KR20080016129A

KR20080016129A - 유기 발광 표시 장치

Info

Publication number: KR20080016129A
Application number: KR1020060077823A
Authority: KR
Inventors: 성동영; 이근수
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-08-17
Filing date: 2006-08-17
Publication date: 2008-02-21
Also published as: KR100813840B1

Abstract

배선의 저항을 낮출 수 있도록, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 전원 공급 라인, 상기 기판 상에 형성되고, 전원 공급 라인상에 형성된 절연막, 상기 절연막 상에 형성되고 복수개의 화소를 포함하는 화소 영역, 상기 각 화소에 배치되는 복수개의 제1 전극, 상기 각 화소에 배치되는 복수개의 유기 발광층, 상기 각 화소 영역 상에 형성되며, 상기 전원 공급 라인에 전기적으로 연결된 제2 전극 및 상기 절연막에 형성된 것으로 상기 전원 공급 라인과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결시키는 비아홀을 포함하고, 상기 비아홀은 상기 전원 공급 라인을 따라 연장된 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic light emitting display apparatus}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.

도 2는 본 발명의 유기 발광 표시장치의 일 단위 화소의 화소 회로를 개략적으로 도시한 회로도이다.

도 3은 도 2에 대한 보다 구체적인 예를 도시한 회로도이다.

도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 절취한 단면도이다.

도 5은 도 1의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 절취한 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>

110: 기판 120: 버퍼층

130: 반도체층 140: 게이트 절연막

150: 게이트 전극 131,151,171: 제1,2,3 금속층

160: 층간 절연막 170: 소스 전극

175: 드레인 전극 180: 패시베이션막

181: 콘택홀 182: 비아홀

200: 화소 영역 210: 제1 전극

220: 화소 정의막 230: 유기 발광층

240: 개구부 300: 구동 전원 공급 라인

310: 구동 라인 320: 구동 전원 공급 단자

400: 제2 전극 410: 전원 공급 라인

420: 전원 공급 단자 500: 수직 구동 회로부

520: 수직 구동 단자 600: 수평 구동 회로부

620: 수평 구동 단자 700: 단자부

800: 밀봉부 900: 밀봉 기판

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 더 상세하게는 배선의 저항을 낮출 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

평판 디스플레이 장치 중에서도 유기 또는 무기 발광 표시장치는 자발광형 디스플레이 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 장치로 주목 받고 있다. 또한 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 표시 장치는 무기 발광 표시 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점을 가지고 있다.

한편 유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 수동 구동 방식의 패시브 매트릭스(passive matrix:PM)형과 능동 구동 방식의 액티브 매트릭스(active matrix:AM)형으로 구분된다. PM형은 양극과 음극이 컬럼(column)과 로우(row)로 배열되어 음극에는 로우 구동 회로로부터 스캐닝 신호가 공급되고 이때, 복수의 로우중 하나의 로우만이 선택된다. 또한 컬럼 구동회로에는 각 화소로 데이터 신호가 입력된다. 한편, AM형은 박막 트랜지스터(thin film transistor:TFT)를 이용해 각 화소 당 입력되는 신호를 제어하는 것으로 방대한 양의 신호를 처리하기에 적합하여 동영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치로 각광 받고 있다.

이러한 유기 발광 표시 장치에는 전극에 전원을 공급하기 위한 전원 공급라인이 형성된다. 그리고 전극과 전원 공급 라인은 비아홀을 통해 전기적으로 연결된다.

한편, 최근 디스플레이 장치의 해상도 증대 및 대형화 추세에 따라 소비 전력 절감과 휘도 향상 등의 화면 품질 문제가 중요하게 대두되고 있다. 그리고 이러한 화면 품질 문제에서 각 배선들의 저항은 중요한 요소로 작용한다. 그러나 종래의 비아홀을 형성할 때 전극과 전원 공급 라인이 연결되는 부분이 작아지거나 부분 식각되는 경우도 있어 전극과 전원 공급 라인이 콘택하지 않거나 또는 콘택하더라도 저항이 증가하여 유기 발광물질이 발광하지 않거나 휘도가 저하되는 문제가 있었다.

본 발명은 비아홀의 구조를 개선하여 전원 공급 라인부와 전극간 상하배선의 저항을 낮출 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 전원 공급 라인, 상기 기판 상에 형성되고, 전원 공급 라인상에 형성된 절연막, 상기 절연막 상에 형성되고 복수개의 화소를 포함하는 화소 영역, 상기 각 화소에 배치되는 복수개의 제1 전극, 상기 각 화소에 배치되는 복수개의 유기 발광층, 상기 각 화소 영역 상에 형성되며, 상기 전원 공급 라인에 전기적으로 연결된 제2 전극 및 상기 절연막에 형성된 것으로 상기 전원 공급 라인과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결시키는 비아홀을 포함하고, 상기 비아홀은 상기 전원 공급 라인을 따라 연장된 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

본 발명에 있어서 상기 제2 전극과 전원 공급 라인은 상기 절연층을 사이에 두고 중첩되는 구조이고, 상기 전원 공급 라인의 영역 중 상기 제2 전극과 중첩되는 부분의 대부분의 영역이 비아홀에 의해 노출될 수 있다.

본 발명에 있어서 상기 절연막은 아크릴을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.

본 발명에 있어서 상기 화소 영역은 복수 개의 박막 트랜지스터층을 포함하고, 상기 전원 공급 라인은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 혹은 드레인 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이고 도 2는 본 발명의 유기 발광 표시장치의 일 단위 화소의 화소 회로를 개략적 으로 도시한 회로도이며 도 3은 도 2에 대한 보다 구체적인 예를 도시한 회로도이다.

도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 절취한 단면도이고 도 5은 도 1의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 절취한 단면도이다.

도 1에서 알 수 있듯이 유기 발광 표시 장치는 기판(110)상에 화소 영역(200)이 형성되며 화소 영역(200)을 통해 화상이 구현된다. 화소 영역(200)은 밀봉 기판(900)에 의해 외부로부터 밀봉 된다. 기판(110)과 밀봉 기판(900)은 밀봉부(800)에서 서로 접합 된다. 그러나 밀봉부(800), 밀봉 기판(900)없이 봉지층을 형성할 수도 있다.

화소 영역(200)이 형성된 기판(110)의 일 측 단부에는 소정의 단자들이 배설된 단자부(700)가 놓인다. 단자부(700)는 밀봉부(800)의 외측으로 노출되어 있다.

화소 영역(200)의 주위에는 화소 영역(200)의 구동 라인(Vdd라인)(310)에 구동 전원을 공급하기 위한 구동 전원 공급 라인(300), 전극에 전원을 공급하는 전원 공급 라인(410) 및 화소 영역(200)에 인가되는 신호를 제어하는 각종 회로부들이 배설되어 있다.

구동 전원 공급 라인(300)은 단자부(700)의 구동 전원 공급 단자(320)로부터 화소 영역(200) 전체를 두르도록 배설되고, 화소 영역(200)을 가로지르는 구동 라인(310)과 연결되어 하부에도 배치된다.

화소 영역(200)의 일 측 변에는 화소 영역(200)의 유기 발광 소자의 일 전극과 전기적으로 연결되는 전원 공급 라인(410)을 배설한다. 유기 발광 소자의 일 전 극은 전원 공급 라인(410)을 덮도록 연장하여 형성할 수 있고 전극과 전원 공급 라인(410)의 사이에는 절연막이 개재되며 이들은 비아홀(182)에 의해 연결된다.

구동 전원 공급 라인(300)과 화소 영역(200)의 사이에는 수직 구동 회로부(500)및 수평 구동 회로부(600)가 각각 설치된다. 수직 구동 회로부(500)는 화소 영역(200)의 게이트 라인에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동 회로부가 될 수 있고 단자부(700)의 수직 구동 단자(520)와 연결된다. 수평 구동 회로부(600)는 화소 영역(200)의 데이터 라인에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동 회로부가 될 수 있고 단자부(700)의 수평 구동 단자(620)와 전기적으로 연결된다. 수직 및 수평 구동 회로부(500,600)는 기판(110) 상에 패터닝 방법으로 형성하거나 외장IC 또는 COG 등의 칩이 장착되도록 형성할 수 있다.

