KR20090098734A - 아미노벤젠설폰산을 함유한 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물 - Google Patents

아미노벤젠설폰산을 함유한 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20090098734A
KR20090098734A KR1020090021553A KR20090021553A KR20090098734A KR 20090098734 A KR20090098734 A KR 20090098734A KR 1020090021553 A KR1020090021553 A KR 1020090021553A KR 20090021553 A KR20090021553 A KR 20090021553A KR 20090098734 A KR20090098734 A KR 20090098734A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hydroxide
composition
acid
mixtures
water
Prior art date
Application number
KR1020090021553A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101101066B1 (ko
Inventor
매튜 아이. 에지베
마이클 왈터 레겐자
다나 엘. 더햄
Original Assignee
에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 filed Critical 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
Publication of KR20090098734A publication Critical patent/KR20090098734A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101101066B1 publication Critical patent/KR101101066B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 고 가교된 레지스트 및 에칭 잔여물을 제거하기 위한 반친수성 조성물 및 이의 사용방법에 관한 것이다. 상기 조성물은 아미노벤젠설폰산, 물에 혼화할 수 있는 유기 용매 및 물을 포함한다.
아미노벤젠설폰산, 반친수성, 스트리핑 및 세척 조성물

Description

아미노벤젠설폰산을 함유한 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물{SEMI―AQUEOUS STRIPPING AND CLEANING COMPOSITION CONTAINING AMINOBENZENESULFONIC ACID}
본 발명은 반친수성(semi-aqueous) 스트리핑 및 세척 조성물 및 이의 사용방법에 관한 것이다. 상기 조성물은 아미노벤젠설폰산, 물에 혼화할 수 있는(miscible) 유기 용매 및 물을 포함한다.
반도체 또는 반도체 초소형회로의 제조에서는 반도체 디바이스의 기판(substrate)의 표면으로부터 물질들을 제거하는 것이 필요하다. 어떤 경우에 제거될 물질들은 포토레지스트로서 나타나는 중합 조성물이다. 다른 예에서 제거될 물질들은 에칭 또는 회분화(ashing) 공정 또는 간단한 오염물질의 잔여물이다. 스트리핑 및/또는 세척 조성물의 목적은 기판의 노출된 표면을 부식, 용해 또는 덜링(dulling)하지 않으면서도 반도체 기판으로부터 원치않는 물질들을 제거하기 위한 것이다.
당업계는 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 스트리핑하고/거나 에칭 잔여물, 회(ash) 또는 다른 오염물질을 세척하는데 사용하기 위한 다른 타입의 조성물 들에 관한 다수의 참고 문헌들을 갖고 있다.
이러한 기술 분야의 특허들은 미국특허 제5,972,862호(Torii), 미국특허 제6,232,283 B1호(Inoue), 미국특허 제5,534,177호(Mayhan), 미국특허 제4,321,166호(McGrady), 미국특허 제4,199,483호(Jones), 미국특허 제3,653,931호(Borchert), 미국특허 제4,215,005호, 미국특허 제4,165,295호 및 미국특허 제4,242,218호(Mey)를 포함한다.
발명의 요약
본 발명은 반친수성(semi-aqueous) 스트리핑 및 세척 조성물 및 이의 사용방법에 관한 것이다. 상기 조성물은 아미노벤젠설폰산, 물에 혼화할 수 있는(miscible) 유기 용매 및 물을 포함한다.
한 구체예에서, 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물은,
a. 0.5% 내지 10%의 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및 5% 내지 70%의 물을 포함한다.
다른 구체예에서, 반도체 기판으로부터 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물, 또는 오염물질을 제거하는 방법은,
상기 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물 또는 오염물질을 실질적으로 제거하기에 충분한 시간 동안,
a. 0.5% 내지 10%의 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
c. 5% 내지 70%의 물을 포함하는 조성물을 반도체 기판과 접촉하는 것을 포함한다.
상기 구체예에서 조성물 및 방법에 대해 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염은 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
다른 구체예에서, 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물은,
a. 0.5% 내지 10%의 2-아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
c. 5% 내지 70%의 물을 포함한다.
여전히, 다른 구체예에서, 반도체 기판으로부터 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물, 또는 오염물질을 제거하는 방법은,
상기 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물 또는 오염물질을 실질적으로 제거하기에 충분한 시간 동안,
a. 0.5% 내지 10%의 2-아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
c. 5% 내지 70%의 물을 포함하는 조성물을 반도체 기판과 접촉하는 것을 포함한다.
