KR20080095790A - 유도 결합 플라즈마 반응기 내에서 ｍ자 형상의 식각률프로파일을 제거하는 방법 - Google Patents
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Abstract
유도 결합 플라즈마 처리 챔버는 천장을 갖춘 챔버를 갖는다. 제 1 및 제 2 안테나가 천장에 인접하여 배치된다. 제 1 안테나는 제 2 안테나와 동심이다. 플라즈마 소스 전력 공급기가 제 1 및 제 2 안테나에 결합된다. 플라즈마 소스 전력 공급기는 제 1 안테나에 제 1 RF 전력을, 그리고 제 2 안테나에 제 2 RF 전력을 발생시킨다. 기판 지지부가 챔버 내에 배치된다. 제 1 안테나의 크기 및 기판 지지부와의 사이의 거리는 기판 지지부 상의 기판의 식각률이 실질적으로 균일하도록 된다.
Description
본 발명은 기판 처리 챔버에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 유도 결합 플라즈마 반응기 내에서 식각률 균일성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
반도체 마이크로전자 회로를 제조하는데 사용되는 플라즈마 반응기는 RF 유도 결합장(RF inductively coupled fields)을 사용하여 처리 가스로부터 형성된 플라즈마를 유지할 수 있다. 이러한 플라즈마는 식각 및 증착 프로세스를 실행할 때 유용하다. 통상적으로, 고주파 RF 소스 전력 신호가 반응기 챔버 천장에 인접하는 코일 안테나에 인가된다. 챔버 내의 지지부 또는 페디스털 상의 반도체 웨이퍼 또는 워크피스 지지부는 이들에 인가되는 바이어스 RF 신호를 갖는다. 코일 안테나에 인가되는 신호의 전력은 챔버 내의 플라즈마 이온 밀도를 먼저 결정하지만, 웨이퍼에 인가되는 바이어스 신호의 전력은 웨이퍼 표면의 이온 에너지를 결정한다. 이러한 코일 안테나의 한가지 문제점은 코일 안테나에 걸쳐서 비교적 큰 전압 강하가 존재하는 것이며, 이는 플라즈마에 불리한 영향을 포함할 수 있다. 이 효과는 코일 안테나에 인가되는 소스 전력 신호의 주파수에 따라서 보다 정확해지는데, 이 는 코일 안테나의 리액턴스가 주파수에 비례하기 때문이다. 일부 반응기에서, 이러한 문제점은 약 2 MHz와 같이 낮은 범위로 주파수를 제한함으로써 처리된다. 공교롭게도 이러한 낮은 주파수에서 플라즈마에 대한 RF 전력의 결합은 덜 효율적이 될 수 있다. 10 MHz 내지 20 MHz 범위의 주파수에서 안정된 고밀도 플라즈마 방출을 이루는 것이 종종 더 용이하다. 낮은 주파수 범위(예를 들면 2 MHz)에서의 공정의 다른 단점은 임피던스 매치 네트워크(impedance match network)와 같은 요소의 구성요소 크기가 훨씬 커서 더 다루기 어려우며 비용이 많이 든다는 점이다.
코일 안테나의 다른 문제점은 일반적으로 플라즈마에 대한 효율적인 유도 결합이 코일의 회전부의 개수를 증가시킴으로써 얻어지며, 이는 더 큰 자기속 밀도를 발생시킨다는 점이다. 이로 인해 (근본적으로 플라즈마 저항을 이루는) 회로 저항이 증가하기 때문에 코일의 유도 저항이 증가하며, 회로 Q(저항에 대한 회로 저항의 비율)가 증가한다. 또한, 이로 인해 변화하는 챔버 조건에 대해 임피던스 매치를 유지하는 것이 불안정하고 어렵게 된다. 특히 불안정은, 코일 인덕턴스가 충분히 커서 부유 용량(stray capacitance)과 함께 코일에 인가된 RF 신호의 주파수에 근사하여 자기 공진(self-resonance)이 일어나는 곳에서 나타난다. 따라서, 코일의 인덕턴스는 이들 문제점을 방지하기 위해 제한되어야 한다.
