 | 株式会社昭和真空 | 有機材料薄膜の形成方法及びその装置 |
JP4581113B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-11-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 微細パターン形成方法 |
KR200358225Y1 (ko) | 2004-05-17 | 2004-08-05 | (주)지스코 | 카본히터 |
KR100776362B1 (ko) | 2004-12-03 | 2007-11-15 | 네오폴리((주)) | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 |
US20060141135A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Jian Wang | Processes for forming layers for electronic devices using heating elements |
JP2006286372A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Metro Denki Kogyo Kk | 赤外線カーボンヒータ |
JP2006302888A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Ngk Insulators Ltd | 給電部材及び加熱装置 |
KR100805430B1 (ko) | 2005-07-14 | 2008-02-20 | 엘지전자 주식회사 | 발열체의 구조 및 그 제조 방법 |
KR100647699B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노 반도체 시트, 상기 나노 반도체 시트의 제조방법,상기 나노 반도체 시트를 이용한 박막 트랜지스터의제조방법, 상기 나노 반도체 시트를 이용한 평판표시장치의 제조방법, 박막 트랜지스터, 및 평판 표시장치 |
JP4847365B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 蒸着源および蒸着装置 |
TWI275416B (en) * | 2006-04-11 | 2007-03-11 | Touch Micro System Tech | Micro sample heating apparatus and method of making the same |
TWI427702B (zh) * | 2006-07-28 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
US7999211B2 (en) * | 2006-09-01 | 2011-08-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heating element structure with isothermal and localized output |
KR100739000B1 (ko) * | 2006-09-11 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자의 형성 방법 |
JP5119635B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2013-01-16 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR101318292B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2013-10-18 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 전자 장치 |
KR101368733B1 (ko) | 2007-12-20 | 2014-03-04 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터를 이용한 열전자방출 장치 및 이의 제조방법 |
KR20090095314A (ko) * | 2008-03-05 | 2009-09-09 | 삼성전자주식회사 | 비정질막의 결정화 방법 및 이를 적용한 박막 태양전지 및박막 태양 전지의 제조 방법 |
KR20090106750A (ko) * | 2008-04-07 | 2009-10-12 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터 어레이를 이용한 멀티 스택형 태양 전지 및이의 제조 방법 |
US7932112B2 (en) * | 2008-04-14 | 2011-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
KR20100086735A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-02 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 막 형성 방법, pn 접합 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 pn 접합 |
US8395096B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-03-12 | Sandvik Thermal Process, Inc. | Precision strip heating element |
JP5240072B2 (ja) | 2009-05-27 | 2013-07-17 | 株式会社リコー | 熱型素子及び熱型素子の製造方法 |
KR101801538B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
KR20120058138A (ko) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터 및 마이크로 히터 어레이 |
-
2008
- 2008-06-10 KR KR1020080053974A patent/KR20090128006A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-28 US US12/289,439 patent/US8369696B2/en active Active
- 2008-12-04 CN CN2008101788539A patent/CN101603168B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-11 JP JP2008315771A patent/JP5271063B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101603168A (zh) | 2009-12-16 |
US20090304371A1 (en) | 2009-12-10 |
US8369696B2 (en) | 2013-02-05 |
JP5271063B2 (ja) | 2013-08-21 |
CN101603168B (zh) | 2013-05-08 |
JP2009302033A (ja) | 2009-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4490105B2 (ja) | 高分子アパーチャマスクを介して堆積基板上に材料を堆積する方法 | |
JP2918037B1 (ja) | カラー有機elディスプレイとその製造方法 | |
JP5544785B2 (ja) | マスク組立体及びこれを利用した平板表示装置用蒸着装置 | |
US20120132643A1 (en) | Microheater and microheater array | |
WO2017138166A1 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法 | |
US8741535B2 (en) | Laser irradiation device and method of fabricating organic light emitting display device using the same | |
TW445301B (en) | A shadow mask, a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device using the shadow mask | |
KR20090128006A (ko) | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR20090015805A (ko) | 증발원, 증발원의 제조 방법, 및 유기 el 표시 장치의제조 방법 | |
JP4595232B2 (ja) | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 | |
KR102065763B1 (ko) | 승화형 열전사 방법을 이용하는 유기 전계 발광 표시 장치의 유기 발광 패턴 형성 방법 및 유기 발광 패턴 형성 장치 | |
JP2008196002A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
JP5119428B2 (ja) | パターン形成方法及び有機発光素子の製造方法 | |
KR101667405B1 (ko) | 줄 가열을 이용한 유기막증착용 도너 기판 및 그의 제조 방법 | |
KR101318291B1 (ko) | 마이크로 히터 유닛, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법및 이를 이용한 전자 장치 | |
JP2015140464A (ja) | 蒸着マスク装置及び熱バリア材 | |
KR20150139748A (ko) | 줄 가열을 이용한 유기막증착용 도너기판 및 이의 제조방법 | |
WO2016008267A1 (zh) | 升华装置及制作有机发光二极管显示器件的方法 | |
KR101456657B1 (ko) | 증발원 가열 장치 | |
KR101671978B1 (ko) | 줄열을 이용하여 유기막을 증착하는 유기막증착용 도너기판 및 이의 제조방법 | |
TWI362228B (ko) | ||
WO2019113891A1 (en) | Donor substrate for depositing deposition material on acceptor substrate, method of depositing deposition material, and method of fabricating donor substrate | |
JP2007526612A (ja) | Oled用ドナー・シートの取り付け | |
KR102159644B1 (ko) | 줄히팅 증착장치 및 이를 이용한 증착방법 | |
KR102035007B1 (ko) | 증발장치 및 이를 이용한 유기물질패턴 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |