KR20070100866A

KR20070100866A - Measurement method, measurement system, inspection method, inspection system, exposure method, and exposure system

Info

Publication number: KR20070100866A
Application number: KR1020077004584A
Authority: KR
Inventors: 신이치 오키타
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2005-01-24
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2007-10-12
Also published as: JPWO2006078025A1; TWI402890B; KR101193432B1; JP5278719B2; WO2006078025A1; TW200644078A

Abstract

A reticle is loaded on a reticle measurement device (step S50) and a face shape of the reticle held on a reticle holder of the reticle measurement device is measured in advance (step S52). Since the face shape difference between the reticle holder of the reticle measurement device and the reticle holder of an exposure device is known, it is possible to calculate the face shape of the reticle in a state equivalent to the state when it is held by the reticle holder of the exposure device (step S56). The calculated face shape is used, for example, for correction of the image formation state upon exposure.

Description

계측 방법, 계측 시스템, 검사 방법, 검사 시스템, 노광 방법 및 노광 시스템{MEASUREMENT METHOD, MEASUREMENT SYSTEM, INSPECTION METHOD, INSPECTION SYSTEM, EXPOSURE METHOD, AND EXPOSURE SYSTEM}Measurement method, measurement system, inspection method, inspection system, exposure method and exposure system {MEASUREMENT METHOD, MEASUREMENT SYSTEM, INSPECTION METHOD, INSPECTION SYSTEM, EXPOSURE METHOD, AND EXPOSURE SYSTEM}

기술분야Field of technology

본 발명은, 계측 방법, 계측 시스템, 검사 방법, 검사 시스템, 노광 방법 및 노광 시스템에 관한 것이고, 더욱 자세하게는, 노광에 이용되는 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 계측 방법 및 시스템, 노광에 이용되는 물체 상의 이물질 또는 일부의 결함을 검사하기 위한 검사 방법 및 시스템, 그 계측 방법 및 검사 방법을 이용한 노광 방법 및 노광 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a measurement method, a measurement system, an inspection method, an inspection system, an exposure method, and an exposure system, and more particularly, to a measurement method and system for measuring information about flatness of an object used for exposure. An inspection method and system for inspecting a defect of a foreign material or a part of an object to be used, and an exposure method and an exposure system using the measurement method and the inspection method.

배경기술Background

반도체 소자, 액정 표시 소자 등을 제조하기 위한 리소그래피 공정에서는, 마스크 또는 레티클 (이하 「레티클」이라고 총칭한다) 에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 통하여 레지스트 등이 도포된 웨이퍼 또는 유리 플레이트 등의 기판 (이하, 「웨이퍼」라고 총칭한다) 상에 전사하는 노광 장치, 예를 들어 스텝·앤드·리피트 방식의 축소 투영 노광 장치 (이른바 스테퍼) 나, 이 스테퍼에 개량을 추가한 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 투영 노광 장치 (이른바 스캐닝·스테퍼 등의 축차 (逐次) 이동형의 투영 노광 장치 (이하, 「노광 장치」라고 약칭한다) 가 주로 이용되고 있다. In a lithography process for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter collectively referred to as a "reticle") is a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a resist or the like through a projection optical system (hereinafter, Exposure apparatus transferred onto a "wafer" generically, for example, a reduced projection exposure apparatus (so-called stepper) of a step-and-repeat method, and a step-and-scan method in which an improvement is added to this stepper. A sand projection projection apparatus (sequentially shifted projection exposure apparatus (hereinafter, abbreviated as "exposure apparatus") such as scanning stepper is mainly used.

이런 종류의 투영 노광 장치의 투영 광학계에 있어서는, 한계에 가까운 해상력이 요구되고 있기 때문에, 최근에는, 그 해상력을 높이기 위해 투영 광학계의 개구수 (NA) 가 크게 설정됨에 따라 초점 심도 (DOF) 가 매우 얕아지고 있고, 투영 광학계의 광축 방향에 관하여, 웨이퍼의 노광면을 그 초점 심도 내에 위치시키는 포커스·레벨링 제어에 대한 요구 정밀도가 엄격해지고 있다. In the projection optical system of this type of projection exposure apparatus, since a resolution close to the limit is required, in recent years, the depth of focus (DOF) becomes very large as the numerical aperture (NA) of the projection optical system is set large in order to increase the resolution. It is becoming shallower, and with respect to the optical axis direction of a projection optical system, the required precision for the focus leveling control which positions the exposure surface of a wafer within the depth of focus becomes strict.

이러한 상황에서는, 레티클의 미소한 변형도 놓칠 수 없다. 예를 들어, 만일 레티클의 패턴 영역의 면 (패턴면) 이 거의 일정하게 투영 광학계측으로 휘어 있는 경우에, 투영 광학계의 광축 방향에 관한 웨이퍼의 목표 위치를 패턴 영역 전체면에서 동일하게 하면, 노광면이 DOF 로부터 어긋나 부분적으로 디포커스가 발생되어 버린다. In this situation, even minor modifications of the reticle cannot be missed. For example, if the surface (pattern surface) of the pattern region of the reticle is bent almost uniformly to the projection optical system, if the target position of the wafer with respect to the optical axis direction of the projection optical system is the same on the entire pattern region, exposure The surface deviates from the DOF, but partially defocuses.

또한, 레티클의 패턴면이 변형되면, 그 패턴면 상의 패턴의 투영 광학계의 광축에 수직인 방향의 결상 위치도 변화 (가로 어긋남) 되는 경우가 있고, 이러한 패턴의 가로 어긋남은 디스토션 오차의 요인으로도 된다. In addition, when the pattern surface of the reticle is deformed, the imaging position in the direction perpendicular to the optical axis of the projection optical system of the pattern on the pattern surface may also change (lateral shift), and the horizontal shift of such a pattern is also a factor of distortion error. do.

이상과 같은 배경으로부터, 레티클 평탄도의 보다 정밀한 관리가 요구되고 있다. 예를 들어 레티클 홀더에 있어서의 레티클의 유지 방법을 연구하거나 하는 기술은 그 일례이다 (예를 들어, 특허 문헌 1). 또, 요구되는 패턴의 전사 정밀도에 따른 레티클의 평탄도에 관한 규격이 엄격하게 규정되어 있고, 예를 들어, 레티클 표면의 최대값과 최소값의 차이로서 표현되는 평탄도가 0.5 미크론 이내인 것이 그 합격 기준으로서 채용되고 있다. From the above background, more precise management of reticle flatness is required. For example, the technique which studies the holding method of the reticle in a reticle holder is an example (for example, patent document 1). In addition, the standard for the flatness of the reticle in accordance with the required transfer accuracy of the pattern is strictly defined, for example, the flatness expressed as the difference between the maximum value and the minimum value of the reticle surface is within 0.5 micron. It is adopted as a standard.

그런데, 이 규격은, 어디까지나 레티클 자체의 평탄도에 관한 규격이며, 실 제의 노광 중에는, 이하의 이유 등에 의해 그 평탄도가 더욱 저하된다. By the way, this standard is the standard regarding the flatness of the reticle itself to the last, and during flat exposure, the flatness further falls for the following reasons.

(a) 자중 (自重) 에 의한 휨(a) deflection by self weight

(b) 레티클을 레티클 홀더 (테이블) 에 억지로 흡착 유지시킬 때에 양자의 접촉면의 평면도의 상이에 의해 발생되는 레티클의 변형 (b) Deformation of the reticle caused by the difference in the plan view of both contact surfaces when the reticle is forcibly adsorbed and held on the reticle holder (table)

레티클 홀더에 유지된 레티클의 변형은, 레티클마다, 나아가 노광 장치의 레티클 홀더마다 (호기 (號機) 마다와 거의 같은 뜻임) 상이한 것이 되기 때문에, 그때의 레티클의 평탄도에 관한 정보를 취득하기 위해서는, 노광 장치의 레티클 홀더에 노광에 이용되는 레티클을 실제로 흡착 유지시킨 상태에서 계측할 수 밖에 없다. 그러나, 이 경우에는, 일련의 노광 공정 중에, 레티클 홀더 상에 레티클을 유지한 후에 그 변형을 계측한다는 공정을 실시할 필요가 있기 때문에, 노광 공정에 있어서의 스루풋의 저하가 염려된다. Since the deformation of the reticle held in the reticle holder is different for each reticle and for each reticle holder of the exposure apparatus (which means almost the same as each exhalation), in order to obtain information about the flatness of the reticle at that time Measurement is inevitable in a state where the reticle used for exposure is actually adsorbed and held on the reticle holder of the exposure apparatus. However, in this case, since it is necessary to perform the process of measuring the deformation after holding a reticle on a reticle holder during a series of exposure processes, the fall of the throughput in an exposure process is concerned.

특허 문헌 1:일본 공개특허공보 2004-328014호 Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-328014

발명의 개시Disclosure of the Invention

과제를 해결하기 위한 수단Means to solve the problem

상기 사정 하에 이루어진 본 발명은, 제 1 의 관점에서 보면, 소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 공정을 포함하는 계측 방법이다.According to the first aspect of the present invention, in the first aspect, before the object is brought into the exposure apparatus that performs exposure using the object held in the predetermined holding apparatus, the state held in the predetermined holding apparatus or It is a measurement method including the prior acquisition process which acquires the information about the flatness of the said object in the state equivalent to it.

여기에서, 「소정의 유지 장치에 유지된 상태와 등가인 상태」란, 소정의 유지 장치에 유지된 상태는 아니지만, 소정의 유지 장치와 거의 동등한 유지 상태에 서 물체를 유지할 수 있는 유지 장치에 유지된 상태뿐만 아니라, 그 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하면, 그 정보로부터 소정의 유지 장치의 유지된 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보를 산출 또는 추정하는 것이 가능한 상태도 포함하는 것으로 한다. 또, 여기에서, 「물체의 평탄도에 관한 정보」란, 그 물체 면의 평탄도의 산출에 유용한 정보이며, 예를 들어, 그 물체의 면형상 데이터를 대표적인 것으로서 들 수 있다. Here, the "state equivalent to the state held by a predetermined holding device" is not a state held by a predetermined holding device, but is held by a holding device that can hold an object in a holding state that is substantially equivalent to the predetermined holding device. In addition to the turned-on state, when the information on the flatness of the object in the state is acquired, it is also possible to calculate or estimate the information on the flatness of the object in the held state of the predetermined holding device from the information. I shall do it. In addition, "information about the flatness of an object" is information useful for calculation of the flatness of the object surface here, for example, can mention surface shape data of the object as a typical thing.

이것에 의하면, 노광에 이용되는 물체를 노광 장치에 반입하기 전에, 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하기 때문에, 노광 장치에 있어서의 스루풋에 영향을 주지 않고, 그 물체의 평탄도에 관한 정보를 노광 전에 인식할 수 있다. According to this, since information regarding the flatness of the object in the state held by the predetermined holding | maintenance apparatus or the state equivalent to it is acquired before carrying in the exposure apparatus into the exposure apparatus, in the exposure apparatus, Information on the flatness of the object can be recognized before exposure without affecting the throughput.