상기 구체예들에 대하여, 물에 혼화할 수 있는 유기 용매는 글리콜 에테르, 퍼푸릴(furfuryl) 알코올, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 구체적으로, 물에 혼화할 수 있는 유기 용매는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE), 트리(프로필렌 글리콜) 모노메틸 에테르 및 2-(2-부톡시에톡시) 에탄올, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올(THFA), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
조성물은 유기산, 유기산 염, 페놀, 트리아졸, 하이드록실아민 유도체, 프락토스(fructose), 암모늄 설파이트, 2-아미노피리미딘, 암모늄 티오설페이트, 글라이신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 디메틸아세토아세트아미드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 부식 억제제(corrosion inhibitor)를 15%까지 추가로 포함할 수 있다.
조성물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 4차(quaternary) 암모늄 화합물을 10%까지 추가로 포함할 수 있다.
조성물은 바람직하게 6 내지 11의 pH를 갖는다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 성분이 기판, 예를 들어, 반도체 기판으로부터 잔여물을 효과적으로 제거하는 양으로 존재하는 조성물을 제공한다. 본 발명은 또한 기판으로부터 잔여물을 제거하기 위한 조성물을 사용하는 방법을 제공한다. 반도체 기판에 관한 적용에서, 이러한 잔여물은, 예를 들어, 포토레지스트(경화된 또는 그 반대의), 갭 필(gap fill), 하부 반사방지막(bottom antireflective coating; BARC) 및 다른 중합 물질(예컨대: C-F-함유 중합체, 저 및 고분자량 중합체들) 및/또는 공정 잔여물 예컨대 에칭 및 회분화 공정에 의해 생성된 잔여물, 무기 화합물 예컨대 금속 산화물, 화학 기계적 평탄화(chemical mechanical planarization; CMP) 슬러리로부터의 세라믹 입자 및 다른 무기 에칭 잔여물, 금속 함유 화합물, 예를 들어, 유기금속 잔여물 및 금속 유기 화합물들을 포함한다. 한 구체예에서, 본 발명에 따른 조성물은 반도체 기판으로부터 실리콘-함유 BARC 잔여물을 제거하는데 특히 효율적이다.
잔여물은 통상적으로 금속, 실리콘, 실리케이트 및/또는 층간 유전(interlevel dielectric) 물질, 예를 들어, 증착된(deposited) 실리콘 옥사이드 및 유도체화된(derivatized) 실리콘 옥사이드 예컨대 하이드로젠 실레스퀴옥산(HSQ), 메틸 실레스퀴옥산(MSQ), 필드 옥사이드(FOX), 테트라에톡시실란(TEOS) 및 스핀-온 글래스, 화학적 증기 증착된 유전 물질, 저-k 물질 및/또는 고-k 물질 예컨대 하프늄 실리케이트, 하프늄 옥사이드, 바륨 스트론튬 티타네이트(BST), TiO2, TaO5를 포함할 수 있는 기판에 존재하며, 여기서 잔여물 및 금속, 실리콘, 실리사이드(silicide), 층간 유전 물질, 저-k 및/또는 고-k 물질은 모두 세척 조성물과 접촉할 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 이러한 물질과 양립하며, 따라서, 잔여물, 예를 들어, 상술한 것들을, 금속, 실리콘, 실리콘 디옥사이드, 층간 유전 물질, 저-k 및/또는 고-k 물질을 두드러지게 공격하지 않으면서도 선택적으로 제거하도록 사용될 수 있다. 어떤 구체예에서, 기판은 금속, 예컨대, 제한되는 것은 아니지만, 구리, 코발트, 구리 합금, 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 텅스텐, 및/또는 티타늄/텅스텐 합금을 포함할 수 있다.
제조 공정 동안, 포토레지스트 층이 기판 상에 코팅된다. 포토리소그래피 공정을 사용하여, 패턴이 포토레지스트 층 상에 한정된다. 따라서, 패턴화된 포토레지스트 층이 플라즈마 에칭됨에 의해 패턴이 기판으로 전달된다. 에칭 잔여물이 상기 에칭 단계에서 생성되었다. 일부가 회분화되지 않는 동안 본 발명에서 사용된 몇몇 기판은 회분화되었다. 기판이 회분화될 때 세척되어야 할 주된 잔여물은 에칭 및 회 잔여물이었다. 만약 기판이 회분화되지 않았다면, 다음에 세척 또는 스트리핑되어야 할 주된 잔여물은 고(highly) 가교된 포토레지스트뿐 아니라 에칭 잔여물 및 포토레지스트였다.
