KR20090117092A - Micro patterning equipment of 3-dimension - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 리소그래피를 이용한 미세패턴 형성장치에 관한 것으로, 특히 3차원의 미세패턴을 형성하기 위한 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a micropattern forming apparatus using lithography, and more particularly, to an apparatus for forming a three-dimensional micropattern.
일반적으로, 간섭 노광(lithography)은 레이저 빛의 경로차를 이용하여 프린지(fringe) 형성하여 반도체 소자의 패턴 형성에 이용하게 된다.In general, interference lithography is used to form a fringe by forming a fringe using a path difference of laser light.
이하 도 1a를 참고하여 종래의 간섭 노광계를 이용한 미세패턴형성장치를 상세히 설명한다. Hereinafter, a fine pattern forming apparatus using a conventional interference exposure system will be described in detail with reference to FIG. 1A.
도 1a를 참고하면, 도 1a의 장치는 레이저광을 출사하는 레이저 소오스(1)와, 복수개의 전반사거울(2,3,5,6)과 빔 스플리터(4), 및 기판(7)로 구성된다.Referring to FIG. 1A, the apparatus of FIG. 1A includes a
도면에 도시된 바와 같이 종래의 간섭 노광 장치는 단파장대의 레이저빔을 두 경로로 나눈 후 이때 발생하는 경로차를 이용하여 일정한 주기의 프린지(fringe) 명암을 얻게 된다.As shown in the drawing, a conventional interference exposure apparatus divides a laser beam of a short wavelength band into two paths, and then obtains a fringe contrast of a certain period by using a path difference generated at this time.
이러한 프린지를 사용하여 반도체 소자의 제조 공정에서는 약 2000Å정도의 미세 격자주기를 만들어 내게 되는데, 노광에 사용되는 레이저빔은 감광막을 현상하기에 충분한 에너지를 갖고 있는 단파장인 자외선 레이저 소오스(1)를 사용하게 된다.In the semiconductor device manufacturing process using such fringes, a fine lattice period of about 2000 mW is generated. The laser beam used for exposure uses a short-wavelength ultraviolet laser source (1) having sufficient energy to develop a photosensitive film. Done.
레이저 소오스(1)에서 발생된 레이저빔을 전반사 거울(2,3)의 안내를 받아 상기 레이저빔을 빔 스플리터(4)로 보내 레이저빔을 둘로 나눈다. 그리고 상기 빔 스플리터(4)에서 나누어진 레이저빔을 전반사 거울(5,6)을 통해 기판(7)에 집속되어 간섭에 의한 프린지를 얻게 된다. The laser beam generated by the
이렇게 하여 얻어지는 프린지를 반도체의 초미세 패턴을 형성하는 감광물질을 현상하는데 이용하게 되는데 제 1b도에 기판(7)상에 현상된 감광물질(8)이 격자 주기(12)로 형성되어짐을 나타낸다. 여기서 격자주기(12)는 λ/2이며, 동일한 격자주기(12)로 감광물질(8)이 형성된다. 이를 거리와 광세기의 그래프로 상관관계를 살펴보면, 도 1b의 하기의 그래프와 같다. The fringe obtained in this way is used to develop the photosensitive material forming the ultrafine pattern of the semiconductor, and FIG. 1B shows that the
도 1b의 그래프를 보면, 가로축은 주기를 의미하며 세로축은 광세기(I)를 의미한다. 도 2에 보인바와 같이 동일한 주기인 λ/2로 진폭이 형성되며 광세기(I)도 동일한 주기인 λ/2마다 동일세기를 갖는다. 즉, 간섭 노광시에 두 개의 광이 교차하면서 발생하는 간섭신호형태가 조화함수(sinusoidal)임을 알 수 있다. In the graph of FIG. 1B, the horizontal axis means period and the vertical axis means light intensity (I). As shown in FIG. 2, the amplitude is formed at the same period of lambda / 2, and the light intensity I also has the same intensity every lambda / 2 of the same period. That is, it can be seen that an interference signal type generated by crossing two lights during interference exposure is a sinusoidal function.
