KR20070110688A - 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 - Google Patents
다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070110688A KR20070110688A KR1020060043477A KR20060043477A KR20070110688A KR 20070110688 A KR20070110688 A KR 20070110688A KR 1020060043477 A KR1020060043477 A KR 1020060043477A KR 20060043477 A KR20060043477 A KR 20060043477A KR 20070110688 A KR20070110688 A KR 20070110688A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- light emitting
- substrate
- emitting device
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 16
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 활성층 및 전극층을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서,상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 요철 구조로 형성된 제 1패턴; 및상기 제 1패턴의 요철 구조 상에 형성된 요철 구조의 제 2패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 요철 구조의 제 2패턴은 상기 제 1패턴의 요철 및 요철 구조 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철 구조는 각이 진 요철과 곡면형 요철 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 제 1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 또는 Si를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2패턴은 상기 제 1패턴의 요철구조의 돌출부 또는 홈 부위에 투광성 물질을 나노 패턴 구조로 형성시킨 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 5항에 있어서,상기 투광성 물질은 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 제 1반도체층;상기 제 1반도체층의 제 1영역 상에 순차적으로 형성된 활성층, 제 2반도체층 및 제 1전극층; 및상기 제 1반도체층의 제 2영역 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 돌출부는 곡면형 돌출부인 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,상기 기판은 사파이어 또는 Si를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 잇어서,상기 제 2패턴은 상기 제 1패턴의 다수의 곡면형 돌출부들 또는 상기 곡면형 돌출부들 사이의 영역에 투광성 물질을 나노 패턴 구조로 형성시킨 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,상기 투광성 물질은 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 제 1반도체층;상기 제 1반도체층의 제 1영역 상에 순차적으로 형성된 활성층, 제 2반도체층 및 제 1전극층; 및상기 제 1반도체층의 제 2영역 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 것을 특 징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060043477A KR100780233B1 (ko) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 |
EP07100133.3A EP1858090B1 (en) | 2006-05-15 | 2007-01-04 | Light emitting diode having multi-pattern structure |
US11/737,479 US8013354B2 (en) | 2006-05-15 | 2007-04-19 | Light emitting device having multi-pattern structure and method of manufacturing same |
JP2007121093A JP5206923B2 (ja) | 2006-05-15 | 2007-05-01 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060043477A KR100780233B1 (ko) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070110688A true KR20070110688A (ko) | 2007-11-20 |
KR100780233B1 KR100780233B1 (ko) | 2007-11-27 |
Family
ID=38024236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060043477A KR100780233B1 (ko) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8013354B2 (ko) |
EP (1) | EP1858090B1 (ko) |
JP (1) | JP5206923B2 (ko) |
KR (1) | KR100780233B1 (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100882240B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2009-02-25 | (주)플러스텍 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
US8049239B2 (en) | 2008-11-26 | 2011-11-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20120003119A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
KR20120012074A (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 및 그 제조 방법 |
KR101466833B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100736623B1 (ko) | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101371819B1 (ko) | 2007-11-08 | 2014-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100988146B1 (ko) | 2008-07-16 | 2010-10-18 | 주식회사 실트론 | 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및 이를 이용한 화합물반도체 소자 |
KR101064053B1 (ko) * | 2009-02-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101134810B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
CN101877377B (zh) * | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
US8491160B2 (en) * | 2009-05-12 | 2013-07-23 | Panasonic Corporation | Sheet, light emitting device, and method for producing the sheet |
US8203153B2 (en) * | 2010-01-15 | 2012-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | III-V light emitting device including a light extracting structure |
WO2011114541A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | シャープ株式会社 | 光電変換装置用基板、およびそれを用いた光電変換装置、ならびにそれらの製造方法 |
TW201145579A (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-16 | Epileds Technologies Inc | Substrate for light-emitting diode |
KR101009744B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2011-01-19 | (주)더리즈 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101193913B1 (ko) | 2010-08-23 | 2012-10-29 | 고려대학교 산학협력단 | 광결정 패턴이 형성된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
CN101980391A (zh) * | 2010-09-14 | 2011-02-23 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
TW201214802A (en) * | 2010-09-27 | 2012-04-01 | Nat Univ Chung Hsing | Patterned substrate and LED formed using the same |
JP5573632B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-08-20 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2012124257A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
CN102280534A (zh) * | 2011-07-06 | 2011-12-14 | 上海蓝光科技有限公司 | 预处理蓝宝石衬底提高led出光效率的方法 |
JP5885436B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2016-03-15 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
US8686433B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
KR20130035658A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 소자용 기판 제조 방법 |
CN103035799B (zh) * | 2011-10-07 | 2015-08-26 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103035798B (zh) * | 2011-10-07 | 2015-08-26 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103035800B (zh) * | 2011-10-07 | 2016-06-08 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103137812B (zh) | 2011-12-03 | 2015-11-25 | 清华大学 | 发光二极管 |
JP5980668B2 (ja) * | 2011-12-03 | 2016-08-31 | ツィンファ ユニバーシティ | 発光ダイオード |
JP5980667B2 (ja) * | 2011-12-03 | 2016-08-31 | ツィンファ ユニバーシティ | 発光ダイオード |
JP5980669B2 (ja) * | 2011-12-03 | 2016-08-31 | ツィンファ ユニバーシティ | 発光ダイオード |
CN103137816B (zh) | 2011-12-03 | 2015-09-30 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103137811B (zh) | 2011-12-03 | 2015-11-25 | 清华大学 | 发光二极管 |
RU2604568C2 (ru) * | 2012-04-02 | 2016-12-10 | Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн | Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента |
CN103050598B (zh) * | 2012-12-17 | 2016-06-01 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 混合型不等间距图形化衬底及其制备方法 |
EP2997606B1 (en) | 2013-05-15 | 2016-07-13 | Koninklijke Philips N.V. | Led with scattering features in substrate |
CN103887390B (zh) * | 2014-01-29 | 2017-06-27 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 图形化蓝宝石衬底及其制作方法、外延片的制作方法 |
DE102014108301A1 (de) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
JP5848807B2 (ja) * | 2014-08-20 | 2016-01-27 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
TWI623115B (zh) * | 2014-10-09 | 2018-05-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 具粗化表面之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法 |
CN104465927B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-08-25 | 华南理工大学 | 一种圆锥簇型图案的led图形优化衬底及led芯片 |
JP6638245B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2020-01-29 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
DE102015102365A1 (de) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungskörper und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskörpers |
DE102016200957A1 (de) * | 2016-01-25 | 2017-07-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat mit Strukturelementen und Halbleiterbauelement |
CN105821387B (zh) * | 2016-04-05 | 2018-08-17 | 南京航空航天大学 | 基于微米级阵列结构和氧化钇薄膜的蓝宝石光学性能提升方法 |
CN105845789A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-10 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种提高背光源亮度的衬底制作方法 |
FR3059828B1 (fr) | 2016-12-02 | 2019-05-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente a extraction augmentee |
FR3059788B1 (fr) | 2016-12-02 | 2019-01-25 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente a extraction augmentee |
CN108011001A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-05-08 | 苏州亿沃光电科技有限公司 | 具有羽化表面的堆叠式图形化led衬底及led器件 |
JP7260828B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2023-04-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI760231B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-04-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光元件及其顯示裝置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2393081C (en) * | 1999-12-03 | 2011-10-11 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements |
US6562644B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate, method of manufacturing the semiconductor substrate, semiconductor device and pattern forming method |
JP3556916B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2004-08-25 | 三菱電線工業株式会社 | 半導体基材の製造方法 |
US6787692B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-09-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Solar cell substrate, thin-film solar cell, and multi-junction thin-film solar cell |
US7053420B2 (en) * | 2001-03-21 | 2006-05-30 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN group semiconductor light-emitting element with concave and convex structures on the substrate and a production method thereof |
TW576864B (en) * | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
JP3802424B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2006-07-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004253743A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 付活剤を含有した基板を用いた発光装置 |
JP2005064492A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
KR100714639B1 (ko) * | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
US20050285128A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-12-29 | California Institute Of Technology | Surface plasmon light emitter structure and method of manufacture |
KR100568297B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP4857596B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2012-01-18 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
KR100586973B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 돌기부가 형성된 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자 |
TWM261838U (en) * | 2004-09-16 | 2005-04-11 | Super Nova Optoelectronics Cor | Structure for GaN based LED with high light extraction efficiency |
JP2006100518A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 |
KR100657941B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-12-14 | 삼성전기주식회사 | 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US20060204865A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light-emitting devices |
TWI248691B (en) * | 2005-06-03 | 2006-02-01 | Formosa Epitaxy Inc | Light emitting diode and method of fabricating thereof |
-
2006
- 2006-05-15 KR KR1020060043477A patent/KR100780233B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-01-04 EP EP07100133.3A patent/EP1858090B1/en active Active
- 2007-04-19 US US11/737,479 patent/US8013354B2/en active Active
- 2007-05-01 JP JP2007121093A patent/JP5206923B2/ja active Active
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100882240B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2009-02-25 | (주)플러스텍 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
WO2010030053A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | Plustek Co., Ltd | Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof |
US8049239B2 (en) | 2008-11-26 | 2011-11-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US8823029B2 (en) | 2008-11-26 | 2014-09-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20120003119A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
US9172000B2 (en) | 2010-07-02 | 2015-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20120012074A (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 및 그 제조 방법 |
KR101466833B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
WO2015005638A1 (ko) * | 2013-07-08 | 2015-01-15 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광장치용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광장치 |
US9515295B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-06 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5206923B2 (ja) | 2013-06-12 |
EP1858090A2 (en) | 2007-11-21 |
JP2007311784A (ja) | 2007-11-29 |
EP1858090B1 (en) | 2017-07-12 |
KR100780233B1 (ko) | 2007-11-27 |
EP1858090A3 (en) | 2009-09-02 |
US20070262330A1 (en) | 2007-11-15 |
US8013354B2 (en) | 2011-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100780233B1 (ko) | 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 | |
KR100714639B1 (ko) | 발광 소자 | |
KR100882240B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
US8274093B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
KR100896576B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
US9741897B2 (en) | Thin light emitting diode and fabrication method | |
US9000414B2 (en) | Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures | |
KR20120092325A (ko) | 광 결정 구조를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR100780175B1 (ko) | 발광 다이오드의 제조방법 | |
KR20120092326A (ko) | 광 결정 구조를 갖는 비극성 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
CN102244168A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
KR101274651B1 (ko) | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
KR101123010B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20070091243A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20070101424A (ko) | 발광 다이오드 | |
KR20080085519A (ko) | 발광 소자용 기판 및 그 제조방법 | |
KR20100044403A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100604562B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
US10892381B2 (en) | Semiconductor structure with layer having protrusions | |
KR20060134490A (ko) | 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
TWI786276B (zh) | 發光元件之製造方法 | |
KR101216500B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20110019643A (ko) | 반도체 광소자 및 그 제조방법 | |
KR20120068303A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121031 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131031 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141031 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151030 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181031 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191031 Year of fee payment: 13 |