KR20090083197A - 컬러필터기판의 제조 방법 - Google Patents
컬러필터기판의 제조 방법Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 96
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 51
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00634—Production of filters
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
컬러필터기판의 제조방법에 따르면, 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 글라스 홈을 형성하고 홈에 잉크젯 RGB를 형성함으로써, 컬러필터기판의 전면에서 편평한 구조를 갖는 컬러필터층을 형성할 수 있다. 또한, 유기 BM도 잉크젯 방식으로 프린팅되어 컬러필터기판에 제공되어 컬러필터기판은 전면이 편평한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 기판의 전면이 불균일함으로써 발생되는 여러가지 화면불량을 감소시킬 수 있고, 명암비(contrast ratio)를 향상시킬 수 있으며, 유기 BM의 사진식각공정을 배제할 수 있어 원가 절감 및 공정 단순화를 극대화시킬 수 있다.
Description
본 발명은 컬러필터기판의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 장치에 채용되는 컬러필터기판의 제조 방법에 관한 것이다.
TFT-LCD 공정에서 사용되는 패널 제조 공법 중, 컬러필터기판의 제조 공정에서는 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 화소로 이루어진 컬러필터층을 형성하는 공정이 가장 큰 부분을 차지한다. 일반적으로, 컬러필터층은 특정 색안료가 함유된 포토레지스트를 도포 및 노광, 현상한 후 포스트베이크(Post Bake)를 수행하여 특정 색의 칼라필터를 형성한 후, 그 공정을 반복하여 각기 다른 색의 칼라필터를 순차적으로 형성하는 안료 분산법을 통해 형성된다.
그러나, 안료 분산법은 적색, 녹색, 청색 각각의 포토레지스트에 대해 도포, 노광, 현상, 포스트베이크를 진행해야 하기 때문에 그 제조공정이 복잡하다. 또한, 각각의 포토레지스트를 스핀 코팅법으로 도포한 후 현상공정에서 대부분을 제거해내는 방법이므로 재료의 손실이 크기 때문에 칼라필터기판의 제조 단가가 상승한다.
이를 해결하기 위해 종래에는 유기 물질을 이용하여 두께가 상대적으로 두꺼운 블랙매트릭스를 형성하고, 그 블랙매트릭스를 격벽으로 하여 안료와 용매를 포함하는 칼라 잉크액을 노즐을 통해 분사하여 프린트한 후, 용매를 제거함으로써 칼라필터층을 형성하는 잉크젯 프린링 방식을 이용하였다.
이와 같은 잉크젯 프린팅 방식은 안료 분산법에 비하여 재료의 사용량이 적어 칼라필터기판의 제조단가를 낮출 수 있으며 제조 공정 또한 단순화시킬 수 있다.
그러나, 잉크젯 프린팅 방식의 경우 컬러 잉크의 오버플로우(OVERFLOW)를 방지하기 위하여 격벽의 존재가 필수적일 뿐만 아니라, 컬러필터층의 색재현성 증가 및 픽셀 간 커플링을 최소화를 위하여 보다 높은 격벽이 요구되고 있다. 따라서, 통상 유기 BM이 3um 수준의 두께로 형성된다. 그러나, 유기 BM의 증가된 두께로 인하여 노광량 및 프리 베이크(PRE-BAKE) 공정이 증가하여 현상적으로 BM 잔사, 주름 및 패턴 안정성에 상당한 애로가 존재한다.
따라서, 본 발명의 목적은 표시품질을 개선하면서 원가 절감 및 공정 단순화를 극대화시키기 위한 컬러필터기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 바와 같은 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 컬러필터기판 제조방법은, 투명 기판을 마련하는 단계, 상기 투명 기판의 표면을 식각하여 소정의 깊이로 함몰된 다수의 홈을 형성하는 단계, 상기 다수의 홈 각각에 컬러필터 물질을 잉크젯 방식으로 프린팅하여 컬러필터층을 형성하는 단계, 및 상기 컬러필터층이 형성된 상기 투명 기판의 상부에 투명전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 컬러필터기판의 제조방법은 투명 기판을 마련하는 단계, 상기 투명 기판의 표면 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 투명 기판의 표면을 식각하여 상기 투명 기판에 소정의 깊이로 함몰된 다수의 홈을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 투명 기판의 접촉 면적이 동일하도록 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하는 단계, 상기 다수의 홈 각각에 컬러필터 물질을 상기 포토레지스트 패턴의 하단부와 오버랩되도록 잉크젯 방식으로 프린팅하여 컬러필터층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 영역에 유기 물질로 이루어진 블랙매트릭스(BM)를 형성하는 단계, 및 상기 컬러필터층과 상기 유기 BM 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상술한 컬러필터기판의 제조 방법에 따르면, 글라스 기판에 다수의 홈(trench)이 형성되고, 잉크젯 프린팅 공정을 통해서 다수의 홈에 적색, 녹색 및 청색 화소를 형성함으로써, 유기BM의 두께를 감소시킬 수 있고, 컬러필터기판의 표면을 플랫한 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 상기한 컬러필터기판을 채용하여 표시장치의 표시품질을 개선할 수 있으며, 특히 명암비(contrast ratio)를 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.
또한, 유기 BM도 잉크젯 프린팅 방식을 통해서 형성 가능하므로, 컬러필터기판의 제조 원가 절감 및 제조 공정의 단순화를 극대화시킬 수 있다.
도 1은 식각액 농도 및 식각 시간에 따른 글라스의 식각 깊이를 나타낸 그래프이다.
도 2a 및 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터기판의 제조방법을 나타낸 공정도들이다.
도 3은 드롭 공정과 베이크 공정을 반복하여 잉크젯 프린팅 공정의 실행 방법을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 컬러필터기판의 제조방법을 나타낸 공정도들이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 컬러필터기판의 제조방법을 나타낸 공정도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 글라스 기판 10a : 다수의 홈
11 : 포토레지스트 패턴 12 : 유기 BM 패턴
20 : 컬러필터층 50, 70 : 공통전극
60 : 유기 BM
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 글라스 홈(trench)을 이용한 잉크젯 대응 컬러필터기판 제작방법의 실시예들을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
도 1은 식각액 농도 및 식각 시간에 따른 글라스의 식각 깊이를 나타낸 그래프이다. 여기서, 식각액으로는 HF가 사용되고, HF 농도는 중량 퍼센트(%)로 초순수에 HF가 희석된 비율을 나타낸다.
도 1에서, 제1 그래프(G1)는 HF가 50:1의 비율로 희석된 경우 시간에 따른 식각 깊이를 나타내고, 제2 그래프(G2)는 HF가 10:1의 비율로 희석된 경우 시간에 따른 식각 깊이를 나타내며, 제3 그래프(G3)는 HF가 5:1의 비율로 희석된 경우 시간에 따른 식각 깊이를 나타낸다.
도 1에 도시된 바와 같이, 전 희석범위에서 식각 시간이 증가할수록 글라스의 식각 깊이가 점차적으로 증가하는 선형적인 특성을 나타내고 있다. 따라서, 이러한 선형적 특성은 글라스에 홈(trench)을 형성하는데 유리하다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 글라스에 홈을 형성하는 기술을 적용한다.
도 2a 및 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터기판의 제조방법을 나타낸 공정도들이다.
도 2a를 참조하면, 글라스 기판(10) 상에는 글라스 기판(10)의 표면을 부분적으로 노출시키는 포토레지스트 패턴(11)이 형성된다. 여기서, 상기한 포토레지스트 패턴(11)은 포지티브 타입 포토레지스트로 이루어진다.
이후, 도 2b를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(11)을 마스크로 하여 글라스 기판(10)을 식각하여 글라스 기판(10)의 표면으로부터 소정의 깊이로 함몰된 다수의 홈(10a)을 형성한다. 상기한 식각 공정에는 HF 또는 HF 혼합물 중 어느 하나로 이루어진 식각액이 사용된다. 상기한 식각액에 상기 글라스 기판(10)이 디핑되어진 상태에서 초음파 및 버블 중 어느 하나를 인가하여 식각 공정을 수행할 수 있다.
상기 HF 또는 HF 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 식각액의 농도와 시간에 따라서 글라스 기판(10)의 식각량이 조절된다. 따라서, 본 발명의 일 예로, 식각액의 농도와 시간을 조절함으로써, 글라스 기판(10)에 형성되는 다수의 홈(trench)의 깊이를 0.5mm에서 5mm로 조절한다. 통상 잉크의 overflow를 방지하는 격벽으로 사용되는 유기 블랙 매트릭스(BM)의 경우 대략 3mm 수준의 높이가 요구된다. 따라서, 다수의 홈(10a)의 깊이를 상기한 유기 BM에 대응하는 수준으로 형성함으로써, 글라스 기판(10)에 유기 BM에 대응하는 높이의 격벽이 일체로 형성될 수 있다.
글라스 기판(10)에 다수의 홈(10a)을 만드는 식각 공정에서 언더컷이 발생할 수 있다. 즉, 언더컷은 상기 포토레지스트 패턴(11)의 하부 가장자리보다 글라스 기판(10)이 더 식각되는 것이다.
도 2c를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(11)을 마스크로 하여 글라스 기판(10)에 형성된 다수의 홈(10a)에 잉크젯 프린팅 방법으로 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 화소(R, G, B)로 이루어진 컬러필터층(20)을 형성한다. 이때, 언더컷이 발생한 영역도 잉크젯 프린팅 공정을 통해서 색화소들로 채워진다.
또한, 다수의 홈(10a)에 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)를 다수의 홈(10a)의 깊이와 동일한 두께로 형성함으로써, 컬러필터기판의 표면이 전체적으로 평평한 구조로 형성될 수 있다.
한편, 상기한 잉크젯 프린팅 공정에서 드롭(DROP)된 잉크는 베이크(BAKE) 이전 습한(WET) 상태에서 어느 정도의 레벨링(LEVELING) 형상을 가지나, 베이크(주로 CONVECTION OVEN BAKE 또는 HOT-PLATE 방식) 진행 상태에서, 격벽 주위의 온도차이로 인하여 돔(DOME) 형상으로 변화된다. 이러한 돔 형상은 디스플레이 특성을 저하시킬 수 있다. 따라서, 드롭된 잉크를 이용하는 잉크젯 프린팅 공정에서 드롭 방울 수 및 베이크 방식을 조절하여 잉크의 프로파일을 조절할 수 있다.
따라서, 도 3에서 보는 바와 같이 일정 영역 내에서 드롭 공정 과 베이크 공정을 반복하여 잉크젯 프린팅 공정을 수행함으로써, 잉크의 평탄화를 구현할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 베이크 공정은 오븐 방식이 아닌 열 분사(THERMAL JETTING) 방식으로 이루어질 수 있다.
도 3과 같이 잉크젯 프린팅 공정에서 드롭 공정과 베이크 공정을 반복 적용 함으로써, 잉크의 평탄화를 구현할 수 있다. 뿐만 아니라, 별도의 베이크 설비를 사용하지 않고, 잉크젯 유닛(41)의 후반부에 베이킹 유닛(42)을 설치하여 상기한 잉크젯 프린팅 공정을 수행하면, 공정 시간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라 설비 추가로 인한 비용을 절감할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 잉크젯 프린팅 공정이 완료된 후 포토레지스트 패턴(11)은 리프트-오프(LIFT-OFF) 방식을 이용하여 글라스 기판(10)의 표면으로부터 제거된다.
이후, 도 2e에 도시된 바와 같이, 다른 기판(미도시) 상의 화소전극과 마주하여 전계를 형성하는 공통전극(50)이 글라스 기판(10)의 표면 및 컬러필터층(20) 상에 형성된다. 본 발명의 일 예로, 공통전극(50)은 투명한 도전성 물질인 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드로 이루어진다. 또한, 다른 실시예에서 공통전극이 패터닝되어 피브이에이(PVA) 모드 액정표시장치에 적용될 수 있다. 도면에 도시하지는 않았지만, 공통전극(50) 상에는 상기 공통전극(50)을 보호하기 위한 오버코트층이 더 형성될 수 있다.
도 2a 내지 도 2e에서 제시된 컬러필터기판에는 블랙 매트릭스가 제공되지 않으므로, 상기한 컬러필터기판은 블랙매트릭스 리스(BM less) 구조 또는 다른 기판에 블랙 매트릭스가 제공된 구조에 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 컬러필터기판은 전면이 편평한 구조를 가질 수 있음으로써 표시 특성을 개선할 수 있고, 특히 명암비(contrast ratio)에 특히 유리한 장점을 갖는다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 컬러필터기판의 제조방법을 나타낸 공정도들이다.
도 4a부터 도 4b까지의 공정은 앞서 설명한 도 2a 및 도 2b의 내용과 동일하다. 도 4a 및 도 4b에서 개시된 공정을 통하여 글라스 기판(10)의 표면에는 다수의 홈이 형성된다.
도 4c를 참조하면, 플라즈마 애싱(ashing) 공정을 도입하여 도 4b의 공정을 통하여 형성된 언더컷(즉, 상기 포토레지스트 패턴(11)의 하부 가장자리보다 글라스 기판(10)이 더 식각되어 발생함) 영역의 상기 포토레지스트 패턴(11)을 제거한다. 플라즈마 애싱(ashing) 공정에 적용되는 애싱 가스로는 산소(O2)만을 사용할 수도 있으며, 산소(O2)를 주(main) 가스로 하여 기능성 첨가 가스, 예를 들어, 불화황가스(SF6), 염소가스(Cl2), 아르곤가스(Ar), 질소가스(N2), 헬륨가스(He) 중의 하나를 동시에 첨가한 혼합가스를 사용할 수 도 있다.
이후 도 4d에서는, 도 2c에서 설명한 내용과 동일하게 잉크젯 프린팅 방법으로 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)를 형성하여 컬러필터층(20)을 완성한다. 여기서, 잉크젯 프린팅 방법으로 형성된 컬러필터층(20)은 글라스 기판(10)에 제공된 다수의 홈(10a)의 깊이와 이후 형성될 유기 BM(60)의 두께의 합과 동일한 두께를 갖는다. 따라서, 컬러필터층(20)의 표면은 상기 글라스 기판(10)의 표면보다 더 높이 위치하게 된다.
다음 도 4e와 같이 포토레지스트 패턴(11)의 스트립(strip) 공정을 수행하면, 유기 BM이 채워질 수 있는 공간이 상기 글라스 기판(10) 상에 제공된다.
도 4f를 참조하면, 글라스 기판(10)에 제공된 공간에 상기 유기 BM(60)을 형성한다. 여기서, 상기 유기 BM(60)은 잉크젯 프린팅 방식으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 유기 BM(60)은 1mm 이하의 두께를 갖는다. 즉, 적색, 녹색, 청색 화소들(R, G, B) 사이에는 다수의 홈(10a)에 의해서 글라스 기판(10)에 일체로 형성된 격벽이 제공되므로, 유기 BM(60)의 두께를 종래보다 낮은 높이로 형성될 수 있다.
이후, 도 4g에 도시된 바와 같이, 컬러필터층(20)과 유기 BM(60) 상에는 공통전극(70)이 형성된다.
상술한 바와 같이, 글라스 기판(10) 상에 유기 BM(60)을 제공하기 위하여 컬러필터층(20)의 두께를 유기 BM(60)의 두께를 고려하여 증가시킴으로써, 컬러필터기판은 전표면에 걸쳐서 플랫한 구조를 갖는다. 따라서, 표시품질을 향상시킬 수 있으며, 원가 절감 및 공정 단순화를 극대화시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 컬러필터기판의 제조방법을 나타낸 공정도들이다.
도 5a를 참조하면, 글라스 기판(10) 상에는 유기 BM 패턴(12)이 형성된다. 이후, 유기 BM 패턴(12)을 마스크로 하여 글라스 기판(10)을 식각한다. 그러면 도 5b와 같이 글라스 기판(10)에는 표면으로부터 소정의 깊이로 함몰된 다수의 홈(10a)이 형성된다. 글라스 기판(10)을 식각하는 공정은 도 2a 및 도 2b에서 제시된 식각 공정과 동일하다.
도 5c를 참조하면, 도 2c에 도시된 공정과 동일하게 다수의 홈(10a)에는 잉크젯 프린팅 공정을 통해서 적색, 녹색 및 청색 화소들(R, G, B)이 형성된다. 이로써, 글라스 기판(10)에는 컬러필터층(20)이 완성된다. 이후, 도 5d를 참조하면, 컬러필터층(20)과 유기 BM 패턴(12) 상에는 공통전극(50)이 형성된다.