이러한 간섭패턴을 갖는 노광 간섭계에서 미세패턴의 형성장치는 레이저가 결정되면 한 가지 주기의 패턴만을 제작할 수 있으며 보다 작은 선폭의 패턴을 제작하거나 주기를 변경하기 위해서는 레이저 자체를 변경해야했다. In the exposure interferometer having such an interference pattern, the micropattern forming apparatus can produce only one cycle pattern when the laser is determined, and the laser itself has to be changed to produce a pattern with a smaller line width or to change the cycle.
또한, 상기와 같은 종래의 간섭 노광계나 여타의 간섭계, 분광계에서 소오스 광원으로 UV(ultraviolet)나 IR(infrared)영역의 비가시광 레이저를 사용하는 경우 광학계 얼라인(align)시 레이저광의 세기나 간섭신호의 폭 조절이 불가하여 동일 폭의 패터닝만이 가능하였으며 1회 얼라인 만이 가능한 문제점이 있었다. In addition, in the case of using an invisible light laser in the UV (infrared) or IR (infrared) region as a source light source in the conventional interference exposure system or other interferometer or spectrometer as described above, the intensity or interference signal of the laser light when the optical system is aligned. It was not possible to adjust the width of the same width only patterning was possible, there was a problem that only one alignment.
이를 극복하기 위해 컴퓨터 재생 홀로그래픽 리소그래피 패터닝 기술이 사용되었으며, 마스크 없이 패터닝을 구현할 수 있게 되었다. 그러나, 이러한 홀로그래픽 리소그래피 패터닝 기술을 이용하더라고 2차원의 미세패턴 구조만을 제작하였다. To overcome this, computer-generated holographic lithography patterning technology was used, enabling patterning without masks. However, even with this holographic lithography patterning technique, only two-dimensional micropattern structures were fabricated.
한편, 3차원구조의 미세패턴을 제작할 수 있는 이광자 흡수 폴리머화를 이용한 미세패턴 제작기술도 제작가능 하였다. 이러한, 3차원의 미세패턴을 제작 예를 도 2를 참고하여 설명한다. On the other hand, it was also possible to manufacture a micro-pattern manufacturing technology using two-photon absorption polymerization capable of producing a three-dimensional micropattern. An example of manufacturing such a three-dimensional micropattern will be described with reference to FIG. 2.
도 2는 일점조사방식의 3차원 미세패턴 제작 예이며, 레이저광을 집광하는 고개구 현미경렌즈로부터 집광된 광을 3축 이동 스테이지를 이동하여 3차원 미세패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 고개구 현미경렌즈를 통과한 초점광을 점조사 방식으로 3차원적으로 제어하여 복셀을 형성하고 이를 적층하여 3차원 구조의 미세패턴의 제작이 가능하다. 2 is an example of manufacturing a three-dimensional fine pattern of a one-point irradiation method, and the three-dimensional movement pattern may be formed by moving a three-axis moving stage of light collected from a high-opening microscope lens that condenses a laser beam. Here, it is possible to form a voxel by three-dimensionally controlling the focus light passing through the high-aperture microscope lens in a point irradiation method, and stacking the same to form a fine pattern having a three-dimensional structure.
그러나, 이러한 일점조사방식으로 3차원구조의 미세패턴을 제작하는 데는 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다.However, there has been a problem in that it takes a long time to produce a fine pattern of a three-dimensional structure by such a one-point irradiation method.
