KR20080036724A - Dicing die adhesive film and method of packaging semi-conductor using the same - Google Patents
Dicing die adhesive film and method of packaging semi-conductor using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080036724A KR20080036724A KR1020060103328A KR20060103328A KR20080036724A KR 20080036724 A KR20080036724 A KR 20080036724A KR 1020060103328 A KR1020060103328 A KR 1020060103328A KR 20060103328 A KR20060103328 A KR 20060103328A KR 20080036724 A KR20080036724 A KR 20080036724A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- die
- dicing
- film
- bonding film
- epoxy
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 30
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 18
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229940117958 vinyl acetate Drugs 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 claims description 7
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- RPBNQQGUJBCUGO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenechromium Chemical compound [S].[Cr] RPBNQQGUJBCUGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 4
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4885—Wire-like parts or pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60277—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving the use of conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다이싱-다이본딩 필름을 도시하는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키징 방법의 흐름도이다. 2 is a flowchart of a semiconductor packaging method according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키징 방법을 설명하기 위한 도면이다. 3 to 9 are diagrams for describing a semiconductor packaging method according to a preferred embodiment of the present invention.
본 발명은 다이싱-다이본딩 필름 및 이를 이용하는 반도체 패키징 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키징 작업에 편리성 및 효율성을 제공하고, 불량율을 현저히 감소시킬 수 있는 다이싱-다이본딩 필름 및 이를 이용하는 반도체 패키징 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding film and a semiconductor packaging method using the same, and more particularly, to a dicing die-bonding film that can provide convenience and efficiency in a semiconductor packaging operation and can significantly reduce a defect rate, and A semiconductor packaging method is used.
반도체 산업에 있어서, 1960년대에 세라믹 패키지의 출현 이래로 리드 프레임과 몰딩 콤파운드를 사용한 플라스틱 패키지가 가장 효과적인 원가 절감의 방안으로 인식되어져 왔으며, 40여 년이 지난 지금까지도 반도체 시장의 상당 부분에서 활용되어지고 있다. 기기의 소형화와 IC의 고집적화와 같은 반도체 개발의 추세에 맞추어 패키지 부피가 작아지고 핀 수가 많아지는 경향으로 발전해 가고 있다. 최근 미세전자기술의 급격한 발전과 전자 부품의 개발과 더불어 새로운 패키지 개발이 활발히 진행되고 있는 가운데, 고집적, 고성능의 다양한 반도체 패키지의 수요가 급속히 증가함에 따라 새로운 패키지 개발이 가속적으로 진행되고 있으며, 이와 더불어 모든 전자 재료의 보다 높은 신뢰성이 요구됨에 따라 모든 반도체 업체들은 이를 충족시키기 위한 제품 개발에 전력을 기울이고 있다. In the semiconductor industry, since the advent of ceramic packages in the 1960s, plastic packages using lead frames and molding compounds have been recognized as the most effective way to reduce costs, and more than 40 years later have been used in a large part of the semiconductor market. have. In line with the trend of semiconductor development, such as miniaturization of devices and high integration of ICs, packages are becoming smaller and the number of pins is increasing. Recently, with the rapid development of microelectronic technology and the development of electronic components, new package development has been actively progressed, and the development of new packages is being accelerated as the demand of various highly integrated and high performance semiconductor packages rapidly increases. In addition, as higher reliability of all electronic materials is required, all semiconductor companies are working hard to develop products to meet them.
반도체 칩 크기의 소형화 및 고집적화에 따라 새로운 세대로서 개발된 것이 CSP(Chip Scale Package)이다. CSP에 따르면 칩의 크기가 곧 패키지 크기와 거의 동일하다. 이와 같은 현 패키지 경향의 일환으로 한층 진보된 패키지 중의 하나가 MCP(Multi Chip Package)이다. 즉 칩 위에 칩을 하나 더 실장한 것으로 거의 같은 칩 크기의 패키지 안에 기존보다 훨씬 많은 용량을 실장할 수 있게 된 것이다. Chip scale package (CSP) was developed as a new generation in accordance with miniaturization and high integration of semiconductor chip size. According to CSP, the chip is almost the same size as the package. As part of this current package trend, one of the more advanced packages is MCP (Multi Chip Package). In other words, by mounting one more chip on the chip, it is possible to mount much more capacity than before in a package of almost the same chip size.
