KR20080017256A - Excimer lamp device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정 패널 기판, 반도체 웨이퍼, 자기 디스크 기판, 광디스크 기판 등과 같이, 유리, 반도체, 수지, 세라믹스, 금속 등이나, 그것들이 복합된 기판 표면에 자외광을 조사하여, 세정, 에칭 등을 행하는 기판 처리에 사용되는 엑시머 램프 장치에 관한 것이다.According to the present invention, ultraviolet rays are irradiated to glass, semiconductors, resins, ceramics, metals, and the like, or the surface of a substrate including them, such as a liquid crystal panel substrate, a semiconductor wafer, a magnetic disk substrate, an optical disk substrate, and the like to perform cleaning and etching. It relates to an excimer lamp device used for substrate processing.
특허 문헌 1 등에서 알려진 엑시머 램프를 탑재한 엑시머 램프 장치는, 엑시머 램프로부터 방사되는 200㎚ 이하 100㎚ 이상의 범위의 자외광을, 산소가 미량 존재하는 분위기 하에 있어서 피처리물의 표면에 조사하고, 발생한 활성 산소와 투과한 자외광의 상승(相乘)효과에 의해서 피처리물의 표면의 유기물 등을 분해 비산시켜 세정을 행하는 것이다.An excimer lamp device equipped with an excimer lamp known from Patent Document 1 or the like has activity generated by irradiating ultraviolet light in a range of 200 nm or less and 100 nm or more emitted from an excimer lamp to the surface of the workpiece under a small amount of oxygen. By the synergistic effect of oxygen and transmitted ultraviolet light, organic matters and the like on the surface of the object to be treated are decomposed and scattered and washed.
즉, 엑시머 램프로부터 예를 들면 파장 172㎚의 자외광을 기판 표면에 조사하여, 유기물을 구성하는 화학 결합을 분해함으로써 저분자화시킴과 동시에, 유기 오염물을 활성화시킨다. 동시에, 기판 표면에 부유하는 산소에 자외광을 조사하고, 생성된 활성 산소에 의해서, 유기 오염물을 활성산소와의 산화 반응에 의해서 휘발 물질로 변환하고, 공기 중에 방출하여 제거한다.In other words, ultraviolet light having a wavelength of 172 nm is irradiated onto the surface of the substrate from the excimer lamp to decompose the chemical bonds constituting the organic material, thereby lowering the molecular weight and activating the organic contaminants. At the same time, ultraviolet light is irradiated to oxygen floating on the surface of the substrate, and the generated active oxygen converts the organic contaminants into volatile substances by oxidation reaction with active oxygen, and is released into the air and removed.
이러한 엑시머 램프를 이용한 드라이 세정은, 산소를 분해할 때에 자외광이 소비되기 때문에, 엑시머 램프와 기판과의 사이에 존재하는 산소의 양에 의해서 기판 표면에 도달하는 자외광이 변화하기 때문에, 유기 오염물의 산화에 필요로 되는 양 이상으로 고농도의 산소 분자가 존재하는 경우, 자외광이 쓸데없이 소비되어 기판 표면에 도달할 수 없게 된다. 이 때문에, 종래부터 엑시머 램프 장치에 있어서는 개량이 거듭되고, 자외광을 유효하게 이용하는 기술에 대해서 개발되어 있다.In the dry cleaning using such an excimer lamp, since ultraviolet light is consumed when oxygen is decomposed, the ultraviolet light reaching the surface of the substrate is changed by the amount of oxygen existing between the excimer lamp and the substrate. When oxygen molecules of high concentration are present in excess of the amount required for the oxidation of, ultraviolet light is consumed unnecessarily and cannot reach the substrate surface. For this reason, conventionally, in the excimer lamp apparatus, improvement is repeated and the technique which uses ultraviolet light effectively is developed.
예를 들면, (1)복수의 막대 모양의 엑시머 램프를 거의 밀폐 상태로 된 직사각형 상자 모양의 케이스 내부에 배치하여, 이러난 케이스 내부를 자외광 투과성의 분위기, 즉 질소 가스 등의 불활성 가스를 충전한 분위기로 변환하고, 케이스의 일면에 설치된 자외광 투과창 부재를 통해 자외광을 방사하는 엑시머 램프 장치가 알려져 있다.For example, (1) a plurality of rod-shaped excimer lamps are disposed inside a rectangular box-shaped case which is almost sealed, and the inside of the case is filled with an atmosphere of ultraviolet light transmission, that is, inert gas such as nitrogen gas. Excimer lamp apparatuses are known which convert into an atmosphere and emit ultraviolet light through an ultraviolet light transmitting window member provided on one surface of the case.
또한, (2)자외광 투과창 부재를 통과한 자외광이 쓸데없이 소비되지 않게 하기 위해, 창 부재와 기판과의 사이에 질소 가스 등의 불활성 가스를 흐르게 하여 산소 분압을 낮게 함으로써, 자외광 투과성을 높이는 것도 알려져 있다.(2) In order to prevent the ultraviolet light passing through the ultraviolet light transmitting window member from being consumed unnecessarily, an inert gas such as nitrogen gas is flowed between the window member and the substrate to lower the oxygen partial pressure, thereby transmitting ultraviolet light. It is also known to increase.
또, 최근에는, 피처리물인 액정 패널 기판이 대면적화하고 있고, 이에 대응하는 자외광 투과창 부재의 제조가 곤란해지고 있다. 이 때문에 창 부재를 이용하지 않고, 엑시머 램프로부터의 자외광을 직접 기판에 조사하는 엑시머 램프 장치도 개발되어 있다. 이러한 것에 있어서는, (3)엑시머 램프와 기판과의 사이에 흐르는 불활성 가스 및 산소를 소기(所期)에 제어함으로써, 엑시머 램프로부터의 자외광의 감쇠를 억제하고, 효율적으로 기판에 자외광을 조사할 수 있다.Moreover, in recent years, the liquid crystal panel substrate which is a to-be-processed object has become large, and manufacture of the ultraviolet-light transmission window member corresponding to this has become difficult. For this reason, the excimer lamp apparatus which irradiates the ultraviolet light from an excimer lamp directly to a board | substrate, without using a window member is also developed. In such a thing, (3) By controlling the inert gas and oxygen which flow between an excimer lamp and a board | substrate to a desired air, the attenuation of the ultraviolet light from an excimer lamp is suppressed, and an ultraviolet light is irradiated to a board | substrate efficiently. can do.
그런데 최근에 있어서는, 기판 표면의 세정 시의 반응성 가스로서 산소 대신에 수증기를 이용하는 기술이 특허 문헌 1(일본국 특허공개 2001-137800호 공보), 특허 문헌 2(일본국 특허공개 2001-162240호 공보) 등에 있어서 제안되어 있다. 이러한 기술은, 자외광 투과성을 유지하기 위해 공급되는 질소 가스에 습도를 주어 가습화 질소로 하고, 물이 자외광을 흡수·분해하여 발생하는 OH래디컬이나 H래디컬을 기판의 세정 처리에 이용하는 것이다.By the way, in recent years, the technique which uses water vapor instead of oxygen as a reactive gas at the time of washing | cleaning a board | substrate surface is disclosed by patent document 1 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-137800) and patent document 2 (Japanese Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-162240). Has been proposed. In such a technique, the nitrogen gas supplied in order to maintain ultraviolet light permeability is made to be humidified nitrogen, and OH radicals and H radicals generated by water absorbing and decomposing ultraviolet light are used for cleaning the substrate.
도 11은 특허 문헌 1에 기재의 기술에 관한 기판 처리 장치를 램프의 관축에 대해서 수직인 면으로 절단한 엑시머 램프 장치의 설명용 단면도이다.It is sectional drawing for description of the excimer lamp apparatus which cut | disconnected the board | substrate processing apparatus which concerns on the technique of patent document 1 to the surface perpendicular | vertical to the tube axis of a lamp.
이 엑시머 램프 장치는, 지면 하방이 개구한 램프 하우스(72) 내부에 막대 모양의 엑시머 램프(7)가 예를 들면 3개 구비되어 있고, 램프 하우스(72)의 하부 및 기판(70)을 반송하기 위한 롤러 컨베이어(71)를 함유하도록 챔버(76)가 설치되어 있다.In this excimer lamp device, three rod-
램프 하우스(72)의 내부에는 불활성 가스로서의 질소 가스가 가스 공급용 배관(73)으로부터 공급되어 내부가 산소를 함유하지 않는 분위기 하에 놓여지고, 이로 인해 엑시머 램프(7)로부터의 자외광이 감쇠하는 것이 억제되게 되어 있다.Inside the
또, 챔버(76)의 하방에는 가습화 불활성 가스의 공급관(75)이 접속되어 있고, 여기로부터 수증기와 질소 가스와의 혼합 유체가 공급되게 된다. 또, 챔버(76)의 상방에는 배기관(78)이 설치되어 있고, 강제 배기됨으로써 챔버(76)의 입구의 유속을 빠르게 하고, 오존의 누설을 방지한다.Moreover, the
기판(70)의 표면에는 엑시머 램프(7)로부터의 자외광이 조사되어 청정화됨과 동시에, 기판(70) 표면에 존재하는 수증기에도 자외광이 조사되어 산화성의 OH래디컬과 환원성의 H래디컬이 생성된다. 이러한 OH래디컬과 H래디컬의 작용에 의해 기판(70) 표면에 부착한 유기물질로 이루어지는 오염물질을 휘발 물질로 변환, 분해하여, 배기관으로부터 외부로 방출하고, 기판의 드라이 세정이 행해진다. Ultraviolet light from the
(특허 문헌 1)일본국 특허공개 2001-137800호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-137800
(특허 문헌 2)일본국 특허공개 2001-162240호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-162240
그러나, 특허 문헌 1 기재의 장치에 있어서는, 램프 하우스(72) 내를 불활성 가스로 충전할 필요가 있다. 상기 구성에 관한 장치에 있어서는, 광조사용으로 램프 하우스(72)가 개구하고 있기 때문에 다량의 불활성 가스를 공급할 필요가 있고, 러닝 코스트가 고액이 된다는 문제가 있다. 이것을 감안하여, 램프 하우스(72)의 개구를 자외광 투과성의 석영 유리제의 창 등으로 덮는 경우에는, 최근에 있어서의 액정 패널 기판의 대면적화에 추종하는 것이 곤란함과 동시에, 창 부재가 매우 고가이기 때문에, 장치도 또한 고가의 것이 되어 버린다.However, in the apparatus described in Patent Document 1, the
또, 기판(70)이 반송되는 챔버(76)에 있어서는 내부를 고습도 분위기로 유지할 필요가 있고, 구조가 복잡해지는 것은 피할 수 없다. 또한, 가습화 불활성 가스의 공급관(75)으로부터의 공급 가스량과 배기관(78)에 의한 배기에 의해서 챔버(76) 내의 분위기를 관리, 제어하는 것이기 때문에, 기판(70) 표면의 분위기를 일정하게 유지하는 것이 매우 곤란하고, 세정 처리가 안정되지 않는다는 문제가 있다.Moreover, in the
특허 문헌 2에는, 상기 기술과 같이, 가습화 불활성 가스를 기판 표면에 공급함과 동시에, 엑시머 램프로부터의 자외광을 조사함으로써, 기판 표면의 유기물질로 이루어지는 오염물질을 분해하고, 휘발 물질로 변환하고, 제거하는 드라이 세정 방법에 대해서 기재되어 있다. 이 방법에 있어서 챔버 내에 기판을 반입하고, 가습 반응 가스를 주입하여 소정의 분위기로 한 후, 엑시머 램프로부터의 자외광을 기판 표면에 조사하여 드라이 세정한다. 그 후, 방출된 휘발 물질을 배기하여, 기판을 반출한다.In
그러나, 이러한 방법에 따르는 경우, 기판을 반출하기 전에 휘발 가스를 일단 제거함으로써, 처리 챔버의 기밀성을 높일 필요가 있고, 장치 구조가 복잡하고, 고가로 된다는 문제가 있다.However, according to this method, it is necessary to increase the airtightness of the processing chamber by removing the volatile gas once before carrying out the substrate, and there is a problem that the device structure is complicated and expensive.
또, 처리 챔버 내에 가습화 가스 공급용 배관과 습도 검출기가 설치됨으로써, 분위기의 상대습도를 제어하는 것이지만, 분위기 습도 불균형이 생기기 때문에 가습기의 제어가 어렵고, 안정된 처리 분위기를 만들어 내는 것이 어렵다.In addition, although the relative humidity of the atmosphere is controlled by providing the humidification gas supply pipe and the humidity detector in the processing chamber, the humidifier is difficult to control because of the atmospheric humidity imbalance, and it is difficult to create a stable processing atmosphere.
또한, 이 기술에 있어서는 상대 습도를 제어하고 있기 때문에, 같은 %에서도 온도에 의해서 함유되는 함유 수분의 절대량이 변화한다. 함유 수분량이 많아지면, 자외광의 흡수량이 증가하여 여기 활성종은 증가하지만, 자외광이 워크에 닿지 않기 때문에 세정 효과를 얻을 수 없게 된다. 함유 수분량이 적어지면 자외광 조사량은 증가하지만 여기 활성종은 적기 때문에, 세정 효과를 얻을 수 없게 된다.In addition, in this technique, since relative humidity is controlled, the absolute amount of contained moisture contained also changes with temperature at the same%. When the amount of moisture contained is large, the absorption amount of ultraviolet light increases and the excitation active species increases. However, since the ultraviolet light does not reach the work, the cleaning effect cannot be obtained. When the amount of moisture contained is small, the amount of ultraviolet light irradiation increases, but there are few excitation active species, so that the cleaning effect cannot be obtained.
즉, 종래 공지된 기술에 있어서는, 기판 처리 공간의 수분의 절대량이 변화하는 것이며, 기판의 안정된 처리를 행할 수 없다는 문제가 있다.That is, in the conventionally known technique, the absolute amount of water in the substrate processing space is changed, and there is a problem that the substrate cannot be stably processed.
이러한 실정에 더하여, 램프의 고출력화에 수반하여 램프 온도도 높아지는 경향이 있고, 램프의 온도 변화에 의한 기판 근방 분위기의 온도는 수십도의 영향을 받는 일이 있다. 그런 경우, 상대 습도의 제어에서는 안정된 기판 처리를 행하는 것이 더 어렵다.In addition to this situation, the lamp temperature also tends to increase with increasing lamp output, and the temperature of the atmosphere near the substrate due to the temperature change of the lamp may be affected by tens of degrees. In such a case, it is more difficult to perform stable substrate processing in the control of relative humidity.
그래서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판의 대형화에 적합하게 대응 할 수 있음과 동시에, 러닝 코스트를 저감할 수 있고, 기판 표면의 처리를 확실히 행할 수 있는, 엑시머 램프 장치를 제공하는 것이다.Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide an excimer lamp apparatus which can cope suitably with the enlargement of the substrate, can reduce the running cost, and can reliably process the substrate surface.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 엑시머 램프 장치는, 엑시머 램프와, 엑시머 램프를 수납하고, 해당 엑시머 램프로부터 방사되는 자외광을 인출하는 광조사구를 갖는 램프 하우스와,In order to solve the said subject, the excimer lamp apparatus which concerns on this invention is a lamp house which has an excimer lamp, the light irradiation port which accommodates an excimer lamp, and extracts the ultraviolet light radiated | emitted from this excimer lamp,
램프 하우스 내에 배치되고, 엑시머 램프에 대해서 평행하게 또한 교대로 위치된, 가스분출구가 설치되어 이루어지는 가스 공급용 배관과,A gas supply pipe disposed in the lamp house and provided with a gas ejection port, arranged in parallel and alternately with respect to the excimer lamp;
가스 공급용 배관에 수증기를 함유하는 불활성 기체를 도입하는 가스 공급 수단을 구비하고,A gas supply means for introducing an inert gas containing water vapor into the gas supply pipe;
상기 가스 공급 수단에 의해 절대 습도가 소정으로 제어된 불활성 기체가, 상기 가스 공급용 배관에 공급되는 것을 특징으로 한다.An inert gas whose absolute humidity is controlled by the gas supply means is supplied to the gas supply pipe.
또, 상기 절대 습도는, 중량 절대 습도로 환산하여 0.5~6.5g/㎏인 것이 좋다.The absolute humidity is preferably 0.5 to 6.5 g / kg in terms of weight absolute humidity.
또, 상기 수증기를 함유하는 불활성 기체가, 엑시머 램프와 가스 공급용 배관의 사이를 통과하여 램프 하우스의 개구로부터 유출하는 구성을 구비하고 있는 것이 좋다.In addition, it is preferable that the inert gas containing the water vapor passes through between the excimer lamp and the gas supply pipe and flows out from the opening of the lamp house.
또, 상기 엑시머 램프의 주위에, 엑시머 램프로부터 방사된 자외광 중 광조사구의 방향과는 다른 방향으로 방사된 광을 차광하는 차광 수단이 구비되어 있는 것이 좋다. It is also preferable that a light shielding means is provided around the excimer lamp to shield light emitted in a direction different from the direction of the light irradiation port among the ultraviolet light emitted from the excimer lamp.
또, 상기 엑시머 램프는, 적어도 일부가 자외광을 투과시키는 유전체 재료로 구성되고, 내부에 방전 가스가 봉입된 방전 용기와, 이 방전 용기의 외면에 배치된 제1 전극과, 상기 제1 전극과 적어도 1매의 유전체를 통해, 방전 용기의 내부 또는 외부에 배치된 제2 전극을 구비하여 구성되어 이루어지고, The excimer lamp may include a discharge container in which at least a portion of the excimer lamp transmits ultraviolet light, the discharge gas is sealed therein, a first electrode disposed on an outer surface of the discharge container, and the first electrode; A second electrode disposed inside or outside the discharge vessel via at least one dielectric material,
방전 공간의 외부에 배치된 전극의 표면에 내산화성의 보호막이 형성되어 있거나 또는,An oxidation resistant protective film is formed on the surface of the electrode disposed outside the discharge space, or
자외광에 대해서 투과성을 갖는 보호관을 구비하고, 보호관의 내부에 엑시머 램프가 수납되어 있는 것이 좋다.It is preferable that a protective tube having transparency to ultraviolet light is provided and an excimer lamp is housed inside the protective tube.
(1)피처리물인 기판 표면에 수증기를 함유하는 불활성 기체를 균일하게 공급할 수 있고, 또한 수증기량이 제어되어 있기 때문에, 엑시머 램프와 기판과의 사이에 형성된 공간에 온도 변화가 생긴 경우에도, H래디컬과 OH래디컬의 생성량을 일정하게 유지할 수 있음과 동시에, 자외광의 과잉 감쇠를 억제할 수 있고, 안정된 세정 효과를 실현할 수 있다.(1) Since the inert gas containing water vapor can be uniformly supplied to the surface of the substrate to be treated and the amount of water vapor is controlled, even when a temperature change occurs in the space formed between the excimer lamp and the substrate, H radical It is possible to keep the amount of generated and OH radicals constant, to suppress excessive attenuation of ultraviolet light, and to achieve a stable cleaning effect.
