KR20090078979A - Substrate supporting apparatus and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

A substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus including the same are provided to clean efficiently a rear surface of a substrate by preventing leakage of plasma generated from the rear surface of the substrate. A substrate supporting apparatus(400) includes a loading unit(410) having a shape of ring, a sidewall part(420), and an exhaust hole(422). An edge of a substrate(S) is loaded into the loading unit. A protrusive part is formed in an inner circumference of the loading unit. The protrusive part has a stepped part with respect to an upper surface of the loading unit. A substrate is loaded on an upper part of the protrusive part. The sidewall part is connected with a lower surface of the loading unit. The lower surface of the loading unit is supported by the lateral part. The exhaust hole is formed at the sidewall part.

Description

기판 지지장치 및 이를 구비하는 기판 처리장치{SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}Substrate support apparatus and substrate processing apparatus having the same {SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}

본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 후면의 식각 균일도를 높이기 위한 기판 지지장치 및 이를 구비하는 기판 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support apparatus for increasing the etching uniformity of the rear surface of the substrate and a substrate processing apparatus having the same.

일반적으로 반도체 장치 및 평판 표시 장치는 기판의 전면에 다수의 박막을 증착하고 식각하여 소정 패턴의 소자들을 형성하여 제작한다. 즉, 소정의 증착 장비를 이용하여 기판의 전면에 박막을 증착하고, 식각 장비를 이용하여 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작하였다. In general, semiconductor devices and flat panel displays are manufactured by depositing and etching a plurality of thin films on the entire surface of a substrate to form elements having a predetermined pattern. That is, the thin film is deposited on the entire surface of the substrate using a predetermined deposition equipment, and a portion of the thin film is etched using the etching equipment to produce the thin film having a predetermined pattern.

특히, 박막 증착 공정 및 식각 공정은 기판의 전면에 대하여 동일하게 수행된다는 특성으로 인하여 기판의 후면에는 박막 증착 공정 시 증착된 박막과 파티클 등의 이물질이 제거되지 않은 채 잔류하게 되고, 기판의 후면에 증착된 이물질은 후속 공정에서 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점을 야기시킨다. 따라서, 이러한 박막 및 파티클을 제거하기 위해 주로 건식 세정을 통해 기판의 후면에 증착된 박막과 파티클을 반복적으로 제거한 후 후속 공정을 진행 함으로써, 반도체 소자 수율을 높이고 있다.In particular, the thin film deposition process and the etching process are performed on the front surface of the substrate in the same manner, so that foreign materials such as thin films and particles deposited during the thin film deposition process remain on the rear surface of the substrate without being removed. The deposited foreign matter causes many problems such as the substrate is bent or the alignment of the substrate becomes difficult in a subsequent process. Therefore, in order to remove such thin films and particles, the thin film and particles deposited on the rear surface of the substrate are repeatedly removed through a dry cleaning process, and then a subsequent process is performed to increase the yield of semiconductor devices.

종래 기판의 후면을 세정하기 위한 건식 세정 공정은 밀폐된 챔버 내에 상부 전극 및 하부 전극을 대향하도록 이격 배치하고, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 상부 전극 및 하부 전극 사이에 마련한다. 이어서, 챔버 내부를 고진공 상태로 형성한 후, 반응에 필요한 가스를 챔버 내에 투입하게 된다. 이와 같이 투입된 가스는 상부 전극 및 하부 전극 사이에 고주파 파워가 인가됨에 따라 플라즈마 상태로 변하고, 이러한 플라즈마에 의해 기판 후면의 불필요한 이물질을 제거하게 된다. 이때, 챔버 내로 인입된 기판은 챔버 내에 마련된 기판 지지장치에 의해 지지되어 상부 전극과 하부 전극 사이의 공정 위치에 배치하여 공정을 진행한다.Conventional dry cleaning processes for cleaning the back side of a substrate are spaced apart so as to face the upper and lower electrodes in an enclosed chamber, and a substrate, such as a semiconductor wafer, is provided between the upper and lower electrodes. Subsequently, after forming the inside of the chamber in a high vacuum state, a gas necessary for the reaction is introduced into the chamber. The injected gas is changed into a plasma state as a high frequency power is applied between the upper electrode and the lower electrode, thereby removing unnecessary foreign substances on the back surface of the substrate. At this time, the substrate introduced into the chamber is supported by a substrate support device provided in the chamber and disposed at a process position between the upper electrode and the lower electrode to proceed with the process.

하지만, 기판 지지장치는 기판을 챔버 내로 인입시키는 반송 수단과 간섭되지 않도록 일측이 개방되어 있기 때문에 기판을 지지한 상태에서 기판의 후면에 반응 가스를 분사할 경우, 기판을 지지하는 기판 지지장치의 개방된 일측을 통해 반응 가스가 새어나가 교란되거나 손실되는 문제점을 발생시킨다. 또한, 기판 후면에 플라즈마가 발생될 경우, 기판 후면에 형성된 플라즈마가 기판 지지장치의 개방된 일측을 통해 새어나가거나 분리되는 현상이 발생된다. 이는 기판 후면의 식각 균일도를 떨어드리는 문제점을 야기시킨다.However, since one side of the substrate support apparatus is open so as not to interfere with the conveying means for introducing the substrate into the chamber, when the reaction gas is injected to the rear surface of the substrate while supporting the substrate, the substrate support apparatus for supporting the substrate is opened. Through one side, the reaction gas leaks out and causes disturbance or loss. In addition, when the plasma is generated on the back of the substrate, a phenomenon that the plasma formed on the back of the substrate is leaked or separated through the open one side of the substrate support device. This causes a problem of lowering the etching uniformity of the back surface of the substrate.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판 후면에 발생된 플라즈마가 새는 것을 방지하여 기판 후면을 효과적으로 세정할 수 있는 기판 지지장치 및 이를 구비하는 기판 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus having the same that can effectively clean the rear surface of the substrate by preventing the leakage of plasma generated on the rear surface of the substrate.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 지지장치는 기판의 가장자리가 안착되는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함한다.In order to achieve the above object, the substrate support apparatus of the present invention is a ring-shaped seating portion, the edge of the substrate is seated, a side wall portion connected to the bottom surface of the seating portion to support the bottom surface of the seating portion, the side wall portion And an exhaust hole formed in the.

