KR20080070532A - 기판 처리 방법 및 반도체 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 기판의 주연부(周緣部)의 상태를 검출하는 제1 검출부의 측정치와, 기판의 중심부의 상태를 검출하는 제2 검출부의 측정치를 취득하여, 상기 제1 검출부의 측정치와 상기 제2 검출부의 측정치와의 제1 편차를 구하고, 미리 기억된 상기 제1 검출부의 측정치와 상기 제2 검출부의 측정치와의 제2 편차와, 상기 제1 검출부의 측정치와 상기 제2 검출부의 측정치와의 상기 제1 편차를 비교하여, 상기 제2 편차와 상기 제1 편차가 다른 경우에는, 상기 제1 편차를 바탕으로, 기판을 처리하는 처리실과 가열 장치와의 사이에 설치된 냉각 가스 유로에 있어서 압력치의 압력 보정치를 산출하고, 상기 압력 보정치에 의해 상기 압력치를 보정하는 공정과,상기 처리실을 상기 가열 장치로 가열하면서, 상기 냉각 가스 유로 내부로냉각 장치에 의해 냉각 가스를 흘리고, 상기 보정 후의 압력치를 바탕으로, 제어부에 의해 상기 가열 장치 및 상기 냉각 장치를 제어하여 기판을 처리하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판을 처리하는 공정은, 상기 보정 후의 압력치를 바탕으로 압력을 제어함으로써 기판 중심부의 온도를 소정의 처리 온도까지 가열하면서 기판의 주연부를 냉각하고, 기판의 중심부 및 주연부를 온도 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1 검출부는, 기판의 주연부 근방에 배치된 제1 온도 검출부이고,상기 제2 검출부는, 기판을 지지하는 기판 보지구 내의 기판과 기판의 사이에 배치되거나 또는 상기 기판 보지구보다 상방에 배치되거나 또는 상기 기판 보지구보다 하방에 배치되는 제2 온도 검출부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 압력치를 보정하는 공정은,상기 처리실 내의 상기 기판의 중심부의 온도가 소정의 온도 설정치가 되도록, 상기 처리실 내를 상기 가열 장치로 가열했을 때의 상기 제1 편차를 구하는 공정과,상기 제1 편차와, 상기 소정의 온도 설정치에 있어서 상기 제2 편차와를 비교하고, 상기 제1 편차와 상기 제2 편차가 다른 경우에는, 소정의 상기 온도 설정치에 있어서 상기 냉각 가스 유로 내의 압력치와 상기 제1 편차와의 상관관계를 산출하는 공정과,상기 산출된 상관관계를 바탕으로 압력 설정치를 갱신하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 온도 설정치에 있어서 상기 냉각 가스 유로 내의 압력치와 상기 제1 면내 편차와의 상관관계를 2개 이상 산출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 압력 설정치는, 상기 처리실과 상기 가열 장치와의 사이에 설치된 상기 냉각 가스 유로의 하류측에서, 상기 냉각 가스 유로와 연통(連通)하는 냉각 가스 배기로 내의 압력치를 측정하는 압력 검출기에서 검출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 압력치를 보정하는 공정은, 상기 기판의 막 균일성을 제어하도록 상기 압력치를 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판을 처리하는 공정에서는, 상기 처리실 내에 처리 가스를 흘려 상기 기판 상에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재한 기판 처리 방법.