챔버 천장(통상적인 유형 및 삽입식 유형 모두) 위에 놓인 코일 안테나에 대한 한가지 제한은, 일반적으로 안테나에서 인접하는 도체(conductors)들 사이의 상호 인덕턴스가 수직 방향으로부터 일반적으로 직각인 수평 방향에 있으며, 이 방향에서 RF 전력이 플라즈마에 유도 결합되어야 한다는 점이다. 이는 플라즈마에 대 한 전력 증착의 공간적 제어를 제한하는 한가지 중요한 요인이다. 유도 결합의 공간적 제어시 이러한 제한을 극복하는 것이 본 발명의 목표이다.
통상적으로 "내부" 및 "외부"를 갖는 코일 안테나는 (분리된 반경으로 제한되기보다) 그에 맞게 코일 안테나의 방사상 위치가 확산되도록 물리적으로 방사상 또는 수평으로 분포된다. 이는 특히 수평 "팬케이크형" 구성에 해당된다. 따라서, 내부 안테나와 외부 안테나 사이에 인가된 RF 전력의 상대적인 할당량을 변화시킴으로써 플라즈마 이온 분포의 방사상 분포를 변화시킬 수 있는 능력이 제한된다. 이러한 문제는 대직경(예를 들면, 300 mm)을 갖는 반도체 웨이퍼 처리시 특히 중요하다. 이는 웨이퍼의 크기가 증가함에 따라 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐서 균일한 플라즈마 이온 밀도를 유지하는 것이 더 어려워지기 때문이다. 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포는 상부에 놓인 안테나로부터 인가된 자기장의 방사상 분포를 조정함으로써 용이하게 조각될 수 있다. 플라즈마 이온 밀도를 결정하는 것은 이러한 자기장이다. 따라서, 웨이퍼 크기가 증가할수록, 인가된 RF장의 방사상 분포를 조각 또는 조정할 수 있는 능력이 더 많이 요구된다. 따라서, 내부 안테나와 외부 안테나 사이에 인가된 RF 전력의 할당량의 효과를 향상시키고, 특히 분리되거나 매우 좁은 방사상 위치에 각각의 내부 및 외부 안테나를 있게 함으로써 이러한 능력을 얻는 것이 바람직할 것이다.
본 발명은 첨부 도면의 삽화에 제한이 아닌 일례로서 도시된다.
하기의 설명은 본 발명의 몇몇 실시예에 대한 효과적인 이해를 제공하기 위 해 예를 들면 특정한 시스템, 구성요소, 방법 등과 같은 다수의 특정한 세부 사항을 설명한다. 그러나 본 발명의 적어도 일부 실시예는 이들 특정한 세부사항 없이도 실행될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우, 널리 공지된 구성요소 또는 방법은 상세히 설명되지 않으며, 본 발명을 불필요하게 불명료화하는 것을 피하기 위해 단순한 블록도 형식으로 제공된다. 따라서, 설명되는 특정한 세부 사항은 예시일뿐이다. 특정한 실행은 이들 예시적인 세부사항으로부터 변화할 수 있으며, 본 발명의 사상 및 범주 내에 있는 것으로 여전히 간주된다.
기판을 처리하는 방법 및 장치가 설명된다. 유도 결합 플라즈마 처리 반응기는 챔버의 천장에 인접하여 배치되는 내부 코일 안테나와 외부 코일 안테나를 갖는다. 단일한 전력 소스가 내부 코일 안테나와 외부 코일 안테나에 각각 연결되는 이중의 서로 다르게 조정 가능한 출력부를 갖는다. 외부 코일 안테나의 직경 및 챔버의 천장과 챔버 내의 기판 지지부 사이의 간격 거리는 유도 결합 반응기 내에 "M자 형상" 식각률 프로파일을 감소시키도록 조정된다.
도 1은 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 반응기의 블록도이다. 반응기 챔버(102)는 원통형 측벽(104) 및 편평한 천장(106)에 의해 한정된다. 기판 지지부(108)가 반응기 챔버(102) 내에 제공될 수 있으며, 기판 지지부(108)는 챔버 천장쪽으로 향하는 관계로 챔버 축선 상에서 대칭으로 중심이 맞춰진다. 기판 지지부(108)는 천장(124) 아래로 거리(h)만큼 떨어져서 위치될 수 있다.
