본 발명은 a) 비관능성 단량체, b) 150℃ 미만에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 단량체, 및 c) 150℃ 이상에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유한 단량체를 포함하는 (메타)아크릴계 공중합체 (A); 및 에폭시 수지 (B)를 포함하는 접착제 수지 조성물에 관한 것이다.
이하 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
통상의 반도체 패키지에 응용되는 아크릴계-에폭시 저탄성 다이본드용 접착필름은 3 단계의 경화공정이 적용된다. 다이본드 필름은 UV 경화형 또는 열경화형 점착층을 가지는 다이싱 테이프와 합착(다이싱-다이본딩 필름)되고, 상기 다이싱-다이본딩 필름은 웨이퍼 하면에 부착되어 다이싱 공정이 진행된다. 다이싱 후 열 또는 UV를 조사하여 다이싱 테이프의 점착층과 다이본드 필름의 접착층의 계면 접착력을 감소시키며, 이를 제1단계(A 스테이지) 경화라고 한다. 이 후 다이싱 된 칩을 진공을 이용하여 픽업하면 칩의 하부 면에는 다이본드 필름의 접착층 만이 부착되고, 다이싱 테이프의 점착층은 분리된다. 이후 하부 면에 접착층이 부착된 다 이는 배선기판에 부착하고, 10 ~ 40%의 겔함량이 유지되도록 150℃ 미만의 온도, 즉 약 120 ~ 140℃에서 경화시키며, 이를 제2단계(B 스테이지) 경화라고 한다. 그 후 에폭시 수지로 반도체 소자를 몰딩(EMC)하는 공정을 거친 후 최종적으로 150℃ 이상의 온도, 약 160 ~ 180℃에서 열 경화시키며, 이를 제3단계 (C 스테이지) 경화라고 한다.
본 발명자들은 상기와 같은 공정이 진행되는 종래의 아크릴계-에폭시 저탄성 다이본드용 접착제 조성물에 있어서, 150℃ 이상의 온도에서만 산으로 변화되는 단량체를 추가로 포함하는 경우, 상기 단량체는 B-스테이지(stage) 경화 단계에서는 경화하지 않고, 고온의 C-스테이지(stage) 경화 단계에서만 에폭시 수지와 반응하여 경화됨으로써 접착필름의 보존 안전성과 최종 경화 접착필름의 내열성을 동시에 만족시킬 수 있음을 알게 되어 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서 본 발명에 따른 접착제 수지 조성물은 i) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 아크릴 공중합체, 및 ii) 에폭시 수지를 포함하는 종래 접착제 수지 조성물에 있어서, 상기 아크릴 공중합체가 b) B-스테이지 경화에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 단량체, 및 c) C-스테이지 경화 단계에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 단량체를 포함하여 상기 단량체 b)가 B-스테이지 경화에 관여하고, 상기 단량체 c)가 C-스테이지 경화에 관여하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 접착제 수지 조성물의 각 성분은 하기에 의해서 구체화된다.
A. 아크릴계 공중합체
본 발명에 따른 조성물에 있어서, 아크릴계 공중합체 (A)는 a) 비관능성 단량체, b) 150℃ 미만에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 단량체, 및 c) 150℃ 이상에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유한 단량체를 포함한다.
상기 a) 비관능성 단량체는 아크릴계 공중합체(A)의 주수지로서, 탄소수 1 ~ 12의 알킬기를 가지는 알킬(메타)아크릴산 에스테르 또는 탄소수 6 ~ 12의 아릴기를 가지는 아릴(메타)아크릴산 에스테르인 것이 바람직하다.
상기 탄소수 1 ~ 12의 알킬기를 가지는 알킬(메타)아크릴산 에스테르는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트로, 라우릴(메타)아크릴레이트, 또는 테트라데실(메타)아크릴레이트 등의 단량체를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 탄소수 6 ~ 12의 아릴기를 가지는 아릴(메타)아크릴산 에스테르는 페닐 메타크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 또는 페녹시 아크릴레이트 등의 단량체 를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한 상기 a) 비관능성 단량체는 유리전이 온도를 조절하거나 기타 기능성을 부여하기 위하여 탄소수 6 ~ 12의 아릴기 또는 시아노로 치환된 비닐 화합물 및 탄소수 1 ~ 6의 알킬기 또는 탄소수 6 ~ 12의 아릴기로 치환된 말레이미드 화합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 공단량체를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 탄소수 6 ~ 12의 아릴기 또는 시아노로 치환된 비닐 화합물은 스티렌, 또는 알파 메틸 스티렌 등의 스티렌계 비닐 화합물, 또는 아크리로니트릴 또는 메타크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
탄소수 6 ~ 12의 아릴기로 치환된 말레이미드 화합물은 N-메틸 말레이미드, 또는 N-부틸 말레이미드 등의 N-알킬 말레이미드계 화합물, 또는 N-페닐 말레 이미드 등의 N-아릴 말레이미드계 화합물을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 공단량체의 함량은 특별히 제한되지 않으나, 아크릴계 공중합체 (A)의 총 단량체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 50 중량부인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 아크릴계 공중합체에 있어서, b) 150℃ 미만에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기는 에폭시기, 하이드록시기, 카르복시기 및 니트릴기로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.
상기 글리시딜기, 하이드록시기, 카르복시기 및 니트릴기로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 관능기를 포함하는 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산 등의 카르복실기 함유 단량체, 2-하이드록시 에틸 (메타)아크릴레이트, 4-하이드록시 부틸 (메타)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 단량체, 또는 글리시딜 (메타)아크릴레이트 등의 에폭시 함유 모노머 등의 단량체를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 특히, 보존 안정성 측면에서 글리시딜 (메타)크릴레이트가 바람직하다.
본 발명에 따른 아크릴계 공중합체에 있어서, c) 150℃ 이상에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기는 최종 경화시 150℃ 이상의 범위에서 분해되어 산(acid)을 생성하여 에폭시 수지와 반응 가능한 단량체라면 특별히 한정되지 않으나, 2-테트라히드로피라닐기인 것이 바람직하다.
상기 150℃ 이상에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 단량체는 특히 하기 화학식 1의 화합물인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1 에서, R1 은 수소 또는 메틸기이다.
본 발명에 있어서, 150℃ 미만 및 150℃ 이상에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 총 단량체의 함량[b)+c)]은 특별히 한정되지 않으나, 보존 안전성 및 물성 밸런스 측면에서 (메타)아크릴계 수지의 전체 단량체 100 중량부에 대하여 0.1 ~ 10 중량부인 것이 바람직하다.
특히, 상기에서 b) 150℃ 미만에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 단량체의 함량은 (메타)아크릴계 수지의 전체 단량체 100 중량부에 대하여 0.1 ~ 7 중량부인 것이 바람직하고, 0.5 ~ 5 중량부가 보다 바람직하다. 상기 단량체의 함량이 0.1 중량부 미만이면 B-스테이지 경화시 주름성(Tuck)이 높아서 다루기 어려우며, 7 중량부을 초과하면 보존 안정성이 크게 저하된다.
또한 c) 150℃ 이상에서 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 단량체의 함량은 (메타)아크릴계 수지의 전체 단량체 100 중량부에 대하여 0.5 ~ 7 중량부인 것이 바람직하고, 1 ~ 5 중량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 단량체의 함량이 0.5 중량부 미만이면 최종 경화시 내열성의 향상효과를 얻기 어려우며, 7 중량부을 초과하면 지나친 경화로 인해 접착성이 저하된다.
한편, 상기 아크릴계 공중합체는 유리전이온도가 - 30 ~ 30℃인 것이 바람직하고, -20 ~ 20℃인 것이 보다 바람직하다. 유리전이온도가 -30℃ 미만인 경우, 탄성률이 지나치게 낮고, 유리전이온도가 30℃을 초과하는 경우 접착성이 크게 저하된다.
또한 상기 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량이 20만 ~ 100만이 바람직하며, 중량 평균 분자량이 30만 ~ 80만인 것이 보다 바람직하다. 분자량이 20만 미만인 경우 접착필름의 강도, 내열성이 저하되며, 분자량이 100만을 초과하는 경우, 접착성 및 작업성이 저하된다.
또한 상기 아크릴계 공중합체의 분자량 분포는 5 미만, 바람직하게는 4.5 이하이다. 분자량 분포가 5를 초과하는 경우, 저분자량체의 존재에 의해 내열성이 크게 저하된다.
상기 아크릴계 공중합체의 제조방법은 특별히 한정되지는 않으며, 용액중합법, 광중합법, 벌크중합법, 현탁중합법 또는 에멀전 중합법에 의하여 제조될 수 있다. 바람직하게는, 불순물의 양을 최소화할 수 있는 현탁중합법을 사용하여 제조하며, 중합온도는 30℃∼100℃인 것이 바람직하다.
B. 에폭시 수지
본 발명에 사용되는 에폭시 수지는 평균 에폭시 당량이 180 ~ 1000인 다관능형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 에폭시 당량이 180 미만인 경우에는 지나치게 가교밀도가 높아 딱딱한 성질을 나타내기 쉽고, 1000을 초과하는 경우에는 유리전이온도가 낮아질 우려가 있다.
본 발명에 사용 가능한 상기 에폭시 수지의 예를 들면, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 A형 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에 폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리 페놀 메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리 페놀 메탄 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등을 포함하고, 이들을 2종 이상 혼합 사용 가능하다.
본 발명에 사용되는 에폭시 수지는 연화점이 50℃ ~ 80℃의 에폭시 수지가 바람직하다. 연화점이 50℃ 미만이면 접착 필름이 실온에서 Tack이 있기 때문에 반도체 공정에서 작업성이 저하되고, 80℃를 초과하면 웨이퍼와 접착시에 부착 성질이 저하되어 보이드(void)가 발생한다.
또한 상기 에폭시 수지의 함유량은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 10 ~ 200 중량부가 바람직하고, 특별히 30 ~ 100 중량부가 바람직하다. 10 중량부 미만이면 접착필름의 내열성이 저하되고 200 중량부를 초과하면 필름의 탄성율이 지나치게 강해져서 취급성과 작업성이 저하되어 보이드 발생의 가능성이 크다.
C. 경화제
본 발명에서 사용되는 경화제는 그 종류가 특별히 제한되지는 않으나, 페놀계 화합물, 지방족 아민, 지환족 아민, 제 3급 아민, 이미다졸 화합물, 디시안디아마이드(dicyandiamide) 및 산무수물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다. 그 중 페놀계 화합물이 바람직하고, 특별히 2개 이상 수산기를 가지고 수산기 당량이 100 ~ 1000인 다관능 페놀 수지가 내열성 측면에서 유리하다.
상기 페놀 수지의 수산기의 당량이 100 미만이면 경화물 경도가 낮고 접착력이 저하되는 경향이 있고, 1000을 초과하면 유리전이온도가 저하되고 내열성이 취약해 진다. 이와 같은 다관능계 페놀 수지로는 비스페놀 A 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 자일록 수지, 다관능 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 아미노 트리아진 페놀 노볼락 수지, 폴리 부타디엔 페놀 노볼락 수지, 비페닐 타입 수지, 또는 그 밖의 다관능성 수지이면 모두 사용 가능하고, 이들 페놀 수지는 단독 또는 2종류 이상 혼합 사용해도 무방하다.
상기 다관능성 페놀계 수지의 함량은 에폭시 수지 대비 0.4 ~ 2.4 당량 정도가 바람직하고, 0.8 ~ 1.2 당량이 보다 바람직하다. 상기 범위 이외이면 미반응 에폭시나 페놀이 잔존하여 고온 신뢰성 시험시 휘발되어 패키지의 신뢰성을 저하시키는 단점이 있다.
상기 경화제의 함량은 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 50 ~ 150 중량부로 사용할 수 있다. 그 함량이 50 중량부 미만일 경우 미반응 에폭시기의 반응을 위해 고온, 혹은 장시간의 열을 공급해주어야 하는 문제점이 있고, 150 중량부를 초과할 경우 가교밀도는 증가하나 미반응 수산기로 인해 흡습율 또는 유전 특성 등이 상승하고, 저장 안정성이 낮아지는 단점이 생길 수 있다.