화소 영역(200)은 복수개의 화소를 포함하며 각 화소는 도 2에서 볼 수 있듯이 화소 회로를 가질 수 있다. 도 2를 참조하면 각 화소는 화소 회로를 가질 수 있다.

도 2에서 볼 수 있듯이 각 화소는 데이터 라인, 스캔 라인이 유기 발광 소자(OLED: organic light emitting diode)의 일 구동 전원이 되는 구동 라인(Vdd라인)(310)을 포함한다.

각 화소의 화소 회로는 데이터 라인, 스캔 라인 및 구동 라인(310)에 전기적으로 연결되어 있고, 유기 발광 소자의 발광을 제어하게 된다.

도 3은 도 2에 대한 구체적 예를 도시한 것인데 여기에서 볼 수 있듯이 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광표시장치의 각 화소는 구체적으로 스위칭 TFT(M2)와, 구동 TFT(M1)의 적어도 2개의 박막 트랜지스터와, 커패시터 유닛(Cst) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다

스위칭 TFT(M2)는 스캔 라인(Scan)에 인가되는 스캔 신호에 의해 ON/OFF되어 데이터 라인(Data)에 인가되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터(Cst) 및 구동 TFT(M1)에 전달한다. 스위칭 소자로는 반드시 도 3과 같이 스위칭 TFT(M2)만에 한정되는 것은 아니며, 복수개의 박막 트랜지스터와 커패시터를 구비한 스위칭 회로가 구비될 수도 있고, 구동 TFT(M1)의 Vth값을 보상해주는 회로나, 구동 라인(Vdd라인)(310)의 전압강하를 보상해주는 회로를 더 포함할 수도 있다.

구동 TFT(M1)는 스위칭 TFT(M2)를 통해 전달되는 데이터 신호에 따라, 유기 발광 소자(OLED)로 유입되는 전류량을 결정한다.

커패시터 유닛(Cst)은 스위칭 TFT(M2)를 통해 전달되는 데이터 신호를 한 프레임 동안 저장한다.

도 3에 도시된 회로도에서 구동 TFT(M1) 및 스위칭 TFT(M2)는 PMOS TFT로 도시되어 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 구동 TFT(M1) 및 스위칭 TFT(M2) 중 적어도 하나를 NMOS TFT로 형성할 수도 있음은 물론이다. 그리고, 박막 트랜지스터 및 커패시터의 개수는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 이보다 더 많은 수의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치는 도 4와 같은 단면을 가질 수 있다.

도 4를 참조하면 기판(110)상에 TFT, 밀봉부(800), 구동 전원 공급 라 인(300) 및 유기 발광 소자 등이 형성된다.

기판(110)은 아크릴, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 재료가 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, SUS, 텅스텐 등과 같은 금속 호일도 사용 가능하고, 글라스 재도 사용 가능하다.

기판(110)의 상면에는 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 버퍼층(120)이 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 절연층으로 형성한다.

버퍼층(120) 상에 TFT의 반도체층(130)이 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(140)이 형성된다. 반도체층(130)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있다. 반도체층(130)은 소스 영역, 드레인 영역 및 이들 사이에 형성되는 채널 영역을 포함한다.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 전극(150)이 형성되고, 이를 덮도록 층간 절연막(160)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(160) 상에는 소스 전극(170) 및 드레인 전극(175)이 형성되며, 이를 덮도록 패시베이션막(180) 및 화소 정의막(220)이 순차로 형성된다.

게이트 절연막(140), 층간 절연막(160), 패시베이션막(180) 및 화소 정의막(220)은 절연체로 형성될 수 있는 데, 단층 또는 복수 층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다.

상술한 바와 같은 TFT(40)의 적층 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니 며, 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다.

