KR20080103568A - 나노구조의 전계발광 장치 및 디스플레이 - Google Patents
나노구조의 전계발광 장치 및 디스플레이 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080103568A KR20080103568A KR1020087022582A KR20087022582A KR20080103568A KR 20080103568 A KR20080103568 A KR 20080103568A KR 1020087022582 A KR1020087022582 A KR 1020087022582A KR 20087022582 A KR20087022582 A KR 20087022582A KR 20080103568 A KR20080103568 A KR 20080103568A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electron
- hole
- nanoparticles
- electroluminescent device
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 8
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 8
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Inorganic materials [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical class F* 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Chemical group 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 전계발광 장치는, 적어도 하나는 방사선에 대해 투명한 제1 전극(610) 및 제2 전극(650); 제1 나노입자를 함유하고 상기 제1 전극(610)과 접촉되어 있는 정공 전도층(630); 제2 나노입자를 함유하고 상기 정공 전도층(630) 및 상기 제2 전극(650)과 접촉되어 있는 전자 전도층(640); 및 선택적으로, 포지티브 및 네거티브 전압을 제공할 수 있는 전압 공급원을 포함하고, 상기 전압 공급원의 양극은 상기 제1 전극에 접속되어 있고, 상기 음극은 상기 제2 전극에 접속되어 있다. 몇몇 실시예에서, 전계발광 장치는 또한 정공 전도층과 전자 전도층 사이에 전자-정공 조합층을 포함한다.
전계발광 장치, 나노구조체, 양자 도트, 나노로드, 전자 전도층, 정공 전도층, 전자-정공 조합층
Description
본 발명은 전계발광 장치 및 그것을 채용한 발광형 디스플레이(emissive display)에 관한 것이다.
우선권 주장
본 출원은 U.S.C. §119(e)에 따라 2006년 2월 17일에 출원된 미국 특허 가출원 제60/774,794호를 우선권으로 주장하며, 상기 가출원은 전체가 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
발광형 디스플레이는 디스플레이에서의 발광소자의 형태에 따라 다음 세 가지 카테고리로 분류된다: (1) 유기 발광 디스플레이(OLED), (2) 전계 발광 디스플레이(FED) 및 (3) 무기 박막 전계발광 디스플레이(EL). 이들 세 가지 카테고리 중, OLED는 세계적으로 가장 많은 관심과 투자를 받았다. 약 100개의 회사가 OLED 기술의 다양한 측면을 개발하고 있다. 상업적 OLED 제품은 모바일 폰과 MP3 시장에 있다. OLED 장치는 소형 분자(Kodak사가 개척함) 또는 폴리머(Cambridge Display Technology가 개척함)로부터 제조될 수 있다. OLED 장치는 또한 인광성 물질로부터 제조될 수 있다(Universal Display Technology가 개척함). 상업적 제 품 중 90% 이상은 Kodak사의 형광성 소형 분자 물질을 사용한다. 반면에, 폴리머 물질은 스핀 코팅 및 잉크젯 프린팅과 같은 용액 처리 기술을 이용함으로써 더 낮은 제조 비용을 제공한다. 폴리머계 물질은 대형(>20") OLED 디스플레이를 위한 비용 효과적인 해법을 제공할 것으로 기대된다. 인광성 물질은 더 높은 효율을 제공하고, 전력 소비를 감소시킨다.
OLED 디스플레이는 몇 가지 물질에 기초한 문제와 제조 공정에 따른 문제를 가진다. 예를 들면, OLED는 수명이 짧고, 시간 경과에 따라 색 균형이 상실되고, 제조비가 높다. 불량한 수명과 색 균형 문제는 OLED에서의 발광소자의 화학적 성질에 기인한다. 예를 들면, 청색 OLED의 수명을 향상시키는 것은 어려운데, 그것은 청색 스펙트럼에서의 높은 에너지가 OLED에 사용되는 유기물 분자의 안정성을 저하시키기 쉽기 때문이다. 소형 분자 풀컬러 디스플레이를 제조하는 비용도 매우 높은데, 적색, 녹색 및 청색 물질을 적층하기 위해 고가의 섀도우 마스크를 사용해야 하기 때문이다. Kodak 및 기타 제조사들은 이 문제를 극복하기 위해 컬러 필터 기술을 이용하여 백색 OLED를 개발했다. 그러나, 컬러 필터의 사용은 재료비를 추가시키게 되고, 디스플레이의 품질을 저하시킨다. OLED 디스플레이의 주된 이점 중 몇 가지는 이러한 방법에 의해 상실되어 버린다.
폴리머계 물질은 잉크젯 프린팅의 이용에 의해 저비용, 고용량 제조를 달성하는 가능한 루트를 제공한다. 그러나, 폴리머는 소형 분자에 비해 더욱 짧은 수명을 가진다. 수명이 한 자리 수만큼 더 증가되어야 폴리머계 물질이 상업적으로 실용성을 가질 수 있다.
차세대 발광 디스플레이 기술은 양자 도트(QD)라 지칭되는 새로이 부상하는 나노물질을 토대로 할 것으로 예상된다. QD에서의 발광색은 단순히 도트의 치수를 변경함으로써 조절될 수 있다. 발광 디스플레이를 구성하는 데 있어서 양자 도트의 유용성은 QD-OLED에서 이미 입증되었다. 참고문헌으로는 Seth Coe et al., Nature 420, 800(2002)가 있다. 이러한 디스플레이에서의 발광은 본래 OLED 물질보다 더 안정한 CdSe와 같은 무기 물질로부터의 발광이다. 안정한 청색 물질은 단순히 양자 도트의 크기를 감소시키는 것으로 얻어질 수 있다.
QD로 만들어진 디스플레이 장치는 OLED보다 한 자리 수 낮은 크기의 양자 효율을 가진다. QD는 효율을 향상시키기 위해 OLED 물질과 혼합되었다. 참고문헌으로 US2004/0023010이 있다. 그러나, 이러한 접근방법은 효율의 향상에 있어서는 보통 수준에 불과한 반면, 디스플레이 수명을 감소시키고 제조 공정을 복잡하게 한다.
전계 발광 장치는, (1) 적어도 하나는 방사선에 대해 투명한 제1 및 제2 전극; (2) 제1 나노입자를 함유하고 상기 제1 전극과 접촉되어 있는 정공 전도층(hole conducting layer); (3) 제2 나노입자를 함유하고 상기 정공 전도층 및 상기 제2 전극과 접촉되어 있는 전자 전도층; 및 선택적으로 (4) 포지티브 및 네거티브 전압을 제공할 수 있는 전압 공급원(voltage source)을 포함하고, 상기 전압 공급원의 양극(positive pole)은 상기 제1 전극에 접속되어 있고, 상기 음극은 상기 제2 전극에 접속되어 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 전계발광 장치는 또한 상기 정공 전도층과 전자 전도층 사이에 전자-정공 조합층을 포함한다. 전자-정공 조합층은 금속 또는 금속 산화물의 층일 수 있다. 그것은 또한, 상기 정공 및/또는 전자 전도층에 사용된 제1 및/또는 제2 나노입자와 조합되어 있는 금속 또는 금속 산화물의 층일 수 있다. 전자-정공 조합층은 또한 입자들을 하나의 고체 매스로 합체시키기 위해 전술한 성분들이 전형적으로는 열에 의해 처리되어 있는 소결된 층(sintered layer)일 수 있다. 전자-정공 조합층은 또한 정공 전도층 및 전자 전도층의 접합점(junction)에서, 이들 두 층을 금속 또는 금속 산화물이 존재하지 않는 상태에서 단순히 소결함으로써 제조될 수 있다. 일반적으로, 전자-정공 조합층의 두께는 5∼10 nm이다.
