KR20080084323A - 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 제1가스가 분사되는 제1전극과, 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 인가되고 제2가스가 분사되어 상기 기판 지지대에 지지된 상기 기판과의 사이에 플라즈마를 형성시키는 제2전극을 포함하여, 기판 상의 식각이 요구되지 않는 면을 효율적으로 보호하도록 하여 최종 제품의 수율을 상승시키고 불량 발생을 방지할 수 있다.
식각, 기판 배면, 웨이퍼, 플라즈마 처리

Description

플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법{Apparatus for plasma treatment and the plasma-treating method using it}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도,
도 2는 도 1의 기판 지지대의 다른 실시예를 나타낸 도면,
도 3은 도 2의 기판 지지대와 이에 지지된 기판의 부분 평면도,
도 4는 도 1의 기판 지지대의 또 다른 실시예를 나타낸 도면,
도 5는 도 1의 제1전극 및 기판을 나타낸 부분 도면,
도 6a는 도 5의 "A"부분을 나타낸 부분 확대도,
도 6b는 도 6a의 다른 예를 나타낸 도면,
도 6c는 도 6a의 또 다른 예를 나타낸 도면,
도 7a는 도 5의 제1전극의 평면도,
도 7b는 도 7a의 다른 예를 나타낸 도면,
도 8은 도 5의 다른 예를 나타낸 도면,
도 9a는 도 8의 제1전극의 평면도,
도 9b는 도 9a의 다른 예를 나타낸 도면,
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타 낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1... 플라즈마 처리 장치, 10... 챔버,
20,80,90... 기판 지지대, 21,81...암,
30... 제1전극, 31... 공급공,
32... 분기점, 33... 분사공,
40... 제2전극, 42... 분사공,
43... 절연링, 50... 기판,
51... 기판 전면, 52... 기판 배면.
본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판 표시 장치는 기판 상에 다수의 박막 증착과 식각을 통해 형성된다. 즉, 기판의 소정 영역 주로 중심부에 박막을 증착하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 기판 중심부의 박막의 일부를 제거하여 소정의 박막 패턴을 갖는 소자를 제조하게 된다.
하지만, 박막의 증착 시에는 기판의 전면에 박막을 형성하고, 식각시에는 기판 중심부의 박막을 식각 타겟으로 하기 때문에 기판 가장자리에는 박막이 제거되지 않은 상태로 잔류하게 되고, 식각 공정 진행 시 기판 가장자리에 파티클이 퇴적되는 현상이 발생한다. 이와 더불어, 통상적으로 기판을 지지하는 기판 지지대에는 정전력 또는 진공력에 의해 기판을 안착시키기 때문에 상기 기판과 기판 지지대 사이의 계면은 소정 거리 이격되어 틈이 발생되고, 이에 의해 기판의 배면 전체에도 파티클 및 박막이 퇴적된다.
따라서, 상기 기판에 존재하는 파티클 및 퇴적된 박막을 제거하지 않은 상태에서 계속적인 공정이 진행될 경우 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점이 발생된다.
통상적으로, 상기와 같은 파티클 및 퇴적된 박막을 제거하기 위한 방법으로는 용제나 린스에 침적하여 표면의 파티클을 제거하는 습식 식각과, 플라즈마로 표면을 식각하여 제거하는 건식 세정이 알려져 있다.
습식 식각은 기판의 표면에 도포되는 파티클을 제거하는데 효과적으로 활용되고 있으나 공정 관리가 어려워 기판 배면만을 국부적으로 제거하기에는 많은 어려움이 있을 뿐만 아니라, 막대한 화공 약품 사용으로 인한 비용 증가 문제, 폐수 처리 문제 등의 환경 문제를 유발시키는 원인이 되고 장시간의 처리를 요하며 장비 크기가 대형화되어야 한다는 문제점이 있다. 반면, 건식 식각은 플라즈마를 이용하여 기판 및 배면의 박막 또는 파티클을 제거하는 방식으로 상술한 습식 식각의 문제점을 해결할 수 있는 장점이 있다.
따라서, 최근에는 이러한 기판 배면을 식각하기 위한 건식 식각 장치의 개발이 활발히 수행중이다.
즉, 상기와 같은 플라즈마를 이용하여 기판의 배면을 식각하는 종래의 플라즈마 식각 장비에 관해서는 미합중국특허공보 제5213650호에 개시되어 있다.
상기의 미합중국특허공보 제5213650호에서는 플레이트와 웨이퍼 전방 표면과의 공간을 형성하여 이 공간으로 반응 가스를 분사시키고, 웨이퍼 후방 표면 상에 플라즈마를 생성시켜 식각을 수행하도록 하는 진공챔버를 포함하는 장치가 개시되어 있다.
상기와 같은 구성에 있어서, 웨이퍼와 플레이트 사이에 형성된 공간으로 반응성 가스가 분사되고 웨이퍼의 후방 표면에 형성된 플라즈마로 식각이 수행되는 것과 동시에, 박막 패턴 등이 형성된 웨이퍼의 전방 표면 상으로 웨이퍼 후방 표면 상에 형성된 플라즈마가 유입되거나 또는 그 공간 내에서 가스 방전으로 플라즈마가 형성되어 식각이 이루어질 우려가 있다.
