KR20090081543A - Fabrication method of flat panel display device, etching solution composition used the method - Google Patents

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Abstract

A method for manufacturing a flat panel display and an etching solution composition used for the method are provided to etch an indium oxide film at once without the etching residue to form a pixel electrode. A molybdenum/aluminum double film is formed on a substrate and is etched by an etching solution composition. A gate electrode is formed on the substrate. The molybdenum/aluminum double film is formed on a semiconductor layer. A source electrode and a drain electrode are formed on the semiconductor layer. An indium oxide film is formed and is etched by the etching solution composition. A pixel electrode connected to the drain electrode is formed.

Description

평판표시장치의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는 식각액 조성물{Fabrication method of flat panel display device, etching solution composition used the method}A manufacturing method of a flat panel display device, and an etching solution composition used in the method {Fabrication method of flat panel display device, etching solution composition used the method}

본 발명은 박막트랜지스터를 포함하는 평판표시장치의 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 화소 전극으로 사용되는 금속 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물과 이를 사용하는 평판표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etching liquid composition of a metal single layer or a multilayer film used as a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, or a pixel electrode of a flat panel display device including a thin film transistor, and a method of manufacturing the flat panel display device using the same.

평판표시장치 및 반도체 장치의 제조에서, 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정, 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액을 이용하는 습식식각이 사용된다. In the manufacture of flat panel displays and semiconductor devices, the process of forming metal wires on a substrate is typically a metal film forming process by sputtering or the like, a photoresist forming process in a selective region by photoresist coating, exposure and development, and etching. It consists of the steps by a process, and includes the washing process before and behind an individual unit process, etc. The etching process refers to a process of leaving a metal film in a selective region using a photoresist as a mask, and typically, dry etching using plasma or wet etching using an etching solution is used.

상기의 평판표시장치 및 반도체 장치에서, TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)등의 평판표시장치의 배선재료로서 일반적으로 사용되는 금속은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로서, 순수한 알루미늄은 화학물질에 대한 내성이 약하고 후속 공정에서 배선 결합 문제를 야기할 수 있으므로 알루미늄 합금 형태로 사용되거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금층 위에 또 다른 금속층, 예컨대 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 주석(Sn) 등의 금속층을 갖는 다층의 적층 구조가 적용될 수 있다.In the above flat panel display and semiconductor device, a metal generally used as a wiring material of a flat panel display such as TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) is aluminum (Al) or aluminum alloy, and pure aluminum is chemical It is used in the form of an aluminum alloy because of its low resistance to materials and can cause wiring bonding problems in subsequent processes, or on top of another aluminum or aluminum alloy layer, such as molybdenum (Mo), chromium (Cr), tungsten (W), A multilayer stack structure having a metal layer such as tin (Sn) can be applied.

그런데, 예컨대 Mo/Al 이중막의 경우에 있어서, 인산을 주성분으로 한 종래의 통상적인 알루미늄 식각액으로 습식 식각하는 경우에는, 상부 Mo층의 식각 속도가 알루미늄 식각 속도보다 느리기 때문에 상부 Mo층이 하부 알루미늄층의 외부로 돌출되는 단면을 갖게 되는 불량한 프로파일을 나타낸다. 이러한 불량한 프로파일로 인해 후속 공정에서 단차 커버리지(coverage)가 불량하게 되고, 상부층이 경사면에서 단선되든가 또는 상하부 금속이 단락될 확률이 커지게 된다.By the way, in the case of the Mo / Al double layer, for example, when wet etching with a conventional aluminum etching solution mainly composed of phosphoric acid, the upper Mo layer is lower than the aluminum etching rate, so the upper Mo layer is the lower aluminum layer. It represents a poor profile that has a cross section protruding out of it. This poor profile results in poor step coverage in subsequent processes and increases the likelihood that the top layer is disconnected from the slope or the upper and lower metals are shorted.

최근 들어 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 한국 등록 특허 제579511호에서는 질산(HNO3), 질산화철(Fe(NO3)3), 과염소산(HClO4) 및 플루오르화암모늄(NH4F)으로 이루어진 식각액을 이용하여 몰리브덴/알루미늄 이중막을 일괄 식각할 수 있는 방법을 제시하였다. 그러나, 상기 식각액으로 몰리브덴/알루미늄 이중막 기판을 식각할 경우에는, 미세한 식각 잔사가 기판 상에 잔류하게 되어, TFT On/Off 구동시 누설 전류(leakage current)를 발생 시키고, 이로 인해 신호 지연으 로 인한 화면 왜곡이 생길 수 있다. 또한, 상기 식각액으로 인듐산화막을 식각하게 되면 인듐산화막 잔사가 남는 단점이 있다.Recently, in order to solve the above problems, Korean Patent No. 579511 consists of nitric acid (HNO 3 ), iron nitrate (Fe (NO 3 ) 3 ), perchloric acid (HClO 4 ), and ammonium fluoride (NH 4 F). A method of collectively etching molybdenum / aluminum bilayer using an etchant has been presented. However, when etching the molybdenum / aluminum double layer substrate with the etchant, fine etching residues remain on the substrate, causing leakage current during TFT On / Off driving, resulting in signal delay. This may cause picture distortion. In addition, when the indium oxide film is etched with the etchant, there is a disadvantage that an indium oxide film residue remains.