상기 안착부의 내주연에는 안착부의 상부면과 단차를 가지는 돌출부가 더 형성되고, 돌출부의 상부에 기판이 안착될 수 있다. 또한, 안착부의 상부면에는 돌출부가 더 형성될 수 있고, 기판은 돌출부의 상부 또는 돌출부의 내측에 안착될 수 있다. 돌출부는 분할 형성될 수 있다.The inner periphery of the seating portion may further include a protrusion having a step with the top surface of the seating portion, and a substrate may be seated on the top of the protrusion. In addition, a protrusion may be further formed on an upper surface of the seating portion, and the substrate may be seated on an upper portion of the protrusion or the inside of the protrusion. The protrusion may be divided.

상기 측벽부는 측벽부의 내측을 향해 하향 경사가 형성되거나, 측벽부의 외측을 향해 하향 경사가 형성될 수 있다.The side wall portion may be inclined downward toward the inner side of the side wall portion, or may be formed downward inclined toward the outer side of the side wall portion.

상기 배기 구멍은 슬릿 형상으로 형성되고, 측벽부의 원주 방향으로 연장 형성되거나, 측벽부의 원주 방향의 수직 방향으로 연장 형성될 수 있다.The exhaust hole may be formed in a slit shape and may extend in the circumferential direction of the side wall portion or may extend in the vertical direction of the circumferential direction of the side wall portion.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 차폐 부재와, 상기 차폐 부재와 대향하여 마련된 전극과, 상기 차폐 부재와 전극 사이에 마련된 기판 지지장치를 포함하고, 상기 기판 지지 장치는 기판의 가장자리가 안착되는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함한다.In addition, in order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention includes a chamber, a shielding member provided in the chamber, an electrode provided to face the shielding member, and a substrate supporting device provided between the shielding member and the electrode. The substrate supporting apparatus includes a ring-shaped seating portion on which an edge of the substrate is seated, a sidewall portion connected to a bottom surface of the seating portion to support a bottom surface of the seating portion, and an exhaust hole formed in the sidewall portion. .

상기 챔버 내에는 전극을 관통하는 리프트 핀이 더 구비될 수 있다. 상기 전극에는 가스를 분사하는 분사홀이 형성될 수 있다.A lift pin penetrating the electrode may be further provided in the chamber. Injection holes for injecting gas may be formed in the electrode.

본 발명은 기판의 후면에 균일한 플라즈마를 형성시킴으로써, 기판 후면의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of increasing the uniformity of the etching on the back of the substrate by forming a uniform plasma on the back of the substrate.

또한, 본 발명은 기판 후면에 분사되는 반응 가스가 새는 것을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent leakage of the reaction gas injected to the back of the substrate.

또한, 본 발명은 기판 후면에 분사되는 반응 가스를 원활하게 흐르도록 하여 기판 후면에 균일하게 반응 가스를 분포시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect that can be evenly distributed on the back of the substrate by flowing the reaction gas injected to the back of the substrate smoothly.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 기판 처리장치를 나타낸 개 략 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치를 나타낸 사시도이고, 도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판 지지장치의 변형 예를 나타낸 사시도이고, 도 8은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 기판 처리장치의 동작을 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a substrate processing apparatus with a substrate supporting apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a substrate supporting apparatus according to the present invention, and FIGS. 3 to 7 are substrate supporting apparatuses according to the present invention. 8 is a perspective view showing a modified example of the apparatus, and FIG. 8 is a cross-sectional view showing the operation of the substrate processing apparatus with the substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 차폐 부재(200)와, 상기 차폐 부재(200)와 대향 마련된 가스 분사부(300)와, 상기 차폐 부재(200)와 가스 분사부(300)의 사이에 마련되어 기판(S)을 지지하는 기판 지지장치(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate treating apparatus according to the present invention includes a chamber 100, a shielding member 200 provided in an upper portion of the chamber 100, and a gas injection unit 300 provided to face the shielding member 200. And a substrate support device 400 provided between the shielding member 200 and the gas injector 300 to support the substrate S.

챔버(100)는 통상 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 상기에서는 챔버(100)를 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성하였으나, 이에 한정되지 않으며 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(Gate, 110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 식각 공정 시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물을 챔버 외부로 배기하기 위한 배기부(120)가 마련된다. 이때, 배기부(120)에는 챔버(100) 내의 불순물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기 수단(130), 예를 들어 진공 펌프가 연결된다. 상기에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.The chamber 100 is usually formed in a cylindrical or rectangular box shape, and a predetermined space is provided inside the chamber 100 so as to process the substrate S. In the above, the chamber 100 is formed in a cylindrical or rectangular box shape, but is not limited thereto. The chamber 100 may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. A substrate entrance (Gate) 110 through which the substrate S is introduced and drawn out is formed on one side wall of the chamber 100, and reaction by-products such as particles generated during an etching process are disposed on the lower surface of the chamber 100 to the outside of the chamber. An exhaust unit 120 for exhausting is provided. At this time, the exhaust unit 120 is connected to the exhaust means 130, for example a vacuum pump for exhausting the impurities in the chamber 100 to the outside of the chamber 100. Although the chamber 100 has been described as an integrated body, the chamber 100 may be divided into a lower chamber having an upper opening and a chamber lead covering the upper part of the lower chamber.