여기에 개시된 조성물은 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염; 물에 혼화할 수 있는 유기 용매; 및 물을 포함하는 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물이다. 본 발명에 대해, "혼화할 수 있는"은 용해가 가능한 것을 포함한다.
어떤 구체예에서, 아미노벤젠설폰산은 2-아미노벤젠설폰산(오르타닐산(orthanilic acid), 아닐린-2-설폰산, 아닐린-o-설폰산 및 o-아미노벤젠설폰산으로도 알려짐), 3-아미노벤젠설폰산(메타닐산(metanilic acid)으로도 알려짐), 4-아미노벤젠설폰산(설파닐산(sulfanilic acid)으로도 알려짐), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
어떤 구체예에서, 물에 혼화할 수 있는 유기 용매는 글리콜 에테르 또는 퍼푸릴 알코올이 될 수 있다. 글리콜 에테르는 글리콜 모노(C1-C6)알킬 에테르 및 글리콜 디(C1-C6)알킬 에테르, 예컨대 제한되는 것은 아니지만, (C1-C20)알칸 디올, (C1-C6)알킬 에테르, 및 (C1-C20)알칸 디올 디(C1-C6)알킬 에테르를 포함할 수 있다. 글리콜 에테르의 예들은 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노이소부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디프로필렌 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디이소프로필 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 1-메톡시-2-부탄올, 2-메톡시-l-부탄올, 2-메톡시-2-메틸부탄올, 1,1-디메톡시에탄 및 2-(2-부톡시에톡시)에탄올이다. 글리콜 에테르의 보다 전형적인 예들은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 트리(프로필렌 글리콜) 모노메틸 에테르 및 2-(2-부톡시에톡시)에탄올이다. 퍼푸릴 알코올의 예는 테트라하이드로퍼푸릴 알코올(THFA)이다.
어떤 구체예에서, 조성물은 0.5 중량% 내지 약 15 중량%의 하나 이상의 부식 억제제를 포함할 수 있다. 유사한 적용을 위해 당업계에 공지된 임의의 부식 억제제가 사용될 수 있다. 부식 억제제는, 예를 들어, 유기산, 유기산 염, 페놀, 트리아졸, 하이드록실아민 유도체 또는 이들의 산염(acid salt)이 될 수 있다. 구체적인 부식 억제제들의 예들은 안트라닐산, 갈릭산, 벤조산, 이소프탈산, 말레산, 푸말산, D,L-말릭산, 말론산, 프탈산, 무수말레인산, 무수프탈산, 벤조트리아졸(BZT), 레조르시놀, 카복시벤조트리아졸, 디알킬 하이드록실아민 유도체, 락트산, 시트르산, 등을 포함한다. 사용될 수 있는 부식 억제제의 추가예들은 카테콜, 피로갈롤, 및 갈릭산의 에스터를 포함한다. 사용될 수 있는 구체적인 디알킬 하이드록실아민 유도체는 디에틸 하이드록실아민을 포함한다. 적합한 부식 억제제의 다른 예들은 프락토스, 암모늄 설파이트, 2-아미노피리미딘, 암모늄 티오설페이트, 글라이신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 및 디메틸아세토아세트아미드를 포함한다. 어떤 구체예에서, 부식 억제제는 약 4 내지 약 7의 범위인 pH를 갖는 약산을 포함할 수 있다. 약산의 예들은 트리하이드록시벤젠, 디하이드록시벤젠, 및/또는 살리실하이드록사믹산을 포함한다. 부식 억제제가 유기산인 구체예에서, 상기 유기산은 버퍼 용액에서 사용되는 것과 동일하게 될 수 있다.
어떤 구체예에서, 조성물은 하나 이상의 4차 암모늄 화합물을 포함할 수 있다. 적합한 4차 암모늄 화합물의 예들은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드 및 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드를 포함한다. 4차 암모늄 화합물은 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 또는 약 5 중량% 내지 약 10 중량%의 범위인 양으로 존재한다.