- 기판을 처리하는 처리실을 가열 장치로 가열하면서, 상기 처리실과 상기 가열 장치와의 사이에 설치된 냉각 가스 유로 내부로 냉각 장치에 의해 냉각 가스를 흘리고, 상기 냉각 가스 유로에 있어서 압력치를 바탕으로, 제어부에 의해 상기 가열 장치 및 상기 냉각 장치를 제어하여 기판을 처리하는 공정과,미리 처리된 기판의 미리 측정된 제1 막후치(膜厚値)와, 상기 기판을 처리하는 공정에 있어서 구한 제2 막후치를 비교하고, 상기 제1 막후치와 상기 제2 막후 치가 다른 경우에는, 상기 제2 막후치를 바탕으로 압력 보정치를 산출하고, 상기 압력 보정치에 의하여 상기 압력치를 보정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 처리실을 상기 가열 장치로 가열하면서, 상기 냉각 가스 유로 내부로 상기 냉각 장치에 의하여 냉각 가스를 흘리고, 상기 압력 보정치를 바탕으로, 상기 제어부에 의해 상기 가열 장치 및 상기 냉각 장치를 제어하여 기판을 처리하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 압력치를 보정하는 공정은,상기 처리실 내의 상기 기판의 중심부의 온도가 소정의 온도 설정치가 되도록, 상기 처리실 내를 상기 가열 장치로 가열했을 때의 상기 제2 막후치를 구하는 공정과,상기 제2 막후치와, 상기 소정의 온도 설정치에 있어서 상기 제1 막후치를 비교하고, 상기 제2 막후치와 상기 제1 막후치가 다른 경우에는, 소정의 상기 온도 설정치에 있어서 상기 냉각 가스 유로 내의 압력치와 상기 제2 막후치와의 상관관계를 산출하는 공정과,상기 산출된 상관관계를 바탕으로 압력 설정치를 갱신하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 온도 설정치에 있어서 상기 냉각 가스 유로 내의 압력치와 상기 제1 면내 편차와의 상관관계를 2개 이상 산출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 압력 설정치는, 상기 처리실과 상기 가열 장치와의 사이에 설치된 상기 냉각 가스 유로의 하류측에서, 상기 냉각 가스 유로와 연통하는 냉각 가스 배기로 내의 압력치를 측정하는 압력 검출기에서 검출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 압력치를 보정하는 공정은, 상기 기판의 막 균일성을 제어하도록 상기 압력치를 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 기판을 처리하는 공정에서는, 상기 처리실 내에 처리 가스를 흘려 상기 기판 상에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 기판을 처리하는 처리실과상기 처리실을 가열하는 가열 장치와,상기 처리실과 상기 가열 장치와의 사이에 설치된 냉각 가스 유로와,상기 냉각 가스 유로에 있어서 압력치를 측정하는 압력 검출기와,상기 가열 장치 및 상기 기판의 외주측을 냉각하는 냉각 장치를 제어하여 기 판을 처리하는 제어부를 갖고,상기 제어부는, 기판의 주연부의 상태를 검출하는 제1 검출부의 측정치와, 기판의 중심부의 상태를 검출하는 제2 검출부의 측정치를 취득하고, 상기 제1 검출부의 측정치와 상기 제2 검출부의 측정치와의 제1 편차를 구하여, 미리 기억된 상기 제1 검출부의 측정치와 상기 제2 검출부의 측정치와의 제2 편차와, 상기 제1 검출부의 측정치와 상기 제2 검출부의 측정치와의 상기 제1 편차를 비교하고, 상기 제2 편차와 상기 제1 편차가 다른 경우에는, 상기 제1 편차를 바탕으로 상기 냉각 가스 유로에 있어서 압력치의 압력 보정치를 산출하여, 상기 압력 보정치에 의하여 상기 압력치를 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제 16항에 있어서, 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판을 상기 기판의 외주측으로부터 가열하는 상기 가열 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제 16항에 있어서, 상기 냉각 가스 유로의 하류측에서, 상기 냉각 가스 유로와 연통하는 냉각 가스 배기로와,상기 냉각 가스 배기로에 연통하고, 상기 냉각 가스 유로에 냉각 가스를 흘림으로써 상기 기판의 외주측을 냉각하는 상기 냉각 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제 16항에 있어서, 상기 냉각 가스 유로 내부로 상기 냉각 장치에 의해 냉각 가스를 흘리고, 상기 냉각 가스 유로의 하류측에서 상기 냉각 가스 유로와 연통하는 냉각 가스 배기로 내의 압력치를 검출하는 압력 검출기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
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