KR20080097602A - Light emission device and display device - Google Patents

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KR20080097602A KR1020070042658A KR20070042658A KR20080097602A KR 20080097602 A KR20080097602 A KR 20080097602A KR 1020070042658 A KR1020070042658 A KR 1020070042658A KR 20070042658 A KR20070042658 A KR 20070042658A KR 20080097602 A KR20080097602 A KR 20080097602A
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신종훈
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Abstract

A light emission device and a display device are provided to prevent the occurrence of protrusions on a metallic reflection layer or the swell of the metallic reflection layer by including a metallic reflection layer proper to a plastic process. A first substrate(12) and a second substrate(14) are arranged facing each other, and an electron emission unit(18) is prepared at a portion of the first substrate. An emission unit(20) is prepared at a portion of the second substrate. The emission unit includes: plural fluorescent layers(30) which are placed having the interval among the layers at a portion of the second substrate; and a metallic reflection layer(34) which is made of the alloy of Cu, Nd or W and is formed on the florescent layers.

Description

발광 장치 및 표시 장치 {LIGHT EMISSION DEVICE AND DISPLAY DEVICE}Light Emitting Device and Display {LIGHT EMISSION DEVICE AND DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 발광 장치의 부분 분해 사시도.FIG. 2 is a partially exploded perspective view of the light emitting device shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도.3 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

[산업상 이용 분야][Industrial use]

본 발명은 발광 장치와 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전계에 의한 전자 방출 특성을 이용하여 빛을 내는 발광 장치와, 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a display device using the light emitting device as a light source, and more particularly, to a light emitting device that emits light using an electron emission characteristic by an electric field, and a display device using the light emitting device as a light source. It is about.

[종래 기술][Prior art]

최근들어 평판 표시 장치의 한 종류인 액정 표시 장치가 음극선관을 대체하여 널리 사용되고 있다. 액정 표시 장치는 인가 전압에 따라 비틀림각이 변화하는 액정의 유전 이방성을 이용하여 픽셀별로 광 투과량을 변화시키는 특징을 가진다.Recently, a liquid crystal display device, which is a type of flat panel display device, has been widely used in place of a cathode ray tube. The liquid crystal display has a characteristic of changing the amount of light transmission for each pixel by using the dielectric anisotropy of the liquid crystal whose twist angle changes according to the applied voltage.

이러한 액정 표시 장치는 기본적으로 액정 패널 조립체와, 액정 패널 조립체로 빛을 제공하는 백 라이트 유닛을 포함하며, 액정 패널 조립체가 백 라이트 유닛 에서 방출되는 빛을 제공받아 이 빛을 액정층의 작용으로 투과 또는 차단시킴으로써 소정의 화상을 구현한다.Such a liquid crystal display device basically includes a liquid crystal panel assembly and a backlight unit that provides light to the liquid crystal panel assembly, and the liquid crystal panel assembly receives light emitted from the backlight unit and transmits the light by the action of the liquid crystal layer. Or a predetermined image is implemented by blocking.

백 라이트 유닛은 광원의 종류에 따라 구분할 수 있는데, 그 중 하나로 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp; CCFL, 이하 'CCFL'이라 한다) 방식이 공지되어 있다. 그러나 CCFL 방식에서는 소비 전력이 큰 단점이 있고, 구조상 대면적화가 어렵기 때문에 30인치 이상의 대형 표시 장치에 적용이 어려운 한계가 있다.The backlight unit may be classified according to the type of light source, and one of them is known as a cold cathode fluorescent lamp (CCFL). However, the CCFL method has a disadvantage in that power consumption is large, and due to the difficulty in large-area structure, it is difficult to apply to a large display device of 30 inches or more.

그리고 종래의 백 라이트 유닛으로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED, 이하 'LED'라 한다) 방식이 공지되어 있다. 상기 LED 방식은 응답 속도가 빠르고 색재현성이 우수한 장점이 있으나, 가격이 높고 두께가 큰 단점이 있다.As a conventional backlight unit, a light emitting diode (LED) method is known. The LED method has the advantage of fast response speed and excellent color reproducibility, but has a disadvantage of high price and large thickness.

이처럼 종래의 백 라이트 유닛은 광원의 종류에 따라 각자의 문제점을 가지고 있다. 또한 종래의 백 라이트 유닛은 표시 장치 구동시 일정한 밝기로 항상 켜져 있으므로 표시 장치에 요구되는 화질 개선에 부합하기 어려운 문제가 있다.As such, the conventional backlight unit has its own problems depending on the type of light source. In addition, since the conventional backlight unit is always turned on at a constant brightness when the display device is driven, there is a problem that it is difficult to meet the image quality improvement required for the display device.

일례로 액정 패널 조립체가 영상 신호에 따라 밝은 부분과 어두운 부분을 포함하는 임의의 화면을 표시하는 경우, 백 라이트 유닛이 밝은 부분을 표시하는 영역과 어두운 부분을 표시하는 영역에 서로 다른 세기의 빛을 제공한다면 동적 콘트라스트(dynamic contrast)가 우수한 화면을 구현할 수 있을 것이다.For example, when the liquid crystal panel assembly displays an arbitrary screen including a bright portion and a dark portion according to an image signal, the backlight unit applies light of different intensities to the region displaying the bright portion and the region displaying the dark portion. If it is provided, it is possible to realize a screen having excellent dynamic contrast.