진공 펌프(110)가 챔버(102)의 배출구(미도시)와 협력한다. 프로세스 가스 공급기(112)가 가스 유입구(114)를 통해 챔버(102)의 내부로 프로세스 가스를 제공한다. 당업자는 프로세스 가스가, 예를 들면 폴리실리콘 식각을 위한 할로겐 가스, 이산화규소 식각을 위한 플루오로카본 가스, 또는 실리콘 화학 기상 증착 프로세스를 위한 실란 가스, 금속 식각을 위한 염소 함유 가스와 같이, 상이한 성분들을 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 가스 유입구(114)는 도 1에서 단일한 파이프로 도시되지만 실제로는 복수의 유입구와 같이, 보다 정교한 구조로 적용될 수 있다.
안테나(130)로부터 챔버(102) 내부로 유도되는 RF 전력의 영향으로, 이러한 가스들은 기판(116)을 처리하기 위한 플라즈마를 지원할 것이다. 실행될 수 있는 플라즈마 프로세스는 식각뿐 아니라, 적합한 전구체 가스의 사용으로 인해 화학 기상 증착과 같은 증착을 포함할 수 있다.
페디스털(108)은 임피던스 매치 네트워크(120)를 통해 바이어스 RF 전력 소스(122)에 결합되는 전도성 전극(118)을 포함할 수 있다. 챔버의 측벽(104)은 알루미늄과 같은 금속일 수 있지만, 천장(106)은 석영과 같은 유전체일 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 천장(106)은 편평하지 않고 돔 형상 또는 원뿔 형상일 수 있다.
다른 실시예에 따라, 천장(106)은 유전체가 아닌 반도체일 수 있다. 천장(124)의 반도체 재료는 최적의 전도성을 가질 수 있으며, 이러한 최적의 전도성은 천장의 반도체 재료가 전극뿐만 아니라 안테나(130)로부터의 RF 유도장에 대한 윈도우로서 작용하게 한다. 천장(106)이 전극으로서 사용될 수 있는 경우, 천장은 접지(미도시)되거나 매치 네트워크(미도시)를 통해 RF 전력 소스에 연결될 수 있다. 챔버(102) 및/또는 안테나(130)는 (예를 들면, 정사각형 단면을 갖는 직사각형과 같이) 원통형이 아닌 형상을 가질 수 있다. 또한, 기판(116)은 (예를 들면, 정사각형 또는 다른 외형과 같이) 원형이 아닐 수도 있다. 기판(116)은 반도체 웨이퍼, 또는 마스크 레티클(mask reticle)과 같은 다른 품목을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 안테나(130)는 제 1 안테나(148) 및 제 2 안테나(150)를 포함하며, 두 안테나는 모두 챔버(102)의 천장(106)에 인접하여 챔버(102)의 천장(106) 위에 놓인다. 일 실시예에 따르면, 제 1 안테나(148)는 제 2 안테나(150)와 동심일 수 있다. 제 1 안테나(148)는 챔버(102)와 동일한 축을 갖는 내부 코일 안테나일 수 있다. 제 2 안테나(150)는 챔버(102)와 동일한 축을 갖는 외부 코일 안테나일 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 바와 같이 외부 코일 안테나(150)는 내부 코일 안테나(148)의 직경(D1)보다 더 큰 직경(D2)을 가질 수 있다.
RF 전력 소스 조립체(132)는 임피던스 매치 네트워크(136)를 통해 연결되는 RF 발생기(134)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 임피던스 매치 네트워크(136)는 직렬 커패시터(138) 및 가변 병렬 커패시터(variable shunt capacitor; 140)를 포함한다. 당업자는 임피던스 매치 네트워크(126)가 도 1에 도시된 회로에 제한되지 않음을 이해할 것이다. 단일한 주파수를 갖는 단일 전력 소스로부터 2개의 상이한 전력 레벨을 발생시키는 것과 유사한 효과를 다른 회로로 얻을 수 있다.