전계발광 장치는 또한 상기 제1 전극과 상기 정공 전도층 사이에 정공 주입층(hole injection layer)을 포함할 수 있다. 정공 주입층은 p-형 반도체, 금속 또는 금속 산화물을 함유할 수 있다. 전형적인 금속 산화물로는, 산화알루미늄, 산화아연, 또는 이산화티탄이 포함되고, 전형적인 금속으로는 알루미늄, 금 또는 은이 포함된다. p-형 반도체는 p-도핑된 Si일 수 있다.
전계발광 장치는 또한 상기 제2 전극과 상기 전자 전도층 사이에 전자 주입층을 포함할 수 있다. 이 전자 주입층은 금속, 플루오르염 또는 n-형 반도체일 수 있다. 플루오르염의 예로는 NaF, CaF2 또는 BaF2가 포함된다.
정공 전도층 및 전자 전도층에서 사용되는 나노입자는 나노결정(nanocrystal)이다. 나노결정의 예로는 양자 도트, 나노로드(nanorod), 나노바이포드(nanobipod), 나노트리포드(nanotripod), 나노멀티포드(nanomultipod), 또는 나노와이어(nanowire)가 포함된다. 그러한 나노결정은 CdSe, ZnSe, PbSe, CdTe, InP, PbS, Si 또는 II-VI족, II-IV족 또는 III-V족 물질로부터 만들어질 수 있다.
몇몇 전계발광 장치에서, 나노튜브, 나노로드 또는 나노와이어와 같은 나노구조체(nanostructure)가 정공 전도층, 전자 전도층 및/또는 전자-정공 조합층에 포함될 수 있다. 바람직한 나노구조체는 탄소 나노튜브이다. 나노구조체가 사용될 때, 나노입자는 공유결합 방식으로 나노구조체에 부착되는 것이 바람직하다.
도 1(종래 기술)은 크기의 차이 때문에 상이한 색에서 흡수 및 방출하는 양자 도트를 나타낸다. 이들 양자 도트의 크기는 나노미터 수준이다. 소형 도트는 스펙트럼의 청색 부분에서 흡수하고, 대형 도트는 스펙트럼의 적색 부분에서 흡수한다.
도 2(종래 기술)는, ZnSe, CdSe 및 PbSe로부터 제조되고, 각각 UV, 가시 및 IR 영역에서 흡수 및 방출하는 동일한 크기의 양자 도트를 나타낸다.
도 3(종래 기술)은 tr-n-옥틸 포스핀옥사이드(TOPO)와 같은 용매로 캡핑된 나노입자를 나타낸다.
도 4는 링커(linker)에 의해 작용화된 나노입자를 나타낸다.
도 5는 링커에 의해 작용화된 코어-셸 나노입자를 나타낸다.
도 6 내지 11은 나노구조의 전계발광 장치의 다양한 실시예를 나타낸다.
전계발광 장치는 (1) 적어도 하나는 방사선에 대해 투명한 2개의 전극, (2) 제1 나노입자를 함유하는 정공 전도층, 및 (3) 제2 나노입자를 포함하는 전자 전도층을 포함한다. 제1 및 제2 나노입자는 조성 및/또는 크기에 있어서 상이하다. 또한, 제1 및 제2 나노입자는 정공 전도층의 제1 입자가 정공을 전도하는 한편, 전자 전도층의 제2 입자는 전자를 전도하도록 선택된다. 나노입자는 그의 상대적 밴드갭이 II족 밴드 오프셋(band offset)을 생성하도록 선택된다. CdTe 및 CdSe는 II족 밴드 오프셋을 제공하는 나노입자이다. 그러나, 전도(conduction) 및 원자가(valence) 밴드가 II형 밴드 오프셋을 형성할 수 있다면, 상이한 조성 및/또는 크기를 가진 상이한 나노입자를 선택할 수 있다. 전계발광 장치는 선택적으로 포지티브 및 네거티브 전압을 제공할 수 있는 전압 공급원을 포함한다. 존재할 경우, 전압 공급원의 양극은 제1 전극에 전기적으로 접속되고 그에 따라 정공 전도층에 접속되고, 음극은 제2 전극에 접속되고 그에 따라 전자 전도층에 접속된다.
몇몇 실시예에서, 전자-정공 조합층이 상기 정공 전도층과 전자 전도층 사이에 설치된다. 전자-정공 조합층은 금속, 금속 산화물, 또는 금속이나 금속 산화물과 정공 전도층의 나노입자 또는 전자 전도층의 나노입자의 혼합물을 포함할 수 있다. 몇몇 경우에, 금속 또는 금속 산화물은 정공 전도층의 나노입자뿐 아니라 전자 전도층의 나노입자와 혼합되어 있다. 전계발광 장치에 존재하는 전자-정공 전도층의 형태는 그의 제조 방법에 의존할 것이다. 도 6은 파워 공급원이 없는 전계발광 장치를 나타낸다. 도 6에서, 산화인듐주석(620)과 같은 투명한 애노드가 유리 기판(610) 상에 형성된다. 이어서, 제1 나노입자층이 적층된 다음, 제2 나노입 자층이 적층된다. 다음으로, 제2 나노입자층 상에 금속 캐소드(650)가 형성된다. 다음으로, 상기 장치 전체는 제1 및 제2 나노입자층과 전자-정공 조합층 사이에서 연속적인 층을 형성하도록 소둔/소결될 수 있다. 전자-정공 조합층은 2개의 층 사이에 형성되고, 정공 및 전자 전도층으로부터의 나노입자로 만들어진다. 네거티브 전압이 장치에 인가될 때 전자와 정공이 서로 결합되어 빛을 방출하는 것은 이 영역에서이다. 방출된 방사선은 전자 전도성 나노입자의 전도 밴드 에너지와 정공 전도성 나노입자의 원자가 밴드 에너지 사이의 차에 의존할 수 있다. 방출된 방사선은 그러한 에너지 레벨의 차에 정확히 비례하지 않아도 된다는 것을 이해해야 한다. 그보다는, 이 밴드갭보다 적은 에너지를 가진 빛을 예상할 수 있다.