그러나 지금까지의 백 라이트 유닛으로는 전술한 기능을 구현할 수 없으므로 종래의 액정 표시 장치는 화면의 동적 콘트라스트를 높이는 데 한계가 있다.However, the above-described backlight unit cannot implement the above functions, and thus the conventional liquid crystal display device has a limitation in increasing the dynamic contrast of the screen.

본 발명의 목적은 열에 강하고, 소성 공정에 보다 적합한 금속 반사막을 포함하여 휘도 특성이 개선된 발광 장치 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting device that is resistant to heat and has improved luminance characteristics, including a metal reflective film more suitable for a firing process, and a display device using the light emitting device as a light source.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면 서로 대향 배치되는 제1 기판, 및 제2 기판과 상기 제1 기판의 일면에 제공되는 전자 방출 유닛, 및 상기 제2 기판의 일면에 제공되는 발광 유닛을 포함하며, 상기 발광 유닛은 상기 제2 기판의 일면에 서로간 거리를 두고 위치하는 복수의 형광층들; 및 상기 형광층들의 위에 위치하는 금속 반사막을 포함하는 것이고, 상기 금속 반사막은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금을 포함하는 것인 발광 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, the first substrate disposed opposite to each other, the second substrate and the electron emission unit provided on one surface of the first substrate, and provided on one surface of the second substrate And a light emitting unit, wherein the light emitting unit comprises: a plurality of fluorescent layers positioned at a distance from each other on one surface of the second substrate; And a metal reflective film positioned on the fluorescent layers, wherein the metal reflective film includes an alloy of metal and Al selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and a combination thereof. .

상기 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 합금 전체 중량에 대하여 5 중량% 이하로 함유하는 것이 바람직하다.The alloy of the metal and Al selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof is 5% by weight or less based on the total weight of the alloy of the metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof. It is preferable to contain as.

본 발명은 또한, 전술한 구성의 발광 장치와, 발광 장치의 전방에 위치하여 발광 장치로부터 방출된 빛을 제공받아 화상을 표시하는 패널 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다.The present invention also provides a display device including a light emitting device having the above-described configuration and a panel panel positioned in front of the light emitting device to receive light emitted from the light emitting device to display an image.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 서로 대향 배치되는 제1 기판, 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 제공되는 전자 방출 유닛; 및 상기 제2 기판의 일면에 제 공되는 발광 유닛을 포함하며, 상기 발광 유닛은, 상기 제2 기판의 일면에 서로간 거리를 두고 위치하는 복수의 형광층들; 및 상기 형광층들의 위에 위치하는 금속 반사막을 포함하며, 상기 금속 반사막은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금을 포함하는 것인 발광 장치를 제공한다.According to one embodiment of the invention, the first substrate, and the second substrate disposed opposite to each other; An electron emission unit provided on one surface of the first substrate; And a light emitting unit provided on one surface of the second substrate, wherein the light emitting unit includes: a plurality of fluorescent layers positioned at a distance from each other on one surface of the second substrate; And a metal reflective film positioned on the fluorescent layers, wherein the metal reflective film includes an alloy of Al and a metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and a combination thereof.

상기 금속 반사막은 상기 형광층에서 발광되는 빛 중 상기 제1 기판 측으로 발광되는 빛을 다시 상기 제2 기판 측으로 반사시켜 전자 방출 디스플레이의 휘도 특성을 높여 주기 위하여 형성된다. 또한, 상기 금속 반사막 자체가 애노드 전극으로 사용될 수도 있다. 상기 금속 반사막으로는 주로 Al 반사막이 사용되어 왔다.The metal reflective film is formed to reflect the light emitted from the fluorescent layer to the first substrate and to the second substrate to enhance the luminance characteristics of the electron emission display. In addition, the metal reflecting film itself may be used as the anode electrode. Al reflection films have been mainly used as the metal reflection films.

그러나, 상기 발광 유닛을 제조하기 위해서는 많은 소성 공정을 지나게 되어 있다. 상기 소성 공정은 400℃ 이상의 고온 공정이므로, 융점이 낮은 Al을 금속 반사막으로 사용하는 경우, 금속 반사막 표면에 돌기가 발생하거나, 금속 반사막 표면이 부풀거나, 금속 반사막 자체가 끊어지는 현상이 발생할 수 있다. 상기와 같은 현상이 발생할 경우, 상기 금속 반사막은 전자 방출 디스플레이의 휘도를 높여 주거나, 애노드 전극으로서의 역할을 충분히 할 수 없다. However, in order to manufacture the light emitting unit, many firing steps are required. Since the firing process is a high temperature process of 400 ° C. or more, when Al having a low melting point is used as the metal reflective film, protrusions may occur on the metal reflective film surface, the surface of the metal reflective film may swell, or the metal reflective film itself may be broken. . When such a phenomenon occurs, the metal reflecting film cannot increase the luminance of the electron emission display or can play a sufficient role as an anode electrode.

본 발명의 일 실시예에 따른 금속 반사막은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금을 포함함으로써, 열에 강한 금속 반사막을 제공한다. 상기 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금은 융점이 400℃ 이상으로, 고온 소성 공정에 의하여 금속 반사막 표면에 돌기가 발생하거나, 금속 반사막 표면이 부풀거나, 금속 반사막 표면 자체 가 끊어지는 현상을 줄여준다. 따라서, 매끄러운 표면을 갖는 금속 반사막을 얻을 수 있고, 이러한 금속 반사막을 구비한 발광 장치는 휘도 특성이 개선된다. The metal reflective film according to the embodiment of the present invention includes an alloy of Al and a metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and a combination thereof, thereby providing a heat resistant metal reflective film. The alloy of the metal and Al selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof has a melting point of 400 ° C. or more, and protrudes on the surface of the metal reflective film by a high temperature baking process, or the surface of the metal reflective film is swollen, In addition, the metal reflection film itself can be cut off. Therefore, a metal reflective film having a smooth surface can be obtained, and the light emitting device provided with such a metal reflective film has improved luminance characteristics.

