KR20080061792A - 저온 분사 코팅 공정을 이용한 세라믹 ｄｂｃ 기판의제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 저온 분사 코팅 공정을 이용한 세라믹 DBC 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 기술보다 단순화된 저온 스프레이 공정을 이용하여 강한 접합강도를 가지는 세라믹 DBC 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.

본 발명의 세라믹 DBC 기판 제조방법은, 세라믹 모재 위에 구리 입자를 저온 분사 코팅 하는 방법으로서, 5~200㎛의 직경을 가지는 구리입자를 사용하며, 분사시 가스의 온도를 300~450℃, 가스의 압력을 10~27 kg/cm²로 조절하는 것을 특징으로 한다.

저온 분사 코팅, DBC 기판, 접합강도, 세라믹 모재

Description

저온 분사 코팅 공정을 이용한 세라믹 ＤＢＣ 기판의 제조방법{MANUFACTURING METHOD FOR CERAMIC DBC SUBSTRATE USING COLD SPRAYING COATING PROCESS}

도 1은 DBC 기판의 구조를 나타내는 개략 단면도,

도 2는 저온 분사 코팅 장치의 구성을 나타내는 구성도,

도 3은 본 발명의 실시예에 의해 제조된 DBC 기판의 외형을 촬영한 사진, 그리고

도 4는 본 발명의 실시예에 의해 제조된 DBC 기판 코팅층의 단면을 촬영한 전자현미경 사진이다.

본 발명은 저온 분사 코팅 공정을 이용한 세라믹 DBC 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 기술보다 단순화된 저온 스프레이 공정을 이용하여 강한 접합강도를 가지는 세라믹 DBC 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.

세라믹 DBC 기판은 반도체 전력 모듈 등에서 사용되는 것으로서 리드를 기존의 방열소재 위에 배치하는 경우보다 높은 방열 특성을 가질 뿐만 아니라, 방열판의 접착상태에 대한 검사 공정을 필요로 하지 않기 때문에 신뢰성이 향상되고 생산성과 일관성이 향상된 반도체 전력 모듈 등을 제공할 수 있다는 장점을 가진 기판이다. 상기 세라믹 DBC 기판을 이용할 경우에는, 회로 위에 직접 반도체를 실장할 수 있어 방열성이 우수한 반도체 실장 기판을 제조할 수 있다. 이를 이용하여 파워 트랜지스터 모듈(power transistor module), 고주파 파워 트랜지스터(power transistor), 대용량 파워 트랜지스터(power transistor) 또는 점화기(igniter)용 파워 트랜지스터(power transistor) 등을 제조하는 기술이 현재 실용화되어 있다.

상기 세라믹 DBC 기판의 일반적인 구조는 도 1에 나타낸 바와 같이 절연 기재(2)인 알루미나 세라믹 모재, 질화 알루미늄 층 또는 산화 베릴륨 층(이하, 세라믹 모재)과 상기 세라믹 모재의 저면에 접합된 하부 구리 층(3), 상기 세라믹 모재의 상면에 패턴을 가지도록 접합된 상부 구리 층(1)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 구리층과 세라믹 모재는 잘 접합되지 않는 금속과 세라믹의 특성상 보통의 방법으로는 서로 간에 결합력을 제공하기가 어렵기 때문에 특별한 방법으로 접합시킬 필요가 있다. 이에 제공된 방법으로 대한민국 공개특허공보 2003-0077203호에는 절연 판재(세라믹 모재)의 저면과 상면에 구리층을 압착 및 가열시 킴으로써 DBC 기판으로 제조하는 방식이 기재되어 있다.

그러나, 상기 대한민국 공개특허공보 2003-0077203호에서와 같이 구리층을 압착시키는 방식으로 DBC 기판을 제조하는 방법은 세라믹 모재과 구리 층사이에 충분한 결합강도를 제공하기 어렵다는 단점이 있다.

이를 보다 개선하기 위하여, 일본 공개특허공보 2003-188316호에는 금속 구리 피막층을 가지는 세라믹 기판의 표면에, 그 금속 구리 피막층을 통하여 구리 회로 기판이 형성되어 이루어지는 세라믹 DBC 기판으로서, 상기 구리 회로판을, 상기 금속 구리 피막층 혹은 이 구리 회로판 중 어느 한쪽의 접합면에 형성한 산화구리와 구리 회로기판의 구리의 공정상을 통하여 세라믹 기판에 접착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판과 상기 DBC 기판을 제조하기 위한 방법으로서, 세라믹 기판의 표면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 금속 구리 피막층을 형성한 후, 상기 금속구리 피막층 위에 산화구리를 끼우고 구리 회로판을 재치하여 가열하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법이 기재되어 있다.

즉, 상기 일본 공개특허공보 2003-188316호에 기재된 DBC 기판 제조방법은 상기 2003-0077203호에 기재된 발명의 문제점을 보완하기 위하여 제안된 것으로서, 세라믹 기판의 표면에 스퍼터링법 또는 진공 증착법에 의하여 구리 피막층을 형성한 뒤, 상기 구리 피막층 위에 산화구리를 끼우고 구리 회로판을 재치하고 가열하 는 것을 특징으로 하는 것인데, 이러한 기술은 세라믹 기판 위에 구리층을 직접 올려두고 가열하여 접합시키는 방법에 비해서는 향상된 접합강도를 얻을 수 있으나, 여러가지 복잡한 제조과정으로 이루어져 있으며, 제조시간 및 제조비용이 증가한다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 세라믹 DBC 기판을 제조하는 방법으로서 간단한 과정으로 제조시간 및 제조비용의 문제점을 초래하지 않으면서 구리층과 세라믹 모재사이에 충분한 접합강도를 제공할 수 있는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 세라믹 DBC 기판의 제조방법은 세라믹 모재 위에 구리 입자를 저온 분사 코팅하여 DBC 기판을 제조하는 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 저온 분사 코팅시 사용되는 구리입자는 5~200㎛의 직경을 가지는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 저온 분사 코팅시, 분사용 가스의 온도를 300~450℃로 가열하 여 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 저온 분사 코팅시, 노즐 직전에서의 분사용 가스의 압력을 10~27 kg/cm²로 조절하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 저온 분사 코팅 시, 분사용 가스는 질소, 헬륨, 공기 또는 이들의 혼합가스인 것이 효과적이다.

또한, 저온 분사 코팅에 사용되는 노즐 선단과 세라믹 모재 사이의 거리는 10~40mm인 것이 좋다.

그리고, 상기 세라믹 모재는 알루미나, 질화 알루미늄 또는 산화 베릴륨 중에서 선택된 하나인 것이 바람직하다.

상기와 같은 유리한 본 발명의 제조방법은, 상기 저온 분사 코팅 전에 세라믹 모재의 표면조도를 증가시키는 전처리를 실시하는 것이 보다 바람직하다.

이때, 상기 전처리는 80~30mesh의 크기를 가지는 알루미나 분말을 5~8kg/cm² 정도의 압력으로 세라믹 모재 표면에 분사하는 블라스팅 방식으로 실시하는 것이 효과적이다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명의 발명자들은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 깊이 연구한 결과, 세라믹 모재 위에 구리를 저온 분사 공정을 통하여 코팅할 경우 본 발명의 목적을 달성할 수 있다는 사실을 발견하고 본 발명에 이르게 되었다.

저온 분사(cold spray) 공정은 용사(thermal spray) 공정과 구별되는 개념으로서 소재를 고온으로 가열하여 용융된 상태에서 분사하는 용사법과는 달리 소재를 상온 또는 온간에서 용융되지 않은 상태로 피사체에 고속으로 분사하여 소재를 피사체 표면에 코팅시키는 방법이다.

종래에는 소재 코팅을 위하여 용사법이 많이 사용되었으나, 구리를 세라믹 모재에 코팅하기 위하여 용사법을 사용할 경우에는 용융된 구리가 세라믹 모재 표면에 부착한 후 열방출에 따라 응고 및 냉각이 진행될 때, 구리와 세라믹 모재 사이의 열팽창계수가 크게 차이나기 때문에 구리의 수축정도와 세라믹 모재의 수축 정도 사이에 큰 차이가 나게 되고 그에 따라 구리와 세라믹 모재의 계면에는 큰 응력이 작용하게 됨으로써 구리가 세라믹 모재 표면에서 박리되는 현상이 일어나게 되어 코팅에 적합하지 않다.

본 발명의 발명자들은 또다른 코팅방법으로서 상기 저온 분사 코팅을 사용한 결과 우수한 결과를 얻을 수 있다는 것을 알 수 있었다.

상기 저온 분사 코팅은 도 2에서 예시적으로 도시한 저온 분사 코팅기에 의해 실시될 수 있다. 도 2에서 볼 수 있듯이, 상기 저온 분사 코팅기는 가스공급장치(4), 조절패널(5), 가스가열장치(6), 분말송급장치(7) 및 드라발 노즐(de Laval Nozzle)을 포함하고 있다. 상기 가스공급장치(4)에서 공급되는 가스는 조절패널(5)에서 가스량 조절이 이루어져 가스가열장치(6)과 분말송급장치(7)로 나뉘어져 공급된다. 상기 가스가열장치(6)는 가스를 고온으로 가열하여 가스의 팽창으로 인한 속도 상승을 유도하고, 상기 분말송급장치(7)은 조절패널(5)로부터 공급되는 가스에 분말을 공급함으로써 가스에 의해 분말이 드 라발 노즐(8)쪽으로 공급될 수 있도록 하는 역할을 한다. 드 라발 노즐(8)의 직전에서는 상기 분말송급장치(7)에서 송급된 분말과 가스의 혼합물과 가스가열장치(6)에서 공급된 가열된 고속의 가스가 만나 고속의 가스/분말 혼합물을 형성하여 상기 드 라발 노즐(8)을 통하여 고속의 가스/분말 제트(jet)류로 분사된다. 드 라발 노즐은 노즐 길이 방향으로 볼 때 노즐의 내경이 감소(converge)하였다가 다시 증가(diverge)하는 형태를 갖춘 것으로서 가스의 속도를 음속이상의 초음속으로 증가시키는데 사용되는 노즐을 의미한다. 상기 드 라발 노즐을 통하여 초음속으로 분사된 가스에 의해 이송되는 분말은 가스의 속도에 근접한 높은 속도로 피사체와 충돌하게 되며, 분말이 가지고 있던 운동에너지가 피사체/분말 사이의 결합에 필요한 에너지로 변환되게 되어 따라 서 분말이 코팅된 피사체를 얻을 수 있는 것이다.

상기 저온 분사 코팅법은 용사법보다는 그 역사가 길지 않지만, 종래부터 이미 개발되어 사용되어온 방법이다. 그러나, 구리를 세라믹 모재에 코팅하여 DBC 기판으로 제조하기 위해서는 종래에 제시된 저온 분사 코팅 조건만으로는 가능하지 않으며 보다 특별한 조건을 충족시킬 필요가 있다. 이는 구리 입자를 세라믹 모재 표면에 코팅할 때 발생하는 아래와 같은 현상 때문이다.

첫째, 저온 분사 코팅 시에 입자와 모재가 충돌시 운동에너지가 대부분 열적 에너지로 변화되면서 접촉 지점에서 코팅되는 구리 입자 중 일부분은 그 온도가 융점에 다다를 정도까지 승온되게 된다. 상기 승온 이후 냉각되는 과정에서 세라믹 모재과 구리 코팅층 간의 열팽창계수 차이로 인해 박리현상이 일어날 수 있다.

둘째, 세라믹 모재는 높은 취성을 가지므로, 구리 입자의 비행속도가 빠른 공정조건에서 구리 입자의 충돌시에 발생하는 충격에 의해 모재에 미세 균열(crack)이 발생하여 모재의 파단현상이 일어날 수 있다.

셋째, 세라믹 모재에 적층된 구리 층이 상기 세라믹 모재에 대하여 가지는 결합 에너지보다 구리 입자와 구리 층의 충돌에너지가 클 경우 비드(bead)와 비드가 중첩되는 부분에서 세라믹 모재와 구리의 접합이 깨지게 되어 상기 부분에서 박 리가 일어날 수 있다.