최근 휴대전화, 모바일 단말기에 탑재되는 플래쉬 메모리를 시작으로 반도체 메모리의 고집적화, 고기능화함에 따라서 MCP의 수요가 급속히 늘고 있으며, 칩을 다단 적층함에 있어서 적층 칩의 대형화, 박형화가 급속히 진행되어 두께 100㎛이 하의 초박형 칩을 적층하는 것이 표준이 되어 있는 실정이다. 이러한 MCP 방식에서 반도체 칩과 반도체 기판의 접합은 기존의 액상 에폭시 페이스트 대신에 필름상의 접착제가 사용되고 있다(일본 특개평 3-192178호, 특개평 4-234472호). 액상 에폭시 페이스트는 비용 측면에서 저렴하지만, 다이 본딩 공정에서 칩의 휨을 해결할 수 없고, 흐름성 제어가 곤란하고 와이어 본딩(wire bonding) 공정의 불량 발생, 접착층 두께 제어 곤란, 접착층의 보이드(void) 발생 등의 문제점이 있다.Recently, the demand for MCP is increasing rapidly as the semiconductor memory is highly integrated and highly functionalized, starting with the flash memory installed in mobile phones and mobile terminals. The lamination of the ultra-thin chips under the circumstances has become a standard. In this MCP method, a film-like adhesive is used in place of a conventional liquid epoxy paste for bonding a semiconductor chip and a semiconductor substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 3-192178, 4-234472). Liquid epoxy paste is inexpensive in terms of cost, but it is difficult to solve the warpage of the chip in the die bonding process, difficult to control the flow, poor wire bonding process, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer, and void of the adhesive layer. There is such a problem.
기존의 필름상의 접착제를 사용하는 방법에는 필름 단품 접착 방식과 웨이퍼 이면 접착 방식이 있다 필름 단품 접착 방식은 필름상 접착제를 커팅(cutting)이나 펀칭(punching)하여 칩에 맞게 단품으로 가공하여 반도체 기판에 접착하고, 칩을 웨이퍼로부터 픽업한 후 그 위에 다이본딩하는 방식으로 후공정인 와이어 본딩, 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다(일본 특개평 9-17810호). Conventional methods of using film-based adhesives include a film single adhesive method and a wafer backside adhesive method. A single film adhesive method is used to cut or punch a film adhesive into a single part to fit a chip, and then to a semiconductor substrate. A semiconductor device is obtained through a wire bonding and molding process, which is a post-process, by gluing, picking a chip from a wafer, and then die bonding the wafer (Japanese Patent Laid-Open No. 9-17810).
웨이퍼 이면 접착 방식은 웨이퍼의 이면에 필름상의 접착제를 부착하고, 웨이퍼 이면과 접착하지 않은 반대면에 점착층이 있는 다이싱 테이프를 추가로 부착하여 상기 웨이퍼를 다이싱하여 개별의 칩으로 분리하여, 칩을 픽업하여 반도체용 기판에 다이 본딩하여 와이어 본딩, 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치를 얻는다. 이러한 웨이퍼 이면 접착 방식은 박형화된 웨이퍼의 이송, 공정 수의 증가, 다양한 칩 두께 및 크기에 대한 적응성, 필름의 박막화 및 고기능 반도체 장치의 신뢰성 확보에 어려움이 있다.In the wafer backside bonding method, a film-like adhesive is attached to the backside of the wafer, and a dicing tape having an adhesive layer is further attached to the backside not adhered to the backside of the wafer, and the wafer is diced and separated into individual chips. The chip is picked up and die bonded to the semiconductor substrate to obtain a semiconductor device through a wire bonding and molding process. Such a wafer back surface bonding method has difficulty in transferring thin wafers, increasing the number of processes, adaptability to various chip thicknesses and sizes, thinning films, and securing reliability of high-performance semiconductor devices.
상기 문제를 해결하기 위해서 접착제와 점착제가 하나의 층으로 된 필름을 웨이퍼 이면에 접착하는 방식이 제안되어 있다(일본 특개평 2-32181호, 특개평 8- 53655호, 특개평 10-8001). 이 방식에 따르면, 라미네이션 공정을 2번 거치지 않고 1번의 공정으로 가능하며, 웨이퍼 지지를 위한 웨이퍼 링이 있기 때문에 웨이퍼의 이송시에 문제가 발생하지 않는다. 상기 특허 문헌에 따르면, 특정의 조성물로 이루어진 점접착제와 기재로 이루어진 다이싱 다이본드 일체형 필름은 자외선 경화 타입의 점착제와 열경화 타입의 접착제가 혼합되어 있어서 다이싱 공정에서는 점착제로의 역할을 하고, 자외선 경화 공정을 거쳐 점착력을 상실하게 하여 웨이퍼로부터 칩의 픽업을 용이하게 하고, 다이본드 공정에서 접착제로서 열 경화하여 칩을 반도체용 기판에 견고하게 접착할 수 있다. 그런데, 이와 같은 다이싱 다이본드 일체형 필름은 자외선 경화 후 점착력이 충분히 저하되지 않아 다이싱 후에 반도체 칩을 픽업하는 공정에서 기재와 칩이 잘 박리되지 않아 불량을 발생시키는 문제점이 있다.In order to solve the said problem, the method of adhering the film which an adhesive and an adhesive consist of one layer to the back surface of a wafer is proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 2-32181, Japanese Patent Laid-Open No. 8-53655, Japanese Patent Laid-Open No. 10-8001). According to this method, it is possible to perform one process without going through the lamination process twice, and since there is a wafer ring for supporting the wafer, there is no problem in transferring the wafer. According to the said patent document, the dicing die-bonding integral film which consists of the adhesive agent and the base material which consist of a specific composition mixes the ultraviolet-ray type adhesive and the thermosetting type adhesive, and serves as an adhesive in a dicing process, The adhesive force is lost through the ultraviolet curing process to facilitate pick-up of the chip from the wafer, and the chip can be firmly adhered to the semiconductor substrate by thermal curing as an adhesive in the die bonding process. By the way, such a dicing die-bonded film has a problem that the adhesive force is not sufficiently reduced after the ultraviolet curing, so that the substrate and the chip are not easily peeled off in the process of picking up the semiconductor chip after dicing, thereby causing a defect.
이러한 일체형 필름의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 다이싱 공정에서는 다이싱 테이프의 용도로 사용되고, 다이본딩 공정에서 접착제의 용도로 사용할 수 있도록 점착제 층과 접착제 층의 두 층으로 구성된 다이싱-다이본딩 분리형 필름이 제안되어 있다. 이러한 다이싱 다이본드 분리형 필름은 다이싱 공정 후에 자외선 경화나 열을 가함으로써 점착제층과 접착제층이 용이하게 분리되어 반도체 칩 픽업 공정시에 문제가 발생하지 않고, 다이 본딩 공정시 필름 두께를 얇게 할 수 있는 편리함을 제공하고 있다. In order to solve the problems of the integrated film, the dicing-die bonding separation type consisting of a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer to be used as a dicing tape in a dicing process and an adhesive in a die bonding process Films have been proposed. Such a dicing die-bonding type film can be easily separated from the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer by applying UV curing or heat after the dicing process, so that no problem occurs during the semiconductor chip pickup process, and the film thickness can be reduced during the die bonding process. It offers convenience.
그러나, 이러한 분리형 다이싱-다이본딩 필름에 있어서, 다이싱 필름과 다이본딩 필름의 육안 구분이 어려워 패키징 작업상에 많은 어려움이 있어 왔다. 예를 들어, 다이싱 전 웨이퍼를 다이싱 다이본딩 필름에 라미네이션을 할 때 웨이퍼가 공차 범위를 벗어나지 않고 다이싱 다이본딩 필름 내 다이본딩 필름 부에 위치하여야 하는데, 종래의 다이싱 필름과 다이본딩 필름은 그 구분이 어려워 작업자의 집중력을 떨어뜨려 라미네이션 불량이 종종 발생한다. 또한, 다이싱 다이본딩 필름은 웨이퍼의 사이즈에 따라 다양한 크기로 코팅 및 재단되어 제공되는데, 다이싱 다이본딩 필름의 종류를 구분하기 위해 다이싱 다이본딩 필름의 가장 자리에 선을 인쇄하거나, 다이싱 다이본딩 필름의 모양에 변형을 주는 방식 등이 종래에 사용되어 왔고, 이는 불필요한 작업이 추가되는 문제점을 야기하였다. 또한, 다이싱 공정시 발생하는 버(Burr) 및 픽업(Pick up) 불량이 어느 필름에서 발생하였는지 판별하기 쉽지 않는 등 불량 검사 및 현상 파악이 용이치 않았다. 따라서, 이를 해결하고자 하는 노력이 관련 분야에서 꾸준하게 이루어져 왔으며, 이러한 기술적 배경하에서 본 발명이 안출된 것이다.However, in such a separate dicing die-bonding film, the visual distinction between the dicing film and the die-bonding film is difficult, and there have been many difficulties in packaging operations. For example, when laminating a wafer to a dicing die-bonding film before dicing, the wafer should be positioned in the die-bonding film portion of the dicing die-bonding film without departing from a tolerance range. It is difficult to classify, which reduces the worker's concentration, resulting in poor lamination. In addition, the dicing die-bonding film is coated and cut in various sizes according to the size of the wafer. In order to distinguish the type of dicing die-bonding film, a line is printed on the edge of the dicing die-bonding film, or dicing is performed. A method of modifying the shape of the die-bonding film and the like has been used in the past, which causes a problem that unnecessary work is added. In addition, it is not easy to check defects and identify the phenomenon, such as it is not easy to determine in which film the Burr and Pick up defects generated during the dicing process. Accordingly, efforts to solve this problem have been made steadily in the related field, and the present invention has been devised under such a technical background.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제를 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 패키징 공정의 효율성 및 편리성을 향상시키고, 불량 발생율을 감소시키며, 불량 검사 및 현상 파악을 용이하게 함에 있으며, 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 다이싱-다이본딩 필름 및 이를 이용한 반도체 패키징 방법을 제공하는데 본 발명의 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, the technical problem to be achieved by the present invention is to improve the efficiency and convenience of the semiconductor packaging process, reduce the failure rate, easy inspection of defects and grasp the phenomenon It is an object of the present invention to provide a dicing die-bonding film and a semiconductor packaging method using the same, which can achieve such a technical problem.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제의 달성을 위해 본 발명은, 다이본딩 필름; 및 상기 다이본딩 필름 상에 접착된 다이싱 필름;을 포함하여 이루어지는 것으로서 상기 다이본딩 필름 및 다이싱 필름은 색상차를 갖거나 3단계 이상의 명도차를 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱-다이본딩 필름을 제공한다. The present invention to achieve the technical problem to be achieved by the present invention, the die-bonding film; And a dicing film adhered to the die bonding film, wherein the die bonding film and the dicing film have a color difference or three or more brightness differences. to provide.
상기 유색필러로는 카본블랙, 실리카, 화이트 카본, 탄산칼슘, 알루미나 수화물, 염기성 탄산마그네슘, 천연규산염, 합성규산염 또는 황산바륨 등이 대표적으로 사용될 수 있으며, 상기 안료로는 적색으로 산화철(Fe2O3)과 카드뮴 적(CdS + CdSe), 황색으로 카드뮴 황(CdS), 크롬 황(PbCrO4)), 녹색으로 산화크롬(Cr2O3) 등이 대표적으로 사용될 수 있다. 상기 다이본딩 필름 또는 다이싱 필름에 첨가된 상기 유색필러 및 안료의 함량은 상기 다이본딩 필름 또는 다이싱 필름 대비 10phr 이하인 것이 바람직하며, 상기 안료의 이온 불순물 함량은 1000ppm이하인 것이 바람직하다. 상기 다이본딩 필름은 대표적으로 에폭시계 수지 또는 폴리이미드계 수지 및 자외선 개시제를 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 에폭시계 수지로는 비스페놀A형 에폭시, 비스페놀F형 에폭시, 테트라브로모비스페놀A(TBPA)형 에폭시, 하이드로젼네이티드비스페놀A형 에폭시, 노볼락 에폭시, 다관능성 에폭시, 고무변성형 에폭시, 가소성 에폭시 또는 경화형 에폭시가, 상기 폴리이미드 수지로는 폴리이미드 수지, 폴리이소이미드 수지, 말레이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리아미드-이미드 수지 또는 폴리에테르-이미드 수지가 대표적으로 사용될 수 있다. 상기 다이싱 필름은 대표적으로 폴리염화비닐계 또는 폴리올레핀계 필름을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 폴리올레핀계 수지로는 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직 쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌/프로필렌 공중합체, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌/(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌/메틸(메타)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌/에틸(메타)아크릴레이트 공중합체, 폴리비닐 클로라이드, 비닐 클로라이드/비닐아세테이트 공중합체, 에틸렌/비닐클로라이드/비닐 아세테이트 공중합체, 폴리우레탄 또는 폴리아미드가 대표적으로 사용될 수 있다. As the colored filler, carbon black, silica, white carbon, calcium carbonate, alumina hydrate, basic magnesium carbonate, natural silicate, synthetic silicate or barium sulfate may be representatively used, and as the pigment, iron oxide (Fe 2 O) in red 3 ) and cadmium red (CdS + CdSe), yellow cadmium sulfur (CdS), chromium sulfur (PbCrO 4 )), green chromium oxide (Cr 2 O 3 ) and the like can be used. The content of the colored filler and pigment added to the die-bonding film or dicing film is preferably 10 phr or less than that of the die-bonding film or dicing film, and the ion impurity content of the pigment is preferably 1000 ppm or less. The die-bonding film may typically include an epoxy resin or a polyimide resin and an ultraviolet initiator, and the epoxy resin may include bisphenol A epoxy, bisphenol F epoxy, and tetrabromobisphenol A (TBPA). Epoxy, hydrogenated bisphenol A epoxy, novolac epoxy, polyfunctional epoxy, rubber modified epoxy, plastic epoxy or curable epoxy include polyimide resin, polyisoimide resin, maleimide resin, Bismaleimide resins, polyamide-imide resins or polyether-imide resins can be used typically. The dicing film may typically include a polyvinyl chloride-based or polyolefin-based film, and the polyolefin-based resin may include low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), ethylene / propylene copolymer, and polypropylene. , Polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / methyl (meth) acrylate copolymer, ethylene / ethyl (meth) acrylate copolymer, poly Vinyl chloride, vinyl chloride / vinylacetate copolymer, ethylene / vinylchloride / vinyl acetate copolymer, polyurethane or polyamide can be used representatively.
본 발명은 또한, 상기한 본 발명의 다이싱-다이본딩 필름을 이용한 반도체 패키징 방법을 제공한다. This invention also provides the semiconductor packaging method using the dicing die-bonding film of this invention mentioned above.
본 발명은 또한, (S1) 색상차 또는 3단계 이상의 명도차를 갖는 다이본딩 필름 및 다이싱 필름을 포함하여 이루어지는 다이싱-다이본딩 필름의 준비 단계; (S2) 반도체 웨이퍼의 준비 단계; (S3) 상기 반도체 웨이퍼의 배면에 상기 다이싱-다이본딩 필름을 라미네이션하는 단계; (S4) 반도체 웨이퍼를 소정의 칩 크기로 절단하는 다이싱 단계; (S5) 상기 다이싱 단계에서 절단된 다이를 픽업툴을 이용하여 다이픽업하는 단계; (S6) 기판 상에 상기 다이를 부착하는 다이본딩 단계; (S7) 상기 다이와 상기 기판을 와이어로 결합시키는 와이어본딩 단계; 및 (S8) 에폭시 몰딩 화합물(EMC:epoxy moding compound)로 상기 와이어본딩된 기판을 몰딩하는 단계;를 포함하는 반도체 패키징 방법을 제공한다. The present invention also provides a step of preparing a dicing die-bonding film comprising a di-bonding film and a dicing film having (S1) color difference or three or more steps of brightness difference; (S2) preparing a semiconductor wafer; (S3) laminating the dicing die-bonding film on the back surface of the semiconductor wafer; (S4) dicing a semiconductor wafer to a predetermined chip size; (S5) die picking up the die cut in the dicing step using a pickup tool; (S6) a die bonding step of attaching the die on a substrate; (S7) a wire bonding step of coupling the die and the substrate by a wire; And (S8) molding the wire bonded substrate with an epoxy molding compound (EMC).
상기 반도체 패키징 방법에 있어서, 상기 다이본딩 필름 및 다이싱 필름의 색상차와 명도차는 다이본딩 필름 및 다이싱 필름에 유색필러 또는 안료를 첨가함으로써 얻어지는 것이 바람직하며, 상기 유색필러로는 카본블랙, 실리카, 화이트 카본, 탄산칼슘, 알루미나 수화물, 염기성 탄산마그네슘, 천연규산염, 합성규산염 또는 황산바륨 등이 대표적으로 사용될 수 있으며, 상기 안료로는 적색으로 산화철(Fe2O3)과 카드뮴 적(CdS + CdSe), 황색으로 카드뮴 황(CdS), 크롬 황(PbCrO4)), 녹색으로 산화크롬(Cr2O3) 등이 대표적으로 사용될 수 있다. 다만, 상기 유색필러 및 안료의 종류가 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 통상적으로 사용되고 있는 유색필러 및 안료들이 제한 없이 사용될 수 있다. 상기 다이본딩 필름 또는 다이싱 필름에 첨가된 상기 유색필러 및 안료의 함량은 상기 다이본딩 필름 또는 다이싱 필름 대비 10phr 이하인 것이 바람직하며, 상기 안료의 이온 불순물 함량은 1000ppm이하인 것이 바람직하다.In the semiconductor packaging method, the color difference and brightness difference between the die bonding film and the dicing film is preferably obtained by adding a colored filler or a pigment to the die bonding film and the dicing film, and the colored filler is carbon black, silica , White carbon, calcium carbonate, alumina hydrate, basic magnesium carbonate, natural silicate, synthetic silicate or barium sulfate may be representatively used, and the pigments are iron oxide (Fe 2 O 3 ) and cadmium red (CdS + CdSe) in red. ), Cadmium sulfur (CdS) as yellow, chromium sulfur (PbCrO 4 )), and chromium oxide (Cr 2 O 3 ) as green may be representatively used. However, the type of the colored fillers and pigments does not limit the scope of the present invention, colored fillers and pigments that are commonly used may be used without limitation. The content of the colored filler and pigment added to the die-bonding film or dicing film is preferably 10 phr or less than that of the die-bonding film or dicing film, and the ion impurity content of the pigment is preferably 1000 ppm or less.
이하, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail to aid in understanding the present invention.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다이싱-다이본딩필름을 도시하는 도면이다. 1 is a view showing a dicing die-bonding film according to a preferred embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 다이싱-다이본딩필름(100)은, 다이싱 필름(130)과 상기 다이싱 필름 위에 적층된 다이본딩 필름(110)으로 이루어진다. 상기 다이싱 필름(130)과 다이본딩 필름(110)은 색상차 또는 3단계 이상의 명도차를 갖는다. 명도는 가장 어두운 검은색을‘0’가장 밝은 흰색을‘10’하여 그 사이의 색의 밝기를 정도에 따라 10단계로 구분한 값을 말한다. 본 발명은 다이싱 필름(130) 및 다이본딩 필름(110) 사이의 이와 같은 색상차 또는 명도차에 의해, 반도체 패키징 작업시 편리성 및 효율성을 제공하고, 버(Burr) 발생 및 픽업(Pick up) 불량 등의 작업 불량을 용이하게 파악할 수 있게 한다. 명도차가 3단계 미만이면, 육안에 의한 필름간 구분이 용이하지 않아 불량 발생 가능성이 현저히 커져 바람직하지 못하다. Referring to FIG. 1, the dicing die-
다이본딩 필름(110) 및 다이싱 필름(130) 사이의 색상차 또는 명도차는 다이본딩 필름(110)또는 다이싱 필름(130) 제조시에 안료 또는 유색필러를 첨가함에 의해 가능하다. 다만, 이러한 방법 이외에도 다이본딩 필름(110) 및 다이싱 필름(130) 사이에 색상차 또는 명도차를 줄 수 있는 방법이라면 특별히 제한되지 않는다. 상기 유색필러로는 카본블랙, 실리카, 화이트 카본, 탄산칼슘, 알루미나 수화물, 염기성 탄산마그네슘, 천연규산염, 합성규산염 또는 황산바륨 등이 대표적으로 사용될 수 있으며, 상기 안료로는 적색으로 산화철(Fe2O3)과 카드뮴 적(CdS + CdSe), 황색으로 카드뮴 황(CdS), 크롬 황(PbCrO4)), 녹색으로 산화크롬(Cr2O3) 등이 대표적으로 사용될 수 있다. 다만, 상기 유색필러 및 안료의 종류가 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 통상적으로 사용되고 있는 유색필러 및 안료들이 제한 없이 사용될 수 있다. 상기 다이본딩 필름(110) 또는 다이싱 필름(130)에 첨가된 상기 유색필러 및 안료의 함량은 상기 다이본딩 필름(110) 또는 다이싱 필름(130) 대비 10phr 이하인 것이 바람직하고, 5phr이하가 더욱 바람직하다. 상기 함량이 10phr을 초과하는 경우 다이싱 필름의 점착부 및 다이본딩 필름(110)의 접착부의 점착력 및 접착력이 기준 이하로 저하되어 바람직하지 못하다. 또한, 안료를 통해 색을 구현하는 경우, 안료의 이온 불순물 함량은 1000ppm 이하인 것이 바 람직하며, 100ppm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이온 불순물 함량이 1000ppm을 초과하면 (열)경화 시나 고온에서 불순물이 휘발되어 다이(Die)나 PCB 등에 착색되어 부식으로 인한 불량 발생을 유발하므로 바람직하지 못하다. The color difference or the brightness difference between the
상기 다이본딩 필름(110)을 구성하는 구성 물질들은 특별히 제한되지 않으며, 대표적으로 폴리이미드계 수지 또는 에폭시계 수지를 기본수지로서 포함하고, 여기에 자외선 개시제를 포함하며, 다이싱 필름(130)과의 색상 또는 명도차를 위해 안료 또는 유색필러를 포함할 수 있다 상기 에폭시계 수지로는 비스페놀A형 에폭시, 비스페놀F형 에폭시, 테트라브로모비스페놀A(TBPA)형 에폭시, 하이드로젼네이티드비스페놀A형 에폭시, 노볼락 에폭시, 다관능성 에폭시, 고무변성형 에폭시, 가소성 에폭시 또는 경화형 에폭시가, 상기 폴리이미드 수지로는 폴리이미드 수지, 폴리이소이미드 수지, 말레이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리아미드-이미드 수지 또는 폴리에테르-이미드 수지가 대표적으로 사용될 수 있다. The constituent materials constituting the
상기 다이싱 필름(130)은, 반도체 웨이퍼 다이싱 공정에서 일시적으로 반도체 웨이퍼에 부착되어 웨이퍼 절단 시에 웨이퍼를 고정지지하는 부재이다. 상기 다이싱 필름(130)을 구성하는 구성 물질들은 특별히 제한되지 않으며, 대표적으로 아크릴계, 고무계, 폴리에스테르계 또는 실리콘계 등 점착 물질이 도포되어 형성된 점착층을 구비한 폴리염화비닐계 또는 폴리올레핀계 필름이 사용될 수 있다 또한, 다이본딩 필름(110)과의 색상 또는 명도차를 위해 안료 또는 유색필러를 포함할 수 있다 상기 폴리올레핀계 수지로는 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌/프로필렌 공중합체, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴 리메틸펜텐, 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌/(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌/메틸(메타)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌/에틸(메타)아크릴레이트 공중합체, 폴리비닐 클로라이드, 비닐 클로라이드/비닐아세테이트 공중합체, 에틸렌/비닐클로라이드/비닐 아세테이트 공중합체, 폴리우레탄 또는 폴리아미드가 대표적으로 사용될 수 있다. The
앞서 설명한 바와 같은 본 발명의 다이싱-다이본딩 필름(100)은 반도체 패키징 공정에 효과적으로 활용될 수 있다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키징 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키징 공정을 나타낸 도면이다 도 2 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키징 방법을 설명한다. As described above, the dicing die-
먼저, 앞서 설명한 바와 같은 구성의 다이싱-다이본딩 필름(100)을 준비하고, 도 3과 같이 반도체 웨이퍼(1)를 준비한다. 다이싱-다이본딩 필름(100) 및 반도체 웨이퍼가 준비되면, 도 4와 같이 반도체 웨이퍼(1)의 배면에 다이싱-다이본딩 필름(100)을 라미네이션한다. 그 후 도 5와 같이 블레이드(2)를 이용하여 반도체 웨이퍼(1)를 소정의 칩크기로 절단하는 다이싱 공정을 거친다 상기와 같이 다이싱 공정후 절단된 다이(4)는 도 6과 같이 픽업툴(3)을 이용하여 다이픽업된다 다이본딩 필름(110)만이 다이에 접착된 상태를 유지하고, 다이싱 필름(130)은 떨어져 나가게 된다 그 후 도 7과 같이 리드프레임이나 인쇄회로기판(PCB) 또는 테이프 배선 기판과 같은 기판(substrate)(5) 상에 다이(4)를 부착하는 다이본딩 공정을 거친다. 그런 후 다이와 기판 사이의 접착력을 보다 강하게 하게 위하여 경화공정을 실 시할 수 있다. 그런 후 도 8과 같이 반도체 칩과 기판을 와이어 본딩(6)하여 연결하고, 도 9와 같이 에폭시 몰딩(EMC:epoxy moding compound)(7)공정을 행하여 반도체 패키징을 완성한다. First, the dicing die-
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
실시예Example 1~3 및 1-3 and 비교예Comparative example 1~3 1 to 3
에폭시 및 페놀계 경화제를 100phr로 하여 아크릴 수지 150phr를 포함하고, 카본블랙(HIBLACK, 18nm, 코리아카본블랙)을 아래 표 1의 함량에 따라 포함하는 조성물로부터 제조된 다이본딩 필름(110)과 고분자량 아크릴 수지, 열 경화제 및 UV 경화제로부터 제조된 다이싱 필름(130)으로 이루어진 다이싱-다이본딩 필름(100)을 제조하였다. 다이싱 필름(130)의 명도는 8단계이고, 카본 블랙을 첨가하지 않은 다이본딩 필름(110)의 명도 또한 8단계였다 카본 블랙을 첨가함에 따라 다이본딩 필름(110)의 명도는 작아져, 다이본딩 필름(110) 및 다이싱 필름(130)간 명도차는 커졌다. 다이본딩 필름(110) 및 다이싱 필름(130)간 명도차를 아래 표 1에 나타내었다. Epoxy and phenolic curing agent as 100 phr comprises an acrylic resin 150 phr, a high-molecular weight die-
[표 1]TABLE 1
작업성 평가Workability evaluation
실시예 1~3 및 비교예 1~3의 다이싱-다이본딩 필름(100)에 대하여 작업성을 평가하였다. 각각의 실시예 및 비교예에 대하여 100개씩 평가하였으며, 육안에 의한 필름간 구분율과 웨이퍼와 다이싱-다이본딩 필름(100)간 얼라인(Align) 성공율을 평가하였고, 평가결과는 아래의 표 2에 나타내었다. Workability was evaluated about the dicing die-
[표 2]TABLE 2
이와 같은 결과를 통해 다이싱 필름(130) 및 다이본딩 필름(110) 사이에 명도차(또는 색상차)를 줌으로써 반도체 패키징 시에 웨이퍼와 다이싱-다이본딩 필름(100) 간에 얼라인 성공율을 향상시키고, 필름간 구분율을 높여 작업의 효율성 및 능률성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다 다만, 다이싱 필름(130)과 다이본딩 필름(110) 사이의 명도차가 3단계 미만일 때는 필름간 구분율이 급격하게 떨어졌으며, 얼라인 성공율은 100%가 되지 못하였다. As a result, a brightness difference (or color difference) is provided between the dicing
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되지 않아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.The terms or words used in this specification and claims should not be construed as being limited to the common or dictionary meanings, and the inventors can appropriately define the concept of terms in order to best describe their invention. Based on the principle, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시텀에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Therefore, the embodiments described herein are only the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, and therefore, various equivalents and modifications that may substitute them in the present application system It should be understood that there may be
본 발명의 다이싱-다이본딩 필름은 다이싱 필름과 다이본딩 필름간 색상차 또는 명도차가 있어 상호간 구분이 용이하므로, 웨이퍼를 공차 범위 내에서 다이싱-다이본딩 필름 내의 다이본딩 필름에 위치하도록 함에 있어 불량률을 줄일 수 있다. 또한, 색 또는 명암으로 다이싱-다이본딩 필름의 사이즈를 구분할 수 있으므로, 필름의 가장 자리에 선을 인쇄하거나, 사이즈 구분을 위해 다이싱 다이본딩 필름의 모양에 변형을 주는 방식 등의 불필요한 작업을 할 필요가 없다. 아울러, 버 또는 픽업 불량 등을 용이하게 판별할 수 있게 하는 등 불량 검사 및 현상 파악이 용이하여, 작업 효율성 및 편리성을 향상시킨다. Since the dicing die-bonding film of the present invention has a color difference or brightness difference between the dicing film and the die-bonding film, and is easily distinguished from each other, the wafer is positioned in the die-bonding film in the dicing-die bonding film within a tolerance range. Can reduce the defective rate. In addition, since the size of the dicing die-bonding film can be distinguished by color or contrast, unnecessary work such as printing lines on the edges of the film, or modifying the shape of the dicing die-bonding film for size separation, is necessary. There is no need to do it. In addition, it is easy to inspect the defect and grasp the phenomenon such as to easily determine the burr or pickup failure, etc., thereby improving the work efficiency and convenience.
Claims (18)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060103328A KR101040439B1 (en) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | Dicing die adhesive film and method of packaging semi-conductor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060103328A KR101040439B1 (en) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | Dicing die adhesive film and method of packaging semi-conductor using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080036724A true KR20080036724A (en) | 2008-04-29 |
| KR101040439B1 KR101040439B1 (en) | 2011-06-09 |
Family
ID=39574985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060103328A KR101040439B1 (en) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | Dicing die adhesive film and method of packaging semi-conductor using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101040439B1 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011046238A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | (주)Lg화학 | Die attach film |
| KR101033043B1 (en) * | 2008-12-29 | 2011-05-09 | 제일모직주식회사 | Dicing film and dicing die bonding film for semiconductor device |
| KR101312188B1 (en) * | 2009-01-30 | 2013-09-27 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | DIClNG TAPE-INTEGRATED WAFER BACK SURFACE PROTECTIVE FILM |
| KR101539471B1 (en) * | 2009-12-24 | 2015-07-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
| WO2016003005A1 (en) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 주식회사 이오테크닉스 | Wafer marking method |
| CN107662165A (en) * | 2017-10-25 | 2018-02-06 | 台山市兰宝磨具有限公司 | A kind of emery wheel manufacturing process |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10335271A (en) | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Texas Instr Japan Ltd | Wafer pasting sheet and manufacture of semiconductor device |
| TWI401302B (en) * | 2003-06-06 | 2013-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Sticking sheet unified with dicing tape |
| JP2005203749A (en) | 2003-12-15 | 2005-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Tape for wafer processing and manufacturing method thereof |
| JP4027332B2 (en) * | 2004-03-19 | 2007-12-26 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for semiconductor and method for manufacturing semiconductor device |
-
2006
- 2006-10-24 KR KR1020060103328A patent/KR101040439B1/en active IP Right Grant
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101033043B1 (en) * | 2008-12-29 | 2011-05-09 | 제일모직주식회사 | Dicing film and dicing die bonding film for semiconductor device |
| KR101312188B1 (en) * | 2009-01-30 | 2013-09-27 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | DIClNG TAPE-INTEGRATED WAFER BACK SURFACE PROTECTIVE FILM |
| US8648476B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-02-11 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
| US8766462B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-07-01 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
| US8841780B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-09-23 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
| WO2011046238A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | (주)Lg화학 | Die attach film |
| KR101539471B1 (en) * | 2009-12-24 | 2015-07-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
| US9362156B2 (en) | 2009-12-24 | 2016-06-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
| WO2016003005A1 (en) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 주식회사 이오테크닉스 | Wafer marking method |
| US10304778B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-05-28 | Eo Technics Co., Ltd | Wafer marking method |
| CN107662165A (en) * | 2017-10-25 | 2018-02-06 | 台山市兰宝磨具有限公司 | A kind of emery wheel manufacturing process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101040439B1 (en) | 2011-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8017444B2 (en) | Adhesive sheet, semiconductor device, and process for producing semiconductor device | |
| KR101040439B1 (en) | Dicing die adhesive film and method of packaging semi-conductor using the same | |
| KR100603484B1 (en) | Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film | |
| US8198176B2 (en) | Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device | |
| JP4682796B2 (en) | Sealing sheet | |
| JP5174092B2 (en) | Adhesive film with dicing sheet and method for producing the same | |
| EP2200075A1 (en) | Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device | |
| US20100236689A1 (en) | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method using the sheet | |
| KR101023844B1 (en) | Adhesive resin composition, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same | |
| KR100765621B1 (en) | A dicing die adhesive film for semi-conductor | |
| KR100845092B1 (en) | Adhesive composition for a semiconductor packing, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same | |
| KR20120104109A (en) | Die-bonding film and use thereof | |
| EP1489655B1 (en) | Pick and place assembly for transporting a film | |
| JP2007048876A (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
| JP2010245191A (en) | Film-like adhesive | |
| CN107851627A (en) | Electron device package, the manufacture method of electron device package and band used for sealing electronic device | |
| JP5811514B2 (en) | Film adhesive | |
| JP6662074B2 (en) | Adhesive film | |
| JP2010265416A (en) | Film adhesive | |
| JP7255146B2 (en) | FILM ADHESIVE, ADHESIVE SHEET, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| JP7375764B2 (en) | Film adhesive, adhesive sheet, semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| WO2020129996A1 (en) | Film-form adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| KR20070080324A (en) | Attaching and stacking method of semiconductor chip using polyimide layer with adhesive strength | |
| WO2022149581A1 (en) | Adhesive agent composition, film-form adhesive agent, dicing/die-bonding integrated film, semiconductor device, and method for manufacturing same | |
| TWI650352B (en) | Resin film for semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140318 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160601 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170328 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180418 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190401 Year of fee payment: 9 |