KR20090054327A - Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same - Google Patents

Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR20090054327A
KR20090054327A KR1020070121127A KR20070121127A KR20090054327A KR 20090054327 A KR20090054327 A KR 20090054327A KR 1020070121127 A KR1020070121127 A KR 1020070121127A KR 20070121127 A KR20070121127 A KR 20070121127A KR 20090054327 A KR20090054327 A KR 20090054327A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
parts
oxide
electrode
display panel
Prior art date
Application number
KR1020070121127A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤해상
고준혁
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020070121127A priority Critical patent/KR20090054327A/en
Publication of KR20090054327A publication Critical patent/KR20090054327A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/38—Dielectric or insulating layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 도전성 물질, 글라스 프릿, 바인더, 광 개시제를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 있어서, 상기 글라스 프릿은, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 제공한다.The present invention relates to a composition for a plasma display panel electrode comprising a conductive material, a glass frit, a binder, and a photoinitiator, wherein the glass frit comprises 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 based on 100 parts by weight of the glass frit. To 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2 parts by weight of titanium oxide (TiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) and more than 0 to 10 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO) comprising a composition for a plasma display panel electrode do.

플라즈마 디스플레이 패널 Plasma display panel

Description

플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 그 제조방법, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 및 플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel Electrode Composition And Fabricating Of The Same, Plasma Display Panel Electrode And Plasma Display Panel Comprising The Same}Plasma Display Panel Electrode Composition And Fabricating Electrode And Plasma Display Panel Electrode And Plasma Display Panel Comprising The Same

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 그 제조방법, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 및 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for a plasma display panel electrode, a method of manufacturing the same, an electrode for a plasma display panel and the plasma display panel including the same.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)은 전면 기판과 후면 기판에 형성된 각각의 상부 유전체 및 하부 유전체와 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성된 격벽(Barrier Rip)이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주방전 기체와 소량의 크세논(Xe)을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. In general, a plasma display panel (Plasma Display Panel) is a unit cell is formed by each of the upper and lower dielectric formed on the front substrate and the rear substrate and a barrier rip formed between the front substrate and the rear substrate, each cell The inside is filled with a gas such as neon (Ne), helium (He) or a mixture of neon and helium (Ne + He), and an inert gas containing a small amount of xenon (Xe).

따라서, 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.Therefore, when discharged by a high frequency voltage, the inert gas generates vacuum ultraviolet rays and emits phosphors formed between the partition walls to realize an image. Such plasma display panels are not only easy to thin and large in size, but also greatly improved as a result of recent technology developments, and thus are attracting attention as next generation display devices.

플라즈마 디스플레이 패널의 전극은 플라즈마 디스플레이 패널의 단자부에서 이방성 도전필름에 의해 TCP(Tape Carrier Package)와 같은 드라이버 IC 패키지와 연결된다. 이때, 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 내에칭 특성이 좋지 않으면, 플라즈마 디스플레이 패널의 단자부에서 전극이 탈락되는 문제점이 발생하였다.The electrode of the plasma display panel is connected to a driver IC package such as a tape carrier package (TCP) by an anisotropic conductive film at a terminal portion of the plasma display panel. In this case, if the etching resistance of the plasma display panel electrode is not good, a problem occurs that the electrode is dropped from the terminal portion of the plasma display panel.

따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 단자부에서 전극으로 인가되는 전기적 신호의 불량이 발생하여 플라즈마 디스플레이 패널의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.Therefore, there is a problem in that the electrical signal applied to the electrode from the terminal portion of the plasma display panel occurs, thereby lowering the reliability of the plasma display panel.

따라서, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 전기적 신호불량을 방지하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 그 제조방법, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 및 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.Accordingly, the present invention provides a composition for a plasma display panel electrode and a method of manufacturing the same, and a plasma display panel electrode and a plasma display panel including the same, which can prevent electrical signal defects of the plasma display panel and improve reliability.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 도전성 물질, 글라스 프릿, 바인더, 광 개시제를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 있어서, 상기 글라스 프릿은, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, the composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention is a composition for a plasma display panel electrode comprising a conductive material, a glass frit, a binder, a photoinitiator, wherein the glass frit, 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2, based on 100 parts by weight of the glass frit. Parts by weight titanium oxide (TiO 2 ), greater than 0 and less than 1 part by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) and greater than 0 and less than 10 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2) O 3 ) or zinc oxide (ZnO).

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물의 제조방법은 글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 제조하는데 있어서, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부 의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 전극용 조성물을 혼합하는 단계, 상기 혼합된 전극용 조성물을 용융하는 단계, 상기 용융된 전극용 조성물을 분쇄하는 단계, 상기 분쇄된 전극용 조성물을 1차 건식 미분쇄하는 단계, 상기 1차 건식 미분쇄된 전극용 조성물을 2차 건식 미분쇄하는 단계 및 상기 2차 건식 미분쇄된 전극용 조성물을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다. In addition, the method of manufacturing a composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention, in manufacturing a composition for a plasma display panel electrode including a glass frit, 58 to 78 parts by weight based on 100 parts by weight of the glass frit Lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), greater than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2 parts by weight of titanium oxide (TiO 2 ), greater than 0 to 1 part by weight Electrode comprising less than or equal to iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) and greater than 0 to 10 parts by weight or less bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO) Mixing the composition for melting, melting the mixed composition for the electrode, pulverizing the molten electrode composition, first dry fine grinding of the pulverized electrode composition, the first dry fine grinding The composition for the prepared electrode 2 May include the step, and drying said second dry-milling an electrode composition for dry-milling.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 전극은 도전성 물질 및 글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극에 있어서, 상기 글라스 프릿은, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다.In addition, the plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention is a plasma display panel electrode comprising a conductive material and a glass frit, the glass frit, 58 to 78 parts by weight based on 100 parts by weight of the glass frit Lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), greater than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2 parts by weight of titanium oxide (TiO 2 ), greater than 0 to 1 part by weight It may include up to parts iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) and more than 0 up to 10 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO). have.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판, 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판 및 상기 전면 기판 또는 후면 기판 상에 형성된 전극을 포함하고, 상기 전극은 도전성 물질 및 글라스 프릿을 포함하며, 상기 글라스 프릿은, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다.In addition, the plasma display panel according to an embodiment of the present invention includes a front substrate, a rear substrate facing the front substrate, and an electrode formed on the front substrate or the rear substrate, and the electrode includes a conductive material and a glass frit. The glass frit may include 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), and more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 ), based on 100 parts by weight of the glass frit. O 3 ), 1 to 2 parts by weight of titanium oxide (TiO 2 ), greater than 0 to 1 parts by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) and greater than 0 to 10 parts by weight The following bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO) may be included.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 그 제조방법, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 및 플라즈마 디스플레이 패널은 단자부에서 전극이 탈락되는 현상을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The composition for a plasma display panel electrode, a method for manufacturing the same, a plasma display panel electrode and a plasma display panel including the same have an advantage of improving reliability by preventing the electrode from falling off from the terminal portion.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for describing a plasma display panel according to an exemplary embodiment.

도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 형성된 전면 패널(100)과, 배면을 이루는 후면 기 판(111) 상에 전술한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 교차 되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 나란하게 위치한다.Referring to FIG. 1, a plasma display panel includes a front panel 100 having a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 formed on a front substrate 101, and a scan electrode described above on a rear substrate 111 forming a rear surface thereof. The rear panel 110 in which the plurality of address electrodes 113 are arranged so as to intersect the 102 and the sustain electrode 103 is positioned side by side with a predetermined distance therebetween.

상기 전면 패널(100)은 방전 공간, 즉 방전 셀(Cell)에서 방전과 방전 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 위치한다. 보다 자세하게는 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(102a)과 불투명 금속재질로 제작된 버스 전극(102b)을 포함하는 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 상기 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체 층(104)에 의해 덮혀진다. 상기 상부 유전체 층(104) 상에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호 층(105)이 위치한다.In the front panel 100, a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 are disposed in a discharge space, that is, to maintain discharge and light emission of the discharge cell. More specifically, a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 including a transparent electrode 102a formed of a transparent ITO material and a bus electrode 102b made of an opaque metal material are included in pairs. The scan electrode 102 and the sustain electrode 103 are covered by one or more upper dielectric layers 104 that limit the discharge current and insulate the electrode pairs. A protective layer 105 on which magnesium oxide (MgO) is deposited is disposed on the upper dielectric layer 104 to facilitate discharge conditions.

상기 후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 웰 타입(Well Type) 또는 스트라이프 타입의 오픈형의 폐쇄형 격벽(112)을 포함한다. 또한, 데이터 펄스를 공급하기 위한 다수의 어드레스 전극(113)이 위치한다. The rear panel 110 includes a plurality of discharge spaces, that is, a closed type partition wall 112 of a well type or stripe type for partitioning discharge cells. Also, a plurality of address electrodes 113 are provided for supplying data pulses.

이러한, 격벽(112)에 의해 구획된 복수의 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114), 바람직하게는 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 형광체 층이 위치한다.In the plurality of discharge cells partitioned by the partition wall 112, the phosphor layer 114 for emitting visible light for image display during address discharge, preferably red (R), green (G). A blue (B) phosphor layer is located.

그리고, 어드레스 전극(113)과 형광체 층(114) 사이에는 하부 유전체 층(115)이 위치한다.The lower dielectric layer 115 is positioned between the address electrode 113 and the phosphor layer 114.

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 전극은 플라즈마 디스플레이 패널 중 어드 레스 전극 또는 버스 전극으로 사용될 수 있다.Here, the electrode according to the embodiment of the present invention may be used as an address electrode or a bus electrode in the plasma display panel.

도 1에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 일례만을 도시하고 설명한 것으로써, 본 발명이 도 1의 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(100)에는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103), 어드레스 전극(113)이 형성된 것을 도시하고 있지만, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에서는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103) 또는 어드레스 전극(113) 중 하나 이상이 생략될 수도 있다.In FIG. 1, only an example of the plasma display panel is shown and described, and the present invention is not limited to the plasma display panel having the structure of FIG. 1. For example, although the scan electrode 102, the sustain electrode 103, and the address electrode 113 are formed in the plasma display panel 100 of FIG. 1, the scan electrode 102 is formed in the plasma display panel of the present invention. At least one of the sustain electrode 103 and the address electrode 113 may be omitted.

또한, 도 1에서는 방전 셀을 구획하기 위한 격벽(112)이 후면 기판(111) 상에 형성된 경우만을 도시하고 있지만, 이와는 다르게 격벽(112)이 전면 기판(101) 상에 형성되는 것도 가능하며, 전면 기판(101)과 후면 기판(112)에 각각 형성될 수 있다.In addition, in FIG. 1, only the case where the partition wall 112 for partitioning the discharge cells is formed on the rear substrate 111 is illustrated. Alternatively, the partition wall 112 may be formed on the front substrate 101. It may be formed on the front substrate 101 and the rear substrate 112, respectively.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판과 후면 기판에 위치하는 어드레스 전극 또는 버스 전극을 포함할 수 있다. 상기 어드레스 전극 또는 버스 전극은 도전성 물질, 글라스 프릿, 바인더, 광 개시제를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 의해 제조될 수 있다. 이때, 상기 글라스 프릿은 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3)를 포함하고, 상기 글라스 프릿은 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무 스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 사용하여 형성되는 것으로 그 외의 다른 사항은 변경 가능한 것이다. The plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention may include an address electrode or a bus electrode positioned on the front substrate and the rear substrate. The address electrode or bus electrode may be manufactured by a composition for a plasma display panel electrode including a conductive material, a glass frit, a binder, and a photoinitiator. In this case, the glass frit is 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2 parts by weight Titanium oxide (TiO 2 ), more than 0 and 1 parts by weight or less of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), the glass frit is more than 0 to 10 parts by weight It is formed using a composition for a plasma display panel electrode further comprising bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO), and other matters are changeable.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 조성물은 도전성 물질, 글라스 프릿, 바인더, 광개시제를 포함할 수 있다. The electrode composition of the plasma display panel according to an embodiment of the present invention may include a conductive material, a glass frit, a binder, a photoinitiator.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 도전성 물질은 전극을 구성하는 금속 물질로 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있으며, 이 중 가격이 저렴하고 산화에 의한 도전성의 저하가 발생하지 않는 은(Ag)을 사용할 수 있다.The composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may include a conductive material. The conductive material may be one or more selected from the group consisting of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni), and chromium (Cr). Among these, silver (Ag), which is inexpensive and does not cause a decrease in conductivity due to oxidation, may be used.

여기서, 도전성 물질은 광투과성 및 정밀한 패턴 형성을 고려하여, 평균 입자 직경이 0.1 내지 10㎛일 수 있다.Herein, the conductive material may have an average particle diameter of 0.1 to 10 μm in consideration of light transmittance and precise pattern formation.

도전성 물질은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 60 내지 70 중량부로 포함될 수 있다. 여기서, 도전성 물질의 함량이 60 중량부 이상이면 추후 소성 공정 시 도전막의 선폭이 수축되어 단선되는 것을 방지할 수 있고, 70 중량부 이하이면, 광투과성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The conductive material may be included in an amount of 60 to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a plasma display panel electrode. Here, if the content of the conductive material is 60 parts by weight or more, it is possible to prevent the line width of the conductive film from shrinking and disconnecting during the subsequent firing step, and if it is 70 parts by weight or less, there is an advantage of preventing the light transmittance from being lowered.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 글라스 프릿을 포함할 수 있다. 글라스 프릿은 전극과 기판 사이의 접착력을 부여하는 역할을 하는 것으로, 산화납(PbO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 산화붕소(B2O3)를 포함할 수 있으며, 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 더 포함할 수 있다.The composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may include a glass frit. The glass frit plays a role of imparting adhesion between the electrode and the substrate, and includes lead oxide (PbO), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), and iron oxide (Fe 2). O 3 ), and may include boron oxide (B 2 O 3 ), and may further include bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO).

상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO)을 포함할 수 있다. 여기서, 산화납이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 58 중량부 이상이면, 전극 조성물로부터 형성된 전극의 소성온도가 높아지는 것을 방지할 수 있고, 산화납이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 58 중량부 이하이면, 전극의 열팽창계수가 높아지고 소성온도가 너무 낮아지는 것을 방지할 수 있다.The glass frit may include 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO) based on 100 parts by weight of glass frit. Here, when lead oxide is 58 weight part or more with respect to 100 weight part of glass frits, it can prevent that the baking temperature of the electrode formed from the electrode composition becomes high, and if lead oxide is 58 weight part or less with respect to 100 weight part of glass frits, It is possible to prevent the thermal expansion coefficient of the electrode from becoming high and the firing temperature from becoming too low.

상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 여기서, 산화규소(SiO2)가 글라스 프릿 100 중량부에 대해 12 중량부 이상이면, 전극 조성물의 점도가 감소되는 것을 방지할 수 있고, 산화규소(SiO2)가 글라스 프릿 100 중량부에 대해 33 중량부 이하이면, 전극의 화학적 내구성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.The glass frit may include 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ) based on 100 parts by weight of glass frit. Here, when the silicon oxide (SiO 2 ) is 12 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the glass frit, it is possible to prevent the viscosity of the electrode composition from decreasing, and the silicon oxide (SiO 2 ) is 33 parts by weight of the glass frit by 33 parts by weight. If it is below a weight part, it can prevent that the chemical durability of an electrode is reduced.

상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3)을 포함할 수 있다. 여기서, 산화알루미늄(Al2O3)이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0을 초과하면, 화학적 내구성을 향상시킬 수 있고, 산화알루미늄(Al2O3)이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 중량부 이하이면, 전극 조성물의 점도가 상승되는 것을 방지할 수 있다.The glass frit may include aluminum oxide (Al 2 O 3 ) that is greater than 0 and less than or equal to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the glass frit. Here, when aluminum oxide (Al 2 O 3 ) exceeds 0 with respect to 100 parts by weight of the glass frit, chemical durability can be improved, and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the glass frit. If it is below, it can prevent that the viscosity of an electrode composition raises.

상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2)을 포함할 수 있다. 여기서, 산화티타늄(TiO2)이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 중량부를 초과하면, 화학적 내구성을 향상시킬 수 있고, 산화티타늄(TiO2)이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 2 중량부 이하이면, 유리전이온도가 너무 상승되는 것을 방지할 수 있다.The glass frit may include 1 to 2 parts by weight of titanium oxide (TiO 2 ) based on 100 parts by weight of glass frit. Here, when titanium oxide (TiO 2 ) exceeds 1 part by weight based on 100 parts by weight of glass frit, chemical durability may be improved, and when titanium oxide (TiO 2 ) is 2 parts by weight or less based on 100 parts by weight of glass frit, It is possible to prevent the glass transition temperature from being too high.

상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3)을 포함할 수 있다. 여기서, 산화철(Fe2O3)이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0을 초과하면, 조성물 용융 온도가 너무 낮아지는 것을 방지하고, 산화철(Fe2O3)이 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 중량부 이하이면, 결정화도를 감소시킬 수 있는 이점이 있다.The glass frit may include iron oxide (Fe 2 O 3 ) of greater than 0 and less than or equal to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the glass frit. Here, when iron oxide (Fe 2 O 3 ) exceeds 0 with respect to 100 parts by weight of glass frit, the composition melting temperature is prevented from becoming too low, and iron oxide (Fe 2 O 3 ) is 1 weight per 100 parts by weight of glass frit If it is less than or equal, there is an advantage that the crystallinity can be reduced.

상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3)를 포함할 수 있다. 여기서, 산화붕소(B2O3)가 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 중량부 이상이면, 전극의 화학적 내구성을 향상시킬 수 있고, 산화붕소(B2O3)가 글라스 프릿 100 중량부에 대해 4 중량부 이하이면, 전극의 열팽창계수가 너무 높아지는 것을 방지할 수 있다.The glass frit may include 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) based on 100 parts by weight of glass frit. Here, when boron oxide (B 2 O 3 ) is 1 part by weight or more based on 100 parts by weight of the glass frit, the chemical durability of the electrode can be improved, and boron oxide (B 2 O 3 ) is contained in 100 parts by weight of the glass frit If it is 4 weight part or less, it can prevent that the thermal expansion coefficient of an electrode becomes too high.

또한, 상기 글라스 프릿은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 더 포함할 수 있다. 산화비스무스(Bi2O3) 및 산화아연(ZnO)은 전극의 내에칭성을 향상시킬 수 있는 물질들로 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0을 초과하면, 전극의 내에칭성을 향상시킬 수 있고, 글라스 프릿 100 중량부에 대해 10 중량부 이하이면, 열팽창계수가 너무 높아져 전극의 형태안정성이 저해되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the glass frit may further include bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO) of more than 0 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the glass frit. Bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and zinc oxide (ZnO) are materials that can improve the etching resistance of the electrode, and if it exceeds 0 with respect to 100 parts by weight of the glass frit, the etching resistance of the electrode may be improved. When it is 10 weight part or less with respect to 100 weight part of glass frits, it can prevent that a thermal expansion coefficient becomes high too much and the shape stability of an electrode is impaired.

상기 글라스 프릿은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 여기서, 글라스 프릿이 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 중량부 이상이면, 기판과 전극 사이의 접착력을 제공할 수 있고, 글라스 프릿이 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 5 중량부 이하이면, 전극의 도전성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. The glass frit may be included in an amount of 1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a plasma display panel electrode. Here, when the glass frit is 1 part by weight or more based on 100 parts by weight of the composition for the plasma display panel electrode, the adhesive force between the substrate and the electrode may be provided, and the glass frit is 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for the plasma display panel electrode. It is an advantage that it can prevent that electroconductivity of an electrode falls that it is negative or less.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 바인더를 포함할 수 있다.The composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may include a binder.

바인더는 통상적으로 사용하는 아크릴계 수지, 스티렌 수지, 노볼락 수지 또는 폴리에스테르 수지 등을 사용할 수 있다. As the binder, an acrylic resin, a styrene resin, a novolak resin, a polyester resin or the like which is commonly used may be used.

또한, 바인더는 광중합성 단량체를 더 포함할 수 있다. 광중합성 단량체는 예를 들어, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리 에틸렌 글 리콜 디아크릴레이트, 폴리 우레탄 디아크릴레이트, 트리 메틸올 프로판 트리 아크릴레이트, 펜타 에리스리틀 트리 아크릴레이트, 펜타 에리스리틀 테트라 아크릴레이트, 트리 메틸올 프로판 에틸렌 옥사이드 변성 트리 아크릴레이트, 트리 메틸올 프로판 프로필렌 옥사이드 변성 트리 아크릴레이트, 디펜타 에리스리틀 펜타 아크릴레이트, 디펜타 에리스리틀 헥사 아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류일 수 있으며, 프탈산, 아디프산, 말레산, 아타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 (모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의)히드록시 알킬 아크릴레이트 등의 상기 나열된 물질 중 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. In addition, the binder may further include a photopolymerizable monomer. Photopolymerizable monomers are, for example, 2-hydroxy ethyl acrylate, 2-hydroxy propyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyurethane diacryl Latex, trimethylol propane triacrylate, pentaerythrite triacrylate, pentaerythreat tetraacrylate, trimethylol propane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylol propane propylene oxide modified triacrylate, dipentaerythrite Penta acrylate, dipentaerythrite hexa acrylate and methacrylates corresponding to the acrylate, and polybasic acids such as phthalic acid, adipic acid, maleic acid, ataconic acid, succinic acid, trimellitic acid, terephthalic acid and the like (mono) -, Di-, tree- or more Any one or more selected from the above-listed materials such as hydroxyalkyl acrylate can be used.

바인더는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 5 내지 10 중량부를 포함할 수 있다.The binder may include 5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for plasma display panel electrodes.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 광 개시제를 포함할 수 있다. 광 개시제는 노광 공정 중 라디칼을 발생시키는 물질일 수 있으며, 예를 들어 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르 등의 벤조인 및 벤조인 알킬 에트르류와, 아세토페논, 2,2-디멕톡시-2-페닐 아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐 아세토페논, 1,1-디클로로 아세토페논 등의 아세토페논류와, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노 프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-[4-모르폴리노페닐]-부탄-1-온 등의 아미노아세토페논류와, 2-메틸 안트라퀴논, 2-에틸 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 1-클로로 안트라퀴논 등의 안트라퀴논류와, 2,4-디메틸 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2- 클로로 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤 등의 티오크산톤류와, 아세토페논 디메틸 케탈, 벤질 디메틸 케탈 등의 케탈류와, 벤조페논 등의 벤조페논류와, 크크란톤류와,(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리 메틸 벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸 벤조일 페닐 포스피네이트 등의 포스핀옥사이드류와 퍼옥사이드류일 수 있으며, 이들 중 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.The composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may include a photoinitiator. The photoinitiator may be a substance that generates radicals during the exposure process, for example, benzoin and benzoin alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and acetophenone Acetophenones such as 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenyl acetophenone, 1,1-dichloro acetophenone, and 2-methyl-1- [4- Aminoacetophenones such as (methylthio) phenyl] -2-morpholino propane-1-one and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- [4-morpholinophenyl] -butan-1-one; Anthraquinones, such as 2-methyl anthraquinone, 2-ethyl anthraquinone, 2-t-butyl anthraquinone, and 1-chloro anthraquinone, and 2,4-dimethyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxide Thioxanthones such as santone, 2-chloro thioxanthone and 2,4-diisopropyl thioxanthone, ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal, and benzophenone Benzophenones, crantones, (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-pentyl phosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenyl phosphine oxide, 2 Phosphine oxides and peroxides such as 4,6-trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide, ethyl-2,4,6-trimethyl benzoyl phenyl phosphinate, and any one or more selected from these may be used. have.

광 개시제는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.The photoinitiator may be included in an amount of 1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a plasma display panel electrode.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 용매를 더 포함할 수 있다. 용매로는 바인더 및 광 개시제를 용해시킬 수 있는 물질을 사용할 수 있으며 예를 들어, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콘모노메틸에테르아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.The composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may further include a solvent. As a solvent, a substance capable of dissolving a binder and a photoinitiator may be used. For example, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, texanol, terpin oil, dipropylene glycol methyl ether Or at least one selected from the group consisting of dipropylene glycol ethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, and tripropylene glycol.

용매는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.The solvent may be included in an amount of 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a plasma display panel electrode.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로는 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 감도를 향상시키는 증감제, 분산성을 향상시키는 분산제 등을 포함할 수 있다. 또한, 인산, 인산에스테르, 카르복실산 함유 화합물 등의 코팅 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 폴리에스테로 변성 디메틸폴리실록산, 폴리히드록시카르복실산 아미드, 실리콘계 폴리아크릴레이트 공중합체 또는 불소계 파라핀 화합물 등의 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제를 더 포함할 수 있다.The composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may further include an additive. The additives may include antioxidants, ultraviolet light absorbers to improve resolution, sensitizers to improve sensitivity, dispersants to improve dispersibility, and the like. In addition, polymerization inhibitors and polyester-modified dimethylpolysiloxanes, polyhydroxycarboxylic acid amides, silicone-based polyacrylate copolymers or fluorine-based paraffin compounds which improve the storage properties of coating compositions such as phosphoric acid, phosphate esters and carboxylic acid-containing compounds It may further include a leveling agent for improving the flatness of the film during printing, such as.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 조성 중 글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물의 제조방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a composition for a plasma display panel electrode including a glass frit in the composition according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물의 제조방법을 플로어 차트로 나타낸 도면이다.2 is a floor chart illustrating a method of manufacturing a composition for a plasma display panel electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 전술한 글라스 프릿 100 중량부에 대해 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 글라스 프릿 원료를 V-혼합기, 텀블링 혼합기 또는 무중력 혼합기 등을 이용하여 골고루 혼합한다.(S1)Referring to FIG. 2, the composition for a plasma display panel electrode according to an exemplary embodiment of the present invention is 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO) and 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO) based on 100 parts by weight of the glass frit. 2 ), more than 0 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2 parts by weight of titanium oxide (TiO 2 ), more than 0 parts by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight A glass frit raw material containing negative boron oxide (B 2 O 3 ) and more than 0 and no more than 10 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO) may be used by using a V-mixer, a tumbling mixer, or a zero gravity mixer. Mix evenly. (S1)

다음으로, 상기 혼합된 글라스 프릿 원료를 백금 도가니에 투입하고 1000 내지 1300℃의 온도 범위에서 30 내지 60분 동안 용융한다.(S2) Next, the mixed glass frit raw material is put into a platinum crucible and melted for 30 to 60 minutes in a temperature range of 1000 to 1300 ° C. (S2)

용융물 내에 납성분이 다량 포함되어 발생될 수 있는 불혼화(immiscibility) 영역에 의한 조성 편차를 방지하기 위해 백금도가니 내에 교반기를 장착할 수 있다.A stirrer may be mounted in the platinum crucible to prevent compositional variation due to an immiscibility region that may be generated by including a large amount of lead in the melt.

이어, 상기 용융된 글라스 프릿 용융물을 롤 분쇄기를 이용하여 입자 직경이 약 1mm 이하가 되도록 분쇄한다(S3)Subsequently, the molten glass frit melt is pulverized to have a particle diameter of about 1 mm or less using a roll grinder (S3).

다음, 상기 분쇄된 글라스 프릿 분말을 볼 밀이나 디스크 밀 방식을 이용하여 1차 건식 미분쇄한다.(S4) 1차 건식 미분쇄 공정에서는 글라스 프릿 분말의 입자 직경이 약 10 내지 50㎛ 정도가 되도록 분쇄된다.Next, the pulverized glass frit powder is subjected to primary dry grinding using a ball mill or a disk mill method. (S4) In the primary dry grinding process, the particle diameter of the glass frit powder is about 10 to 50 μm. Crushed.

이어, 상기 1차 건식 미분쇄된 글라스 프릿 분말을 볼 밀 방식, 진동식 밀 방식, 제트 밀 방식을 이용하여 2차 건식 미분쇄한다.(S5) 2차 건식 미분쇄 공정에서는 글라스 프릿 분말의 입자 직경이 약 0.1 내지 10㎛ 정도가 되도록 미분쇄된다.Subsequently, the first dry fine pulverized glass frit powder is subjected to the second dry fine pulverization using a ball mill method, a vibrating mill method, and a jet mill method. It is pulverized so that it becomes about 0.1-10 micrometers.

다음으로, 상기 2차 건식 미분쇄된 글라스 프릿 분말을 건조시킨다.(S6) 건조 공정에서는 납(Pb) 또는 붕소(B) 성분의 용출을 최소화하기 위해 저온에서 건조하는 감압 진공 방식을 사용할 수 있다.Next, the secondary dry pulverized glass frit powder is dried. (S6) In the drying process, a reduced pressure vacuum method may be used at a low temperature to minimize the elution of lead (Pb) or boron (B) components. .

상기 건조 공정이 수행된 글라스 프릿 분말은 후술하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극을 제조하는데 사용될 수 있다.The glass frit powder subjected to the drying process may be used to manufacture a plasma display panel electrode which will be described later.