제1 나노입자층과 제2 나노입자층 사이에 금속 또는 금속 산화물의 층이 위치해 있을 경우, 전자-정공 조합층이 형성된다. 제1 나노입자층 상에 금속 또는 금속 산화물이 설치되고, 이어서 제2 나노입자층이 추가되기 전에 소결되는 경우, 전자-정공 조합층은 상기 금속 또는 금속 산화물뿐 아니라 제1 층으로부터 유도된 나노입자도 포함한다. 이와는 달리, 제2 나노입자층은 금속 또는 금속 산화물층 상에 적층되고, 이어서 장치가 소결될 수 있다. 이 경우에, 전자-정공 조합층은 제1 및 제2 층으로부터의 나노입자와 조합되어 있는 금속 또는 금속 산화물을 포함한다. 상기 장치가 먼저 정공 전도층을 적층한 다음 금속 또는 금속 산화물층을 적층하고 소결함으로써 제조될 경우, 전자-정공 조합층은 정공 전도층으로부터의 나노입자와 조합되어 있는 금속 또는 금속 산화물을 포함한다.
전계발광 장치는 전자 주입층 및/또는 정공 주입층을 추가로 포함할 수 있 다. 도 7을 참조하면, 전자 주입층은 제2 나노입자층과 캐소드 사이에 설치된다. 전자 주입층은 n-형 반도체, 플루오르염 또는 금속을 포함할 수 있다. n-형 반도체는, 예를 들면, n-도핑된 실리콘일 수 있고, 플루오르염은 염화나트륨, 염화칼슘 또는 플루오르화바륨일 수 있다. 플루오르화물이 사용될 때, 상기 층의 두께는 0.5∼2 nm일 수 있다. 금속이 사용될 때, 상기 층의 두께는 5∼20 nm일 수 있다.
정공 주입층(730)은 p-형 반도체, 금속 또는 금속 산화물일 수 있다. 상기 금속 산화물은, 예를 들면, 산화알루미늄, 산화아연 또는 이산화티탄일 수 있고, 상기 금속은 알루미늄, 금 또는 은일 수 있다. 정공 주입층으로서 사용될 수 있는 p-형 반도체의 예는 p-도핑된 실리콘이다. 도 8에서, 정공 블록킹층(860)이 앞서 도 7에 제시된 실시예에 추가된다. 정공 블록킹층의 예로는 TiO2, ZnO 및 3 eV보다 큰 밴드갭을 가진 다른 금속 산화물이 포함된다.
또한, 전자 블록킹층이 애노드와 제1 나노입자층 사이 또는 정공 주입층과 제1 나노입자층 사이에 설치될 수 있다. 전자 블록킹층의 예는 TiO2로 만들어진 것을 포함한다.
전자 주입층은 정공 블록킹층으로서도 작용할 수 있음을 이해해야 한다. 그러나, 몇몇 실시예에서, 하나는 전자 주입층으로서 작용하고 다른 하나는 정공 블록킹층으로서 작용하는, 2개의 상이한 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, 전자 주입층은 LiF, BaF, 또는 CaF일 수 있고, 정공 블록킹층은 TiO2일 수 있다.
마찬가지로, 애노드에서, 정공 주입층은 또한 전자 장벽(barrier)로서 작용 할 수 있다. 그러나, 이러한 기능을 위해 상이한 물질이 사용될 때에는, 정공 주입층은 Au로 만들어질 수 있고, 전자 장벽은 Al2O3로 만들어질 수 있다.
본 명세서에서 사용하는 용어, "나노입자" 또는 "발광성 나노입자"는 정공 및 전자가 조합될 때 빛을 발생하는 발광성 물질을 의미한다. 발광성 나노입자는 일반적으로 양자 도트, 나노로드, 나노바이포드, 나노트리포드, 나노멀티포드, 또는 나노와이어와 같은 나노결정이다.
발광성 나노입자는 II-VI족, II-IV족 및 III-V족 물질을 포함하는 화합물 반도체(compound semiconductor)로부터 만들어질 수 있다. 발광성 나노입자의 몇 가지 예는 CdSe, ZnSe, PbSe, InP, PbS, ZnS, CdTe Si, Ge, SiGe, CdTe, CdHgTe, 및 II-VI족, II-IV족 및 III-V족 물질이다. 발광성 나노입자는 코어형일 수도 있고 코어-셸형일 수도 있다. 코어-셸 나노입자에서, 코어 및 셸은 상이한 물질로 만들어진다. 코어와 셸 모두가 화합물 반도체로 만들어질 수도 있다.
정공 전도층의 나노입자는, 정공이 애노드로부터 이들 나노입자로 용이하게 이송되는 밴드갭을 가진다. 전자 전도층의 나노입자는 전자가 캐소드로부터 이들 나노입자로 용이하게 이송될 수 있는 밴드갭을 가진다. 정공 및 전자 전도층용으로 사용되는 물질의 밴드갭은 전자-정공 조합층에서 정공과 전자가 효율적으로 재조합(recombination)될 수 있도록 서로 보완적일 것이다.
양자 도트는 나노입자의 바람직한 형태이다. 해당 기술에서 알려져 있는 바와 같이, 조성은 동일하지만 직경은 상이한 양자 도트는 상이한 파장에서 방사선을 흡수 및 방출한다. 도 1은, 조성은 동일하지만 직경이 상이한 것으로 만들어진 세 가지 양자 도트를 도시한다. 소형 양자 도트는 스펙트럼의 청색 부분에서 흡수 및 방출하고; 반면에 중간 및 대형 양자 도트는 각각 가시 스펙트럼의 녹색 부분 및 적색 부분에서 흡수 및 방출한다. 이와는 달리, 도 2에 도시된 바와 같이, 양자 도트는 본질적으로 동일한 크기이되 상이한 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들면, UV-흡수성 양자 도트는 셀렌화아연으로 만들어질 수 있는 반면; 가시 및 IR 양자 도트는 각각 셀렌화카드뮴 및 셀렌화납으로 만들어질 수 있다. 크기 및/또는 조성이 상이한 나노입자는 각각의 나노입자층에서 사용된다.
발광성 나노입자는 링커 Xa-Rn-Yb와의 반응에 의해 변형될 수 있는데, 상기 식에서 X 및 Y는 카르복시산기, 인산기, 황산기, 아민 함유기 등과 같은 반응성 부분일 수 있고, a 및 b는 독립적으로 0 또는 1이되 a와 b 중 적어도 하나는 1이고, R은 -CH2, -NH- 또는 -O-와 같은 탄소, 질소 또는 산소 함유기이고, n은 0∼10 또는 0∼5이다. 하나의 반응성 부분(예; X)은 나노입자와 반응할 수 있지만, 다른 반응성 부분(Y)은 (1) 전극, (2) 전자-정공 조합층, (3) 정공 또는 전자 주입층, (4) 정공 또는 전자 블록킹층, 또는 (5) 다른 나노입자와 같은 또 다른 구조체와 반응할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 발광성 나노입자는 나노구조체를 장식하는 데 사용되고, 이것은 이어서 전자 및/또는 정공 전도층에서 사용된다. 제2 반응성 부분을 갖거나 갖지 않은 링커는 또한 나노입자를 부동태화하여 그의 안정성 및 전계발광성을 증가시킬 수 있다. 링커는 또한 전하 전도층을 제조하는 데 사용되는 공통 유기 용매에서의 나노입자 안정성 또는 현탁성(suspension)을 향상시킬 수 있다.
Xa-Rn-Yb의 성분들을 조절함으로써, 나노입자의 표면과 전술한 구조체 중 어느 하나의 거리는, 전자-정공 조합층의 외부에서 전자-정공 조합을 촉진시킬 수 있는 표면 상태의 효과를 최소화하도록 조절될 수 있다. 이들 표면간의 거리는 전형적으로 10Å 이하, 바람직하게는 5Å 이하이다. 이 거리는 전자 또는 정공이 이 갭을 통해 전극으로부터 전자-정공 조합층으로 지나갈 수 있도록 유지된다.
본 명세서에서 사용되는 "나노구조체", "전자 전도성 나노구조체" 또는 "정공 전도성 나노구조체"라는 용어는 나노튜브, 나노로드, 나노와이어 등을 의미한다. 전자 및 정공 전도성 나노구조체는 본래 결정질이다. 일반적으로, 나노구조체는 밴드갭이, 예를 들면, TiO2에 있어서 3.2 eV인 광폭 밴드갭 반도체 물질로 만들어진다. 나노구조체는 그의 밴드갭이 태양 전지에서 사용할 광활성 나노입자의 최대 밴드갭(예; >2.0 eV)보다 더 크도록 선택된다.
전자 전도성 나노구조체는, 예를 들면, 이산화티탄, 산화아연, 산화주석, 산화인듐주석(ITO) 및 산화인듐아연으로부터 만들어질 수 있다. 나노구조체는 또한 탄소 나노튜브, 특히 단일벽 탄소 나노튜브(single-wall carbon nanotube)와 같은 다른 전도성 물질로부터 만들어질 수 있다.
전자 전도성 나노구조체는 해당 기술에 달려져 있는 방법에 의해 제조될 수 있다. 전도성 나노구조체는 또한 기판 상에 적층된 시드(seed) 입자에 의해 촉진되는 콜로이드 성장법을 이용하여 제조될 수 있다. 전도성 나노구조체는 또한, 화 학 증기 증착법(CVD), 금속-유기 화학 증기 증착법( MOCVD), 분자 빔 에피택시(MEB)와 같은 에피택셜 성장법 등의 진공 증착 공정을 통해 제조될 수 있다.
나노튜브의 경우에, 나노튜브의 외경은 약 20 nm 내지 100 nm 범위이고, 몇몇 경우에는 20 nm 내지 50 nm, 다른 경우에는 50 nm 내지 100 nm 범위이다. 나노튜브의 내경은 약 10 nm 내지 80 nm, 몇몇 경우에는 20 nm 내지 80 nm, 다른 경우에는 60 nm 내지 80 nm 범위일 수 있다. 나노튜브의 벽 두께는 10∼25 nm, 15∼25 nm, 또는 20∼25 nm일 수 있다. 나노튜브의 길이는 몇몇 경우에 100∼800 nm, 400∼800 nm, 또는 200∼400 nm이다.
나노와이어의 경우에, 직경은 약 100 nm 내지 약 200 nm일 수 있고, 50∼100 ㎛에 달할 수 있다. 나노로드는 약 2∼200 nm의 직경을 가질 수 있지만, 때로는 5∼100 nm 또는 20∼50 nm의 직경을 가질 수 있다. 나노로드의 길이는 20∼100 nm일 수 있고, 때로는 50∼500 nm 또는 20∼50 nm이다.
이상 설명한 바와 같이, 전계발광 장치(전압 공급원을 구비하지 않은)는 유기 정공 전도성 폴리머 또는 유기 전자 전도성 폴리머를 포함하지 않는다. 유기 링커가 사용될 때를 제외하고, 상기 장치는 본질적으로 완전히 무기질이다.
전계발광 장치는 발광 디스플레이에서 사용될 수 있다. 발광 디스플레이는 평판 디스플레이(단독형 또는 완성 제품과 관련된 다른 구성 요소와 조합형) 및 다른 전자 장치를 포함한다.
실시예
실시예 1: 나노구조의 전계발광 장치가 도 6에 도시되어 있는데, 해당 기술 에 잘 알려져 있는 방법에 따라 투명한 전도층 ITO(620)가 유리 기판(610) 상에 적층된다. ITO의 작업 기능을 조절하기 위해, 상기 ITO의 표면을 플라즈마 처리 또는 해당 기술에 잘 알려져 있는 다른 공정에 노출시킬 수 있다. 다음으로, 제1 전하 전도성 나노입자층(630)을 ITO 증에 적층한다. 적합한 용매 중에 분산된 나노입자를 적층하기 위해 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅이나 다른 프린팅 공정을 이용할 수 있다. 용매를 증발시켜 제거하기 위해 기판을 약 200℃에서 약 15분간 가열함으로써 핀홀(pin hole)이 없는 연속적 나노입자층을 얻을 수 있다. 상기 나노입자층(630)은 도트, 로드 또는 와이어일 수 있다. 이 실시예에서 제1 나노입자층은 CdSe로 만들어진다. 제2 나노입자층(640)은 제1 나노입자층(630)의 상부에 직접 적층된다. 적합한 용매 중에 분산된 나노입자를 적층하기 위해 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅이나 다른 프린팅 공정을 이용할 수 있다. 용매를 증발시켜 제거하기 위해 기판을 약 200℃에서 약 15분간 가열함으로써 핀홀이 없는 연속적 나노입자층을 얻을 수 있다. 상기 나노입자층(640)은 도트, 로드 또는 와이어일 수 있다. 이 실시예에서 제2 나노입자층(640)은 CdTe로 만들어진다. 제1 나노입자층(630)의 CdSe의 입자 크기 및 제2 나노입자층(640)의 CdTe의 입자 크기는 원하는 발광색이 얻어지도록 조절될 수 있다. 청색 발광을 생성하기 위해서는 3㎛ 도트가 사용될 수 있다. 적색 발광을 생성하기 위해서는 6㎛ 도트가 사용될 수 있다. 그 밖의 색은 해당 기술에 잘 알려져 있는 방법을 이용하여 나노입자 크기를 조절함으로써 생성될 수 있다. 2개의 나노입자층 사이의 계면은 메탄올 중의 CdCl2 포화 용액에 서 기판을 가열하거나 해당 기술에 잘 알려져 있는 방법을 이용하여 향상시킬 수 있다. 그러한 처리는 전자-정공 조합이 효율적으로 계면에서 일어나도록 제1 나노입자층과 제2 나노입자층 사이의 적합한 계면을 생성한다. 다음으로 제2 나노입자층의 상부에 알루미늄 금속 전극(650)이 적층되어 나노구조의 전계발광 장치가 완성된다.
