KR20090102680A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
플라즈마 처리 장치Info
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Abstract
Description
Claims (11)
- 진공 배기 가능한 처리용기와,상기 처리용기 내에서 피처리 기판을 탑재하는 하부 중심 전극과,상기 하부 중심 전극으로부터 전기적으로 절연되어 상기 하부 중심 전극의 외주를 환상으로 둘러싸는 하부 주변 전극과,상기 하부 중심 전극 및 상기 하부 주변 전극과 대향해서 그 위쪽에 배치되는 상부 전극과,상기 하부 중심 전극 및 상기 하부 주변 전극과 상기 상부 전극의 사이의 처리공간에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부와,고주파 방전에 의해서 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위한 제 1 고주파를 출력하는 제 1 고주파 전원과,상기 제 1 고주파 전원으로부터의 상기 제 1 고주파를 상기 하부 주변 전극 상에 우선적으로 공급하기 위하여 상기 하부 주변 전극의 배면에 접속되는 제 1 하부 급전 도체와,상기 제 1 고주파 전원으로부터의 상기 제 1 고주파의 일부를 상기 하부 중심 전극 상에 공급하기 위하여, 상기 제 1 하부 급전 도체 및 상기 하부 주변 전극의 적어도 한쪽과 상기 하부 중심 전극을 임피던스 가변의 용량 결합으로 전기적으로 접속하는 제 1 가변 용량 결합부를 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 하부 급전 도체는상기 하부 중심 전극의 중심부의 바로 아래에서 연직 위쪽으로 연장하여, 상기 하부 중심 전극으로부터 이간된 위치에서 종단하는 제 1 급전봉과,상기 제 1 급전봉의 상단부로부터 반경 방향 외측 및 위쪽으로 연장하여 상기 하부 주변 전극의 배면에 이르는 면형상의 접속부를 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 가변 용량 결합부는 상기 제 1 급전봉 또는 상기 면형상 접속부와 상기 하부 중심 전극의 사이에 마련되는플라즈마 처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 가변 용량 결합부는 상기 면형상 접속부와 상기 하부 중심 전극의 사이의 공간 내에서 원주방향으로 일정한 간격을 두고 배치되고, 각각이 수평인 축을 회전 중심으로 해서 회전 방향으로 변위 가능하게 마련되는 다수의 도체판을 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 가변 용량 결합부는동심원형상으로 복수 배치되고, 상기 하부 중심 전극에 전기적으로 접속된 환상의 상부 핀 도체와,상기 상부 핀 도체에 대해 반경 방향으로 오프셋해서 동심원형상으로 복수 배치되고, 상기 제 1 급전봉 또는 상기 면형상 접속부에 전기적으로 접속된 환상의 하부 핀 도체와,상기 상부 핀 도체와 상기 하부 핀 도체를 반경 방향에서 대향시킨 상태에서 양자를 연직 방향에서 상대적으로 변위시키기 위한 핀 도체 변위 기구를 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 가변 용량 결합부는 상기 하부 중심 전극과 상기 하부 주변 전극 사이에 환상으로 마련되는 중공의 유전체를 갖고, 상기 중공 유전체의 내부에 유동성의 유전성 물질을 가변량으로 수용하는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 가변 용량 결합부는 상기 하부 중심 전극과 상기 하부 주변 전극 사이에 환상으로 마련되는 중공의 유전체를 갖고, 상기 중공 유전체의 내부에 도체판을 소정의 방향에서 변위 가능하게 수용하는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,주로 상기 플라즈마중의 이온을 상기 피처리 기판에 인입하기 위한 제 2 고주파를 출력하는 제 2 고주파 전원과,상기 제 2 고주파 전원으로부터의 상기 제 2 고주파를 전적으로 또는 우선적으로 상기 하부 중심 전극에 공급하기 위하여 상기 하부 중심 전극의 배면에 접속되는 제 2 하부 급전 도체를 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 하부 급전 도체가 중공관에 형성된 상기 제 1 급전봉 내를 관통하여, 상기 하부 중심 전극의 배면의 중심부에 접속하는 제 2 급전봉을 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 하부 급전 도체가 상기 제 1 급전봉의 측을 그것과 평행하게 연장하여, 상기 하부 중심 전극의 배면의 중심부보다도 반경 방향 외측의 부위에 접속하는 제 2 급전봉을 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 고주파 전원으로부터의 상기 제 2 고주파의 일부를 상기 하부 주변 전극에 공급하기 위해, 상기 제 2 하부 급전 도체와 상기 제 1 하부 급전 도체를 임피던스 가변의 용량 결합으로 전기적으로 접속하는 제 2 가변 용량 결합부를 갖는플라즈마 처리 장치.
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