KR20090077070A - 동기식 정류기 브릿지 부재, 동기식 정류기 브릿지 및 이를 포함하는 발전기형 전기적 회전 기계장치 - Google Patents

동기식 정류기 브릿지 부재, 동기식 정류기 브릿지 및 이를 포함하는 발전기형 전기적 회전 기계장치 Download PDF

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KR20090077070A
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Abstract

본 발명의 동기식 정류기 브릿지용 부재(14)는 일반적으로 적어도 제 1 및 제 2 접속 단자(B+, P)와, 적어도 제 1 및 제 2 접속 단자(B+, P)에 각각 접속되는 소스 및 드레인 전극(16, 17)을 구비하는 적어도 하나의 전계 효과 트랜지스터(15) 및 적어도 하나의 비교기를 포함하며, 상기 비교기는 사전결정된 기준 전압을 갖는 적어도 제 1 전압 소스와 적어도 제 1 및 제 2 단자(B+, P)에 인가된 전압들 사이의 제 1 전압차를 비교하고 트랜지스터(15)의 게이트 전극(21)에 접속되는 출력을 구비한다. 본 발명에 따르면, 부재(14)는 상기 인가된 전압들로부터 적어도 하나의 공급 전압(VH, VL)을 제공하는 적어도 하나의 로드 펌프(25)를 더 포함한다.

Description

동기식 정류기 브릿지 부재, 동기식 정류기 브릿지 및 이를 포함하는 발전기형 전기적 회전 기계장치{MEMBER FOR A SYNCHRONOUS RECTIFIER BRIDGE, RELATED SYNCHRONOUS RECTIFIER BRIDGE AND USE THEREOF}
본 발명은 동기식 정류기 브릿지 부재에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 브릿지 암(bridge arm) 및 이러한 부재를 복수 개 포함하는 전압 정류기 브릿지에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이러한 동일한 정류기 브릿지를 사용하는 전기적 회전 기계장치에 관한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같은 다이오드 정류기 브릿지는 종래 기술로부터 잘 알려져 있다.
이러한 유형의 정류기 브릿지에서 사용되는 다이오드는, PIN 또는 쇼트키 다이오드이건, 저전압에서 전도 방향으로 상당한 전압 강하를 갖는다.
이것은 저전압에서 작동하는 자동자 장치 분야에서 단점을 나타낸다. 예를 들어, 교류기의 전기 출력이 결과적으로 열화된다.
다이오드 브릿지를 구현하는 전기적 장치의 전반적인 출력을 향상시키기 위해, 스위치(트랜지스터, 사이리스터, 트라이액 등)을 구비하는 동기식 정류기를 사용하는 것이 알려져 있다.
문서 EP1347564는 도 2에 적용된 개략도와 같은 형태의 3-상(phase) 동기식 정류기 브릿지를 기술한다.
스위치-동작되는 N-채널 MOSFET(절연 게이트 전계 효과 트랜지스터) 또는 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)-형 트랜지스터의 게이트들은 상들 간의 전압차의 절대값에 따라 제어되어 브릿지의 출력단에서 연속적인 전압을 생성한다.
문서 WO2004/034439로부터 전도 상태에서 선형 모드로 MOSFET을 구동하는 것, 즉 이상적인 다이오드의 작용을 시뮬레이트하기 위해 서보-메커니즘(servo-mechanism)을 통해 그들의 내부 저항을 선형적으로 구동하는 것이 알려져 있다.
문서 FR2884079에서, VALEO EQUIPMENTS ELETRIQUES MOTEUR 사는 스위칭의 지연을 야기하여 큰 회복 전류를 발생시키는 트랜지스터 내의 전하의 축적을 극복하기 위해, 전기 컨버터 브릿지(인버터, 또는 정류기)에서 구현될 MOS 트랜지스터의 제어 방법을 개시한다. 상응하는 디바이스의 개략도가 도 3에 주어졌다.
앞서 기술된 기술적 발전은 동기식 정류기의 출력의 최적화를 이끌었다.