어떤 구체예에서, 조성물은 일반적으로 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%, 또는 약 5 내지 약 10 중량%의 양으로 플루오라이드 이온 공급원을 임의로 포함할 수 있다. 이러한 화합물의 예들은 암모늄 플루오라이드, 테트라메틸 암모늄 플루오라이드, 테트라에틸 암모늄 플루오라이드, 테트라부틸 암모늄 플루오라이드, 및 이들의 혼합물을 포함한다. 플루오라이드 이온 공급원의 추가적인 예들은 플루오로보 론산, 하이드로플루오르산, 플루오로보레이트, 플루오로보론산, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 알루미늄 헥사플루오라이드, 및 콜린 플루오라이드를 포함한다.
어떤 구체예에서, 조성물은 0.5% 내지 10%의 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염; 30% 내지 90%의 유기 용매, 및 5% 내지 70%의 물을 포함하며 며기서 상기 조성물은 6 내지 11의 pH를 갖는다.
한 특정 구체예에서, 조성물은 0.5% 내지 10%의 2-아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염; 30% 내지 90%의 유기 용매, 및 5% 내지 70%의 물로 구성된다.
조성물은 바람직하게 6 내지 11의 pH를 갖는다.
기판의 조성물
주어진 실시예들에서 사용된 각 기판은 포스트-에칭된 레지스트의 상부층에 뒤이어 BARG 층으로 구성된다. BARG 층은 차례로 상부 하드 마스크에 뒤이어 저-k 유전체이다. 하드 마스크 물질의 예들은 제한되는 것은 아니지만 전형적으로 티타늄 및 티타늄 나이트라이드이다. 이중 다마신(dual damascene) 기판에 대해, 유전층 다음에 제한되는 것은 아니지만 전형적으로 구리층이 차례로 뒤이은 에칭 스탑이 뒤따른다.
공정 조건
세척 시험은 600 rpm에서 설정된 1/2" 둥근 테프론 스터 바(stir bar)가 있는 400 mL 비이커에서 305 mL의 세척 조성물을 사용하여 실행하였다. 필요한 경우 세척 조성물을 핫 플레이트 상에서 아래에 나타낸 바람직한 온도로 가열하였다. 대략 1/2" × 1/2" 크기인 웨이퍼 세그먼트를 아래의 설정 조건하에서 조성물에 침지시켰다:
30 분 @ 50℃
다음에 세그먼트를 탈이온화된(DI) 물 오버플로우 베스(overflow bath)에서 3 분간 세척한 다음 여과된 질소를 사용하여 건조시켰다. 다음에 주사 전자현미경(SEM) 사용법을 사용하여 청결도를 분석하였다.
실시예
다음의 실시예들은 본 발명을 추가로 설명하기 위한 목적으로 제공되지만 결코 이를 제한할 의도는 아니다.
아래의 실시예들에서, 모든 양은 중량%로 주어지며 그 합은 100 중량%에 이른다. 여기서 개시된 조성물은 모든 고체가 용해될 때까지 실온에서 용기 내에 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다. 여기에 개시된 임의의 조성물의 실시예들을 표 I에 나타내었다.
다음은 표 I에 사용된 약어이다:
PGME = 프로필렌 글리콜 메틸 에테르
THFA = 테트라하이드로퍼푸릴 알코올
PGPE = 프로필렌 글리콜 프로필 에테르
DEHA = 디에틸 하이드록실아민
2-ASA = 2-아미노벤젠설폰산
3-ASA = 3-아미노벤젠설폰산
4-ASA = 4-아미노벤젠설폰산
p-TSA = p-톨루엔설폰산
MSA = 메탄설폰산
TMAH = 테트라메틸암모늄 하이드록사이드
TMAF = 테트라메틸암모늄 플루오라이드
Amm. Sulfite = 암모늄 설파이트
표 I: 예시적인 조성물
Figure 112009015326921-PAT00001
Figure 112009015326921-PAT00002
예시적인 조성물들의 세척 효과를 표 II에 나타내었다.
