KR20090113197A

KR20090113197A - Organic light emitting diode and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR20090113197A
Application number: KR1020090035033A
Authority: KR
Inventors: 이종람; 홍기현
Original assignee: 포항공과대학교 산학협력단
Priority date: 2008-04-25
Filing date: 2009-04-22
Publication date: 2009-10-29

Abstract

PURPOSE: An organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to increase internal quantum efficiency by lowering a hole injection barrier between hole transfer layers. CONSTITUTION: An organic light emitting diode includes an anode(20), a hole injection layer(30), a hole transfer layer(40), a light emitting layer(50), and a cathode(60). The anode is formed on the substrate. The hole injection layer is formed on the anode, and is made of metal oxide having work function higher than the anode. The hole transfer layer is formed on the hole injection layer. The light emitting layer is formed on the hole transfer layer. The cathode is formed on the light emitting layer.

Description

유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법{Organic light emitting diode and method of manufacturing the same}Organic light emitting diode and method of manufacturing the same

본 발명은 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode(OLED)) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초박막 금속산화물의 정공 주입층을 갖는 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting diode having a hole injection layer of an ultra-thin metal oxide and a method of manufacturing the same.

1987년 C. W. Tang과 S. A. Van Slyke가 유기 발광 다이오드를 발표한 이래로 양극은 투명하고 전도성이 우수하며 일함수가 4.7eV로 큰 ITO(indium tin oxide)막이 일반적으로 사용되고 있다. 양극으로 사용된 ITO막과 정공 수송층 간에는 ITO 막의 일함수와 정공 수송층의 HOMO(highest occupied molecular orbital)준위의 차이 만큼에 해당하는 정공 주입 장벽이 존재하게 된다.Since C. W. Tang and S. A. Van Slyke announced organic light emitting diodes in 1987, indium tin oxide (ITO) films have been commonly used since anodes are transparent, have excellent conductivity, and have a work function of 4.7 eV. There is a hole injection barrier corresponding to the difference between the work function of the ITO film and the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the hole transport layer between the ITO film and the hole transport layer used as the anode.

이러한 정공 주입 장벽을 낮추어 주기 위해서 산소 플라즈마 처리, 자외선-오존(UV-ozone)처리, 그리고 셀프 어셈블리 모노레이어(self-assembly monolayer)를 코팅(coating)하는 방법 등을 통하여 ITO 막의 일함수를 증가시키려는 많은 시 도가 이루어 지고 있다. 하지만 ITO막의 일함수의 증가분이 충분하지 못하여 여전히 ITO막과 유기물 간에는 정공 주입 장벽이 존재하고 있다.In order to lower the hole injection barrier, the work function of the ITO film is increased by oxygen plasma treatment, UV-ozone treatment, and self-assembly monolayer coating. Many attempts are being made. However, since the increase of the work function of the ITO film is not sufficient, there is still a hole injection barrier between the ITO film and the organic material.

한편, 녹색 계열의 유기 발광 다이오드를 형성하기 위해서는 여러 가지 유기물들이 많이 활용되고 있다. 그 중에서 정공 수송층(hole transport layer: HTL)은 N,N-dipheyl-N, N-bis(1-naphthyl)-1,1bisphenyl-4,4 diazine(α-NPD)가, 전자 수송층(eletron transport layer,ETL) 및 발광층(emissive layer)으로는 tris(8-hydroxy-quinoline) aluminum(Alq₃)가 많이 활용되고 있다. 양극으로 사용되는 ITO막에 정공이 주입되면 정공은 정공 수송층인 α-NPD로 이동이 된다. 양극인 ITO막의 일함수는 4.7eV로 알려져 있고, 정공 수송층인 α-NPD의 HOMO 준위는 5.4 eV 이므로, ITO막의 일함수와 α-NPD의 HOMO 준위의 차이로 정의가 되는 정공 주입 장벽이 양극과 정공 수송층 사이에 존재하게 된다. 이렇게 형성된 정공 주입 장벽으로 인해 유기 발광 다이오드의 작동 전압이 증가하게 되고 전자와 정공의 재결합 효율이 감소되어 내부 양자 효율이 감소하게 된다. Meanwhile, various organic materials have been used to form green organic light emitting diodes. Among them, the hole transport layer (HTL) is N, N-dipheyl-N, N-bis (1-naphthyl) -1,1bisphenyl-4,4 diazine (α-NPD), and the electron transport layer (eletron transport layer) , ETL) and tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum (Alq ₃ ) are widely used as the light emitting layer (emissive layer). When holes are injected into the ITO membrane used as the anode, the holes move to α-NPD, which is a hole transport layer. The work function of the anode ITO membrane is known as 4.7 eV, and the HOMO level of α-NPD, the hole transporting layer, is 5.4 eV. Therefore, the hole injection barrier defined by the difference between the work function of the ITO membrane and the HOMO level of α-NPD is defined as It exists between the hole transport layer. The hole injection barrier thus formed increases the operating voltage of the organic light emitting diode and reduces the recombination efficiency of electrons and holes, thereby reducing the internal quantum efficiency.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 금속 산화물 초박막이 코팅된 양극을 이용하여 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어줌으로써 개시 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.In order to solve the above problems, by using a metal oxide ultra-thin coated anode to lower the hole injection barrier between the anode and the hole transport layer to lower the starting voltage and operating voltage and increase the recombination of electrons and holes to increase the internal quantum efficiency Provided are an organic light emitting diode and a method of manufacturing the same.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드는,The organic light emitting diode according to the present invention for achieving the above object,

기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상에 형성되며, 일함수가 양극보다 큰 금속 산화물로 이루어진 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및, 상기 발광층 상에 형성된 음극을 포함한다.An anode formed on the substrate; A hole injection layer formed on the anode and formed of a metal oxide having a work function greater than that of the anode; A hole transport layer formed on the hole injection layer; An emission layer formed on the hole transport layer; And a cathode formed on the light emitting layer.

상기 금속 산화물은 MoO_x, GaO_x, MgO, Cr₂O₃, V₂O₅, WO₃, SnO₂, ZnO, MnO₂, CoO₂, TiO₂중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질인 것이 바람직하다.The metal oxide is preferably a material mixed with at least one of MoO _x , GaO _x , MgO, Cr ₂ O ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ , SnO ₂ , ZnO, MnO ₂ , CoO ₂ , TiO ₂ . Do.

상기 금속 산화물의 두께는 0 초과 20Å이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the said metal oxide is more than 0 and 20 kPa or less.

상기 금속 산화물이 MoO_x인 경우, 상기 MoO_x는 0 초과 20Å 미만의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.When the metal oxide is MoO _x , the MoO _x is preferably formed to a thickness of more than 0 and less than 20 GPa.

상기 금속 산화물이 GaO_x인 경우, 상기 GaO_x는 0 초과 10Å 미만의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.When the metal oxide is GaO _x , the GaO _x is preferably formed to a thickness of more than 0 and less than 10 GPa.

상기 금속 산화물이 MgO인 경우, 상기 MgO는 0 초과 5Å 미만의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.When the metal oxide is MgO, the MgO is preferably formed to a thickness of more than 0 and less than 5 GPa.

상기 발광층과 상기 음극 사이에 전자 수송층과 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.One or more of an electron transport layer and an electron injection layer may be included between the emission layer and the cathode.