따라서, 웨이퍼의 전방 표면의 식각으로 인하여 최종 제품의 수율이 저하되고 불량률이 상승하거나, 이를 미연에 방지하기 위하여 웨이퍼의 전방 표면을 식각으로부터 보호하는 별도의 수단이 요구된다는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 습식 식각에 비하여 소형의 장치를 사용하여 신속하게 식각을 수행하고 제조비용을 절감하면서 환경 유해성 폐기물이 발생되지 않도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용 한 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 종래의 건식 식각에 비하여 기판 상의 식각이 요구되지 않는 면을 효율적으로 보호하도록 하여 최종 제품의 수율을 상승시키고 불량 발생을 방지하도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는, 제1가스가 분사되는 제1전극과, 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 인가되고 제2가스가 분사되어 상기 기판 지지대에 지지된 상기 기판과의 사이에 플라즈마를 형성시키는 제2전극을 포함한다.
여기서, 상기 제1전극 또는 상기 기판 지지대에 상기 제1전극과 상기 기판 지지대와의 상호 이격을 가변할 수 있는 구동수단이 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1가스는 수소, 질소 또는 불활성 가스를 포함하는 비반응성 가스일 수 있다.
이때, 상기 제1전극에는 상기 제1가스를 상기 기판 상으로 분사시키도록 다수의 분사공이 형성된다.
또는, 상기 제1전극에는 상기 제1가스를 상기 기판 상의 외각 방향으로 유동시키도록 분사공이 구비되며, 상기 분사공은 상기 제1가스를 상기 제1전극으로 공급하는 공급공과 연통되고, 상기 공급공으로부터 상기 기판 상의 외각 방향으로 굴절 또는 만곡형의 경사를 이루어 형성될 수 있다. 이때, 상기 경사는 7˚ 이하일 수 있다.
또한, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 기판 상의 외각 방향으로 확산 또는 수렴형성될 수 있으며, 확산각 또는 수렴각은 7˚ 이하일 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 공급공에서 분기된 다수 개가 상기 공급공으로부터 등각을 이루어 형성되거나, 상기 공급공과 동심을 이루는 환형으로 형성된다.
그리고, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 공급공에서, 상기 기판으로부터 원거리의 제1분기점에서 분기된 제1분사공과 상기 기판으로부터 근거리의 제2분기점에서 분기된 제2분사공을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1분기점에서 분기된 상기 제1분사공은 상기 제2분기점에서 분기된 상기 제2분사공보다 더 큰 지름을 가질 수 있고, 상기 제1분기점에서 분기된 상기 제1분사공은 상기 제2분기점에서 분기된 상기 제2분사공보다 상기 기판의 더 외각 방향으로 상기 제1가스를 분사하도록 형성될 수 있으며, 상기 제1분사공 또는 상기 제2분사공은 상기 공급공에서 분기된 다수 개가 상기 공급공으로부터 등각을 이루어 형성되거나, 상기 공급공과 동심을 이루는 환형으로 형성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 공급공은 상기 제1분기점에서 상기 제2분기점까지의 지름이 수축형성된다.
또한, 상기 제1분사공 또는 상기 제2분사공은 상기 기판의 외각 방향으로 확산 또는 수렴형성될 수 있다.
그리고, 상기 기판 지지대는, 상기 챔버 상부 또는 하부로부터 연장되고 승 하강가능한 암이 상기 기판을 지지하거나, 상기 챔버 하부에 구비되며 승하강가능한 다수의 핀이 상기 기판을 지지하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2가스는 불소계 또는 산소계를 포함하는 반응성 가스일 수 있다.
여기서, 상기 제2전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상기 제1전극은 접지연결되는 구성을 가질 수 있다.
또한, 상기 제2전극에는 상기 제2가스를 상기 기판 방향으로 분사시키도록 다수의 분사공이 형성되며, 상기 제2전극에는 상기 기판 지지대와의 간격을 조절하는 승하강 수단이 구비될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치 내의 제1전극 및 제2전극 사이의 기판 지지대 상에 기판을 안착시키는 단계와, 상기 인입된 기판과 상기 제1전극과의 사이 간극을 조정하는 단계와, 상기 고정된 기판의 제1면 상에 제1가스를 분사시키고, 제2면 상에 제2가스를 분사시키는 단계 및 상기 제2전극에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성시켜 상기 기판의 제2면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 간극은 0.1 내지 0.7 ㎜인 것이 바람직하며, 상기 가스 분사 단계 이전에 상기 제2전극을 이동시켜 상기 제1전극 또는 상기 기판 지지대 상에 고정된 상기 기판과의 간격을 조정하는 단계가 더 포함될 수 있다.
이때, 상기 기판 처리 단계에서 플라즈마는 CF4, CHF4, SF6, C2F6 및 C4F8로 구성되는 일 군에서 선택되어지는 적어도 하나 이상의 반응성 가스로서 형성되며, 산소계 가스가 더 포함될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 제1가스가 분사되는 제1전극(30)과, 제1전극(30)과 상호 이격 조정가능하며, 기판(50)을 지지하는 기판 지지대(20) 및 기판 지지대(20)와 이격 배치되며, 전원(70)이 인가되고 제2가스가 분사되어 기판 지지대(20)에 의해 지지된 기판(50)과의 사이에 플라즈마를 형성시키는 제2전극(40)을 포함한다.
본 발명의 실시예에서 플라즈마 처리 장치(1)는 플라즈마를 발생시켜 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판(50)의 배면 상에 퇴적된 박막 및 파티클을 식각하는 식각 장치이다.
플라즈마 처리 장치(1)는 게이트 밸브 등과 같은 개폐수단(11)을 통하여 개폐가능하도록 형성된 챔버(10)와 이 챔버(10)와 연통된 통상의 진공 배기계(60)를 포함한다.