따라서, 본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결할 수 있도록 2차원의 미세패턴을 적층하여 3차원의 미세패턴을 형성하는데 있어 이광자흡수 폴리머화를 이용하여 빠른 시간내에 패터닝이 가능하여 마스크없이 컴퓨터를 통해 설계된 홀로그래픽 리소그래피기술을 구현하여 마스크제작에 따른 비용을 절감하도록 하는 3차원 미세패턴 형성장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to form a two-dimensional micropattern by stacking two-dimensional micropatterns to solve the above-mentioned problem to form a three-dimensional micropattern using two-photon absorption polymerization in a short time can be patterned through a computer without a mask It is to provide a three-dimensional micropattern forming apparatus that implements the designed holographic lithography technology to reduce the cost of manufacturing the mask.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 3차원 미세패턴 형성장치는 이광자 흡수를 일으킬 수 있는 펨토초레이저를 발생하는 광원; 상기 펨토초레이저를 제어하는 레이저광선제어모듈; 상기 레이저광선제어모듈에 의해 출력된 레이저광을 확장하기 위한 레이저광선확장기; 상기 확장된 레이저광에 홀로그램위상을 적용해 광변조하여 투과하는 공간광변조기; 투과된 변조광을 반사하여 출력하는 반사거울; 상기 반사거울로부터 반사된 반사광의 초점을 형성하기 위한 고개구현미경렌즈; 상기 초점에 의해 재생이미지가 맺히는 유리기판; 상기 재생이미지로부터 이광자흡수포리머화를 일으켜 상기 유리기판에 미세패턴을 형성하기 위한 이광자 흡수폴리머화 레진; 상기 유리기판을 Z축이동시키는 이동스테이지; 및 상기 레이저광선제어모듈의 레이저광출력 및 노출시간을 제어하고 상기 공간광변조기가 홀로그램 위상이 적용되어 광변조되도록 제어하기위한 제어컴퓨터를 포함하는 것을 특징으로 한다. The three-dimensional micropattern forming apparatus according to the present invention for achieving the above object is a light source for generating a femtosecond laser that can cause two-photon absorption; A laser beam control module for controlling the femtosecond laser; A laser beam expander for expanding the laser beam output by the laser beam control module; A spatial light modulator that applies a hologram phase to the extended laser light and modulates and transmits the light; A reflection mirror for reflecting and outputting the transmitted modulated light; A high aperture microscope lens for forming a focal point of the reflected light reflected from the reflective mirror; A glass substrate on which a reproduced image is formed by the focus; A two-photon absorbing polymerized resin for forming two-photon absorbing polymerized from the regenerated image to form a fine pattern on the glass substrate; A moving stage for moving the glass substrate in the Z axis; And a control computer for controlling the laser light output and the exposure time of the laser beam control module and for controlling the spatial light modulator to be optically modulated by applying a hologram phase.
또한, 이광자 흡수폴리머화 레진은 상기 재생이미지의 광세기가 이광자 흡수 폴리머화 문턱세기보다 높게 되면 이광자 흡수 폴리머화가 진행되어 2차원 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the two-photon absorbing polymerized resin is characterized in that when the light intensity of the reproduced image is higher than the two-photon absorbing polymerization threshold intensity, the two-photon absorbing polymerization proceeds to form a two-dimensional micropattern.
또한, 이동스테이지는 상기 유리기판을 Z축으로 이동하여 상기 생성된 2차원 미세패턴을 적층하여 3차원 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the moving stage is characterized in that the three-dimensional fine pattern is formed by stacking the generated two-dimensional fine pattern by moving the glass substrate on the Z axis.
또한, 제어컴퓨터는 퓨리에 변환을 반복적으로 수행하여 홀로그램 위상을 산출하여 상기 펨토초레이저가 홀로그램 위상만큼 광변조되도록 상기 공간광변조기를 제어하는 것을 특징으로 한다. In addition, the control computer is characterized by controlling the spatial light modulator to repeatedly perform a Fourier transform to calculate the hologram phase so that the femtosecond laser is optically modulated by the hologram phase.
