KR20090090725A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 기판에 대한 공정공간을 제공하는 챔버;상기 공정공간을 향하여 제1 소스가스를 공급하는 제1 공급부재;상기 공정공간에 전계를 형성하여 상기 제1 소스가스로부터 라디칼을 생성하는 플라즈마 소스; 및상기 제1 공급부재의 하부에 위치하며, 상기 기판을 향하여 제2 소스가스를 공급하는 제2 공급부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 장치는 상기 챔버 내에 설치된 지지부재를 더 포함하며,상기 제2 공급부재는 상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판의 중심에 대응되도록 하단이 배치되어 상기 기판의 중심을 향하여 상기 제2 소스가스를 공급하는 공급노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 챔버는,상부가 개방된 하부챔버; 및상기 하부챔버의 상부를 개폐하는 상부챔버를 포함하며,상기 제1 공급부재는 상기 공정공간과 대향되는 상기 상부챔버의 천정벽에 설치되어 상기 공정공간을 향하여 하방으로 상기 제1 소스가스를 공급하는 분사판을 포함하며,상기 분사판과 상기 천정벽 사이에는 버퍼공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 챔버는,상부가 개방된 하부챔버; 및상기 하부챔버의 상부를 개폐하는 상부챔버를 포함하며,상기 플라즈마 소스는 상기 상부챔버의 측부를 감싸는 제1 세그먼트 및 제2 세그먼트를 포함하며,상기 제1 및 제2 세그먼트는 상기 상부챔버의 일단으로부터 타단에 이르기까지 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제4항에 있어서,상기 장치는,상기 제1 세그먼트에 연결되어 상기 제1 세그먼트에 제1 전류를 공급하는 제1 전원; 및상기 제2 세그먼트에 연결되어 상기 제2 세그먼트에 제2 전류를 공급하는 제2 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 장치는 상기 제2 공급부재의 하부에 위치하는 확산판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 장치는 상기 챔버 내에 설치된 지지부재를 더 포함하며,상기 제2 공급부재는 상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판과 대체로 나란하게 배치되는 분사판을 포함하며,상기 공정공간은 상기 분사판의 상부에 배치되며 상기 제1 소스가스가 공급되는 제1 공정공간 및 상기 분사판의 하부에 배치되며 상기 제2 소스가스가 공급되는 제2 공정공간으로 구획되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제7항에 있어서,상기 장치는 상기 분사판에 연결되어 상기 분사판에 상기 제2 소스가스를 공급하는 제2 공급라인을 더 포함하며,상기 분사판은,상기 제1 및 제2 공정공간을 연통하며, 상기 제1 공정공간에 공급된 상기 제1 소스가스를 상기 제2 공정공간으로 분사하는 제1 분사홀; 및상기 제2 공급라인에 연결되어 상기 제2 소스가스를 상기 제2 공정공간으로 분사하는 제2 분사홀을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 플라즈마 소스는 상기 제1 공정공간을 감싸는 상부 플라즈마 소스 및 상기 제2 공정공간을 감싸는 하부 플라즈마 소스를 포함하며,상기 장치는,상기 상부 플라즈마 소스에 연결되어 상기 상부 플라즈마 소스에 제1 전류를 공급하는 제1 전원; 및상기 하부 플라즈마 소스에 연결되어 상기 하부 플라즈마 소스에 제2 전류를 공급하는 제2 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 장치는 상기 챔버 내에 설치된 지지부재를 더 포함하고,상기 제1 공급부재는 상기 공정공간과 대향되는 상기 챔버의 천정벽에 상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판과 대체로 나란하게 배치되는 확산판을 포함하며,상기 확산판과 상기 천정벽 사이에는 상기 제1 소스가스가 공급되는 버퍼공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항 또는 제10항에 있어서,상기 장치는 상기 챔버 내에 설치된 지지부재를 더 포함하며,상기 제2 공급부재는,상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판과 대체로 나란하도록 배치되는 제1 분사판;상기 제1 분사판의 하부에 상기 제1 분사판으로부터 이격되도록 배치되는 제2 분사판; 및상기 제1 분사판의 상부 및 상기 제2 분사판의 하부를 연결하는 연결라인을 포함하며,상기 공정공간은,상기 제1 분사판의 상부에 배치되며 상기 제1 소스가스가 공급되는 제1 공정공간; 및상기 제2 분사판의 하부에 배치되며 상기 제2 소스가스가 공급되는 제2 공정공간으로 구획되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제11항에 있어서,상기 제2 공급부재는 상기 제1 및 제2 분사판의 사이에 배치되고 상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판의 중심에 대응되도록 하단이 배치되어 하부를 향하여 상기 제2 소스가스를 공급하는 공급노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제11항에 있어서,상기 플라즈마 소스는 상기 제1 공정공간을 감싸는 상부 플라즈마 소스 및 상기 제2 공정공간을 감싸는 하부 플라즈마 소스를 포함하며,상기 장치는,상기 상부 플라즈마 소스에 연결되어 상기 상부 플라즈마 소스에 제1 전류를 공급하는 제1 전원; 및상기 하부 플라즈마 소스에 연결되어 상기 하부 플라즈마 소스에 제2 전류를 공급하는 제2 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 챔버 내에 제공된 공정공간을 향하여 제1 소스가스를 공급하는 단계;상기 공정공간에 전계를 형성하여 상기 제1 소스가스로부터 라디칼을 생성하는 단계; 및상기 공정공간 내에 놓여진 기판을 향하여 제2 소스가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
- 제14항에 있어서,상기 제2 소스가스를 공급하는 단계는 상기 기판의 중심에 대응되도록 하단이 배치된 공급노즐을 이용하여 상기 기판의 중심을 향하여 상기 제2 소스가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제14항에 있어서,상기 방법은 확산판을 이용하여 상기 라디칼 및 상기 제2 소스가스를 상기 기판을 향하여 확산시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제14항에 있어서,상기 제2 소스가스는 상기 기판과 나란하게 배치된 분사판에 형성된 제2 분사홀을 통해 상기 분사판의 일측에 위치하는 제2 공정공간으로 공급되며,상기 제1 소스가스는 상기 분사판의 타측에 위치하는 제1 공정공간에 공급된 후 상기 분사판에 형성된 제1 분사홀을 통해 상기 제2 공정공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제14항에 있어서,상기 제2 소스가스는 상기 기판과 나란하게 배치된 제2 분사판에 형성된 제2 분사홀을 통해 상기 제2 분사판의 하부에 위치하는 제2 공정공간으로 공급되며,상기 제1 소스가스는 상기 제2 분사판의 상부에 배치된 제1 분사판의 상부에 위치하는 제1 공정공간에 공급된 후 상기 제1 및 제2 공정공간을 연결하는 연결라인을 통해 상기 제2 공정공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 공정공간에 전계를 형성하는 단계는 상기 제1 및 제2 공정공간에 각각 전계를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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