당 기술분야에서는 고화질을 구현하기 위해 미세한 식각 잔류물을 발생시기지 않는 식각액을 요구하며, 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 공정 단순화를 위해 한가지 식각액으로 게이트 전극, 소스전극 및 드레인 전극으로 사용되는 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 화소 전극으로 사용되는 인듐산화막을 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물의 개발을 요구하고 있다.In the technical field, an etching solution that does not generate fine etching residues is required in order to realize high image quality, and in the manufacturing method of a flat panel display device, molybdenum is used as a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode as one etching solution to simplify the process. There is a need for the development of an etchant composition capable of collectively etching an indium oxide film used as an aluminum double film and a pixel electrode.

따라서, 본 발명의 목적은 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극의 형성을 위해 몰리브덴/알루미늄 이중막의 식각 시 미세한 식각 잔사의 발생이 없고, 또한 화소 전극의 형성을 위해 인듐산화막을 식각 잔사의 발생 없이 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a flat panel display device, in which a fine etching residue is not generated during etching of a molybdenum / aluminum double layer to form a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and furthermore, a pixel electrode is formed. In order to provide an etching liquid composition capable of collectively etching the indium oxide film without generating an etching residue.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용한 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막의 식각방법을 제공하고자 한다. In addition, the present invention is to provide an etching method of the molybdenum / aluminum double layer and the indium oxide film using the etchant composition.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물의 사용을 포함하는 평판표시장치의 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a method of manufacturing a flat panel display device comprising the use of the etchant composition.

상기 목적의 달성을 위하여, 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

질산화철(Fe(NO3)3), Iron nitrate (Fe (NO 3 ) 3 ),

함불소화합물, Fluorine-containing compounds,

인산(H3PO4) Phosphoric Acid (H 3 PO 4 )

테트라졸계 화합물, Tetrazole-based compounds,

물water

을 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막의 식각액 조성물을 제공한다.It provides an etching solution composition of molybdenum / aluminum double film and indium oxide film comprising a.

보다 상세하게는, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, More specifically, the present invention relates to the total weight of the composition,

질산화철(Fe(NO3)3) 2 내지 5 중량%, Iron nitride (Fe (NO 3 ) 3 ) 2 to 5% by weight,

함불소화합물 0.1 내지 1 중량%, 0.1 to 1% by weight of fluorine-containing compound,

인산(H3PO4) 0.5 내지 5 중량%, Phosphoric acid (H 3 PO 4 ) 0.5 to 5% by weight,

테트라졸계 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및0.1 to 5 wt% of a tetrazole compound, and

물 잔량Water level

를 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막의 식각액 조성물을 제공한다.It provides an etching solution composition of molybdenum / aluminum double film and indium oxide film comprising a.

또한, 본 발명은,In addition, the present invention,

기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 형성하는 단계;Forming a molybdenum / aluminum bilayer on the substrate;

상기 몰리브덴/알루미늄 이중막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및Selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum / aluminum bilayer; And

본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각하는 단계를 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막의 식각방법을 제공한다.Provided is an etching method of molybdenum / aluminum double membrane comprising etching the molybdenum / aluminum double membrane using the etchant composition of the present invention.

또한, 본 발명은,In addition, the present invention,

기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계;Forming an indium oxide film on the substrate;

상기 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및Selectively leaving a photoreactive material on the indium oxide film; And

본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 인듐산화막의 식각방법을 제공한다.It provides an etching method of the indium oxide film comprising the step of etching the indium oxide film using the etchant composition of the present invention.

또한, 본 발명은, In addition, the present invention,

a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;a) forming a gate electrode on the substrate;

b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;

c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;

d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및d) forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; And

e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode

를 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계 및 상기 d) 단계에서는 기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 형성한 후, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 e) 단계에서는 인듐산화막을 형성한 후, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법을 제공한다.In the method of manufacturing a flat panel display device comprising a, in the step a) and the step d), after forming a molybdenum / aluminum double layer on the substrate, by etching with the etchant composition of the present invention, the gate electrode, the source electrode and the drain electrode And forming an indium oxide film in the step e), and then etching the etching solution composition to form a pixel electrode.

본 발명에서 몰리브덴 및 알루미늄은 이들의 합금을 포함하는 개념이며, 인듐산화막은 인듐아연산화막(IZO) 또는 인듐주석산화막(ITO) 등을 포함한다.In the present invention, molybdenum and aluminum are concepts including alloys thereof, and the indium oxide film includes an indium zinc oxide film (IZO) or an indium tin oxide film (ITO).

평판표시장치의 제조방법에 있어서, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 사용되는 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 화소 전극으로 사용되는 인듐산화막의 식각 공정시 본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하는 경우에는 알루미늄/몰리브덴 이중막을 갖는 기판의 경우 미세한 식각 잔사의 발생이 없다. 또한, 많은 양 의 기판 양을 식각하여도 최소화된 갈바닉 효과(galvanic effect)로 인해 초기 식각 특성을 유지한다. 또한, 동일한 식각액으로 인듐산화막을 식각하여도 식각 잔사가 남지 않는 우수한 식각 특성을 나타내어, 구동 특성을 향상시킬 수 있는 우수한 평판표시장치를 제조할 수 있을 뿐 아니라 공정 효율성을 극대화 시킬 수 있다.In the method of manufacturing a flat panel display device, when the etching liquid composition according to the present invention is used in the etching process of the molybdenum / aluminum double film used as the gate electrode, the source electrode and the drain electrode and the indium oxide film used as the pixel electrode, aluminum / molybdenum In the case of a substrate having a double layer, there is no occurrence of fine etching residue. In addition, even after etching a large amount of substrate, the initial etching characteristics are maintained due to the minimized galvanic effect. In addition, even when the indium oxide film is etched with the same etching solution, the etching residue does not remain, and thus, an excellent flat panel display device capable of improving driving characteristics can be manufactured and process efficiency can be maximized.