본 발명에 따른 조성물은 커플링제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 커플링제는 수지와 웨이퍼, 및 수지와 실리카 필러 계면과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 커플링제는 경화 반응시에 유기 관능기가 수지 성분과 반응하여 경화물의 내열성을 손상시키지 않고 접착성과 밀착성을 향상시킬 수 있고, 더욱이 내습열 특성도 향상시킬 수 있다. 상기 커플링제로는 실란(silane)계, 티탄(titan)계, 및 알루미늄(aluminum)계 커플링제로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있으나, 비용 대비 효과가 높은 점에서 실란계 커플링제가 바람직하다.
상기 커플링제는 예를 들면,
비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, 또는 비닐트리메톡시실란과 같은 비닐 실란;
γ-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필-트리메톡시실란, 또는 γ-메타크릴옥시프로필메틸 디메톡시실란과 같은 메타크릴옥시 실란;
β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란과 같은 에폭시 실란;
γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸 디메톡시실란, 또는 γ-글리시독시프로필메틸 디에톡시실란과 같은 글리시독시 실란;
N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필 트리메톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸 디메톡시실란, γ-아미노프로필 트리에톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필-트리스(2-메톡시-에톡시-에톡시)실란, N-메틸-3-아미노프로필 트리메톡시실란, 트리아미노프로필-트리메톡시실란, 또는 N-페닐-γ-아미노프로필 트리메톡시실란과 같은 아미노 실란;
γ-메르캅토프로필 트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필-메틸디메톡시실란, 또는 γ-메르캅토프로필 트리에톡시실란과 같은 메르캅토 실란;
3-우레이도프로필 트리에톡시실란, 또는 3-우레이도프로필 트리메톡시실란과 같은 우레이도 실란; 또는
설파이도 실란을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한 상기 커플링제의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 고형분 수지 성분 100 중량부에 대하여 0.01 ~ 10 중량부가 바람직하고, 특별히 0.1 ~ 10 중량부가 보다 바람직하다. 사용량이 0.01 중량부 이하이면 밀착성 효과가 충분하지 않고, 10 중량부 이상이면 보이드(void)나 미반응 커플링제로 인한 내열성 저하의 원인이 된다.
본 발명의 수지 조성물은 경화 반응을 촉진시키기 위하여 경화촉진제를 추가로 포함할 수 있다.
경화촉진제는 이미다졸 화합물, 트리페닐포스핀(TPP), 및 3급 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 이미다졸 화합물은, 2-메틸 이미다졸(2MZ), 2-에틸-4-메틸 이미다졸(2E4MZ), 2-페닐 이미다졸(2PZ), 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸(2PZ-CN), 2-운데실 이미다졸(C11Z), 2-헵타데실 이미다졸(C17Z), 및 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸 트리메탈레이트(2PZ-CNS)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다.
상기 경화촉진제의 함량은 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.001 ~ 10 중량부가 바람직하며, 특별히 0.01 ~ 5 중량부가 더욱 바람직하다. 경화촉진제의 함량이 0.1 중량부 미만이면 에폭시 수지의 가교가 불충분하여 내열성이 저하되는 경향이 있고, 10 중량부를 초과하면 경화 반응이 급격하게 일어나고, 보존 안정성이 저하된다.
본 발명의 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 취급성 향상, 내열성 향상, 및 용융 점도 조정 등을 고려할 때, 충진제(filler)를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
충진제의 종류로서는 유기 충진제 및 무기 충진제를 들 수 있는데, 특성 측면에서 무기 충진제가 바람직하다. 상기 무기 충진제로서는 실리카, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 수산화마그네슘, 산화알루미늄, 탈크, 또는 질화알루미늄 등이 바람직하다. 특히, 수지 조성물에 있어서 분산성이 양호하고, 필름 내에서 균일한 접착력을 갖는 측면에서 구형의 실리카가 특별히 바람직하다.
충진제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 충진제를 제외한 고형분 수지 100 중량부에 대하여 0.5 ~ 150 중량부가 바람직하고, 5 ~ 100 중량부가 더욱 바람직하다. 그 함유량이 0.5 중량부 미만이면 충진제 첨가에 의한 내열성 및 취급성 향상 효과가 충분하지 않고, 150 중량부를 초과하면 작업성과 밀착성을 향상하는 효과가 저하된다.