또한, 본 발명의 3차원 미세패턴 형성장치는 3차원의 미세패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서, 이광자 흡수를 일으킬 수 있는 펨토초레이저를 발생하는 광원; 상기 펨토초레이저를 제어하는 레이저광선제어모듈; 상기 레이저광선제어모듈에 의해 출력된 레이저광을 확장하기 위한 레이저광선확장기; 상기 확장된 레이저광에 홀로그램위상을 적용해 광변조하여 반사하는 공간광변조기; 상기 공간광변조기로부터 반사된 반사광의 초점을 형성하기 위한 고개구현미경렌즈; 상기 초점에 의해 재생이미지가 맺히는 유리기판; 상기 재생이미지로부터 이광자흡수포리머화를 일으켜 상기 유리기판에 미세패턴을 형성하기 위한 이광자 흡수폴리머화 레진; 상기 유리기판을 Z축이동시키는 이동스테이지; 및 상기 레이저광선제어모듈의 레이저광출력 및 노출시간을 제어하고 상기 공간광변조기가 홀로그램 위상이 적용되어 광변조되도록 제어하기위한 제어컴퓨터를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the apparatus for forming a three-dimensional fine pattern of the present invention, the apparatus for forming a three-dimensional fine pattern, the light source for generating a femtosecond laser capable of causing two-photon absorption; A laser beam control module for controlling the femtosecond laser; A laser beam expander for expanding the laser beam output by the laser beam control module; A spatial light modulator applying a hologram phase to the extended laser light and modulating and reflecting the light; A high aperture microscope lens for forming a focal point of the reflected light reflected from the spatial light modulator; A glass substrate on which a reproduced image is formed by the focus; A two-photon absorbing polymerized resin for forming two-photon absorbing polymerized from the regenerated image to form a fine pattern on the glass substrate; A moving stage for moving the glass substrate in the Z axis; And a control computer for controlling the laser light output and the exposure time of the laser beam control module and for controlling the spatial light modulator to be optically modulated by applying a hologram phase.
또한, 이광자 흡수폴리머화 레진은 상기 재생이미지의 광세기가 이광자 흡수 폴리머화 문턱세기보다 높게 되면 이광자 흡수 폴리머화가 진행되어 2차원 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the two-photon absorbing polymerized resin is characterized in that when the light intensity of the reproduced image is higher than the two-photon absorbing polymerization threshold intensity, the two-photon absorbing polymerization proceeds to form a two-dimensional micropattern.
또한, 이동스테이지는 상기 유리기판을 Z축으로 이동하여 상기 생성된 2차원 미세패턴을 적층하여 3차원 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the moving stage is characterized in that the three-dimensional fine pattern is formed by stacking the generated two-dimensional fine pattern by moving the glass substrate on the Z axis.
또한, 제어컴퓨터는 퓨리에 변환을 반복적으로 수행하여 홀로그램 위상을 산출하여 상기 펨토초레이저가 홀로그램 위상만큼 광변조되도록 상기 공간광변조기를 제어하는 것을 특징으로 한다. In addition, the control computer is characterized by controlling the spatial light modulator to repeatedly perform a Fourier transform to calculate the hologram phase so that the femtosecond laser is optically modulated by the hologram phase.
따라서, 본 발명의 장치는 리소그래피를 이용한 미세패턴을 형성함에 있어 마스크제작 비용을 절감하고 마스크 오차에 따른 패턴형성 조정 피드백에 대한 공정 시간을 감소시켜 빠른 시간내에 정확한 3차원의 미세 패턴을 형성할 수 있는 효과를 제공한다.Therefore, the apparatus of the present invention can reduce the cost of manufacturing the mask in forming the fine pattern using lithography and reduce the processing time for the feedback of pattern formation adjustment according to the mask error, thereby forming an accurate three-dimensional fine pattern in a short time. Provide the effect.
본 발명의 3차원 미세패턴 형성장치는 기존의 컴퓨터 재생을 통한 홀로그래픽 리소그래피 기술이 마스크 없이 컴퓨터를 통해 설계데이터의 입력으로 액정 등의 재질의 공간 광 변조기를 조작하여 마스크 제작 비용을 절감하고 마스크 제작 오차에 따른 패턴 형성 조정 피드백에 대한 공정 시간을 감소할 수 있다. In the three-dimensional micropattern forming apparatus of the present invention, a holographic lithography technique using a conventional computer reproduction is performed by using a computer without a mask to operate a spatial light modulator made of a material such as a liquid crystal to input design data through a computer to reduce a mask manufacturing cost and to manufacture a mask. The process time for the pattern formation adjustment feedback due to the error can be reduced.
또한, 본 발명의 3차원 미세패턴 형성장치는 이광자 흡수 폴리머화를 이용한 미세패턴 형성시 이광자 흡수 현상의 특성을 이용해 3차원 패턴 미세 구조를 쉽게 제작할 수 있다. In addition, the three-dimensional micropattern forming apparatus of the present invention can easily produce a three-dimensional pattern microstructure by using the characteristics of the two-photon absorption phenomenon when forming a micropattern using two-photon absorption polymerization.