상기 발광층과 상기 음극 사이에 형성된 전자 주입층을 포함하며, 상기 양극은 ITO막이고, 상기 정공 수송층은 α-NPD이며, 상기 발광층은 Alq3이고, 상기 전자 주입층은 LiF이며, 상기 음극은 Al막일 수 있다.And an electron injection layer formed between the light emitting layer and the cathode, wherein the anode is an ITO film, the hole transport layer is α-NPD, the light emitting layer is Alq3, the electron injection layer is LiF, and the cathode is an Al film. Can be.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 제조 방법은,In addition, the organic light emitting diode manufacturing method according to the present invention,

기판 상에 양극을 형성하는 단계; 상기 양극 위에 금속 산화물로 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 위에 발광층을 형성하는 단계; 및, 상기 발광층 위에 음극을 형성하는 단계를 포함한다.Forming an anode on the substrate; Forming a hole injection layer of metal oxide on the anode; Forming a hole transport layer on the hole injection layer; Forming a light emitting layer on the hole transport layer; And forming a cathode on the light emitting layer.

상기 정공 주입층을 형성하는 단계는 MoO_x, GaO_x, MgO, Cr₂O₃, V₂O₅, WO₃, SnO₂, ZnO, MnO₂, CoO₂, TiO₂ 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질을 이용하여 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 그리고 전자선 증착법 중 어느 하나의 방법을 수행하는 것이 바람직하다.The forming of the hole injection layer may include mixing at least one of MoO _x , GaO _x , MgO, Cr ₂ O ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ , SnO ₂ , ZnO, MnO ₂ , CoO ₂ , TiO ₂ . It is preferable to perform any one of the RF sputtering method, the DC sputtering method, and the electron beam deposition method using one material.

상기 양극을 형성한 후에, 상기 양극을 산소 플라즈마 처리할 수도 있다.After the formation of the anode, the anode may be subjected to oxygen plasma treatment.

상기 정공 주입층을 형성한 후에, 상기 정공 주입층을 산소 플라즈마 처리할 수도 있다. After the hole injection layer is formed, the hole injection layer may be subjected to oxygen plasma treatment.

상기 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 파워는 25 내지 150 W이고, 공정 압력은 5 내지 500 mTorr이며, 주입되는 산소 유량은 3 내지 100 sccm, 그리고 산소 플라즈마 처리 시간 0.5 내지 15분의 조건에서 수행하는 것이 바람직하다.In the oxygen plasma treatment, the plasma power is 25 to 150 W, the process pressure is 5 to 500 mTorr, the injected oxygen flow rate is preferably performed at a condition of 3 to 100 sccm, and an oxygen plasma treatment time of 0.5 to 15 minutes. .

상기 발광층을 형성하는 단계와 상기 음극을 형성하는 단계 사이에 전자 수송층과 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The method may include forming at least one of an electron transporting layer and an electron injection layer between the forming of the emission layer and the forming of the cathode.

상기한 바와 같은 본 발명에 의하면, 양극과 정공 수송층 사이에 양극보다 일함수가 크고 전기 전도성이 우수한 금속 산화물막으로 정공 주입층을 형성하여, 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 개시 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있다.According to the present invention as described above, a hole injection layer is formed between the anode and the hole transport layer with a metal oxide film having a higher work function than the anode and excellent electrical conductivity, thereby lowering the hole injection barrier between the anode and the hole transport layer, thereby starting voltage. And internal quantum efficiency can be increased by lowering the operating voltage and increasing recombination of electrons and holes.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예 는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공 되어지는 것이다. 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. In the drawings, the size or thickness of films or regions is exaggerated for clarity.

도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 적층 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드는, 기판(10), 상기 기판 위에 형성된 양극(20), 상기 양극 위에 형성된 정공 주입층(30), 상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 수송층(40), 상기 정공 수송층 위에 형성된 발광층(50), 상기 발광층 위에 형성된 음극(60)을 포함하며, 상기 정공 주입층(30)은 일함수가 양극보다 큰 금속 산화물로 이루어진다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a substrate 10, an anode 20 formed on the substrate, a hole injection layer 30 formed on the anode, and a hole injection layer. A hole transport layer 40, a light emitting layer 50 formed on the hole transport layer, and a cathode 60 formed on the light emitting layer, the hole injection layer 30 is made of a metal oxide having a work function larger than the anode.

양극(20)은 기판(10) 상에 형성된다. 여기서, 기판으로는 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고 양극 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다.The anode 20 is formed on the substrate 10. Here, as the substrate, a substrate used in a conventional organic light emitting diode is used, and a glass substrate or a transparent plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness is preferable. As the material for the anode electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO ₂ ), zinc oxide (ZnO), and the like, which are transparent and have excellent conductivity, may be used.

양극(20)의 상부에는 정공의 주입을 용이하게 하기 위한 정공 주입층(HIL; Hole Injection Layer, 30)이 형성된다. 본 실시예에서, 정공 주입층(30)은 금속 산화물로 이루어지며, 일함수가 양극보다 큰 것이 바람직하다. 예를 들어, 주로 사용되는 양극인 ITO막의 경우, 일함수가 4.7eV이므로, 상기 금속 산화물은 일함수가 4.7eV 이상인 것이 바람직하다. 이러한 상기 금속 산화물은 예를 들면, MoO_x, GaO_x, MgO, Cr₂O₃, V₂O₅, WO₃, SnO₂, ZnO, MnO₂, CoO₂,TiO₂이거나 이들 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질이 될 수 있다. 후술하는 실험예에 의하면 이러한 금속 산화물로 이루어진 정공 주입층(30)은 대략 0 ~ 20Å 미만의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 두께가 20Å이상이면 구동 전압이 상승되어 바람직하지 못하다. 상기 정공 주입층(30)은 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 전자선 증착법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 또는 캐스트법 등에 의하여 양극(20) 상에 형성될 수 있다. 이중에서도 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 전자선 증착법을 사용하는 것이 바람직하다.A hole injection layer (HIL) 30 is formed on the anode 20 to facilitate the injection of holes. In this embodiment, the hole injection layer 30 is made of a metal oxide, it is preferable that the work function is larger than the anode. For example, in the case of the ITO film, which is a mainly used anode, since the work function is 4.7 eV, the metal oxide preferably has a work function of 4.7 eV or more. Such metal oxides are, for example, MoO _x , GaO _x , MgO, Cr ₂ O ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ , SnO ₂ , ZnO, MnO ₂ , CoO ₂ , TiO ₂ or at least one of them. It can be a mixed material. According to the experimental example to be described later it is preferable that the hole injection layer 30 made of such a metal oxide is formed to a thickness of less than approximately 0 ~ 20Å. If the thickness is 20 kV or more, the driving voltage is increased, which is not preferable. The hole injection layer 30 may be formed on the anode 20 by RF sputtering, DC sputtering, electron beam deposition, vacuum deposition, spin coating, or casting. Of these, the RF sputtering method, the DC sputtering method, and the electron beam vapor deposition method are preferably used.

정공 주입층(30)의 상부에는 주입된 정공이 수송되는 정공 수송층(40)이 형성된다. 정공 수송층(40)은 정공 수송층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법으로 형성할 수 있다. 정공 수송층 물질로는 N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등이 사용될 수 있다. 바람직하게는, 정공수송층의 재료로는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD)일 수 있다.The hole transport layer 40 through which the injected holes are transported is formed on the hole injection layer 30. The hole transport layer 40 may be formed using a hole transport layer material by a method such as vacuum deposition, spin coating, cast, LB, or the like. Examples of the hole transport layer material include carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1-biphenyl]- Conventional amine derivatives having aromatic condensed rings such as 4,4'-diamine (TPD), N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl benzidine (α-NPD), and the like Can be used. Preferably, the material of the hole transport layer may be N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl benzidine (α-NPD).