충진제의 평균 입경은 0.005㎛ ~ 5㎛가 바람직하고, 보다 바람직한 평균 입 경은 0.01㎛ ~ 1㎛이다. 평균 입경이 0.005㎛ 미만이면 접착 필름에서 충진제가 응집되기 쉽고 외관 불량이 발생하고, 5㎛ 초과이면 접착 필름 내에 충진제가 표면으로 돌출하기 쉬어지고, 웨이퍼와 열압착시에 칩을 손상을 주고, 접착성이 향상 효과가 저하되는 경우가 있다.
본 발명은 또한 기재 필름; 및
상기 기재 필름 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 수지 조성물을 함유하는 접착층을 포함하는 접착 필름에 관한 것이다.
본 발명에 따른 접착 필름의 기재 필름으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플로오루에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐필름, 폴리부타디엔필름, 염화비닐 공중합체 필름, 또는 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 또한 상기 기재 필름의 표면은 이형 처리하는 것이 바람직하다. 표면의 이형처리로 사용되는 이형제로는 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계, 또는 왁스계들이 이용되는데, 특별히 알키드계, 실리콘계, 또는 불소계 등의 이형제가 내열성을 가지므로 바람직하다.
기재 필름의 두께는 통상적으로 10 ~ 500㎛, 바람직하게는 20 ~ 200㎛ 정도이다.
상기 접착 필름의 접착층은 본 발명에 따른 접착제 수지 조성물을 함유하여, 접착 필름의 보존 안정성과 최종 경화 접착 필름의 내열성을 동시에 만족시킬 수 있다.
상기 접착층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 가열 경화된 접착층의 두께가 5 ~ 200㎛인 것이 바람직하고, 10 ~ 100㎛ 정도인 것이 보다 바람직하다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 접착제 수지 조성물을 용제에 용해 또는 분산시켜 수지 바니쉬를 제조하는 제 1 단계;
상기 수지 바니쉬를 기재필름에 도포하는 제 2 단계; 및
상기 수지 바니쉬가 도포된 기재필름을 가열하여 용제를 제거하는 제 3 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름의 제조방법에 관한 것이다.
상기에서 제1단계는 수지 바니쉬를 제조하는 단계로서, 공정 시간 단축, 및 분산성을 고려할 때,
용제, 충진제 및 커플링제를 혼합하는 단계 a);
상기 단계 a)의 혼합물에 에폭시 수지 및 경화제를 첨가하여 혼합하는 단계 b); 및
상기 단계 b)의 혼합물에 (메타)아크릴계 공중합체 및 경화촉진제를 혼합하는 단계 c)
를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 바니쉬화의 용제는 통상적으로 메틸에틸케톤(MEK), 아세톤(Acetone), 톨루엔(Toluene), 디메틸포름아마이드(DMF), 메틸셀로솔브(MCS), 테트라하이드로퓨 란(THF), 또는 N-메틸피로리돈(NMP) 등을 사용할 수 있다. 기재 필름의 내열성을 고려하여 저비점의 용제를 사용하는 것이 바람직하나, 도막성을 향상시키기 위해 고비점의 용제를 사용할 수도 있고, 이들 용매를 2종 이상 혼합 사용도 가능하다.
또한, 충진제를 사용하는 경우에 접착 필름 내의 분산성을 좋게 하기 위해서, 볼 밀(Ball Mill), 비드 밀(Bead Mill), 3개 롤(roll), 또는 고속 분산기를 단독으로 사용하거나, 조합하여 사용할 수도 있다. 볼이나 비드의 재질로는 글라스, 알루미나, 또는 지르코늄 등이 있고, 입자의 분산성 측면에서는 지르코늄 재질의 볼이나 비드가 바람직하다.
본 발명에 따른 접착 필름의 제조방법에 있어서, 제 2 단계는 상기 수지 바니쉬를 기재 필름에 도포하는 단계이다.
상기 기재 필름에 수지 바니쉬의 도포 방법은 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들면, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 커튼 코트법, 콤마 코트법, 또는 립 코트법 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 접착 필름의 제조방법에 있어서, 제 3 단계는 상기 수지 바니쉬가 도포된 기재필름을 가열하여 용제를 제거하는 단계이다. 이때의 가열 조건은 70 ~ 250℃에서 5 ~ 20분 정도인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 다이싱 테이프; 및
상기 다이싱 테이프에 적층되어 있는 본 발명에 따른 상기 접착 필름을 포함하는 다이싱 다이 본딩 필름에 관한 것이다.