또한, 애노드 전극에 고압의 전압을 가할수록 발광 장치의 휘도가 개선되므로, 매끄러운 표면을 갖는 금속 반사막은 애노드 전극에 더욱 고압의 전압을 인가하는 것을 가능하게 하여 발광 장치의 휘도를 개선할 수 있다. In addition, since the luminance of the light emitting device is improved as a high voltage is applied to the anode electrode, the metal reflective film having a smooth surface makes it possible to apply a higher voltage to the anode electrode, thereby improving the brightness of the light emitting device.

상기 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 상기 합금 전체 중량에 대하여 5 중량%이하로 함유하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5 중량%로 함유하는 것이 더욱 바람직하고, 2 내지 5 중량%로 함유하는 것이 더더욱 바람직하다. The alloy of the metal and Al selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof is 5% by weight based on the total weight of the alloy of the metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof. It is preferable to contain below, It is more preferable to contain at 0.5 to 5 weight%, It is still more preferable to contain at 2 to 5 weight%.

상기 합금이 상기 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 상기 합금 전체 중량에 대하여 5 중량%를 초과하여 함유하는 경우, 저항이 커지고, 금속 반사막 형성시 에칭성에 문제가 있어 바람직하지 않다. When the alloy contains more than 5 wt% of the metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof with respect to the total weight of the alloy, the resistance becomes large, and there is a problem in the etching property when forming the metal reflective film. It is not desirable.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 발광 장치의 부분 분해 사시도이다. 도 2에서 도 1과 동일한 부재에 대해서는 도 1과 같은 인용부호를 사용한다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a partially exploded perspective view of the light emitting device shown in FIG. In FIG. 2, the same reference numerals as those of FIG. 1 are used for the same members as those of FIG. 1.

먼저 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치(10)는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(12)과 제2 기판(14)을 포함한다. 제1 기판(12)과 제2 기판(14)의 가장자리에는 밀봉 부재(16)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 및 밀봉 부재(16)가 진공 용기를 구성한다.First, referring to FIG. 1, a light emitting device 10 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 12 and a second substrate 14 that are disposed to face each other in parallel at predetermined intervals. Sealing members 16 are disposed on the edges of the first substrate 12 and the second substrate 14 to bond the two substrates, and the inner space is evacuated with a vacuum of approximately 10 −6 Torr so that the first substrate 12 The second substrate 14 and the sealing member 16 constitute a vacuum container.

제1 기판(12)과 제2 기판(14)은 밀봉 부재(16) 내측에서 실제 가시광 방출에 기여하는 유효 영역과, 유효 영역을 둘러싸는 비유효 영역을 구비한다. 제1 기판(12)의 유효 영역에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛(18)이 제공되고, 제2 기판(14)의 유효 영역에는 가시광 방출을 위한 발광 유닛(20)이 제공된다.The first substrate 12 and the second substrate 14 have an effective area contributing to the actual visible light emission inside the sealing member 16 and an invalid area surrounding the effective area. The effective area of the first substrate 12 is provided with an electron emission unit 18 for electron emission, and the effective area of the second substrate 14 is provided with a light emission unit 20 for visible light emission.

도 2를 참조하면, 전자 방출 유닛(18)은 제1 기판(12)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 제1 전극인 캐소드 전극들(22)과, 절연층(24)을 사이에 두고 캐소드 전극(22)과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 제2 전극인 게이트 전극들(26)과, 캐소드 전극(22)에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들(28)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the electron emission unit 18 may include cathode electrodes 22, which are first electrodes formed in a stripe pattern along one direction of the first substrate 12, and an insulating layer 24 therebetween. Gate electrodes 26, which are second electrodes formed in a stripe pattern along a direction crossing the cathode electrode 22, and electron emission parts 28 electrically connected to the cathode electrode 22 are included.

캐소드 전극(22)과 게이트 전극(26)의 교차 영역마다 게이트 전극(26)과 절연층(24)에 개구부(261,241)가 형성되어 캐소드 전극(22)의 표면 일부를 노출시키고, 절연층(24)의 개구부(261,241) 내측으로 캐소드 전극(22) 위에 전자 방출부(28)가 위치한다.Openings 261 and 241 are formed in the gate electrode 26 and the insulating layer 24 at each intersection region of the cathode electrode 22 and the gate electrode 26 to expose a portion of the surface of the cathode electrode 22 and the insulating layer 24. The electron emission part 28 is positioned on the cathode electrode 22 in the openings 261 and 241 of the.