(2)불활성 기체 중의 수증기량을 중량 절대 습도 0.5~6.5g/㎏으로 함으로써, 수증기를 래디컬원으로 이용한 것에 의한 세정 효과를 확실히 얻을 수 있다.(2) By setting the amount of water vapor in the inert gas to be 0.5 to 6.5 g / kg in weight absolute humidity, the cleaning effect by using water vapor as a radical source can be reliably obtained.
(3)수증기를 함유하는 불활성 기체를 엑시머 램프와 가스 공급용 배관의 사이를 통과시켜 램프 하우스의 개구로부터 유출시킴으로써, 기판 표면에 공급되는 수증기량을 균일하게 제어할 수 있다. (3) The amount of water vapor supplied to the surface of the substrate can be uniformly controlled by passing an inert gas containing water vapor between the excimer lamp and the gas supply pipe and flowing out from the opening of the lamp house.
(4)엑시머 램프의 주위에, 엑시머 램프로부터 방사된 자외광 중 광조사구의 방향과는 다른 방향으로 방사된 광을 차광하는 차광 수단을 구비함으로써, 기판과 엑시머 램프로 형성되는 공간 이외의 부분에 있어서 H래디컬이나 OH래디컬이 생성, 소비되지 않아도 되고, 효율적으로 이러한 래디컬을 기판에 작용시킬 수 있어, 높은 세정 효과를 얻을 수 있다.(4) A light shielding means for shielding light emitted from the excimer lamp from the excimer lamp in a direction different from the direction of the light irradiation port, to provide a portion other than the space formed by the substrate and the excimer lamp. Therefore, H radicals and OH radicals do not have to be produced and consumed, and such radicals can be efficiently applied to the substrate, thereby achieving a high cleaning effect.
(5)엑시머 램프의 전극의 표면에 내산화성의 보호막이 형성되어 있거나 또는, 엑시머 램프가 보호관의 내부에 수납되어 있음으로써, 전극 산화를 회피할 수 있어, 안정된 점등 상태를 유지할 수 있다.(5) The oxidation resistance of the protective film is formed on the surface of the electrode of the excimer lamp, or the excimer lamp is housed inside the protective tube, whereby oxidation of the electrode can be avoided and a stable lighting state can be maintained.
이하, 본 발명에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail with reference to drawings.
도 1은 엑시머 램프를 구비한 피처리물의 드라이 세정 처리를 행하는 엑시머 램프 장치이며, 동도면은 엑시머 램프의 관축에 수직인 단면에 있어서 나타내는 설명용 부분 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is an excimer lamp apparatus which performs the dry cleaning process of the to-be-processed object provided with an excimer lamp, The same figure is a partial cross section for explanatory drawing shown in the cross section perpendicular | vertical to the tube axis of an excimer lamp.
이 엑시머 램프 장치(10)는, 베이스 부재(12)가 필요에 따라서 배치되고, 그 내주에 광조사구(12A)가 형성됨과 동시에, 전체가 직방체의 상자 모양의 외장 커버(13)가 배치되어, 램프 하우스(11)가 구성된다. 이 램프 하우스(11)의 내부에, 광조사구(12A)에 대해서 평행한 면 상에, 자외광 광원인 복수의 엑시머 램프(20)가 서로 평행하게 연장되도록 설치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서 엑시머 램프는 4개 구비되어 있다. As for this
엑시머 램프 장치(10)는, 공장 내에 있어서의 롤러 컨베이어 등의 기판 반송용 기구(16)의 상부에 광조사구(12A)를 위치하도록 설치되고, 광 조사구(12A)의 하 방에 형성된 공간(S)에 액정 패널 기판 등의 피처리물인 기판(W)이 반송되게 된다.The
도 2는 도 1 중의 엑시머 램프를 설명하는 (a)관축 방향 단면도, (b)관축에 수직인 방향으로 절단한 단면도이다.It is (a) tube axis direction sectional drawing which demonstrates an excimer lamp in FIG. 1, and (b) is sectional drawing cut | disconnected in the direction perpendicular | vertical to a tube axis.
엑시머 램프(20)의 방전 용기(21)는 자외광을 투과하는 석영 유리로 구성되어 있다. 방전 용기(21)의 내부에는 엑시머 생성 가스이며 방전 가스인 크세논 가스가 60㎪의 봉입압으로 봉입되어 있다.The
방전 용기(21)의 내부에는 금속제의 코일로 이루어지는 한쪽의 전극(22)이 해당 방전 용기(21)의 축을 따라서 배치되어 있고, 방전 용기(21)의 양단에 형성된 핀치 씰부(21A, 21B)에 매설된 금속박(24A, 24B)에 접속되어 유지되어 있다.Inside the
방전 용기(21)의 외표면 상에는, 금속판으로 이루어지고 단면 반원형으로 성형된 물받이 모양의 다른 쪽의 전극(23)이, 해당 방전 용기(21)의 상부 위치에 밀착하여 배치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 다른 쪽의 전극(23)은 자외광에 대해서 반사성을 갖는 재질, 바람직하게는 알루미늄으로 이루어지고, 방전 용기(21)의 상방으로부터 출사한 자외광을 엑시머 램프 장치(10)에 있어서의 광조사구(12A)를 향해서 반사하는 반사 미러를 겸하고 있다. 또한, 이러한 다른 쪽의 전극(23)에 있어서는 그 위에 방전 용기(21) 사방에 걸쳐 그물 모양 전극을 덮는 것도 가능하다. 그 경우는 방전 영역이 확대되고, 한층 더 광출력을 기대할 수 있다.On the outer surface of the
또 이 다른 쪽의 전극(23)은, 엑시머 램프(20)로부터 광투사구(12A) 이외의 방향으로 방사된 자외광을 차광하는 차광 수단으로서의 기능도 갖고 있다.The
이러한 차광 수단을 구비함으로써, 도 1에 있어서, 기판(W)과 엑시머 램프(2 0)의 사이에 형성되는 공간(S) 이외의 부분에 방사되는 자외광이 차광되고, 기판(W)의 오염물질에 대해서 작용해야 할 H래디컬 및 OH래디컬이, 공간(S)의 전도(前途)에서 생성, 소비되는 것이 회피되게 되고, 기판(W)의 세정 효과를 올릴 수 있다. 이러한 차광 수단은, 엑시머 램프(20)를 구성하는 부재에 차광기능을 구비시키는 것 외에, 램프와는 다른 구성을 이용하여 부가적으로 설치하는 것도 가능하다. By providing such a light shielding means, in FIG. 1, ultraviolet light radiated to portions other than the space S formed between the substrate W and the
다시 도 2를 참조하여 램프 구성을 설명한다. 동도면에 있어서 부호 25는 유전체로 이루어지는 관재(管材)이며, 한쪽의 전극(22)의 전체 길이를 덮음으로써, 한쪽과 다른 쪽의 전극(22, 23)의 사이에 발생되는 방전을 램프의 길이 방향의 전체에 걸쳐 안정화시킬 수 있다. 또 방전 용기(21)의 양단부 근방에는 방전 공간 내부에 중공 원판상의 지지 부재(26A, 26B)가 배치되어 있고, 그 중심에 관재(25)가 관통되어 지지되어 있다. The lamp configuration will be described again with reference to FIG. 2. In the same figure,
도 1에 있어서, 엑시머 램프(20)의 상방에는, 해당 엑시머 램프(20)와 소정 거리 떨어져서, 냉각용의 유체가 유통하는 배관(14A)이 내부에 설치된 냉각용 블록(14)이 배치되어 있다. 냉각용 블록(14)의 상방에는, 도시를 생략한 엑시머 램프(20) 점등용의 전원 장치가 내장되어 있고, 점등 중, 전원 장치로부터 발생한 열 및 엑시머 램프(20)로부터 발생한 열을 이러한 냉각용 블록(14)이 흡수하고, 양 공간의 단열을 도모함과 함께, 엑시머 램프 장치(10)의 과열을 억제한다.In FIG. 1, above the
냉각용 블록(14)의 하방에는 가스 공급용 배관(15)이 배치된다. 가스 공급 용 배관(15)은, 알루미늄, 스테인리스 등으로 이루어지고, 예를 들면 냉각용 블록(14)의 저면에 도시를 생략한 홀더가 구비됨으로써 고정되고, 중공으로 유지되어 있다. 본 실시 형태에 있어서 가스 공급용 배관(15)은 전부 5개 구비되어 있고, 엑시머 램프(20)의 축에 대해 관의 축이 평행하게 또한 기판(W)의 반송 방향(화살표)에서 보아 램프와 배관이 교대로 되도록 나열되어 있다. 또한, 이 가스 공급용 배관(15)과 엑시머 램프(20)는 1개 걸러 교대로 배치하는 구성으로 한정되지 않고, 복수 개 걸러서 교대로 배치하는 것도 가능하다.Below the
도 3은 가스 공급용 배관(15)과 엑시머 램프(20)의 일부를 인출하여 나타내는, 설명용 사시도이다. 동도면에 나타내는 바와 같이 가스 공급용 배관의 측면에는 엑시머 램프의 상방의 공간을 향해서 개구가 설치되어 있고, 가스 분출구(15a)가 구성되어 있다. 가스 분출구(15a)는 가스 공급용 배관(15)의 길이 방향으로 엑시머 램프(20)의 전체 길이에 걸쳐 다수 설치되어 있고, 가스 공급용 배관(15)에 함유 수증기량이 제어된 불활성 기체가 공급되면, 가스 분출구(15a)로부터 가습화한 불활성 기체가 분출되고, 각 엑시머 램프(20)의 상부 공간에 가습화 불활성 기체가 빠짐없이 공급되게 된다. 또한 본 실시 형태에서는 다수의 구멍에 의해 가스 분출구(15a)를 구성했지만 이것에 한정되는 일없이, 슬릿 형상, 노즐 형상 등도 적절하다.FIG. 3: is explanatory perspective view which draws out and shows a part of the
가스 분출구(15a)로부터 방출된 가습화 불활성 기체는, 도 1에서 나타내는 바와 같이 엑시머 램프(20)의 상부 공간에 체류한 후, 엑시머 램프(20)의 관벽을 따라서, 가스 공급용 배관(15)과 엑시머 램프(20)와의 틈을 통과하여 램프 하우 스(11)의 광조사구(12A)를 향해 분출된다. 이와 같이, 가스 분출구(15a)로부터 공급되는 가스를 한 번 체류시키고 나서, 공간(S)을 향해서 방출하므로, 가습화 불활성 기체의 유속이 느려짐과 동시에 램프의 축방향으로 균일해지고, H2O의 농도가 균일해진다.The humidifying inert gas discharged from the gas ejection opening 15a stays in the upper space of the
또한, 엑시머 램프(20)의 상부 공간에 있어서는, 다른 쪽의 전극(23)이 배치되어 있기 때문에 자외광이 차광되어 있고, 자외광이 조사되는 일이 없다. 따라서 H2O가 엑시머 램프(20)와 기판(W)과의 사이에 형성된 공간(S)에 방출되기 이전에 H2O가 여기되는 일이 없으며, 쓸데없이 H래디컬이나 OH래디컬이 생성, 소비되는 일이 없어, 전극(23)의 산화를 확실히 방지할 수 있다.In addition, in the upper space of the
이어서, 도 4, 5를 참조하여 본 발명에 관한 가스 공급 수단의 일례에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 먼저 도 1~3에 대해서 설명한 구성에 대해서는 같은 부호로 나타내고, 상세 설명에 대해서는 생략한다.4 and 5, an example of the gas supply means which concerns on this invention is demonstrated in detail. In addition, about the structure demonstrated about FIGS. 1-3 first, it shows with the same code | symbol, and abbreviate | omits about detailed description.
도 4는 도 1의 엑시머 램프 장치에 있어서 가스 공급 수단에 관한 구성을 간략하게 도시하는 설명용 도면, 도 5는 가습 장치의 구성의 일례를 나타내는 설명용 도면이다. 또한, 여기에서는 불활성 기체로서 질소 가스(N2)를 이용한 예를 나타내지만, 그 외의 불활성 기체를 이용하는 것도 물론 가능하다.FIG. 4 is an explanatory diagram briefly showing a configuration of a gas supply means in the excimer lamp device of FIG. 1, and FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a configuration of a humidifier. In addition, where it represents an example using a nitrogen gas (N 2) as an inert gas, it is also possible as well as using any other inert gas.
도 4에 있어서, 질소 가스 공급원(40)은 가스 봄베 등으로 이루어지고, 이 질소 가스 공급원(40)으로부터 건조한 질소 가스가 가습 장치(50)에 공급된다. 한편, 가습용의 수원(41)은 공급수 탱크 등으로 이루어지고, 탈이온수(DIW)가, 상기 와 같이, 가습 장치(50)에 공급된다. 그리고 이것들을 바탕으로, 가습 장치(50)에 있어서 절대 습도가 소정으로 조정된 가습화 질소 가스가 생성되고, 결로가 예방된 배관(51) 및 분기 배관(52)을 통해서, 엑시머 램프 장치(10)에 있어서의 각 가스 공급용 배관(15)에 공급되게 된다.In FIG. 4, the nitrogen
도 5를 이용하여 가습 장치의 일례를 상세하게 설명한다. 도 5에 있어서, 수원(41)은 밸브(53) 및 역지 밸브(54)를 통해 가습 탱크(55)에 접속되어 있고, 동도면에 나타내는 바와 같이 가습 탱크(55)에는 공급수(탈이온수(DIW))가 도입되어 있다. 액면제어기(56)는 가습 탱크(55) 옆에 설치된 레벨 스위치(57)에 의해서 가습 탱크(55) 중의 탈이온수의 수위를 감시하고, 레벨 스위치(57)의 하한을 넘어 수면이 아래로 된 것을 검출하면, 액면제어기(56)와 밸브(53)의 사이에 접속된 배선을 통해, 해당 액면제어기(56)로부터 밸브(53)에 대해서 가습 탱크(55)에 급수를 재촉하는 지시를 송신한다.An example of a humidification apparatus is demonstrated in detail using FIG. 5, the
이 가습 탱크(55)의 내부에 질소 가스가 공급되어, 질소 가스가 가습화 처리된다. 이하, 이것에 대해 상세하게 설명한다. Nitrogen gas is supplied into this humidification tank 55, and nitrogen gas is humidified. This will be described in detail below.
질소 가스 공급원(40)으로부터, 유량계(58) 및 니들 밸브(59)를 통해 배관(60)으로부터 가습 탱크(55)에 건조 질소 가스가 공급된다. 또, 분기된 배관(61)의 앞은 니들 밸브(62)를 통해 가습 탱크(55) 내에 연통하는 배관(63)과 합류하고 있고, 습도 제어장치(64)에 접속되어 있다.Dry nitrogen gas is supplied from the nitrogen
습도 제어장치(64)는, 불활성 가스 중에 함유되는 물의 양을 검출하여 절대 습도(일반적으로 「혼합비」라고도 한다(단위:g/㎏)를 검출하는 습도 센서(641) 와, 이 습도 센서(641)로부터의 아날로그 출력 전압치를 디지털 출력 전압치로 변환하는 A/D변환부(642)와, 기억부(643)와, A/D변환부(642)로부터의 정보 및 기억부(643)에 기억되어 있는 데이터 등을 이용하여 연산하는 연산부(644)와, 연산부(644)로부터의 결과를 바탕으로 니들 밸브(62) 개폐 상태를 제어하는 신호를 송신하는 제어부(645)를 구비한다. The humidity controller 64 detects the amount of water contained in the inert gas and detects the absolute humidity (generally referred to as "mixing ratio" (unit: g / kg)), and the humidity sensor 641 Is stored in the A / D conversion unit 642, the
그리고, 공급된 질소 가스 중의 절대 습도를 감시하고, 가습화 질소 가스 중의 절대 습도가 소정의 범위보다 낮은 경우, 니들 밸브(62)의 폐쇄를 재촉하여 가습화한 질소 가스량을 증대시킨다. 절대 습도가 소정의 범위를 넘어 높은 경우는, 니들 밸브(62)를 열어 건조 질소 가스량을 증대시키고, 절대 습도를 저하시킨다.When the absolute humidity in the supplied nitrogen gas is monitored, and the absolute humidity in the humidified nitrogen gas is lower than the predetermined range, the closing of the needle valve 62 is promoted to increase the amount of humidified nitrogen gas. When the absolute humidity is high beyond the predetermined range, the needle valve 62 is opened to increase the amount of dry nitrogen gas and to lower the absolute humidity.
또한, 동도면에 있어서 나타내는 바와 같이, 가습 탱크(55)에는 용기 내부의 압력을 감시하는 압력계(66) 및, 안전 밸브(67)가 설치되고 있다. 또, 부호 68은 가습 탱크(55) 내의 물을 배출하기 위한 드레인 밸브이다.Moreover, as shown in the same figure, the humidification tank 55 is provided with the
이와 같이 하여, 가습 장치(50)를 나온 가스가, 배관(51) 및 분기관(52)을 통과하여 엑시머 램프 장치(10)에 있어서의 가스 공급용 배관(15)에 공급된다.In this manner, the gas exiting the
이어서, 도 6을 참조하여 상기와는 다른 구성의 가습 장치에 대해 설명한다. 또한, 먼저 도 4, 도 5에 의해 설명한 구성과 같은 구성에 대해서는 같은 부호로 나타내고 상세한 설명을 생략한다.Next, the humidification apparatus of a structure different from the above is demonstrated with reference to FIG. In addition, about the structure similar to the structure demonstrated by FIG. 4, FIG. 5, the same code | symbol is shown and detailed description is abbreviate | omitted.
가습 탱크(55)에는 공급수(탈이온수(DIW))가 도입되어 있고, 본례에 있어서 볼 탭(70)에 의해서 수량이 감시되어 있다. 볼 탭(70)의 위치가 소정보다 하강하면 수원(41)으로부터 배관(69)을 통해 공급수가 자동으로 공급된다.Supply water (deionized water (DIW)) is introduced into the humidification tank 55, and the water quantity is monitored by the
질소 가스 공급원(40)으로부터의 가스 공급 경로 및 가습 탱크(55)로부터의 가습 불활성 가스의 경로에 대해서는, 상기예와 같다. 즉, 공급수가 도입된 가습 탱크(55)에 있어서 가습화된 질소 가스는 배관(63)을 통해 습도 제어장치(64)에 보내져 습도 센서(641)에 있어서 절대 습도가 측정되고, 절대 습도가 소정 미만의 경우는 니들 밸브(62)를 폐쇄하여 습도를 올리고, 한편, 절대 습도가 소정보다 높은 경우는 니들 밸브(62)를 열어 건조 질소 가스의 비율을 늘려 습도를 내리고, 절대 습도의 조정이 행해진다. 이와 같이 하여 조정된 수증기를 함유한 질소 가스는, 배관(51)을 흘러 엑시머 램프 장치(10)에 있어서의 가스 공급용 배관(15)에 공급되게 된다. The gas supply path from the nitrogen
이상과 같이, 건조 불활성 가스의 공급원, 수원, 가습 장치 및 배관을 구비하여 구성되어 이루어지는 가스 공급 수단에 의해서, 수증기량이 소정으로 제어된 불활성 기체가 가스 공급용 배관에 공급된다.As mentioned above, the inert gas by which the amount of water vapor was predetermined is supplied to the gas supply piping by the gas supply means comprised with the supply source of a dry inert gas, a water source, a humidifier, and piping.
상술의 가습 장치를 구비함으로써, 가스 공급 장치로부터는 절대 습도, 즉 함유되는 수증기량이 소정으로 제어된 불활성 가스가 공급된다. 따라서, 램프 하우스 내의 온도가 변화한 경우에도 기판 표면 근방에 부유하는 물분자량이 증감하는 일없이, 안정된 드라이 세정 처리를 실현할 수 있다. 기판 표면 근방에 부유하는 H2O 분자의 수가 과다하면 자외광의 감쇠가 커져 기판 표면에 조사하는 자외광이 부족하고, 오염물질의 활성화가 충분히 행해지지 않는다. 한편, H2O 분자의 수가 과소하면 기판에의 자외광 조사가 확실히 행해지지만, H래디컬 및 OH래디컬이 부족 하여, 활성화한 오염물질의 분해가 곤란해진다. By providing the humidification apparatus described above, an inert gas whose absolute humidity, that is, the amount of water vapor contained therein, is supplied from the gas supply apparatus. Therefore, even when the temperature in the lamp house changes, a stable dry cleaning process can be realized without increasing or decreasing the amount of water molecules floating near the substrate surface. When the number of H 2 O molecules floating in the vicinity of the substrate surface is excessive, the attenuation of the ultraviolet light becomes large, the ultraviolet light to be irradiated onto the substrate surface is insufficient, and the contaminants are not sufficiently activated. On the other hand, when the number of H 2 O molecules is too small, ultraviolet light irradiation to the substrate is surely performed, but H radicals and OH radicals are insufficient, and decomposition of activated pollutants becomes difficult.
기판의 드라이 세정에 있어서 필요하게 되는 수증기량은, 중량 절대 습도가 0.5~6.5g/㎏이며, 보다 바람직하게는 1.0~6.0g/㎏, 더욱 바람직하게는 1.5~4.5g/㎏이다. 중량 절대 습도를 0.5~6.5g/㎏의 범위로 함으로써, 래디컬원으로서 산소를 이용한(물을 이용하지 않는) 기판 세정과 비교해도 큰 세정 효과를 올릴 수 있게 된다. 또한, 중량 절대 습도를 1.0~6.0g/㎏의 범위로 하면, 순수의 접촉각을 5°이상 더 작게 하는 것이 가능하게 되어, 확실히 세정 효과를 얻을 수 있다. 그리고 또한, 중량 절대 습도를 1.5~4.5g/㎏으로 하면, 기판의 순수의 접촉각을 세정에 요구되는 10° 근방에까지 작게 하는 것이 가능하고, 큰 세정 효과를 얻을 수 있게 된다. 한편, 중량 절대 습도가 7.0g/㎏ 이상이 되면, 래디컬원으로서 산소만을 이용한(물을 이용하지 않는) 기판 세정보다 세정 효과가 저하한다. The amount of water vapor required for dry cleaning of the substrate has a weight absolute humidity of 0.5 to 6.5 g / kg, more preferably 1.0 to 6.0 g / kg, still more preferably 1.5 to 4.5 g / kg. By setting the weight absolute humidity in the range of 0.5 to 6.5 g / kg, it is possible to increase a large cleaning effect even when compared to the substrate cleaning using oxygen (not using water) as the radical source. When the weight absolute humidity is in the range of 1.0 to 6.0 g / kg, the contact angle of pure water can be made smaller by 5 ° or more, and the washing effect can be reliably obtained. If the weight absolute humidity is 1.5 to 4.5 g / kg, the contact angle of the pure water of the substrate can be reduced to around 10 degrees required for cleaning, and a large cleaning effect can be obtained. On the other hand, when the weight absolute humidity becomes 7.0 g / kg or more, the cleaning effect is lower than that of the substrate cleaning which uses only oxygen (not using water) as the radical source.
여기서, 이상의 구성에 관한 엑시머 램프 장치의 처리를, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1에 있어서, 광조사구(12A)의 하방에 형성된 공간(S)에 액정 패널 기판 등으로 이루어지는 피처리용의 기판(W)이 반송되면, 가스 분출구(15a)로부터 방출된 가습화 불활성 기체가 엑시머 램프(20) 상부 공간을 경유하여, 엑시머 램프(20)의 관벽과 가스 공급용 배관(15)의 사이를 통과하여 기판(W) 표면에 유출한다. 이와 동시에, 엑시머 램프(20)로부터의 자외광(UV광)이 기판(W) 표면 및 수증기에 조사된다.Here, the process of the excimer lamp apparatus which concerns on the above structure is demonstrated, referring FIG. In FIG. 1, when the to-be-processed substrate W which consists of a liquid crystal panel board | substrate etc. is conveyed to the space S formed below 12 A of light irradiation ports, the humidification inert gas discharged | emitted from the
이렇게 하여, 기판 표면에 부착한 유기물질로 이루어지는 오염물질에 자외광 이 조사되면, 오염물질이 활성화함과 동시에, 자외광(UV광)을 흡수한 수증기(H2O)가 여기되어 H래디컬과 OH래디컬로 분해되어 활성종이 되어, 이것들이 활성화된 오염물질에 작용하여 휘발 물질로 변환한다. 공간(S)에는 엑시머 램프 장치(10)로부터 연속해서 가습화 불활성 기체가 유출하고 있기 때문에, 생성한 휘발 물질은 기판 표면으로부터 비산하고, 배기구(도시 생략)를 통해서 엑시머 램프 장치(10)의 외부에 방출된다.In this way, when ultraviolet light is irradiated to a contaminant made of an organic substance adhered to the surface of the substrate, the contaminant is activated and water vapor (H 2 O) absorbing ultraviolet light (UV light) is excited to generate H radicals. They break down into OH radicals and become active species, which act on the activated pollutants and convert them into volatiles. Since the humidifying inert gas flows out continuously from the
이러한 엑시머 램프 장치(10)에 의하면, 가습화 불활성 기체가 광조사구(12A)의 하방에 형성된 공간(S)(램프와 기판 사이의 공간)에 균일하게 공급되기 때문에, 기판(W) 표면에 부유하는 H래디컬 및 OH래디컬량이 일정화함과 동시에, 조사되는 자외광량도 일정화하고, 기판(W) 표면의 처리를 확실하게 행할 수 있다.According to such an
특히, 비활성 가스의 중량 절대 습도를 0.5~6.5g/㎏의 범위로 함으로써, 엑시머 램프로부터 방사된 자외광의 감쇠가 억제되고, 기판에 대해서도 적정량의 자외광이 조사됨과 동시에 H2O 분자로부터 발생하는 H래디컬 및 OH래디컬량도 또한, 기판 세정에 과부족이 없는 양이 생성되어, 높은 세정 효과를 올릴 수 있게 된다.In particular, by setting the weight absolute humidity of the inert gas in the range of 0.5 to 6.5 g / kg, the attenuation of the ultraviolet light emitted from the excimer lamp is suppressed, and an appropriate amount of ultraviolet light is irradiated to the substrate and generated from H 2 O molecules. The amount of H radicals and OH radicals to be added also generates an amount without excessive shortage in the substrate cleaning, thereby increasing the cleaning effect.
또, 상기 장치에 있어서, 불활성 가스에 대해서는 광조사구(12A)의 하방의 공간(S)에 공급되면 충분하기 때문에, 큰 장치 전체에 충전할 필요도 없고, 사용하는 불활성 가스량을 절약할 수 있어 러닝 코스트를 저감할 수 있다. 또한, 램프 하우스(10)의 광조사구(12A)를 석영 유리로 기밀로 덮을 필요도 없고, 자유롭게 엑시머 램프 장치(10)를 대형화할 수 있어, 장치 본체의 코스트도 저감 할 수 있다.In the above apparatus, since the inert gas is sufficient to be supplied to the space S below the
또한, 본 발명에 관한 엑시머 램프 장치에 있어서는, 기판 처리 장치 중의 반송 라인의 한 획에 설치하면 되고, 공간절약과 동시에 간단하게 장치를 구성할 수 있어 범용성이 높은 장치로 할 수 있다.Moreover, in the excimer lamp apparatus which concerns on this invention, what is necessary is just to provide it in one stroke of the conveyance line in a substrate processing apparatus, and an apparatus can be comprised easily at the same time as space saving, and can be set as a high versatility apparatus.
이어서, 도 7은 본 발명의 제2 실시 형태를 설명하는 엑시머 램프 장치의 설명용 단면도이다. 또한, 먼저 도 1~도 6에서 설명한 구성에 대해서는 같은 부호로 나타내고 상세한 설명을 생략한다.Next, FIG. 7 is sectional drawing for description of the excimer lamp apparatus explaining 2nd Embodiment of this invention. In addition, about the structure demonstrated in FIGS. 1-6 previously, the same code | symbol is shown and detailed description is abbreviate | omitted.
이 실시 형태가 상기 실시 형태와 상위한 점은 엑시머 램프의 형태이며, 여기에서는 직사각형 상자 모양으로 성형된 방전 용기를 구비한 것을 사용하고 있다.The point that this embodiment differs from the said embodiment is the form of an excimer lamp, and the thing provided with the discharge container shape | molded in rectangular box shape is used here.
우선, 도 8을 참조하여 엑시머 램프 구성을 설명한다. 도 8(a)는 이 엑시머 램프를 확대하여 나타내는 일부 파단선으로 나타낸 투과 사시도, (b)는 (a) 중의 A-A로 절단한 설명용 단면도이다. 방전 용기(31)의 재질은 상술과 같이, 자외광을 투과하는 석영 유리로 이루어지고, 방전 용기(31)의 내부에는, 크세논 가스가 봉입되어 있다. 방전 용기(31)의 외표면에 있어서의 광인출 측의 일면(지면에 있어서 하방면)에는 메쉬 형상으로 형성된 한쪽의 전극(32)이 형성되고, 이 면과 대향하는 외표면에 다른 쪽의 전극(33)이 형성되어 있다. 한쪽의 전극(32)에서는, 메쉬의 틈으로부터 자외광의 투과가 투과함으로써, 도 7에서 나타내는 바와 같이 대향면에 배치된 기판을 향해 자외광이 조사된다.First, the excimer lamp configuration will be described with reference to FIG. 8. Fig. 8A is a perspective view showing a partly broken line showing the excimer lamp in an enlarged manner, and Fig. 8B is an explanatory cross-sectional view taken along A-A in (a). As described above, the
본 실시 형태에 있어서, 한쪽과 다른 쪽의 전극(32, 33)의 표면에는, 내산화성의 보호막(34)이 형성되어 있다. 또한 보호막으로서는, 앞서 설명했지만 SiO2, Al2O3, TiO2 또는 이들의 복합물 등으로 이루어지는 막이 적합하다. 또한 한쪽의 전극(32) 상에 형성되는 보호막(34)은 자외광에 대해서 투과성을 갖는 것이 선택된다.In the present embodiment, an oxidation resistant
도 7에 나타내는 바와 같이, 램프 하우스(11) 상부에 배치된 가스 공급용 배관으로부터, 수증기량이 소정으로 조정된 불활성 가스가 공급되면, 엑시머 램프(30)와 가스 공급관(15)의 틈을 통과하여, 기판(W) 표면 상을 향해 통과한다. 이와 동시에, 엑시머 램프(30)로부터의 자외광이 기판(W) 표면에 조사되어, 부착하고 있던 유기물질로 이루어지는 오염물질을 활성화함과 동시에, 자외광(UV광)을 흡수한 수증기(H2O)가 여기되어 H래디컬과 OH래디컬로 분해되어 활성종이 되고, 이것들이 활성화된 오염물질에 작용하여 휘발 물질로 변환한다.As shown in FIG. 7, when an inert gas with a predetermined amount of water vapor is supplied from a gas supply pipe disposed above the
이와 같이, 본 발명에 관한 엑시머 램프 장치에 의하면, 엑시머 램프의 형태에 상관없이 확실히 세정 처리 기능을 발휘할 수 있다.Thus, according to the excimer lamp apparatus which concerns on this invention, a washing process function can be exhibited certainly regardless of the form of an excimer lamp.
또한, 특히 본 실시 형태와 같이 엑시머 램프의 광인출면이 기판의 피처리면에 대해서 평평한 구성인 경우는 가스의 흐름이 안정화되기 쉽고, 래디컬군의 회수를 보다 원활히 행할 수 있어 적합하다.Moreover, especially when the light extraction surface of an excimer lamp is flat with respect to the to-be-processed surface of a board | substrate like this embodiment, gas flow is easy to be stabilized and it is suitable because a radical group can be collect | recovered more smoothly.
이상, 본 발명의 실시 형태에 관한 엑시머 램프 장치에 대해서 상세하게 설명했지만, 본원 발명은 이 실시 형태에 한정되지 않고, 적절히 변경이 가능한 것은 말할 것도 없다.As mentioned above, although the excimer lamp apparatus which concerns on embodiment of this invention was described in detail, this invention is not limited to this embodiment, Needless to say that it can change suitably.
예를 들면, 엑시머 램프로서, 도 2, 도 8에 나타낸 것을 제시했지만 이러한 구성으로 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는, 방전 용기 형상으로서 종래부터 알려진 특허 문헌 1에 기재되는 지름이 작은 내관부와 지름이 큰 외관부가 같은 축에 배치되고, 그 양단부가 용착되어 밀봉된, 중공 원통형의 방전 공간을 형성하는 것을 이용해도 상관없다. 또, 상기 실시 형태에 대해 도 2에서 나타낸 액시머 램프에서는 다른 쪽의 전극이 반사판으로서 기능하는 것이었지만, 이 모양으로 한정되지 않고, 방전 용기에 있어서의 상부 외표면에 반사막을 형성해도 된다. 또, 다른 쪽의 전극에 대해서 반사성을 구비시키지 않고, 별체의 반사 미러를 장착해도 된다.For example, although what was shown to FIG. 2, FIG. 8 as an excimer lamp is shown, it is not limited to this structure. Specifically, as the shape of the discharge container, a hollow cylindrical discharge space in which a small inner tube portion and a large outer diameter portion described in Patent Document 1 known in the related art are arranged on the same axis, and both ends are welded and sealed. You may use it. Moreover, in the aximmer lamp shown in FIG. 2 about the said embodiment, although the other electrode functions as a reflecting plate, it is not limited to this form, You may form a reflecting film in the upper outer surface in a discharge container. Moreover, you may attach a separate reflection mirror, without providing reflectivity with respect to the other electrode.
또, 방전 용기의 외표면에 배치된 전극에 있어서 도 8에서 나타낸 바와 같이, 내산화성의 보호막을 형성하거나, 그 외의 수단에 의해 전극의 산화를 방지하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는 채용하지 않았지만, 자외광에 대해서 투과성을 갖는 보호관을 이용하고, 이것에 램프 전체를 수납하여, 전극 등을 H래디컬이나 OH래디컬로부터 보호하도록 구성해도 된다. Moreover, in the electrode arrange | positioned at the outer surface of a discharge container, as shown in FIG. 8, it is preferable to form an oxidation resistant protective film or to prevent oxidation of an electrode by other means. Although not employ | adopted in this embodiment, you may comprise so that the whole lamp may be stored in this and the electrode etc. are protected from H radical and OH radical, using the protective tube which has permeability | transmittance to ultraviolet light.
이와 같이 내산화성의 보호막이나 보호관을 채용함으로써, 한쪽의 전극의 주위에 H래디컬이나 OH래디컬이 부유한 경우에 있어서도 전극이 산화되는 일 없이, 안정된 방전을 실현할 수 있다.By employing an oxidation resistant protective film or protective tube in this manner, even when H radicals or OH radicals are floating around one electrode, stable discharge can be realized without oxidizing the electrodes.
이어서, 발명의 효과를 확인하기 위해서 실험예 1~2를 행했다. 또한, 하기 실험예 1~2에서 이용한 장치 사양은 일례이며, 이것에 한정되는 것은 아니다. Next, Experimental Examples 1-2 were performed in order to confirm the effect of this invention. In addition, the apparatus specification used by following Experimental Examples 1-2 is an example, It is not limited to this.
(실시예 1)(Example 1)
도 1의 구성에 기초하여 엑시머 램프 장치(10)의 실험기를 제작했다. 이 엑 시머 램프 장치(10)의 구체적인 구성은 이하와 같다.Based on the structure of FIG. 1, the experiment machine of the
엑시머 램프(20)는 도 2에 나타내는 구성을 가지며, 외경이 18.5㎜, 내경이 16.5㎜, 전체 길이가 2470㎜인 석영 유리제의 원통형의 방전 용기(21)를 구비하고, 관의 중심에 한쪽의 전극(22)을 배치함과 동시에, 방전 용기(21)의 외표면 상에 반원통형의 다른 쪽의 전극(23)을 배치하여 구성했다. 또, 이 방전 용기(21)의 내부에 압력이 60㎪인 엑시머 생성 가스를 봉입하고, 정격 소비 전력 600W의 엑시머 램프를 제작했다.The
이와 같이 제작한 엑시머 램프(20)를 4개 이용하여, 도 1의 구성에 관한 엑시머 램프 장치에 장착했다.Using the four
엑시머 램프(20)에 인접하여 배치한 가스 공급용 배관은 알루미늄제이며, 엑시머 램프의 상부 공간에 대향하는 위치에, 내경 0.7㎜의 작은 구멍으로 이루어지는 가스 분출구를 피치 10㎜로 형성한 것이다.The gas supply piping arranged adjacent to the
이상의 구성을 갖는 엑시머 램프 장치(10)에 있어서, 기판 반송용 기구(16) 상에 피처리물로서의 기판(W)을 탑재했다. 기판(W)을 두께 0.7㎜, 폭 2200㎜ 길이 2400㎜의 무알칼리 유리로 구성하고, 또한 그 표면을 오염 처리하여, 순수의 접촉각을 약 40°로 한 것을 이용했다.In the
기판(W)의 피처리면과 엑시머 램프(20)와의 최근접거리가 3㎜가 되도록 조절하여 램프 하우스(11)를 설치했다. 이 거리는, 일반적으로 사용되는 엑시머 램프 장치의 배치 조건에 가까운 것이다.The
또, 기판(W)의 반송 속도를 5m/min으로 했다. 램프 하우스의 조사 영역이 약 250㎜의 경우, 이 조건에 따르면, 엑시머 램프(20)로부터의 자외광 조사 시간은 약 3초간이 된다.Moreover, the conveyance speed of the board | substrate W was 5 m / min. When the irradiation area of the lamp house is about 250 mm, according to this condition, the ultraviolet light irradiation time from the
상기 구성에 관한 실험장치를 이용하여, 가스 공급관에 도입하는 불활성 가스의 습도를 여러 가지 변화시켜 기판 표면의 순수의 접촉각을 조사했다. 도 9는, 이하의 조건 1~로 세정 처리한 결과를 나타내는 도면이며, 세로축이 순수의 접촉각(°), 가로축이 상대습도(%RH)이다.The contact angle of the pure water on the surface of the board | substrate was investigated by changing the humidity of the inert gas introduce | transduced into a gas supply line using the experiment apparatus which concerns on the said structure. FIG. 9: is a figure which shows the result of washing process on condition 1-the following, A vertical axis | shaft is a contact angle (degree) of pure water, and a horizontal axis | shaft is relative humidity (% RH).
(조건 1)(Condition 1)
가스 봄베로부터 직접, 수증기를 함유하지 않는 건조 질소 가스를 가스 공급관에 도입했다. 수증기의 도입을 하지 않는 경우에는, 엑시머 램프에 의한 광이 기판 표면에 부유하는 산소에 조사하여, 오존이 생성하고, 또한 오존이 분해하는 경우에 발생하는 활성 산소의 작용에 의해서, 기판의 드라이 세정이 행해진다. 이 결과, 기판 표면의 순수의 접촉각은 자외광 조사전 40°이었던 것이 20°까지 저하하는 것을 알았다. 이 조건은 도 9에 있어서 상대습도 0%에 대응한다.Directly from the gas cylinder, dry nitrogen gas containing no water vapor was introduced into the gas supply line. When no water vapor is introduced, dry cleaning of the substrate is carried out by the action of active oxygen generated when the light emitted by the excimer lamp is irradiated to the oxygen floating on the surface of the substrate to generate ozone and decomposes the ozone. This is done. As a result, it turned out that the contact angle of the pure water on the surface of a board | substrate falls to 20 degrees which was 40 degrees before ultraviolet light irradiation. This condition corresponds to 0% relative humidity in FIG.
이어서, 가스 공급용 배관에 가습 장치를 부설하여 가습화한 불활성 가스를 램프 하우스 내에 공급할 수 있는 실험장치를 구성했다.Next, the experimental apparatus which can supply the humidifying apparatus to the gas supply piping and humidified inert gas in the lamp house was comprised.
(조건 2)(Condition 2)
공급하는 가스의 온도를 5℃로 강제 냉각하면서 일정하게 유지하고, 상대습도를 0%~100%까지 변화시켜 질소를 공급하고, 세정 효과를 확인했다. 이 결과를 도 9중에 ×표로 나타낸다. The temperature of the gas to be supplied was kept constant while forcibly cooling to 5 ° C, the relative humidity was changed from 0% to 100%, nitrogen was supplied, and the washing effect was confirmed. This result is shown by the x mark in FIG.
(조건 3)(Condition 3)
공급하는 가스의 온도를 10℃로 유지하고, 상대습도를 0%~100%까지 변화시켜 질소를 공급하고, 세정 효과를 확인했다. 이 결과를 도 9 중에 마름모꼴 표시로 나타낸다. The temperature of the gas to be supplied was kept at 10 ° C, the relative humidity was changed from 0% to 100%, nitrogen was supplied, and the washing effect was confirmed. This result is shown by the lozenge display in FIG.
(조건 4)(Condition 4)
공급하는 가스의 온도를 20℃로 유지하고, 상대습도를 0%~100%까지 변화시켜 질소를 공급하고, 세정 효과를 확인했다. 이 결과를 도 9 중에 사각 표시로 나타내다. The temperature of the gas to be supplied was maintained at 20 ° C, the relative humidity was changed from 0% to 100%, nitrogen was supplied, and the washing effect was confirmed. This result is shown by the square display in FIG.
(조건 5)(Condition 5)
공급하는 가스의 온도를 30℃로 유지하고, 상대습도를 0%~100%까지 변화시켜 질소를 공급하고, 세정 효과를 확인했다. 이 결과를 도 9 중에 삼각 표시로 나타낸다. The temperature of the gas to be supplied was kept at 30 degreeC, the relative humidity was changed to 0 to 100%, nitrogen was supplied, and the washing | cleaning effect was confirmed. This result is shown by the triangular mark in FIG.
(조건 6)(Condition 6)
공급하는 가스의 온도를 45℃로 유지하고, 상대습도를 0%~100%까지 변화시켜 질소를 공급하고, 세정 효과를 확인했다. 이 결과를 도 9 중에 동그라미 표시로 나타낸다. The temperature of the gas to be supplied was kept at 45 degreeC, the relative humidity was changed to 0 to 100%, nitrogen was supplied, and the washing | cleaning effect was confirmed. This result is shown by the circled circle in FIG.
도 9의 결과로부터 알 수 있듯이 각 온도에 있어서 접촉각이 최저가 되는 상대습도는 다르다. 이것은, 바꿔 말하면 상대습도를 제어해도 가스의 온도가 제어되어 있지 않은 경우에는 유효한 세정 효과를 얻을 수 없는 것을 의미하고 있다.As can be seen from the results in Fig. 9, the relative humidity at which the contact angle becomes the lowest at each temperature is different. In other words, this means that an effective cleaning effect cannot be obtained when the temperature of the gas is not controlled even if the relative humidity is controlled.
예를 들면, 상대습도 약 5%에서, 공급하는 불활성 가스 온도가 30~45℃의 경우는, 이런 종류의 유리의 세정에서 요구되는 접촉각 10°±1°이하로 내릴 수 있다. 그러나 같은 상대습도 5%를 유지해도, 가스의 온도가 20℃ 이하가 되면 순수의 접촉각은 15°보다 커져 버려, 원하는 효과를 얻을 수 없게 된다.For example, at a relative humidity of about 5%, when the inert gas temperature to be supplied is 30 to 45 ° C, the contact angle required for cleaning this kind of glass can be lowered to 10 ° ± 1 ° or less. However, even if the same relative humidity is maintained at 5%, when the gas temperature is 20 ° C. or lower, the contact angle of pure water becomes larger than 15 °, and a desired effect cannot be obtained.
또, 상대습도 20%의 경우에는, 최적인 온도는 20℃이며, 그 경우는 접촉각 10°±1° 이하로 내릴 수 있다. 그러나, 온도가 20℃보다 변화한 경우에는 접촉각 10°±1°이하로 내릴 수 없다. 또한, 가스의 온도가 45℃의 경우에서는 접촉각이 35°를 넘어 버려 수증기를 도입하지 않는 경우보다 나쁜 결과가 되어, 세정 효과를 얻을 수 없는 것이 밝혀졌다.Moreover, in the case of 20% of a relative humidity, the optimal temperature is 20 degreeC, and in that case, it can fall to a contact angle of 10 degrees +/- 1 degree or less. However, when the temperature changes more than 20 ° C, the contact angle cannot be lowered below 10 ° ± 1 °. Moreover, when the gas temperature was 45 degreeC, it turned out that the contact angle exceeds 35 degrees, and is worse than the case where no water vapor is introduce | transduced, and the cleaning effect was not acquired.
(실시예 2)(Example 2)
상기 실험예 1에서 이용한 엑시머 램프 장치에 도 4, 5에서 나타내는 가스 공급 장치를 부설하여 실험장치를 구성했다. 피처리물로서 상기 실험예 1에서 이용한 것과 같은 구성의 기판을 이용하여, 불활성 가스 중의 절대 습도(중량 절대 습도)를 0~8.0g/㎏의 사이로 변화시키고, 세정을 행하고, 기판 표면의 순수의 접촉각을 측정했다. 또한, 장치의 구동 조건도 상기 실험예와 같게 했다.The gas supply apparatus shown in FIG. 4, 5 was attached to the excimer lamp apparatus used by the said experiment example 1, and the experiment apparatus was comprised. Using a substrate having the same configuration as that used in Experimental Example 1 as the object to be treated, the absolute humidity (weight absolute humidity) in the inert gas was changed to 0 to 8.0 g / kg, and the washing was performed to obtain pure water on the surface of the substrate. The contact angle was measured. In addition, the driving conditions of the apparatus were made the same as the said experiment example.
실험예 2의 결과를 도 10에 나타낸다.The result of
수증기를 중량 절대 습도 0g/㎏로부터 증대시킴에 따라, 기판의 순수의 접촉각이 작아져, 3.0~3.5g/㎏근방에서 최저의 접촉각을 얻을 수 있게 된다. 그보다 중량 절대 습도가 커지면 접촉각은 서서히 커지고, 중량 절대 습도 7.0g/㎏을 넘으면, 수증기를 함유하지 않는 경우보다 나빠진다. 따라서, 필요로 되는 수증기량은, 중량 절대 습도가 0.5~6.5g/㎏이며, 이에 따르면, 수증기를 이용하지 않고 세정하는 경우와 비교하여 높은 효과를 실현할 수 있다. 또한, 중량 절대 습도가 1.0~6.0g/㎏의 경우는 접촉각 15° 미만을 달성할 수 있고, 또한, 1.5~4.5g/㎏로 하면, 유리 세정에서 요구되는 접촉각 10°±1° 이하로 내릴 수 있다.As the water vapor is increased from the weight absolute humidity of 0 g / kg, the contact angle of pure water of the substrate becomes small, and the lowest contact angle can be obtained in the vicinity of 3.0 to 3.5 g / kg. If the weight absolute humidity becomes larger than that, the contact angle gradually increases, and if the weight absolute humidity exceeds 7.0 g / kg, it becomes worse than the case where no water vapor is contained. Therefore, the required amount of water vapor has a weight absolute humidity of 0.5 to 6.5 g / kg, and accordingly, a high effect can be realized as compared with the case of washing without using water vapor. In addition, when the weight absolute humidity is 1.0 to 6.0 g / kg, the contact angle may be less than 15 °, and when it is 1.5 to 4.5 g / kg, the contact angle required for glass cleaning may be lowered to 10 ° ± 1 ° or less. Can be.
이상의 실험예의 결과로부터 명료한 바와 같이, 엑시머 램프 장치에 있어서 함유 수분량을 상대 습도로 제어·관리하고 있는 경우에는, 공급 가스의 온도에 따라서 기판의 세정 효과는 다르기 때문에, 안정된 세정 조건을 유지하는 것은 곤란하다. 상대습도로 관리하는 경우, 공급하는 가스의 온도도 관리함으로써, 소기의 세정 효과를 얻을 수 있게 되지만, 실사용을 생각하면 현실적이지 않다. 즉, 실제로는 엑시머 램프 본체가 고온이 되기 때문에, 기판을 처리하는 공간에 있어서의 분위기 온도도 적지 않은 영향이 생겨, 가스의 온도도 변동이 생기는 것이 상정된다. 불활성 가스의 온도 변화에 수반하여 상대습도를 변화시키지 않으면 안 되지만, 처리실 내에 습도 센서를 설치하는 경우에는 제어가 곤란한 것에 더하여, 상대습도를 응답 좋게 조정하는 것도 매우 실현성이 부족하다.As is evident from the results of the above experimental example, when the amount of moisture contained in the excimer lamp apparatus is controlled and controlled at relative humidity, the cleaning effect of the substrate varies depending on the temperature of the supply gas. It is difficult. In the case of managing at a relative humidity, the desired cleaning effect can be obtained by controlling the temperature of the gas to be supplied, but this is not practical considering practical use. That is, since the excimer lamp main body actually becomes a high temperature, the influence of the atmosphere temperature in the space which processes a board | substrate is not too small, and fluctuation | variation of the temperature of a gas is assumed. Although the relative humidity must be changed in accordance with the temperature change of the inert gas, in the case where the humidity sensor is installed in the processing chamber, control is difficult, and the relative humidity can be adjusted in a good response.
한편, 절대 습도를 관리하는 경우에는 세정 효과를 소기에 제어할 수 있고, 또한 온도에 거의 의존하지 않기 때문에, 엑시머 램프의 온도 상승 등을 고려하는 일없이, 확실히 세정효과를 올릴 수 있다.On the other hand, in the case of managing absolute humidity, the cleaning effect can be controlled in a desired manner, and since it hardly depends on the temperature, the cleaning effect can be reliably increased without considering the temperature rise of the excimer lamp and the like.
이와 같이, 기판의 표면 처리에 있어서는, 기판을 처리하는 공간에 존재하는 수분자의 절대량의 제어가 불가결한 것을 의미하고 있다. 이 때문에는, 불활성 기체 중의 절대 습도를 제어하는 것이 필요하다.Thus, in the surface treatment of a board | substrate, it is meant that control of the absolute amount of the moisture which exists in the space which processes a board | substrate is indispensable. For this reason, it is necessary to control the absolute humidity in an inert gas.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태를 나타내는, 엑시머 램프의 관축에 수직인 단면에 있어서 나타내는 설명용 부분 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a partial cross section for description shown in the cross section perpendicular | vertical to the tube axis of an excimer lamp which shows 1st Embodiment of this invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 엑시머 램프를 설명하는 (a)관축방향 단면도, (b)관축에 수직인 방향으로 절단한 단면도.Fig. 2 is a (a) tube axis direction sectional view and (b) cross section cut | disconnected in the direction perpendicular | vertical to a tube axis explaining an excimer lamp which concerns on 1st Embodiment of this invention.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 가스 공급용 배관과 엑시머 램프의 일부를 인출하여 나타내는, 설명용 사시도.FIG. 3 is an explanatory perspective view illustrating a part of the gas supply pipe and the excimer lamp that is drawn out according to the first embodiment of the present invention. FIG.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 가스 공급 수단에 관한 구성을 간략하게 도시하는 설명용 도면.4 is an explanatory diagram briefly showing a configuration of a gas supply means according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 가습 장치의 구성의 일례를 나타내는 설명용 도면.5 is an explanatory diagram showing an example of a configuration of a humidifying apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 가스 공급 수단에 관한 구성을 간략하게 도시하는 설명용 도면.FIG. 6 is a diagram for briefly showing a configuration of a gas supply means according to another embodiment of the present invention. FIG.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태를 설명하는 엑시머 램프 장치의 설명용 단면도.7 is an explanatory cross-sectional view of an excimer lamp device for explaining a second embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 (a)엑시머 램프를 확대하여 나타내는 일부 파단선으로 나타낸 투과 사시도, (b)(a) 중의 A-A로 절단한 설명용 단면도.Fig. 8 is a transmissive perspective view of a partly broken line showing an enlarged (a) excimer lamp according to a second embodiment of the present invention, and (b) for explanatory sectional view cut along A-A in (a).
도 9는 실험예 1의 결과를 나타내는, 불활성 가스의 상대습도와 순수의 접촉각의 관계를 나타내는 도면.9 is a diagram showing a relationship between the relative humidity of an inert gas and the contact angle of pure water, showing the result of Experimental Example 1. FIG.
도 10은 실험예 2의 결과를 나타내는, 불활성 가스의 절대 습도와 순수의 접촉각의 관계를 나타내는 도면.10 is a diagram showing the relationship between the absolute humidity of an inert gas and the contact angle of pure water, showing the result of Experimental Example 2. FIG.
도 11은 종래 기술에 관한 기판 처리 장치를 램프의 관축에 대해서 수직인 면으로 절단한 엑시머 램프 장치의 설명용 단면도.11 is an explanatory cross-sectional view of an excimer lamp device in which a substrate processing apparatus according to the prior art is cut into a plane perpendicular to the tube axis of the lamp.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings
10 엑시머 램프 장치 11 램프 하우스10
12 베이스 부재 12A 광출사구12
13 외장 커버 14 냉각용 블록13 Exterior cover 14 Cooling block
15 가스 공급용 배관 15a 가스 분출구15
16 기판 반송용 기구 S 공간16 Board transport mechanism S space
20, 30 엑시머 램프 21, 31 방전 용기20, 30
21A, 21B 핀치 씰부 22, 32 한쪽의 전극21A,
23, 33 다른 쪽의 전극 24A, 24B 금속박23, 33
25 관재 26A, 26B 지지 부재25
34 보호막 35 고주파 전원34
40 질소 가스 공급원 41 수원40
50 가습 장치 51, 60, 61, 63, 69 배관50
52 분기 배관 53 밸브52 branch piping 53 valve
54 역지 밸브 55 가습 탱크54 Check Valve 55 Humidification Tank
56 액면제어기 57 레벨 스위치56
58 유량계 59, 62 니들 밸브58 Flowmeter 59, 62 Needle Valve
64 습도 센서 65 히터64 humidity sensor 65 heater
66 압력계 67 안전 밸브66
68 드레인 밸브 70 볼 탭68
Claims (6)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00224516 | 2006-08-21 | ||
JP2006224516A JP5019156B2 (en) | 2006-08-21 | 2006-08-21 | Excimer lamp device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080017256A true KR20080017256A (en) | 2008-02-26 |
KR101046023B1 KR101046023B1 (en) | 2011-07-01 |
Family
ID=39128585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070081731A KR101046023B1 (en) | 2006-08-21 | 2007-08-14 | Excimer lamp unit |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5019156B2 (en) |
KR (1) | KR101046023B1 (en) |
CN (1) | CN101131228B (en) |
TW (1) | TWI390552B (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5092808B2 (en) * | 2008-03-06 | 2012-12-05 | ウシオ電機株式会社 | Ultraviolet irradiation unit and ultraviolet irradiation treatment device |
US8022377B2 (en) * | 2008-04-22 | 2011-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for excimer curing |
JP5195051B2 (en) * | 2008-06-09 | 2013-05-08 | ウシオ電機株式会社 | UV irradiation equipment |
JP5195111B2 (en) * | 2008-07-17 | 2013-05-08 | ウシオ電機株式会社 | Excimer lamp device |
TWI466735B (en) * | 2008-09-18 | 2015-01-01 | Gs Yuasa Int Ltd | Ultraviolet irradiation apparatus |
JP5045945B2 (en) * | 2008-10-01 | 2012-10-10 | ウシオ電機株式会社 | Excimer lamp device |
JP5083184B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-11-28 | ウシオ電機株式会社 | Excimer lamp device |
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JP5201042B2 (en) * | 2009-03-23 | 2013-06-05 | ウシオ電機株式会社 | Excimer lamp |
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DE102009058962B4 (en) | 2009-11-03 | 2012-12-27 | Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg | Method and device for treating substrates |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-08-21 JP JP2006224516A patent/JP5019156B2/en active Active
-
2007
- 2007-07-18 TW TW096126192A patent/TWI390552B/en active
- 2007-08-14 KR KR1020070081731A patent/KR101046023B1/en active IP Right Grant
- 2007-08-16 CN CN200710141093XA patent/CN101131228B/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101046023B1 (en) | 2011-07-01 |
CN101131228B (en) | 2010-10-13 |
TWI390552B (en) | 2013-03-21 |
JP5019156B2 (en) | 2012-09-05 |
CN101131228A (en) | 2008-02-27 |
JP2008043925A (en) | 2008-02-28 |
TW200823929A (en) | 2008-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 9 |