임피던스 매치 네트워크(136)는 제 1 RF 출력 단자(144) 및 제 2 RF 출력 단 자(146)를 포함할 수 있다. 제 1 RF 출력 단자(144)는 직렬 커패시터(138)의 입력부에 연결될 수 있다. 제 2 RF 출력 단자(146)는 직렬 커패시터(138)의 출력부에 연결될 수 있다. 당업자는 도 1에서 매치 네트워크(136)의 도시된 회로가 매치 네트워크의 완전한 회로가 아님을 이해할 것이다. 이는 예시적 목적으로만 도시된다. 가변 병렬 커패시터(140)의 조정은 조정 여하에 따라 더 많은 전력을 하나의 출력 단자 또는 다른 출력 단자에 배분한다. 따라서, 2개의 출력 단자(144, 146)에서의 전력 레벨은 서로 다르게 조정 가능하다.
제 1 출력 단자(144)는 외부 안테나(150)에 연결될 수 있지만, 제 2 출력 단자(146)는 내부 안테나(148)에 연결될 수 있다. 따라서, 단자(144, 146)는 내부 및 외부 안테나(150, 148)에 각각 연결된다. 이중 출력부 전력 소스 조립체(132)는 내부 및 외부 안테나를 갖는 임의의 플라즈마 반응기와 사용될 수 있다.
몇몇 요인들이 기판(116)의 식각률 프로파일에 영향을 미칠 수 있다. 이들 요인들은 내부 코일 안테나(148)의 직경(D1), 외부 코일 안테나(150)의 직경(D2), 및 챔버(102)의 천장(106)과 기판(116)/기판 지지부(118) 사이의 간격(h)이다. 직경(D1), 직경(D2) 및/또는 간격(h)을 조정함으로써, 기판(116)의 "M"자 형상의 식각률 프로파일이 제거되거나 실질적으로 감소될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 직경(D2)과 챔버의 간격(h)은 변형/조정되어 기판의 식각률 프로파일을 향상시킨다.
도 2는 기판(116)의 "M"자 형상 식각률 프로파일을 배제하면서 도 1의 반응기에서 식각률 균일성을 개선하는 방법을 도시하는 흐름도이다. 단계(202)에서, 유도 결합 플라즈마 반응기 챔버가 제공된다. 이 챔버는 내부 및 외부 안테나를 가지며, 이들 안테나는 도 1에 도시된 바와 같은 하나의 차등적으로 조정 가능한 전력 공급기에 의해 전력이 인가된다. 단계(204)에서, 기판 지지부는 챔버의 천장으로부터의 챔버 간격(h)만큼 떨어져서 챔버 내에 배치된다.
단계(206)에서, 외부 안테나의 직경은 챔버 내에서 기판 지지부 상에 배치되는 기판의 식각률 프로파일의 균일성을 증가시키도록 조정된다. 일 실시예에 따르면, 외부 안테나의 직경은 예를 들면 15" 내지 17" 증가된다.
단계(208)에서, 챔버 간격(h)은 기판의 식각률 프로파일의 균일성을 증가시키도록 조정된다. 일 실시예에 따르면, 챔버 간격(h)은 5" 내지 6" 증가된다.
다른 실시예에 따르면, 직경 및 챔버 간격(h)은 기판의 식각률 프로파일이 실질적으로 균일하도록 조정되고 맞춰져서, "M자 형상" 식각률 프로파일을 실질적으로 제거한다.
도 3은 통상적인 반응기와 일 실시예에 따른 반응기부터의 식각률 프로파일 비교를 도시하는 그래프이다. 식각률 프로파일(302)은 15"의 외부 코일 안테나 직경 및 5"의 챔버 간격을 갖는 통상적인 유도 결합 챔버의 결과이다. 식각률 프로파일(304)은 일 실시예에 따른 유도 결합 챔버의 결과이다. 예시를 위해, 유도 결합 챔버의 일 실시예는 6"의 챔버 간격과 17"의 외부 코일 안테나 직경을 가질 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 식각률 프로파일은 기판의 표면에 걸쳐서 실질적으로 균일하다. 이전의 M자 형상이 실질적으로 제거된다.
도 4는 5"의 일정한 챔버 간격(h)과 상이한 직경(D2)들에 기초한, 서로 상이한 식각률 프로파일을 도시한다. 외부 코일 안테나(150)의 직경(D2)의 변화는 M자 형상의 정점 위치에 영향을 미친다. 챔버 간격(h)이 작을 때, 외부 코일 안테나(150)의 직경(D2)의 영향은 제한된 수직 챔버의 높이에 의해 야기되는 짧은 수평의 확산 길이로 인해 중요해진다. M자 형상 정점은 직경(D2)이 증가함에 따라 기판의 에지를 향해 이동하여, 기판(116)의 에지에서 식각률을 증가시키고 식각률 균일성을 향상시킨다.
도 5는 15"의 일정한 외부 코일 안테나 직경(D2)과 상이한 챔버 간격(h)들(5"와 6")에 기초한, 서로 상이한 식각률 프로파일을 도시한다. 간격(h)의 변화는 플라즈마에 보다 많은 수평으로 확산될 공간/기회를 제공한다. 따라서, M자 형상 정점은 챔버 간격(h)이 증가함에 따라 중심을 향해 이동하여 최종적으로 합체되어 중심에서 단일한 정점을 형성한다. 한편, 더 긴 확산 길이로 인해, 챔버 벽(104)에서의 표면 재결합 손실 가능성이 더 많다. 에지에서의 식각률은 급격히 감소한다.
도 6은 일 실시예에 따라 6"의 챔버 간격을 갖는, 12"의 코일 직경 및 17"의 코일 직경의 식각률 프로파일을 도시하는 그래프이다. 12"의 외부 코일 직경에 대해 기판의 에지에서의 식각률은 증가하는 것으로 보이지 않는다. 그러나 17"의 외부 코일 직경에 대해 기판의 에지에서의 식각률은 기판의 중심에서의 식각률과 필적할 만하다.
본 명세서에서 특정한 순서로 방법(들)의 작용이 도시되고 설명되었지만, 각각의 방법의 공정 순서는 변경되어, 특정 작업이 반대 순서로 실행되거나 특정 작업이 적어도 부분적으로 다른 작업과 동시에 실행될 수도 있다. 다른 실시예에서, 별도의 작업에 대하여 지시 또는 하위 공정이 단속적으로 및/또는 대안적으로 이루어질 수 있다.
전술한 상세한 설명에서, 본 발명은 본 발명의 특정한 예시적인 실시예에 대해 설명되었다. 그러나 첨부된 특허청구범위에 설명되는 바와 같이, 본 발명의 광의의 사상 및 범주를 벗어나지 않고, 본 발명에 대한 다양한 변형 및 수정이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다. 따라서, 상세한 설명 및 도면은 제한적인 의미가 아닌 예시적인 의미로 간주되어야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 내부 및 외부 코일 안테나에 각각 연결되는 이중의 서로 다르게 조정 가능한 출력부를 갖는 단일 전력 소스를 갖춘 유도 결합 플라즈마 반응기를 도시하는 블록도이고,
도 2는 일 실시예에 따른 도 1의 반응기 내에서 식각률 균일성을 개선하는 방법을 도시하는 흐름도이며,
도 3은 통상적인 반응기와 일 실시예에 따른 반응기의 식각률을 도시하는 그래프이며,
도 4는 일 실시예에 따른 상이한 코일 직경의 식각률을 도시하는 그래프이며,
도 5는 일 실시예에 따른 5" 간격 챔버와 6" 간격 챔버의 식각률을 도시하는 그래프이며,
도 6은 일 실시예에 따른 6" 간격 챔버를 사용하는 12" 코일 직경과 17" 코일 직경의 식각률을 도시하는 그래프이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
102: 반응기 챔버 104: 측벽
106: 천장 108: 기판 지지부
110: 펌프 112: 가스 공급기
118: 전도성 전극 120: 임피던스 매치 네트워크
122: RF 전력 소스 130: 안테나
138: 임피던스 매치 네트워크 140: 가변 병렬 커패시터
144: 제 1 RF 출력 단자 146: 제 2 RF 출력 단자
148: 제 1 안테나 150: 제 2 안테나
Claims (15)
- 기판 처리 장치로서:천장을 갖는 챔버;상기 천장에 인접하는 제 1 안테나와 제 2 안테나로서, 상기 제 1 안테나가 상기 제 2 안테나와 동심인, 제 1 안테나와 제 2 안테나;상기 제 1 안테나와 제 2 안테나에 결합되는 플라즈마 소스 전력 공급기; 및상기 챔버 내에 배치되는 기판 지지부;를 포함하며,상기 기판 지지부 상의 기판의 식각률이 실질적으로 균일하도록 상기 제 1 안테나의 크기 및 상기 기판 지지부와 상기 천장 사이의 거리가 정해지는기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 안테나가 제 1 솔레노이드 코일을 포함하고, 상기 제 2 안테나가 제 2 솔레노이드 코일을 포함하는기판 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 솔레노이드 코일의 직경이 상기 제 2 솔레노이드 코일의 직경보다 큰기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 내부 영역의 식각률이 상기 제 1 안테나의 크기에 실질적으로 좌우되는기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 외부 영역의 식각률이 상기 기판 지지부와 상기 천장 사이의 거리에 실질적으로 좌우되는기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 소스 전력 공급기가:RF 전력 공급기; 및상기 RF 전력 공급기에 결합되는 임피던스 매치 네트워크;를 더 포함하며,상기 임피던스 매치 네트워크가 서로 다르게 조정 가능한 전력 레벨을 갖는 제 1 RF 출력부 및 제 2 RF 출력부를 포함하고, 상기 제 1 RF 출력부가 상기 제 1 안테나에 연결되며, 상기 제 2 RF 출력부가 상기 제 2 안테나에 연결되는기판 처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 임피던스 매치 네트워크가 상기 제 1 안테나에 제 1 RF 전력 레벨을 발생시키고, 상기 제 2 안테나에 제 2 RF 전력 레벨을 발생시키며,상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나에 인가된 상기 RF 전력 레벨이 각각 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나로부터 인가된 RF장의 방사상 분포를 제어하도록 서로 다르게 조정 가능한기판 처리 장치.
- 유도 결합 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법으로서:상기 챔버의 천장에 인접하여 제 1 안테나와 제 2 안테나를 위치시키는 단계로서, 상기 제 1 안테나가 상기 제 2 안테나와 동심인, 제 1 안테나와 제 2 안테나를 위치시키는 단계;상기 챔버 내에 기판 지지부를 제공하는 단계; 및상기 기판 지지부 상의 기판의 식각률이 실질적으로 균일하도록 상기 제 1 안테나의 크기 및 상기 챔버의 체적을 조정하는 단계;를 포함하는기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나에 플라즈마 소스 전력 공급기를 결합시키는 단계를 더 포함하며,상기 플라즈마 소스 전력 공급기가 서로 다르게 조정 가능한 전력 레벨을 갖는 제 1 RF 출력부 및 제 2 RF 출력부를 포함하고, 상기 제 1 RF 출력부가 상기 제 1 안테나에 연결되고, 상기 제 2 RF 출력부가 상기 제 2 안테나에 연결되는기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 챔버의 체적을 조정하는 단계가 상기 챔버의 천장과 상기 기판 지지부 사이의 거리를 조정하는 단계를 더 포함하는기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 안테나가 제 1 솔레노이드 코일을 포함하고, 상기 제 2 안테나가 제 2 솔레노이드 코일을 포함하는기판 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 솔레노이드 코일의 직경이 상기 제 2 솔레노이드 코일의 직경보다 큰기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 기판의 내부 영역의 식각률이 상기 제 1 안테나의 크기에 실질적으로 좌우되는기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 기판의 외부 영역의 식각률이 상기 기판 지지부와 상기 천장 사이의 거리에 실질적으로 좌우되는기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 기판을 실질적으로 균일하게 식각하도록 상기 챔버의 천장과 상기 기판 지지부 사이의 거리에 따라 상기 외부 솔레노이드 코일의 직경을 조정하는 단계를 더 포함하는기판 처리 방법.
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