또한, 상기 유기 BM 패턴(12)은 1mm 이하의 두께를 갖는다. 즉, 적색, 녹색, 청색 화소들(R, G, B) 사이에는 다수의 홈(10a)에 의해서 글라스 기판(10)에 일체로 형성된 격벽이 제공되므로, 유기 BM 패턴(12)의 두께를 종래보다 낮은 높이로 형성될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (19)
- 투명 기판을 마련하는 단계;상기 투명 기판의 표면을 식각하여 소정의 깊이로 함몰된 다수의 홈을 형성하는 단계;상기 다수의 홈 각각에 컬러필터 물질을 잉크젯 방식으로 프린팅하여 컬러필터층을 형성하는 단계; 및상기 컬러필터층이 형성된 상기 투명 기판의 상부에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명 기판에 상기 다수의 홈을 형성하는 단계는,상기 투명 기판의 표면 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 투명 기판을 식각하여 상기 다수의 홈을 형성하는 단계; 및상기 투명 기판 상에서 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 컬러필터층은 상기 다수의 홈의 깊이와 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 홈들 각각은 상기 투명 기판의 표면으로부터 0.5mm 내지 5mm의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명 기판을 식각하는 단계에서는 HF 및 HF 혼합물 중 어느 하나로 이루어진 식각액을 사용하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 잉크젯 방식으로 프린팅하는 단계에서는 일정 영역에 상기 컬러필터층을 형성하기 위하여 상기 일정 영역 내에서 드롭(DROP) 공정과 베이크(BAKE) 공정을 반복 진행하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 베이크 공정은 열 분사 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명 기판에 상기 다수의 홈을 형성하는 단계는,상기 투명 기판의 표면의 소정 영역에 유기 물질로 이루어진 블랙 매트릭스(BM) 패턴을 형성하는 단계; 및상기 유기 BM 패턴을 마스크로 하여 상기 투명 기판을 식각하여 상기 다수의 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 투명 전극은 상기 컬러필터층 및 상기 유기 BM 패턴상에 형성되는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 유기 BM은 1㎛이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 투명 기판을 마련하는 단계;상기 투명 기판의 표면 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 투명 기판의 표면을 식각하여 상기 투명 기판에 소정의 깊이로 함몰된 다수의 홈을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴과 상기 투명 기판의 접촉 면적이 동일하도록 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하는 단계;상기 다수의 홈 각각에 컬러필터 물질을 상기 포토레지스트 패턴의 하단부와 오버랩되도록 잉크젯 방식으로 프린팅하여 컬러필터층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 포토레지스트 패턴이 제거된 영역에 유기 물질로 이루어진 블랙매트릭스(BM)를 형성하는 단계; 및상기 컬러필터층과 상기 유기 BM 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징을 포함하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 컬러필터 물질을 상기 잉크젯 방식으로 프린팅하는 단계에서는 일정 영역에 상기 컬러필터층을 형성하기 위하여 상기 일정 영역 내에서 드롭(DROP) 공정과 베이크(BAKE) 공정을 반복 진행하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 베이크 공정은 열 분사 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 컬러필터층은 상기 홈들 각각의 깊이보다 큰 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 컬러필터층은 유기BM의 두께와 상기 홈들 각각의 깊이를 합한 값과 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하는 단계에서는 상기 포토레지스트 패턴을 플라즈마에 노출시키는 플라지마 애싱 공정을 통해서 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 유기BM은 잉크젯 프린팅 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 홈들은 상기 투명 기판의 표면으로부터 0.5㎛ 내지 5㎛의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 투명 기판을 식각하는 단계에서는 HF 및 HF 혼합물중 어느 하나로 이루어진 식각액을 사용하는 것을 특징으로 하는 컬러필터기판의 제조 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080009210A KR20090083197A (ko) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 컬러필터기판의 제조 방법 |
US12/357,789 US8841144B2 (en) | 2008-01-29 | 2009-01-22 | Method of manufacturing color filter substrate wherein a transparent substrate is etched to form a plurality of trenches to receive color filter material |
US14/340,195 US9595548B2 (en) | 2008-01-29 | 2014-07-24 | Method of manufacturing thin film transistor substrate having etched trenches with color filter material disposed therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080009210A KR20090083197A (ko) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 컬러필터기판의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090083197A true KR20090083197A (ko) | 2009-08-03 |
Family
ID=40899648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080009210A KR20090083197A (ko) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 컬러필터기판의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8841144B2 (ko) |
KR (1) | KR20090083197A (ko) |
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US9595548B2 (en) | 2017-03-14 |
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