표 II 예시적인 조성물들의 세척 효과 데이터
Figure 112009015326921-PAT00003
표 I에서 보여주는 바와 같이, 실시예 P 내지 T의 세트에 대해 단지 변화할 수 있는 성분은 조성물에 사용된 다른 설폰산이었다. 모든 아미노벤젠설폰산은 표 II에서 보여주는 바와 같이 일부 세척 효과를 갖는다. 설포네이트 관능기의 위치는 세척 효율에서 역할을 하는 것으로 나타났다. 아래의 구조에서 도시한 바와 같이, 설포네이트기가 2-아미노벤젠설폰산(2-ASA, 실시예 P)에서처럼 오르쏘(ortho) 위치일 때, 조성물은 동시에 기판을 세척하고 BARC 물질을 제거할 수 있었다. 그 러나, 설포네이트기가 3-아미노벤젠설폰산(3-ASA) 및 4-아미노벤젠설폰산(4-ASA)(실시예 S 및 실시예 T)에서처럼 각각 메타- 및 파라- 위치일 때, 이들 조성물은 세척에 덜 효율적이었으며, 몇몇은 기판 세척에 성공하지 못하였다. 약한 세척 효과는 다른 설포네이트 화합물, p-톨루엔설폰산(p-TSA) 및 메탄설폰산(MSA)에서도 나타났으며 이들은 기판 세척에 성공하지 못하였다.
Figure 112009015326921-PAT00004
플루오라이드가 조성물에 첨가되는 경우 2-ASA를 함유한 조성물의 유익한 세척 효과가 감소되었다. 실시예 P 및 실시예 I를 비교하는 경우 약해진 세척 효과가 현저하였다. 실시예 P 및 실시예 I는 각각 2-ASA를 함유하지만, 실시예 I는 실시예 P가 갖는 모든 성분에 더하여 플루오라이드를 갖는다. 실시예 P가 동시에 기판을 세척하고 BARC 물질을 제거할 수 있는 반면, 실시예 I는 확실히 동시에 기판을 세척하고 BARC 물질을 제거할 수 없다(표 II에 나타냄).
디에틸 하이드록실아민(및 다른 하이드록실아민 유도체)은 구리에 대한 부식 억제제로서 사용되었다. 통상, 하이드록실아민 유도체는 구리를 에칭하는 그들의 능력 때문에 구리와 양립가능한 것으로 고려되지 않지만, 이들 조성물에서 구리 부식을 방지하기 위해 사용되었다.
이전의 실시예 및 바람직한 구체예의 기재는, 청구항에 의해 한정되는 것처럼 본 발명을 한정하기 위한 것이라기 보다는 설명으로서 기재되는 것으로 이해되어야 한다. 쉽게 인식될 수 있듯이, 상술된 특성의 다수의 변형 및 조합이 청구항에 나타낸 것과 같은 본 발명으로부터 벗어나지 않고 사용될 수 있다. 이러한 변형은 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어난 것으로 간주되지 않으며, 모든 이러한 변형은 아래의 청구항의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. a. 0.5% 내지 10%의 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
    b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
    c. 5% 내지 70%의 물을 포함하는 조성물로서,
    상기 조성물이 6 내지 11의 pH를 갖는 반친수성(semi-aqueous) 스트리핑 및 세척 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 아미노벤젠설폰산이 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 물에 혼화할 수 있는 유기 용매가 글리콜 에테르, 퍼푸릴 알코올, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 물에 혼화할 수 있는 유기 용매가 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE), 트리(프로필렌 글리콜) 모노메틸 에테르, 2-(2-부톡시에톡시)에탄올, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올(THFA), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 유기산, 유기산 염, 페놀, 트리아졸, 하이드록실아민 유도체, 프락토스(fructose), 암모늄 설파이트, 2-아미노피리미딘, 암모늄 티오설페이트, 글라이신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 디메틸아세토아세트아미드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 0.5% 내지 15%의 부식 억제제(corrosion inhibitor)를 추가로 포함하는 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 0.5% 내지 10%의 4차(quaternary) 암모늄 화합물을 추가로 포함하는 조성물.
  7. a. 0.5% 내지 10%의 2-아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
    b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
    c. 5% 내지 70%의 물을 포함하는 조성물로서,
    상기 조성물이 6 내지 11의 pH를 갖는 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 물에 혼화할 수 있는 유기 용매가 글리콜 에테르, 퍼푸릴 알코올, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 조성물.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 조성물이 유기산, 유기산 염, 페놀, 트리아졸, 하이드록실아민 유도체, 프락토스, 암모늄 설파이트, 2-아미노피리미딘, 암모늄 티오설페이트, 글라이신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 디메틸아세토아세트아미드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 0.5% 내지 15%의 부식 억제제를 추가로 포함하는 조성물.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 조성물이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 0.5% 내지 10%의 4차 암모늄 화합물을 추가로 포함하는 조성물.
  11. 반도체 기판으로부터 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물, 또는 오염물질을 제거하는 방법으로써,
    상기 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물 또는 오염물질을 실질적으로 제거하기에 충분한 시간 동안,
    a. 0.5% 내지 10%의 아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
    b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
    c. 5% 내지 70%의 물을 포함하며,
    6 내지 11의 pH를 갖는 조성물을 반도체 기판과 접촉하는 것을 포함하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 아미노벤젠설폰산이 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 물에 혼화할 수 있는 유기 용매가 글리콜 에테르, 퍼푸릴 알코올, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 물에 혼화할 수 있는 유기 용매가 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE), 트리(프로필렌 글리콜) 모노메틸 에테르, 2-(2-부톡시에톡시)에탄올, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올(THFA), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 조성물이 유기산, 유기산 염, 페놀, 트리아졸, 하이드록실아민 유도체, 프락토스, 암모늄 설파이트, 2-아미노피리미딘, 암모늄 티오설페이트, 글라이신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 디메틸아세토아세트아미드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 0.5% 내지 15%의 부식 억제제를 추가로 포함하는 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 조성물이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 0.5% 내지 10%의 4차 암모늄 화합물을 추가로 포함하는 방법.
  17. 반도체 기판으로부터 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물, 또는 오염물질을 제거하는 방법으로써,
    상기 포토레지스트, 에칭 및/또는 회 잔여물 또는 오염물질을 실질적으로 제거하기에 충분한 시간 동안,
    a. 0.5% 내지 10%의 2-아미노벤젠설폰산 또는 이의 상응하는 염,
    b. 30% 내지 90%의 물에 혼화할 수 있는 유기 용매, 및
    c. 5% 내지 70%의 물을 포함하며,
    6 내지 11의 pH를 갖는 조성물을 반도체 기판과 접촉하는 것을 포함하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 물에 혼화할 수 있는 유기 용매가 글리콜 에테르, 퍼푸릴 알코올, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방법.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 조성물이 유기산, 유기산 염, 페놀, 트리아졸, 하이드록실아민 유도체, 프락토스, 암모늄 설파이트, 2-아미노피리미딘, 암모늄 티오설페이트, 글라이신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 디메틸아세토아세트아미드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 0.5% 내지 15%의 부식 억제제를 추가로 포함하는 방법.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 조성물이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록 시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 0.5% 내지 10%의 4차 암모늄 화합물을 추가로 포함하는 방법.
KR1020090021553A 2008-03-13 2009-03-13 아미노벤젠설폰산을 함유한 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물 KR101101066B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/047,655 2008-03-13
US12/047,655 US7687447B2 (en) 2008-03-13 2008-03-13 Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090098734A true KR20090098734A (ko) 2009-09-17
KR101101066B1 KR101101066B1 (ko) 2011-12-30

Family

ID=41063708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090021553A KR101101066B1 (ko) 2008-03-13 2009-03-13 아미노벤젠설폰산을 함유한 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7687447B2 (ko)
JP (1) JP4787342B2 (ko)
KR (1) KR101101066B1 (ko)
CN (1) CN101531950B (ko)
TW (1) TWI405848B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160034600A (ko) * 2014-09-22 2016-03-30 동우 화인켐 주식회사 금속막용 세정제 조성물

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
US7858572B2 (en) * 2005-12-26 2010-12-28 Liquid Technology Co., Ltd. Composition for removing polymer residue of photosensitive etching-resistant layer
US20100056410A1 (en) * 2006-09-25 2010-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
US8444768B2 (en) * 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8309502B2 (en) * 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
DE102011088885A1 (de) * 2011-12-16 2013-06-20 Wacker Chemie Ag Siliconlöser
US9536730B2 (en) * 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
WO2014205285A1 (en) * 2013-06-20 2014-12-24 Dow Corning Corporation Method of removing silicone resin from a substrate
CN103336412B (zh) * 2013-07-03 2017-02-08 北京科华微电子材料有限公司 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