그러나, 알려진 동기식 정류기의 트랜지스터는 추가의 제어 및 공급 회로를 필요로 하며, 비동기식 정류기 브릿지를 동기식 정류기 브릿지로 변형하기 위해 다이오드를 대체할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 동기식 정류기 브릿지 부재를 하나 이상의 다이오드 대신 사용하도록 파워 서플라이와 그의 제어 메커니즘을 전력 구성요소와 함께 단일 박스에 삽입하는 것이다.
이것은 명확히 적어도 제 1 접속 단자와 적어도 제 2 접속 단자를 구비하는 동기식 정류기 브릿지 부재에 관한 것이다.
이러한 부재는 자신의 제 1 소스와 제 1 드레인이 제 1 접속 단자와 제 2 접속 단자에 각각 접속된 제 1 전계 효과 트랜지스터를 적어도 포함하고, 제 1 피드백 루프를 포함하며 자신의 제 1 출력이 제 1 트랜지스터의 제 1 게이트에 접속된 제 1 연산 증폭기를 적어도 포함하는 것으로 본래 알려진 유형의 부재이다.
증폭기는 적어도 사전결정된 기준 전압을 갖는 제 1 전압 소스 및 적어도 제 1 및 제 2 접속 단자들에 인가되는 전압들 사이의 제 1 전압차에 대한 비교기로서 장착된다.
본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재는 접속 단자들에 인가되는 전압들로부터 제 1 증폭기의 공급 전압들 중 적어도 하나를 발생시키는 로드 펌프를 더 포함한다는 점에서 특징적이다.
바람직하게는, 로드 펌프는 로드 펌프 자신에 의해 공급되는 오실레이터에 의해 제어된다.
본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재는 바람직하게는 인가된 전압들 중 적어도 하나의 평균 진폭 또는 주파수가 사전결정된 값보다 더 작을 때 대기 상태에서(in standby) 로드 펌프를 설정하는 회로를 포함한다.
본 발명에 따르면, 자신의 제 2 소스 및 제 2 드레인이 각각 제 2 접속 단자 및 제 3 접속 단자에 접속된 제 2 전계 효과 트랜지스터를 적어도 포함하고, 제 2 피드백 루프를 포함하고 로드 펌프에 의해 발생된 공급 전압들에 의해 적어도 부분적으로 공급받으며 자신의 제 2 출력이 제 2 트랜지스터의 제 2 게이트에 접속된 제 2 연산 증폭기를 더 포함하는 동기식 정류기 브릿지 부재로부터 장점을 획득할 수 있다.
제 2 증폭기는 동일한 사전결정된 기준 전압을 갖는 제 2 전압 소스와, 인가된 전압들 중 제 2 접속 단자 상에 존재하는 전압과 인가된 전압들 중 제 3 접속 단자 상에 존재하는 전압 사이의 제 2 전압차에 대한 비교기로서 장착된다.
본 발명의 이러한 실시예에서, 로드 펌프는 바람직하게는 인가된 전압들 중 제 2 접속 단자 상에 존재하는 전압의 평균값 또는 주파수에 따라 제 1 접속 단자와 제 3 접속 단자 사이에서 선택적으로 공급된다. 이와 달리 또는 동시에, 부재의 제 2 접속 단자는 바람직하게는 인가된 전압들 중 제 2 단자 상에 존재하는 전압의 주파수가 0일 때, 저항을 포함하는 션트 회로(shunt circuit)에 의해 제 3 접속 단자에 접속된다.
본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재는 이러한 부재의 결함을 나타내는 진단 신호(diagnotic signal)를 갖는 추가의 접속 단자를 포함한다.
본 발명의 목적에 따르면, 매우 바람직하게는 동기식 정류기 브릿지 부재는 제 2 또는 제 3 접속 단자에 접속된 금속성 바닥을 구비하고, 제 1 접속 단자에 접속되어 제 1 트랜지스터를 지지하거나 또는 제 1 및 제 2 접속 단자에 접속되어 제 1 및 제 2 트랜지스터를 지지하는 하나 이상의 분리된 리드프레임들을 구비하는 오버몰딩된(overmoulded) 박스의 형태로 제조된다.
바람직하게는, 제 1 증폭기 및/또는 제 2 증폭기, 로드 펌프, 및/또는 오실레이터, 및/또는 대기-설정 회로, 및/또는 션트 회로, 및/또는 진단 회로는 하나 이상의 ASIC(application specific integrated circuit type) 회로, 바람직하게는 단일 ASIC 회로의 형태로 제조된다.
본 발명은 또한 전술된 특징들을 갖는 하나 이상의 정류기 브릿지 부재들로 구성된다는 특징을 갖는 동기식 정류기 브릿지와, 적어도 이러한 동기식 정류기 브릿지를 포함하는 발전기형 전기적 회전 기계장치에 관한 것이다.
이러한 소수의 본질적인 명세사항들은 이러한 동기식 정류기 브릿지 부재, 상응하는 정류기 브릿지 및 이것의 사용을 통해 종래 기술과 비교하여 획득되는 장점들을 당업자에게 명확하게 할 것이다.
본 발명의 세부사항들이 첨부된 도면들을 참조로 하여 아래의 설명에서 주어진다. 이러한 도면들은 단지 설명을 도시하기 위한 것이며 본 발명의 범주를 제한하는 것은 아님을 인지해야 한다.
도 1은 종래기술로부터 알려진 다이오드 비동기식 3-상 정류기 브릿지의 통상적인 개략도.
도 2는 종래기술로부터 알려진, 스위칭을 갖는 트랜지스터를 사용하는 3-상 동기식 정류기 브릿지의 개략도.
도 3은 종래기술로부터 알려졌으며 이미 전기 컨버터 브릿지 내에 구현된 MOS 트랜지스터를 제어하는 디바이스의 개략도.
도 4는 본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재의 바람직한 제 1 실시예의 전체적 도면.
도 5는 본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지의 바람직한 제 2 실시예의 전체적 도면.
도 6은 본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재의 바람직한 제 2 실시예의 개략도.
도 7은 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 상응하는 집적 회로의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 3개의 브릿지 부재로 이루어진 정류기 브릿지를 결합하는 3-상 전기적 회전 기계의 개략도.
도 1, 2 및 3의 도면에 도시된 디바이스에 의해 설명된 정류기 브릿지의 종래기술의 주요 발전 단계들을 상기하는 것은, 도 4 및 5에서 개요적 방식으로 도시된 본 발명의 이점을 쉽게 이해하도록 할 것이다.
도 1은 3-상 교류기의 윈딩(winding)(2)의 단자(P1, P2, P3)에서의 교류 전 압으로부터 접지에 대해 양의 연속 전압 B+을 발생시키는 3-상 정류기 브릿지(1)를 도시한다.
자동차 분야에서, 교류기는 정류 후에 배터리 및 온-보드 네트워크로 공급하는 약 14V의 연속 전압 B+을 제공하기 위해 저전압에서 동작한다. 다이오드의 단자에서 전도 방향으로의 약 0.7V의 전압 강하는 공급 회로 내에 약 10%의 비교적 큰 전압 강하를 발생시킨다.
도 2에 도시된 동기식 정류기 브릿지에서, 이전의 어셈블리의 다이오드(1)는 스위치-동작되는 N-채널 MOSFET 트랜지스터(3)로 대체된다. 전도 상태에서 MOSFET 트랜지스터(3)의 극도로 약한 저항은 상 권선(2)의 회로 내에서 약 수 다즌(dozen) 밀리볼트의 추가적인 전압 강하만을 발생시킨다.
도 2에 도시된 디바이스에 의해 설명된 기술의 발전 단계에서, NOSFET 트랜지스터(3)는 2진 방식으로 동작하는 제어 회로(5)에 의해 자신의 게이트(4)로 인가된 스위칭 전압을 통해 "온-오프" 제어된다.
이후의 개선은, 예로서 드레인(D1)과 소스(S1) 사이의 전압(Vds) 상수를 만들거나 또는 전도 상태 동안의 전압 축적을 최소화하기 위해, 도 3에 도시된 바와 같이 선형 모드에서 MOSFET 트랜지스터를 구동하는 회로(6)를 사용하여 2진 모드에서 제어 회로(5)를 대체하여 존재해왔다.
이를 위해서, 선형 모드에서의 구동 회로(6)는 기준 전압 소스(Uref) 및 드레인-소스 전압(Vds)에 대한 비교기로서 장착된 연산 증폭기(7)와, 저항(R")에 의해 MOSFET(10)의 게이트(9)로 접속되는 출력(8)을 포함한다. 연산 증폭기(7)는 회 로 RC에 의해 이루어진 피드백 루프를 포함한다.
연산 증폭기(7)는 출력 전압이 N-채널 MOSFET 트랜지스터(10)의 게이트(9)를 효율적으로 제어하도록, 드레인(D1)과 소스(S1) 포텐셜에 대해 충분한 레벨을 갖는 자신의 양의 공급 단자(V+)와 자신의 음의 공급 단자(V-)에 접속된 전압 소스를 공급받는다.
적절한 파워 서플라이를 구비하는 제어 회로(5) 또는 구동 회로(6)를 제공해야 하는 필요성은 도 1의 어셈블리와 비교하여 도 2 및 3에 도시된 디바이스의 명확한 단점이며, MOSFET 트랜지스터(3, 10)는 정류 다이오드(1)를 간단히 대체할 수 없다.
따라서 도 4의 전체적인 도면에 도시된 바람직한 제 1 실시예에서, 본 발명은 선형 모드에서 N-채널 MOSFET 트랜지스터(10), 또는 수 개의 트랜지스터들을 병렬식으로 구동시키도록 자신의 단자(D1, S1)에서의 전압으로부터 회로(6)의 공급 전압(V+, V-)을 제공하는 것을 포함한다.
어셈블리가 독립적인 서플라이를 구비하기 때문에, 투명 방식(transparent manner)에서 자신의 어노드가 제 1 단자(D1)이고 캐소드가 제 2 단자(S1)인 정류 다이오드를 대체하는, 제 1 접속 단자(D1)와 제 2 접속 단자(S1) 사이의 동기식 정류기 브릿지 부재(11)를 형성한다.
접속 단자(D1, S1)와 병렬인 로드 펌프(120는 구동 회로(6)의 연산 증폭기(7)에 의해 요구되는 고 공급 전압(VH) 및 저 공급 전압(VL)을 생성한다.
로드 펌프(12)는 발생된 전압(VH, VL)이 공급되는 오실레이터(13)에 의해 제 어된다.
도 5의 전체적인 도면에 도시된 본 발명의 바람직한 제 2 실시예는, 투명 방식에서 도 1에 도시된 바와 같은 다이오드 비동기식 정류기 브릿지 암을 대체하는 동기식 정류기 브릿지 부재(14)이다.
따라서 부재(14)는 정류기 브릿지의 양극에 상응하는 제 1 접속 단자(B+)와, 교류기의 상들 중 하나에 접속된 제 2 단자(P) 및 일반적으로 접지되는 제 3 단자(B-)의 세 개의 접속 단자들을 포함한다.
단일 다이오드를 대체하기 위한 어셈블리와 유사한 방식으로, 다이오드 브릿지 암을 대체하기 위한 어셈블리는 제 1 N-채널 MOSFET 트랜지스터(15), 또는 수 개의 트랜지스터들을 병렬식으로 포함하며, 이것의 드레인(16)은 제 1 접속 단자(B+)에 접속되고 이것의 소스(17)는 제 2 접속 단자(P)에 접속된다.
이것은 제 2 N-채널 MOSFET 트랜지스터(18), 또는 수 개의 트랜지스터들을 병렬식으로 더 포함하며, 이것의 드레인(19)은 제 2 접속 단자(P)에 접속되고 이것의 소스(20)는 제 3 접속 단자(B-)에 접속된다.
제 1 및 제 2 MOSFET 트랜지스터(15, 18)의 게이트(21, 22)는 도 3에 도시된 바와 같은 구동 회로(23, 24)에 의해 각각 구동된다.
구동 회로(23, 24)는 제 1 접속 단자(B+)와 제 3 접속 단자(B-) 사이의 전압으로부터 고 공급 전압(VH) 및 저 공급 전압(VL)을 발생시키는 로드 펌프(25)에 의해 공급된다.
고 공급 전압(VH)은 제 1 구동 회로(23)의 양의 공급 단자(V+)와, 제 2 접속 단자(P)에 접속되는 음의 공급 단자(V-)로 공급된다.
저 공급 전압(VL)은 제 2 구동 회로(24)의 양의 공급 단자(V+)와, 제 3 접속 단자(B-)에 접속되는 음의 공급 단자(V-)로 공급된다.
이러한 로드 펌프(25)는 발생된 공급 전압(VH, VL)을 공급받는 오실레이터(26)에 의해 제어된다.
로드 펌프(25)를 대기 상태(standby)로 설정하는 회로(27)는 제 2 접속 단자(P), 즉 상 단자와 제 3 접속 단자(B-), 즉 일반적으로 접지 사이의 저항 브릿지(28)에 의해 드로잉된(drawn) 전압의 평균 진폭에 따라서 동작으로 진입한다.
평균 진폭이 사전결정된 값보다 작을 때, 대기-설정 회로(27)는 로드 펌프(25)를 제 1 단자(B+)로부터 분리시킨다.
이러한 저전압 보호(under-voltage protection)는 만약 교류기의 단자에서의 전압이 트랜지스터(15, 18)의 올바르게 제어하기에 충분치 않아 결함이 발생할 수 있는 경우 동기식 정류의 비활성화를 허용한다.
로드 펌프(25)를 정지시키는 것은 상 전압의 주파수가 최소 주파수보다 작을 때 바람직하게 트리거링된다.
이러한 경우, 동기식 정류기 브릿지 부재(14)는 MOSFET 트랜지스터(15, 18)의 기생 다이오드 덕분에 종래의 다이오드 브릿지와 같은 역할을 한다.
바람직하게는, MOSFET 트랜지스터를 구동하기 위한 회로(23, 24)는 상 전압의 주파수가 0일 때, 즉 교류기가 정지되었을 때 저항을 포함하는 션트(shunt) 회로를 통해 제 2 접속 단자(P) 또는 상 단자에 접지한다.
추가의 접속 단자는 (교류기의 과열을 발생시킬 수 있는) 부재(14)의 결함을 나타내는 진단 신호를 다시 전송한다.
본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재(14)의 개략도가 도 6에 주어졌다.
원래 알려진 구동 회로(23, 24)의 세부사항은 특별한 언급을 필요로 하지 않는다.
공급 전압(VH, VL)을 발생시키는 로드 펌프(25)는 두 개의 다이오드(D1, D2)와 세 개의 커패시터(C3, C4, C5)를 포함하고, 이것의 병렬 충전 및 직렬 방전은 2 개의 N-채널 MOSFET 트랜지스터(M5, M6)에 의해 제어되며, 이것의 게이트는 오실레이터(26)의 출력(G1, G2)에 의해 구동된다.
대기-설정 회로(27)는 동기식 정류기 브릿지 부재(14)의 제 1 접속 단자(B+)와 제 3 접속 단자(B-) 사이의 로드 펌프(25)에 공급하기 위한 회로 내의 스위치로서의 역할을 하는 NPN 트랜지스터(Q2)를 포함한다.
이러한 트랜지스터(Q2)의 베이스는 커패시터(C6)에 의해 필터링되고 NPN 트랜지스터(Q1)에 이어 PNP 트랜지스터(Q3)에 의해 캐스캐이드 증폭된 후 저항 브릿지(28)에 의해 상 단자(P)와 제 3 단자(B-) 사이에서 드로잉된 전압에 의해 제어된다.
본 발명에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재는 바람직하게는 IML(Insulated Moulded Leadframe) 기술 오버몰딩된(overmoulded) 박스의 형태로 생성된다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 동기식 정류기 브릿지 부재(14), 즉 정류기 브릿지 암을 IML 기술로 집적화하는 예시를 개략적으로 도시한다.
오버몰딩된 박스(30)의 금속성 바닥(29)은 부재(14)의 제 3 접속 단자(B-)를형성하고 열을 방산한다.
부재(14)의 제 1 접속 단자(B+)와 제 2 접속 단자(P)에 각각 상응하는 제 1 및 제 2 리드프레임(31, 32)은 열 전도성이지만 전기 절연성인 접착제(예로서 글라스비드 실리콘)을 사용하여 금속성 바닥(29) 상에 접착된다.
실질적으로 직사각형의 연장된 형태를 갖는 제 1 리드프레임(31)은 제 1 MOSFET 트랜지스터(15)(또는 병렬식의 수 개의 트랜지스터들)를 지지한다.
실질적으로 L-형이고 제 1 리드프레임(31)에 병렬 배치되는 제 2 리드프레임(32)은 제 2 MOSFET 트랜지스터(18)(또는 병렬식의 수 개의 트랜지스터들)와 ASIC 회로(33)를 지지한다.
ASIC 회로(33)는 로드 펌프(25), 오실레이터(26), 대기-설정 회로(27) 및 MOSFET(15, 18)을 구동하기 위한 회로(23, 24)를 포함한다.
또한 바람직하게는 부재(14)의 진단 회로 및 션트 회로를 포함한다.
동기식 정류기 브릿지 부재(14)를 독립적인 모듈(30)로 집적화하는 것은 이것이 종래의 정류기 브릿지 암을 형성하는 한 쌍의 다이오드와 동일한 방식으로 버튼 부재 내에 패키징되는 것을 가능케 한다.
그 결과인 도 8의 도면은 본 발명에 따라 동기식 정류기 브릿지 부재를 사용한 예시이고, 종래의 교류기(34)의 다이오드 버튼 부재를 새로운 MOSFET 부재(35)로 대체한 것은 완전히 명백하며, 도 8로부터 당업자는 자신이 각각이 통상적으로 다이오드 정류기 브릿지 암을 포함하는 세 개의 버튼 부재(35)를 구비하는 3-상 교류기(34)의 외형을 쉽게 인식할 수 있을 것이라 생각할 것이다.
물론, 본 발명은 하나 또는 두 개의 정류 다이오드의 동등물인 회로의 집적화와 관련하여 전술된 바람직한 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
유사한 설명이 두 개보다 많은 수의 다이오드와 동등한 동기식 정류기 브릿지 부재에 적용될 수 있다.
또한, 전술된 반도체 부재의 특정 유형, 즉 N-채널 MOSFET, PNP 또는 NPN 트랜지스터는 오직 예시로서 주어진 것이다.
본 발명은 대안이 아래의 특허청구범위에 의해 정의되는 범주 내에 포함되는 한, 인가된 전압의 극성의 변화의 대가로, 전술된 것들과 동등한 기능을 갖는 임의의 다른 유형의 반도체 부재를 구현하는 가능한 모든 다른 실시예들을 커버한다.