패시베이션막(180)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)의 한 전극인 제1 전극(210)이 형성되고, 그 상부로 절연막인 화소정의막(220)이 형성된다. 화소 정의막(220)은 아크릴을 포함한 재질로 형성될 수 있다. 화소정의막(220)에 소정의 개구부(240)를 형성해 제1 전극(210)을 노출시킨 후, 유기 발광 소자(OLED)의 유기 발광층(230)을 형성한다.

유기 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, TFT의 드레인 전극(175)에 콘택홀(181)을 통해 전기적으로 연결된 제1 전극(210)과, 전체 화소를 덮도록 형성된 제2 전극(400) 및 제1 전극(210)과 제2 전극(400)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광층(230)으로 구성된다.

제1 전극(210)과 제2 전극(400)은 유기 발광층(230)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기 발광층(230)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층(230)에서 발광이 이뤄지도록 한다.

유기 발광층(230)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있다. 저분자 유기막을 사용할 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다. 이 때, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 화소에 공통으로 적용될 수 있다. 따라서, 도 4와는 달리, 이들 공통층들은 제2 전극(400)과 같이, 전체 화소들을 덮도록 형성될 수 있다.

고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 형성된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.

유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.

제1 전극(210)은 애노우드 전극의 기능을 하고, 제2 전극(400)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 제1 전극(210)과 제2 전극(400)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.

기판(110)방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 제1 전극(210)은 투명 전극으로 형성될 수 있고, 제2 전극(400)은 반사 전극으로 형성될 수 있다. 이 때, 이러한 투명 전극은 일함수가 높고 투명한 ITO, IZO, In2O3, 및 ZnO 등을 사용하여 형성할 수 있고, 제2 전극(400)인 반사 전극은 일함수가 낮은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등 의 금속재로 형성할 수 있다.

전면 발광형(top emission type)일 경우, 제1 전극(210)은 반사 전극으로 형성될 수 있고, 제2 전극(400)이 투명 전극으로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 전극(210)이 되는 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 형성하여 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 전극(400)이 되는 투명 전극은, 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.

양면 발광형의 경우, 제1 전극(210)과 제2 전극(400) 모두를 투명 전극으로 형성할 수 있다. 제1 전극(210) 및 제2 전극(400)은 반드시 전술한 물질로 형성되는 것에 한정되지 않으며, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트 등으로 형성할 수도 있다. 이러한 전도성 페이스트를 사용할 경우, 잉크젯 프린팅 방법을 사용하여 프린팅할 수 있으며, 프린팅 후에는 소성하여 전극으로 형성할 수 있다.

유기 발광 소자(OLED)를 형성한 후에는, 그 상부를 밀봉하여 외기로부터 차단한다. 밀봉 하기 위해서 밀봉 기판(900)을 사용한다. 밀봉 기판(900)은 전술한 기판(110)과 같은 재질로 형성할 수 있다. 밀봉 시에는 실런트와 같은 접착제로 밀봉 기판(900)을 접착한다. 그래서 기판(110)과 접착되는 영역인 밀봉부(800)가 형성된다.

게이트 전극(150), 소스 전극(170) 및 드레인 전극(175)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물과 같은 금속물질을 포함하거나, ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질을 포함할 수 있다. 또한, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트를 사용할 수도 있다.

화소 영역(200)의 외측에는 구동 전원 공급 라인(300)이 형성된다. 구동 전원 공급 라인(300)은 단자부(700)의 구동 전원 공급 단자(320)와 전기적으로 연결되고 구동 전원 공급 라인(300)은 화소 영역(200) 전체에 걸쳐 균일한 구동 전원을 공급하여 휘도를 균일하게 하기 위해 화소 영역(200)을 전체적으로 둘러싸도록 형성하는 것이 좋다. 구동 전원 공급 라인(300)은 구동 라인(310)과 연결된다.

구동 라인(310)은 화소 영역(200)을 가로질러 배치되고 소스 전극(170)과 전기적으로 연결된다.

전원 공급 라인(410)은 화소 영역(200)의 일 측에 형성되는데 TFT의 소스 전극(170) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 동일한 물질로 동시에 형성할 수 있다. 전원 공급 라인(410)상에는 절연막이 형성되는데 패시베이션막(180)과 화소 정의막(220)이 절연막으로 형성될 수 있다. 그리고 전원 공급 라인(410)과 제2 전극(400)의 전기적 연결을 위해 패시베이션막(180) 및 화소 정의막(220)을 개구하여 비아홀(182)을 형성한다.

도 4에서 알 수 있듯이 비아홀(182)은 전원 공급 라인(410)의 폭을 대부분 노출시키도록 전원 공급 라인(410)을 따라 길게 연장된 1개의 구조로 형성한다. 본 발명에 의하면 전원 공급 라인(410)의 노출 영역은 기존 보다 확대되고 중간에 끊어짐 없이 개방되고 넓은 영역이다.

도 5는 도 1의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 절취한 단면도로서 비아홀(182)의 세로 단면도로서 비아홀(182)의 형상을 이해하기 쉽게 도시되어 있다. 즉 전원 공급 라인(410)과 제2 전극(400)이 수직으로 중첩되는 구조인데 이때 제2 전극(400)과 중첩 되는 전원 공급 라인(410)이 최대한 노출되도록 패시베이션막(180) 및 화소 정의막(220)을 개구하여 비아홀(182)을 형성한다.

종래에 비아홀(182)을 형성할 때 패시베이션막(180) 및 화소 정의막(220)이 덜 개구되어 콘택이 덜되는 문제가 있었으나 본 발명은 비아홀(182)을 1개의 넓고 개방된 구조로 형성하여 전원 공급 라인(410)의 노출 영역을 최대화하여 종전 보다 배선 저항을 줄일 수 있다.

비아홀(182)을 형성할 때는 TFT형성 시 마스크를 이용한 패터닝으로 형성할 수 있다. 비아홀(182)의 모양은 타원일 수 있고 띠 형태 일 수도 있으나 전원 공급 라인(410)의 노출 영역을 최대화하기 위해서는 전원 공급 라인(410)과 동일한 모양인 직사 각형으로 형성하는 것이 좋다.

한편 커패시터는 TFT 형성 시에 형성할 수 있는데 제1 금속층(131), 제2 금속층(151) 및 제3 금속층(171)이 수직으로 중첩되는 구조로 형성된다.

제1 금속층(131)은 반도체층(130)과 동일한 재질로 반도체층(130)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 제2 금속층(151)은 게이트 전극(150)과 동일한 재질로 게이트 전극(150)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 제3 금속층(171)은 소스 전 극 및 드레인 전극(175)과 동일한 재질로 소스 전극 및 드레인 전극(175)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다.

본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치는 전원 공급부와 전극간 상하 배선의 저항을 낮출 수 있다.

도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.

Claims

기판;

상기 기판 상에 형성된 전원 공급 라인;

상기 기판 상에 형성되고, 전원 공급 라인상에 형성된 절연막;

상기 절연막 상에 형성되고 복수개의 화소를 포함하는 화소 영역;

상기 각 화소에 배치되는 복수개의 제1 전극;

상기 각 화소에 배치되는 복수개의 유기 발광층;

상기 각 화소 영역 상에 형성되며, 상기 전원 공급 라인에 전기적으로 연결된 제2 전극 및

상기 절연막에 형성된 것으로 상기 전원 공급 라인과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결시키는 비아홀을 포함하고,

상기 비아홀은 상기 전원 공급 라인을 따라 연장된 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,

상기 제2 전극과 전원 공급 라인은 상기 절연층을 사이에 두고 중첩되는 구조이고,

상기 전원 공급 라인의 영역 중 상기 제2 전극과 중첩되는 부분의 대부분의 영역이 비아홀에 의해 노출되는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,

상기 절연막은 아크릴을 포함하는 재질로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,

상기 화소 영역은 복수 개의 박막 트랜지스터층을 포함하고,

상기 전원 공급 라인은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 혹은 드레인 전극과 동일한 물질로 형성된 유기 발광 표시 장치.