실시예 2: 나노구조의 전계발광 장치의 또 다른 실시예가 도 7에 도시되어 있다. 투명한 전도층 ITO(720)를 유리 기판(710) 상에 적층한다. 실시예 1에서 설명한 바와 같이, 산화알루미늄과 같은 정공 주입층(730)이 해당 기술에 알려져 있는 방법에 의해 ITO층(720) 상에 적층된다. 이어서, 제1 및 제2 나노입자층(740, 750)이 실시예 1에 기재된 바와 같이 적층된다. LiF와 같은 전자 주입층(760)이 해당 기술에 잘 알려져 있는 방법에 의해 제2 나노입자층의 상부에 적층된다. 제2 나노입자층의 상부에 알루미늄 금속 전극(670)이 적층되어 나노구조의 전계발광 장치가 완성된다.
실시예 3: 나노구조의 전계발광 장치의 또 다른 실시예가 도 8에 도시되어 있다. 실시예 2에 기재된 바와 같이, ITO 정공 주입층, 제1 및 제2 나노입자층이 형성된다. TiO2로 만들어진 정공 블록킹층(860)이 해당 기술에 잘 알려져 있는 방법에 의해 제2 나노입자층의 상부에 적층된다. 이어서 LiF와 같은 전자 주입층(870)이 해당 기술에 잘 알려져 있는 방법에 의해 적층되고, 제2 나노입자층의 상부에 알루미늄 금속 전극(880)이 적층되어 나노구조의 전계발광 장치가 완성된 다.
실시예 4: 나노구조의 전계발광 장치의 또 다른 실시예가 도 9에 도시되어 있다. 실시예 1에 기재된 바와 같이, ITO 층(920)이 유기 기판(910) 상에 적층되고, 이어서 제1 나노입자층(930)이 실시예 1에 기재된 바와 같이 ITO 층 상에 적층된다. 이 실시예에서 나노입자(CdSe 도트, 로드, 바이포드, 트리포드, 멀티포드, 와이어)는 이 실시예에서의 제1 나노입자층(930)과 같은 나노구조체와 관련되며, 작용화된 단일벽 탄소 나노튜브(SWCNT)를 장식함으로써 만들어진다. 제2 나노입자층(940)은 제1 나노입자층(930)의 상부에 직접 적층된다. 실시예 1에 기재된 바와 같이, 작용화된 CdTe 도트, 로드, 바이포드, 트리포드, 멀티포드 또는 와이어인 제2 층(940)의 나노입자는 작용화된 단일벽 탄소 나노튜브(SWCNT)와 관련된다. 이어서, 제2 나노입자층의 상부에 알루미늄 금속 전극(950)이 적층되어 나노구조의 전계발광 장치가 완성된다.
실시예 5: 나노구조의 전계발광 장치의 또 다른 실시예가 도 10에 도시되어 있다. ITO 층, 제1 및 제2 나노입자층, 그리고 금속 캐소드층이 실시예 4에 기재된 바와 같이 형성된다. 그러나, 이 실시예에서, LiF와 같은 전자 주입층(1060)은 알루미늄 금속 전극(1070)이 제2 나노입자층의 상부에 적층되기 전에 제2 나노입자층의 상부에 적층된다.
실시예 6: 나노구조의 전계발광 장치의 또 다른 실시예가 도 11에 도시되어 있다. 이 장치는 제2 나노입자층의 상부에 정공 블록킹층(1160)이 적층되는 것 이외에는 실시예 5에 기재된 바와 같이 제조된다.
상기 실시예에서 사용된 ITO 층의 두께는 100 nm이고, 알루미늄층의 두께는 150 nm이다. 정공 주입층의 두께는 약 5Å이고, 전자 주입층의 두께는 약 10Å이다. 나노입자층은 10∼100nm 범위의 두께를 가진다.
이상과 같은 실시예는 본 발명을 적용하는 몇 가지 예이다. 본 발명에 따른 나노구조체 전계발광 디스플레이를 구성하기 위해 전술한 실시예에서 사용된 물질의 예 대신에 해당 기술분야에 잘 알려져 있는 다른 물질 및 물질의 조합을 사용할 수 있다는 것은 당업자에게 자명할 것이다. 예를 들면, 애노드로서 ITO 대신에 다른 투명한 전도성 물질을 사용할 수 있다. 정공 주입 물질로서는 산화알루미늄 대신에 다른 금속 산화물을 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 나노구조체 전계발광 디스플레이를 구성하기 위한 전자 주입 물질로서는 LiF 대신에 다른 금속 할라이드를 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 나노구조체 전계발광 디스플레이를 구성하기 위한 캐소드로서 알루미늄 대신에 Ag, Ca와 같은 다른 금속을 사용할 수 있다. 제1 및 제2 나노입자층에 대한 예로서 CdSe 및 CdTe 나노입자가 사용된다. 본 발명에 따른 나노구조체 전계발광 디스플레이를 구성하기 위해 CdSe 및 CdTe 대신에 적합한 밴드갭을 구비한 다른 발광성 나노입자를 사용할 수 있다.
이상과 같은 실시예는 저부 발광 디스플레이를 나타낸다. 해당 기술에 잘 알려져 있는 적절한 캐소드 및 애노드를 사용함으로써, 본 발명에 따라 상부 발광 디스플레이를 구성할 수 있다는 것이 당업자에게는 자명할 것이다.
Claims (25)
- 적어도 하나는 방사선에 대해 투명한 제1 및 제2 전극;제1 나노입자를 함유하고 상기 제1 전극과 접촉되어 있는 정공 전도층(hole conducting layer);제2 나노입자를 함유하고 상기 정공 전도층 및 상기 제2 전극과 접촉되어 있는 전자 전도층; 및포지티브 및 네거티브 전압을 제공할 수 있는 전압 공급원을 포함하고,상기 전압 공급원의 양극(positive pole)은 상기 제1 전극에 접속되어 있고, 상기 음극은 상기 제2 전극에 접속되어 있는 전계발광 장치(electroluminescent device).
- 제1항에 있어서,상기 정공 전도층과 상기 전자 전도층 사이에 전자-정공 조합층(electron-hole combination layer)을 추가로 포함하는 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전자-정공 조합층이 금속 또는 금속 산화물의 층을 포함하는 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전자-정공 조합층이 상기 제1 또는 상기 제2 나노입자와 함께 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전자-정공 조합층이 상기 제1 및 상기 제2 나노입자와 함께 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1 및 상기 제2 나노입자가 하나 이상의 금속을 포함하고, 상기 전자-정공 조합층의 상기 금속이 상기 제1 또는 상기 제2 나노입자의 금속 중 하나 이상을 포함하는 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전자-정공 조합층이 소결된 층인 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전자-정공 조합층이 5∼10 nm의 두께를 가지는 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 정공 전도층 사이에 배치되고 상기 제1 전극과 상기 정공 전도층에 접촉되어 있는 정공 주입층을 추가로 포함하는 전계발광 장치.
- 제9항에 있어서,상기 정공 주입층이 p-형 반도체, 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 전계발광 장치.
- 제10항에 있어서,상기 금속 산화물이 산화알루미늄, 산화아연 또는 이산화티탄을 포함하는 전계발광 장치.
- 제10항에 있어서,상기 금속이 알루미늄, 금 또는 은을 포함하는 전계발광 장치.
- 제10항에 있어서,상기 p-형 반도체가 p-도핑된 Si인 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제2 전극과 상기 전자 전도층 사이에 설치되고 상기 제2 전극과 상기 전자 전도층에 접촉되어 있는 전자 주입층을 추가로 포함하는 전계발광 장치.
- 제14항에 있어서,상기 전자 주입층이 금속, 플루오르염 또는 n-형 반도체를 포함하는 전계발광 장치.
- 제15항에 있어서,상기 플루오르염이 NaF, CaF2 또는 BaF2를 포함하는 전계발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 나노입자 및 상기 제2 나노입자가 나노결정인 전계발광 장치.
- 제17항에 있어서,상기 나노결정이 독립적으로, 양자 도트(quantum dot), 나노로드(nanorod), 나노바이포드(nanobipod), 나노트리포드(nanotripod), 나노멀티포드(nanomultipod) 또는 나노와이어(nanowire)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 전계발광 장치.
- 제17항에 있어서,상기 나노결정이 양자 도트를 포함하는 전계발광 장치.
- 제16항에 있어서,상기 나노결정이 CdSe, ZnSe, PbSe, CdTe, InP, PbS, Si 또는 II-VI족, II-IV족 또는 III-V족 물질을 포함하는 전계발광 장치.
- 제17항에 있어서,상기 정공 전도층, 상기 전자 전도층, 또는 상기 전자-정공 조합층에 나노구조체를 추가로 포함하는 전계발광 장치.
- 제21항에 있어서,상기 나노구조체가 나노튜브, 나노로드 또는 나노와이어를 포함하는 전계발광 장치.
- 제22항에 있어서,상기 나노구조체가 탄소 나노튜브를 포함하는 전계발광 장치.
- 제21항에 있어서,상기 나노입자가 상기 나노구조체에 공유결합 방식으로(covalently) 부착되어 있는 전계발광 장치.
- 제1항의 전계발광 장치를 포함하는 전자 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77479406P | 2006-02-17 | 2006-02-17 | |
US60/774,794 | 2006-02-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080103568A true KR20080103568A (ko) | 2008-11-27 |
Family
ID=38180579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087022582A KR20080103568A (ko) | 2006-02-17 | 2007-02-20 | 나노구조의 전계발광 장치 및 디스플레이 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7800297B2 (ko) |
EP (1) | EP1989745A1 (ko) |
JP (1) | JP2009527876A (ko) |
KR (1) | KR20080103568A (ko) |
CN (1) | CN101405888B (ko) |
AU (1) | AU2007216983A1 (ko) |
CA (1) | CA2642678A1 (ko) |
WO (1) | WO2007098451A1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101012565B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2011-02-07 | 한양대학교 산학협력단 | 나노 와이어 및 나노입자를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR20120038472A (ko) * | 2009-07-07 | 2012-04-23 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 안정적이고 모든 용액에 처리 가능한 양자점 발광 다이오드 |
KR20140121351A (ko) * | 2013-04-05 | 2014-10-15 | 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우 | 아연 셀레나이드 양자점 기반의 청색 발광 다이오드 |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8349745B2 (en) * | 2004-03-15 | 2013-01-08 | Sharp Laboratory of America, Inc. | Fabrication of a semiconductor nanoparticle embedded insulating film luminescence device |
US8007332B2 (en) * | 2004-03-15 | 2011-08-30 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Fabrication of a semiconductor nanoparticle embedded insulating film electroluminescence device |
JP2009527108A (ja) * | 2006-02-13 | 2009-07-23 | ソレクサント・コーポレイション | ナノ構造層を備える光起電装置 |
KR101513311B1 (ko) | 2006-09-29 | 2015-04-22 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치 |
US8030664B2 (en) * | 2006-12-15 | 2011-10-04 | Samsung Led Co., Ltd. | Light emitting device |
DE102007009530A1 (de) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | OLED mit Farbkonversion |
US20080305045A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Prabhakaran Kuniyil | Methods of synthesis of non-toxic multifunctional nanoparticles and applications |
WO2009072278A1 (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Panasonic Corporation | 発光素子 |
US8410357B2 (en) * | 2008-03-18 | 2013-04-02 | Solexant Corp. | Back contact for thin film solar cells |
CA2716687A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Charlie Hotz | Improved back contact in thin film solar cells |
KR20100125375A (ko) * | 2008-03-26 | 2010-11-30 | 솔렉슨트 코포레이션 | 기판 구조의 태양 전지의 개선된 접합 |
US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
KR101995371B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2019-07-02 | 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
WO2010024652A2 (ko) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 경기대학교 산학협력단 | 무기 발광 소자 |
KR101280551B1 (ko) | 2008-09-01 | 2013-07-01 | 경기대학교 산학협력단 | 무기 발광 소자와 이의 제조방법 |
TWI422088B (zh) * | 2008-10-23 | 2014-01-01 | Nat Univ Tsing Hua | 具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法 |
WO2010065860A2 (en) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | The Regents Of The Univerity Of California | Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device |
KR101652789B1 (ko) | 2009-02-23 | 2016-09-01 | 삼성전자주식회사 | 다중 양자점층을 가지는 양자점 발광소자 |
US8426728B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-04-23 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cells |
CN102005443B (zh) * | 2009-09-02 | 2014-02-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
TW201117416A (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Single-chip type white light emitting diode device |
US20110108102A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Honeywell International Inc. | Solar cell with enhanced efficiency |
CN102082215B (zh) * | 2009-11-28 | 2013-05-29 | 深圳华映显示科技有限公司 | 单芯片式白光发光二极管元件 |
DE102009054742A1 (de) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Organische lichtemittierende Vorrichtung mit homogener Temperaturverteilung |
KR101097342B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 양자점 유기 전계 발광 소자 및 그 형성방법 |
AU2011258475A1 (en) | 2010-05-24 | 2012-11-15 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
WO2012050616A1 (en) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Los Alamos National Security, Llc | Composite materials with metal oxide attached to lead chalcogenide nanocrystal quantum dots with linkers |
WO2012053398A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
RU2013127809A (ru) * | 2010-11-23 | 2014-12-27 | Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк. | Ик-фотодетекторы с высокой способностью к обнаружению при низком напряжении возбуждения |
JP6351974B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2018-07-04 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 細胞および細胞組織の処置のためのデバイスおよび方法 |
US8426964B2 (en) * | 2011-04-29 | 2013-04-23 | Industrial Technology Research Institute | Micro bump and method for forming the same |
CA2840498A1 (en) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
US8835965B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-09-16 | The Penn State Research Foundation | Application of semiconductor quantum dot phosphors in nanopillar light emitting diodes |
CN103427026A (zh) * | 2012-05-14 | 2013-12-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
US9711748B2 (en) | 2012-08-29 | 2017-07-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED devices with internal outcoupling |
DE102012217574A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Phosphoroxo-Salze als n-Dotierstoffe für die organische Elektronik |
CN102881829A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-01-16 | 吉林大学 | 反式结构的水相无机有机杂化太阳能电池及其制备方法 |
CN102937729A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-02-20 | 张红 | 应用纳米材料滤光、导光、调色的激光显像方法 |
KR101646727B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2016-08-08 | 한양대학교 산학협력단 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US9725313B2 (en) * | 2013-12-19 | 2017-08-08 | Sk Innovation Co., Ltd. | Method for fabricating NANO structure including dielectric particle supporters |
KR102192973B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2020-12-18 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 나노 구조체를 갖는 센서 및 그 제조 방법 |
KR20150072292A (ko) * | 2013-12-19 | 2015-06-29 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 플렉시블 기반 나노 구조체를 갖는 센서 및 그 제조 방법 |
US20150174855A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Sk Innovation Co., Ltd. | Flexible nano structure including dielectric particle supporter |
JP6153907B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2017-06-28 | 富士フイルム株式会社 | 発光スクリーン、表示装置 |
KR101579457B1 (ko) | 2014-12-22 | 2015-12-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
US9620686B2 (en) * | 2015-01-28 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Display light sources with quantum dots |
US9640777B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-05-02 | National Taiwan University | Electroluminescent devices with improved optical out-coupling and external quantum efficiencies |
JP2018529214A (ja) | 2015-06-11 | 2018-10-04 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. | 単分散ir吸収ナノ粒子及び関連する方法及びデバイス |
WO2017025843A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、表示装置及び照明装置 |
KR102504125B1 (ko) * | 2015-10-13 | 2023-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 선택 컬러 필터 및 이를 구비하는 표시 장치 |
CN106450013B (zh) * | 2016-10-11 | 2019-11-26 | Tcl集团股份有限公司 | Qled器件 |
US10021761B2 (en) | 2016-10-21 | 2018-07-10 | AhuraTech LLC | System and method for producing light in a liquid media |
US9756701B1 (en) | 2016-10-21 | 2017-09-05 | AhuraTech LLC | System and method for producing light in a liquid media |
US10159136B2 (en) | 2016-10-21 | 2018-12-18 | AhuraTech LLC | System and method for producing light in a liquid media |
US10241111B2 (en) | 2016-10-21 | 2019-03-26 | AhuraTech LLC | Electroluminescent binding assays |
CN108630827B (zh) * | 2017-03-15 | 2020-01-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法 |
EP3700305A4 (en) * | 2017-10-19 | 2021-08-04 | NS Materials Inc. | LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHTING DEVICE |
CN110416423B (zh) * | 2018-08-03 | 2022-07-12 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Qled器件及其制备方法 |
CN113196881B (zh) * | 2018-12-17 | 2024-05-14 | 夏普株式会社 | 电致发光元件以及显示器件 |
US20220158115A1 (en) * | 2019-03-04 | 2022-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and display device |
CN113130837B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-06-21 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN113314675B (zh) * | 2020-02-27 | 2023-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光器件及制备方法、显示装置 |
US20230247847A1 (en) * | 2020-05-08 | 2023-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and method for producing light-emitting element |
CN111697148B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-08-31 | 西北工业大学 | 一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63224190A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | 株式会社日立製作所 | El素子 |
US5537000A (en) * | 1994-04-29 | 1996-07-16 | The Regents, University Of California | Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices |
DE19518668A1 (de) * | 1995-05-22 | 1996-11-28 | Bosch Gmbh Robert | Elektrolumineszierendes Schichtsystem |
JP3327558B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2002-09-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機/無機合金 |
US5720827A (en) * | 1996-07-19 | 1998-02-24 | University Of Florida | Design for the fabrication of high efficiency solar cells |
US6049090A (en) * | 1997-02-10 | 2000-04-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor particle electroluminescent display |
US5958573A (en) * | 1997-02-10 | 1999-09-28 | Quantum Energy Technologies | Electroluminescent device having a structured particle electron conductor |
US6121541A (en) * | 1997-07-28 | 2000-09-19 | Bp Solarex | Monolithic multi-junction solar cells with amorphous silicon and CIS and their alloys |
US6005707A (en) * | 1997-11-21 | 1999-12-21 | Lucent Technologies Inc. | Optical devices comprising polymer-dispersed crystalline materials |
WO2000017903A2 (en) * | 1998-09-22 | 2000-03-30 | Fed Corporation | Inorganic-based color conversion matrix element for organic color display devices and method of fabrication |
EP1208002A4 (en) * | 1999-06-03 | 2006-08-02 | Penn State Res Found | MATERIALS WITH NETWORK OF SURFACE POROSITY COLUMNS DEPOSITED IN THIN FILM |
JP4024009B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2007-12-19 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
US20050045851A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-03-03 | Konarka Technologies, Inc. | Polymer catalyst for photovoltaic cell |
US6919119B2 (en) * | 2000-05-30 | 2005-07-19 | The Penn State Research Foundation | Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films |
EP1176646A1 (en) | 2000-07-28 | 2002-01-30 | Ecole Polytechnique Féderale de Lausanne (EPFL) | Solid state heterojunction and solid state sensitized photovoltaic cell |
WO2002067632A1 (fr) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element lumineux et procede de preparation de ce dernier |
US6657378B2 (en) * | 2001-09-06 | 2003-12-02 | The Trustees Of Princeton University | Organic photovoltaic devices |
FR2827854B1 (fr) * | 2001-07-25 | 2003-09-19 | Saint Gobain Rech | Substrat revetu d'un film composite, procede de fabrication et applications |
GB0118258D0 (en) * | 2001-07-26 | 2001-09-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrode compositions |
US7777303B2 (en) * | 2002-03-19 | 2010-08-17 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor-nanocrystal/conjugated polymer thin films |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
EP2902464B1 (en) * | 2002-03-29 | 2019-09-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
KR100477746B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
AU2003249324A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-02-09 | University Of Florida | Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes |
US20040031519A1 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | Agfa-Gevaert | Nano-porous metal oxide semiconductor spectrally sensitized with metal oxide chalcogenide nano-particles |
JP2005538573A (ja) * | 2002-09-05 | 2005-12-15 | ナノシス・インク. | ナノ構造及びナノ複合材をベースとする組成物 |
TW200422374A (en) * | 2002-09-05 | 2004-11-01 | Nanosys Inc | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
US20050126628A1 (en) * | 2002-09-05 | 2005-06-16 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
CN100584921C (zh) * | 2002-09-05 | 2010-01-27 | 奈米***股份有限公司 | 促进电荷转移至纳米结构或自纳米结构转移出电荷的有机物 |
US20040067324A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Lazarev Pavel I | Organic photosensitive optoelectronic device |
US6833201B2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-12-21 | Clemson University | Nanostructured-doped compound for use in an EL element |
BRPI0408493B1 (pt) * | 2003-03-19 | 2018-09-18 | Heliatek Gmbh | componente fotoativo orgânico |
US7605327B2 (en) * | 2003-05-21 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template |