따라서, 세라믹 모재에 구리 입자를 분사시킬 경우 접합강도가 우수한 코팅층을 형성하기 위해서는 이에 적합한 공정 조건 설정이 필요하다.

구리 입자를 저온 분사 코팅할 때 설정가능한 변수로는 여러가지를 들 수 있으나, 본 발명에 따르면 그 중에서도 특히 다음과 같은 바람직한 조건을 설정하는 것이 중요하다. 본 발명에서 특별히 언급되지 않은 조건은 통상의 저온 분사 조건에 준하는 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 큰 어려움 없이 통상의 저온 분사 조건을 이용할 수 있다. 이하, 세라믹 DBC 기판을 제조하기 위한 구리 저온 분사 코팅 방법의 특별한 조건에 대하여 상세히 설명한다.

가스의 온도

가스가열장치에서 가열되는 가스의 가열 온도는 300~450℃인 것이 바람직하다.

만일, 상기 가열온도가 300℃ 미만이면 가스의 운동에너지가 충분하지 못하여 구리입자가 피사체에 충분한 속도로 충돌하지 못하게 되므로 바람직하지 않다. 또한, 상기 가열온도가 450℃를 초과할 경우에는 구리입자와 세라믹 모재 사이에 열팽창계수가 상이함으로 인하여 열응력이 발생하여 박리가 일어나게 되므로 불리하다.

가스의 압력

상기 바람직한 조건을 가지는 분말을 분사하기 위한 노즐 직전에서의 가스의 압력은 10~27kg/cm²인 것이 바람직하며, 보다 바람직한 분말 입도범위인 10~35㎛의 입도를 가지는 분말을 분사하는 경우에는 17~21 kg/cm²인 것이 더욱 바람직하다. 상기 가스 압력은 분사된 구리입자가 세라믹 모재에 충분한 에너지를 가지고 부착될 수 있도록 함과 동시에 부착된 이후에도 상기 부착상태가 안정적으로 유지될 수 있도록 하는 중요한 인자이다. 만일, 상기 가스의 압력이 10kg/cm² 미만일 경우에는 분사되는 구리입자가 적층될 수 있을 정도의 충분한 속도(적층임계속도)를 가지지 못하여 세라믹 모재에 부착하지 못하게 되며, 반대로 상기 가스의 압력이 27g/cm²을 초과할 경우에는 처음 세라믹 모재에 부착할 때에는 용이하게 부착될 수 있으나, 이후 다음 비드(bead)에서는 첫번째 비드와 두번째 비드가 중첩되는 부위에서 먼저 부착된 구리입자가 두번째 분사되는 구리입자로부터 전해지는 충격에 의한 반발에너지를 견디지 못하고 박리되어 버리는 현상이 발생할 수 있다. 저온 분사 코팅 법에서는 코팅을 한꺼번에 큰 면적으로 할 수 없고, 점형태로 분사되는 분사라인을 트래블러를 이용하여 이동시키면서 선형태로 코팅이 이루어지도록 하며, 상기 선형태의 코팅라인이 일정간격을 두고 형성되도록 함으로써 결국 전체면을 코팅하게 되는데, 상기 트래블러의 이동에 의해 형성되는 코팅라인을 비드라고 한다. 따라서, 비드(코팅라인)가 형성된 이후, 아래쪽(또는 위쪽)에도 트래블러의 이동에 의해 또 다른 비드(코팅라인)가 형성되게 되는데, 상대적으로 보아 먼저 형성된 비드를 첫번째 비드라 하며, 나중에 형성된 비드를 두번째 비드라 하는 것이다.

구리입자의 직경

구리입자의 직경은 코팅성을 결정하는 중요한 인자이다. 만일 구리 입자의 직경이 너무 작을 경우에는 입자가 가진 운동에너지가 충분하지 않아 코팅시 적층율이 떨어지게 되며, 반대로 구리 입자의 직경이 너무 클 경우에는 가스가 입자를 충분히 가속시키지 못하여 입자가 코팅되기 어렵게 된다. 따라서, 구리 입자의 직경은 일정한 범위의 것을 사용하는 것이 바람직한데, DBC 기판 제조용으로는 5~200㎛인 것이 바람직하며, 특히 10~35㎛인 것이 가장 바람직하다.

상기 보다 바람직한 본 발명의 조건들을 종합하면, 본 발명의 세라믹 DBC 기판 제조방법은, 세라믹 모재 위에 구리 입자를 저온 분사 코팅 하는 방법으로서, 5~200㎛의 직경을 가지는 구리입자를 사용하며, 분사시 가스의 온도를 300~450℃, 노즐 직전에서의 가스의 압력을 10~27 kg/cm²로 조절하는 것을 특징으로 한다. 물론 코팅되는 구리층은 평면상으로 코팅될 수도 있으며, 필요에 따라 패턴을 가진 형태로 코팅될 수 있다.

이때, 상술한 방식으로 DBC 기판을 제조하기 위한 가스의 종류는 구리의 반응성이 높지 않기 때문에 크게 제한하지 않는다. 질소, 헬륨, 공기 또는 이들의 혼합가스를 사용할 수 있으며 그 중에서도 가격이나 반응성을 고려하면 질소를 사용하는 것이 가장 바람직하다.

또한, 구리입자가 높은 속도로 노즐로부터 분사된다 하여도 노즐과 세라믹 모재 사이의 거리가 멀 경우에는 구리입자의 속도가 감속되어 충돌시 충분한 에너지를 가지기 어려우며, 반대로 노즐과 세라믹 모재 사이의 거리가 너무 가까울 경우에는 구리입자를 이송하는 가스의 흐름이 세라믹 모재에 의해 소산(bowshock)되어 충분한 속도를 가지기 어렵게 된다. 따라서, 이러한 점을 고려하면 노즐(선단부)과 세라믹 모재 사이의 거리는 10~40mm인 것이 보다 바람직하다.

그외에도, 균일한 표면을 가지는 DBC 기판을 얻기 위한 보다 바람직한 조건으로는 비드와 비드의 중심사이의 거리를 들 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이 비드와 비드가 겹쳐지면, 먼저 형성된 비드에 두번째 부착되는 비드의 충격에너지가 가해지면서 반발력이 작용할 수 있다. 따라서, 비드와 비드가 과도하게 겹쳐지면(즉, 비드와 비드의 중심사이 거리가 너무 가까울 경우) 먼저 형성된 비드가 박리되는 현상이 일어날 수 있다. 또한, 반대로 비드와 비드의 중심사이의 거리가 너 무 멀어지면 균일한 표면을 얻기가 어려울 뿐만 아니라 극단적으로는 코팅되지 않은 채로 노출되는 부분이 나타나게 되므로 바람직하지 않다. 그러므로, 비드와 비드 중심사이의 거리는 적정한 범위로 유지될 필요가 있는데, 본 발명과 같이 세라믹 DBC 기판을 제조하는 경우에서는 상술한 비드와 비드 중심사이의 거리는 0.5~4.5mm 인 것이 바람직하다.

또한, 세라믹 모재의 표면이 매우 평탄할 경우에는 구리입자가 부착되기 어렵기 때문에 저온 분사 코팅 전에 상기 세라믹 모재의 표면에 전처리를 실시하여 표면의 조도를 보다 크게 하는 것이 보다 바람직하다. 상기 전처리로는 블라스팅법을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 블라스팅은 크기 30~80 mesh(177~595㎛)인 알루미나 분말을 5~8kg/cm² 정도의 압력으로 세라믹 모재 표면에 분사하는 방식으로 이루어진다. 상기 블라스팅 처리는 본 발명이 속하는 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명에서 블라스팅 처리를 전처리로 사용할 수 있다는 것을 교시하고 있는 이상, 누구라도 그 조건을 변경하여 용이하게 실시할 수 있는 것으로서 나머지 세부적인 조건을 본 발명에서 특별히 한정하지는 않는다.

그리고, 상기 블라스팅 처리된 세라믹 모재 표면에는 블라스팅에 의해 분쇄된 미세 세라믹 입자나 그외 불순물이 존재할 수 있기 때문에, 이들로 인하여 결합강도가 저해될 수 있다. 따라서, 상기 불순물 들은 세척과정에 의해 제거되는 것 이 바람직하다. 용이하게 사용될 수 있는 세척방법으로는 초음파 세척법을 들 수 있다.

이하, 하기하는 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 하기하는 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니라는 점에 유의할 필요가 있다. 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 사항과 이로부터 유추되는 사항에 의해 정해지는 것이기 때문이다.

(실시예)

DBC 기판의 세라믹 모재로서 두께 1mm인 알루미나를 사용하였다. 상기 알루미나 모재와 코팅층간의 기계적 결합을 향상시키기 위해서 알루미나 모재 표면에 5.0kg/cm²의 압력으로 30~80mesh의 크기를 가지는 알루미나 분말을 이용하여 그릿-블라스팅(grit-blasting)을 실시하였다. 블라스팅 실시된 알루미나 모재 표면을 초음파 세척하여 불순물을 제거하여 전처리를 완료하였다.

상기 전처리된 세라믹 모재 상하부 표면에 직경이 10~35㎛ 범위내에서 분포된 구형의 구리 분말을 저온 분사 코팅하였다. 코팅 장비는 도 2에 도시한 것과 유사한 형태의 장비로서 독일 CGT 사의 저온 분사 코팅 장비를 이용하였으며, 질소가스를 구리 분말 분사에 사용하였다. 사용된 가스의 온도는 350℃으로 제어하였 으며, 압력은 21kg/cm²으로 정하였다.

또한, 노즐과 기판과의 거리는 30mm로 정하였으며, 구리 입자가 빈틈없이 코팅될 수 있도록 하기 위하여 노즐을 200mm/s의 속도로 이동시키면서 코팅하였다. 코팅시 비드와 비드 중심사이의 거리는 3.5mm로 정하였다.

상기 방법으로 제조한 DBC 기판의 사진과 상기 기판의 코팅층의 단면을 촬영한 사진을 각각 도 3와 도 4에 나타내었다. 도 3에서 볼 수 있듯이 기판 전체 표면에 고르게 구리층이 형성되어 있음을 알 수 있으며, 도 4에서 볼 수 있듯이 상기 구리 코팅층과 알루미나 모재 표면에 강한 결합층이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의해 제공된 방법에 의해서 양호한 결합력을 가진 세라믹 DBC 기판을 간단히 제조할 수 있음을 알 수 있었다.

상술한 바와 같이 본 발명의 세라믹 DBC 기판 제조방법은 1회의 코팅처리 및 필요에 따라 실시되는 전처리에 의해 간편한 방법으로 세라믹 모재에 구리 층을 코팅시킬 수 있기 때문에, 간단한 과정으로 제조시간 및 제조비용의 문제점을 초래하지 않으면서 구리층과 세라믹 모재사이에 충분한 접합강도를 제공하는 효과적인 방법이다.

Claims (10)

1. 세라믹 모재 위에 구리 입자를 저온 분사 코팅하여 DBC 기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시 사용되는 구리입자는 5~200㎛의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시, 분사용 가스의 온도를 300~450℃로 가열하여 사용하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시, 노즐 직전에서의 분사용 가스의 압력을 10~27 kg/cm²로 조절하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅 시, 분사용 가스는 질소, 헬륨, 공 기 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
6. 제 1 항에 있어서, 저온 분사 코팅에 사용되는 노즐 선단과 세라믹 모재 사이의 거리는 10~40mm인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 모재는 알루미나, 질화 알루미늄 또는 산화 베릴륨 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시 비드와 비드 중심사이의 거리는 0.5~4.5mm인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅 전에 세라믹 모재의 표면조도를 증가시키는 전처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 전처리는 크기 30~80mesh인 알루미나 분말을 5~8kg/cm² 정도의 압력으로 세라믹 모재 표면에 분사하는 블라스팅 방식으로 실시하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법.

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