챔버(10)는 적어도 하나 이상의 개폐수단(11)을 통하여 외부와 연결되며 클러스터 시스템 또는 인라인 시스템과 같은 다수의 챔버로 구성되는 시스템에 적용되는 챔버(10)일 수도 있다. 또한, 챔버(10)는 접지 연결되어 챔버(10)를 통하여 전류가 흐르지 않도록 구성된다.
챔버(10) 내부의 상부에는 제1전극(30)이 배치되며 이 제1전극(30)은 접지 연결될 수 있다. 또한, 제1전극(30)에는 비반응성 가스가 분사되는 분사공(33)이 형성되어 있으며, 분사공(33)은 챔버(10) 외부로부터 비반응성 가스가 공급되도록 공급공(31)과 연통구성된다.
바람직하게는, 제1전극(30)에는 하나의 공급공(31)을 통하여 챔버(10) 외부로부터 공급된 비반응성 가스가 가능한한 제1전극(30)의 비반응성 가스가 분사되는 면의 전면적에 걸쳐 균일하게 분사되도록 다수의 분사공(33)이 형성되며, 다수의 분사공(33)은 제1전극(30)의 내부에서 그와 연통된 공급공(31)으로부터 다수 개가 분기된다.
만약, 하나의 공급공(31)에서 분사공(33)이 근거리 및 원거리로 각각 형성된 경우, 원거리에 형성된 분사공(33)의 지름은 근거리에 형성된 분사공(33)의 지름보다 크게 형성되어, 비반응성 가스 분사시 가스 이동 경로 증가에 따른 압력 강하를 보상할 수 있도록 할 수 있다.
또한, 제1전극(30)의 내부에는 챔버(10) 외부에 구성된 냉각수 순환수단(37)과 연결된 냉각 유로(38)가 구비된다.
제1전극(30)의 공급공(31)을 통하여 공급되는 가스는 수소, 질소 또는 불활 성 가스일 수 있으며, 이외의 비반응성 가스, 즉 기판 전면(51)과 반응하지 아니하는 가스일 수도 있다.
여기서, 기판 전면(51)은 웨이퍼와 같은 기판(50) 상의 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 면일 수 있고, 이외의 기판(50)의 식각이 요구되지 아니하는 면일 수도 있다.
기판(50)은 제1전극(30)의 분사공(33)이 형성된 면으로부터 소정 간격 이격되어 그 전면(51)을 분사공(33)과 대향하도록 배치되며, 기판 지지대(20)에 의하여 지지된다.
기판 지지대(20)는 챔버(10) 상부로부터 연장된 암(21)이 기판(50)을 지지하도록 구성되며, 암(21)은 챔버(10) 외부의 기판 지지대(20)에 구성된 구동수단(미도시)에 의하여 신축가능하도록 구성된다.
구동수단에 의해 신축가능하도록 하는 기판 지지대(20)의 구성으로 인한 진공 기밀을 유지하기 위하여, 챔버(1) 외부에 노출된 기판 지지대(20)가 구동수단과 연결되는 부위는 신축가능한 벨로우즈형으로 구성되는 것이 바람직하다.
기판 지지대(20)의 암(21)은 기판(50)의 외연부만을 지지하는 것이 바람직하며, 기판 배면(52)의 외연부의 일부만을 하부에서 지지하여 가능한한 기판 배면(52)의 노출면적을 최대화한다.
암(21)은 구동수단과 연결되어 승하강 운동, 즉 제1전극(30)에 대하여 근접 또는 원접 이동가능하여, 이에 지지된 기판(50) 또한 제1전극(30)에 대하여 근접 또는 원접 배치되도록 한다.
여기서, 기판 배면(52)은 웨이퍼와 같은 기판(50) 상의 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 면에 대한 타면일 수 있고, 이외의 기판(50)의 식각이 요구되는 면일 수도 있다.
암(21)의 승하강 운동에 의하여 기판(50)의 전면(51)은 제1전극(30)의 비반응성 가스가 분사되는 면에 대하여 가변가능한 소정의 간극(d)을 유지하게 된다.
또한, 기판 지지대(20)는 플라즈마 처리 장치(1)에서 전기적으로 부유(floating)되어 여타의 구성물에 대해서 전기적으로 비간섭되도록 구성되는 것이 바람직하며, 암(21)을 포함하는 기판 지지대(20)는 Al2O3와 같은 절연 물질로 구성되어 외부 전격(electric shock)에 의한 기판 지지대(20)의 손상을 방지한다.
기판 지지대(20)의 하부에는 기판 지지대(20)와 소정 간격(D) 이격되어 제2전극(40)이 배치된다.
이 제2전극(40)은 전원(70)이 인가되도록 구성되며, 이를 통하여 반응성 가스가 분사되도록 분사공(42)을 가진다.
분사공(42)은, 제1전극(30)에서의 그것과 유사하게, 챔버(1) 외부로부터 그와 연통된 공급공(41)을 통하여 반응성 가스 공급수단(44)으로부터 반응성 가스가 공급되어 챔버(1) 내부로 반응성 가스를 분사하도록 구성되며, 기판 지지대(20)에 지지된 기판(50)의 배면(52) 전면적에 걸쳐 균일한 반응성 가스가 분사되도록 기판 배면(52) 방향을 향하여 다수 개가 형성된다.