상기 다이싱 테이프는
기재 필름; 및
상기 기재 필름 상에 형성되어 있는 점착층을 포함하는 것이 바람직하다.
다이싱 테이프의 기재 필름은 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리테트라플루오루에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌 비닐 아세톤 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체 필름, 또는 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 필름 등을 사용할 수 있고, 필요에 따라서 프라이머 도포, 코로나 처리, 에칭 처리, UV 처리 등의 표면 처리를 행하여도 좋다. 또한 자외선 조사에 의해 점착제를 경화시키는 경우는 광투과성이 좋은 것을 선택할 수 있다.
상기 다이싱 테이프 기재의 두께는 특별히 제한은 없으나, 취급성이나 패키징 공정을 고려하면 60 ~ 160㎛, 바람직하게는 80 ~ 120㎛이 좋다.
다이싱 테이프의 점착층으로는 통상적인 자외선 경화 점착제 또는 열 경화 점착제를 사용할 수 있다. 자외선 경화 점착제의 경우는 기재 측으로부터 자외선을 조사하여, 점착제의 응집력을 올려서 점착력을 저하시키고, 열 경화 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하 시킨다.
상기와 같은 본 발명에 따른 다이싱 다이 본딩 필름의 제조 방법은 다이싱 테이프와 접착 필름을 핫 롤 라미네이트 하는 방법과 적층 프레스 하는 방법을 사용할 수 있으며, 연속 공정의 가능성 및 효율 측면에서 핫 롤 라미네이트 방법이 바람직하다. 핫 롤 라미네이트 조건은 10 ~ 100℃에서 0.1 ~ 10kgf/cm2의 압력이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 본 발명에 따른 다이싱 다이 본딩 필름의 접착 필름이 웨이퍼의 일면에 부착되어 있고, 상기 다이싱 다이 본딩 필름의 다이싱 테이프가 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.
상기와 같은 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 다이 본딩 필름의 접착 필름을 라미네이트 온도 0 ~ 180℃ 조건에서 웨이퍼 이면에 부착하고, 상기 다이싱 다이 본딩 필름의 다이싱 테이프를 웨이퍼 링 프레임에 고정시켜 제조할 수 있다.
또한 본 발명은
배선 기판; 및
본 발명에 따른 접착제 수지 조성물을 이용하여 상기 배선 기판 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
상기 반도체 장치의 제조 공정을 설명하면 다음과 같다.
상술한 다이싱 다이 본딩 필름이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱 기기를 이용하여 완전히 절단하여 개개의 칩으로 분할한다.
그 후, 다이싱 테이프가 자외선 경화 점착제이면 기재측에서 자외선을 조사하여 경화시키고, 열 경화 점착제이면 온도를 올려서 점착제를 경화시킨다. 상기와 같이 자외선 또는 열에 의해 경화된 점착제는 접착제의 밀착력이 저하되어서 후 공정에서 칩의 픽업이 쉬워지게 된다. 이 때 필요에 따라서, 다이싱 다이 본딩 필름을 인장할 수 있다. 이와 같은 익스팬딩 공정을 실시하게 되면 칩간의 간격이 확정되어 픽업이 용이해지고, 접착층과 점착제 층 사이에 어긋남이 발생하여 픽업성이 향상된다. 계속하여 칩 픽업을 실시한다. 이 때 반도체 웨이퍼 및 다이싱 다이 본딩 필름의 점착층은 다이싱 다이 본딩 필름의 점착제층으로부터 박리되어 접착제층 만이 부착된 칩을 얻을 수 있다. 수득한 상기 접착제층이 부착된 칩을 반도체용 기판에 부착한다. 칩의 부착 온도는 통상 100 ~ 180℃이며, 부착 시간은 0.5 ~ 3초, 부착 압력은 0.5 ~ 2kgf/cm2이다.
상기 공정을 진행한 후에 와이어 본딩과 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다.
반도체 장치의 제조방법은 상기 공정에 한정되는 것이 아니고, 임의의 공정을 포함시킬 수도 있고, 공정의 순서를 바꿀 수도 있다. 예컨대, 자외선 경화 ▶ 다이싱 ▶ 익스팬딩 공정으로 진행할 수도 있고, 다이싱 ▶ 익스팬딩 ▶ 자외선 화 공정으로도 진행할 수 있다. 칩 부착 공정 이후에 추가로 가열 또는 냉각 공정을 포함할 수도 있다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하는 것 일뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<아크릴 공중합체의 제조>
제조예
1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 1L 반응기에 하기 표 1에 나타낸 조성과 같이, n-부틸아크릴레이트(n-butylacrylate: BA) 30 중량부, 에틸아크릴레이트(ethylacrylate: EA) 34중량부, 아크릴로니트릴(acrylonitril:AN) 30 중량부, 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate:GMA) 3 중량부 및 2-테트라히드로피라닐 메타아크릴레이트(2-tetrahydropyranyl methacrylate:THPMA) 3 중량부로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하여 현탁중합을 통해 구형의 아크릴계 공중합체 비드(bead)를 얻었다. 얻어진 구형의 아크릴계 비드를 40℃ 진공 오븐에서 24시간 동안 건조 후 메틸 에틸 케톤 용액에 용해시켜 고형분 15%, 중량평균 분자량 40만의 아크릴계 공중합체 용액을 제조하였다.
제조예
2 - 6
상기 제조예 1에서 하기 표 1과 같이 아크릴계 공중합체 a의 조성을 기준으로 각 성분의 일부를 첨가하지 않거나 부분 첨가하여 아크릴계 공중합체 b - f를 제조하였다. 이에 대한 결과값은 표 1에 나타내었다.
|
제조예1 |
제조예2 |
제조예3 |
제조예4 |
제조예5 |
제조예6 |
a |
b |
c |
d |
e |
f |
공중합체 조성 (중량부) |
n-BA |
30 |
30 |
30 |
30 |
30 |
30 |
EA |
34 |
34 |
36.95 |
37 |
37 |
30 |
AN |
30 |
30 |
30 |
30 |
30 |
30 |
GMA |
3 |
2 |
0.05 |
3 |
3 |
10 |
THPMA |
3 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
중량평균분자량(만) |
40 |
45 |
80 |
80 |
40 |
30 |
분자량 분포 |
3.8 |
3.6 |
4.1 |
4.2 |
3.7 |
3.9 |
유리전이온도(C) |
5 |
5 |
7 |
7 |
7 |
8 |
실시예 1
제조예 1의 아크릴계 수지 100 중량부, 에폭시 수지로서 YDCN-500-80P(국도화학, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 205, 연화점 80℃) 25 중량부, 에폭시 수지의 경화제로 페놀 수지인 KPH-F2001(코오롱유화, 페놀 노볼락, 수산기 당량 106, 연화점 88℃) 15 중량부, 실란 커플링제인 A-187(GE도시바실리콘, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란) 1 중량부, 경화 촉진제로는 2PZ(시코쿠 화성, 2-페닐 이미다졸) 0.01 중량부, 충진제로서 UFP-80(덴카, 구상 실리카, 평균 입경 75nm) 10 중량부로 이루어지는 조성물에 메틸에틸케톤(MEK)에 교반 혼합하여 바니쉬를 제조하였다. 상기 접착제 조성물을 두께 38㎛의 기재 필름(SKC, RS-21G)에 도포하고, 110℃에서 5분간 건조하여 도막 두께가 20㎛인 접착 필름을 제작했다. 이 접착 필름을 라미네이터(Fujishoko사)를 이용하여 다이싱 테이프(스리온텍 6360-00) 와 30℃에서 5kgf/cm2으로 라미네이트하여 반도체용 접착필름을 얻었다.
실시예 2
제조예 2의 아크릴계 공중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조하였다.
비교예 1
제조예 3의 아크릴계 공중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조하였다.
비교예 2
제조예 4의 아크릴계 공중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조하였다.
비교예 3
제조예 5의 아크릴계 공중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조하였다.
