KR100734775B1 - Showerhead - Google Patents

Showerhead Download PDF

Info

Publication number
KR100734775B1
KR100734775B1 KR1020050086468A KR20050086468A KR100734775B1 KR 100734775 B1 KR100734775 B1 KR 100734775B1 KR 1020050086468 A KR1020050086468 A KR 1020050086468A KR 20050086468 A KR20050086468 A KR 20050086468A KR 100734775 B1 KR100734775 B1 KR 100734775B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shower head
process gas
upper electrode
distribution tube
vacuum chamber
Prior art date
Application number
KR1020050086468A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070031724A (en
Inventor
김병일
김경표
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR1020050086468A priority Critical patent/KR100734775B1/en
Publication of KR20070031724A publication Critical patent/KR20070031724A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100734775B1 publication Critical patent/KR100734775B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment

Abstract

본 발명은 샤워헤드에 관한 것으로서, 진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 소정의 처리를 실시하는 도중 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과, 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a showerhead, comprising: a showerhead for supplying a process gas to an object to be processed while performing a predetermined treatment on an object in a vacuum chamber, wherein the showerhead is provided above the inside of the vacuum chamber; And a distribution pipe shower head connected to the inside of the upper electrode and supplying a process gas supplied from the outside, and a distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting the process gas supplied along the supply pipe. It is done.

본 발명에 따르면 플라즈마 처리장치 내부에 마련되는 상부 전극에 공급되는 공정가스를 지정된 구역에 균일하게 공급할 수 있을 뿐만 아니라 공정가스를 수평방향으로 확산시키는 공급부의 구조가 간단하므로 그 제조비용이 낮아질 뿐만 아니라 분배튜브 샤워헤드의 형상 및 배치를 자유롭게 할 수 있으며, 가스의 압력 분포를 조절할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, not only the process gas supplied to the upper electrode provided inside the plasma processing apparatus can be uniformly supplied to the designated area but also the structure of the supply unit for diffusing the process gas in the horizontal direction is simple, thereby lowering the manufacturing cost thereof. The shape and arrangement of the distribution tube showerhead can be freed, and the pressure distribution of the gas can be adjusted.

챔버, 상부 전극, 공급배관, 분배튜브 샤워헤드, 토출 샤워헤드 Chamber, Upper Electrode, Supply Pipe, Distribution Tube Shower Head, Discharge Shower Head

Description

샤워헤드{Showerhead}Showerhead {Showerhead}

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 종래의 가스 분배판의 구조를 나타내는 상측 사시도. Figure 2 is a top perspective view showing the structure of a conventional gas distribution plate.

도 3은 종래의 가스 분배판의 구조를 나타내는 하측 사시도. Figure 3 is a lower perspective view showing the structure of a conventional gas distribution plate.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도. 4 is a cross-sectional view showing a structure of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 상부 전극을 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing an upper electrode of the present invention.

도 6은 본 발명의 A - A에 따른 분배튜브 샤워헤드의 형상을 나타낸 저면도.Figure 6 is a bottom view showing the shape of the distribution tube shower head according to AA of the present invention.

도 7은 본 발명의 분배튜브 샤워헤드의 다른 실시예를 나타낸 저면도.Figure 7 is a bottom view showing another embodiment of the distribution tube showerhead of the present invention.

도 8 및 9는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 도면.8 and 9 illustrate another embodiment of the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※ Explanation of code for main part of drawing

10 : 진공챔버 20 : 상부 전극10 vacuum chamber 20 upper electrode

24 : 단차부24: stepped portion

30 : 하부 전극 40 : 공급배관30: lower electrode 40: supply piping

50 : 분배튜브 샤워헤드 52 : 배출공50: distribution tube shower head 52: discharge hole

70 : 토출 샤워헤드 72 : 배출공70: discharge shower head 72: discharge hole

74 : 차단벽 80 : 차폐수단74: blocking wall 80: shielding means

S : 기판S: Substrate

본 발명은 샤워헤드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 처리장치 내부에 마련되는 상부 전극에 공급되는 공정가스를 지정된 구역에 균일하게 공급하게 공급할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shower head, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of uniformly supplying a process gas supplied to an upper electrode provided in a plasma processing apparatus to a designated area.

반도체 장치, 액정표시 장치 등의 제조 프로세스에는, 플라즈마를 사용하여 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용되고 있으며 이러한 플라즈마 처리장치로는, 기판에 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치나, 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 실시하는 플라즈마 CVD 장치 등을 예로 들 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION Many plasma processing apparatuses for treating a surface of a substrate using plasma are used in manufacturing processes such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. Such plasma processing apparatuses include plasma etching apparatuses for etching a substrate and chemical vapor growth. And a plasma CVD apparatus for performing (Chemical Vapor Deposition: CVD).

이러한 플라즈마 처리장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상하에 서로 평행하게 대향하는 상부 및 하부 전극(200, 300)이 구비되고 상기 하부 전극(300)의 상부에는 기판(S)이 탑재되며 상기 상부 전극(200)은 전극으로서의 역할뿐만 아니라, 양 전극 사이에 공정가스를 공급하는 가스 공급장치의 역할도 수행한다. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 includes upper and lower electrodes 200 and 300 facing each other in parallel with each other, and a substrate S is mounted on the lower electrode 300. The upper electrode 200 serves not only as an electrode but also as a gas supply device for supplying process gas between both electrodes.

그리고 상기 플라즈마 처리장치(100)의 내부 일측으로는 가스를 배출시키기 위한 배기부(도면에 미도시)가 마련되고 상기 배기부는 플라즈마 처리장치(100) 외부에 마련되는 펌프에 의하여 플라즈마 처리장치 내부의 기체를 흡입제거하고, 플라즈마 처리장치 내부를 진공 상태로 유지한다. In addition, an exhaust portion (not shown) for discharging gas is provided at one side of the plasma processing apparatus 100, and the exhaust portion is disposed inside the plasma processing apparatus by a pump provided outside the plasma processing apparatus 100. The gas is sucked off and the inside of the plasma processing apparatus is kept in a vacuum state.

그리고 상기 상부 전극(200)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 분배판(400); 및 샤워헤드(shower head, 500)가 마련되고 상기 샤워헤드(500)에는 미세한 직경을 가지는 다수개의 가스 분출구멍이 형성된다. 그리고 상기 샤워헤드(500)를 통해서 공정가스가 양 전극(200, 300) 사이의 공간으로 균일하게 공급되고 상기 전극 사이에 공급된 공정가스는 전극으로의 고주파 전력의 인가에 의해 플라즈마로 되고, 이 플라즈마에 의해 기판의 표면이 처리된다. And the upper electrode 200, as shown in Figure 1, the gas distribution plate 400; And a shower head 500, and a plurality of gas ejection holes having a minute diameter are formed in the shower head 500. The process gas is uniformly supplied to the space between the two electrodes 200 and 300 through the shower head 500, and the process gas supplied between the electrodes becomes plasma by applying high frequency power to the electrodes. The surface of the substrate is processed by the plasma.

다음으로 가스 분배판(400)은, 판상의 구조를 가지며, 플라즈마 처리장치 외부에 마련되어 있는 공정가스 공급원(도면에 미도시)에 접속되어, 외부에서 공급되는 공정가스를 1차적으로 분배하는 역할을 한다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 소정 방향으로 공정가스가 이송되는 경로(420)가 형성되고 상기 경로(420)는 가스 분배판(400)의 표면에서 소정 깊이로 파인 그루브 형태로 형성된다. Next, the gas distribution plate 400 has a plate-like structure, is connected to a process gas supply source (not shown) provided outside the plasma processing apparatus, and serves to primarily distribute process gas supplied from the outside. do. That is, as shown in FIG. 2, a path 420 through which the process gas is transferred in a predetermined direction is formed, and the path 420 is formed in a groove shape that is dug to a predetermined depth on the surface of the gas distribution plate 400.

그리고 상기 경로(420)의 말단에는 상기 가스 분배판(400)을 관통하는 관통공(440)이 형성되며 이때, 상기 관통공(440)은 도 3에 도시된 바와 같이, 하측으로 갈수록 그 직경이 커지는 구조를 취한다. In addition, a through hole 440 penetrating through the gas distribution plate 400 is formed at the end of the path 420. At this time, the through hole 440 has a diameter thereof toward the lower side as shown in FIG. It takes a growing structure.

그러나 종래의 상부 전극(200)에 마련되는 가스 분배판(400)은, 그 자체의 무게가 너무 커서 상부 전극(200)의 운용이 어려워지며, 최근에는 플라즈마 처리장치(100)에 의하여 처리되는 기판(S)이 대면적화되면서 플라즈마 처리장치 (100)자체도 대형화되고 있는 실정이며 따라서 가스 분배판(400)도 대형화되므로 상기한 문제점은 더욱 심각해지고 있다. However, the gas distribution plate 400 provided in the conventional upper electrode 200 is difficult to operate the upper electrode 200 because its weight is so large that it is recently processed by the plasma processing apparatus 100. As the large area S increases, the plasma processing apparatus 100 itself is also enlarged, and thus the gas distribution plate 400 is also enlarged.

또한, 상기 가스 분배판(400)은 기판의 소형보다 대형일 경우 샤워헤드를 통 해서 공급되는 공정가스가 기판의 중심부와 가장자리에 불균일하게 전달되어 불량 발생될 뿐만 아니라 기판의 크기에 따라서 가스 분배판을 별도 장착해야하는 문제점이 있었다.In addition, when the gas distribution plate 400 is larger than the small size of the substrate, the process gas supplied through the shower head is unevenly transferred to the center and the edge of the substrate, resulting in defects, and according to the size of the substrate. There was a problem that must be fitted separately.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 플라즈마 처리장치 내부에 마련되는 상부 전극에 공급되는 공정가스를 지정된 구역에 균일하게 공급하게 공급할 수 있는 샤워헤드를 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a shower head capable of uniformly supplying a process gas supplied to an upper electrode provided in a plasma processing apparatus to a designated area.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 소정의 처리를 실시하는 도중 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과, 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a showerhead for supplying a process gas to the object during the predetermined treatment of the object within the vacuum chamber, the upper portion of the inside of the vacuum chamber And a distribution pipe shower head connected to the inside of the upper electrode and supplying a process gas supplied from the outside, and a distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting the process gas supplied along the supply pipe. It features.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 실시 예의 플라즈마 처리장치의 대략적인 구조는 도 4에 도시된 바와 같이 진공챔버(10)와, 상기 진공챔버(10) 내부의 상측에 마련되는 상부 전극(20)과, 상기 상부 전극(20)과 대향된 하측에 마련되는 하부 전극(30)으로 이루어지며 상기 진공챔버(10)와 하부 전극(30)은 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다. A rough structure of the plasma processing apparatus of the preferred embodiment of the present invention is shown in Figure 4, the vacuum chamber 10, the upper electrode 20 provided above the inside of the vacuum chamber 10, and the upper electrode Comprising a lower electrode 30 provided on the lower side opposite to the (20) and the vacuum chamber 10 and the lower electrode 30 has the same structure and function as that of the conventional, detailed description thereof will be omitted.

도 4 및 5은 상기 상부 전극을 도시한 것으로서 상부 전극(20)은 하방으로 개구된 하우징과, 상기 하우징의 중앙부에 고정 삽입되어 외부의 공정가스가 상부 전극(20)으로 유입되는 통로인 공급배관(40)과, 상기 상부 전극(20)의 상부에 삽입되어 상기 공급배관(40)에서 유입된 공정가스를 하측 방향과 양측방향으로 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드(50)와, 상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 하측에 마련되어 기판에 최종적으로 공정가스를 분사하는 토출 샤워헤드(70)로 이루어진다. 이때, 상기 토출 샤워헤드(70)는 제거된 상태로 구성될 수 있음을 밝힌다.4 and 5 illustrate the upper electrode, wherein the upper electrode 20 is a downwardly open housing and a supply pipe that is fixedly inserted into a central portion of the housing so that external process gas flows into the upper electrode 20. 40 and a distribution tube shower head 50 inserted into the upper electrode 20 and uniformly injecting the process gas introduced from the supply pipe 40 in a downward direction and in both directions, and the distribution tube. It is composed of a discharge shower head 70 provided below the shower head 50 to finally inject a process gas to the substrate. At this time, it is revealed that the discharge shower head 70 can be configured to be removed.

본 발명의 특징은 상기 상부 전극(20)에 교체 및 형상 조절이 용이한 분배튜브 샤워헤드(50)를 삽입함으로써 상기 분배튜브 샤워헤드(50)와 토출 샤워헤드(70)에 사이에 별도로 개재되는 디퓨져 없이도 균일하게 공정가스를 분배할 수 있을 뿐만 아니라 공정가스의 압력분포를 조절할 수 있는 특징이 있다. A feature of the present invention is separately interposed between the distribution tube shower head 50 and the discharge shower head 70 by inserting a distribution tube shower head 50 that is easy to replace and adjust the shape to the upper electrode 20. The process gas can be uniformly distributed without a diffuser, and the pressure distribution of the process gas can be controlled.

상기 진공챔버(10)의 상부면에 결합되는 상부 전극(20)의 하우징은 하방으로 개구되게 형성되고 중앙으로는 홀이 형성되되, 상기 하우징의 중앙에 형성되는 홀에 고정 삽입되는 공급배관(40)은 외부의 공정가스를 상부 전극(20)으로 유입하는 통로 역할을 하게 되며 이때, 공급배관(40)에 공급되는 공정가스 유량을 조절하기 위하여 MFC(Mass Flow Controller)가 공급배관(40)에 형성되는 것이 효과적이다. The housing of the upper electrode 20 coupled to the upper surface of the vacuum chamber 10 is formed to be opened downward and the hole is formed in the center, the supply pipe 40 is fixedly inserted into the hole formed in the center of the housing ) Serves as a passage for introducing an external process gas into the upper electrode 20, in which a MFC (Mass Flow Controller) is supplied to the supply pipe 40 to control the flow rate of the process gas supplied to the supply pipe 40. It is effective to be formed.

또한, 상기 분배튜브 샤워헤드(50)가 삽입되는 하우징의 내측면으로는 상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 삽입시 고정을 위한 홈(28)이 둘레를 따라 형성되어 상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 안착시 흔들림을 방지하게 되며 여기서는 하단면에 홈(28)이 형성되는 예를 들어 설명하기로 한다.In addition, the inner surface of the housing into which the distribution tube shower head 50 is inserted, a groove 28 for fixing when the distribution tube shower head 50 is inserted is formed along the circumference so that the distribution tube shower head 50 ) Will be prevented during mounting and will be described as an example in which the groove 28 is formed on the bottom surface.

그리고 상기 하우징의 내측면에 형성되는 홈(28)에 안착되거나 하우징의 하단면에 형성되는 분배튜브 샤워헤드(50)는 상기 공급배관(40)과 결합되어 분배튜브 샤워헤드에 유입된 공정가스를 하측방향으로 배출하게 되며 도시된 도면을 참조로 설명하면 다음과 같다. The distribution tube shower head 50 seated in the groove 28 formed on the inner side of the housing or formed on the lower surface of the housing is combined with the supply pipe 40 to receive the process gas introduced into the distribution tube shower head. When discharged in the downward direction and described with reference to the drawings shown as follows.

먼저, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 분배튜브 샤워헤드(50)는 면적이 다른 사각형 형상의 분배튜브 샤워헤드(50)가 적어도 하나 이상 구비되되 상기 분배튜브 샤워헤드는 방사형 구조로 연통되도록 형성된 것을 도시한 것으로서 이때, 필요에 따라서는 사각형 형상의 분배튜브 샤워헤드(50) 사이에는 면적이 다른 사각형 형상의 분배튜브 샤워헤드(50)가 더 형성된 분배튜브 샤워헤드(50)를 더욱더 균일하게 공정가스를 배출하게 되는 것이다.First, as shown in FIG. 6, the distribution tube shower head 50 is provided with at least one or more distribution tube shower heads 50 having different square areas, and the distribution tube shower head is formed to communicate in a radial structure. As shown in the drawing, the process tube evenly distributes the distribution tube shower head 50 having a rectangular distribution tube shower head 50 having a different area between the distribution tube shower heads 50 having a different shape as necessary. Will be discharged.

다음으로 도 7에 도시된 상기 분배튜브 샤워헤드(50)는 본 발명의 다른 실시예로 직경이 다른 원형 형상의 분배튜브 샤워헤드(50)가 적어도 하나 이상 구비되고 상기 분배튜브 샤워헤드는 방사형 구조로 연통되도록 형성된 것을 도시한 것으로 이때도 상기 사각형 형상의 분배튜브 샤워헤드(50)와 마찬가지로 원형 분배튜브 샤워헤드(50) 사이에는 원형 분배튜브 샤워헤드(50)가 더 형성될 수 있다. Next, the distribution tube showerhead 50 shown in FIG. 7 is provided with at least one distribution tube showerhead 50 having a circular shape having a different diameter in another embodiment of the present invention, and the distribution tube showerhead has a radial structure. In this case, a circular distribution tube shower head 50 may be further formed between the circular distribution tube shower head 50 similarly to the rectangular distribution tube shower head 50.

그리고 상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 내부에 공정가스가 배출되는 배출공(52)은 끝단이 경사지게 형성되어 상기 배출공(50)으로 공정가스가 배출시 확산되 도록 하는 것이 더욱더 효과적이다.In addition, the discharging hole 52 through which the process gas is discharged in the distribution tube shower head 50 is formed to be inclined at an end thereof, so that the process gas is diffused when discharging the process gas into the discharge hole 50.

상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 하측에 마련되어 기판에 최종적으로 가스를 분사하는 샤워헤드(70)는 상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 배출공(52)보다 작고 미세한 배출공(72)이 균일하게 형성된다. The shower head 70 which is provided under the distribution tube shower head 50 and finally injects gas to the substrate is smaller than the discharge hole 52 of the distribution tube shower head 50 and the fine discharge hole 72 is uniform. Is formed.

그리고 상기 샤워헤드(70)까지 조립이 완료된 상부 전극(20)의 외측면과 가장자리 부근에는 차폐수단(80)이 형성되어 공정가스 공급 후 플라즈마 발생시 상부전극을 보호하게 되는 것이다. The shielding means 80 is formed on the outer side and the edge of the upper electrode 20 where the assembly is completed to the shower head 70 to protect the upper electrode when plasma is generated after supplying the process gas.

다음으로, 본 발명의 다른 실시 예인 도 8 및 9은 상기 상부 전극(20)은 하방으로 개구된 하우징과, 상기 하우징(22)의 중앙부에 고정 삽입되어 외부의 공정가스가 상부 전극(20)으로 유입되는 통로인 공급배관(40)과, 상기 공급배관(40)에 결합되어 유입된 공정가스를 하측방향과 양측방향으로 분배하는 분배튜브 샤워헤드(50)가 형성되는 것을 동일하며 단지 상기 분배튜브 샤워헤드(50)의 하측에 마련되어 기판에 최종적으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드(70)에 일정구역을 지정하는 사각형 또는 원형의 차단벽(74)이 방사형 구조로 형성되는 것이다.Next, FIGS. 8 and 9 according to another embodiment of the present invention, the upper electrode 20 is downwardly opened and the central part of the housing 22 is fixedly inserted so that the external process gas to the upper electrode 20. The supply pipe 40, which is an inflow passage, and a distribution tube shower head 50 coupled to the supply pipe 40 to distribute the introduced process gas in a downward direction and in both directions, are the same. A rectangular or circular blocking wall 74 is formed in a radial structure at a lower side of the shower head 50 to designate a predetermined area in the shower head 70 that finally injects a process gas to the substrate.

좀더 보충설명을 하면 상기 분배튜브 샤워헤드(50)와 샤워헤드(70) 사이에 차단벽(74)을 조립가능하게 형성하거나 또는 차단벽(74)이 일체로 형성되는 샤워헤드(70)을 형성하여 공정가스가 공급될 수 있도록 형성된 것이다.In further detail, the barrier wall 74 may be assembled between the distribution tube shower head 50 and the shower head 70, or the shower head 70 may be integrally formed. It is formed so that the process gas can be supplied.

그리고 본 발명에서와 같이 상기 샤워헤드(70)까지 조립이 완료된 상부 전극(20)의 외측면과 가장자리 부근에는 차폐수단(80)이 형성되어 공정가스 공급 후 플라즈마 발생시 상부 전극을 보호하게 되는 것이다. And as in the present invention, the shielding means 80 is formed in the vicinity of the outer surface and the edge of the upper electrode 20 is assembled to the shower head 70 is to protect the upper electrode during plasma generation after supplying the process gas.

본 발명에 따르면 플라즈마 처리장치 내부에 마련되는 상부 전극에 공급되는 공정가스를 지정된 구역에 균일하게 공급할 수 있을 뿐만 아니라 공정가스를 수평방향으로 확산시키는 공급부의 구조가 간단하므로 그 제조비용이 낮아질 뿐만 아니라 분배튜브 샤워헤드의 형상 및 배치를 자유롭게 할 수 있으며, 가스의 압력 분포를 조절할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, not only the process gas supplied to the upper electrode provided inside the plasma processing apparatus can be uniformly supplied to the designated area but also the structure of the supply unit for diffusing the process gas in the horizontal direction is simple, thereby lowering the manufacturing cost thereof. The shape and arrangement of the distribution tube showerhead can be freed, and the pressure distribution of the gas can be adjusted.

Claims (7)

진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 처리를 위한 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서,In the shower head for supplying a process gas for processing the object to be processed in the vacuum chamber, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과;A supply pipe connected to an inside of an upper electrode provided at an upper side of the inside of the vacuum chamber to supply a process gas supplied from the outside; 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.A distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting a process gas supplied along the supply pipe; Shower head, characterized in that comprises a. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 분배튜브 샤워헤드의 저면에 형성되는 배출공의 끝단은 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.Shower head, characterized in that the end of the discharge hole formed in the bottom surface of the distribution tube shower head is inclined. 진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 처리를 위한 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서,In the shower head for supplying a process gas for processing the object to be processed in the vacuum chamber, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과; 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드;를 포함하며,A supply pipe connected to an inside of an upper electrode provided at an upper side of the inside of the vacuum chamber to supply a process gas supplied from the outside; And a distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting the process gas supplied along the supply pipe. 상기 분배튜브 샤워헤드는 면적이 다른 사각형 형상의 분배튜브 샤워헤드가 하나 이상 구비되고 상기 분배튜브 샤워헤드는 방사형 구조로 연통되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.The distribution tube shower head is provided with one or more distribution tube shower head of a rectangular shape having a different area and the distribution tube shower head is characterized in that the radial communication structure. 진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 처리를 위한 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서,In the shower head for supplying a process gas for processing the object to be processed in the vacuum chamber, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과; 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드;를 포함하며,A supply pipe connected to an inside of an upper electrode provided at an upper side of the inside of the vacuum chamber to supply a process gas supplied from the outside; And a distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting the process gas supplied along the supply pipe. 상기 분배튜브 샤워헤드는 직경이 다른 원형 형상의 분배튜브 샤워헤드가 하나 이상 구비되고 상기 분배튜브 샤워헤드는 방사형 구조로 연통되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.The distribution tube shower head is provided with at least one distribution tube shower head having a circular shape having a different diameter and the distribution tube shower head is characterized in that the radial communication. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 전극에 마련된 분배튜브 샤워헤드의 하측으로는 토출 샤워헤드가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.Shower head, characterized in that the discharge shower head is further provided below the distribution tube shower head provided on the upper electrode. 진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 처리를 위한 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서,In the shower head for supplying a process gas for processing the object to be processed in the vacuum chamber, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과; 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드와; 상기 상부 전극에 마련된 분배튜브 샤워헤드의 하측으로는 토출 샤워헤드;를 포함하며,A supply pipe connected to an inside of an upper electrode provided at an upper side of the inside of the vacuum chamber to supply a process gas supplied from the outside; A distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting a process gas supplied along the supply pipe; And a discharge shower head at a lower side of the distribution tube shower head provided at the upper electrode. 상기 토출 샤워헤드에는 면적이 다른 사각형 형상의 차단벽이 적어도 하나 이상 돌출형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.Shower head, characterized in that the discharge shower head protruding at least one or more rectangular barrier walls of different areas. 진공상태의 챔버 내부에서 피처리물에 대한 처리를 위한 공정가스를 상기 피처리물에 공급하는 샤워헤드에 있어서,In the shower head for supplying a process gas for processing the object to be processed in the vacuum chamber, 상기 진공챔버 내부의 상측에 마련된 상부 전극의 내부와 연결되어 외부에서 공급되는 공정가스를 공급하는 공급배관과; 상기 상부 전극에 삽입되고 상기 공급배관을 따라 공급되는 공정가스를 균일하게 분사하는 분배튜브 샤워헤드와; 상기 상부 전극에 마련된 분배튜브 샤워헤드의 하측으로는 토출 샤워헤드;를 포함하며,A supply pipe connected to an inside of an upper electrode provided at an upper side of the inside of the vacuum chamber to supply a process gas supplied from the outside; A distribution tube shower head inserted into the upper electrode and uniformly injecting a process gas supplied along the supply pipe; And a discharge shower head at a lower side of the distribution tube shower head provided at the upper electrode. 상기 토출 샤워헤드에는 직경이 다른 원형 형상의 차단벽이 적어도 하나 이상 돌출형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.Shower head, characterized in that the discharge shower head is formed with at least one protruding wall of a circular shape having a different diameter.
KR1020050086468A 2005-09-15 2005-09-15 Showerhead KR100734775B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050086468A KR100734775B1 (en) 2005-09-15 2005-09-15 Showerhead

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050086468A KR100734775B1 (en) 2005-09-15 2005-09-15 Showerhead

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070031724A KR20070031724A (en) 2007-03-20
KR100734775B1 true KR100734775B1 (en) 2007-07-04

Family

ID=41633052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050086468A KR100734775B1 (en) 2005-09-15 2005-09-15 Showerhead

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100734775B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5457109B2 (en) * 2009-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
KR102215639B1 (en) * 2014-03-05 2021-02-16 주성엔지니어링(주) Gas distribution apparatus and substrate processing apparatus having the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010032695A (en) * 1997-12-01 2001-04-25 조셉 제이. 스위니 Mixed frequency cvd process and apparatus
KR20010081563A (en) * 2000-02-16 2001-08-29 김상호 showerhead apparatus for radical assisted deposition
KR20010104669A (en) * 2000-05-12 2001-11-26 조셉 제이. 스위니 Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced cvd processes
JP2002075692A (en) 2000-04-26 2002-03-15 Unaxis Balzer Ag Plasma reactor
JP2005197467A (en) 2004-01-07 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate processor and cleaning method therefor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010032695A (en) * 1997-12-01 2001-04-25 조셉 제이. 스위니 Mixed frequency cvd process and apparatus
KR20010081563A (en) * 2000-02-16 2001-08-29 김상호 showerhead apparatus for radical assisted deposition
JP2002075692A (en) 2000-04-26 2002-03-15 Unaxis Balzer Ag Plasma reactor
KR20010104669A (en) * 2000-05-12 2001-11-26 조셉 제이. 스위니 Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced cvd processes
JP2005197467A (en) 2004-01-07 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate processor and cleaning method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070031724A (en) 2007-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160137403A (en) Deposition apparatus including edge plenum showerhead assembly
US10770269B2 (en) Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers
KR20140115795A (en) Liner assembly and substrate processing apparatus having the same
KR20100006115A (en) Gas distributing plate and apparatus for treating substrate including the same
KR20120079962A (en) Substrate treatment equipment
KR100943431B1 (en) Apparatus for processing substrate with plasma
KR100734775B1 (en) Showerhead
KR102449791B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101829665B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101324207B1 (en) Gas injection apparatus and substrate processing apparatus having the same
KR101253332B1 (en) Gas distribution plate for uniform gas injection
KR20090013958A (en) A connective material of gas distribution plate fixation and thin film treatment apparatus including the same
KR100702831B1 (en) Apparatus for processing substrate with plasma
KR101218555B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101232892B1 (en) Shower head and Substrate Processing Device having the same
KR200452532Y1 (en) Gas injection unit
KR20190122577A (en) Apparatus for Processing Substrate
KR20100124239A (en) Chamber and showerhead for uniform layer deposition
KR100641840B1 (en) Shower head and Plasma processing apparatus adopting the same
KR101935881B1 (en) Treatment apparatus for large area substrate, Gas supplying apparatus for large area substrate and Showerhead support unit
KR20130054618A (en) Substrate processing apparatus
KR20220109580A (en) Apparatus for Processing Substrate
KR101232898B1 (en) Shower head and Substrate Processing Device having the same
KR102293135B1 (en) Substrate processing apparatus
KR100447142B1 (en) Showerhead with the gas distribution plate and the method of diffusing gas by using it

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130515

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160324

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170324

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190311

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 14