제2전극(40)에서의 분사공(42)에서도 공급공(41)이 형성된 부분에 대하여 원 거리에 형성된 분사공(42)의 지름이 근거리에 형성된 분사공(42)의 지름보다 크게 형성되어, 반응성 가스 분사시 가스 이동 경로 증가에 따른 압력 강하를 보상할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성 이외에도, 제1전극(30) 또는 제2전극(40)에서의 가스 분사 구조는 필요에 의하여 다양하게 가변가능하다.
한편, 제2전극(40)의 외주에는 제2전극(40) 상에 생성되는 플라즈마를 집중시키기 위한 절연링(43)이 구비된다. 이 절연링(43)은 Al2O3와 같은 절연 물질로 구성될 수 있다.
제2전극(40)의 분사공(42)를 통하여 분사되는 반응성 가스는 CF4, CHF4, SF6, C2F6 및 C4F8와 같은 불소계 또는 산소계 가스를 포함할 수 있으며, 이외의 기판 배면(52)에 퇴적된 박막이나 파티클 등을 화학적으로 식각시킬 수 있는 이외의 원소를 포함하는 가스일 수도 있다.
제2전극(40)은 챔버(1) 외부에 별도로 구성된 구동수단(49)에 의하여, 기판 지지대(20)의 그것과 유사하게, 승하강 운동 가능하도록 구성되어 기판 지지대(20)에 지지된 기판(50)의 배면(52)으로부터 제2전극(40)까지의 간격(D)이 가변가능하도록 구성된다.
구동수단(49)에 의해 승하강 운동 가능한 제2전극(40)의 구성으로 인한 진공 기밀을 유지하도록 하기 위하여, 챔버(1) 외부에 노출된 제2전극(40)이 구동수단(49)과 연결되는 부위는 신축가능한 벨로우즈형으로 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 제2전극(40)의 내부에는 챔버(10) 외부에 구성된 냉각수 순환수단(47)과 연결된 냉각 유로(48)가 구비된다. 이때의 냉각수 순환수단(47)은 제1전극(30)에 냉각수를 순환시키는 냉각수 순환수단(37)과 동일한 부재로서 구성되어도 무방하다.
제2전극(40)에 연결된 전원(70)은 13.56 ㎒의 정수배의 주파수를 가지는 고주파 전력일 수 있으며, 목적하는 공정 또는 장치 등에 따라 여타의 전원이 사용될 수도 있다. 이때, 제2전극(40)과 연결된 고주파 전원(70)의 구성은 정합기를 포함한다.
접지된 제1전극(30)과 고주파 전원(70)이 연결된 제2전극(40)의 구성으로 인하여, 제1전극(30)은 애노드의 역할을 제2전극(40)은 캐소드의 역할을 하게 되며 애노드 및 캐소드 사이의 가스에 13.56 ㎒ 또는 13.56 ㎒의 정수배의 교번진동을 부여하여 플라즈마 발생 효율을 향상시킨다.
도 2는 도 1의 기판 지지대의 다른 실시예를 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 기판 지지대와 이에 지지된 기판의 부분 평면도이다.
도 1에서의 기판 지지대(20)가 챔버(10) 상부, 즉 제1전극(30) 측에서 기판(50)을 현수하는 형태로 지지하였던 것과는 달리, 도 2에서는 기판 지지대(80)가 챔버(10) 하부에 구비되어 기판(50)을 지지한다.
도 2에서의 기판 지지대(80) 역시 구동수단(미도시)을 구비하며, 이 구동수단으로 승하강 가능한 암(81)으로 기판(50)을 접촉 지지한다. 구동수단을 통한 암(81)의 승하강 운동에 의하여 기판(50)의 전면(51)은 제1전극(30)의 비반응성 가 스가 분사되는 면에 대하여 가변가능한 소정의 간극(d)을 유지하게 된다.
도 2에서와 같은 기판 지지대(80)의 경우, 도 1에서와 같은 기판 지지대(20)의 경우 또한 마찬가지로, 도 3에서와 같이 암(81)이 기판(50)의 외연부를 지지하여 기판 배면(52)의 노출 면적을 최대화시키도록 구성되는 것이 바람직하며, 동일한 취지의 타 형상 또한 가능하다.
기판 지지대(80)의 구동수단에 의해 승하강 운동 가능하도록 하는 구성으로 인한 진공 기밀을 유지하기 위하여, 챔버(1) 외부에 노출된 기판 지지대(80) 부분이 신축가능한 벨로우즈형으로 구성되는 것이 바람직하다.
도 4는 도 1의 기판 지지대의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2에서의 기판 지지대(20, 80)가 암(21, 81)을 통하여 기판(50)의 외연부를 지지하였던 것과는 달리, 도 4에서는 기판 지지대(90)가 챔버(10) 하부에 구비되며 다수의 핀(91)으로 기판(50)을 지지한다.
도 4에서의 기판 지지대(90) 역시 구동수단(미도시)을 구비하며, 이 구동수단으로 승하강 가능한 핀(91)으로 기판(50)을 접촉 지지한다. 이 핀(91)은 기판 배면(52)의 노출면적을 극대화하도록 기판 배면(52)과의 접촉부위가 가능한한 첨예하게 구성되어 기판 배면(52)과의 접촉면적을 최소화하는 것이 바람직하며, 다수의 핀(91)이 수평을 이룬 상태로 구동수단에 의하여 일체로 승하강되는 것이 바람직하다.
구동수단을 통한 암(91)의 승하강 운동에 의하여 기판(50)의 전면(51)은 제1전극(30)의 비반응성 가스가 분사되는 면에 대하여 가변가능한 소정의 간극(d)을 유지하게 된다.
도 1, 도 2 및 도 4의 어느 경우에나 기판 지지대(20, 80, 90)는 구동수단을 통하여 제1전극(30)과의 간극(d)을 조정할 수 있으며, 기판 지지대(20, 80, 90)가 제1전극(30)으로부터 후퇴되어 있을 시에는 기판(50)이 챔버(10)의 개폐수단(11)을 통하여 출입가능한 상태이다.
도 5는 도 1의 제1전극 및 기판을 나타낸 부분 도면이다.
도 5에 나타난 바와 같이, 제1전극(30)의 분사공(33)은 기판(50)의 전면(51)을 향하여 다수개가 형성되며, 외부로부터 비반응성 가스가 공급되는 공급공(31)의 분기점(32)에서 다수개로 분기된다.
공급공(31)을 통하여 공급되는 비반응성 가스는 분사공(33)에서 분사되어 기판(50)과 제1전극(30)간의 간극(d)을 비반응성 가스 분위기로 유지시킨다. 간극(d)을 식각 공정 수행 중에도 비반응성 가스 분위기로 유지시키기 위하여, 즉 간극(d)의 외부로부터 유입되는 가스, 이를테면 제2전극(40; 도 1)에서 분사되는 반응성 가스 또는 이의 플라즈마를 차단하기 위하여 분사공(33)은 제1전극(30)에서 경사를 이루어 형성되며, 분사공(33)의 경사는 비반응성 가스를 기판(50)의 외각 방향으로 분사하도록 구성된다.
도 6a 내지 도 9b를 참조하여 제1전극(30)의 공급공(31) 및 분사공(33)과 이의 분기점(32)의 형상을 다양한 예를 들어 더 상세히 설명한다.
도 6a는 도 5의 "A"부분을 나타낸 부분 확대도이다.
도 6a에 나타난 바와 같이, 공급공(31)에서 분기된 분사공(33)은 굴절을 이 루어 소정의 경사를 형성하면서 기판(50; 도 5) 외각 방향으로 비반응성 가스가 분사되도록 구성된다. 이때, 굴절되는 각도는 챔버(10)의 크기나 기판(50)의 크기에 종속적일 수 있다.
도 6b는 도 6a의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6b에서는 도 6a에 대하여 분기점(32)에서 제1전극(30) 표면에 이르는 분사공(33)의 경로가 만곡형으로 형성되어 있다. 이러한 경우에, 분사공(33)을 경유하는 비반응 가스는 도 6a의 굴절형 경로에 비하여 표면 전단력의 저항을 덜 받게 되고 이에 따라 가스 와류 발생이나 분사압 손실을 줄일 수 있게 된다.
더 바람직하게 표면 전단력의 저항을 줄이기 위하여, 분사공(33)의 만곡 경사각(θ1)은 7˚ 이하인 것이 바람직하다. 7˚를 초과하는 각도로 만곡 경사각(θ1)이 형성될 시에 표면 전단력에 의한 비반응 가스의 유속이 감소하게 되고 이에 따라 분사압이 저하되며, 결과적으로 비반응 가스의 분사 효율이 떨어지게 된다.
물론, 분기점(32) 또한 만곡형으로 형성될 수 있으나, 분기점(32) 인근에서의 가스 와류는 공급공(31)에서 공급되는 가스에 의하여 해소될 수 있다.
한편, 분사공(33) 내경이 동일할 시에, 만곡 외측을 유동하여 상대적으로 기판(50) 외측으로 분사되는 비반응 가스의 흐름(f1)은 만곡 내측을 유동하여 상대적으로 기판(50) 내측으로 분사되는 비반응 가스의 흐름(f2) 보다 더 긴 경로를 경유하게 되므로, 결과적으로 내측의 가스 흐름(f2)을 통하여 분사되는 비반응 가스가 외측의 가스 흐름(f1)을 통하여 분사되는 비반응 가스보다 더 높은 분사압을 가지게 된다.
따라서, 사용되는 챔버(10) 등에 따라서 분기점(32)에서부터 제1전극(30) 표면에 이르는 분사공(33)의 내경을 수렴시켜 내측 및 외측의 가스 흐름을 동일하게 유지시킬 수도 있다.
도 6c는 도 6a의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6c에서는 도 6b에 대하여 제1전극(30) 표면에서의 분사공(33) 내경이 확장되어 있다. 즉, 분사공(33)이 분기점(32)에서부터 제1전극(30) 표면으로 갈수록 확산형성되어 있다.
이때, 분사공(33)의 확산 방향은 비반응 가스가 분사되는 기판(50)의 외각을 향하며, 확산면은 만곡형으로 형성될 수 있다.
분사공(33)의 확산 또는 수렴형성의 여부는 요구되는 공정이나 사용되는 가스종 또는 챔버(10)나 기판(50)의 크기에 따라 결정되어질 수 있다.
이때의 확산 각도(θ2)는 표면 전단력의 저항을 줄이기 위하여 7˚ 이하인 것이 바람직하다. 7˚를 초과하는 각도로 확산 경사각(θ2)이 형성될 시에 표면 전단력에 의한 비반응 가스의 유속이 감소하게 되고 이에 따라 분사압이 저하되며, 결과적으로 비반응 가스의 분사 효율이 떨어지게 된다. 특히, 확산 경사각(θ2)에서의 전단 저항력은 실제적으로 비반응 가스의 배출단에서의 저항이므로 가스 분사압 에 악영향을 미칠 수 있어 만곡 경사각(θ1)에서의 전단 저항력보다 분사 효율을 더 떨어뜨릴 수 있다.
도 7a는 도 5의 제1전극의 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7a에서와 같이, 공급공(31)에서 분기된 분사공(33)은 다수개의 관형이 등각을 이루어 형성될 수 있고, 도 7b에서와 같이, 공급공(31)에 대하여 동심을 이루는 환형의 띠로 형성될 수 있다.
본 발명의 제1전극(30)에서 관형 또는 환형의 분사공(33) 어느 것이나 적용될 수 있으며, 이는 챔버(10) 또는 기판(50)의 구조나 크기에 종속적일 수 있다.
도 8은 도 5의 다른 예를 나타낸 도면이며, 도 9a는 도 8의 제1전극의 평면도이고, 도 9b는 도 9a의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 제1전극(30)에서 분사되는 비반응성 가스를 공급하는 공급공(31)은 연직방향(도 1에서 또한 마찬가지다)으로 상부, 즉 기판(50)으로부터 원거리에서 제1분기점(32a)에 의하여 제1분사공(33a)으로 분기되고, 하부, 즉 기판(50)으로부터 근거리에서 제2분기점(32b)에 의하여 제2분사공(33b)으로 분기되는 구성을 가질 수 있다. 즉, 비반응 가스의 유동 경로의 관점으로는 제1분기점(32a)에서 먼저 분기된 뒤 제2분기점(32b)에서 다시 한 번 분기된다.
이 경우, 먼저 분기된 제1분사공(33a)은 나중에 분기된 제2분사공(33b)보다 기판(50)의 더 외각 방향으로 분사될 수 있다. 이때, 제1분사공(33a)은 제2분사 공(33b)보다 더 큰 내경을 가져 기판(50) 외각에서부터 간극(d)으로의 타 가스 유입을 효율적으로 차단시킬 수 있다.
일정 유량으로 공급공(31)을 통하여 공급되는 비반응성 가스는 제1분기점(32a)에서 분기된 뒤 제2분기점(32b)으로 유동하므로, 제1분기점(32a)에서 제2분기점(32b)까지의 비반응 가스의 압력 강하 보상 또는 단위시간당 유량 확보를 위하여 내경이 수축형성될 수도 있다. 이 경우, 내경의 수축은 단일 수축 또는 구배 수축 어느 것이나 가능하다.
물론, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 설명된 분사공(33)에서처럼, 사용되는 챔버(10) 등에 따라서 제1분사공(33a) 및 제2분사공(33b)에서부터 제1전극(30) 표면에 이르는 분사공(33a, 33b)의 내경을 수렴형성시킬 수 있고, 확산형성시킬 수도 있으며, 확산 또는 수렴형성의 여부는 요구되는 공정이나 사용되는 가스종 또는 챔버(10)나 기판(50)의 크기에 따라 결정되어질 수 있다.
제1분기점(32a) 및 제2분기점(32b)을 가지는 제1전극(30)의 분사공(33a, 33b) 또한 단일 분기점(32)을 가지는 도 7a 및 도 7b의 구성과 같이, 다수개의 관형이 등각을 이루어 형성될 수 있고(도 9a), 공급공(31)에 대하여 동심을 이루는 환형의 띠로 형성될 수 있다(도 9b).
물론, 도 8 내지 도 9b에서와 같은 2 개의 분기점(32a, 32b) 이외에 3 이상 다수의 분기점이 구성될 수도 있다.
또한, 분사공(33, 33a, 33b)의 경로 상에서 분기가 이루어질 수도 있음은 물론이다. 이 경우에도 분기된 지점에서의 압력 강하의 보상 또는 단위 시간당 유량 확보 등을 고려하여 내경이 결정될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법을 순차적으로 도시한 도면이며, 특히 도 10d에서는 기판 처리 시의 가스 유동 경로를 화살표로 도시하였다.
본 발명의 실시예에서 플라즈마 처리 방법은 플라즈마를 발생시켜 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판(50)의 배면 상에 퇴적된 박막 및 파티클을 식각하는 식각 방법이다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법은, 기판(50)을 플라즈마 처리 장치(1) 내의 제1전극(30) 및 제2전극(40) 사이의 기판 지지대(80) 상에 안착시키는 기판 안착 단계와, 안착된 기판(50)을 고정시키는 기판 고정 단계와, 고정된 기판(50)의 제1면(51) 상에 제1가스를 분사시키고, 제2면(52) 상에 제2가스를 분사시키는 가스 분사 단계 및 분사된 제2가스에 전원(70)을 인가하여 플라즈마를 형성시켜 기판(50)의 제2면(52)을 처리하는 기판 처리 단계를 포함한다.
도 10a에서와 같이, 기판(50)은 챔버(1)에 별도로 구비된 인입구를 통하여 인입되며, 기판 지지대(80) 상에 안착된다. 기판 지지대(80) 상에 지지된 기판(50)은 그 전면(51)이 제1전극(30)의 분사공(33)을 향하고, 배면(52)이 제2전극의 분사공(42)을 향하도록 배치된다.
이때, 기판 지지대(80)는 도 1을 참조하여 설명된 기판 지지대(20)일 수 있 고, 도 4를 참조하여 설명된 기판 지지대(90)일 수도 있다.
어느 경우에나, 기판 지지대(80)는 제1전극(30)에 대하여 간극(d')을 이루어 후퇴된 위치에 있으며, 제2전극(40) 또한 제1전극(30)에 대하여 간격(D")를 이루어 후퇴된 위치에 있다.
도 10b에서와 같이, 개폐수단(11)을 통하여 챔버(1)가 밀폐되고 진공이 형성되면 기판 지지대(80)는 구동수단(미도시)에 의하여 상승이동하여 기판 전면(51)과 제1전극(30)이 간극(d)을 이루도록 한다(d<d'). 기판 지지대(80)가 상승하여 제1전극(30)과 기판 전면(51)과의 간극(d)이 감소됨에 따라 제2전극(40)과 기판 배면(52)과의 간격(D") 또한 간격(D')으로 넓어지게 된다.
이후, 도 10c에서와 같이, 제2전극(40)도 구동수단(49)에 의하여 상승이동되어 기판 배면(52)과 제2전극(40)이 간격(D)을 이루도록 한다(D<D').
제1전극(30)과 기판(50)과의 간극(d) 또는 기판(50)과 제2전극(40)과의 간격(D)은 본 발명의 실시예에서 설명된 바와 같이 기판 지지대(80) 및 제2전극(40)의 승하강 운동만으로 달성되지 아니하고, 제1전극(30), 기판 지지대(80) 및 제2전극(40) 중 적어도 2 개의 부재의 구동을 통하여 달성시킬 수도 있으며, 이를 위하여 각 부재에 별도의 구동수단이 구비될 수 있다.
또한, 제2전극(40)과 기판 배면(52)과의 간격(D)은 반드시 가변될 필요는 없고 간격(D) 내에서 플라즈마를 생성시킬 수 있을 정도이면 어느 간격(D, D', D")이나 가능할 수 있으며, 이에 따라 제2전극(40)을 이동하지 않고 기판 지지대(80)만 이동한 뒤 공정을 진행하는 것도 가능하다.
물론, 도면 상에 도시된 간격(D, D', D") 이외의 간격 또한 가능하며, 기판 지지대(80)와 제2전극(40) 간의 간격은 요구되는 공정, 챔버 또는 기판 크기에 따라 가변가능할 수 있고, 공정 수행 중에도 가변될 수 있음은 물론이다.
이후, 도 10d에서와 같이, 제1전극(30)을 통하여 비반응성 가스가 먼저 유입된 뒤, 제2전극(40)을 통하여 반응성 가스가 유입되고 고주파 전원(70)을 통하여 전력이 인가되어 반응성 가스 플라즈마가 생성된다.
반응성 가스의 플라즈마는 플라즈마 생성영역에 형성되며 플라즈마 내의 라디칼은 기판 배면(52)에 퇴적된 박막 또는 파티클 등과 반응하여 이들을 기판 배면(52)으로부터 탈리시킴으로써 식각 공정이 수행된다.
이때, 플라즈마는 기판 배면(52)과 제2전극(40)간의 간격(D)에 형성되며, 제1전극(30)과 기판 전면(51)과의 간극(d)에서는 비반응성 가스의 유입으로 인하여 비플라즈마 상태의 가스 유동만이 존재하게 된다.
이때, 간극(d)는 0.1 내지 0.7 ㎜인 것이 바람직하다. 간극(d)이 0.1 ㎜ 미만일 시에는 제1전극(30)과의 접촉가능성이 존재하며 보다 안정된 공정을 수행하기 위하여 0.1 ㎜ 이상의 간극(d)을 유지할 필요가 있다. 0.7 ㎜를 초과하는 간극(d)에서는 상대적으로 비반응성 가스의 압력이 저하되어 간격(D)에서 형성된 라디칼이 간극(d)으로 유입되어 기판 전면(51)을 식각시킬 수가 있으므로, 간극(d)은 0.7 ㎜ 이하가 바람직하다. 또한, 0.7 ㎜를 초과하는 간극에서는 비반응성 가스의 플라즈마화가 진행될 수 있으며, 이로 인하여 기판 전면(51)이 식각될 수도 있으나, 0.7 ㎜ 이하의 간극(d)에서는 통상의 식각 공정에서의 공정 압력 및 공정 전압에 의하 여 플라즈마가 생성되지 않는 영역을 유지할 수 있다.
또한, 제1전극(30)으로부터 분사되는 비반응성 가스는 제2전극(40)에서 분사되는 반응성 가스보다 절연파괴전압이 더 크며, 제2전극(40)에 인가되는 전력에 의하여 플라즈마가 생성되지 않는 것이 바람직하다.
제2전극(40)에서 분사되는 반응성 가스는 CF4, CHF4, SF6, C2F6 및 C4F8와 같은 불소계 등의 반응성이 강한 7족 원소계열이나 산소가 포함된 가스를 사용할 수 있으며, 사용되는 기판 배면(52) 상에 퇴적된 박막이나 파티클 등의 종류에 따라서 이를 식각할 수 있는 여타의 원소종이 포함된 기체일 수 있다.
이와 같은 반응성 가스로 플라즈마를 형성하면 상기 원소들의 라디칼이 생성되어 높은 활성을 가지고 기판 배면(52) 상의 식각 대상 원소와 반응하여 식각을 수행할 수 있다.
플라즈마 영역의 한정을 위하여 별도의 구속 자계를 더 형성할 수 있으며, 이 구속 자계는 영구 자석, 전자석 또는 유도자계 등으로 형성될 수 있다. 경우에 따라서, 자력으로 플라즈마 내 이온들의 진동을 야기시켜 플라즈마 발생 효율을 더욱 향상시킬 수도 있다. 이 경우 형성되는 자계는 챔버(10), 기판(50), 제1전극(30) 또는 제2전극(40) 등의 형상에 따라서 다르게 형성될 수 있다.
또한, 제2전극(40)에 전력을 인가하는 전원(70)은 고주파 전원 이외에 직류, 교류 등이 사용될 수 있으며, 단극 또는 양극 펄스 전원이 사용될 수도 있다. 이 경우 사용되는 전원에 따라서 제1전극(30) 또는 제2전극(40)의 전기적 연결이 달라 질 수 있으며, 전력인가를 위한 별도의 부재가 더 구비될 수도 있다.
식각이 종료되면 전력 공급을 중단하고 반응성 가스 및 비반응성 가스의 공급을 차단하며, 진공 배기를 통하여 식각 부산물을 챔버(10) 내에서 제거한다. 이때의 식각 부산물은 플라즈마의 라디칼과 반응한 기체형태이므로 진공 배기만으로 충분히 제거가능하다.
식각 부산물의 제거가 이루어지면 구동수단(49)을 통하여 제2전극(40)이 하강되고, 기판 지지대(20)의 구동수단을 통하여 기판(50)이 제1전극(30)으로부터 퇴거된다.
이후 진공을 파기하고 개폐수단(11)을 개봉하여 기판(50)을 인출함으로써 식각 공정이 완료된다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법에 의하여, 습식 식각에 비하여 소형의 장치를 사용하여 신속하게 식각을 수행하고 제조비용을 절감하면서 환경 유해성 폐기물이 발생되지 않도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방 법에 의하여 종래의 건식 식각에 비하여 기판 상의 식각이 요구되지 않는 면을 효율적으로 보호하도록 하여 최종 제품의 수율을 상승시키고 불량 발생을 방지할 수 있다.

Claims (27)

  1. 제1가스가 분사되는 제1전극;
    상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 인가되고 제2가스가 분사되어 상기 기판 지지대에 지지된 상기 기판과의 사이에 플라즈마를 형성시키는 제2전극;
    을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전극 또는 상기 기판 지지대에 상기 제1전극과 상기 기판 지지대와의 상호 이격 조정을 가변할 수 있는 구동수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1가스는 비반응성 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 비반응성 가스는 수소, 질소 또는 불활성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1전극에는 상기 제1가스를 상기 기판 상으로 분사시키도록 다수의 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전극에는 상기 제1가스를 상기 기판 상의 외각 방향으로 유동시키도록 분사공이 구비되며, 상기 분사공은 상기 제1가스를 상기 제1전극으로 공급하는 공급공과 연통되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 공급공으로부터 상기 기판 상의 외각 방향으로 경사를 이루어 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 경사는 굴절 또는 만곡형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 기판 상의 외각 방향으로 확산 또는 수렴형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 공급공에서 분기된 다수 개가 상기 공급공으로부터 등각을 이루어 형성되거나, 상기 공급공과 동심을 이루는 환형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1전극의 상기 분사공은 상기 공급공에서, 상기 기판 으로부터 원거리의 제1분기점에서 분기된 제1분사공과 상기 기판으로부터 근거리의 제2분기점에서 분기된 제2분사공을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1분기점에서 분기된 상기 제1분사공은 상기 제2분기점에서 분기된 상기 제2분사공보다 더 큰 지름을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제1분기점에서 분기된 상기 제1분사공은 상기 제2분기점에서 분기된 상기 제2분사공보다 상기 기판의 더 외각 방향으로 상기 제1가스를 분사하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1분사공 또는 상기 제2분사공은 상기 공급공에서 분기된 다수 개가 상기 공급공으로부터 등각을 이루어 형성되거나, 상기 공급공과 동심을 이루는 환형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 공급공은 상기 제1분기점에서 상기 제2분기점까지의 지름이 수축형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제1분사공 또는 상기 제2분사공은 상기 기판의 외각 방향으로 확산 또는 수렴형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지대는, 상기 챔버 상부 또는 하부로부터 연장되고 승하강가능한 암이 상기 기판을 지지하거나, 상기 챔버 하부에 구비되며 승하강가능한 다수의 핀이 상기 기판을 지지하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 제2가스는 반응성 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 반응성 가스는 불소계 또는 산소계를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 제2전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상기 제1전극은 접지연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  21. 제1항에 있어서, 상기 제2전극에는 상기 제2가스를 상기 기판 방향으로 분사시키도록 다수의 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  22. 제1항에 있어서, 상기 제2전극에는 상기 기판 지지대와의 간격을 조절하는 승하강 수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  23. 플라즈마 처리 장치 내의 제1전극 및 제2전극 사이의 기판 지지대 상에 기판을 안착시키는 단계;
    상기 인입된 기판과 상기 제1전극과의 사이 간극을 조정하는 단계;
    상기 고정된 기판의 제1면 상에 제1가스를 분사시키고, 제2면 상에 제2가스를 분사시키는 단계; 및
    상기 제2전극에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성시켜 상기 기판의 제2면을 플라즈마 처리하는 단계;
    를 포함하는 플라즈마 처리 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 간극은 0.1 내지 0.7 ㎜인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 가스 분사 단계 이전에 상기 제2전극을 이동시켜 상기 제1전극 또는 상기 기판 지지대 상에 고정된 상기 기판과의 간격을 조정하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 기판 처리 단계에서 플라즈마는 CF4, CHF4, SF6, C2F6 및 C4F8로 구성되는 일 군에서 선택되어지는 적어도 하나 이상의 반응성 가스로서 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 반응성 가스에 산소계 가스가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
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