Claims (11)

  1. 적어도 제 1 접속 단자(D1, B+)와 적어도 제 2 접속 단자(S1, P)를 구비하는 동기식 정류기 브릿지 부재(synchronous rectifier bridge member)(11, 14)로서,
    상기 부재(11, 14)는 적어도 제 1 전계 효과 트랜지스터(10, 15)와 적어도 제 1 연산 증폭기(7, U1A)를 포함하되,
    상기 제 1 전계 효과 트랜지스터(10, 15)의 제 1 소스(10a, 16)와 제 1 드레인(10b, 17)은 각각 상기 제 1 단자(D1, B+)와 상기 제 2 단자(S1, P)에 접속되고,
    상기 제 1 연산 증폭기(7, U1A)는 제 1 피드백 루프(R, C; R3, C1)를 포함하고, 사전결정된 기준 전압을 갖는 적어도 제 1 전압 소스(Uref, Vref)와 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자(D1, B+; S1, P)에 인가된 전압들 간의 적어도 제 1 전압차(Vds)에 대한 비교기로서 장착되며, 상기 제 1 연산 증폭기의 제 1 출력(8)은 상기 제 1 트랜지스터(10, 15)의 제 1 게이트(9, 21)에 접속되고,
    상기 부재(11, 14)는 상기 인가된 전압들로부터 상기 제 1 증폭기(7, U1A)의 공급 전압(VH, VL) 중 적어도 하나를 발생시키는 로드 펌프(load pump)(12, 25)를 더 포함하는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드 펌프(12, 25)는 상기 로드 펌프(12, 25)에 의해 전압이 공급되는 오실레이터(13, 26)에 의해 제어되는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 인가된 전압들 중 적어도 하나의 평균 진폭 또는 주파수가 사전결정된 값보다 작을 때, 상기 로드 펌프(25)를 대기 상태로(in standby) 설정하는 회로(27)를 포함하는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 제 2 전계 효과 트랜지스터(18)와 제 2 연산 증폭기(U1B)를 포함하되,
    상기 제 2 전계 효과 트랜지스터(18)의 제 2 소스(19)와 제 2 드레인(20)은 각각 상기 제 2 단자(P)와 제 3 접속 단자(B-)에 접속되고,
    상기 제 2 연산 증폭기(U1B)에는 상기 로드 펌프(25)에 의해 발생된 상기 공급 전압(VH, VL)이 적어도 부분적으로 공급되고, 제 2 피드백 루프(R4, C2)를 포함하며, 상기 제 2 연산 증폭기는 상기 사전결정된 기준 전압을 갖는 제 2 전압 소 스(Vref) 및 상기 인가된 전압들 중 상기 제 2 단자(P) 상에 존재하는 전압과 상기 인가된 전압들 중 상기 제 3 단자(B-) 상에 존재하는 전압 간의 제 2 전압차에 대한 비교기로서 장착되고, 상기 제 2 연산 증폭기의 제 2 출력은 상기 제 2 트랜지스터(18)의 제 2 게이트(22)에 접속되는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 로드 펌프(25)는 상기 인가된 전압들 중 상기 제 2 단자(P) 상에 존재하는 전압의 평균값 또는 주파수에 따라 상기 제 1 단자(B+)와 상기 제 3 단자(B-) 사이에서 선택적으로 공급받는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 단자(P)는 상기 인가된 전압들 중 상기 제 2 단자(P) 상에 존재하는 전압의 주파수가 0일 때, 저항을 포함하는 션트 회로(shunt circuit)에 의해 상기 제 3 단자(B-)로 접속되는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부재의 결함을 나타내는 진단 신호(diagnostic signal)를 갖는 추가의 접속 단자를 포함하는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 단자(S1) 또는 상기 제 3 단자(B-)에 접속되는 금속성 바닥(29)을 구비하고, 상기 제 1 단자(D1)에 접속되어 상기 제 1 트랜지스터(10)를 지지하거나 또는 상기 제 1 및 제 2 단자(B+, P)에 접속되어 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(15, 18)를 지지하는 하나 이상의 분리된 리드프레임들(31, 32)을 구비하는 오버몰딩된(overmoulded) 박스(30)의 형태로 제조되는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 증폭기(7, U1A) 및/또는 상기 제 2 증폭기(U1B), 상기 로드 펌프(12, 25), 및/또는 상기 오실레이터(13, 26), 및/또는 상기 대기-설정 회로(27), 및/또는 상기 션트 회로, 및/또는 상기 진단 회로는 하나 이상의 ASIC 회로(33)의 형태로, 바람직하게는 단일 ASIC 회로(33)의 형태로 제조되는
    동기식 정류기 브릿지 부재.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 정류기 브릿지 부재(11, 14)로 이루어진 동기식 정류기 브릿지.
  11. 적어도 제 10 항에 따른 동기식 정류기 브릿지를 포함하는 발전기형 전기적 회전 기계장치(34).
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