차폐 부재(200)는 챔버(100)의 상부 내측면에 원형의 플레이트 형상으로 형 성되고, 차폐 부재(200)의 하부면에는 내측으로 오목한 홈이 형성될 수 있다. 홈은 기판(S)의 상부면 및 기판(S)의 측부가 이격되어 배치되도록 기판(S)과 대응되는 형상으로 형성되고, 기판(S)과 소정 간격 이격되도록 기판(S)의 크기보다 약간 더 크게 형성된다. 이러한, 차폐 부재(200)는 차폐 부재(200)의 하부에 수 mm 간격 이하 예를 들어, 0.5mm 이하의 간격으로 배치된 기판(S)의 상부에 플라즈마가 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다. 차폐 부재(200)에는 접지 전위가 인가되며, 차폐 부재(200)의 내측에는 차폐 부재(200)의 온도를 조절하기 위한 냉각 부재(미도시)가 마련될 수 있다. 냉각 부재는 차폐 부재(200)가 소정 온도 이상으로 올라가는 것을 방지함으로써, 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마로부터 차폐 부재(200)를 보호할 수 있다. 또한, 차폐 부재(200)에는 기판(S)의 상부면에 비반응 가스를 분사하기 위해 가스공급유닛(미도시)이 연결될 수 있다. 이때, 가스공급유닛이 차폐 부재(200)에 연결될 경우, 차폐 부재(200)의 하부면에는 가스공급유닛에서 공급된 비반응 가스를 기판(S) 상부로 분사할 수 있도록 다수의 분사홀(미도시)이 형성될 수 있다.The shielding member 200 may be formed in a circular plate shape on the upper inner surface of the chamber 100, and a recess inwardly formed on the lower surface of the shielding member 200. The groove is formed in a shape corresponding to the substrate S so that the upper surface of the substrate S and the side portion of the substrate S are spaced apart from each other, and the groove is slightly larger than the size of the substrate S so as to be spaced apart from the substrate S by a predetermined distance. Is formed larger. Such a shielding member 200 serves to prevent the generation of plasma on the upper portion of the substrate (S) arranged at intervals of several mm or less, for example, 0.5 mm or less, below the shielding member 200. A ground potential is applied to the shielding member 200, and a cooling member (not shown) for adjusting the temperature of the shielding member 200 may be provided inside the shielding member 200. The cooling member may protect the shielding member 200 from plasma formed in the chamber 100 by preventing the shielding member 200 from rising above a predetermined temperature. In addition, a gas supply unit (not shown) may be connected to the shielding member 200 in order to inject an unreacted gas to the upper surface of the substrate (S). In this case, when the gas supply unit is connected to the shielding member 200, a plurality of injection holes (not shown) may be injected into the lower surface of the shielding member 200 so as to inject unreacted gas supplied from the gas supplying unit to the upper portion of the substrate S. C) can be formed.

가스 분사부는(300)는 차폐 부재(200)와 대향하여 마련되며, 전극(310)과, 상기 전극(310)을 승하강시키는 승강 부재(320)와, 상기 전극(310)에 전원을 인가하기 위한 고주파 전원(340)과, 상기 전극(310)에 연결되어 전극(310)에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(330)를 포함한다.The gas injection unit 300 is provided to face the shielding member 200, and to apply power to the electrode 310, the elevating member 320 for elevating the electrode 310, and the electrode 310. It includes a high frequency power supply for 340, and a gas supply unit 330 is connected to the electrode 310 for supplying a reaction gas to the electrode (310).

전극(310)은 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 통상 기판(S)과 대응하는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 전극(310)의 상부면에는 기판(S)의 하부면에 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(312)이 형성되고, 전극(310)의 하부에는 전극(310)을 승하강시키기 위한 승강 부재(320)가 연결된다. 여기서, 전극(310)의 상부면에 형성된 분사홀(312)은 원형, 다각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 전극(310)의 하부에는 전극(310)에 고주파를 공급하기 위한 고주파 전원(340)과, 전극(310)의 상부면에 형성된 분사홀(312)과 연통되는 가스 공급부(330)가 마련된다. 여기서, 고주파 전원(340)은 전극(310)에서 분사된 반응 가스에 고주파 신호를 가하고, 이에 의해 반응 가스를 활성화시켜 챔버(100) 내에 플라즈마를 발생시키는 역할을 한다.The electrode 310 is formed in a circular plate shape, and is preferably formed in a shape corresponding to the substrate S. A plurality of injection holes 312 are formed in the upper surface of the electrode 310 to inject the reaction gas into the lower surface of the substrate S, and the lower portion of the electrode 310 is lowered to raise and lower the electrode 310. The member 320 is connected. Here, the injection hole 312 formed in the upper surface of the electrode 310 may be formed in a variety of shapes, such as circular, polygonal. In addition, a lower portion of the electrode 310 is provided with a high frequency power source 340 for supplying a high frequency to the electrode 310, and a gas supply unit 330 in communication with the injection hole 312 formed on the upper surface of the electrode 310 do. Here, the high frequency power source 340 applies a high frequency signal to the reaction gas injected from the electrode 310, thereby activating the reaction gas to generate a plasma in the chamber 100.

여기서, 챔버(100)의 내부에는 기판(S)의 수평면과 수직 방향으로 형성된 리프트 핀(350)이 더 마련될 수 있다. 리프트 핀(350)은 챔버(100) 하부 내측에 고정 설치되며, 전극(310)의 내측을 상하로 관통하여 전극(310)의 상부로 돌출되도록 연장 형성된다. 여기서, 리프트 핀(350)은 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 받는 역할을 하며, 안정적으로 기판(S)의 후면을 지지하도록 다수개 바람직하게는 3개 이상으로 형성될 수 있다. 외부 로봇암(미도시)으로부터 기판(S)이 챔버(100) 내로 인입되면, 로봇암은 리프트 핀(350)의 상부면에 기판(S)이 이격 배치되도록 수평 이동하고, 기판(S)이 리프트 핀(350)의 상부에 이격 배치되면, 로봇암을 하강시켜 고정된 리프트 핀(350)의 상부에 기판(S)을 안착시킨다. 여기서, 상기에서는 리프트 핀(350)을 챔버(100) 내부에 고정되었지만, 승하강 가능하도록 이동시킬 수 있음은 물론이다.Here, the lift pin 350 formed in the direction perpendicular to the horizontal plane of the substrate S may be further provided inside the chamber 100. The lift pin 350 is fixedly installed at the lower inner side of the chamber 100 and extends so as to protrude upward and downward through the inner side of the electrode 310. Here, the lift pin 350 serves to receive the substrate (S) drawn into the chamber 100, it may be formed of a plurality of preferably three or more so as to stably support the rear surface of the substrate (S). When the substrate S is introduced into the chamber 100 from an external robot arm (not shown), the robot arm moves horizontally so that the substrate S is spaced apart from the upper surface of the lift pin 350, and the substrate S is moved. When spaced apart on the lift pin 350, the robot arm is lowered to seat the substrate S on the fixed lift pin 350. Here, in the above, the lift pin 350 is fixed inside the chamber 100, but of course, it can be moved to move up and down.

본 발명에 따른 기판 지지장치(400)는 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기 판(S)의 가장자리를 지지하여 기판(S)을 공정 위치로 배치시키는 역할을 한다. 이러한 기판 지지장치(400)는 챔버(100) 내에 마련되어 대향 배치된 차폐 부재(200)와 가스 분사부(300) 사이에 마련되며, 리프트 핀(350)에 안착된 기판(S)의 하부 가장자리 거의 전체를 지지하여 기판(S)을 공정 위치로 배치시킨다. 여기서, 기판 지지장치(400)에 안착된 기판(S)을 상승시키기 위해 기판 지지장치(400)의 하부에는 기판 지지장치(400)에 구동력을 제공하는 구동 수단(500)이 챔버(100)의 하부 외측으로부터 챔버(100)의 내측을 관통하도록 연장 형성된다. 이하에서는 기판 지지장치(400)에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명한다The substrate support apparatus 400 according to the present invention supports the edge of the substrate S seated on the lift pin 350 to place the substrate S in the process position. The substrate support device 400 is provided between the shield member 200 and the gas injection unit 300 disposed in the chamber 100 so as to face each other, and the lower edge of the substrate S seated on the lift pin 350. The whole is supported and the board | substrate S is arrange | positioned at a process position. Here, the driving means 500 for providing a driving force to the substrate support device 400 in the lower portion of the substrate support device 400 to raise the substrate (S) seated on the substrate support device 400 of the chamber 100 It extends from the lower outer side to penetrate the inner side of the chamber 100. Hereinafter, the substrate support apparatus 400 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 지지장치(400)는 기판(S)이 안착되는 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 하부에 마련된 측벽부(420)를 포함한다. 안착부(410)는 상하부가 개방된 원형의 링 형상으로 형성되고, 안착부(410)의 상부면에는 기판(S)의 하부면 가장자리의 거의 전체가 안착된다. 여기서, 안착부(410)는 원형의 링 형상으로 형성되었지만, 기판(S)의 형상에 따라 변경될 수 있음은 물론이다. 측벽부(420)는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(420)의 상부면은 안착부(410)의 하부면과 결합된다. 여기서, 측벽부(420)는 안착부(410)와 별도의 결합 부재에 의해 결합될 수도 있고, 접착 부재에 의해 접착될 수 있음은 물론이다. 측벽부(420)에는 좌우로 관통 형성된 배기 구멍(422)이 다수개 형성되고, 이러한 배기 구멍(422)은 전극(310)으로부터 방출되는 반응 가스를 측벽부(420)를 관통하여 배기시키는 역할을 한다. 여기서, 배기 구멍(422)은 원형, 또는 다각 형상으로 형성될 수 있으며, 원형 및 다각 형상의 배기 구멍(422)이 조 합되어 사용될 수 있음은 물론이다. 또한, 측벽부(420)의 하부면에는 측벽부(420)의 외측으로 돌출되도록 지지부(430)가 더 마련될 수 있으며, 이러한 지지부(430)는 기판 지지장치(400)를 승하강시키기 위해 기판 지지장치(400)에 연결되는 구동 수단(500)의 상부면이 지지부(430)의 하부에 결합될 수 있다. 상기에서는 안착부(410)와 측벽부(420)를 분리하여 설명하였지만 일체로 형성될 수 있음은 물론이다.As shown in FIG. 2, the substrate support apparatus 400 according to the present invention includes a seating portion 410 on which the substrate S is seated, and a sidewall portion 420 provided below the seating portion 410. do. The seating portion 410 is formed in a circular ring shape with the upper and lower portions open, and almost the entire edge of the lower surface of the substrate S is seated on the upper surface of the seating portion 410. Here, the seating portion 410 is formed in a circular ring shape, but may be changed according to the shape of the substrate (S). The side wall portion 420 is formed in a cylindrical shape with a central portion penetrating up and down, and the upper surface of the side wall portion 420 is coupled to the lower surface of the seating portion 410. Here, the side wall portion 420 may be coupled to the seating portion 410 by a separate coupling member, or may be bonded by the adhesive member. The side wall portion 420 is formed with a plurality of exhaust holes 422 penetrated from side to side, and the exhaust holes 422 serve to exhaust the reaction gas discharged from the electrode 310 through the side wall portion 420. do. Here, the exhaust hole 422 may be formed in a circular or polygonal shape, of course, the circular and polygonal exhaust hole 422 may be used in combination. In addition, the lower surface of the side wall portion 420 may be further provided with a support portion 430 to protrude to the outside of the side wall portion 420, the support portion 430 is a substrate for lifting the substrate support device 400 An upper surface of the driving means 500 connected to the support device 400 may be coupled to the lower portion of the support 430. Although the mounting portion 410 and the side wall portion 420 have been described above separately, it can be formed integrally.