이하에서는 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 질산화철(Fe(NO3)3) 2 내지 5 중량%, 함불소화합물 0.1 내지 1 중량%, 인산(H3PO4) 0.5 내지 5 중량%, 테트라졸계 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 물 잔량을 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막의 식각액 조성물을 제공한다.The present invention is based on the total weight of the composition, iron nitrate (Fe (NO 3 ) 3 ) 2 to 5% by weight, fluorine-containing compound 0.1 to 1% by weight, phosphoric acid (H 3 PO 4 ) 0.5 to 5% by weight, tetrazole-based compound An etching solution composition of a molybdenum / aluminum double membrane and an indium oxide layer including 0.1 to 5 wt%, and a residual amount of water is provided.

본 발명의 식각액 조성물 중에서, 질산화철(Fe(NO3)3)은 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구성하는 몰리브덴/알루미늄 이중막, 및 화소 전극을 구성하는 인듐산화막을 식각하는 산화제로서 사용된다. In the etchant composition of the present invention, iron nitride (Fe (NO 3 ) 3 ) is used as an oxidant for etching the molybdenum / aluminum double film constituting the gate electrode, the source electrode and the drain electrode, and the indium oxide film constituting the pixel electrode. .

상기 질산화철은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 2 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 식각력이 우수하고, 다중막을 구성하는 알루미늄막과 몰리브덴막에 대해 균일한 식각능력을 구현할 수 있 다.The iron nitrate is preferably included in an amount of 2 to 5% by weight based on the total weight of the etchant composition of the present invention. When included in the above range, it is excellent in etching power, it is possible to implement a uniform etching ability for the aluminum film and molybdenum film constituting the multiple film.

본 발명의 식각액 조성물 중에서, 함불소 화합물은 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각할 시에 알루미늄 식각 속도를 빠르게 하고, 인듐산화막을 식각할 시에는 인듐산화막의 식각 속도를 빠르게 한다.In the etching liquid composition of the present invention, the fluorine-containing compound speeds up the aluminum etching rate when etching the molybdenum / aluminum double film, and when etching the indium oxide film, increases the etching rate of the indium oxide film.

상기 함불소 화합물은 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 1 중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 몰리브덴/알루미늄 이중막을 구성하는 각각의 막에 대해 균일한 식각속도를 구현하여 상부 몰리브덴의 오버행을 방지한다. 또한 인듐산화막 하부에 위치한 절연막의 어택을 방지한다.The fluorine-containing compound is preferably included 0.1 to 1% by weight based on the total weight of the composition. When included in the above-described range, to achieve a uniform etching rate for each film constituting the molybdenum / aluminum double layer to prevent overhang of the upper molybdenum. In addition, it prevents the attack of the insulating film located under the indium oxide film.

상기 함불소 화합물은 NH4FHF, KFHF, NaFHF, KF, 및 NaF 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 이용하는 것이 바람직하고, NH4FHF인 것이 더욱 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The fluorine-containing compound is preferably used one or two or more selected from NH 4 FHF, KFHF, NaFHF, KF, and NaF, more preferably NH 4 FHF, but is not limited thereto.

본 발명의 식각액 조성물 중에서, 인산(H3PO4)은 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각할 시에 이의 식각 속도를 빠르게 한다.In the etchant composition of the present invention, phosphoric acid (H 3 PO 4 ) speeds up the etching rate when etching molybdenum / aluminum double membrane.

상기 인산은 조성물의 총 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량% 포함 되는 것이 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 몰리브덴/알루미늄 이중막에 대해 우수한 식각속도를 구현할 수 있고, 이로 인해 공정시간 조절에 용이하다, 또한, 식각 잔사가 발생하지 않는 이점이 있다.The phosphoric acid is preferably included 0.5 to 5% by weight based on the total weight of the composition. When included in the above range, it is possible to implement an excellent etching rate for the molybdenum / aluminum double layer, it is easy to adjust the process time, there is also an advantage that the etching residue does not occur.

본 발명에 따른 식각액 조성물에서, 상기 테트라졸계 화합물은 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 사용되는 몰리브덴/알루미늄 이중막 기판을 식각함에 있어서 식각 양을 크게 늘리는 작용을 한다. 몰리브덴/이중막을 테이퍼 식각하는 것은 갈바닉 효과(Galvanic effect)를 조절하여 두 금속이 하나의 금속과 같이 식각되게 하는 것인데, 식각 양이 늘어 나게 되면, 식각액에 의한 몰리브덴, 알루미늄이 식각액으로 누적되게 되어 갈바닉 효과(Galvanic effect)를 변화시키는 요인이 된다. 본 발명에 따른 식각액 조성물에서 테트라졸계 화합물은 식각액으로 누적되는 금속에 의한 갈바닉 효과(Galvanic effect)의 변화를 최소화함으로써, 초기 식각할 때의 성능을 유지시켜준다. 또한, 테트라졸계 화합물은 몰리브덴/알루미늄 이중막 기판을 식각 할 시에 몰리브덴을 킬레이팅해 줌으로써 잔막이 남을 가능성을 최소화 시켜준다.In the etchant composition according to the present invention, the tetrazole-based compound serves to greatly increase the amount of etching in etching the molybdenum / aluminum double layer substrate used as the gate electrode, the source electrode and the drain electrode. The taper etching of molybdenum / double layer is to control the galvanic effect so that the two metals are etched like one metal. When the amount of etching increases, the molybdenum and aluminum by the etchant accumulate into the etchant. It is a factor that changes the Galvanic effect. In the etchant composition according to the present invention, the tetrazole-based compound has a galvanic effect due to the metal accumulated in the etchant. By minimizing the change, the initial etching performance is maintained. In addition, tetrazole-based compounds minimize the possibility of residual film remaining by chelating molybdenum when etching molybdenum / aluminum bilayer substrates.

상기 테트라졸계 화합물은 테트라졸 고리를 가진 어느 화합물이건 가능하다, 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole), 1-알킬-5-아미노테트라졸(1-alkyl-5-aminotetrazole), 5-히드록시-테트라졸(5-hydroxy-tetrazole), 1-알킬-5-히드록시-테트라졸(1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole), 테트라졸-5-티올(tetrazole-5-thiol), 및 1-알킬-테트라졸-5-티올(1-alkyl-tetrazole-5-thiol) 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이 바람직하며, 상기 알킬치환 테트라졸의 알킬은 C1 내지 C7의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기가 바람직하며, 특히 5-아미노테트라졸(이하 “ATZ"라고 함)이 더욱 바람직하다.The tetrazole-based compound may be any compound having a tetrazole ring, 5-aminotetrazole, 1-alkyl-5-aminotetrazole, 5-hydroxy 5-hydroxy-tetrazole, 1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole, tetrazol-5-thiol, and 1 One or two or more selected from -alkyl-tetrazole-5-thiol is preferable, and alkyl of the alkyl-substituted tetrazole is a C1 to C7 straight or branched chain. Alkyl groups are preferred, particularly 5-aminotetrazole (hereinafter referred to as “ATZ”).

상기 테트라졸계 화합물은 조성물의 총 중량에 대해 0.1 내지 5 중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 몰리브덴/알루미늄 이중막의 식각 시 갈바닉 효과(Galvanic effect)를 제어할 수 있어 적절한 식각 속도를 구현할 수 있다. 또한, 몰리브덴 잔막 발생을 억제할 수 있다.The tetrazole-based compound is preferably included 0.1 to 5% by weight relative to the total weight of the composition. When included in the above range, it is possible to control the galvanic effect during the etching of the molybdenum / aluminum double layer can implement an appropriate etching rate. In addition, it is possible to suppress the generation of molybdenum residual film.

본 발명에 따른 식각액 조성물 중에서, 상기 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 물 속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항 값이 18 ㏁/㎝ 이상인 탈이온수를 사용할 수 있다.In the etching liquid composition which concerns on this invention, although the said water is not specifically limited, Deionized water is preferable. More preferably, deionized water having a specific resistivity of 18 ㏁ / cm or more, which shows the degree of ions removed from the water, may be used.

상기 질산철, 함불소화합물, 인산, 및 테트라졸계 화합물은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조 가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다. The iron nitrate, fluorine-containing compound, phosphoric acid, and tetrazole-based compound can be produced by a conventionally known method, and preferably have a purity for semiconductor processing.

또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 식각 성능을 향상시키기 위하여 당 업계에서 통상적으로 사용하는 임의의 첨가제, 예를 들어, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제 또는 부식 방지제 등을 더 포함할 수 있다. 계면 활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한다. 이러한 계면 활성제로는 식각액에 견딜 수 있고 상용성이 있는 형태의 계면 활성제가 바람직하다. 그 예로는 임의의 음이온성, 양이온성, 양쪽 이온성 또는 비이온성 계면 활성제 등을 들 수 있다. 또한, 계면 활성제로서 불소계 계면 활성제를 사용할 수 있다. 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수 있다. 첨가제는 조성물의 총 중량에 대해 0.0001 내지 0.01 중량% 포함되는 것이 바람직하다.In addition, the etchant composition according to the present invention may further include any additives commonly used in the art for improving etching performance, for example, a surfactant, a metal ion sequestrant or a corrosion inhibitor. The surfactant serves to lower the surface tension to increase the uniformity of the etching. Such surfactants are preferably surfactants that can withstand etching solutions and are compatible. Examples thereof include any anionic, cationic, zwitterionic or nonionic surfactant. Moreover, a fluorine-type surfactant can be used as surfactant. The additive is not limited to this, but in order to further improve the effects of the present invention, various other additives known in the art may be selected and added. The additive is preferably included from 0.0001 to 0.01% by weight relative to the total weight of the composition.

본 발명에 따른 식각액 조성물은 몰리브덴/알루미늄 이중막, 및 인듐아연산화막(IZO), 인듐주석산화막(ITO)과 같은 인듐산화막을 일괄 식각할 수 있다.The etchant composition according to the present invention may collectively etch molybdenum / aluminum double film and indium oxide films such as indium zinc oxide film (IZO) and indium tin oxide film (ITO).

본 발명에 의한 식각액 조성물은, 평판표시장치의 제조에 있어서, 게이트 배선으로 사용되는 몰리브덴/알루미늄 이중막에 대하여 미세한 식각 잔사를 발생시키지 않아 식각 특성이 우수하고, 인듐산화막의 잔사가 발생되지 않으므로, 인듐산화막의 잔사 발생에 의한 불량을 최소화시키는 우수한 특성을 가지고 있다.Since the etching liquid composition according to the present invention does not generate fine etching residue with respect to the molybdenum / aluminum double film used as the gate wiring in the manufacture of a flat panel display device, the etching property is excellent, and the residue of the indium oxide film is not generated. It has an excellent characteristic of minimizing defects caused by the residue of the indium oxide film.

또한, 본 발명은,In addition, the present invention,

기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 형성하는 단계;Forming a molybdenum / aluminum bilayer on the substrate;

상기 몰리브덴/알루미늄 이중막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및Selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum / aluminum bilayer; And

본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각하는 단계를 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막의 식각방법을 제공한다.Provided is an etching method of molybdenum / aluminum double membrane comprising etching the molybdenum / aluminum double membrane using the etchant composition of the present invention.

또한, 본 발명은,In addition, the present invention,

기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계;Forming an indium oxide film on the substrate;

상기 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및Selectively leaving a photoreactive material on the indium oxide film; And

본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 인듐산화막의 식각방법을 제공한다.It provides an etching method of the indium oxide film comprising the step of etching the indium oxide film using the etchant composition of the present invention.

여기서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.Here, the photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, which can be selectively left by conventional exposure and development processes.

또한, 본 발명은, In addition, the present invention,

a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;a) forming a gate electrode on the substrate;

b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;

c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;

d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및d) forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; And

e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode

를 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계 및 d) 단계에서는 기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 형성한 후, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 e) 단계에서는 인듐산화막을 형성한 후, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법을 제공한다.In the method of manufacturing a flat panel display device comprising a, in the steps a) and d) after forming a molybdenum / aluminum double layer on the substrate, by etching with the etchant composition of the present invention to form a gate electrode, a source electrode and a drain electrode In the step e), an indium oxide film is formed, and then a pixel electrode is formed by etching with the etchant composition of the present invention.

본 발명에 따른 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계는 a1) 기상증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 증착시키는 단계; 및 a2) 상기 몰리브덴/알루미늄 이중막을 본 발명의 식각액으로 식각하여 패터닝하여 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 몰리브덴/알루미늄 이중막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.In the method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention, the step a) comprises the steps of: a1) depositing a molybdenum / aluminum double layer on the substrate by vapor deposition or sputtering; And a2) etching and patterning the molybdenum / aluminum double layer with the etchant of the present invention to form a gate wiring. Here, the method of forming the molybdenum / aluminum double film on the substrate is not limited to that illustrated above.

본 발명에 따른 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 b) 단계에서는 기판 상에 형성된 게이트 배선 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층의 형성시 사용되는 물질은 질화실리콘(SiNx)에만 한정되는 것은 아니고, 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기 절연물질 중에서 선택된 물질을 사용하여 게이트 절연층을 형성할 수도 있다.In the method of manufacturing a flat panel display according to the present invention, in the step b), silicon nitride (SiN X ) is deposited on the gate wiring formed on the substrate to form a gate insulating layer. Here, the material used for forming the gate insulating layer is not limited to silicon nitride (SiN x ), and the gate insulating layer may be formed using a material selected from various inorganic insulating materials including silicon oxide (SiO 2 ). have.

본 발명에 따른 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 c) 단계에서는 게이트 절연층 상에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 반도체층을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층(active layer)과 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 형성한 후, 건식 식각을 통해 패터닝한다. 여기서, 엑티브층은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 오믹콘텍층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층과 오믹콘텍층을 형성할 때 화학기상증착법(CVD)을 이용할 수 있지만, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention, in the step c), a semiconductor layer is formed on the gate insulating layer by chemical vapor deposition (CVD). In other words, the active layer and the ohmic contact layer are sequentially formed and then patterned by dry etching. Here, the active layer is generally formed of pure amorphous silicon (a-Si: H), and the ohmic contact layer is formed of amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities. Chemical vapor deposition (CVD) may be used to form the active layer and the ohmic contact layer, but is not limited thereto.

본 발명에 따른 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 d) 단계는 d1) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d2) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 d1) 단계에서는 오믹콘텍층 위에 스퍼터링법을 통해 금속막을 증착하고 본 발명의 식각액으로 식각하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 여기서, 상기 금속막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다. 상기 d2) 단계에서는 소스 전극과 드레인 전극 상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연층을 형성한다. 절연층의 재료는 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다. 특히, 소스 전극 및 드레인 전극을 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 구성할 경우, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정에서도 상기 식각액 조성물을 적용할 수 있다.In the method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention, the step d) comprises: d1) forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; And d2) forming an insulating layer on the source electrode and the drain electrode. In step d1), a metal film is deposited on the ohmic contact layer by sputtering and etched with an etchant of the present invention to form a source electrode and a drain electrode. Here, the method of forming the metal film on the substrate is not limited to the above examples. In step d2), an inorganic insulating group including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ) or a benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin are included on the source electrode and the drain electrode. The insulating layer may be formed of a single layer or a double layer by selecting from a group of organic insulating materials. The material of the insulating layer is not limited to only those exemplified above. In particular, when the source electrode and the drain electrode are made of the same material as the gate electrode, the etchant composition may also be applied to the process of forming the source electrode and the drain electrode.

본 발명에 따른 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 e) 단계에서는 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성한다. 예컨대, 스퍼터링법을 통해 인듐산화막[ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)]과 같은 투명한 도전물질을 증착하고, 본 발명에 따른 식각액 조성물로 식각하여, 화소 전극을 형성한다. 상기 인듐산화막을 증착하는 방법은 스퍼터링법으로만 한정되는 것은 아니다.In the method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention, in step e), a pixel electrode connected to the drain electrode is formed. For example, a transparent conductive material such as an indium tin oxide (ITO) or an indium zinc oxide (IZO) is deposited through a sputtering method and etched with an etchant composition according to the present invention to form a pixel electrode. The method of depositing the indium oxide film is not limited only to the sputtering method.

또한, 본 발명에 따른 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 본 발명에 의한 식각액 조성물을 사용한 e) 단계 식각공정시, 화소 전극 하측에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 라인에 대한 어택을 최소화할 수 있음에 따라, 구동 특성을 향상시킬 수 있는 우수한 평판표시장치를 제조할 수 있고, 평판표시장치의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다. In addition, in the method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention, an attack on a data line including a drain electrode disposed under the pixel electrode may be minimized during the e) step etching process using the etchant composition according to the present invention. As a result, an excellent flat panel display device capable of improving driving characteristics can be manufactured, and productivity of the flat panel display device can be improved.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예 및 비교예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples and comparative examples. However, the following Examples and Comparative Examples are intended to illustrate the present invention, the present invention is not limited to the following Examples and Comparative Examples can be variously modified and changed.

실시예Example 1~10:  1-10: 식각액Etchant 조성물의 제조 Preparation of the composition

반도체 공정용 등급인 Fe(NO3)3, NH4FHF, H3PO4, ATZ를 하기 표 1에 기재된 바와 같이 혼합하고, 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 탈이온수를 첨가하여 식각액을 제조하였다.Fe (NO 3 ) 3 , NH 4 FHF, H 3 PO 4 and ATZ, which are grades for semiconductor processing, were mixed as shown in Table 1 below, and deionized water was added so that the total weight of the composition was 100% by weight. Prepared.

식각액 조성물(중량%)Etch solution composition (% by weight) Fe(NO3)3 Fe (NO 3 ) 3 NH4FHFNH 4 FHF H3PO4 H 3 PO 4 ATZATZ 탈이온수Deionized water 실시예 1Example 1 2.02.0 0.30.3 0.50.5 0.10.1 잔량Remaining amount 실시예 2Example 2 2.52.5 0.30.3 1One 0.20.2 잔량Remaining amount 실시예 3Example 3 3.03.0 0.40.4 1.51.5 0.50.5 잔량Remaining amount 실시예 4Example 4 3.53.5 0.40.4 22 1.01.0 잔량Remaining amount 실시예 5Example 5 3.53.5 0.30.3 2.52.5 0.20.2 잔량Remaining amount 실시예 6Example 6 3.53.5 0.50.5 33 0.30.3 잔량Remaining amount 실시예 7Example 7 4.04.0 0.80.8 3.53.5 1.01.0 잔량Remaining amount 실시예 8Example 8 4.04.0 1.01.0 44 0.70.7 잔량Remaining amount 실시예 9Example 9 4.54.5 0.80.8 4.54.5 2.02.0 잔량Remaining amount 실시예 10Example 10 5.05.0 0.90.9 55 4.04.0 잔량Remaining amount

비교예Comparative example 1:  One: 식각액Etchant 조성물의 제조 Preparation of the composition

Fe(NO3)3 3 중량%, NH4FHF 0.4 중량%, HNO3 10 중량%, HClO4 3 중량% 및 총 100 중량%가 되도록 탈이온수를 첨가한 식각액 조성물을 제조하였다.An etchant composition was added to which deionized water was added such that Fe (NO 3 ) 3 3 wt%, NH 4 FHF 0.4 wt%, HNO 3 10 wt%, HClO 4 3 wt%, and 100 wt% in total.

비교예Comparative example 2:  2: 식각액Etchant 조성물의 제조 Preparation of the composition

옥살산 5 중량% 및 탈이온수 95 중량%를 포함하는 식각액 조성물을 제조하였다.An etchant composition comprising 5 wt% oxalic acid and 95 wt% deionized water was prepared.

시험예Test Example 1: 몰리브덴/알루미늄  1: molybdenum / aluminum 이중막Double membrane 및  And 인듐산화막의Indium oxide film 식각Etching 특성 평가 Property evaluation

스퍼터링법에 의해 유리 기판상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 순차적으로 증착하고, 인듐산화막도 상기와 같은 방법으로 증착하였으며, 그 위에 약 1㎛ 내외의 포토레지스트를 코팅한 후, 선택적으로 패턴을 형성하여 시험편을 제조하였다. 상기 시험편을 실시예 1~10 및 비교예 1~2의 식각액으로 스프레이 방식을 사용하여 식각하였다. 상기의 실시예 1~10 및 비교예 1~2로 식각된 각각의 시험편을 전자주사현미경(SEM; Hitach, S-4700)을 이용하여 검사하였으며, 그 결과를 하기 표 2 및 도 1 내지 4에 나타내었다.A molybdenum / aluminum double film was sequentially deposited on the glass substrate by the sputtering method, and an indium oxide film was also deposited in the same manner as above, and after coating a photoresist of about 1 μm and thereafter, a pattern was selectively formed to test the specimen. Was prepared. The test pieces were etched using the spray method with the etching solutions of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 and 2. Each of the test pieces etched in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 2 was examined using an electron scanning microscope (SEM; Hitach, S-4700), and the results are shown in Table 2 and FIGS. 1 to 4. Indicated.

몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막의 식각 특성 평가의 기준은 아래와 같다.Criteria for evaluating the etching characteristics of the molybdenum / aluminum double film and the indium oxide film are as follows.

- 몰리브덴/알루미늄 이중막의 식각 특성-Etching Characteristics of Molybdenum / Aluminum Double Layer

○: 미세한 잔사 발생 없음,○: no fine residue

×: 미세한 잔사 발생 있음.X: Fine residue generate | occur | produces.

상기 식각 특성 불량은 상부 몰리브덴 돌출 현상이 발생함을 의미한다.The poor etching characteristic means that the upper molybdenum protrusion phenomenon occurs.

- 인듐산화막의 식각 특성-Etching Characteristics of Indium Oxide

○: 잔사 발생 없음,○: no residue,

×: 잔사 발생 있음.×: There is residue.

식각 특성Etching characteristics 몰리브덴/알루미늄 이중막Molybdenum / Aluminum Double Membrane 인듐산화막Indium oxide film 실시예 1Example 1 ○○ ○○ 실시예 2Example 2 ○○ ○○ 실시예 3Example 3 ○○ ○○ 실시예 4Example 4 ○○ ○○ 실시예 5Example 5 ○○ ○○ 실시예 6Example 6 ○○ ○○ 실시예 7Example 7 ○○ ○○ 실시예 8Example 8 ○○ ○○ 실시예 9Example 9 ○○ ○○ 실시예 10Example 10 ○○ ○○ 비교예 1Comparative Example 1 ×× ×× 비교예 2Comparative Example 2 ×× ××

비교예 1의 식각액 조성물은 몰리브덴/알루미늄 이중막 식각시 미세한 몰리브덴산화막의 잔사가 발생하였으며(도 3 참조), 옥살산을 함유한 비교예 2의 식각액 조성물은 인듐산화막의 잔사가 발생하였다(도 4 참조). In the etchant composition of Comparative Example 1, a fine molybdenum oxide film residue was generated when the molybdenum / aluminum double layer was etched (see FIG. 3). In the etchant composition of Comparative Example 2 containing oxalic acid, a residue of the indium oxide film was generated (see FIG. 4). ).

그러나, 상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 식각액 조성물들(실시예 1~20)로 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막을 식각한 경우 잔사(미세 잔사)가 발생되지 않았다. 또한, 실시예 1의 식각액 조성물로 식각한 몰리브덴/알루미늄 이중막의 표면에는 미세한 식각잔사가 남지 않았으며(도 1 참조), 상기와 동일한 식각액으로 식각한 인듐산화막의 표면에도 식각 잔사가 발생하지 않았다(도 2 참조).However, as shown in Table 2, when the molybdenum / aluminum double film and the indium oxide film was etched with the etching solution compositions (Examples 1-20) according to the present invention, no residue (fine residue) was generated. In addition, no fine etching residue remained on the surface of the molybdenum / aluminum double layer etched with the etchant composition of Example 1 (see FIG. 1), and no etching residue occurred on the surface of the indium oxide film etched with the same etching solution as described above ( 2).

따라서, 본 발명의 식각액은 몰리브덴/알루미늄 및 인듐산화막에 대하여 우수한 식각 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the etchant of the present invention exhibits excellent etching characteristics with respect to molybdenum / aluminum and indium oxide films.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각한 후, 전체적인 표면을 관찰한 주사전자현미경 사진이고,1 is a scanning electron microscope photograph of the entire surface of the molybdenum / aluminum double membrane after etching using the etchant composition according to Example 1 of the present invention,

도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 인듐산화막을 식각한 후, 전체적인 표면을 관찰한 전자주사현미경 사진이고,Figure 2 is an electron scanning microscope photograph of the entire surface after etching the indium oxide film using an etching solution composition according to Example 1 of the present invention,

도 3은 본 발명의 비교예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각한 후, 전체적인 표면을 관찰한 주사전자현미경 사진이고,3 is a scanning electron microscope photograph of the entire surface of the molybdenum / aluminum double membrane after etching using the etchant composition according to Comparative Example 1 of the present invention,

도 4는 본 발명의 비교예 2에 따른 식각액 조성물을 이용하여 인듐산화막을 식각한 후, 전체적인 표면을 관찰한 전자주사현미경 사진이다.4 is an electron scanning microscope photograph of the entire surface of the indium oxide film after etching using the etchant composition according to Comparative Example 2 of the present invention.

Claims (18)

a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;a) forming a gate electrode on the substrate; b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode; c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및d) forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; And e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode 를 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서, In the manufacturing method of a flat panel display device comprising: 상기 a) 단계 및 d) 단계에서는 기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 형성한 후, 식각액 조성물로 식각하여 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 e) 단계에서는 인듐산화막을 형성한 후, 상기 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법으로서,In the steps a) and d), a molybdenum / aluminum double layer is formed on the substrate, and the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed by etching with an etchant composition. In step e), an indium oxide layer is formed. A method of manufacturing a flat panel display device, comprising: forming a pixel electrode by etching with the etchant composition; 상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, The etchant composition, with respect to the total weight of the composition, 질산화철(Fe(NO3)3) 2 내지 5 중량%, Iron nitride (Fe (NO 3 ) 3 ) 2 to 5% by weight, 함불소화합물 0.1 내지 1 중량%, 0.1 to 1% by weight of fluorine-containing compound, 인산(H3PO4) 0.5 내지 5 중량%, Phosphoric acid (H 3 PO 4 ) 0.5 to 5% by weight, 테트라졸계 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및0.1 to 5 wt% of a tetrazole compound, and 물 잔량Water level 을 포함하는 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방 법.Method of manufacturing a flat panel display characterized in that the etching liquid composition comprising a. 청구항 1에 있어서, 상기 함불소 화합물은 NH4FHF, KFHF, NaFHF, KF, 및 NaF 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the fluorine-containing compound is one or two or more selected from NH 4 FHF, KFHF, NaFHF, KF, and NaF. 청구항 2에 있어서, 상기 함불소 화합물은 NH4HF인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.The method of claim 2, wherein the fluorine-containing compound is NH 4 HF. 청구항 1에 있어서, 상기 테트라졸계 화합물은 5-아미노테트라졸, 1-알킬-5-아미노테트라졸, 5-히드록시-테트라졸, 1-알킬-5-히드록시-테트라졸, 테트라졸-5-티올, 및 1-알킬-테트라졸-5-티올 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the tetrazole-based compound is 5-aminotetrazole, 1-alkyl-5-aminotetrazole, 5-hydroxy-tetrazole, 1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole, tetrazol-5 A thiol and a 1-alkyl-tetrazol-5-thiol, the method for producing a flat panel display device characterized in that one or two or more. 청구항 4에 있어서, 상기 테트라졸계 화합물은 5-아미노테트라졸인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein the tetrazole-based compound is 5-aminotetrazole. 청구항 1에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐아연산화막(IZO) 또는 인듐주석산화막(ITO)인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the indium oxide film is an indium zinc oxide film (IZO) or an indium tin oxide film (ITO). 조성물 총 중량에 대하여, Regarding the total weight of the composition, 질산화철(Fe(NO3)3) 2 내지 5 중량%, Iron nitride (Fe (NO 3 ) 3 ) 2 to 5% by weight, 함불소화합물 0.1 내지 1 중량%, 0.1 to 1% by weight of fluorine-containing compound, 인산(H3PO4) 0.5 내지 5 중량%, Phosphoric acid (H 3 PO 4 ) 0.5 to 5% by weight, 테트라졸계 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및0.1 to 5 wt% of a tetrazole compound, and 물 잔량Water level 을 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막 및 인듐산화막의 식각액 조성물.An etchant composition of molybdenum / aluminum double film and indium oxide film comprising a. 청구항 7에 있어서, 상기 함불소 화합물은 NH4FHF, KFHF, NaFHF, KF, 및 NaF 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 7, wherein the fluorine-containing compound is one or two or more selected from NH 4 FHF, KFHF, NaFHF, KF, and NaF. 청구항 7에 있어서, 상기 함불소 화합물은 NH4HF인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 7, wherein the fluorine-containing compound is NH 4 HF. 청구항 7에 있어서, 상기 테트라졸계 화합물은 5-아미노테트라졸, 1-알킬-5-아미노테트라졸, 5-히드록시-테트라졸, 1-알킬-5-히드록시-테트라졸, 테트라졸-5-티올, 및 1-알킬-테트라졸-5-티올 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method of claim 7, wherein the tetrazole-based compound is 5-aminotetrazole, 1-alkyl-5-aminotetrazole, 5-hydroxy-tetrazole, 1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole, tetrazol-5 An etchant composition, characterized in that one or two or more selected from -thiol, and 1-alkyl-tetrazol-5-thiol. 청구항 10에 있어서, 상기 테트라졸계 화합물은 5-아미노테트라졸인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 10, wherein the tetrazole-based compound is 5-aminotetrazole. 청구항 7에 있어서, 상기 물은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 7, wherein the water is deionized water. 청구항 7에 있어서, 조성물의 총 중량에 대해 0.001 내지 0.01 중량%의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 7, further comprising 0.001 to 0.01% by weight of the additive, based on the total weight of the composition. 청구항 13에 있어서, 상기 첨가제는 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제 또는 부식 방지제 중에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 13, wherein the additive is selected from at least one of a surfactant, a metal ion sequestrant or a corrosion inhibitor. 청구항 7에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐아연산화막(IZO) 또는 인듐주석산화막(ITO)인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 7, wherein the indium oxide film is an indium zinc oxide film (IZO) or an indium tin oxide film (ITO). 기판 상에 몰리브덴/알루미늄 이중막을 형성하는 단계;Forming a molybdenum / aluminum bilayer on the substrate; 상기 몰리브덴/알루미늄 이중막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및Selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum / aluminum bilayer; And 청구항 8의 식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴/알루미늄 이중막을 식각하는 단계를 포함하는 몰리브덴/알루미늄 이중막의 식각방법.An etching method of molybdenum / aluminum double membrane comprising etching the molybdenum / aluminum double membrane using the etchant composition of claim 8. 기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계;Forming an indium oxide film on the substrate; 상기 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및Selectively leaving a photoreactive material on the indium oxide film; And 청구항 8의 식각액 조성물을 사용하여 상기 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 인듐산화막의 식각방법.The etching method of the indium oxide film comprising etching the indium oxide film using an etchant composition of claim 8. 청구항 16 또는 청구항 17에 있어서, 상기 광반응 물질은 포토레지스트 물질로서, 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨지는 것을 특징으로 하는 식각방법. The etching method according to claim 16 or 17, wherein the photoreactive material is a photoresist material, which is selectively left by an exposure and development process.
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KR100619449B1 (en) * 2004-07-10 2006-09-13 테크노세미켐 주식회사 Etchant composition for all the electrodes of TFT in FPD
KR101247246B1 (en) * 2004-10-14 2013-03-25 주식회사 동진쎄미켐 Etching composition for tft lcd
KR101230817B1 (en) * 2004-12-13 2013-02-07 동우 화인켐 주식회사 ETCHANT COMPOSITION FOR Al-Ni-metal ALLOY LAYER

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011062400A2 (en) * 2009-11-17 2011-05-26 동우 화인켐 주식회사 Manufacturing method for array substrate for liquid crystal display device
WO2011062400A3 (en) * 2009-11-17 2011-09-09 동우 화인켐 주식회사 Manufacturing method for array substrate for liquid crystal display device

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