비교예 4
제조예 6의 아크릴계 공중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조하였다.
|
실시예 |
비교예 |
조 성(중량부) |
1 |
2 |
1 |
2 |
3 |
4 |
아크릴 공중합체 |
100 (a) |
100 (b) |
100 (c) |
100 (d) |
100 (e) |
100 (f) |
에폭시 수지 |
25 |
25 |
25 |
25 |
25 |
25 |
KPH-F2001 |
15 |
15 |
15 |
15 |
15 |
15 |
2PZ |
0.01 |
0.01 |
0.01 |
0.01 |
0.01 |
0.01 |
A-187 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
UFP-80 |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 4의 접착제 조성물에 대하여 다음과 같은 방법으로 물성을 측정하였고, 그 결과는 표 3와 같다.
<필름의 평가 방법>
(1) 보존 안전성의 평가
접착필름 제조 직후의 겔함량 및 상온, 암소에서 한달간 보관한 뒤의 겔함량을 측정하여 그 차이를 평가하였다. 겔 함량의 측정은 접착필름에서 약 0.3g의 접착제를 추출하여 에틸 아세테이트 100g에 3일간 침적시킨 후 녹지 않는 부분을 분리하여 70℃ 오븐에서 4시간 건조 후 무게 측정을 통해, 초기 투입된 양 대비의 분율을 계산하였다.
(2) 회로충진성
10㎛ 높이차를 갖는 PCB를 기재로 사용하였다. 다이 본딩 필름(20um)을 25mm x 25mm로 커팅하여 테이프 마운터(DS정공)에서 칩과 60℃로 라미네이션 하였다. PCB와 다이 본딩이 붙어 있는 칩을 130℃, 1.5kg의 압력으로 1초간 압착하였다. 필름이 유동하여 PCB의 회로 패턴 사이로 흘러 들어간 양을 계산하여 매입율을 계산하였다. 매입율이 70% 초과하면 우수, 50% ~ 70%수준이면 양호, 50% 미만이면 불량으로 처리하였다.
(3) 내습성
웨이퍼와 접착된 필름을 121℃, 습도 100%, 2기압의 분위기(PCT, Pressure Cooker Test)로 72시간 처리 후에 박리 유무를 관찰하여 박리가 되지 않은 것을 양호, 박리가 있은 것을 불량으로 처리하였다.
(4) 내열성
다이본딩 필름으로 칩을 PCB 기재에 접착 후 샘플을 -55℃에서 15분간 방치하고, 125℃ 분위기에서 15분간 방치하는 공정을 1 사이클로 하여 5 사이클을 실시하고, 항온 항습 챔버 (85℃ 및 85%의 조건)에 72시간 방치한 후, 샘플 표면의 최고 온도가 260℃에서 20초간 유지되도록 온도 설정한 IR 리플로우 기기에 샘플을 통과시키고, 실온에 방치하여 냉각하는 처리를 3회 반복하여 샘플 중의 크랙을 초음파 현미경으로 관찰하였다. 박리나 크랙 등의 파괴가 발생하지 않은 것을 양호, 1개 이상 발생한 것을 불량으로 했다.
물성 |
실시예 |
비교예 |
1 |
2 |
1 |
2 |
3 |
4 |
보존안전성 |
5 |
5 |
1 |
10 |
8 |
40 |
회로충진성 |
우수 |
우수 |
불량 |
불량 |
우수 |
우수 |
내습성 |
양호 |
양호 |
불량 |
양호 |
불량 |
양호 |
내열성 |
양호 |
양호 |
불량 |
양호 |
불량 |
양호 |
상기 표 3에서 나타난 바와 같이, 본 발명에 따라 제조한 실시예 1 내지 2의 접착필름의 경우, 보존 안전성, 및 내열성이 우수하고 동시에 회로 충진성도 우수하였다. 비교예 1의 경우 보존 안전성은 우수하나 반응성기가 적어 내열성이 미흡하며, 고분자량으로 인해 회로 충진성도 미흡하였다. 비교예 2의 경우는 보존안정성 및 내열성은 양호하나 고분자량으로 인해 회로 충진성이 미흡한 경우이다. 비교예 3의 경우는 분자량 감소로 인해 회로 충진성은 개선되었으나 트레이드-오프(Trade-off) 특성으로 내열성이 미흡해진 경우이다. 비교예 4의 경우는 반응성기인 글리시딜기 함량증가로 인해 내열성이 양호해지고, 저분자량으로 인해 회로 충진성이 개선된 경우이나, 보존 안정성이 크게 미흡해진 경우이다.