종래 기판 지지장치는 외부 로봇암으로부터 챔버 내로 인입되는 기판을 받아 안착시키기 위해 로봇암과 충돌 혹은 간섭되지 않도록 링 형상의 안착부의 소정 부분을 개방하였으며, 이에 의해 기판의 하부면을 지지하는 안착부는 기판의 후면 가장자리의 전면이 아닌 소정 부분을 제외한 영역만을 지지하였다. 이는 기판의 하부면에 반응 가스가 분사될 경우, 안착부의 개방된 부분을 통해 반응 가스가 새는 경우가 발생되었고, 기판 후면에 플라즈마가 생성될 경우 안착부의 개방된 부분을 통해 플라즈마가 새어나가거나 방전이 분리되는 현상이 발생되었다. 이런 상태에서 기판의 후면을 처리할 경우, 기판 후면에 발생된 불균일한 플라즈마에 의해 기판 가장자리로 갈수록 식각 균일도가 급격히 나빠졌다.Conventional substrate support apparatus has opened a predetermined portion of the ring-shaped seating portion so as not to collide or interfere with the robotic arm to receive and seat the substrate drawn into the chamber from the external robot arm, whereby the seating portion supporting the lower surface of the substrate Only the area except for the predetermined portion, not the front of the rear edge of, was supported. This is because when the reaction gas is injected to the lower surface of the substrate, the reaction gas leaks through the open part of the seat, and when the plasma is generated on the back of the substrate, the plasma leaks or discharges through the open part of the seat. This separation phenomenon occurred. When the back side of the substrate is processed in this state, the etching uniformity deteriorates rapidly toward the edge of the substrate due to the uneven plasma generated on the back side of the substrate.

이와 대조적으로, 본 발명의 기판 지지장치는 챔버 내로 인입되는 기판을 받는 역할을 리프트 핀에 의해 대신하게 하였으며, 기판 지지장치의 안착부를 연속적인 폐곡선의 링 형상으로 형성함으로써, 기판의 후면 가장자리는 안착부의 상부면에 거의 전면 부착시켜 기판 후면에 분사된 반응 가스가 기판의 후면 가장자리를 통해 새는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 기판 지지장치는 측벽부 및 측벽 부에 관통홀을 형성함으로써, 기판 후면에 분사된 반응 가스를 고르게 분포시킬 수 있으며, 이는 기판 후면에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 따라서, 공정이 진행될 경우, 기판 후면에 발생된 균일한 플라즈마는 기판 후면의 식각 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In contrast, the substrate support of the present invention replaces the role of receiving the substrate drawn into the chamber by the lift pin, and by forming the seating portion of the substrate support in a ring shape of a continuous closed curve, the rear edge of the substrate is seated. It can be attached almost entirely to the upper surface of the part to prevent the reactive gas injected at the rear of the substrate from leaking through the rear edge of the substrate. In addition, the substrate supporting apparatus of the present invention may form a through hole in the side wall portion and the side wall portion, thereby evenly distributing the reaction gas injected on the rear surface of the substrate, which may generate a uniform plasma on the rear surface of the substrate. Therefore, when the process proceeds, the uniform plasma generated on the rear surface of the substrate has an effect of improving the etching uniformity of the rear surface of the substrate.

한편, 본 발명에 따른 기판 지지장치는 도 3 내지 도 7과 같이 구성될 수 있다.Meanwhile, the substrate supporting apparatus according to the present invention may be configured as shown in FIGS. 3 to 7.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(400)는 기판(S)의 하부면 가장자리의 거의 전면이 안착되는 다수의 안착부(410)와, 상기 다수의 안착부(410)의 하부에 마련된 측벽부(420)를 포함한다. 안착부(410)는 상하부가 개방된 링 형상으로 형성되고, 링의 원주 방향에 따라 분할되어 형성된다. 분할된 안착부(410)의 하부에는 다수의 측벽부(420)가 마련되며, 각각의 측벽부(420)는 분할된 안착부(410)에 대응하는 영역에 결합된다. 여기서, 분할된 다수의 측벽부(420)에는 기판(S)의 후면에 분사된 반응 가스를 배기하기 위한 다수의 배기 구멍(422)이 형성될 수 있으며, 이러한 배기 구멍(422)은 분할된 측벽부(420) 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있음은 물론이다. 여기서, 분할된 기판 지지장치(400)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 2개로 분할되어 형성될 수 있으며, 도 3b에 도시된 바와 같이, 3개로 분할되어 형성될 수 있다. 물론, 기판 지지장치(400)는 이에 한정되지 않고, 4개 이상으로 분할되어 형성될 수 있음은 물론이다. 상기와 같은 구성은 기판 지지장치(400)를 분할하여 형성함으로써, 기판 지지장치(400)를 제작할 시, 기판 지지장치(400)의 가공성을 높일 수 있는 효과가 있다.As shown in FIG. 3, the substrate support device 400 includes a plurality of seating portions 410 on which a substantially front surface of the bottom surface edge of the substrate S is seated, and a lower portion of the seating portions 410. The side wall portion 420 is included. The seating portion 410 is formed in a ring shape in which the upper and lower portions are open, and is divided and formed along the circumferential direction of the ring. A plurality of sidewall portions 420 are provided below the divided seating portions 410, and each sidewall portion 420 is coupled to an area corresponding to the divided seating portions 410. Here, the plurality of divided side wall portions 420 may be formed with a plurality of exhaust holes 422 for exhausting the reaction gas injected on the rear surface of the substrate S, and the exhaust holes 422 may be divided sidewalls. Of course, it may be formed in at least one of the portion 420. Here, the divided substrate support apparatus 400 may be divided into two, as shown in FIG. 3A, and may be divided into three, as shown in FIG. 3B. Of course, the substrate supporting apparatus 400 is not limited thereto, and may be divided into four or more. The configuration as described above is formed by dividing the substrate support apparatus 400, so that the workability of the substrate support apparatus 400 can be improved when the substrate support apparatus 400 is manufactured.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(400)는 링 형상의 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 내주연에 형성된 돌출부(412)와, 상기 안착부(410)의 하부면과 결합되어 다수개의 배기 구멍(422)이 형성된 측벽부(420)를 포함한다. 돌출부(412)는 안착부(410)의 내주연을 따라 돌출되어 형성되고, 구체적으로, 돌출부(412)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 상부면과 단차를 가지며, 안착부(410)의 내주연을 따라 폐곡선을 이루도록 연장 형성될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 안착부(410)의 내주연에 따라 형성된 돌출부(412)의 상부면에 기판(S)의 하부 가장자리의 거의 전면이 안착되고, 기판(S)의 측면은 안착부(410)의 내주연과 이격 배치된다. 또한, 돌출부(412)는 도 4b에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 내주연을 따라 분할 형성될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 돌출부(412)의 상부면에 안착되고, 기판(S)의 하부면 가장자리는 돌출부(412)의 상부면과 부분 접촉 또는 점접촉하여 돌출부(412)의 상부면에 안착될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 4, the substrate support apparatus 400 includes a ring-shaped seating portion 410, a protrusion 412 formed at an inner circumference of the seating portion 410, and the seating portion 410. It is coupled to the lower surface of the includes a side wall portion 420, a plurality of exhaust holes 422 are formed. The protrusion 412 is formed to protrude along the inner circumference of the seating portion 410, and specifically, the protrusion 412 has a step with the top surface of the seating portion 410, as shown in FIG. 4A, and is seated. It may be extended to form a closed curve along the inner circumference of the portion 410. Here, the substrate S is seated on the upper surface of the lower edge of the substrate S on the upper surface of the protrusion 412 formed along the inner circumference of the mounting portion 410, the side surface of the substrate (S) 410 is spaced apart from the inner periphery. In addition, the protrusion 412 may be dividedly formed along the inner circumference of the seating portion 410, as shown in FIG. 4B. Here, the substrate S is seated on the upper surface of the protrusion 412, and the lower edge of the substrate S is seated on the upper surface of the protrusion 412 by partial or point contact with the upper surface of the protrusion 412. Can be.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(400)는 링 형상의 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 상부면에 형성된 돌출부(412)와, 상기 안착부(410)의 하부면과 결합되어 다수개의 배기 구멍(422)이 형성된 측벽부(420)를 포함한다. 돌출부(412)는 안착부(410)의 상부면에 상부를 향하여 돌출되도록 연장 형성되며, 이러한 돌출부(412)의 상부면에는 기판(S)이 안착된다. 여기서, 돌출부(412)는 도 5a에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 상부에서 폐곡선을 이루도록 형성될 수 있으며, 도 5b에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 상부에서 분할되어 형성될 수 있음은 물론이다. 상기에서는 기판(S)을 돌출부(412)의 상부에 안착되도록 설명하였 지만, 이에 한정되지 않고, 돌출부(412)의 내측벽에 기판(S)의 가장자리의 측부가 배치되도록 기판(S)을 돌출부(412)의 내측에 안착시킬 수 있음은 물론이다.In addition, as shown in FIG. 5, the substrate support apparatus 400 includes a ring-shaped seating portion 410, a protrusion 412 formed on an upper surface of the seating portion 410, and the seating portion 410. It is coupled to the lower surface of the includes a side wall portion 420, a plurality of exhaust holes 422 are formed. The protrusion 412 is extended to protrude upward on the upper surface of the seating portion 410, and the substrate S is seated on the upper surface of the protrusion 412. Here, the protrusion 412 may be formed to form a closed curve in the upper portion of the seating portion 410, as shown in Figure 5a, as shown in Figure 5b, is formed by splitting the upper portion of the seating portion 410 Of course it can be. In the above, the substrate S is described to be seated on the upper portion of the protrusion 412, but the present invention is not limited thereto, and the substrate S may be disposed so that the side portion of the edge of the substrate S is disposed on the inner wall of the protrusion 412. Of course, it can be seated inside the (412).