전자 방출부(28)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(28)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소(diamond like carbon), 플러렌, 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 그 제조법으로 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 예로 들 수 있다. 상기 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수도 있다.The electron emission unit 28 may be made of materials emitting electrons, for example, carbon-based materials or nano-sized materials when an electric field is applied in a vacuum. The electron emitting portion 28 may include, for example, carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond like carbon, fullerenes, silicon nanowires, or a combination thereof, and may be screened by Examples include printing, direct growth, chemical vapor deposition or sputtering. The electron emission unit may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

전술한 구조에서 캐소드 전극(22)과 게이트 전극(26)의 교차 영역 하나가 발광 장치(10)의 한 픽셀 영역에 대응하거나, 2개 이상의 교차 영역이 발광 장치(10)의 한 픽셀 영역에 대응할 수 있다. 두 번째 경우 하나의 픽셀 영역에 대응하는 2개 이상의 캐소드 전극들(22) 및/또는 2개 이상의 게이트 전극들(26)은 서로 전기적으로 연결되어 동일한 구동 전압을 인가받는다.In the above structure, one intersection region of the cathode electrode 22 and the gate electrode 26 may correspond to one pixel region of the light emitting device 10, or two or more intersection regions may correspond to one pixel region of the light emitting device 10. Can be. In the second case, two or more cathode electrodes 22 and / or two or more gate electrodes 26 corresponding to one pixel area are electrically connected to each other to receive the same driving voltage.

다음으로, 발광 유닛(20)은 제2 기판(14)의 일면에서 소정의 패턴을 가지며 서로간 거리를 두고 위치하는 형광층들(30), 및 상기 형광층들(30) 사이에 위치하는 흑색층들(32)과, 상기 형광층들(30), 및 흑색층들(32)의 위에 위치하는 금속 반사막(34)을 포함하며, 상기 금속 반사막(34)은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금을 포함한다.Next, the light emitting unit 20 has a predetermined pattern on one surface of the second substrate 14 and is positioned at a distance from each other, and the black layers positioned between the fluorescent layers 30. Layers 32, the fluorescent layers 30, and a metal reflective film 34 positioned over the black layers 32, wherein the metal reflective film 34 is Cu, Nd, W, and these. And an alloy of Al and a metal selected from the group consisting of

상기 금속 반사막(34)은 종래 금속 반사막을 형성하는 방법이면 어느 것이나 이용 가능하며, 특히, 화학 기상 증착이나 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있다. The metal reflective film 34 can be formed using any conventional method for forming a metal reflective film, and in particular, can be formed using chemical vapor deposition or sputtering.

상기 금속 반사막(34)은 애노드 전극으로서의 역할을 할 수 있다. 상기 금속 반사막을 애노드 전극으로 사용하는 경우, 상기 금속 반사막(34)은 전자빔을 끌 어당기는 가속 전극으로서 고전압을 인가 받아 형광층(30)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(30)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(12)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(14) 측으로 반사시켜 휘도를 높이는 역할을 한다.The metal reflective layer 34 may serve as an anode electrode. When the metal reflecting film is used as an anode electrode, the metal reflecting film 34 is applied to a high voltage as an acceleration electrode for attracting an electron beam, thereby maintaining the fluorescent layer 30 in a high potential state, and emitting from the fluorescent layer 30. Among the visible light, the visible light emitted toward the first substrate 12 is reflected toward the second substrate 14 to increase the luminance.

한편, 상기 애노드 전극은 금속 반사막(34)이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(14)과 형광층들(30) 사이에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수 개로 형성될 수 있다.The anode electrode may be formed of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) instead of the metal reflective film 34. In this case, the anode electrode may be positioned between the second substrate 14 and the fluorescent layers 30, and may be formed in plural in a predetermined pattern.

상기 형광층(30)이 백색광을 방출하는 백색 형광층을 구비하는 경우, 상기 발광 장치(10)는 수광형 표시 패널에 백색광을 제공하는 광원으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 형광층(30)이 각각의 적색 형광층, 녹색 형광층, 및 청색 형광층을 구비하는 경우, 상기 발광 장치(10)는 자체적으로 영상을 표시할 수도 있다. When the fluorescent layer 30 includes a white fluorescent layer emitting white light, the light emitting device 10 may be used as a light source for providing white light to the light receiving display panel. In addition, when the fluorescent layer 30 includes each of the red fluorescent layer, the green fluorescent layer, and the blue fluorescent layer, the light emitting device 10 may display an image by itself.

그리고 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(도시하지 않음)이 배치될 수 있다.In addition, spacers (not shown) may be disposed between the first substrate 12 and the second substrate 14 to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the distance between the two substrates constant.

상기 광원용으로 사용되는 발광 장치(10)에서 상기 제1 기판(12)과 상기 제2 기판(14)은 5 내지 20mm의 비교적 큰 간격을 두고 위치할 수 있다. 상기 제1 기판(12)과 상기 제2 기판(14)의 간격 확대를 통해 진공 용기 내부의 아크 방전을 줄일 수 있고, 애노드 전극에 10kV 이상, 바람직하게 10 내지 15kV의 고전압을 인가할 수 있다. 이러한 발광 장치(10)는 유효 영역의 중앙부에서 대략 10,000cd/m2의 최대 휘도를 구현할 수 있다.In the light emitting device 10 used for the light source, the first substrate 12 and the second substrate 14 may be positioned at relatively large intervals of 5 to 20 mm. The arc discharge inside the vacuum container may be reduced by increasing the distance between the first substrate 12 and the second substrate 14, and a high voltage of 10 kV or more, preferably 10 to 15 kV may be applied to the anode electrode. The light emitting device 10 may realize a maximum luminance of approximately 10,000 cd / m 2 at the center of the effective area.

전술한 구성의 발광 장치(10)는 진공 용기 외부로부터 캐소드 전극들(22)과 게이트 전극들(26) 및 애노드 전극에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.The light emitting device 10 having the above-described configuration is driven by supplying a predetermined voltage to the cathode electrodes 22, the gate electrodes 26, and the anode electrode from the outside of the vacuum container.

캐소드 전극들(22)과 게이트 전극들(26)이 소정의 구동 전압을 인가받으면, 두 전극의 전압 차가 임계치 이상인 픽셀 영역에서 전자 방출부(28) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 금속 반사막(34)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(30) 부위에 충돌함으로써 이를 발광시킨다. 픽셀별 형광층(30)의 발광 세기는 해당 픽셀의 전자빔 방출량에 대응한다.When the cathode electrodes 22 and the gate electrodes 26 are applied with a predetermined driving voltage, an electric field is formed around the electron emitter 28 in the pixel region where the voltage difference between the two electrodes is greater than or equal to a threshold, and electrons are emitted therefrom. . The emitted electrons are attracted by the high voltage applied to the metal reflective film 34 and collide with the corresponding fluorescent layer 30 to emit light. The emission intensity of the pixel-specific fluorescent layer 30 corresponds to the electron beam emission amount of the pixel.

도 3은 도 2에 도시한 발광 장치를 광원으로 사용하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 3에서 도 2와 동일한 부재에 대해서는 도 2와 같은 인용부호를 사용한다.3 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment in which the light emitting device illustrated in FIG. 2 is used as a light source. In FIG. 3, the same reference numerals as used in FIG. 2 are used for the same members as in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(200)는 발광 장치(10)와, 발광 장치(10)의 전방에 위치하는 표시 패널(50)을 포함한다. 발광 장치(10)와 표시 패널(50) 사이에는 발광 장치(10)에서 출사된 빛을 고르게 확산시키는 확산판(52)이 위치할 수 있으며, 확산판(52)과 발광 장치(10)는 소정의 거리를 두고 떨어져 위치한다.Referring to FIG. 3, the display device 200 according to an exemplary embodiment includes a light emitting device 10 and a display panel 50 positioned in front of the light emitting device 10. A diffusion plate 52 may be disposed between the light emitting device 10 and the display panel 50 to uniformly diffuse the light emitted from the light emitting device 10, and the diffusion plate 52 and the light emitting device 10 may be predetermined. Away from you.

표시 패널(50)은 액정 표시 패널 또는 다른 수광형 표시 패널로 이루어진다. 아래에서는 표시 패널(50)이 액정 표시 패널인 경우에 대해 설명한다.The display panel 50 is formed of a liquid crystal display panel or another light receiving display panel. Below, the case where the display panel 50 is a liquid crystal display panel is demonstrated.

표시 패널(50)은 다수의 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)가 형성된 하부 기판(54)과, 컬러 필터가 형성된 상부 기판(56)과, 이 기판들(54, 56) 사이에 주입되는 액정층(도시하지 않음)을 포함한다. 상부 기판(56)의 윗면과 하부 기판(54)의 아랫면에는 편광판(도시하지 않음)이 부착되어 표시 패널(50)을 통과하는 빛을 편광시킨다.The display panel 50 includes a lower substrate 54 on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are formed, an upper substrate 56 on which a color filter is formed, and a liquid crystal injected between the substrates 54 and 56. Layer (not shown). Polarizers (not shown) are attached to the upper surface of the upper substrate 56 and the lower surface of the lower substrate 54 to polarize light passing through the display panel 50.

하부 기판(54)의 내면에는 부화소(sub-pixel)별로 TFT에 의해 구동이 제어되는 투명한 화소 전극들이 위치하고, 상부 기판(56)의 내면에는 컬러 필터층과 투명한 공통 전극이 위치한다. 컬러 필터층은 부화소별로 하나씩 위치하는 적색 필터층과 녹색 필터층 및 청색 필터층을 포함한다.On the inner surface of the lower substrate 54, transparent pixel electrodes controlled by TFTs for sub-pixels are positioned, and on the inner surface of the upper substrate 56, a color filter layer and a transparent common electrode are positioned. The color filter layer includes a red filter layer, a green filter layer, and a blue filter layer that are positioned one by one for each subpixel.

특정 부화소의 TFT가 턴 온되면, 화소 전극과 공통 전극 사이에 전계가 형성되고, 이 전계에 의해 액정 분자들이 배열각이 변화하며, 변화된 배열각에 따라 광 투과도가 변화한다. 표시 패널(50)은 이러한 과정을 통해 화소별 휘도와 발광색을 제어할 수 있다.When the TFT of a specific subpixel is turned on, an electric field is formed between the pixel electrode and the common electrode, and the alignment angle of the liquid crystal molecules is changed by the electric field, and the light transmittance is changed according to the changed arrangement angle. The display panel 50 may control luminance and emission color of each pixel through this process.

도 3에서 인용부호 58은 각 TFT의 게이트 전극에 게이트 구동 신호를 전송하는 게이트 회로보드 어셈블리를 나타내고, 인용부호 60은 각 TFT의 소스 전극에 데이터 구동 신호를 전송하는 데이터 회로보드 어셈블리를 나타낸다.In FIG. 3, reference numeral 58 denotes a gate circuit board assembly for transmitting a gate driving signal to the gate electrode of each TFT, and reference numeral 60 denotes a data circuit board assembly for transmitting a data driving signal to the source electrode of each TFT.

발광 장치(10)는 표시 패널(50)보다 적은 수의 화소들을 형성하여 발광 장치(10)의 한 화소가 2개 이상의 표시 패널(50) 화소들에 대응하도록 한다. 발광 장치(10)의 각 화소는 이에 대응하는 복수개의 표시 패널(50) 화소들 중 가장 높은 계조에 대응하여 발광할 수 있으며, 2 내지 8비트의 계조를 표현할 수 있다.The light emitting device 10 forms fewer pixels than the display panel 50 so that one pixel of the light emitting device 10 corresponds to two or more pixels of the display panel 50. Each pixel of the light emitting device 10 may emit light corresponding to the highest gray level among the pixels of the display panel 50 corresponding thereto, and may represent 2 to 8 bits of gray level.

편의상 표시 패널(50)의 화소를 제1 화소라 하고, 발광 장치(10)의 화소를 제2 화소라 하며, 하나의 제2 화소에 대응하는 제1 화소들을 제1 화소군이라 명칭 한다.For convenience, a pixel of the display panel 50 is called a first pixel, a pixel of the light emitting device 10 is called a second pixel, and first pixels corresponding to one second pixel are called a first pixel group.

발광 장치(10)의 구동 과정은, (a)표시 패널(50)을 제어하는 신호 제어부(도시하지 않음)가 제1 화소군의 제1 화소들 중 가장 높은 계조를 검출하고, (b)검출된 계조에 따라 제2 화소 발광에 필요한 계조를 산출하여 이를 디지털 데이터로 변환하고, (c)디지털 데이터를 이용하여 발광 장치(10)의 구동 신호를 생성하며, (d)생성된 구동 신호를 발광 장치(10)의 구동 전극에 인가하는 단계를 포함할 수 있다.In the driving process of the light emitting device 10, (a) a signal controller (not shown) controlling the display panel 50 detects the highest gray level among the first pixels of the first pixel group, and (b) detects the gray level. Calculate the gradation required for the second pixel light emission according to the generated gradation and convert the gradation into digital data, (c) generate a drive signal of the light emitting device 10 using the digital data, and (d) emit the generated drive signal. And applying to a drive electrode of the device 10.

발광 장치(10)의 구동 신호는 주사 구동 신호와 데이터 구동 신호로 이루어진다. 전술한 캐소드 전극과 게이트 전극 중 어느 한 전극(일례로 게이트 전극)이 주사 구동 신호를 인가받고, 다른 한 전극(일례로 캐소드 전극)이 데이터 구동 신호를 인가받는다.The drive signal of the light emitting device 10 is composed of a scan drive signal and a data drive signal. One of the above-described cathode electrode and gate electrode (eg, a gate electrode) receives a scan driving signal, and the other electrode (eg, a cathode electrode) receives a data driving signal.

발광 장치(10)의 구동을 위한 주사 회로보드 어셈블리와 데이터 회로보드 어셈블리는 발광 장치(10)의 뒷면에 위치할 수 있다. 도 3에서 인용부호 62가 캐소드 전극과 데이터 회로보드 어셈블리를 연결하는 제1 접속 부재를 나타내고, 인용부호 64가 게이트 전극과 주사 회로보드 어셈블리를 연결하는 제2 접속 부재를 나타내고, 인용부호 66이 애노드 전극에 애노드 전압을 인가하는 제3 접속 부재를 나타낸다.The scan circuit board assembly and the data circuit board assembly for driving the light emitting device 10 may be located at the rear side of the light emitting device 10. In FIG. 3, reference numeral 62 denotes a first connection member connecting the cathode electrode and the data circuit board assembly, reference numeral 64 denotes a second connection member connecting the gate electrode and the scan circuit board assembly, and reference numeral 66 is an anode. A third connecting member for applying an anode voltage to the electrode is shown.

이와 같이 발광 장치(10)의 제2 화소는 대응하는 제1 화소군에 영상이 표시될 때 제1 화소군에 동기되어 소정의 계조로 발광한다. 즉, 발광 장치(10)는 표시 패널(50)이 구현하는 화면 가운데 밝은 영역에는 높은 휘도의 빛을 제공하고, 어두 운 영역에는 낮은 휘도의 빛을 제공한다. 따라서 본 실시예의 표시 장치(200)는 화면의 다이나믹 콘트라스트를 높이고, 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다.As such, when the image is displayed in the corresponding first pixel group, the second pixel of the light emitting device 10 emits light with a predetermined gray level in synchronization with the first pixel group. That is, the light emitting device 10 provides light of high luminance in a bright area of the screen implemented by the display panel 50 and light of low luminance in a dark area. Therefore, the display device 200 according to the present exemplary embodiment may increase the dynamic contrast of the screen and implement more clear image quality.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나, 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예 일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples and comparative examples of the present invention are described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention and the present invention is not limited to the following examples.

(금속 (metal 반사막의Reflective 표면 돌기 발생 실험) Surface protrusion generation experiment)

(실시예 1 내지 8)(Examples 1 to 8)

Nd가 각각 0.7 중량%, 1.0 중량%, 1.3 중량%, 2.0 중량%, 3.0 중량%, 4.0 중량%, 5.0 중량%, 및 10 중량%로 함유된 Nd-Al 합금을 이용하여 실시예 1 내지 8의 금속 반사막을 제조하였다. 상기 제조된 각각의 금속 반사막에 150℃, 200℃, 250℃, 300℃, 350℃, 400℃의 각각의 온도에서 1 시간 동안 열을 가하여 금속 반사막 표면에서의 돌기 발생 여부를 측정하였다. 실시예 1 내지 4의 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Examples 1 to 8 using Nd-Al alloys containing Nd of 0.7 wt%, 1.0 wt%, 1.3 wt%, 2.0 wt%, 3.0 wt%, 4.0 wt%, 5.0 wt%, and 10 wt%, respectively. Was prepared a metal reflective film. Heat was applied to each of the metal reflecting films prepared at 150 ° C., 200 ° C., 250 ° C., 300 ° C., 350 ° C., and 400 ° C. for 1 hour to determine whether projections occurred on the surface of the metal reflection film. The results of Examples 1 to 4 are shown in Table 1 below.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

순수 Al을 이용하여 금속 반사막을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 금속 반사막 표면에서의 돌기 발생 여부를 측정하였다. 비교예 1의 결과도 하기 표 1에 나타내었다.Except that a metal reflective film was prepared using pure Al was carried out in the same manner as in Example 1 to determine whether the projection on the surface of the metal reflective film. The results of Comparative Example 1 are also shown in Table 1 below.

[표 1]TABLE 1

온도 (℃)Temperature (℃) 시간 (hr)Hour (hr) Nd의 함량Nd content 실시예 1 (0.7중량%)Example 1 (0.7 wt.%) 실시예 2 (1.0중량%)Example 2 (1.0 wt%) 실시예 3 (1.3중량%)Example 3 (1.3 wt.%) 실시예 4 (2.0중량%)Example 4 (2.0 wt.%) 비교예 1 (0 중량%)Comparative Example 1 (0 wt%) 150150 1One 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생Occur 200200 1One 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생Occur 250250 1One 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생Occur 300300 1One 발생Occur 발생Occur 발생하지 않음Does not occur 발생하지 않음Does not occur 발생Occur 350350 1One 발생Occur 발생Occur 발생Occur 발생하지 않음Does not occur 발생Occur 400400 1One 발생Occur 발생Occur 발생Occur 발생하지 않음Does not occur 발생Occur

상기 표 1을 참조하면, 순수 Al의 경우, 150℃ 이상에서 표면 돌기가 발생함을 알 수 있다. 반면, Nd-Al 합금의 경우, 250℃에서도 표면 돌기가 발생하지 않았으며, 특히, Nd의 함량이 2.0원자%인 Nd-Al 합금의 경우 400℃ 이상에서도 표면 돌기가 발생하지 않았음을 알 수 있다. Referring to Table 1, in the case of pure Al, it can be seen that the surface projection occurs at 150 ℃ or more. On the other hand, in the case of Nd-Al alloys, no surface protrusions occurred even at 250 ° C. In particular, in the case of Nd-Al alloys containing 2.0 atomic% Nd, no surface protrusions occurred even at 400 ° C or higher. have.

실시예 5 내지 8의 금속 반사막의 경우에도 400℃ 이상에서 표면 돌기가 발생하지 않았음을 확인하였다.In the case of the metal reflective films of Examples 5 to 8, it was confirmed that no surface projection occurred at 400 ° C or higher.

(발광 유닛의 제조)(Manufacture of light emitting unit)

(실시예 9)(Example 9)

기판 상의 유효 영역에 흑연을 이용하여 흑색층을 형성하고 형성된 흑색층 사이에 하나의 픽셀 영역마다 하나의 형광층이 위치하도록 백색 형광층을 형성하였다. 다음으로, 상기 백색 형광층이 형성된 기판 전면에 Nd가 2.0 중량%로 포함되어 있는 Nd-Al 합금을 화학 기상 증착하여 금속 반사막을 형성하였다. A black layer was formed using graphite in the effective region on the substrate, and a white fluorescent layer was formed such that one fluorescent layer was positioned for each pixel region between the formed black layers. Next, an Nd-Al alloy containing 2.0 wt% of Nd was formed on the entire surface of the substrate on which the white fluorescent layer was formed to form a metal reflective film.

이어서 상기 백색 형광층, 및 금속 반사막이 형성된 기판을 400℃에서 소성하여 발광 유닛을 제조하였다. Subsequently, the white fluorescent layer and the substrate on which the metal reflective film was formed were fired at 400 ° C. to manufacture a light emitting unit.

(실시예 10)(Example 10)

상기 금속 반사막을 Cu가 2.0 중량%로 포함되어 있는 Cu-Al 합금을 이용하여 형성한 것을 제외하고는 실시예 9에서와 동일한 방법으로 발광 유닛을 제조하였다.A light emitting unit was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the metal reflective film was formed using a Cu—Al alloy containing 2.0 wt% of Cu.

(실시예 11)(Example 11)

상기 금속 반사막을 W가 2.0 중량%로 포함되어 있는 W-Al 합금을 이용하여 형성한 것을 제외하고는 실시예 9에서와 동일한 방법으로 발광 유닛을 제조하였다.A light emitting unit was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the metal reflective film was formed using a W-Al alloy containing W at 2.0 wt%.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

상기 금속 반사막을 Nd-Al합금이 아닌, 순수 Al을 이용하여 형성한 것을 제외하고는 실시예 9에서와 동일한 방법으로 발광 유닛을 제조하였다.A light emitting unit was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the metal reflecting film was formed using pure Al, not Nd-Al alloy.

상기 실시예 9 내지 11, 및 비교예 2에서 제조된 발광 유닛의 금속 반사막의 표면 상태를 관찰하였다. 그 결과, 비교예 2의 금속 반사막의 경우에는 표면 돌기가 발생하였고, 금속 반사막의 표면이 부풀어 오르거나 끊어지는 현상을 관찰할 수 있었다. 반면, 실시예 9 내지 11의 금속 반사막의 경우에는 상기 현상들을 관찰할 수 없었다.The surface states of the metal reflective films of the light emitting units prepared in Examples 9 to 11 and Comparative Example 2 were observed. As a result, in the case of the metal reflective film of Comparative Example 2, surface projections occurred, and the phenomenon that the surface of the metal reflective film swelled or was broken could be observed. On the other hand, in the case of the metal reflective films of Examples 9 to 11, the above phenomena could not be observed.

본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.All simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be seen to be included in the scope of the present invention.

본 발명의 금속 반사막은 열에 강하여 고온에서의 소성 공정에 의하여 금속 반사막 표면에 돌기가 발생하거나, 금속 반사막 표면이 부풀거나, 금속 반사막 표 면 자체가 끊어지는 현상을 줄여준다. 따라서, 매끄러운 표면을 갖는 금속 반사막을 얻을 수 있고, 이러한 금속 반사막을 구비한 발광 유닛은 발광 장치의 휘도 특성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 금속 반사막은 애노드 전극에 더욱 고전압을 인가하는 것을 가능하게 하여 발광 장치의 휘도를 개선할 수 있다. The metal reflective film of the present invention is resistant to heat, thereby reducing the occurrence of projections on the surface of the metal reflective film, swelling of the surface of the metal reflective film, or breakage of the surface of the metal reflective film itself. Thus, a metal reflective film having a smooth surface can be obtained, and the light emitting unit provided with such a metal reflective film can improve the luminance characteristics of the light emitting device. In addition, the metal reflective film can further apply a high voltage to the anode electrode, thereby improving the brightness of the light emitting device.

상기 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치는 화질이 개선된다.The display device using the light emitting device as a light source has improved image quality.

Claims (12)

서로 대향 배치되는 제1 기판, 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other; 상기 제1 기판의 일면에 제공되는 전자 방출 유닛; 및An electron emission unit provided on one surface of the first substrate; And 상기 제2 기판의 일면에 제공되는 발광 유닛을 포함하며,A light emitting unit provided on one surface of the second substrate, 상기 발광 유닛은,The light emitting unit, 상기 제2 기판의 일면에 서로간 거리를 두고 위치하는 복수의 형광층들; 및A plurality of fluorescent layers positioned at a distance from each other on one surface of the second substrate; And 상기 형광층들의 위에 위치하는 금속 반사막을 포함하며, A metal reflecting layer on the fluorescent layers; 상기 금속 반사막은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금을 포함하는 것인 발광 장치.The metal reflective film includes an alloy of Al and a metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 반사막이 애노드 전극인 것인 발광 장치.And the metal reflecting film is an anode electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광 유닛은,The light emitting unit, 상기 제2 기판의 일면에 서로간 거리를 두고 위치하는 복수의 형광층들; A plurality of fluorescent layers positioned at a distance from each other on one surface of the second substrate; 상기 제2 기판과 상기 형광층의 사이에 위치하며, 투명 도전막으로 이루어지는 애노드 전극; 및An anode electrode disposed between the second substrate and the fluorescent layer and formed of a transparent conductive film; And 상기 형광층들의 위에 위치하는 금속 반사막을 포함하며,A metal reflecting layer on the fluorescent layers; 상기 금속 반사막은 Cu, Nd, W, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속과 Al의 합금을 포함하는 것인 발광 장치.The metal reflective film includes an alloy of Al and a metal selected from the group consisting of Cu, Nd, W, and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속과 Al의 합금은 상기 금속을 합금 전체 중량에 대하여 5 중량%이하로 함유하는 것인 발광 장치.And the alloy of the metal and Al contains the metal in an amount of 5% by weight or less based on the total weight of the alloy. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 금속과 Al의 합금은 상기 금속을 합금 전체 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량%로 함유하는 것인 발광 장치.The alloy of the metal and Al is a light emitting device containing 0.5 to 5% by weight relative to the total weight of the alloy. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 금속과 Al의 합금은 상기 금속을 합금 전체 중량에 대하여 2 내지 5 중량%로 함유하는 것인 발광 장치.The alloy of the metal and Al contains 2 to 5% by weight of the metal relative to the total weight of the alloy. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형광층이 백색 형광층으로 이루어지는 것인 발광 장치.A light emitting device in which the fluorescent layer is made of a white fluorescent layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출 유닛이,The electron emission unit, 상기 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 제1 전극들과;First electrodes formed on the first substrate in one direction of the first substrate; 절연층을 사이에 두고 상기 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 제2 전극들; 및Second electrodes formed along a direction crossing the first electrodes with an insulating layer interposed therebetween; And 상기 제1 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들Electron emission parts electrically connected to the first electrodes; 을 포함하는 것인 발광 장치.Light emitting device comprising a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전자 방출부는 탄소계 물질, 나노 사이즈 물질, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인 발광 장치.Wherein the electron emission portion is selected from the group consisting of carbon-based materials, nano-size materials, and combinations thereof. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전자 방출부는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소(diamond like carbon), 플러렌, 실리콘 나노와이어, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인 발광 장치.Wherein the electron emission portion is selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond like carbon, fullerenes, silicon nanowires, and combinations thereof. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 발광 장치; 및The light emitting device according to any one of claims 1 to 10; And 상기 발광 장치의 전방에 위치하여 상기 발광 장치로부터 방출된 빛을 제공받아 화상을 표시하는 표시 패널A display panel positioned in front of the light emitting device to display an image by receiving light emitted from the light emitting device; 을 포함하는 표시 장치.Display device comprising a. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 표시 패널이 액정 표시 패널인 것인 표시 장치.A display device wherein the display panel is a liquid crystal display panel.
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