정공 수송층(40)의 상부에는 발광층(50)이 형성된다. 발광층(50)은 발광층 물질을 이용하여 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법으로 형성할 수 있다. 상기 발광층 물질은 공지된 다양한 재료로서, 단일 물질, 또는 호스트와 도펀트를 혼합한 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, Alq₃ 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다. 도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. 특히, Alq₃로 발광층(50)을 형성할 경우, Alq₃는 발광층 및 전자수송층의 역할을 동시에 할 수 있는 바, 전자 수송층을 별도로 마련하지 않을 수 있다. 상기 발광층의 두께는 약 10 내지 1000Å인 것이 바람직하다. 상기 발광층의 두께가 10Å 미만인 경우, 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The light emitting layer 50 is formed on the hole transport layer 40. The light emitting layer 50 may be formed using a light emitting layer material by a method such as vacuum deposition, spin coating, cast, LB, or the like. The light emitting layer material may be a single material or a material in which a host and a dopant are mixed. For example, Alq ₃ or CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), PVK (poly (n-vinylcarbazole)), etc. can be used. In the case of the dopant material, as the fluorescent dopant, IDE102, IDE105, and C545T, available from Hayashibara, can be used. (PPy = 2-phenylpyridine), F2Irpic which is a blue phosphorescent dopant, and a red phosphorescent dopant RD 61 manufactured by UDC. In particular, when forming the light-emitting layer 50 to the Alq _{_3,} Alq ₃ may not include the bar, an electron transport layer that can serve as a light emitting layer and the electron transporting layer at the same time separately. It is preferable that the thickness of the said light emitting layer is about 10-1000 micrometers. This is because, when the thickness of the light emitting layer is less than 10 kW, the light emission characteristics may be reduced, and when the thickness of the light emitting layer exceeds 1000 kW, the driving voltage may increase.

발광층(50) 상부에 음극용 물질을 증착하여 음극(60)을 형성함으로써 유기 발광 다이오드가 완성된다. 상기 음극용 물질로는 도전성이 우수한 투명한 금속 산화물인 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO)등이 사용될 수 있다. 또는, 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 칼슘(Ca)-알루미늄(Al) 등을 박막으로 형성함으로써 투명 전극 또는 반사 전극으로 형성될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다. 상기 전극을 이루는 물질은 상기 예시된 금속 및 금속의 조합에 한정되는 것은 아님은 물론이다.The organic light emitting diode is completed by depositing a material for the cathode on the light emitting layer 50 to form the cathode 60. As the material for the cathode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO ₂ ), zinc oxide (ZnO), and the like, which are transparent metal oxides having excellent conductivity, may be used. Alternatively, lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg-Ag), calcium Various modifications are possible, such as being formed from a transparent electrode or a reflective electrode by forming (Ca) -aluminum (Al) etc. into a thin film. Of course, the material constituting the electrode is not limited to the metal and metal combinations exemplified above.

도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드의 적층 구조를 도시한 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views illustrating a laminated structure of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 유기 발광 다이오드는 도 1의 유기 발광 다이오드에서 발광층(50)과 음극(60) 사이에 전자 주입층(70)이 더 형성된 구조이고, 도 3에 도시된 유기 발광 다이오드는 도 2의 유기 발광 다이오드에서 발광층(50)과 전자 주입층(70) 사이에 전자 수송층(80)이 더 형성된 구조이다.The organic light emitting diode shown in FIG. 2 has a structure in which an electron injection layer 70 is further formed between the light emitting layer 50 and the cathode 60 in the organic light emitting diode of FIG. 1, and the organic light emitting diode shown in FIG. In the organic light emitting diode of the electron transport layer 80 is further formed between the light emitting layer 50 and the electron injection layer 70.

전자 수송층(80)은 음극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 층으로, 그 재료 물질은 특별히 제한되지는 않으나, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq₃)를 사용할 수 있다.The electron transport layer 80 is a layer that functions to stably transport electrons injected from the cathode. The material material is not particularly limited, but a quinoline derivative, particularly tris (8-quinolinorate) aluminum (Alq ₃ ), may be used. Can be used.

전자 주입층(70)은 음극으로부터의 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질로 이루어진 층으로 전자 수송층(80)의 상부에 형성된다. 전자 주입층(70)을 형성하는 재료 물질로는 Li, Cs, Mg, BaF₂, LiF, NaCl, CsF, Li₂O, BaO, Liq 등의 물질을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron injection layer 70 is a layer made of a material having a function of facilitating injection of electrons from the cathode, and is formed on the electron transport layer 80. As a material material for forming the electron injection layer 70, a material such as Li, Cs, Mg, BaF ₂ , LiF, NaCl, CsF, Li ₂ O, BaO, Liq, or the like may be used, but is not limited thereto.

이상과 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드는 양극과 정공 수송층 사이에 일함수가 크고 전도성도 우수한 금속 산화물막으로 정공 주입층이 형성되어, 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 개시 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가 시킬 수 있다.In the organic light emitting diode of the present invention as described above, a hole injection layer is formed of a metal oxide film having a large work function and excellent conductivity between the anode and the hole transport layer, thereby lowering the hole injection barrier between the anode and the hole transport layer to reduce the starting voltage and operation. Internal quantum efficiency can be increased by lowering the voltage and increasing the recombination of electrons and holes.

다음으로, 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 제조 방법을 설명한다.Next, an organic light emitting diode manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

먼저, 기판 상에 양극을 형성한다.(S10) 기판으로는 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판을 사용하는데 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 양극 전극용 물질로 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있으며, 특히 산화인듐주석(ITO)이 바람직하다.First, an anode is formed on a substrate. (S10) A substrate used in a conventional organic light emitting diode is used, but a glass substrate or a transparent plastic substrate is preferable. Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO ₂ ), zinc oxide (ZnO), or the like may be used as the material for the positive electrode, and indium tin oxide (ITO) is particularly preferable.

그 다음, 양극의 일함수를 크게하고 공정 중에 발생된 표면 탄소를 제거하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행한다.(S20) 상기 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 파워는 25 내지 150 W이고, 공정 압력은 5 내지 500 mTorr이며, 주입되는 산소 유량은 3 내지 100 sccm, 그리고 산소 플라즈마 처리 시간 0.5 내지 15분의 조건에서 수행하는 것이 바람직하다. 더욱 구체적으로, 예를 들어, 양극으로 ITO를 사용하는 경우, 양극인 ITO막의 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 파워 150 W, 공정 압력 100 mTorr, 주입되는 산소 유량 10 sccm, 그리고 산소 플라즈마 처리 시간 1분의 조건에서 수행할 수 있다. 이러한 산소 플라즈마 처리는 필요에 따라 수행하지 않을 수도 있다.The oxygen plasma treatment is then performed to increase the work function of the anode and to remove surface carbon generated during the process. (S20) The oxygen plasma treatment has a plasma power of 25 to 150 W and a process pressure of 5 to 500. mTorr, the injected oxygen flow rate is preferably performed at a condition of 3 to 100 sccm, and an oxygen plasma treatment time of 0.5 to 15 minutes. More specifically, for example, in the case of using ITO as the anode, the oxygen plasma treatment of the ITO membrane as the anode is performed under conditions of 150 W plasma power, 100 mTorr process pressure, 10 sccm of injected oxygen flow rate, and 1 minute oxygen plasma treatment time. This can be done at This oxygen plasma treatment may not be performed as necessary.

그 다음, 산소 플라즈마 처리된 양극 또는 산소 플라즈마 처리되지 않은 양극 위에 정공 주입층을 형성한다.(S30) 이때, 상기 정공 주입층은 금속 산화물층으 로 형성한다. 상기 금속 산화물층은 예를 들면, MoO_x, GaO_x, MgO, Cr₂O₃, V₂O₅, WO₃, SnO₂, ZnO, MnO₂, CoO₂,TiO₂이거나 이들 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질을 사용하여 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 전자선 증착법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 또는 캐스트법 등으로 형성할 수 있다. 이중에서도 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 전자선 증착법을 사용하는 것이 바람직하다.Next, a hole injection layer is formed on the oxygen plasma treated anode or the oxygen plasma untreated anode (S30). At this time, the hole injection layer is formed of a metal oxide layer. The metal oxide layer may be, for example, MoO _x , GaO _x , MgO, Cr ₂ O ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ , SnO ₂ , ZnO, MnO ₂ , CoO ₂ , TiO _2, or at least one of them. The mixed material can be formed by RF sputtering, DC sputtering, electron beam evaporation, vacuum evaporation, spin coating, casting or the like. Of these, the RF sputtering method, the DC sputtering method, and the electron beam vapor deposition method are preferably used.

그 다음, 정공 주입층의 일함수를 크게 하기 위해서 산소 플라즈마 처리를 수행한다.(S40) 상기 정공 주입층의 산소 플라즈마 처리는 앞서 설명한 바와 같은 양극인 ITO막의 산소 플라즈마 처리 조건과 동일하게 수행한다. 앞서 설명한 바와 같이 정공 주입층은 일함수가 크고 전도성이 우수한 금속 산화물로 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 개시 전압 및 작동 전압을 낮추는 역할을 수행한다.Then, oxygen plasma treatment is performed to increase the work function of the hole injection layer. (S40) Oxygen plasma treatment of the hole injection layer is performed in the same manner as the oxygen plasma treatment conditions of the ITO film, which is the anode as described above. As described above, the hole injection layer is formed of a metal oxide having a high work function and excellent conductivity, thereby lowering the hole injection barrier, thereby lowering the starting voltage and the operating voltage.

그 다음, 정공 주입층 위에 정공 수송층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법으로 정공 수송층을 형성한다.(S50) 정공 수송층 물질은 전술한 바와 같으며, 바람직하게는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD)을 사용한다.Then, the hole transport layer is formed on the hole injection layer using a hole transport layer material by a method such as vacuum deposition, spin coating, cast method, LB method, etc. (S50) The hole transport layer material is as described above, preferably Uses N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl benzidine (α-NPD).

그 다음, 발광층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법으로 발광층을 형성한다.(S60) 발광층 물질은 전술한 바와 같다. 특히, Alq₃로 발광층을 형성할 경우, Alq₃는 발광층 및 전자수송층의 역할을 동시에 할 수 있으므로, 전자 수송층을 별도로 마련하지 않을 수 있다.Thereafter, the light emitting layer is formed using a light emitting layer material by a method such as vacuum deposition, spin coating, cast method, LB method, etc. (S60) The light emitting layer material is as described above. In particular, when forming the light-emitting layer as Alq _{_3,} Alq ₃ may be, it does not include a separate electron transport layer may serve as a light emitting layer and the electron transporting layer at the same time.

그 다음, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq₃)를 사용하여 상기 발광층 위에 전자 수송층을 형성한다.(S70) 이때, Alq₃로 발광층을 형성하는 경우, 전자 수송층 형성 단계(S70)을 생략할 수도 있다.Next, a quinoline derivative, in particular tris (8-quinolinorate) aluminum (Alq ₃ ), is used to form an electron transporting layer on the light emitting layer. (S70) In this case, when the light emitting layer is formed of Alq ₃ , forming an electron transporting layer. (S70) may be omitted.

그 다음, Li, Cs, Mg, BaF₂, LiF, NaCl, CsF, Li₂O, BaO, Liq 등의 물질을 이용하여 상기 전자 수송층 위에 전자 주입층을 형성한다.(S80) 특히, LiF로 전자 주입층을 형성하는 것이 바람직하다. Alq₃로 발광층을 형성하는 경우, 발광층 위에 전자 주입층을 형성할 수 있다.Next, an electron injection layer is formed on the electron transport layer using materials such as Li, Cs, Mg, BaF ₂ , LiF, NaCl, CsF, Li ₂ O, BaO, and Liq. It is preferable to form the injection layer. When the light emitting layer is formed of Alq ₃ , an electron injection layer may be formed on the light emitting layer.

그 다음, 전자 주입층 위에 음극용 물질을 증착하여 음극을 형성한다.(S90) 상기 음극용 물질은 전술한 바와 같으며, 예를 들면, Al막으로 형성할 수 있다.Next, the cathode material is deposited on the electron injection layer to form a cathode. (S90) The cathode material is as described above, and may be formed of, for example, an Al film.

이상과 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드 제조 방법으로 제조된 유기 발광 다이오드는 양극과 정공 수송층 사이에 일함수가 크고 전도성도 우수한 금속 산화물막으로 정공 주입층이 형성되어, 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 개시 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가 시킬 수 있다.The organic light emitting diode manufactured by the organic light emitting diode manufacturing method of the present invention as described above has a hole injection layer formed of a metal oxide film having a large work function and excellent conductivity between the anode and the hole transport layer, and thus the hole injection between the anode and the hole transport layer. By lowering the barrier, the internal and quantum efficiency can be increased by lowering the starting and operating voltages and increasing the recombination of electrons and holes.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO 위에 정공 주입층으로 MoO_x가 증착되고, 증착된 MoO_x의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프이다.FIG. 5 illustrates MoO _x as a hole injection layer deposited on an ITO subjected to oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and shows light transmittance in a visible light region according to the thickness of the deposited MoO _x . One graph.

구체적으로, MoO_x의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 측정하여 MoO_x 두께에 따른 투명 양극의 가시광선 영역에서의 광 투과도 손실을 알아보았다. 양극인 ITO막의 두께는 1500Å이며 MoO_x의 두께는 0, 5, 10, 20Å으로 변화시켜가며 측정하였다.Specifically, the measurement of the light transmittance in the visible region according to the thickness of the MoO _x to evaluate the light transmittance loss in the visible range of the transparent positive electrode in accordance with the MoO _x thickness. The thickness of the anode ITO film was 1500 mW and the thickness of MoO _x was measured at 0, 5, 10, and 20 mW.

도 5에서, O₂-ITO 1500Å은 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO가 1500Å 증착된 유리 기판의 광 투과도를 나타내며, MoO_x 5Å/O₂-ITO, MoO_x 10Å/O₂-ITO 및 MoO_x 20Å/O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리가 된 ITO 위에 MoO_x를 각각 5,10 및 20Å 증착한 시편의 광 투과도를 나타낸다.In Fig. 5, O ₂ -ITO 1500 mV represents the light transmittance of the glass substrate on which ITO is deposited 1500 mV with oxygen plasma treatment, and MoO _x 5 mV / O ₂ -ITO, MoO _x 10 mV / O ₂ -ITO and MoO _x 20 mV / O ₂ -ITO represents the light transmittance of the specimen in which MoO _x was deposited 5, 10 and 20 위에 on ITO treated with oxygen plasma, respectively.

도 5에 도시된 바와 같이, ITO가 코팅된 유리 기판의 경우 가시 광선 영역에서 90% 이상의 높은 광 투과도를 나타내고 있으며, 특히 발광층인 Alq₃의 발광 영역인 520nm 파장에서는 97.7%의 높은 광 투과도를 나타내고 있다. MoO_x가 코팅된 시편의 경우에도 역시 가시 광선 영역에서 모두 90% 이상의 높은 광 투과도를 나타내고 있으며, 특히 520nm 파장에서 MoO_x가 5, 10 및 20Å 증착된 시편의 경우, 각각 96.7 %, 96.6 %, 96.6 %의 높은 광 투과도 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다.As shown in FIG. 5, the glass substrate coated with ITO has a high light transmittance of 90% or more in the visible light region, and a high light transmittance of 97.7% at a wavelength of 520 nm which is a light emitting region of Alq _{3, which} is a light emitting layer. have. MoO _x coated specimens also exhibit high light transmittance of more than 90% in the visible region, especially 96.7%, 96.6%, for MoO _x deposited 5, 10 and 20 Å at 520 nm wavelength, respectively. It can be seen that it exhibits a high light transmittance characteristic of 96.6%.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO 위에 정공 주입층으로 GaO_x가 증착되고, 증착된 GaO_x의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프이다. 양극인 ITO막의 두께는 1500Å이며 GaO_x의 두께는 0, 5, 10, 20Å으로 변화시켜가며 측정하였다.FIG. 6 shows GaO _x deposited as a hole injection layer on an ITO subjected to oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and shows light transmittance in a visible light region according to the thickness of the deposited GaO _x . One graph. The thickness of the anode ITO film was 1500 Å and the thickness of GaO _x was measured at 0, 5, 10, 20 Å.

도 6에서, GaO_x 5Å/O₂-ITO, GaO_x 10Å/O₂-ITO 및 GaO_x 20Å/O₂-ITO은 ITO가 코팅된 유리 기판 위에 GaO_x를 각각 5,10 및 20Å 증착한 시편의 광 투과도를 나타낸다.In FIG. 6, GaO _x 5 μs / O ₂ -ITO, GaO _x 10 μs / O ₂ -ITO, and GaO _x 20 μs / O ₂ -ITO were 5, 10 and 20 μs of GaO _x deposited on an ITO-coated glass substrate, respectively. The light transmittance of

GaO_x가 코팅된 시편의 경우에도 가시 광선 영역에서 모두 90% 이상의 높은 광 투과도를 나타내고 있으며, 특히 520nm 파장에서 GaO_x가 5, 10 및 20Å 증착된 시편의 경우 각각 97.3%, 97.0%, 96.9%의 높은 광 투과도 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다.Even GaO _x coated specimens showed high light transmittance of more than 90% in the visible region, especially 97.3%, 97.0%, and 96.9%, respectively, for GaO _x deposited 5, 10, and 20Å at 520 nm wavelength. It can be seen that the high light transmittance characteristic of?

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO 위에 정공 주입층으로 MgO가 증착되고, 증착된 MgO의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프이다. 양극인 ITO막의 두께는 1500Å이며 MgO의 두께는 0, 5, 10, 20Å으로 변화시켜가며 측정하였다.FIG. 7 is a graph showing MgO deposited as a hole injection layer on an ITO subjected to oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and light transmittance in a visible light region according to the thickness of the deposited MgO. to be. The thickness of the anode ITO film was 1500 Å and the thickness of MgO was measured at 0, 5, 10, 20 Å.

도 7에서, MgO 5Å/O₂-ITO, MgO 10Å/O₂-ITO 및 MgO 20Å/O₂-ITO은 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO가 코팅된 유리 기판 위에 MgO를 각각 5,10 및 20Å 증착한 시편의 광 투과도를 나타낸다.In FIG. 7, MgO 5 ′ / O ₂ —ITO, MgO 10 ′ / O ₂ —ITO, and MgO 20 ′ / O ₂ -ITO deposited MgO 5,10 and 20 μs, respectively, on an ITO coated glass substrate subjected to oxygen plasma treatment. The light transmittance of one specimen is shown.

MgO가 코팅된 시편의 경우에도 가시 광선 영역에서 모두 90% 이상의 높은 광 투과도를 나타내고 있으며, 특히 520nm 파장에서 MgO가 5, 10 및 20Å 증착된 시편 의 경우 각각 96.7%, 96.6%, 96.6%의 높은 광 투과도 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다.MgO-coated specimens also showed high light transmittance of 90% or more in the visible region, especially 96.7%, 96.6%, and 96.6%, respectively, for MgO-deposited specimens at 5, 10, and 20Å at 520 nm. It can be seen that the light transmittance characteristics are shown.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리 전후에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프이다.8 is a graph illustrating voltage-current density characteristics before and after oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 산소 플라즈마가 양극인 ITO 막에 미치는 영향을 알아보기 위해 산소 플라즈마 처리 전후에 따른 본 발명의 유기 발광 다이오드의 전압-전류 밀도 특성을 측정하였다.Specifically, the voltage-current density characteristics of the organic light emitting diode of the present invention before and after the oxygen plasma treatment was measured to determine the effect of the oxygen plasma on the anode ITO film.

양극인 ITO막의 두께는 1500Å, 정공 수송층인 α-NPD의 두께는 700Å, 발광층인 Alq₃의 두께는 600Å, 그리고 음극인 Al막의 두께는 1500Å으로 하였다. 산소 플라즈마 처리 조건은 공정 압력 100 mTorr인 산소 분위기에서 플라즈마 파워 150 W로, 1분간 처리하였다.The thickness of the ITO film as the anode was 1500 kPa, the thickness of the α-NPD as the hole transport layer was 700 kPa, the thickness of the Alq _{3 as} the light emitting layer was 600 kPa, and the thickness of the Al film as the cathode was 1500 kPa. Oxygen plasma treatment conditions were treated for 1 minute with a plasma power of 150 W in an oxygen atmosphere with a process pressure of 100 mTorr.

도 8에서, ITO는 산소 플라즈마 처리 전, O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리 후를 나타낸다. 도 8에 도시된 바와 같이, ITO 표면 위에 산소 플라즈마 처리가 이루어질 경우, 개시 전압(turn-on 전압)이 27V에서 13V로 낮아지는 것을 알 수 있다. 이것은 양극인 ITO에 산소 플라즈마 처리를 하게 되면 ITO의 일함수가 증가하여 ITO와 유기물 계면에서의 정공 주입 장벽이 감소하게 되고, 그로 인해 정공 주입 효율이 증가하여 소자의 전기적 특성이 향상되는 것임을 알 수 있다. In FIG. 8, ITO is shown before oxygen plasma treatment and O ₂ -ITO is shown after oxygen plasma treatment. As shown in FIG. 8, it can be seen that when the oxygen plasma treatment is performed on the surface of the ITO, the start voltage (turn-on voltage) is lowered from 27V to 13V. This suggests that the oxygen plasma treatment of ITO, the anode, increases the work function of ITO and reduces the hole injection barrier at the interface between ITO and organic material, thereby increasing the hole injection efficiency and improving the electrical characteristics of the device. have.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 MoO_x의 두께에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프이다.FIG. 9 is a graph illustrating voltage-current density characteristics according to the thickness of MoO _x , which is a hole injection layer, in an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.

구체적으로, 정공 주입층인 MoO_x막의 최적화된 두께 조건을 알아보기 위해서 MoO_x의 두께에 따른 본 발명의 유기 발광 다이오드의 전압-전류 밀도 특성을 측정하였다.Specifically, the voltage-current density characteristics of the organic light emitting diode of the present invention were measured according to the thickness of MoO _x to determine the optimized thickness condition of the MoO _x film, which is a hole injection layer.

양극인 산소 플라즈마 처리된 ITO막의 두께는 1500Å, 정공 수송층인 α-NPD의 두께는 700Å, 발광층인 Alq₃의 두께는 600Å, 전자 주입층인 LiF의 두께는 10Å, 그리고 음극인 Al막의 두께는 1500Å으로 하였다. 정공 주입층의 두께는 0, 5, 10 및 20Å으로 변화시켰다. 도 9에서, MoO_x 5, 10, 20Å은 각각 정공 주입층의 두께가 5, 10 및 20Å인 시편을 의미하며, ref는 정공 주입층을 형성하지 않은 기준(reference) 시편을 의미한다.The thickness of the ITO film treated with oxygen plasma as anode was 1500Å, the thickness of α-NPD as hole transporting layer was 700Å, the thickness of Alq ₃ as light emitting layer was 600Å, the thickness of LiF as electron injection layer was 10Å, and the thickness of Al film as cathode was 1500Å. It was made. The thickness of the hole injection layer was changed to 0, 5, 10 and 20 mm 3. In FIG. 9, MoO _x 5, 10, and 20 μs refer to a specimen having a thickness of 5, 10 and 20 μs, respectively, and ref refers to a reference specimen that does not form a hole injection layer.

도 9에 도시된 바와 같이, MoO_x막으로 정공 주입층을 형성하였을 경우, 정공 주입층을 형성하지 않은 기준 시편 보다는 특성이 우수함을 알 수 있다. 특히, 정공 주입층인 MoO_x막의 두께가 10Å일 때 전압-전류밀도 특성이 가장 우수함을 알 수 있다. 또한, 정공 주입층인 MoO_x막의 두께를 20Å로 변화시키는 동안, 그 두께가 5Å ~ 10Å일 때는 전압-전류 밀도 특성이 좋아지지만, 10Å 이상인 경우에는 5Å ~ 10Å일 때 비해서는 나빠지는 것을 알 수 있다. 이는 정공 주입층인 MoO_x막이 10Å 이 되었을 때 양극인 ITO막 전체를 커버하여 MoO_x막이 정공 주입 장벽을 낮추어 주는 역할을 제대로 하는데 반하여, 10Å 이상이 되면 MoO_x막이 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 하기 보다는 MoO_x막 자체의 저항이 더 커지기 때문이다.As shown in FIG. 9, when the hole injection layer is formed of the MoO _x film, it can be seen that the characteristics are superior to the reference specimen in which the hole injection layer is not formed. In particular, it can be seen that the voltage-current density property is most excellent when the thickness of the MoO _x film, which is a hole injection layer, is 10 Å. In addition, while the thickness of the MoO _x film, which is a hole injection layer, was changed to 20 mA, the voltage-current density characteristics were improved when the thickness was 5 mA to 10 mA, but worse than when the voltage was 5 mA to 10 mA when the thickness was 10 mA or more. have. This and the MoO _x film is a hole injection layer cover the whole of an ITO film, the positive electrode when a 10Å contrast to serve to lower the hole injection barrier MoO _x film properly, if at least 10Å to contribute to lower the hole injection barrier MoO _x film This is because the resistance of the MoO _x film itself is greater.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 MoO_x의 두께에 따른 전류 밀도-휘도 특성을 도시한 그래프이다.FIG. 10 is a graph illustrating current density-luminance characteristics according to the thickness of MoO _{x as} the hole injection layer in the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present invention.

구체적으로, 정공 주입층인 MoO_x막의 최적화된 두께 조건을 알아보기 위해서 MoO_x의 두께에 따른 본 발명의 유기 발광 다이오드의 전류 밀도-휘도 특성을 측정하였다.Specifically, the current density-luminance characteristics of the organic light emitting diode according to the thickness of MoO _x were measured to determine the optimized thickness condition of the MoO _x film, which is a hole injection layer.

도 10에 도시된 바와 같이, MoO_x막으로 정공 주입층을 형성하였을 경우, 정공 주입층을 형성하지 않은 기준 시편 보다는 전류 밀도-휘도 특성이 우수함을 알 수 있다. 특히, MoO_x막의 두께가 10 일 때 전류밀도-휘도 특성이 가장 우수함을 알 수 있다. 또한 정공 주입층인 MoO_x막의 두께가 10Å이 될 때까지, 즉 5Å ~ 10Å까지는 전류밀도-휘도 특성이 좋아지지만 10Å 이상일 경우에는 5Å ~ 10Å일 때 비해 그 특성이 나빠지는 것을 알 수 있다. 이는 전술한 전압-전류 밀도 특성과 마찬가지로 정공 주입층인 MoO_x막이 10Å이 되었을 때 양극인 ITO막 전체를 커버하여 MoO_x막이 정공 주입 장벽을 낮추어 주는 역할을 제대로 하는데 반하여, 10Å 이상이 되면 MoO_x막이 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 하기 보다는 MoO_x막 자체의 저항이 더 커져서 전류 밀도-휘도 특성이 나빠지는 것이다.As shown in FIG. 10, when the hole injection layer is formed of the MoO _x film, it can be seen that the current density-luminance characteristics are superior to the reference specimen without the hole injection layer. In particular, it can be seen that when the thickness of the MoO _x film is 10, the current density-luminance characteristic is the best. In addition, the current density-luminance characteristic is improved until the thickness of the MoO _x film, which is the hole injection layer, becomes 10 kV, that is, 5 kV to 10 kV, but the quality worsens when the MO _x film is 10 kV to 10 kV. This is the above-described voltage-contrary to properly serve to lower the hole injection layer of the positive electrode of the hole injection barrier MoO _x film to cover the entire ITO film as MoO _x film is a 10Å like the current density characteristic, if the at least 10Å MoO _x Rather than the membrane lowering the hole injection barrier, the resistance of the MoO _x film itself becomes greater, resulting in poor current density-luminance properties.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 GaO_x의 두께에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프이다.FIG. 11 is a graph illustrating voltage-current density characteristics according to a thickness of GaO _x , which is a hole injection layer, in an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.

구체적으로, 정공 주입층인 GaO_x막의 최적화된 두께 조건을 알아보기 위해서 GaO_x의 두께에 따른 유기 발광 다이오드의 전압-전류 밀도 특성을 측정하였다. 도 11에서, GaO_x 5Å, 10Å, 20Å은 각각 정공 주입층의 두께가 5Å, 10Å 및 20Å인 시편을 의미하며, ref는 정공 주입층을 사용하지 않은 기준(reference)시편을 의미한다.Specifically, the voltage-current density characteristics of the organic light emitting diode according to the thickness of GaO _x were measured in order to determine the optimized thickness condition of the GaO _x film, which is a hole injection layer. In FIG. 11, GaO _x 5 μs, 10 μs, and 20 μs refer to specimens having thicknesses of 5 μs, 10 μs, and 20 μs, respectively, and ref refers to a reference specimen without using the hole injection layer.

도 11에 도시된 바와 같이, GaO_x막의 두께가 10Å일 때 전압-전류 밀도 특성이 가장 우수함을 알 수 있다. 또한, GaO_x막의 두께가 10Å이 될 때까지, 즉 5Å ~10Å까지는 전압-전류 밀도 특성이 좋아지지만, 10Å 이상일 경우에는 오히려 나빠지는 것을 알 수 있다. 이는 MoO_x막의 경우와 마찬가지로 GaO_x막이 10Å이 되었을 때 양극인 ITO막 전체를 커버하여 GaO_x막이 정공 주입 장벽을 낮추어 주는 역할을 제대로 하는데 반하여, 10Å 이상이 되면 GaO_x막이 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 하기 보다는 GaO_x막 자체의 저항이 더 커져서 전압-전류 밀도 특성이 나빠지는 것이 다.As shown in FIG. 11, it can be seen that the voltage-current density property is most excellent when the GaO _x film has a thickness of 10 mA. In addition, the voltage-current density characteristics are improved until the thickness of the GaO _x film becomes 10 kV, that is, 5 kV to 10 kV, but worsens when the GaO _x film is 10 kV or more. This lowers the positive electrode of ITO film opposed to the role to the full cover to lower the hole injection barrier GaO _x film properly, if at least 10Å GaO _x film is a hole injection barrier, when, as in the case MoO _x layer is a GaO _x film 10Å Rather than increasing the resistance of the GaO _x film itself, the voltage-current density characteristics become worse.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 MgO의 두께에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프이다.12 is a graph illustrating voltage-current density characteristics according to the thickness of MgO, a hole injection layer, in an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.

구체적으로, 정공 주입층인 MgO막의 최적화된 두께 조건을 알아보기 위해서 MgO의 두께에 따른 유기 발광 다이오드의 전압-전류 밀도 특성을 측정하였다. 도 12에서, MgO 5Å, 10Å, 20Å은 각각 정공 주입층의 두께가 5Å, 10Å, 20Å 인 시편을 의미하며, ref는 정공 주입층을 사용하지 않은 기준(reference)시편을 의미한다.Specifically, the voltage-current density characteristics of the organic light emitting diode according to the thickness of the MgO were measured to determine the optimum thickness condition of the MgO film as the hole injection layer. In FIG. 12, MgO 5 μs, 10 μs, and 20 μs refer to specimens having a thickness of 5 μs, 10 μs, and 20 μs, respectively, and ref refers to a reference specimen without using the hole injection layer.

도 12에 도시된 바와 같이, MgO막의 두께가 5Å일 때 전압-전류 밀도 특성이 가장 우수함을 알 수 있다. 또한, 정공 주입층인 MgO막의 두께가 5Å이 될 때까지, 즉 0Å ~ 5Å까지는 전압-전류 밀도 특성이 좋아지지만, 5Å이상일 경우에는 나빠지는 것을 알 수 있다. 이는 앞선 MoO_x막의 경우와 마찬가지로 MgO막이 5Å이 되었을 때 양극인 ITO막 전체를 커버하여 MgO막이 정공 주입 장벽을 낮추어 주는 역할을 제대로 하는데 반하여, 5Å이상이 되면 MgO막이 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 하기 보다는 MgO막 자체의 저항이 더 커져서 전압-전류 밀도 특성이 나빠지는 것이다.As shown in FIG. 12, it can be seen that the voltage-current density property is most excellent when the thickness of the MgO film is 5 μs. In addition, the voltage-current density characteristic is improved until the thickness of the MgO film as the hole injection layer becomes 5 kV, that is, 0 kV to 5 kV, but worsens when the MgO film is 5 kV or more. As in the case of the previous MoO _x film, when the MgO film reaches 5 μs, the MgO film serves to lower the hole injection barrier by covering the entire ITO film, which is the anode, while the MgO film lowers the hole injection barrier when the MgO film reaches 5 μs. Rather, the resistance of the MgO film itself becomes larger, resulting in poor voltage-current density characteristics.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드로써, ITO막은 산소 플라즈마 처리하고, 산소 플라즈마 처리한 MoO_x막과 산소 플라즈마 처리하지 않은 MoO_x막의 3d 코어 준위의 XPS 스펙트라(XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) Mo 3d core level 스펙트라)를 도시한 그래프이다. 구체적으로, XPS Mo 3d core level을 분석하여, 산소 플라즈마 처리된 ITO 막 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 이전의 MoO_x막과 산소 플라즈마 처리 이후의 MoO_x막의 화학적 성분 조성을 분석하였다. 도 13에서 MoO_x/O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리된 ITO막 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 이전의 MoO_x 시편을 의미하며, O₂-MoO_x/O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리된 ITO 막위에 증착된 산소 플라즈마 처리 후 MoO_x 시편을 의미한다.13 is as the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, ITO film oxygen plasma treatment, and oxygen plasma treatment of a non-MoO _x layer and an oxygen plasma treatment MoO _x film 3d XPS core level spectra (XPS (x- ray photoelectron spectroscopy) Mo 3 d core level spectra). Specifically, XPS Mo 3 d core level was analyzed to analyze the chemical composition of the MoO _x film before the oxygen plasma treatment and the MoO _x film after the oxygen plasma treatment deposited on the oxygen plasma treated ITO film. In FIG. 13, MoO _x / O ₂ -ITO refers to a MoO _x specimen before oxygen plasma treatment deposited on an oxygen plasma treated ITO film, and O ₂ -MoO _x / O ₂ -ITO is on an oxygen plasma treated ITO film. Mean MoO _x specimens after the deposited oxygen plasma treatment.

도 13에 도시된 바와 같이, 산소 플라즈마 처리 이전의 MoO_x막의 경우 MoO_x와 metallic Mo 성분이 혼재해 있으나 산소 플라즈마 처리를 실시할 경우 산소 플라즈마에 의해 metallic Mo이 전부 MoO_x로 변화하였음을 알 수 있다. As shown in FIG. 13, in the case of the MoO _x film before the oxygen plasma treatment, the MoO _x and the metallic Mo components are mixed, but when the oxygen plasma treatment is performed, the metallic Mo is changed to MoO _x by the oxygen plasma. have.

도 14는 산소 플라즈마 처리 이전의 ITO, 산소 플라즈마 처리 이후의 ITO, 산소 플라즈마 처리 이후의 ITO 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 이전의 MoO_x막, 산소 플라즈마 처리 이후의 ITO 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 이후 MoO_x막의 이차 컷오프 스펙트라(secondary cut-off spectra)를 도시한 그래프이다.Figure 14 shows ITO before oxygen plasma treatment, ITO after oxygen plasma treatment, MoO _x film before oxygen plasma treatment deposited on ITO after oxygen plasma treatment, MoO _x after oxygen plasma treatment deposited on ITO after oxygen plasma treatment. A graph showing the secondary cut-off spectra of the membrane.

구체적으로, 산소 플라즈마 처리 이전의 ITO막, 산소 플라즈마 처리가 된 ITO막, 산소 플라즈마 처리된 ITO 막 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 이전의 MoO_x 막과 산소 플라즈마 처리 이후의 MoO_x막의 일함수 변화를 비교하기 위하여 UPS(Ultraviolet photoelectron spectroscopy) 분석을 실시하였다.Specifically, the work function change of the MoO _x film before the oxygen plasma treatment and the MoO _x film after the oxygen plasma treatment were compared with the ITO film before the oxygen plasma treatment, the ITO film subjected to the oxygen plasma treatment, and the ITO film treated with the oxygen plasma treatment. Ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) analysis was performed.

도 14에서 ITO는 산소 플라즈마 처리 이전의 ITO 시편, O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리된 ITO시편, MoO_x/O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리된 ITO막 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 이전의 MoO_x 시편, O₂-MoO_x/O₂-ITO는 산소 플라즈마 처리 된 ITO막 위에 증착된 산소 플라즈마 처리 된 MoO_x 시편을 의미한다.In FIG. 14, ITO is an ITO specimen before oxygen plasma treatment, O ₂ -ITO is an oxygen plasma treated ITO specimen, and MoO _x / O ₂ -ITO is an MoO _x specimen before oxygen plasma treatment deposited on an oxygen plasma treated ITO film. _{_{_{, O 2 -MoO x / O 2}}} -ITO means MoO _x samples of the oxygen plasma treated ITO film deposited on the oxygen plasma treatment.

도 14에 도시된 바와 같이, 산소 플라즈마 처리를 행한 ITO막이 산소 플라즈마 처리하지 않은 ITO막보다 더 큰 일함수 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다. 또한, 산소 플라즈마 처리한 ITO 위에 증착된 산소 플라즈마 처리된 MoO_x의 경우 가장 큰 일함수 특성을 나타내고 있다. 이것은 전술한 바와 같이 산소 플라즈마에 의해 MoO_x막의 metallic Mo 성분이 전부 일함수가 큰 MoO_x로 변화하였기 때문이다. 이러한 이유로 인하여 앞서 설명한 바와 같이 MoO_x막으로 정공 주입층을 이용한 경우, 전압-전류 밀도 특성 및 전류 밀도-휘도 특성이 향상된 것으로 예측된다.As shown in Fig. 14, it can be seen that the ITO film subjected to the oxygen plasma treatment exhibits a larger work function characteristic than the ITO film not subjected to the oxygen plasma treatment. In addition, in the case of the oxygen plasma-treated MoO _x deposited on the oxygen plasma-treated ITO, the largest work function characteristic is shown. This is because all of the metallic Mo components of the MoO _x film are changed to MoO _x having a large work function as described above. For this reason, when the hole injection layer is used as the MoO _x film as described above, it is expected that the voltage-current density characteristics and the current density-luminance characteristics are improved.

이상과 같이 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상 범위내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다.As described above with reference to the drawings illustrating an organic light emitting diode and a method for manufacturing the same according to the present invention, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, but within the technical scope of the present invention Of course, various modifications can be made by those skilled in the art.

도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 적층 구조를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing a laminated structure of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드의 적층 구조를 도시한 단면도,2 and 3 are cross-sectional views showing a laminated structure of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 순서도,4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention;

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO 위에 정공 주입층으로 MoO_x가 증착되고, 증착된 MoO_x의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프,FIG. 5 illustrates MoO _x as a hole injection layer deposited on an ITO subjected to oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and shows light transmittance in a visible light region according to the thickness of the deposited MoO _x . One Graph,

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO 위에 정공 주입층으로 GaO_x가 증착되고, 증착된 GaO_x의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프, FIG. 6 shows GaO _x deposited as a hole injection layer on an ITO subjected to oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and shows light transmittance in a visible light region according to the thickness of the deposited GaO _x . One Graph,

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리가 실시된 ITO 위에 정공 주입층으로 MgO가 증착되고, 증착된 MgO의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프,FIG. 7 is a graph showing MgO deposited as a hole injection layer on an ITO subjected to oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and light transmittance in a visible light region according to the thickness of the deposited MgO. ,

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 산소 플라즈마 처리 전후에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프,8 is a graph illustrating voltage-current density characteristics before and after oxygen plasma treatment in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 MoO_x의 두께에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프,9 is a graph illustrating voltage-current density characteristics according to the thickness of MoO _x , which is a hole injection layer, in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 MoO_x의 두께에 따른 전류 밀도-휘도 특성을 도시한 그래프,FIG. 10 is a graph illustrating current density-luminance characteristics according to the thickness of MoO _{x as} a hole injection layer in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention; FIG.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 GaO_x의 두께에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프,FIG. 11 is a graph illustrating voltage-current density characteristics according to the thickness of GaO _{x as} a hole injection layer in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에서 정공 주입층인 MgO의 두께에 따른 전압-전류 밀도 특성을 도시한 그래프,12 is a graph illustrating voltage-current density characteristics according to the thickness of MgO, which is a hole injection layer, in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드로써, ITO막은 산소 플라즈마 처리하고, 산소 플라즈마 처리한 MoO_x막과 산소 플라즈마 처리하지 않은 MoO_x막의 3d 코어 준위의 XPS 스펙트라를 도시한 그래프,FIG 13 shows a, ITO film oxygen plasma treatment, and oxygen plasma treatment the XPS spectra of the MoO _x layer and an oxygen plasma is not treated MoO _x film 3d core level as the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, a graph,

Claims

기판 상에 형성된 양극;An anode formed on the substrate;

상기 양극 상에 형성되며, 일함수가 양극보다 큰 금속 산화물로 이루어진 정공 주입층;A hole injection layer formed on the anode and formed of a metal oxide having a work function greater than that of the anode;

상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층;A hole transport layer formed on the hole injection layer;

상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및,An emission layer formed on the hole transport layer; And,

상기 발광층 상에 형성된 음극A cathode formed on the light emitting layer

을 포함하는 유기 발광 다이오드.An organic light emitting diode comprising a.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 금속 산화물은 MoO_x, GaO_x, MgO, Cr₂O₃, V₂O₅, WO₃, SnO₂, ZnO, MnO₂, CoO₂, TiO₂중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질인 유기 발광 다이오드.The metal oxide is an organic light emitting material which is a material mixed with at least one of MoO _x , GaO _x , MgO, Cr ₂ O ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ , SnO ₂ , ZnO, MnO ₂ , CoO ₂ , TiO ₂ diode.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 금속 산화물의 두께는 0 초과 20Å 이하인 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode having a thickness of the metal oxide is greater than 0 and less than 20 GPa.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 금속 산화물이 MoO_x인 경우, 상기 MoO_x는 0 초과 20Å 미만의 두께로 형성되는 유기 발광 다이오드.When the metal oxide is MoO _x , MoO _x is formed to a thickness of more than 0 and less than 20 kW.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 금속 산화물이 GaO_x인 경우, 상기 GaO_x는 0 초과 10Å 미만의 두께로 형성되는 유기 발광 다이오드.When the metal oxide is GaO _x , the GaO _x is formed to a thickness of more than 0 and less than 10 GPa.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 금속 산화물이 MgO인 경우, 상기 MgO는 0 초과 5Å 미만의 두께로 형성되는 유기 발광 다이오드.When the metal oxide is MgO, the MgO is formed to a thickness of more than 0 and less than 5 GPa.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 발광층과 상기 음극 사이에 전자 수송층과 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 포함하는 유기 발광 다이오드.An organic light emitting diode comprising at least one of an electron transport layer and an electron injection layer between the light emitting layer and the cathode.

청구항 1에 있어서,The method according to claim 1,

상기 발광층과 상기 음극 사이에 형성된 전자 주입층을 포함하며, 상기 양극은 ITO막이고, 상기 정공 수송층은 α-NPD이며, 상기 발광층은 Alq3이고, 상기 전자 주입층은 LiF이며, 상기 음극은 Al막인 유기 발광 다이오드.And an electron injection layer formed between the light emitting layer and the cathode, wherein the anode is an ITO film, the hole transport layer is α-NPD, the light emitting layer is Alq3, the electron injection layer is LiF, and the cathode is an Al film. Organic light emitting diode.

기판 상에 양극을 형성하는 단계;Forming an anode on the substrate;

상기 양극 위에 금속 산화물로 정공 주입층을 형성하는 단계;Forming a hole injection layer of metal oxide on the anode;

상기 정공 주입층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계;Forming a hole transport layer on the hole injection layer;

상기 정공 수송층 위에 발광층을 형성하는 단계; 및,Forming a light emitting layer on the hole transport layer; And,

상기 발광층 위에 음극을 형성하는 단계Forming a cathode on the light emitting layer

를 포함하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.Organic light emitting diode manufacturing method comprising a.

청구항 9에 있어서,The method according to claim 9,

상기 정공 주입층을 형성하는 단계는 MoO_x, GaO_x, MgO, Cr₂O₃, V₂O₅, WO₃, SnO₂, ZnO, MnO₂, CoO₂, TiO₂ 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질을 이용하여 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 그리고 전자선 증착법 중 어느 하나의 방법을 수행하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.The forming of the hole injection layer may include mixing at least one of MoO _x , GaO _x , MgO, Cr ₂ O ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ , SnO ₂ , ZnO, MnO ₂ , CoO ₂ , TiO ₂ . An organic light emitting diode manufacturing method using any one of RF sputtering, DC sputtering, and electron beam deposition.

청구항 9에 있어서,The method according to claim 9,

상기 양극을 형성한 후에 상기 양극을 산소 플라즈마 처리하는 단계와, 상기 정공 주입층을 형성한 후에 상기 정공 주입층을 산소 플라즈마 처리하는 단계 중 어느 하나 이상을 포함하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.Oxygen plasma treatment of the anode after the anode is formed, and oxygen plasma treatment of the hole injection layer after the hole injection layer is formed.

청구항 11에 있어서,The method according to claim 11,

상기 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 파워는 25 내지 150 W이고, 공정 압력은 5 내지 500 mTorr이며, 주입되는 산소 유량은 3 내지 100 sccm, 그리고 산소 플라즈마 처리 시간 0.5 내지 15분의 조건에서 수행하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.In the oxygen plasma treatment, the plasma power is 25 to 150 W, the process pressure is 5 to 500 mTorr, the injected oxygen flow rate is 3 to 100 sccm, and the organic light emitting diode is performed under the conditions of an oxygen plasma treatment time of 0.5 to 15 minutes. Manufacturing method.

청구항 9에 있어서,The method according to claim 9,

상기 발광층을 형성하는 단계와 상기 음극을 형성하는 단계 사이에 전자 수송층과 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다 이오드 제조 방법.Forming at least one of an electron transporting layer and an electron injection layer between the forming of the light emitting layer and the forming of the cathode;