도 4 및 도 5와 같은 구성은 돌출부의 상부 또는 돌출부의 내측에 기판을 안착시킴으로써, 기판(S)을 안착부에 안정적으로 안착시킬 수 있는 효과가 있다.4 and 5 have the effect that the substrate (S) can be stably seated on the mounting portion by mounting the substrate on the upper portion or the inner portion of the protrusion.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(400)는 링 형상의 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 하부에 마련되어 소정 경사를 가지는 측벽부(420)를 포함한다. 측벽부(420)는 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(420)의 상부면은 안착부(410)의 하부면과 결합된다. 또한, 측벽부(420)에는 다수의 배기 구멍(422)이 형성되고, 이러한 배기 구멍(422)은 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 여기서, 측벽부(422)는 하부로 갈수록 그 직경이 길어지도록 도 6a에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 외측을 향해 하향 경사가 형성될 수 있으며, 도 6b에 도시된 바와 같이, 측벽부(422)를 하부로 갈수록 그 직경이 짧아지도록 안착부(410)의 내측을 향해 하향 경사가 형성될 수 있음은 물론이다.In addition, as shown in FIG. 6, the substrate support apparatus 400 includes a ring-shaped seating portion 410 and a sidewall portion 420 provided below the seating portion 410 and having a predetermined inclination. The side wall portion 420 is formed in a cylindrical shape formed up and down, and the upper surface of the side wall portion 420 is coupled to the lower surface of the seating portion 410. In addition, a plurality of exhaust holes 422 are formed in the sidewall part 420, and the exhaust holes 422 may be formed in various shapes. Here, the side wall portion 422 may be inclined downward toward the outside of the seating portion 410, as shown in Figure 6a so that the diameter thereof becomes longer toward the bottom, as shown in Figure 6b Of course, a downward slope may be formed toward the inner side of the seating portion 410 so that the diameter of the portion 422 becomes shorter.

상기와 같은 구성은 기판 지지장치의 측벽부에 경사를 형성함으로써, 안착부의 상부면에 안착된 기판을 향해 분사된 반응 가스가 측벽부의 내측 측벽에 정체되지 않도록 기판의 하부면으로 안내하여 기판의 하부면에 균일한 반응 가스를 분포시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 이러한 균일한 반응 가스는 기판 후면에 균일한 플라즈마를 형성시켜 기판 후면의 식각 균일도를 높일 수 있다.The configuration as described above forms a slope in the side wall portion of the substrate support apparatus, thereby guiding the reaction gas injected toward the substrate seated on the upper surface of the seating portion to the lower surface of the substrate so that the reaction gas is not stagnant on the inner side wall of the side wall portion. There is an effect that can distribute a uniform reaction gas on the surface. In addition, the uniform reaction gas may form a uniform plasma on the rear surface of the substrate to increase the etching uniformity of the rear surface of the substrate.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(400)는 링 형상의 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 하부에 마련된 측벽부(420)와, 상기 측벽부(420)의 형성된 다수의 배기 구멍(422)을 포함한다. 측벽부(420)의 상부면은 안착부(410)의 하부면과 결합되며, 측벽부(420)에는 슬릿 형상의 다수의 배기 구멍(422)이 형성된다. 여기서, 슬릿 형상을 가지는 배기 구멍(422)은 도 7a에 도시된 바와 같이, 측벽부(420)의 원주 방향으로 등간격을 이루도록 형성될 수 있고, 도 7b에 도시된 바와 같이, 측벽부(410)의 원주 방향의 수직 방향으로 등간격을 이루도록 형성될 수도 있다. 물론, 측벽부(420)에 형성된 슬릿 형상의 배기 구멍(422)의 형상 및 배치는 이에 한정되지 않고 다양하게 형성될 수 있음은 물론이다.In addition, as shown in FIG. 7, the substrate support apparatus 400 includes a ring-shaped seating portion 410, a sidewall portion 420 provided below the seating portion 410, and the sidewall portion 420. And formed a plurality of exhaust holes 422. An upper surface of the side wall portion 420 is coupled to a lower surface of the seating portion 410, and a plurality of slit exhaust holes 422 are formed in the side wall portion 420. Here, the exhaust hole 422 having a slit shape may be formed to be equally spaced in the circumferential direction of the side wall portion 420, as shown in FIG. 7A, and the side wall portion 410 as shown in FIG. 7B. It may be formed to be equally spaced in the vertical direction of the circumferential direction of the). Of course, the shape and arrangement of the slit-shaped exhaust hole 422 formed in the side wall portion 420 may be variously formed without being limited thereto.

상기와 같은 구성은 기판의 하부에 분사되는 반응 가스 및 플라즈마를 보다 원활하게 배기할 수 있으며, 이에 의해 기판 하부면의 특히, 기판 가장자리의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.The configuration as described above can more smoothly exhaust the reaction gas and the plasma injected into the lower portion of the substrate, thereby increasing the etching uniformity of the lower surface of the substrate, in particular, the substrate edge.

이하에서는 도 1 및 도 8을 참조하여, 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 기판 처리 장치의 동작을 살펴본다.Hereinafter, referring to FIGS. 1 and 8, the operation of a substrate processing apparatus equipped with a substrate support apparatus according to the present invention will be described.

외부 로봇암(미도시)으로부터 기판(S)이 챔버(100) 내로 인입되어 리프트 핀(350)의 상부에 안착되면, 리프트 핀(350)의 상부면보다 낮게 배치된 기판 지지장치(400)는 차폐 부재(200)를 향해 상승한다. 이때, 기판 지지장치(400)가 상승하는 동안 리프트 핀(350)에 안착된 기판(S)의 가장자리는 소정 폭의 폐곡선을 이루는 형상으로 전체적으로 기판 지지장치(400), 구체적으로 안착부(410)의 상부면에 안착되고, 기판(S)이 안착된 기판 지지장치(400)는 기판(S)이 차폐 부재(200)와 소정 간격으로 배치되도록 상승한다. 여기서, 기판(S)과 차폐 부재(200)와의 간격은 0.5mm 이하가 되도록 배치되는 것이 바람직하고, 이는 기판(S)의 상부면에 플라즈 마가 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.When the substrate S is introduced into the chamber 100 from the external robot arm (not shown) and seated on the upper portion of the lift pin 350, the substrate support device 400 disposed lower than the upper surface of the lift pin 350 is shielded. Raise towards member 200. At this time, the edge of the substrate S seated on the lift pin 350 while the substrate support device 400 is raised has a closed curve of a predetermined width, and the substrate support device 400, specifically, the seating part 410. The substrate support device 400 seated on the upper surface of the substrate S is mounted to be raised so that the substrate S is disposed at a predetermined distance from the shielding member 200. Here, the distance between the substrate S and the shielding member 200 is preferably disposed to be 0.5 mm or less, which has the effect of preventing plasma from occurring on the upper surface of the substrate S.

기판(S)이 기판 지지장치(400)에 의해 차폐 부재(200)와 소정 간격 이격되도록 배치되면, 전극(310)에 연결된 승강 부재(320)에 의해 전극(310)이 상승하고, 이에 의해 전극(310)과 차폐 부재(200)의 사이에 고밀도의 플라즈마가 발생하도록 적절한 간극을 유지한다. When the substrate S is disposed to be spaced apart from the shielding member 200 by the substrate supporting device 400 by a predetermined distance, the electrode 310 is raised by the elevating member 320 connected to the electrode 310, thereby raising the electrode. An appropriate gap is maintained between the 310 and the shield member 200 so that a high density plasma is generated.

이어서, 전극(310)에 연결된 가스 공급부(330)로부터 반응 가스가 전극(310)에 형성된 분사홀(312)을 통해 기판(S)의 하부로 분사되고, 분사된 반응 가스는 기판(S)의 하부면에 균일하게 분포된다. 즉, 기판 지지장치(400)의 측벽부(420)는 기판(S)의 하부에 분사된 반응 가스를 기판(S)의 하부 중심영역에서 이탈되지 않도록 기판(S)의 하부면에 가두는 역할을 하며, 측벽부(420)에 형성된 다수의 배기 구멍(422)은 기판(S) 하부에 머무는 반응 가스가 균일하게 분포하도록 반응 가스를 모든 방향으로 원활하게 배기한다.Subsequently, the reaction gas is injected from the gas supply unit 330 connected to the electrode 310 to the lower portion of the substrate S through the injection hole 312 formed in the electrode 310, and the injected reaction gas is formed on the substrate S. Evenly distributed on the bottom surface. That is, the sidewall portion 420 of the substrate support device 400 traps the reaction gas injected in the lower portion of the substrate S on the lower surface of the substrate S so as not to be separated from the lower center area of the substrate S. The plurality of exhaust holes 422 formed in the sidewall part 420 smoothly exhaust the reaction gas in all directions so that the reaction gas staying in the lower portion of the substrate S is uniformly distributed.