US8962490B1 (en) 2013-10-08 2015-02-24 United Microelectronics Corp. Method for fabricating semiconductor device
TWI775722B (zh) * 2014-12-22 2022-09-01 德商巴斯夫歐洲公司 化學機械拋光（ｃｍｐ）組成物用於拋光含鈷及/或鈷合金之基材的用途
CN105573071A (zh) * 2015-05-26 2016-05-11 叶旖婷 一种既高效且能保持铜面光亮又环保的褪膜液及其浓缩液
JP6249260B1 (ja) * 2016-11-22 2017-12-20 ナガセケムテックス株式会社 レジスト剥離液及びレジストの剥離方法
TWI672360B (zh) * 2018-01-04 2019-09-21 才將科技股份有限公司 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物
KR20220061628A (ko) * 2020-11-06 2022-05-13 주식회사 케이씨텍 연마 입자 용해용 조성물 및 이를 이용한 세정 방법
TWI749964B (zh) * 2020-12-24 2021-12-11 達興材料股份有限公司 鹼性清洗組合物、清洗方法和半導體製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3653931A (en) 1970-12-30 1972-04-04 Miles Lab Anti-tarnish composition for metal surfaces and process for its use
US4165295A (en) 1976-10-04 1979-08-21 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
US4242218A (en) 1976-11-08 1980-12-30 Allied Chemical Corporation Phenol-free photoresist stripper
US4215005A (en) 1978-01-30 1980-07-29 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
US4321166A (en) 1978-12-26 1982-03-23 The Procter & Gamble Company Liquid detergent compositions containing corrosion inhibiting system
US4199483A (en) 1979-03-05 1980-04-22 The Procter & Gamble Company Detergent compositions containing salicylate corrosion inhibitor
US5245001A (en) * 1987-09-25 1993-09-14 Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. Aminoarylsulfonic acid-phenol-formaldehyde condensate and concrete admixture comprising the same
US5534177A (en) 1992-02-14 1996-07-09 Mayhan; Kenneth G. Compositions useful for removing products of metal corrosion
TW401604B (en) * 1995-09-11 2000-08-11 Mitsubishi Chemcal Coproration Surface treatment composition
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP3264878B2 (ja) 1997-12-26 2002-03-11 花王株式会社 液体洗浄剤組成物
DE19911536A1 (de) * 1999-03-16 2000-09-21 Clariant Gmbh Rote Säurefarbstoffe für den Tintenstrahldruck und Papiereinfärbung
US6447717B1 (en) * 1999-06-04 2002-09-10 Donlar Corporation Composition and method for inhibition of metal corrosion
US6943142B2 (en) * 2002-01-09 2005-09-13 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous stripping and cleaning composition
US7247566B2 (en) * 2003-10-23 2007-07-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
US7700533B2 (en) 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160034600A (ko) * 2014-09-22 2016-03-30 동우 화인켐 주식회사 금속막용 세정제 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009224782A (ja) 2009-10-01
CN101531950A (zh) 2009-09-16
CN101531950B (zh) 2013-05-29
TWI405848B (zh) 2013-08-21
KR101101066B1 (ko) 2011-12-30
US20090233827A1 (en) 2009-09-17
JP4787342B2 (ja) 2011-10-05
US7687447B2 (en) 2010-03-30
TW200938624A (en) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101101066B1 (ko) 아미노벤젠설폰산을 함유한 반친수성 스트리핑 및 세척 조성물
KR100700998B1 (ko) 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법
US8772214B2 (en) Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
KR100786606B1 (ko) 기판으로부터 포토레지스트 및/또는 에칭 잔류물을제거하기 위한 조성물 및 이의 용도
US7700533B2 (en) Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
US8030263B2 (en) Composition for stripping and cleaning and use thereof
KR100786610B1 (ko) 플루오라이드를 포함하는 수계 잔류물 제거제
TWI424286B (zh) 金屬基材的半水性剝除及清潔配方及其使用方法
US11091727B2 (en) Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same
US7682458B2 (en) Aqueous based residue removers comprising fluoride
KR20220024521A (ko) 반도체 기판용 세정 조성물
CN114127230A (zh) 用于去除蚀刻残留物的组合物、其使用方法及用途
KR20220075230A (ko) 에칭 잔류물을 제거하기 위한 조성물, 사용 방법 및 이의 용도
KR102321217B1 (ko) 에칭 후 잔여물 세정 조성물 및 이의 사용 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141128

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161125

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191127

Year of fee payment: 9