WO2005001900A2 (en) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Sirica Corporation | Steady-state-non-equilibrium distribution of free carriers and photon energy up-conversion using same |
US7265037B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same |
JP4086013B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-05-14 | 株式会社デンソー | 車両用衝突物体判別装置 |
US7605534B2 (en) * | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same |
US20050150542A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Arun Madan | Stable Three-Terminal and Four-Terminal Solar Cells and Solar Cell Panels Using Thin-Film Silicon Technology |
JP5248782B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2013-07-31 | シリアム・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | エピタキシャルに成長させた量子ドット材料を有する太陽電池 |
US7604843B1 (en) * | 2005-03-16 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Metallic dispersion |
US8586967B2 (en) * | 2004-04-13 | 2013-11-19 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic photovoltaic cells employing hybridized mixed-planar heterojunctions |
US20060088713A1 (en) * | 2004-05-05 | 2006-04-27 | Dykstra Tieneke E | Surface modification of nanocrystals using multidentate polymer ligands |
US20050253502A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Optically enhanced nanomaterials |
KR100632632B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자 |
US7329709B2 (en) * | 2004-06-02 | 2008-02-12 | Konarka Technologies, Inc. | Photoactive materials and related compounds, devices, and methods |
US7442320B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-10-28 | Ultradots, Inc. | Nanostructured materials and photovoltaic devices including nanostructured materials |
WO2006023206A2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-03-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | One-pot synthesis of high-quality metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection |
GB0422913D0 (en) * | 2004-10-15 | 2004-11-17 | Elam T Ltd | Electroluminescent devices |
US20060112983A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-06-01 | Nanosys, Inc. | Photoactive devices and components with enhanced efficiency |
US7618838B2 (en) * | 2005-04-25 | 2009-11-17 | The Research Foundation Of State University Of New York | Hybrid solar cells based on nanostructured semiconductors and organic materials |
US20070012355A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Locascio Michael | Nanostructured material comprising semiconductor nanocrystal complexes for use in solar cell and method of making a solar cell comprising nanostructured material |
WO2007120175A2 (en) * | 2005-08-24 | 2007-10-25 | The Trustees Of Boston College | Apparatus and methods for solar energy conversion using nanoscale cometal structures |
KR100795785B1 (ko) * | 2005-11-24 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP2009532851A (ja) * | 2006-02-16 | 2009-09-10 | ソレクサント・コーポレイション | ナノ粒子増感ナノ構造太陽電池 |
US20080066802A1 (en) * | 2006-03-23 | 2008-03-20 | Solexant Corp. | Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes |
-
2007
- 2007-02-20 CN CN2007800095438A patent/CN101405888B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-20 KR KR1020087022582A patent/KR20080103568A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-02-20 US US11/676,912 patent/US7800297B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-20 AU AU2007216983A patent/AU2007216983A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-20 JP JP2008555536A patent/JP2009527876A/ja not_active Withdrawn
- 2007-02-20 CA CA002642678A patent/CA2642678A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-20 WO PCT/US2007/062445 patent/WO2007098451A1/en active Application Filing
- 2007-02-20 EP EP07757229A patent/EP1989745A1/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-31 US US12/872,792 patent/US20100320442A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-04-20 US US13/452,021 patent/US20130020550A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101012565B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2011-02-07 | 한양대학교 산학협력단 | 나노 와이어 및 나노입자를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR20120038472A (ko) * | 2009-07-07 | 2012-04-23 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 안정적이고 모든 용액에 처리 가능한 양자점 발광 다이오드 |
KR20140121351A (ko) * | 2013-04-05 | 2014-10-15 | 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우 | 아연 셀레나이드 양자점 기반의 청색 발광 다이오드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130020550A1 (en) | 2013-01-24 |
US20070194694A1 (en) | 2007-08-23 |
US7800297B2 (en) | 2010-09-21 |
WO2007098451A1 (en) | 2007-08-30 |
CN101405888B (zh) | 2011-09-28 |
US20100320442A1 (en) | 2010-12-23 |
AU2007216983A1 (en) | 2007-08-30 |
CA2642678A1 (en) | 2007-08-30 |
CN101405888A (zh) | 2009-04-08 |
JP2009527876A (ja) | 2009-07-30 |
EP1989745A1 (en) | 2008-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7800297B2 (en) | Nanostructured electroluminescent device and display | |
KR101620870B1 (ko) | 표면 개질된 산화아연을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드 | |
KR101357045B1 (ko) | 그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법 | |
KR101791937B1 (ko) | 광전자소자 | |
KR101794082B1 (ko) | 아민기를 갖는 덴드리머로 리간드 치환된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광소자 및 이의 제조방법 | |
WO2021103471A1 (zh) | 一种自组装多维量子阱CsPbX 3钙钛矿纳米晶电致发光二极管 | |
Ji et al. | Highly efficient flexible quantum-dot light emitting diodes with an ITO/Ag/ITO cathode | |
WO2014088667A2 (en) | Light emitting device including tandem structure | |
Chen et al. | Nanostructure and device architecture engineering for high-performance quantum-dot light-emitting diodes | |
CN110838550B (zh) | 混合型发光二极管及其制备方法 | |
Mu et al. | Effects of in-situ annealing on the electroluminescence performance of the Sn-based perovskite light-emitting diodes prepared by thermal evaporation | |
Kang et al. | Solution processable CdSe/ZnS quantum dots light-emitting diodes using ZnO nanocrystal as electron transport layer | |
Cheng et al. | Balancing charge injection in quantum dot light-emitting diodes to achieve high efficienciy of over 21% | |
Wang et al. | Tailoring nanostructures of quantum dots toward efficient and stable all-solution processed quantum dot light-emitting diodes | |
CN111384280A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
Park et al. | High efficiency quantum dot light-emitting diode by solution printing of zinc oxide nanoparticles | |
CN113039661A (zh) | 通过喷墨印刷制造钙钛矿发光器件的方法 | |
KR101450858B1 (ko) | 그래핀 산화물을 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
CN110544746B (zh) | 发光二极管及其制备方法 | |
KR101560088B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 제조 방법 | |
CN113130794A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN113169289A (zh) | 通过喷墨印刷制造钙钛矿发光器件的方法 | |
KR101687637B1 (ko) | 단일의 양자점으로 이루어지는 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자 | |
WO2023051461A1 (zh) | 氧化钼纳米材料及制备方法、光电器件 | |
Ha et al. | The Effect of Particle Size on the Charge Balance Property of Quantum Dot Light-Emitting Devices Using Zinc Oxide Nanoparticles |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |