KR20080029497A - Plasma processing equipment and method for processing substrate using the same - Google Patents

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KR20080029497A
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이상호
임순규
김상갑
임경춘
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Abstract

A plasma processing apparatus and a substrate processing method using the same are provided to reduce a maintenance cost by recycling a part of a process gas discharged from a process. A gas supply unit(20) supplies process gases to a process chamber(10). A plasma generation unit(30) receives the process gases from the gas supply unit and generates plasma. A gas separation unit(60) separates a particular gas from the process gases discharged from the process chamber after a process is finished. A regeneration gas storage tank(80) stores the gases separated from the gas separation unit. The gas separation unit separates the particular gas by using a liquidus temperature's difference between the process gases. A vaporization unit(70) vaporizes the liquefied gas.

Description

플라즈마 공정 장비와 이를 이용한 기판 가공 방법{PLASMA PROCESSING EQUIPMENT AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE USING THE SAME}Plasma process equipment and substrate processing method using the same {PLASMA PROCESSING EQUIPMENT AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE USING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비를 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing a plasma processing equipment according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비에서 가스 공급장치, 재생가스 저장탱크 및 가스 공급라인과 가스 복귀라인에 설치되는 유량제어기를 나타낸 도면.      2 is a view illustrating a gas supply device, a regeneration gas storage tank, and a flow controller installed in a gas supply line and a gas return line in a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비를 이용한 기판 가공 공정을 설명하기 위한 도면.      3 is a view for explaining a substrate processing process using the plasma processing equipment according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호 설명*      * Description of symbols on the main parts of the drawings *

10 : 공정 챔버 20 : 가스 공급장치      10: process chamber 20: gas supply device

21, 22, 23, 24 : 가스 저장소      21, 22, 23, 24: gas reservoir

25, 26, 27, 28, 29 : 가스 공급라인      25, 26, 27, 28, 29: gas supply line

30 : 플라즈마 발생장치 40 : 배기장치      30: plasma generator 40: exhaust device

50 : 펌프 60 : 가스 분리장치      50: pump 60: gas separator

70 : 기화장치 71 : 가스 복귀라인      70: vaporizer 71: gas return line

80 : 재생가스 저장탱크 91, 92, 93 : 유량제어기      80: regenerative gas storage tank 91, 92, 93: flow controller

본 발명은 반도체나 평판표시장치의 제조 공정에 이용되는 기판 처리 장비에 관한 것으로, 특히 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 플라즈마 공정 장비에 관한 것이다.       BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to substrate processing equipment used in the manufacturing process of semiconductors and flat panel displays, and more particularly, to a plasma processing apparatus for performing a process using plasma.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하는데, 이러한 플라즈마는 매우 높은 온도나, 고주파 전자계(RF electromagnetic fields)에 의해 생성된다. 플라즈마는 산업상 여러 분야에 활용되는데, 그 일례로서 액정표시장치를 포함하는 평판표시장치(LCD, PDP, ELD 등)의 제조 공정에 있어서 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 유기물질로 이루어진 박막을 에칭(etching)하는 것을 들 수 있다.      Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like, which are generated by a very high temperature or by RF electromagnetic fields. Plasma is used in various fields in the industry. As an example, in the manufacturing process of a flat panel display device (LCD, PDP, ELD, etc.) including a liquid crystal display device, a thin film made of an organic material is etched using a reaction material in a plasma state. (etching) is mentioned.

이와 같은 플라즈마 표면 처리는 그 공정이 어떤 기압 하에서 이루어지는가에 따라 진공 챔버를 이용하는 저압 플라즈마 처리 방법과 대기압 상태에서 공정이 이루어지는 대기압 플라즈마 처리 방법으로 구분할 수 있다. 이 중 저압 플라즈마 처리 방법은 플라즈마 생성이 용이한 장점이 있으나 진공 챔버, 진공 배기 장치 등의 고가 장비가 요구되고, 이러한 고가 장비를 유지하는데 많은 비용이 소요되는 단점이 있다. 반면에 대기압 플라즈마 처리 방법은 대기압 상태에서 플라즈마를 생성시키므로 고가의 진공 시스템이 필요하지 않을 뿐만 아니라 장비를 유지, 보수하는 측면에서도 경제적인 이점을 가진다.       Such plasma surface treatment can be classified into a low pressure plasma treatment method using a vacuum chamber and an atmospheric pressure plasma treatment method in which the process is performed at atmospheric pressure, depending on the atmospheric pressure under which the process is performed. Among them, the low pressure plasma processing method has an advantage of easy plasma generation, but requires expensive equipment such as a vacuum chamber and a vacuum exhaust device, and has a disadvantage in that a high cost is required to maintain such expensive equipment. On the other hand, the atmospheric pressure plasma treatment method generates plasma at atmospheric pressure, so that an expensive vacuum system is not required, and economical advantages in terms of maintenance and repair of equipment are provided.

대기압 플라즈마 공정 장비는 위와 같은 장점을 가지기는 하지만, 장비의 특 성상 저압 플라즈마 공정 장비보다 많은 양의 공정 가스가 소요되는 단점을 가진다.       Atmospheric pressure plasma processing equipment has the above advantages, but due to the nature of the equipment has a disadvantage that takes a larger amount of process gas than low pressure plasma processing equipment.

특히 공정 챔버로 공급되는 공정 가스 중에서 극히 일부분의 가스만이 실제적으로 공정에 활용되고 대부분의 가스는 그대로 배출된다는 점을 고려할 때 위와 같은 단점은 대기압 플라즈마 공정 장비가 가지는 여러 장점들을 퇴색시키고, 또 장비 운영의 실효성을 저하시킨다. In particular, considering that only a small portion of the process gases supplied to the process chamber are actually used in the process and most of the gases are discharged as it is, the above disadvantages deteriorate the advantages of the atmospheric plasma process equipment. Reduce the effectiveness of the operation.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은      The present invention is to solve such a problem, the object of the present invention is

공정을 마친 후 배기되는 공정 가스를 재활용함으로써 장비의 경제성을 향상시킨 플라즈마 공정 장비를 제공하는데 있다.It is to provide a plasma process equipment that improves the economics of the equipment by recycling the process gas exhausted after the process.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비는 공정 챔버;와 상기 공정 챔버로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급장치;와 상기 가스 공급장치로부터 공정 가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치;와 공정을 마친 후 상기 공정 챔버에서 배출되는 공정 가스 중에서 특정 가스를 분리해내기 위한 가스 분리장치;와 상기 가스 분리장치에 의해 분리된 가스를 저장하기 위한 재생가스 저장탱크;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Plasma processing equipment according to the present invention for achieving the above object comprises a process chamber; and a gas supply device for supplying a process gas to the process chamber; and a plasma generator for receiving a process gas from the gas supply device to generate a plasma And a gas separator for separating a specific gas from the process gas discharged from the process chamber after finishing the process; and a regeneration gas storage tank for storing the gas separated by the gas separator. It is done.

상기 가스 분리장치는 공정 가스들간의 액화점 차이를 이용하여 상기 특정 가스를 분리해내는 액화장치로 구성될 수 있다.The gas separation device may be configured as a liquefaction device that separates the specific gas by using a difference in liquefaction point between process gases.

또한 본 발명의 플라즈마 공정 장비는 상기 액화장치에 의해 액화된 가스를 다시 기체로 기화시키기 위한 기화장치를 더 포함할 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus of the present invention may further include a vaporization device for vaporizing the gas liquefied by the liquefaction device back to the gas.

상기 가스 공급장치는 상기 특정 가스를 상기 플라즈마 발생장치로 공급하기 위한 가스 공급라인을 포함하고, 상기 플라즈마 공정 장비는 상기 재생가스 저장탱크와 상기 가스 공급라인을 연결하는 가스 복귀라인을 구비할 수 있다.The gas supply device may include a gas supply line for supplying the specific gas to the plasma generator, and the plasma processing equipment may include a gas return line connecting the regeneration gas storage tank and the gas supply line. .

상기 가스 공급라인에서 상기 가스 공급라인과 상기 가스 복귀라인이 합류하는 지점의 상류에는 제1유량제어기가 설치되고, 상기 가스 공급라인에서 상기 합류점의 하류에는 제2유량제어기가 설치되며, 상기 가스 복귀라인에는 제3유량제어기가 설치될 수 있다.      A first flow controller is installed upstream of the point where the gas supply line and the gas return line join in the gas supply line, and a second flow controller is installed downstream of the confluence point in the gas supply line. The third flow controller may be installed in the line.

상기 가스 분리장치에 의해 분리되는 특정 가스는 SF6일 수 있다.      The specific gas separated by the gas separator may be SF6.

또한 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비는 공정 챔버;와 상기 공정 챔버로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급장치;와 상기 가스 공급장치로부터 공정 가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치;와 공정을 마친 후 상기 공정 챔버에서 배출되는 공정 가스 중에서 액화점이 가장 높은 공정 가스를 분리해내기 위한 가스 분리장치;와 상기 가스 분리장치에 의해 분리된 가스를 기화시키기 위한 기화장치;와 상기 기화장치에서 기화된 가스를 상기 가스 공급장치로 복귀시키기 위한 가스 복귀라인;을 포함하는 것을 특징으로 한다.      In addition, the plasma processing apparatus according to the present invention comprises a process chamber; and a gas supply apparatus for supplying a process gas to the process chamber; and a plasma generator for receiving a process gas from the gas supply apparatus and generating a plasma; A gas separator for separating the process gas having the highest liquefaction point among the process gases discharged from the process chamber; and a vaporization device for vaporizing the gas separated by the gas separation device; and the gas vaporized in the vaporization device. And a gas return line for returning the gas to the gas supply device.

또한 상기 기화장치에서 기화된 가스를 저장하기 위한 재생가스 저장탱크를 더 포함할 수 있다.      In addition, the vaporization apparatus may further include a regeneration gas storage tank for storing the gas vaporized.

상기 가스 공급장치는 공정 가스 중 액화점이 가장 높은 가스가 공급되는 가스 공급라인을 포함하고, 상기 가스 공급라인에서 상기 가스 공급라인과 상기 가스 복귀라인이 합류하는 지점의 상류에는 제1유량제어기가 설치되며, 상기 가스 공급라인에서 상기 합류점의 하류에는 제2유량제어기가 설치되며, 상기 가스 복귀라인에는 제3유량제어기가 설치될 수 있다.      The gas supply device includes a gas supply line through which a gas having the highest liquefaction point is supplied, and a first flow controller is installed upstream of a point where the gas supply line and the gas return line join in the gas supply line. The second flow controller may be installed downstream of the confluence point in the gas supply line, and the third flow controller may be installed in the gas return line.

또한 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비를 이용한 기판 가공 방법은 (a)공정 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계;와 (b)상기 공정 챔버로 공정 가스를 공급하는 단계;와 (c)공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판에 분사하는 단계;와 (d)공정을 마치고 상기 공정 챔버로부터 배출되는 공정 가스 중 어느 하나의 공정 가스를 분리해내는 단계;와 (e)분리된 가스를 재생가스 저장탱크에 저장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.      In addition, the substrate processing method using the plasma processing equipment according to the present invention comprises the steps of (a) positioning the substrate in the process chamber; and (b) supplying a process gas to the process chamber; and (c) from the supplied process gas Generating plasma and injecting the plasma into the substrate; and (d) separating the process gas from any one of the process gases discharged from the process chamber after completion of the process; and (e) separating the separated gas into the regeneration gas storage tank. Storing; characterized in that it comprises a.

여기서 상기 (d)단계는 상기 공정 챔버로부터 배출되는 공정 가스 중 어느 하나를 액화시켜 분리해내는 단계와, 액화된 가스를 다시 기화시키는 단계를 포함할 수 있다.      The step (d) may include a step of liquefying and separating any one of the process gases discharged from the process chamber, and vaporizing the liquefied gas again.

또한 본 발명에 따른 기판 가공 방법은 상기 재생가스 저장탱크에 저장된 가스를 상기 가스 공급장치로 복귀시키는 단계를 더 포함할 수 있다.      In addition, the substrate processing method according to the invention may further include the step of returning the gas stored in the regeneration gas storage tank to the gas supply device.

이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비를 나타낸 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비에서 가스 공급장치, 재생가스 저장탱크 및 가스 공급라인과 가스 복귀라인에 설치되는 유량제어기를 나타낸 도면이다.      Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. 1 is a block diagram showing a plasma processing equipment according to the present invention, Figure 2 shows a gas supply device, a regeneration gas storage tank and a flow controller installed in the gas supply line and the gas return line in the plasma processing equipment according to the present invention Drawing.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비는 플라즈마를 이용한 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버(10)와, 공정 챔버(10)로 공정에 필요한 가스를 공급하기 위한 가스 공급장치(20)와, 가스 공급장치(20)로부터 공정 가스를 공급 받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치(30)를 포함하여 구성된다.       As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 10 which provides a space for performing a process using a plasma, and a gas for supplying a gas required for the process to the process chamber 10. It comprises a supply device 20 and a plasma generator 30 for receiving a process gas from the gas supply device 20 to generate a plasma.

공정 챔버(10)에는 가공 대상물인 기판(S)을 지지하기 위한 스테이지(11)가 설치되고, 스테이지(11)의 상측에는 플라즈마 발생장치(30)가 위치된다.       The process chamber 10 is provided with a stage 11 for supporting the substrate S, which is an object to be processed, and a plasma generator 30 is positioned above the stage 11.

플라즈마 발생장치(30)는 몸체(31)와, 상하 방향으로 서로 이격되어 그 사이에 플라즈마 발생영역(32)을 형성하는 제1전극(33)과 제2전극(34)을 가진다. 몸체(31)의 상측에는 몸체(31)의 내부로 공정 가스를 유입시키기 위한 가스유입구(31a)가 마련되고, 몸체(31)의 하측에는 플라즈마 발생영역(32)에서 생성된 플라즈마를 기판(S) 쪽으로 배출시키기 위한 플라즈마 배출구(31b)가 마련된다. 따라서 두 전극(33, 34)에 고전압이 인가되면서 가스유입구(31a)를 통해 공정 가스가 공급되면 플라즈마 발생영역(32)에서 플라즈마가 발생되어 플라즈마 배출구(31b)를 통해 기판(S) 쪽으로 분사된다.      The plasma generator 30 has a body 31 and a first electrode 33 and a second electrode 34 spaced apart from each other in the vertical direction to form a plasma generation region 32 therebetween. A gas inlet 31a for introducing a process gas into the body 31 is provided at an upper side of the body 31, and a plasma generated in the plasma generating region 32 is disposed at a lower side of the body 31. A plasma discharge port 31b for discharging toward side) is provided. Therefore, when a high voltage is applied to the two electrodes 33 and 34 and a process gas is supplied through the gas inlet 31a, plasma is generated in the plasma generating region 32 and sprayed toward the substrate S through the plasma outlet 31b. .

도 2에 도시된 바와 같이, 가스 공급장치(20)는 공정에 사용될 각각의 공정 가스가 보관되는 가스 저장소(21, 22, 23, 24)와, 각 가스 저장소(21, 22, 23, 24)로부터 공정 챔버(10)로 가스를 이동시키기 위한 가스 공급라인(25, 26, 27, 28)을 포함하여 구성된다. 각각의 가스 공급라인(25, 26, 27, 28)은 하나의 가스 공급라인(29)으로 연결되는데, 이와 같이 통합된 하나의 가스 공급라인(29)은 플라즈마 발생장치(30)의 가스유입구(31a)에 연통된다. 이하에서는 각각의 공정 가스가 혼합되어 흐르는 라인을 혼합가스 공급라인이라 한다.      As shown in FIG. 2, the gas supply device 20 includes gas reservoirs 21, 22, 23, 24 in which respective process gases to be used in the process are stored, and each gas reservoir 21, 22, 23, 24. Gas supply lines 25, 26, 27, 28 for moving gas from the process chamber 10 to the process chamber 10. Each gas supply line 25, 26, 27, 28 is connected to one gas supply line 29. The integrated gas supply line 29 is a gas inlet port of the plasma generator 30. 31a). Hereinafter, a line through which each process gas is mixed is referred to as a mixed gas supply line.

공정에 사용되는 가스들의 조합은 공정의 종류에 따라 다양하게 변경되지만, 이하에서는 공정 가스로서 산소(O2), 질소(N2), 메탄(CH4) 및 육불화황(SF6)을 사용하는 예에 관해 설명한다. 산소(O2)는 제1가스 저장소(21)에 저장되고, 제1가스 공급라인(25)을 통해 혼합가스 공급라인(29)과 연결된다. 또 메탄(CH4), 질소(N2) 및 육불화황(SF6)은 각각 제2가스 저장소(22), 제3가스 저장소(23) 및 제4가스 저장소(24)에 저장되고, 제2가스 공급라인(26), 제3가스 공급라인(27) 및 제4가스 공급라인(28)을 통해 혼합가스 공급라인(29)과 연결된다.       The combination of gases used in the process may vary depending on the type of process, but the following uses an example of using oxygen (O 2), nitrogen (N 2), methane (CH 4) and sulfur hexafluoride (SF 6) as process gases. Explain. Oxygen (O2) is stored in the first gas reservoir 21 and is connected to the mixed gas supply line 29 through the first gas supply line 25. Methane (CH4), nitrogen (N2) and sulfur hexafluoride (SF6) are stored in the second gas reservoir 22, the third gas reservoir 23 and the fourth gas reservoir 24, respectively, and supply the second gas. It is connected to the mixed gas supply line 29 through the line 26, the third gas supply line 27 and the fourth gas supply line 28.

한편 도 1과 같이 공정 챔버(10)에는 공정 챔버(10) 내부의 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출하기 위한 배출구(12)가 형성되고, 이 배출구(12)에는 배기를 위한 배출관(41)이 연결되는데, 배출관(41)은 펌프(50)와 가스 분리장치(60)를 거쳐 배기장치(40)와 연결된다. 여기서 펌프(50)는 공정 챔버(10)의 공정 압력을 유지하는 한편, 공정을 마친 공정 가스를 회수하는 역할을 하고, 배기장치(40)는 유해 가스를 정화하여 배기시키는 역할을 한다.       Meanwhile, as illustrated in FIG. 1, an outlet 12 for discharging reaction by-products and unreacted gas in the process chamber 10 is formed in the process chamber 10, and an outlet tube 41 for exhausting is provided in the outlet 12. Is connected, the discharge pipe 41 is connected to the exhaust device 40 through the pump 50 and the gas separator 60. Here, the pump 50 maintains the process pressure of the process chamber 10 and recovers the process gas after the process, and the exhaust device 40 serves to purify and exhaust the noxious gas.

또한 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비는 배출관(41)을 통해 배기되는 공정 가스 중 특정 가스를 재생할 수 있도록 분리하는 가스 분리장치(60)를 가진다.       In addition, the plasma processing equipment according to the present invention has a gas separation device 60 for separating a specific gas of the process gas exhausted through the discharge pipe (41).

가스 분리장치(60)는 펌프(50)를 거쳐 배출되는 공정 가스에서 특정 가스를 분리하여 가스 분리관(61)으로 배출시키고, 나머지 공정 가스 들은 배기장치(40)로 배출시킨다. The gas separator 60 separates a specific gas from the process gas discharged through the pump 50 and discharges it to the gas separation tube 61, and discharges the remaining process gases to the exhaust device 40.

특히 본 발명에서 가스 분리장치(60)는 공정 가스 간의 액화점 차이를 이용하여 어느 하나의 가스를 분리해내는 액화장치로 구성된다. 즉 가스 분리장치(60)는 유입된 공정 가스들을 냉각시키고, 이러한 냉각 과정에서 액화점이 상대적으로 높은 공정 가스를 액화시킨다. 이와 같이 액화된 공정 가스는 가스 분리관(61)을 통해 배출되고, 나머지 공정 가스 들은 배기장치(40)와 연결되어 있는 배출관(41)으로 배출된다. 본 실시예와 같이 공정 가스로서 산소(O2), 메탄(CH4), 질소(N2) 및 육불화황(SF6)을 사용하는 때에는 육불화황(SF6)의 액화점이 가장 높으므로 가스 분리장치(60)에서 육불화황(SF6)이 분리되게 된다.       In particular, the gas separation device 60 in the present invention is composed of a liquefaction device that separates any one gas by using the difference in liquefaction point between process gases. That is, the gas separator 60 cools the introduced process gases, and liquefies the process gas having a relatively high liquefaction point in the cooling process. The liquefied process gas is discharged through the gas separation tube 61, and the remaining process gases are discharged to the discharge pipe 41 connected to the exhaust device 40. When oxygen (O2), methane (CH4), nitrogen (N2) and sulfur hexafluoride (SF6) are used as the process gas as in the present embodiment, since the liquefied point of sulfur hexafluoride (SF6) is the highest, the gas separation device 60 Sulfur hexafluoride (SF6) will be separated.

또 가스 분리관(61)은 기화장치(70)와 연결되는데, 기화장치(70)는 가스 분리장치(60)에서 분리된 액화 가스를 기화시켜 다시 기체 상태의 공정 가스로 환원하고, 환원된 공정 가스는 기화장치(70)에 연결된 가스 복귀라인(71)을 통해 가스 공급장치(20)로 복귀한다.       In addition, the gas separation pipe 61 is connected to the vaporization device 70, the vaporization device 70 vaporizes the liquefied gas separated in the gas separation device 60 to reduce to a gaseous process gas, the reduced process The gas returns to the gas supply device 20 through the gas return line 71 connected to the vaporizer 70.

가스 복귀라인(71) 상에는 가스 분리장치(60)에서 분리된 후 가스 복귀라인(71)을 통해 복귀되는 공정 가스를 저장할 수 있도록 재생가스 저장탱크(80)가 설치된다. 기화장치(70)에서 기체 상태로 환원된 공정 가스는 가스 공급장치(20)로 복귀하기 전에 재생가스 저장탱크(80)에 임시 저장된다. 이러한 재생가스 저장탱크(80)는 하나의 기판에 대한 가공 공정이 끝난 후 가공이 끝난 기판을 언로딩하고 새로운 기판을 로딩하는 과정에서 특히 필요시된다. 즉 하나의 기판에 대한 가공이 끝나면 공정 챔버(10) 내의 공정 가스를 모두 배기시키고 가스 공급장치(20)로부터의 가스 공급을 차단하므로 이러한 재생가스 저장탱크(80)가 없으면 가공이 끝날 즈음에 공정 챔버(10)에서 배출되는 가스는 재생되지 못하고 모두 버려지게 된다.       The regeneration gas storage tank 80 is installed on the gas return line 71 so as to store the process gas separated from the gas separation device 60 and returned through the gas return line 71. The process gas reduced in the gaseous state in the vaporization device 70 is temporarily stored in the regeneration gas storage tank 80 before returning to the gas supply device 20. The regeneration gas storage tank 80 is particularly required in the process of unloading the processed substrate and loading a new substrate after the processing process for one substrate is finished. That is, when the processing of one substrate is finished, the process gas in the process chamber 10 is exhausted and the gas supply from the gas supply device 20 is cut off. Thus, when such a regeneration gas storage tank 80 is not present, the process is completed at the end of the processing. The gas discharged from the chamber 10 is not regenerated and all are discarded.

한편 도 2에 도시된 바와 같이, 가스 복귀라인(71)은 가스 공급장치(20)의 가스 공급라인과 연결된다. 본 실시예와 같이 육불화황(SF6)이 재생되는 경우에는 가스 복귀라인(71)은 제4가스 공급라인(28)과 연결된다. 이하에서는 가스 복귀라인(71)이 가스 공급라인(28)과 합류하는 지점을 J지점이라 한다.       Meanwhile, as shown in FIG. 2, the gas return line 71 is connected to the gas supply line of the gas supply device 20. When sulfur hexafluoride SF6 is regenerated as in the present embodiment, the gas return line 71 is connected to the fourth gas supply line 28. Hereinafter, the point where the gas return line 71 joins the gas supply line 28 is referred to as the J point.

가스 공급라인(28)에서 J지점의 상류에는 제1유량제어기(91)가 설치되고, J지점의 하류에는 제2유량제어기(92)가 설치된다. 또 가스 복귀라인(71)에서 재생가스 저장탱크(80)와 J지점의 사이에는 제3유량제어기(93)가 설치된다. 이러한 유량제어기(Mass Flow Controller)들은 각각의 가스 라인들을 흐르는 공정 가스의 양을 모니터링하거나 제어하는 부품으로서 공지 기술에 해당하므로 이에 관한 상세한 설명은 생략한다.       In the gas supply line 28, the first flow controller 91 is provided upstream of the J point, and the second flow controller 92 is installed downstream of the J point. In addition, a third flow controller 93 is provided between the regeneration gas storage tank 80 and the point J in the gas return line 71. These flow controllers (Mass Flow Controller) is a component that monitors or controls the amount of process gas flowing through the respective gas lines, which corresponds to the known art, detailed description thereof will be omitted.

이하에서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비를 이용한 기판 가공 공정을 설명한다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 가공 공정을 설명하기 위한 도면이다.       Hereinafter, a substrate processing process using the plasma processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. 3 is a view for explaining a substrate processing process according to the present invention.

공정이 시작되면 공정 챔버(10) 내에 가공 대상물인 기판(S)이 위치되고, 펌프(50)는 공정 챔버(10)가 적정 공정 압력을 유지하도록 한다(S110).       When the process starts, the substrate S, which is an object to be processed, is positioned in the process chamber 10, and the pump 50 allows the process chamber 10 to maintain an appropriate process pressure (S110).

이러한 상태에서 공정 챔버(10)로 공정 가스(O2, N2, CH4 및 SF6가 공급되는데, 재생된 가스가 없는 최초 상태에서는 모든 공정 가스가 가스 저장소(21, 22, 23, 24)로부터 공급되고, 재생된 가스가 있는 상태에서는 재생가스 저장탱크(80)로부터 일부 가스가 공급되고, 나머지 가스가 가스 저장소(21, 22, 23, 24)로부터 공 급된다(S120). 즉 지난번 공정을 마치고 가스 분리장치(60) 및 기화장치(70)에 의해 재생된 SF6 가 있는 경우에는 이러한 재생 가스가 가스 복귀라인(71)을 통해 재생가스 저장탱크(80)에서 가스 공급장치(20)로 공급되고, 가스 공급장치(20)의 제4가스 저장소(24)에서는 부족한 양 만큼의 SF6가 공급된다.       In this state, process gases O2, N2, CH4 and SF6 are supplied to the process chamber 10. In the initial state without regenerated gas, all process gases are supplied from the gas reservoirs 21, 22, 23, 24, In the state where the regenerated gas is present, some gas is supplied from the regeneration gas storage tank 80, and the remaining gas is supplied from the gas reservoirs 21, 22, 23, and 24 (S120), that is, gas separation is completed after the last process. When there is SF6 regenerated by the device 60 and the vaporizer 70, this regeneration gas is supplied from the regeneration gas storage tank 80 to the gas supply device 20 via the gas return line 71, and the gas The fourth gas reservoir 24 of the supply device 20 is supplied with an insufficient amount of SF6.

이 때 제4가스 저장소(24)에서 공급되는 SF6의 양은 3개의 유량제어기(91, 92, 93)에 의해 제어된다. 즉 제3유량제어기(93)에서는 재생가스 저장탱크(80)에서 공급되는 SF6의 양을 측정하고, 제2유량제어기(92)에서는 제3유량제어기(93)에서 측정되는 가스의 양과 공정에 필요한 양을 비교하여 부족한 양만큼의 가스를 제4가스 저장소(24)로부터 공급받는다. 이 때 제4가스 저장소(24)에서 공급되는 SF6의 양은 제1유량제어기(91)에 의해 제어된다.       At this time, the amount of SF6 supplied from the fourth gas reservoir 24 is controlled by the three flow controllers 91, 92, 93. That is, the third flow controller 93 measures the amount of SF 6 supplied from the regeneration gas storage tank 80, and the second flow controller 92 measures the amount of gas measured by the third flow controller 93 and required for the process. The amount is compared to receive the insufficient amount of gas from the fourth gas reservoir 24. At this time, the amount of SF6 supplied from the fourth gas reservoir 24 is controlled by the first flow controller 91.

공정 챔버(10)로 가스가 공급되면 플라즈마 발생장치(30)가 동작하여 이온, 라디칼 및 공정 가스가 기판(S)으로 분사되어 에칭 공정 또는 증착 공정 등과 같은 기판 가공 공정이 진행된다(S130).       When the gas is supplied to the process chamber 10, the plasma generator 30 is operated to inject ions, radicals, and process gases onto the substrate S to perform a substrate processing process such as an etching process or a deposition process (S130).

가공 공정을 마친 후의 반응 부산물이나 미반응 공정 가스는 배출관(41)을 통해 배출되어 펌프(50)를 거쳐 가스 분리장치(60)로 이동한다(S140). 가공 공정을 마친 가스들은 가스 분리장치(60)에서 냉각되는데, 이 때 액화점이 가장 높은 SF6는 가장 먼저 액화되어 분리된다. 분리된 액화 가스는 가스 분리관(61)을 통해 기화장치(70)로 이동하고, 나머지 공정 가스와 반응 부산물들은 배기장치(40)를 통해 최종 배기된다(S150).        Reaction by-products or unreacted process gas after the processing process is discharged through the discharge pipe 41 is moved to the gas separation device 60 via the pump 50 (S140). After finishing the processing, the gases are cooled in the gas separation device 60, where SF6 having the highest liquefaction point is liquefied and separated first. The separated liquefied gas moves to the vaporizer 70 through the gas separation tube 61, and the remaining process gas and reaction by-products are finally exhausted through the exhaust device 40 (S150).

기화장치(70)에 이른 액체 상태의 SF6는 기화장치(70)에서 다시 기체 상태의 공정 가스로 환원되고(S160), 가스 복귀라인(71)을 통해 이동하여 재생가스 저장탱크(80)에 저장된다(S170).       The SF6 in the liquid state reaching the vaporizer 70 is reduced back to the gaseous process gas in the vaporizer 70 (S160), and moves through the gas return line 71 to be stored in the regeneration gas storage tank 80. It becomes (S170).

하나의 기판에 대한 가공 공정이 계속되는 경우 재생가스 저장탱크(80)에 저장된 SF6는 S120에서 설명한 바와 같이 다시 공정 챔버(10)로 공급되어 공정에 재활용된다. 그러나 하나의 기판 대한 가공 공정이 종료된 경우에는 공정 가스의 공급이 중단된 상태에서 공정 챔버(10)가 개방되어 가공이 완료된 기판이 언로딩 되고, 새로운 기판이 공정 챔버(10) 내에 위치된다(S180).       If the processing process for one substrate is continued SF6 stored in the regeneration gas storage tank 80 is supplied to the process chamber 10 again as described in S120 is recycled to the process. However, when the processing process for one substrate is finished, the process chamber 10 is opened while the supply of the process gas is stopped, and the processed substrate is unloaded, and a new substrate is placed in the process chamber 10 ( S180).

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 공정을 마치고 배기되는 공정 가스 중에서 일부의 가스를 재활용할 수 있도록 함으로써 장비의 유지 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 특히 본 발명은 공정 가스의 소비가 많아 장비 운영에 제약을 받는 대기압 플라즈마 공정 장비를 보다 실효성이 있게 운영할 수 있도록 하는 효과가 있다.      As described above, the present invention has the effect of reducing the maintenance cost of the equipment by being able to recycle some of the gas from the process gas exhausted after the process. In particular, the present invention has an effect that can effectively operate the atmospheric pressure plasma process equipment that is limited in the operation of the equipment due to the large consumption of the process gas.

Claims (12)

공정 챔버;와Process chamber; and 상기 공정 챔버로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급장치;와A gas supply device for supplying a process gas to the process chamber; and 상기 가스 공급장치로부터 공정 가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치;와A plasma generator generating plasma by receiving process gas from the gas supply device; and 공정을 마친 후 상기 공정 챔버에서 배출되는 공정 가스 중에서 특정 가스를 분리해내기 위한 가스 분리장치;와A gas separation device for separating a specific gas from the process gas discharged from the process chamber after finishing the process; and 상기 가스 분리장치에 의해 분리된 가스를 저장하기 위한 재생가스 저장탱크;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비. And a regeneration gas storage tank for storing the gas separated by the gas separation device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 분리장치는 공정 가스들간의 액화점 차이를 이용하여 상기 특정 가스를 분리해내는 액화장치인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비.The gas separation device is a plasma processing equipment, characterized in that the liquefaction device for separating the specific gas using the difference in liquefaction point between the process gases. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 액화장치에 의해 액화된 가스를 다시 기체로 기화시키기 위한 기화장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비.And a vaporization device for vaporizing the gas liquefied by the liquefaction device back into a gas. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 공급장치는 상기 특정 가스를 상기 플라즈마 발생장치로 공급하기 위한 가스 공급라인을 포함하고, 상기 플라즈마 공정 장비는 상기 재생가스 저장탱크와 상기 가스 공급라인을 연결하는 가스 복귀라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비. The gas supply device includes a gas supply line for supplying the specific gas to the plasma generator, the plasma processing equipment further comprises a gas return line connecting the regeneration gas storage tank and the gas supply line. Characterized in that the plasma process equipment. 제4항에 있어서,       The method of claim 4, wherein 상기 가스 공급라인에서 상기 가스 공급라인과 상기 가스 복귀라인이 합류하는 지점의 상류에는 제1유량제어기가 설치되고, 상기 가스 공급라인에서 상기 합류점의 하류에는 제2유량제어기가 설치되며, 상기 가스 복귀라인에는 제3유량제어기가 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비.       A first flow controller is installed upstream of the point where the gas supply line and the gas return line join in the gas supply line, and a second flow controller is installed downstream of the confluence point in the gas supply line. Plasma processing equipment, characterized in that the third flow controller is installed in the line. 제2항에 있어서,      The method of claim 2, 상기 특정 가스는 SF6인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비.      The specific gas is plasma processing equipment, characterized in that SF6. 공정 챔버;와Process chamber; and 상기 공정 챔버로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급장치;와A gas supply device for supplying a process gas to the process chamber; and 상기 가스 공급장치로부터 공정 가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치;와A plasma generator generating plasma by receiving process gas from the gas supply device; and 공정을 마친 후 상기 공정 챔버에서 배출되는 공정 가스 중에서 액화점이 가장 높은 공정 가스를 분리해내기 위한 가스 분리장치;와A gas separator for separating the process gas having the highest liquefaction point among the process gases discharged from the process chamber after finishing the process; and 상기 가스 분리장치에 의해 분리된 가스를 기화시키기 위한 기화장치;와 A vaporization device for vaporizing the gas separated by the gas separation device; and 상기 기화장치에서 기화된 가스를 상기 가스 공급장치로 복귀시키기 위한 가스 복귀라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비. And a gas return line for returning the gas vaporized from the vaporizer to the gas supply device. 제7항에 있어서      The method of claim 7, 상기 기화장치에서 기화된 가스를 저장하기 위한 재생가스 저장탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비.      Plasma processing equipment further comprises a regeneration gas storage tank for storing the gas vaporized in the vaporizer. 제7항에 있어서,       The method of claim 7, wherein 상기 가스 공급장치는 공정 가스 중 액화점이 가장 높은 가스가 공급되는 가스 공급라인을 포함하고, 상기 가스 공급라인에서 상기 가스 공급라인과 상기 가스 복귀라인이 합류하는 지점의 상류에는 제1유량제어기가 설치되며, 상기 가스 공급라인에서 상기 합류점의 하류에는 제2유량제어기가 설치되며, 상기 가스 복귀라인에는 제3유량제어기가 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비.       The gas supply device includes a gas supply line through which a gas having the highest liquefaction point is supplied, and a first flow controller is installed upstream of a point where the gas supply line and the gas return line join in the gas supply line. And a second flow controller installed downstream of the confluence point in the gas supply line, and a third flow controller installed in the gas return line. (a)공정 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계;와      (a) positioning the substrate in the process chamber; and (b)상기 공정 챔버로 공정 가스를 공급하는 단계;와      (b) supplying a process gas to the process chamber; and (c)공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판에 분사하는 단계;와      (c) generating a plasma from the supplied process gas and spraying the plasma on the substrate; and (d)공정을 마치고 상기 공정 챔버로부터 배출되는 공정 가스 중 어느 하나의 공정 가스를 분리해내는 단계;와       (d) separating the process gas of any one of the process gases discharged from the process chamber after finishing the process; and (e)분리된 가스를 재생가스 저장탱크에 저장하는 단계;를       (e) storing the separated gas in a regeneration gas storage tank; 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비를 이용한 기판 가공 방법.      Substrate processing method using a plasma processing equipment comprising a. 제10항에 있어서,      The method of claim 10, 상기 (d)단계는 상기 공정 챔버로부터 배출되는 공정 가스 중 어느 하나를 액화시켜 분리해내는 단계와, 액화된 가스를 다시 기화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비를 이용한 기판 가공 방법.      The step (d) is a substrate processing method using a plasma processing equipment comprising the step of liquefying and separating any one of the process gas discharged from the process chamber, and vaporizing the liquefied gas again. 제10항에 있어서,      The method of claim 10, 상기 재생가스 저장탱크에 저장된 가스를 상기 가스 공급장치로 복귀시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비를 이용한 기판 가공 방법.      And returning the gas stored in the regenerative gas storage tank to the gas supply device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0929002A (en) * 1995-07-17 1997-02-04 Teisan Kk Gas recovering device
JPH09129561A (en) * 1995-11-06 1997-05-16 Teisan Kk Gas collection apparatus
JP3356965B2 (en) * 1997-06-20 2002-12-16 株式会社日立製作所 SF6 gas recovery / purification processing apparatus and method
JP2000210527A (en) * 1999-01-22 2000-08-02 Toshiba Corp Mixed gas separated and separating system
JP2002177766A (en) * 2000-12-18 2002-06-25 Pearl Kogyo Kk Atmospheric pressure plasma treating device provided with unit for recovering/reusing inert gas
JP3581836B2 (en) * 2001-04-23 2004-10-27 株式会社日立製作所 Etching equipment
JP4442053B2 (en) * 2001-05-24 2010-03-31 パナソニック電工株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4023302B2 (en) * 2002-11-22 2007-12-19 松下電工株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method

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