전술한 두 가지 기술을 결합하여 이광자 흡수 폴리머화와 컴퓨터 재생 홀로그래피가 결합된 본 발명은 기존 2차원 미세 구조 패턴을 마스크 없이 제작할 뿐만 아니라, 이러한 2차원 구조를 적층을 통해 3차원 구조 역시 구현할 수 있다. The present invention, which combines the two techniques described above and combines two-photon absorption polymerization and computer-generated holography, can not only produce a conventional two-dimensional microstructure pattern without a mask, but can also implement a three-dimensional structure by stacking the two-dimensional structure. .
이하, 첨부한 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 기술하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 3 to 6 will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 미세패턴 형성장치의 구성요소를 도시한 구성도이다. 3 is a block diagram showing the components of the three-dimensional micropattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참고하면, 이광자흡수를 일으킬수 있는 펨토초레이저(31)와 펨토초레이저(31)를 제어하는 레이저광선제어모듈(32)과 레이저광선제어모듈(32)에 의해 출력된 레이저광을 확장하기 위한 레이저광선확장기(33)와 각 구성을 제어하는 제어컴퓨터(34)와 확장된 레이저광에 위상정보를 실어 출력하는 공간광변조기(35)와 입사광을 반사하여 출력하는 반사거울(36)과 레이저광의 초점을 형성하기 위한 고개구현미경렌즈(37)와 초점을 맺히게 하는 유리기판(39)과 이광자흡수포리머화를 일으키는 이광자 흡수폴리머화 레진(40)을 포함한다. Referring to Figure 3, to extend the laser light output by the laser
도 3에서, 펨토초레이저(31)는 이광자 흡수를 일으킬수 있는 짧은 펄스폭을 갖는 가우시안 모드(TEMoo)의 펨토초 레이저광선을 출사한다. 출사된 펨토초레이저광은 레이저광선제어모듈(32)을 통과하면서 레이저광선의 출력 및 노출시간이 조 절되어 레이저광선확장기(33)로 출력된다. 이때, 제어컴퓨터(34)는 레이저광선제어모듈(32)을 제어하는데 펨토초레이저의 출력 및 노출시간 등을 제어한다. 레이저광선확장기(33)는 입사된 펨토초레이저광의 크기를 확장하여 출력한다. 확장된 펨토초레이저광은 공간광변조기(35)로 입사하며, 공간광변조기(35)에서 투과된다. 이때, 공간광변조기(35)는 제어컴퓨터(34)에 의해 재생 홀로그램 리소그래피를 구현할 수 있도록 제어된다. 즉, 공간광변조기(35)로 입력된 확장된 펨토초레이저광은 공간광변조기(35)를 투과하면서 제작하고자 하는 원본 패턴 설계에서 반복적 푸리에 변환 알고리즘을 통해 계산된 홀로그램 위상 정보를 싣어 반사거울(36)을 통해 고개구 현미경렌즈(37)쪽으로 반사된다. 여기서 반복적 푸리에 변환알고리즘을 통해 계산된 홀로그램 위상은 제어컴퓨터(35)에 의해 산출된다. 제어컴퓨터(35)는 공간광변조기(35)를 제어하여 홀로그램 위상이 적용되도록 제어하며, 공간광변조기(35)를 통과한 펨토초레이저광은 홀로그램 위상만큼 광변조된다. 이러한 홀로그램 위상을 구하는 푸리에 변환알고리즘은 이하 도 5를 참고하여 하기에서 설명한다. In FIG. 3,
홀로그램 위상만큼 광변조된 펨토초레이저광은 고개구 현미경렌즈(37)를 통과하면서 집광되어 초점 평면상에 재생이미지를 맺게 된다. 이러한 재생이미지는 시시디(미도시) 등을 통해 획득되어 제어컴퓨터(34)로 전달되어 타겟이미지와의 비교를 통해 홀로그램 위상을 산출할 수 있도록 피드백된다. 이는 공지의 기술이므로 여기서의 상세한 설명은 생략한다. The femtosecond laser light, which is optically modulated by the hologram phase, is collected while passing through the high-
이때, 재생이미지의 광세기가 이광자흡수 폴리머화 문턱세기보다 높게 되면 이광자 흡수 폴리머화가 진행되어 원본 설계에 따른 2차원 패턴을 초점 평면인 유리기판(39)상에서 형성된다. 그리고, Z축이동스테이지(38)가 Z축상으로 이동함에 따라 2차원 패턴이 적층되어 이광자 흡수 폴리머화 레진(40)에 의한 이광자 흡수로 형성된 폴리머 3차원 미세패턴의 형성이 가능하다. At this time, when the light intensity of the reproduced image is higher than the two-photon absorption polymerization threshold intensity, the two-photon absorption polymerization proceeds to form a two-dimensional pattern according to the original design on the
도 4는 도 3장치로 3차원 미세 패턴을 형성하는 참고도이다. 4 is a reference diagram for forming a three-dimensional fine pattern with the apparatus of FIG.
도 4를 참고하면, 공간광변조기(35)를 통과한 광이 고개구 현미경 렌즈(37)를 통과해 집광되어 재생이미지가 생성된다. 이러한 홀로그램 재생이미지는 이광자 흡수된 폴리머 2차원 미세패턴이며, 이러한 2차원 미세패턴을 Z축 스테이지를 이용해 Z축 이동시켜 적층시키게 되면 3차원의 미세패턴을 형성할 수 있다. 도 4에서는 2차원 홀로그램 재생이미지가 생성되어 적층된 상태를 보여주며 3차원 미세패턴의 구조가 설계된 대로 형성되고 있음을 알 수 있다. Referring to FIG. 4, light passing through the spatial
도 5는 본 발명에 적용된 푸리에 변환알고리즘을 설명하기 위한 참고도이다.5 is a reference diagram for explaining a Fourier transform algorithm applied to the present invention.
도 5를 참고하면, 광세기를 가지고 있는 그레이레벨로 된 타겟이미지를 제곱근을 취하여 진폭정보를 취한다. 이때 타겟 정보(A x,y )는 진폭만을 가지고 있다(단계 S501). 이렇게 하여 구해진 진폭(A x,y )에 임의의 위상(e iφ(x,y) )을 곱한다(단계 502). 이하의 재생이미지를 얻은 이후에 반복될 때는 하기에서 구해지는 홀로그램위상을 곱하면 된다. 그리고 진폭과 위상을 가진 타겟 정보 (A x,y e iφ(x,y) )를 푸리에 변환한다(단계 503). 푸리에 변환된 정보(FT{A x,y e iφ(x,y) }=A u,v e iφ(u,v) )에서 진폭만을 제거한다 (e iφ(u,v) )(단계 504). 그때의 진폭이 제거된 값이 홀로그램위상 (e iφ(u,v) )이 된다. 이러한 홀로그램 위상만 가지고 있는 정보를 역 푸리에 변환을 취하고(FT{e iφ(u,v) }=e iφ'(x,y) ), 이를 절대값 제곱을 취하여 재생이미지와 타겟 이미지와 비교를 한다(S 505). 이렇게 하여 비교한 타겟 이미지와 차이가 있을 때에는 다시 단계 S501 내지 S504를 반복한다. 이때, 타겟 이미지의 제곱근인 타겟 정보에 곱하는 위상은 임의의 위상이 아닌 단계 S504의 과정을 통해 구해진 홀로그램 위상을 곱하여 반복한다. 타겟 이미지와 재생이미지가 매우 유사할 때까지 반복 푸리에 변환 알고리즘을 수행하며, 제어컴퓨터(34)는 이렇게 하여 홀로그램위상을 구하여 공간광변조기(35)를 제어한다.Referring to FIG. 5, amplitude information is obtained by taking a square root of a target image of gray level having light intensity. At this time, the target information A x, y has only amplitude (step S501). The amplitude A x, y obtained in this way is multiplied by an arbitrary phase e iφ (x, y) (step 502). When it is repeated after obtaining the following playback image, it is necessary to multiply the hologram phase obtained from the following. The target information A x, y e iφ (x, y) having amplitude and phase is Fourier transformed (step 503). Remove only the amplitude from the Fourier transformed information FT {A x, y e iφ (x, y) } = A u, v e iφ (u, v) ( e iφ (u, v) ) (step 504) . The value from which the amplitude is removed becomes the hologram phase ( e iφ (u, v) ). The inverse Fourier transform is performed on the information having only the hologram phase ( FT {e iφ (u, v) } = e iφ '(x, y) ), and the absolute value is squared to compare the playback image with the target image. (S 505). When there is a difference with the compared target image in this way, steps S501 to S504 are repeated again. At this time, the phase to be multiplied by the target information which is the square root of the target image is repeated by multiplying the hologram phase obtained through the process of step S504 rather than an arbitrary phase. An iterative Fourier transform algorithm is performed until the target image and the reproduced image are very similar, and the