따라서, 상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 제조할 수 있다.Therefore, as described above, the composition for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention can be prepared.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 조성을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물로 이루어진 전극 및 그 제조방법을 설명한다.Hereinafter, an electrode made of a composition for a plasma display panel electrode including the composition according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 전극은 다음과 같은 제조방법에 의해 제조될 수 있다.The electrode for a plasma display panel electrode according to an embodiment of the present invention may be manufactured by the following manufacturing method.

먼저, 도전성 물질, 전술한 조성을 포함하는 글라스 프릿, 바인더 및 광 개시제를 용매에 분산시켜 전극용 조성물을 제조한다. 이때, 상기 분산은 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼밀, 비드 밀 등의 혼련기를 사용할 수 있다.First, a conductive material, a glass frit containing the above-described composition, a binder, and a photoinitiator are dispersed in a solvent to prepare a composition for an electrode. In this case, the dispersion may be a kneader such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, a ball mill, a bead mill, or the like.

상기 제조된 전극용 조성물을 기판 상에 코팅한 후 건조시켜 도전막을 형성한다. 이때, 기판 상에 전극용 조성물을 코팅하는 코팅 공정은 스크린 인쇄법, 롤코터법, 블레이드 코터법 슬릿 코터법, 커튼 코터법, 와이어 코터법 등을 사용할 수 있다.The electrode composition is coated on a substrate and then dried to form a conductive film. At this time, the coating process for coating the composition for the electrode on the substrate may be screen printing method, roll coater method, blade coater method slit coater method, curtain coater method, wire coater method and the like.

이어, 코팅된 도전막을 건조시킨다. 도전막의 건조 공정은 50 내지 150도의 온도 분위기에서 1 내지 30분 동안 수행될 수 있다. 이때, 기판 상에 형성된 도전막은 5 내지 30㎛의 두께로 이루어질 수 있다.Then, the coated conductive film is dried. The drying process of the conductive film may be performed for 1 to 30 minutes in a temperature atmosphere of 50 to 150 degrees. At this time, the conductive film formed on the substrate may be made of a thickness of 5 to 30㎛.

다음, 기판 상에 형성된 도전막의 표면에 일정 패턴이 형성된 마스크를 대고 노광한다. 이때, 상기 노광은 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 사용할 수 있다.Next, the mask on which the predetermined pattern was formed is exposed on the surface of the conductive film formed on the board | substrate. In this case, the exposure may use visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, and the like.

이어, 상기 노광된 도전막을 현상하여 전극 패턴을 형성한다. 이때, 상기 도전막을 현상하는데 사용할 수 있는 현상액은 수산화리듐, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산 이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산 나트륨 등의 염기를 포함하는 수용액을 사용할 수 있다.Subsequently, the exposed conductive film is developed to form an electrode pattern. At this time, the developer that can be used to develop the conductive film is lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, dihydrogen phosphate An aqueous solution containing a base such as sodium, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate or sodium borate can be used.

다음, 기판 상에 형성된 전극 패턴을 소성하여 전극 패턴 내의 도전성 물질 및 글라스 프릿을 제외한 유기물질을 제거한다. 이때, 상기 전극 패턴을 소성하는 공정은 대기중에서 400 내지 600도에서 10분 내지 3시간 정도 수행할 수 있다.Next, the electrode pattern formed on the substrate is fired to remove organic materials other than the conductive material and the glass frit in the electrode pattern. In this case, the process of firing the electrode pattern may be performed for 10 minutes to 3 hours at 400 to 600 degrees in the air.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극을 제조할 수 있다.Therefore, the plasma display panel electrode according to the exemplary embodiment may be manufactured.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극의 제조방법에 따른 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment according to a method of manufacturing an electrode of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

<실시예 1><Example 1>

바인더 아크릴 수지 5g 및 2-히드록시 에틸 아크릴레이트 5g, 용매 에틸카비톨 20g, 광 개시제 벤조인 1g을 50도에서 24시간 동안 용해했다. 그리고, 도전성 물질 은 65g과 글라스 프릿 4g을 혼합한 후 롤 밀을 이용하여 분산하여 페이스트를 제조하였다. 5 g of binder acrylic resin, 5 g of 2-hydroxy ethyl acrylate, 20 g of solvent ethyl carbitol, and 1 g of photoinitiator benzoin were dissolved at 50 degrees for 24 hours. In addition, the conductive material was mixed with 65 g of glass frit 4 g and then dispersed using a roll mill to prepare a paste.

이때, 글라스 프릿은 산화납 68g, 산화규소 22g, 산화알루미늄 0.3g, 산화티타늄 1.5g, 산화철 0.1g, 산화붕소 2.8g, 산화비스무스 4.8g을 혼합하여 제조하였 다.At this time, the glass frit was prepared by mixing lead oxide 68g, silicon oxide 22g, aluminum oxide 0.3g, titanium oxide 1.5g, iron oxide 0.1g, boron oxide 2.8g, bismuth oxide 4.8g.

상기 제조된 페이스트를 메쉬 필터를 사용하여 필터링한 후 탈포하였다.The prepared paste was filtered using a mesh filter and then defoamed.

이후, 스크린 인쇄기를 사용하여 유기 기판 상에 상기 제조된 페이스트를 인쇄한 후, IR 오븐에서 110도로 건조하였다. 그리고, 건조된 기판을 365nm의 UV로 150mJ의 에너지로 노광한 후, 0.3wt%의 탄산나트륨 수용액으로 현상하여 기판 상에 전극 패턴을 형성하였다. 이후 전극 패턴이 형성된 기판을 120도의 온도에서 건조하였고, 대기중에서 560도의 온도로 소성하여 기판 상에 전극을 형성하였다.Thereafter, the prepared paste was printed on an organic substrate using a screen printer, and then dried at 110 degrees in an IR oven. Then, the dried substrate was exposed to an energy of 150 mJ with UV of 365 nm, and then developed with 0.3 wt% sodium carbonate aqueous solution to form an electrode pattern on the substrate. Subsequently, the substrate on which the electrode pattern was formed was dried at a temperature of 120 degrees, and fired at a temperature of 560 degrees in air to form an electrode on the substrate.

이후, 기판 상에 형성된 전극을 0.2% 산 수용액에 담근 후 5 내지 50분동안 5분 간격으로 건져내어 전극 상에 테이프를 붙였다가 떼는 테이핑 테스트 수행하여 전극의 탈락 여부를 관찰하였다.Subsequently, the electrode formed on the substrate was dipped in an aqueous 0.2% acid solution, and then dried at intervals of 5 minutes for 5 to 50 minutes, and a tape test was performed on the electrode to observe whether the electrode was dropped.

<실시예 2><Example 2>

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿의 조성 중 산화인듐 대신에 산화아연 4.8g을 혼합하여 글라스 프릿의 조성만 달리하여 제조하였다.Under the same conditions as in Example 1, 4.8 g of zinc oxide was mixed instead of indium oxide in the composition of the glass frit to prepare only the composition of the glass frit.

<비교예 1>Comparative Example 1

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿의 조성 중 산화인듐 대신에 산화인듐 4.8g을 혼합하여 글라스 프릿의 조성만 달리하여 제조하였다.Under the same conditions as in Example 1, 4.8 g of indium oxide was mixed instead of indium oxide in the composition of the glass frit, thereby preparing a different composition of the glass frit.

<비교예 2>Comparative Example 2

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿의 조성 중 산화인듐 대신에 산화스트론튬 4.8g을 혼합하여 글라스 프릿의 조성만 달리하여 제조하였다.Under the same conditions as in Example 1, 4.8 g of strontium oxide was mixed instead of indium oxide in the composition of the glass frit, and thus prepared by changing only the composition of the glass frit.

상기 실시예 1 및 2와 비교예 1 및 2에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 테이핑 테스트 후 전극의 탈락 여부를 관찰하여 하기 표 1에 나타내었다.After the taping test of the plasma display panel electrode manufactured according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the dropping of the electrode was observed and shown in Table 1 below.

글라스 프릿(g)Glass frit (g) 테이핑 테스트 결과Taping test result PbOPbO SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 TiO2 TiO 2 Fe2O3 Fe 2 O 3 B2O3 B 2 O 3 InO2 InO 2 SnO2 SnO 2 Bi2O3 Bi 2 O 3 ZnOZnO 실시예 1Example 1 6868 2222 0.30.3 1.51.5 0.10.1 2.82.8 .. .. 4,84,8 .. 45분 탈락45 minutes left 실시예 2Example 2 6868 2222 0.30.3 1.51.5 0.10.1 2.82.8 .. .. 4.84.8 15분 탈락15 minutes left 비교예 1Comparative Example 1 6868 2222 0.30.3 1.51.5 0.10.1 2.82.8 4.84.8 .. .. 10분 탈락10 minutes left 비교예 2Comparative Example 2 6868 2222 0.30.3 1.51.5 0.10.1 2.82.8 .. 4.84.8 .. 1분 탈락1 minute left

상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전극 형성 후, 전술한 테이핑 테스트를 통해 전극의 탈락 현상에 대해 살펴보면 다음과 같다.As shown in Table 1, in the plasma display panel according to the embodiments of the present invention, the dropping phenomenon of the electrode through the above-described taping test will be described below.

비교예 1 및 2는 각각 산화인듐과 산화주석을 포함하는 전극용 조성물로 제조된 것으로, 테이핑 테스트 결과 비교예 1은 10분만에 전극이 탈락되었고, 비교예 2는 1분만에 탈락된 것을 알 수 있다.Comparative Examples 1 and 2 were made of a composition for electrodes comprising indium oxide and tin oxide, respectively, and as a result of the taping test, Comparative Example 1 showed that the electrode was dropped in 10 minutes, and Comparative Example 2 was dropped in 1 minute. have.

그러나, 실시예 1 및 2는 각각 산화비스무스와 산화아연을 포함하는 전극용 조성물로 제조된 것으로, 테이핑 테스트 결과 실험예 1은 45분 경과 후 전극이 탈락되었고, 실시예 2는 15분 경과 후 전극이 탈락된 것을 알 수 있다.However, Examples 1 and 2 were made of a composition for electrodes comprising bismuth oxide and zinc oxide, respectively. As a result of the taping test, Experimental Example 1 dropped the electrode after 45 minutes, and Example 2 had the electrode after 15 minutes. It can be seen that this was dropped.

즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 산화비스무스 또는 산화아연을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 의해 제조된 전극은 내에칭성이 우수하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 단자부에서 전극이 탈락되는 문제점을 방지할 수 있는 이점이 있다.That is, the electrode manufactured by the composition for a plasma display panel electrode including bismuth oxide or zinc oxide according to an embodiment of the present invention has excellent etching resistance, thereby preventing the electrode from falling off from the terminal portion of the plasma display panel. There is an advantage to this.

따라서, 신뢰성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.Therefore, there is an advantage of providing a plasma display panel with excellent reliability.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 도면.1 illustrates a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물의 제조방법을 플로어 차트로 나타낸 도면.2 is a floor chart illustrating a method of manufacturing a composition for a plasma display panel electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.

Claims (9)

도전성 물질, 글라스 프릿, 바인더, 광 개시제를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 있어서,In the composition for plasma display panel electrodes comprising a conductive material, a glass frit, a binder, a photoinitiator, 상기 글라스 프릿은, The glass frit, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2, based on 100 parts by weight of the glass frit. Parts by weight titanium oxide (TiO 2 ), more than 0 parts by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), and 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.A composition for a plasma display panel electrode comprising more than 0 and 10 parts by weight or less of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.The conductive material is any one selected from the group consisting of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni) and chromium (Cr). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 글라스 프릿은 전극용 조성물 총중량에 대해 1 내지 5 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.The glass frit is 1 to 5 parts by weight based on the total weight of the composition for the electrode composition for a plasma display panel electrode. 글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 제조하는데 있어서, In manufacturing a composition for a plasma display panel electrode comprising a glass frit, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 전극용 조성물을 혼합하는 단계;58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2, based on 100 parts by weight of the glass frit. Parts by weight titanium oxide (TiO 2 ), greater than 0 and less than 1 part by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) and greater than 0 and less than 10 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2) Mixing the composition for an electrode comprising O 3 ) or zinc oxide (ZnO); 상기 혼합된 전극용 조성물을 용융하는 단계;Melting the mixed electrode composition; 상기 용융된 전극용 조성물을 분쇄하는 단계;Grinding the molten electrode composition; 상기 분쇄된 전극용 조성물을 1차 건식 미분쇄하는 단계;Primary dry grinding of the pulverized electrode composition; 상기 1차 건식 미분쇄된 전극용 조성물을 2차 건식 미분쇄하는 단계; 및Secondary dry pulverizing the composition for the primary dry pulverized electrode; And 상기 2차 건식 미분쇄된 전극용 조성물을 건조시키는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물의 제조방법. Method for producing a composition for a plasma display panel electrode comprising the step of drying the secondary dry finely ground electrode composition. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 1차 및 2차 건식 미분쇄하는 단계는,The first and second dry milling step, 볼밀 방식, 진동식 밀 방식 및 제트 밀 방식으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물의 제조방법.A method of manufacturing a composition for a plasma display panel electrode comprising any one selected from the group consisting of a ball mill method, a vibrating mill method, and a jet mill method. 도전성 물질 및 글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극에 있어서,In the electrode for a plasma display panel comprising a conductive material and a glass frit, 상기 글라스 프릿은, The glass frit, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2, based on 100 parts by weight of the glass frit. Parts by weight titanium oxide (TiO 2 ), more than 0 parts by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), and 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극.An electrode for a plasma display panel comprising more than 0 and 10 parts by weight or less of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO). 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 도전성 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 플라즈마 디스플레이 패널용 전극.The conductive material is any one selected from the group consisting of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni) and chromium (Cr). 전면 기판;Front substrate; 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판; 및A rear substrate facing the front substrate; And 상기 전면 기판 또는 후면 기판 상에 형성된 전극을 포함하고,An electrode formed on the front substrate or the rear substrate, 상기 전극은 도전성 물질 및 글라스 프릿을 포함하며, The electrode comprises a conductive material and a glass frit, 상기 글라스 프릿은,The glass frit, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 58 내지 78 중량부의 산화납(PbO), 12 내지 33 중량부의 산화규소(SiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화알루미늄(Al2O3), 1 내지 2 중량부의 산화티타늄(TiO2), 0 초과 1 중량부 이하의 산화철(Fe2O3), 1 내지 4 중량부의 산화붕소(B2O3) 및 58 to 78 parts by weight of lead oxide (PbO), 12 to 33 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), more than 0 to 1 part by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1 to 2, based on 100 parts by weight of the glass frit. Parts by weight titanium oxide (TiO 2 ), more than 0 parts by weight of iron oxide (Fe 2 O 3 ), 1 to 4 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), and 0 초과 10 중량부 이하의 산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel comprising more than 0 and 10 parts by weight or less of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO). 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 도전성 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 플라즈마 디스플레이 패널.The conductive material is any one selected from the group consisting of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni), and chromium (Cr).
KR1020070121127A 2007-11-26 2007-11-26 Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same KR20090054327A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070121127A KR20090054327A (en) 2007-11-26 2007-11-26 Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070121127A KR20090054327A (en) 2007-11-26 2007-11-26 Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090054327A true KR20090054327A (en) 2009-05-29

Family

ID=40861506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070121127A KR20090054327A (en) 2007-11-26 2007-11-26 Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090054327A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006008496A (en) Lead-free glass composition for plasma display panel barrier and plasma display panel
JP2004241379A (en) Plasma display member and plasma display, as well as manufacturing method of plasma display member
EP1754722B1 (en) Black paste composite, upper plate of plasma display panel, and manufacturing method by using the same
US20070001608A1 (en) Paste composition
JP2010238570A (en) Plasma display panel, and electrode forming paste for the same
KR100829704B1 (en) Plasma display panel dielectric substance composition, plasma display panel and method of manufacturing comprising the same
KR20090054327A (en) Plasma display panel electrode composition and fabricating of the same, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same
KR20090115249A (en) Plasma Display Panel Electrode Composition And Plasma Display Panel Comprising The Same
KR100524777B1 (en) Manufacturing method for plasma display panel
JP4663776B2 (en) Plasma display panel and manufacturing method thereof
KR20090110547A (en) Plasma Display Panel Electrode Composition And Plasma Display Panel Comprising The Same
KR20090059624A (en) Plasma display panel electrode composition, plasma display panel electrode and plasma display panel comprising the same
US20100167032A1 (en) Front electrode for pdp
KR100738234B1 (en) Green sheet for manufacturing the Plasma Display Panel and Plasma Display Panel
KR20100055585A (en) Plasma display panel electrode composition and plasma display panel comprising the same
KR100931291B1 (en) Composition for Plasma Display Panel Dielectric, Plasma Display Panel Comprising the Same
JP2008226832A (en) Plasma display panel, its manufacturing method and its paste for display electrode
KR100905482B1 (en) Plasma Display Panel Dielectric Substance Composition, Plasma Display Panel Comprising The Same
KR20100077849A (en) Composition for electrode of plasma display panel
US20070228969A1 (en) Green phosphor for plasma display panel and plasma display panel including phosphor layer formed of the green phosphor
US20100109523A1 (en) Dielectric composition and plasma display panel including the same
JP2000063152A (en) Substrate for display and its production
KR100905480B1 (en) Plasma Display Panel Dielectric Substance Composition, Plasma Display Panel Comprising The Same
JP6100585B2 (en) Lead-free glass composition
JP2005209636A (en) Plasma display component and plasma display

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination