KR20080096017A - Method of manufacturing light emission uint for light emission device - Google Patents

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KR20080096017A
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이원일
유승준
박진민
강정호
민다기
이수경
정지용
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

A method for manufacturing a light emission unit for a light emission device is provided to prevent the arcing from being generated in the light emission device by forming an arcing preventing member. A method for manufacturing a light emission unit for a light emission device includes the step of preparing a substrate(2) in which a light emitting area and a non-light emitting area are defined; the step of forming an anode electrode(3) on the substrate; the step of forming a phosphor layer(6) on the light emitting area; the step of forming an interlayer; the step of forming a metal reflecting layer(10) on the substrate; the step of forming a protective layer(12) on the metal reflecting layer; the step of forming an arcing preventing member on the metal reflecting layer; the step of removing the interlayer and the protective layer.

Description

발광 장치의 발광 유닛 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMISSION UINT FOR LIGHT EMISSION DEVICE}Method for manufacturing a light emitting unit of a light emitting device {METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMISSION UINT FOR LIGHT EMISSION DEVICE}

도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다.1A to 1F are flowcharts illustrating a method of manufacturing a light emitting unit of a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 발광 유닛을 구비한 발광 장치의 일 예를 나타낸 부분 분해 사시도이다.2 is a partially exploded perspective view showing an example of a light emitting device having a light emitting unit manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 발광 유닛을 구비한 발광 장치의 다른 예를 나타낸 부분 분해 사시도이다.3 is a partially exploded perspective view showing another example of a light emitting device having a light emitting unit manufactured by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention.

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자 방출형 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting unit manufacturing method of an electron emission type light emitting device.

일반적으로, 전자 방출형 발광 장치(light emission device)는 전자 방출 소자(electron emission element) 어레이로 이루어지는 전자 방출 유닛이 구비된 일 기판과, 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 다른 기판을 포함한다.In general, an electron emission type light emitting device includes one substrate having an electron emission unit consisting of an array of electron emission elements, and another substrate including a light emitting unit consisting of a fluorescent layer, an anode electrode, or the like. It includes.

이러한 발광 장치는 디스플레이의 기능 이외에 액정 표시 장치와 같은 수광형 표시 장치에서 광원으로도 사용될 수 있다.Such a light emitting device may be used as a light source in a light receiving type display device such as a liquid crystal display device in addition to a display function.

또한, 전자 방출 유닛을 구성하는 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emission Array; FEA)형이 잘 알려져 있다. 이 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부가 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 탄소계 물질로 이루어져 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다. In addition, a field emission array (FEA) type is well known as an electron emission element constituting an electron emission unit. This FEA type electron emission device includes an electron emission portion and a cathode and a gate electrode as driving electrodes for controlling electron emission of the electron emission portion, and the electron emission portion has a low work function or a high aspect ratio, for example. It consists of a tip structure or a carbon-based material whose tip is mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si), and uses electrons to easily emit electrons by an electric field in vacuum.

상기 발광 장치에서 일 기판과 다른 기판은 서로 접합되어 내부 공간을 가지는 용기를 구성하며, 이 용기의 내부 공간은 배기 공정을 거쳐 진공 상태로 유지된다.In the light emitting device, one substrate and the other substrate are bonded to each other to form a container having an internal space, and the internal space of the container is maintained in a vacuum state through an exhaust process.

그런데, 진공 용기의 내부 공간에는 발광 장치의 제조 과정에서 생성된 유해 가스 등이 잔류하는 경향이 있다. 이 경우 발광 장치의 구동 시 전자 방출부에서 방출된 전자들에 의해 잔류 가스가 이온화되어 새로운 전자를 방출하는 과정이 반복 진행되어 발광 장치의 내부에서 아킹이 유발될 수 있다. 이러한 아킹은 순간적인 대전류를 발생시켜 발광 장치 내부의 구조물, 특히 애노드 전극과 형광층의 손상을 야기하여 결국 발광 장치의 발광 특성을 저하시킨다.By the way, there exists a tendency for the noxious gas produced | generated in the manufacturing process of a light emitting device, etc. to remain in the internal space of a vacuum container. In this case, when the light emitting device is driven, residual gas is ionized by the electrons emitted from the electron emission unit, and a process of emitting new electrons is repeatedly performed, which may cause arcing inside the light emitting device. Such arcing generates an instantaneous large current, causing damage to the structure inside the light emitting device, in particular, the anode electrode and the fluorescent layer, which in turn lowers the light emission characteristics of the light emitting device.

따라서, 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 아킹에 의한 내부 구조물의 손상을 억제하여 발광 특성을 개선할 수 있는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting unit of a light emitting device that can improve light emission characteristics by suppressing damage to an internal structure caused by arcing. .

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법에서는 발광 영역과 비발광 영역이 정의된 기판을 준비하고, 기판의 전면 위에 애노드 전극을 형성한 후, 발광 영역에 형광층을 형성한다. 그 다음, 형광층 상에 중간막을 형성하고, 기판의 전면 위에 금속 반사막을 형성한 후, 형광층에 대응하는 금속 반사막 상에 보호층을 형성한다. 그 다음, 비발광 영역에 대응하는 금속 반사막 상에 아킹 방지 부재를 형성하고, 중간막과 보호층을 제거한다.In the method of manufacturing a light emitting unit of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, a substrate in which a light emitting region and a non-light emitting region are defined is prepared, an anode is formed on the entire surface of the substrate, and a fluorescent layer is formed in the light emitting region. Then, an intermediate film is formed on the fluorescent layer, a metal reflective film is formed on the entire surface of the substrate, and then a protective layer is formed on the metal reflective film corresponding to the fluorescent layer. Then, an arcing prevention member is formed on the metal reflective film corresponding to the non-light emitting region, and the intermediate film and the protective layer are removed.

보호층은 중간막과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The protective layer may be made of the same material as the interlayer.

중간막은 400 내지 450℃의 소성 온도에서 분해되는 고분자 물질, 일례로 아크릴 수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 보호층 또한 아크릴 수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.The interlayer film may include a polymer material decomposed at a firing temperature of 400 to 450 ° C., for example, a material selected from the group consisting of acrylic resins, ethyl cellulose, nitrocellulose, and mixtures thereof. The protective layer may also include a material selected from the group consisting of acrylic resins, ethyl cellulose, nitrocellulose and mixtures thereof.

보호층은 포토리소그라피 또는 패턴 인쇄법에 의해 형성할 수 있다. 아킹 방지 부재는 절연성 물질, 저항성 물질 또는 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 형광층을 형성하기 전에 비발광 영역에 흑색층을 더욱 형성할 수도 있다.The protective layer can be formed by photolithography or pattern printing. The anti-arking member may be made of an insulating material, a resistive material, or a conductive material. Before forming the fluorescent layer, a black layer may be further formed in the non-emitting region.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 발명의 실시예에서, 발광 장치는 외부에서 볼 때 광이 출사된다는 것을 인식할 수 있는 모든 장치를 포함한다. 따라서, 기호, 문자, 숫자 및 영상 등을 표시하여 정보를 전달하는 모든 디스플레이의 장치도 발광 장치에 포함된다. 또한, 발광 장치는 수광형 표시 장치에서 광원으로도 이용될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the light emitting device includes all devices capable of recognizing that light is emitted when viewed from the outside. Accordingly, the devices of all displays that display symbols, letters, numbers, images, and the like to transmit information are also included in the light emitting device. The light emitting device may also be used as a light source in a light receiving display device.

먼저, 도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치의 발광 유닛제조 방법을 설명한다.First, FIGS. 1A to 1F illustrate a light emitting unit manufacturing method of a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 발광 영역과 발광 영역 주변의 비발광 영역이 정의된 기판(2)을 준비하고, 기판(2)의 전면 위에 애노드 전극(3)을 형성한다. 애노드 전극(3)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 도전 물질로 형성한다.Referring to FIG. 1A, a substrate 2 in which a light emitting area and a non-light emitting area around a light emitting area are defined is prepared, and an anode electrode 3 is formed on the entire surface of the substrate 2. The anode electrode 3 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO).

그리고 기판(2)의 비발광 영역에 흑색층(4)을 형성한다. 흑색층(4)은 화면의 콘트라스트 향상을 위하여 형성하며, 크롬 등의 금속 물질을 증착하거나 흑연과 같은 탄소계 물질을 스크린 인쇄하여 형성할 수 있다. 그 다음, 흑색층(4) 사이의 발광 영역에 적(red), 녹(green), 청(blue)의 형광층들(6R, 6G, 6B; 6)을 형성한다.The black layer 4 is formed in the non-light emitting region of the substrate 2. The black layer 4 is formed to improve the contrast of the screen, and may be formed by depositing a metal material such as chromium or by screen printing a carbon-based material such as graphite. Then, red, green, and blue fluorescent layers 6R, 6G, 6B; 6 are formed in the emission region between the black layers 4.

도 1b를 참조하면, 형광층들(6) 상에만 패터닝 과정을 통해 선택적으로 중간막(8)을 형성한다. 중간막(8)은 이후 형성되는 금속 반사막(10)과 흑색층(4)이 직접 접촉하도록 하여 기판(2)에 대한 금속 반사막(10)의 부착력을 높인다.Referring to FIG. 1B, the intermediate layer 8 is selectively formed on the fluorescent layers 6 through patterning. The interlayer film 8 allows the metal reflective film 10 to be formed in direct contact with the black layer 4 to increase the adhesion of the metal reflective film 10 to the substrate 2.

중간막(8)은 400 내지 450℃, 바람직하게 430℃의 소성 온도에서 분해되는 고분자 물질, 일례로 아크릴 수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.The interlayer 8 may include a material selected from the group consisting of a polymer material decomposed at a firing temperature of 400 to 450 ° C., preferably 430 ° C., for example, an acrylic resin, ethyl cellulose, nitrocellulose, and mixtures thereof.

도 1c를 참조하면, 기판(2)의 전면 위에 금속 반사막(10)을 형성한다. 금속 반사막(10)은 금속 물질, 일례로 알루미늄(Al)을 증기 증착 또는 스퍼터링에 의해 증착하여 형성한다.Referring to FIG. 1C, the metal reflective film 10 is formed on the entire surface of the substrate 2. The metal reflective film 10 is formed by depositing a metal material, for example, aluminum (Al) by vapor deposition or sputtering.

도 1d를 참조하면, 형광층들(6)에 대응하는 금속 반사막(10) 상에만 포토리소그라피 또는 패턴 인쇄법에 의해 선택적으로 보호층(12)을 형성한다. 보호층(12)은 이후 중간막(8)과 동시에 제거가 가능하도록 중간막(8)과 동일한 물질, 즉 400 내지 450℃, 바람직하게 430℃의 소성 온도에서 분해되는 고분자 물질, 일례로 아크릴 수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 이 물질들은 소성 후 잔탄이 남지 않는다.Referring to FIG. 1D, the protective layer 12 is selectively formed by the photolithography or pattern printing method only on the metal reflective film 10 corresponding to the fluorescent layers 6. The protective layer 12 may then be removed at the same time as the interlayer 8, that is, a polymer material decomposed at a firing temperature of 400 to 450 ° C., preferably 430 ° C., for example acrylic resin, ethyl It may comprise a material selected from the group consisting of cellulose, nitrocellulose and mixtures thereof. These materials do not leave xanthan after firing.

도 1e를 참조하면, 형광층들(6)을 침범하지 않도록 흑색층(4)에 대응하는 금속 반사막(10) 상에만 선택적으로 아킹 방지 부재(14)를 형성한다. 아킹 방지 부재(14)는 이후 기판(2)이 전자 방출 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 발광 장치의 진공 용기를 구성하는 경우, 발광 장치의 구동 시 진공 용기 내부에서 야기되는 아킹을 흡수하여 금속 반사막(10)과 형광층(6)의 손상을 방지한다.Referring to FIG. 1E, an arcing prevention member 14 is selectively formed only on the metal reflective film 10 corresponding to the black layer 4 so as not to invade the fluorescent layers 6. When the substrate 2 is then combined with another substrate provided with an electron emission unit to form a vacuum container of the light emitting device, the arcing member 14 absorbs the arcing generated inside the vacuum container when the light emitting device is driven to form a metal. Damage to the reflective film 10 and the fluorescent layer 6 is prevented.

일례로, 아킹 방지 부재(14)는 절연성 물질, 저항성 물질 또는 도전성 물질로 이루어질 수 있다.In one example, the anti-arking member 14 may be made of an insulating material, a resistive material, or a conductive material.

또한, 아킹 방지 부재(14)는 기판(2)의 전면 위에 비히클(vehicle)과 고형분을 포함하는 혼합물을 패턴 마스크를 이용하여 선택적으로 인쇄하는 과정으로 이루어지는 패턴 인쇄법에 의해 형성할 수 있다.In addition, the arcing prevention member 14 may be formed by a pattern printing method comprising a process of selectively printing a mixture containing a vehicle and a solid content on the entire surface of the substrate 2 using a pattern mask.

다른 한편으로, 아킹 방지 부재(14)는 기판(2)의 전면 위에 상기 혼합물을 일괄 도포하고, 혼합물 위에 감광성 물질을 도포, 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴을 마스크로하여 혼합물을 에칭한 후 감광막 패턴을 제거하는 과정으로 이루어지는 인쇄 에칭법에 의해 형성할 수도 있다.On the other hand, the anti-arching member 14 collectively applies the mixture on the entire surface of the substrate 2, and forms a photoresist pattern by applying, exposing and developing a photosensitive material on the mixture, and forming the mixture using the photoresist pattern as a mask. It can also be formed by the printing etching method which consists of a process of removing a photosensitive film pattern after an etching.

또 다른 한편으로, 아킹 방지 부재(14)는 상기 혼합물에 감광성 물질을 첨가하여 기판(2)의 전면 위에 일괄 도포하고, 노광 마스크를 이용하여 노광하는 과정으로 이루어지는 인쇄 노광법에 의해 형성할 수도 있다.On the other hand, the anti-arking member 14 may be formed by a printing exposure method comprising a process of adding a photosensitive material to the mixture, applying the film on the entire surface of the substrate 2, and exposing it using an exposure mask. .

그 다음, 400 내지 450℃의 온도에서 소성을 진행하여 중간막(8)과 보호층(12)을 제거하여 도 1f와 같은 발광 유닛(110)을 완성한다.Then, firing is performed at a temperature of 400 to 450 ° C. to remove the interlayer 8 and the protective layer 12 to complete the light emitting unit 110 as shown in FIG. 1F.

이와 같이 본 실시예에서는 형광층(6) 위의 금속 반사막(10)이 보호층(12)에 의해 보호된 상태에서 상술한 아킹 방지 부재(14)의 형성 과정이 이루어지기 때문에 표면에 핀홀(pin hole) 등이 야기되지 않은 양호한 상태의 금속 반사막(10)을 얻을 수 있다.As described above, in the present exemplary embodiment, the above-described anti-arching member 14 is formed while the metal reflective film 10 on the fluorescent layer 6 is protected by the protective layer 12. The metal reflective film 10 in a good state in which no hole or the like is caused can be obtained.

한편, 전술한 발광 유닛(110)에서 투명한 애노드 전극(3)을 생략하고, 금속 반사막(10)에 애노드 전압을 인가하여 금속 반사막(10)이 애노드 전극으로 기능할 수 있다.Meanwhile, the transparent anode electrode 3 may be omitted in the above-described light emitting unit 110, and an anode voltage may be applied to the metal reflective film 10 so that the metal reflective film 10 may function as the anode electrode.

다음으로, 도 2를 참조하여 상술한 방법에 의해 제작된 발광 유닛(110)을 구비한 발광 장치(200)에 대하여 설명한다.Next, with reference to FIG. 2, the light-emitting device 200 provided with the light-emitting unit 110 produced by the method mentioned above is demonstrated.

도 2를 참조하면, 전자 방출 유닛(100)이 구비된 제1 기판(20)과 발광 유닛(110)이 구비된 제2 기판(2)이 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치된 다. 제1 기판(2)과 제2 기판(20)의 가장 자리에는 밀봉 부재(미도시)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(20), 제2 기판(2) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.Referring to FIG. 2, the first substrate 20 with the electron emission unit 100 and the second substrate 2 with the light emitting unit 110 are disposed to face each other in parallel with each other at a predetermined interval. A sealing member (not shown) is disposed at the edge of the first substrate 2 and the second substrate 20 to bond the two substrates, and the internal space is evacuated to a vacuum of approximately 10 −6 Torr to form the first substrate 20. ), The second substrate 2 and the sealing member constitute a vacuum container.

전자 방출 유닛(100)은 전자 방출 소자 어레이로 이루어질 수 있다. 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 또는 금속-절연층-반도체(MIS)형 등이 적용될 수 있으나, 본 실시예에서는 전자 방출 소자로 FEA형이 적용된 경우를 예로 하여 설명한다.The electron emission unit 100 may be formed of an electron emission element array. As the electron emission device, a field emission array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal-insulating layer-metal (MIM) type, or a metal-insulating layer-semiconductor (MIS) type may be used. In the embodiment, a case where the FEA type is applied as the electron emission device will be described as an example.

제1 기판(20)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 캐소드 전극들(22)이 스트라이프 패턴으로 형성된다. 캐소드 전극(22) 위로 제1 기판(20) 전체에 제1 절연층(24)이 형성되고, 제1 절연층(24) 위에 게이트 전극들(26)이 캐소드 전극들(22)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.The cathode electrodes 22 are formed in a stripe pattern along one direction (y-axis direction of the drawing) of the first substrate 20. The first insulating layer 24 is formed on the entire first substrate 20 over the cathode electrode 22, and the gate electrodes 26 are perpendicular to the cathode electrodes 22 on the first insulating layer 24. It is formed in a stripe pattern along the (x-axis direction in the drawing).

캐소드 전극(22)과 게이트 전극(26)의 교차 영역마다 캐소드 전극(22) 위로 전자 방출부들(32)이 형성된다. 그리고, 제1 절연층(24)과 게이트 전극(26)에 각각의 전자 방출부들(32)에 대응하는 개구부들(241, 261)이 형성되어 제1 기판(20) 위로 전자 방출부들(32)을 노출시킨다. 이때, 하나의 캐소드 전극(22), 하나의 게이트 전극(26) 및 이들의 교차 영역에 위치하는 제1 절연층(24)과 전자 방출부들(32)이 하나의 전자 방출 소자를 구성한다.Electron emitters 32 are formed over the cathode electrode 22 at the intersection of the cathode electrode 22 and the gate electrode 26. In addition, openings 241 and 261 corresponding to the respective electron emission parts 32 are formed in the first insulating layer 24 and the gate electrode 26 to form the electron emission parts 32 on the first substrate 20. Expose In this case, one cathode electrode 22, one gate electrode 26, and the first insulating layer 24 and the electron emission parts 32 positioned at the intersection thereof constitute one electron emission element.

전자 방출부(32)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 예컨대 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 전 자 방출부(32)는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노 파이버, 다이아몬드, 다이아몬드 상 카본, 플러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수도 있다.The electron emission part 32 may include materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer (nm) size material. For example, the electron emission part 32 may be formed of any one selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond phase carbons, fullerenes (C 60 ), and silicon nanowires. In addition, the electron emission unit may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

도 2에서는 전자 방출부(32)와 제1 절연층(24) 및 게이트 전극(26) 개구부들(241, 261)의 평면 형상이 원형인 경우를 도시하였으나 이들의 형상은 도시한 예에 한정되지 않는다.In FIG. 2, the planar shape of the electron emission part 32, the first insulating layer 24, and the openings 241 and 261 of the gate electrode 26 are circular, but their shapes are not limited to the illustrated example. Do not.

또한, 게이트 전극(26) 위로 제2 절연층(28)과 집속 전극(30)이 순차적으로 더 형성될 수 있다. 이 경우 제2 절연층(28)과 집속 전극(30)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(281, 301)가 마련되는데, 일례로 이 개구부(281, 301)는 전자 방출 소자 당 하나로 구비되어 집속 전극(30)이 하나의 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다.In addition, the second insulating layer 28 and the focusing electrode 30 may be sequentially formed on the gate electrode 26. In this case, the openings 281 and 301 for passing the electron beam are also provided in the second insulating layer 28 and the focusing electrode 30. For example, the openings 281 and 301 are provided per electron emission element so that the focusing electrode ( 30) can collectively focus electrons emitted from one electron emitting device.

한편, 발광 유닛(110)에서 형광층(6)은 전자 방출 소자의 대향 면에만 위치하도록 구분되어 복수개로 형성될 수 있다. 이때, 상기 전자 방출 소자와 이에 대응하는 부분의 형광층(6)이 하나의 화소를 이루게 된다.On the other hand, in the light emitting unit 110, the fluorescent layer 6 may be formed to be separated by being located only on the opposite surface of the electron emitting device. In this case, the electron emission element and the fluorescent layer 6 of the corresponding portion form one pixel.

다른 한편으로, 형광층(6)은 적, 녹, 청 형광층들이 조합된 구성으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 형광층들은 하나의 화소 내에서 소정의 패턴으로 구분되어 위치할 수 있다.On the other hand, the fluorescent layer 6 may be composed of a combination of red, green, and blue fluorescent layers, in this case, the fluorescent layers may be divided into a predetermined pattern in one pixel.

애노드 전극(3)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가 받는다. 금속 반사막(10)은 형광층(6)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(20)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(2) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.The anode electrode 3 receives a high voltage required for electron beam acceleration from the outside. The metal reflective film 10 reflects the visible light emitted toward the first substrate 20 of the visible light emitted from the fluorescent layer 6 toward the second substrate 2 to increase the brightness of the screen.

이와 같이 구성되는 발광 장치(200)는 캐소드 전극(22)과 게이트 전극(26) 중 어느 하나의 전극에 주사 신호 전압을 인가함과 동시에 다른 하나의 전극에 데이터 신호 전압을 인가하고, 집속 전극(30)에는 수 내지 수십 볼트의 (－) 전압을 인가하며, 애노드 전극(3)에 수백 내지 수천 볼트의 양(＋)의 직류 전압을 인가하여 구동한다.In the light emitting device 200 configured as described above, the scan signal voltage is applied to one of the cathode electrode 22 and the gate electrode 26, and the data signal voltage is applied to the other electrode and the focusing electrode ( 30) is applied with a negative voltage of several to several tens of volts, and driven by applying a positive DC voltage of several hundred to several thousand volts to the anode electrode 3.

그러면, 캐소드 전극(22)과 게이트 전극(26) 사이의 전압차가 임계치 이상인 전자 방출 소자들에서 전자 방출부(32) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(30)의 개구부(301)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되어 애노드 전극(3)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 형광층(6)에 충돌하여 이를 발광시킨다. 또한, 구동 과정에서 발광 장치(200) 내부에 아킹이 발생되더라도 아킹 방지 부재(14)에 의해 아킹이 흡수되어 애노드 전극(3)과 형광층(6)의 손상이 방지될 수 있으므로 발광 특성이 개선될 수 있다.Then, in the electron emission elements in which the voltage difference between the cathode electrode 22 and the gate electrode 26 is greater than or equal to the threshold, an electric field is formed around the electron emission portion 32 to emit electrons therefrom. The emitted electrons are focused through the opening 301 of the focusing electrode 30 to the center of the electron beam bundle, attracted by a high voltage applied to the anode electrode 3, and collide with the corresponding fluorescent layer 6 to emit light. In addition, even if arcing is generated inside the light emitting device 200 during the driving process, the arcing is absorbed by the anti-armoring member 14, thereby preventing damage to the anode electrode 3 and the fluorescent layer 6, thereby improving light emission characteristics. Can be.

한편, 본 실시예에서는 자체 표시가 가능한 발광 장치(200)에 발광 유닛(110)이 적용된 경우를 설명하였지만, 수광형 표시 장치의 면광원으로 사용되는 발광 장치에도 발광 유닛(110)이 적용될 수 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, the light emitting unit 110 is applied to the light emitting device 200 that can display itself, but the light emitting unit 110 may be applied to the light emitting device used as the surface light source of the light receiving display device. .

이 경우 기본적인 구성은 도 2의 발광 장치(200)와 유사하지만 도 3과 같이 화소의 크기 및 구성과 화소 내의 전자 방출부의 개수에 있어서 서로 상이하고 흑색층(4)이 생략될 수 있다.In this case, the basic configuration is similar to that of the light emitting device 200 of FIG. 2, but different from each other in the size and configuration of the pixel and the number of electron emission units in the pixel, and the black layer 4 may be omitted.

또한, 도 3의 발광 장치(300)에서는 하나의 전자 방출 소자와 이에 대응하는 부분의 형광층(6')이 하나의 화소를 구성할 수도 있고, 도시되지는 않았지만 2개 이상의 전자 방출 소자들과 이에 대응하는 부분의 형광층들(6')이 하나의 화소를 구성할 수도 있다.In addition, in the light emitting device 300 of FIG. 3, one electron emission element and a fluorescent layer 6 ′ corresponding to the same may constitute one pixel, and although not shown, two or more electron emission elements may be provided. The fluorescent layers 6 'corresponding to the portion may constitute one pixel.

또한, 형광층(6')은 백색광을 방출하는 백색 형광층으로 이루어져 화소마다 하나의 백색 형광층이 위치하도록 소정의 패턴으로 구분되어 형성될 수도 있고, 도시되지는 않았지만 제2 기판(2')의 전면에 하나의 패턴으로 형성될 수도 있다.In addition, the fluorescent layer 6 'may be formed of a white fluorescent layer that emits white light, and may be formed in a predetermined pattern so that one white fluorescent layer is positioned for each pixel. Although not shown, the second substrate 2' may be formed. It may be formed in a pattern on the front of the.

이와 같이 구성되는 발광 장치(300)에서도 구동 과정에서 발광 장치(300) 내부에 아킹이 발생되더라도 아킹 방지 부재(14')에 의해 아킹이 흡수되어 애노드 전극(3')과 형광층(6')의 손상이 방지될 수 있어 발광 특성이 개선될 수 있다.Even in the light emitting device 300 configured as described above, even if arcing is generated inside the light emitting device 300 during the driving process, the arcing is absorbed by the anti-armoring member 14 'and thus, the anode electrode 3' and the fluorescent layer 6 '. Damage can be prevented so that the light emitting characteristics can be improved.

또한, 발광 장치(300)를 수광형 표시 장치의 면광원으로 이용할 경우 화면의동적 대비비를 높일 수 있어 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다.In addition, when the light emitting device 300 is used as a surface light source of the light receiving display device, the dynamic contrast ratio of the screen may be increased, thereby realizing more clear image quality.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

본 발명의 실시예에 따른 발광 유닛 제조 방법은 아킹 방지 부재를 형성하여 발광 장치 내부에서 야기되는 아킹을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 표면 상태가 양호한 금속 반사막을 얻을 수 있다. 또한, 상기 제조 방법에 의해 제조된 발광 유닛 을 구비한 발광 장치의 경우 우수한 발광 특성을 얻을 수 있다. 또한, 상기 발광 장치를 수광형 표시 장치의 면광원으로 이용할 경우 화면의동적 대비비를 높일 수 있어 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다.The light emitting unit manufacturing method according to the embodiment of the present invention can form an arcing preventing member to prevent arcing caused in the light emitting device and to obtain a metal reflective film having a good surface state. In addition, in the case of a light emitting device having a light emitting unit manufactured by the manufacturing method, excellent light emission characteristics can be obtained. In addition, when the light emitting device is used as a surface light source of the light receiving display device, the dynamic contrast ratio of the screen may be increased, thereby realizing clearer picture quality.

Claims (8)

발광 영역과 비발광 영역이 정의된 기판을 준비하고;Preparing a substrate in which light emitting regions and non-light emitting regions are defined; 상기 기판의 전면 위에 애노드 전극을 형성하고;Forming an anode electrode on the front surface of the substrate; 상기 발광 영역에 형광층을 형성하고;Forming a fluorescent layer in the light emitting region; 상기 형광층 상에 중간막을 형성하고;Forming an intermediate film on the fluorescent layer; 상기 기판의 전면 위에 금속 반사막을 형성하고;Forming a metal reflective film over the entire surface of the substrate; 상기 형광층에 대응하는 상기 금속 반사막 상에 보호층을 형성하고;Forming a protective layer on the metal reflective film corresponding to the fluorescent layer; 상기 비발광 영역에 대응하는 상기 금속 반사막 상에 아킹 방지 부재를 형성하고;Forming an anti-arking member on the metal reflective film corresponding to the non-light emitting area; 상기 중간막과 상기 보호층을 제거하는 단계들Removing the interlayer and the protective layer 을 포함하는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.A light emitting unit manufacturing method of a light emitting device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호층이 상기 중간막과 동일한 물질을 포함하는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.The light emitting unit manufacturing method of the light emitting device in which the said protective layer contains the same material as the said intermediate film. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 중간막이 400 내지 450℃의 소성 온도에서 분해되는 고분자 물질로 이루어지는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting unit for a light emitting device, wherein the interlayer film is made of a polymer material decomposed at a firing temperature of 400 to 450 ° C. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 중간막이 아크릴수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting unit of a light emitting device, wherein the interlayer comprises a material selected from the group consisting of acrylic resins, ethyl cellulose, nitrocellulose, and mixtures thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호층이 아크릴수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.The protective layer comprises a material selected from the group consisting of acrylic resin, ethyl cellulose, nitrocellulose and mixtures thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호층은 포토리소그라피 또는 패턴 인쇄법에 의해 형성하는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.And the protective layer is formed by photolithography or pattern printing. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 아킹 방지 부재는 절연성 물질, 저항성 물질 또는 도전성 물질로 이루어지는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.The arcing preventing member is made of an insulating material, a resistive material or a conductive material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형광층을 형성하기 전에 상기 비발광 영역에 흑색층을 더욱 형성하는 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법.And forming a black layer in the non-light emitting region before forming the fluorescent layer.
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