이어서, 전극(310)에 연결된 고주파 전원(340)으로부터 전극(310)에 전원이 인가되어 전극(310)과 차폐 부재(200) 사이에는 균일한 플라즈마가 형성되고, 이러한 플라즈마는 기판(S)의 후면에 형성된다. 이때, 기판 지지장치(400)에 지지되는 기판(S)과 측벽부(420)가 형성하는 공간 영역에 플라즈마가 머무르게 되어 플라즈마가 새어나가는 것을 방지하고, 이에 의해 기판(S)의 후면의 전체 영역에 플라즈마를 균일하게 유지할 수 있다. 이처럼 기판(S) 후면의 중심 영역과 가장자리의 영역에 플라즈마가 균일하게 유지되어, 기판 후면의 식각 균일도를 향상시킬 수 있다. 상기와 같이 발생된 균일한 플라즈마에 의해 기판(S)의 후면의 식각이 진행되 어, 공정을 마치게 된다.Subsequently, power is applied to the electrode 310 from the high frequency power source 340 connected to the electrode 310 to form a uniform plasma between the electrode 310 and the shielding member 200. It is formed on the back. At this time, the plasma stays in the space area formed by the substrate S supported by the substrate support device 400 and the side wall portion 420, thereby preventing the plasma from leaking out, whereby the entire area of the rear surface of the substrate S is thereby prevented. The plasma can be kept uniform. As such, the plasma is uniformly maintained in the center region and the edge region of the rear surface of the substrate S, thereby improving the etching uniformity of the rear surface of the substrate. The etching of the rear surface of the substrate S is performed by the uniform plasma generated as described above, thereby completing the process.

상기와 같이 기판(S)의 후면에 발생된 고밀도 플라즈마는 기판(S)의 후면에 부착되어 있는 이물질 즉, 박막 및 파티클을 효과적으로 제거하고, 기판(S) 후면의 식각 균일도를 향상시킨다.As described above, the high-density plasma generated on the rear surface of the substrate S effectively removes foreign substances, that is, thin films and particles, attached to the rear surface of the substrate S, and improves the etching uniformity of the rear surface of the substrate S.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art that the present invention can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below I can understand.

도 1은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 기판 처리장치를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a substrate processing apparatus equipped with a substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing a substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판 지지장치의 변형 예를 나타낸 사시도이다.3 to 7 are perspective views showing a modification of the substrate support apparatus according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 기판 처리장치의 동작을 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing the operation of the substrate processing apparatus equipped with a substrate support apparatus according to the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

100: 챔버 200: 차폐 부재100: chamber 200: shielding member

300: 가스 분사부 310: 전극300: gas injection unit 310: electrode

330: 가스 공급부 340: 고주파 전원330: gas supply unit 340: high frequency power supply

400: 기판 지지장치 410: 안착부400: substrate support device 410: seating portion

420: 측벽부 422: 배기 구멍420: side wall 422: exhaust hole

Claims (9)

기판의 가장자리가 안착되는 링 형상의 안착부와,A ring-shaped seating portion on which the edge of the substrate is seated; 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와,A side wall part connected to a lower surface of the seating part and supporting a lower surface of the seating part; 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍An exhaust hole formed in the side wall portion 을 포함하는 기판 지지장치.Substrate support device comprising a. 청구항 1에 있어서, 상기 안착부의 내주연에는 안착부의 상부면과 단차를 가지는 돌출부가 더 형성되고, 돌출부의 상부에 기판이 안착되는 기판 지지장치.The substrate supporting apparatus of claim 1, wherein a protrusion having a step with a top surface of the seat is further formed at an inner circumference of the seat, and a substrate is seated on the protrusion. 청구항 1에 있어서, 상기 안착부의 상부면에는 돌출부가 더 형성되고, 기판은 돌출부의 상부 또는 돌출부의 내측에 안착되는 기판 지지장치.The substrate supporting apparatus of claim 1, wherein a protrusion is further formed on an upper surface of the seating portion, and the substrate is seated on an upper portion of the protrusion or the inside of the protrusion. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 돌출부는 분할 형성되는 기판 지지장치.The substrate supporting apparatus of claim 2 or 3, wherein the protrusion is divided. 청구항 1에 있어서, 상기 측벽부는 측벽부의 내측을 향해 하향 경사가 형성되거나, 측벽부의 외측을 향해 하향 경사가 형성되는 기판 지지장치.The substrate supporting apparatus of claim 1, wherein the sidewall portion is inclined downward toward an inner side of the sidewall portion or is downwardly inclined toward an outer side of the sidewall portion. 청구항 1에 있어서, 상기 배기 구멍은 슬릿 형상으로 형성되고, 측벽부의 원 주 방향으로 연장 형성되거나, 측벽부의 원주 방향의 수직 방향으로 연장 형성되는 기판 지지장치.The substrate support apparatus according to claim 1, wherein the exhaust hole is formed in a slit shape and extends in the circumferential direction of the side wall portion or extends in the vertical direction of the circumferential direction of the side wall portion. 챔버와,Chamber, 상기 챔버 내에 마련된 차폐 부재와,A shielding member provided in the chamber; 상기 차폐 부재와 대향하여 마련된 전극과,An electrode provided to face the shield member; 상기 차폐 부재와 전극 사이에 마련된 기판 지지장치를 포함하고,A substrate support device provided between the shielding member and the electrode; 상기 기판 지지장치는 기판의 가장자리가 안착되는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함하는 기판 처리장치.The substrate support apparatus includes a ring-shaped seating portion on which an edge of a substrate is seated, a sidewall portion connected to a bottom surface of the seating portion to support a bottom surface of the seating portion, and an exhaust hole formed in the sidewall portion. . 청구항 7에 있어서, 상기 챔버 내에는 전극을 관통하는 리프트 핀이 더 구비되는 기판 처리장치.The substrate processing apparatus of claim 7, further comprising a lift pin penetrating the electrode. 청구항 7에 있어서, 상기 전극에는 가스를 분사하는 분사홀이 형성되는 기판 처리장치.The substrate processing apparatus of claim 7, wherein an injection hole for injecting gas is formed in the electrode.
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