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 미세패턴 형성장치의 구성요소를 도시한 구성도이다.6 is a block diagram showing the components of the three-dimensional micropattern forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6의 실시예는 도 3의 실시예에서 설명된 동일 구성요소에 대해서는 동일기능을 수행하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. Since the embodiment of FIG. 6 performs the same function for the same elements described in the embodiment of FIG. 3, detailed descriptions thereof will be omitted.
도 6을 참고하면, 도 3의 실시예의 구성 중에 반사거울(36)을 생략하는 구성이며, 공간 광변조기(35)가 변조된 광을 반사하여 고개구 현미경 렌즈(37)쪽으로 출사하도록 구성한다. Referring to FIG. 6, the
도 1a는 종래의 간섭 노광계를 이용한 미세패턴 형성장치, Figure 1a is a fine pattern forming apparatus using a conventional interference exposure system,
도 1b는 간섭 노광계를 이용하여 감광물질을 격자 주기로 현상한 단면도,1B is a cross-sectional view of the photosensitive material developed at a lattice cycle using an interference exposure system;
도 2는 종래의 일점 조사방식으로 3차원의 미세패턴을 제작하는 예를 설명하기 위한 도면, 2 is a view for explaining an example of producing a three-dimensional fine pattern by a conventional one-point irradiation method,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 미세패턴 형성장치의 구성요소를 도시한 구성도,3 is a block diagram showing the components of the three-dimensional micropattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention,
도 4는 도 3장치로 3차원 미세 패턴을 형성하는 참고도, 4 is a reference diagram for forming a three-dimensional fine pattern with the apparatus of Figure 3,
도 5는 본 발명에 적용된 푸리에 변환알고리즘을 설명하기 위한 참고도,5 is a reference diagram for explaining a Fourier transform algorithm applied to the present invention;
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 미세패턴 형성장치의 구성요소를 도시한 구성도.Figure 6 is a block diagram showing the components of the three-dimensional fine pattern forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
31 : 펨토초레이저 32 : 레이저광선제어모듈 31: femtosecond laser 32: laser beam control module
33: 레이저광선확장기 34 : 제어컴퓨터33: laser beam expander 34: control computer
35 : 공간 광변조기 36 : 반사거울35: spatial light modulator 36: reflection mirror
37 : 고개구 현미경렌즈 38 : Z축 이동스테이지37: high aperture microscope lens 38: Z axis moving stage
39 : 유리기판 40 : 이광자흡수폴리머화 레진39: glass substrate 40: two-photon absorbing polymerized resin
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101369854B1 (en) * | 2012-03-02 | 2014-03-06 | 마이크로 인스펙션 주식회사 | Exposure apparatus for laser direct imaging |
CN104749890A (en) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 昆山国显光电有限公司 | Exposure method and system of photoetching technology |
CN104118220A (en) * | 2014-03-28 | 2014-10-29 | 上海飞涅尔激光科技有限公司 | Two-dimensional code laser marking method and device based on liquid crystal spatial light modulator |
WO2016015389A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 南方科技大学 | Femtosecond laser two-photon polymerization micro/nanoscale machining system and method |
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