본 발명은, 제 2 관점에서 보면, 마스크 상에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 통하여, 감광 물체 상에 전사하는 노광 방법으로서, 본 발명의 계측 방법을 이용하여, 상기 마스크 및 상기 감광 물체의 적어도 일방의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 계측 공정과 ; 상기 계측의 결과에 기초하여, 상기 투영 광학계의 결상 특성의 보정과, 상기 마스크 및 상기 감광 물체의 상대 위치의 보정의 적어도 일방을 실시하면서, 상기 패턴을 상기 감광 물체 상에 전사하는 전사 공정을 포함하는 제 1 노광 방법이다. 이러한 경우에는, 본 발명의 계측 방법을 이용하여 노광에 이용되는 마스크 또는 감광 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하기 위해, 스루풋을 저하시키지 않고, 고정밀도인 노광을 실현할 수 있다. This invention is an exposure method which transfers the pattern formed on the mask on the photosensitive object through a projection optical system from a 2nd viewpoint, At least one of the said mask and the said photosensitive object using the measuring method of this invention. A measurement step of measuring information on the flatness of the filter; And a transfer step of transferring the pattern onto the photosensitive object while performing at least one of correcting the imaging characteristic of the projection optical system and correcting the relative position of the mask and the photosensitive object based on the measurement result. It is a 1st exposure method to make. In such a case, in order to measure the information regarding the flatness of the mask or photosensitive object used for exposure using the measuring method of this invention, high precision exposure can be implement | achieved without reducing a throughput.

본 발명은, 제 3 관점에서 보면, 소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하 여 노광을 실시하는 노광 방법으로서, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도가 양호해지도록, 상기 물체의 유지 상태를 조정하는 공정과 ; 상기 조정된 유지 상태에서 상기 소정의 유지 장치에 의해 상기 물체를 유지하면서, 상기 패턴을 상기 감광 물체 상에 전사하는 공정을 포함하는 제 2 노광 방법이다. 이러한 경우에는, 소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시할 때에, 그 물체의 평탄도가 양호해지도록, 그 유지 상태가 조정된 유지 장치에 의해 물체를 유지할 수 있기 때문에, 고정밀도인 노광을 실현할 수 있다. According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method for performing exposure using an object held in a predetermined holding device, so that the flatness of the object in a state held in the predetermined holding device becomes good. Adjusting a holding state of the object; And transferring the pattern onto the photosensitive object while holding the object by the predetermined holding device in the adjusted holding state. In such a case, when the exposure is performed using an object held in a predetermined holding device, the object can be held by the holding device in which the holding state is adjusted so that the flatness of the object is good, so that high accuracy is achieved. Phosphorous exposure can be realized.

본 발명은, 제 4 관점에서 보면, 소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 물체 상에 부착된 이물질 및 상기 물체의 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 공정을 포함하는 검사 방법이다. 이것에 의하면, 노광에 이용되는 물체를 노광 장치에 반입하기 전에, 물체 상에 부착된 이물질 및 물체의 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 취득하기 때문에, 노광 장치에 있어서의 스루풋에 영향을 주지 않고, 그 물체에 부착된 이물질 및 물체의 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 재빨리 인식할 수 있다. According to the fourth aspect of the present invention, before bringing the object into the exposure apparatus that performs exposure using the object held in the predetermined holding device, the defects of the foreign matter attached to the object and the deficiency of a part of the object are prevented. It is an inspection method including the prior acquisition process which acquires the information regarding at least one. According to this, since information regarding at least one of the foreign matter adhering on an object and the defect of a part of an object is acquired before bringing into the exposure apparatus the object used for exposure, it does not affect the throughput in an exposure apparatus. Instead, information on at least one of the defects of the foreign matter attached to the object and a part of the object can be quickly recognized.

본 발명은, 제 5 관점에서 보면, 마스크 상에 형성된 패턴을 투영 광학계 를 통하여, 감광 물체 상에 전사하는 노광 방법으로서, 본 발명의 검사 방법을 이용하여, 상기 마스크 상 및 상기 감광 물체 상의 적어도 일방에 대한 이물질의 부착 또는 일부의 결손에 대한 사전 처리를 실시하는 사전 처리 공정과 ; 상기 사전 처리 결과에 기초하여, 상기 패턴을 상기 감광 물체 상에 전사하는 전사 공정을 포함하 는 제 3 노광 방법이다. 이러한 경우에는, 본 발명의 검사 방법을 이용하여, 마스크 또는 감광 물체 상의 이물질의 부착 또는 일부의 결손을 노광 장치에 반입하기 전에 검출하고, 그 검출 결과에 기초하여 노광을 실시하기 때문에, 그 이물질의 부착 또는 일부의 결손에 수반되는 수율의 저하를 방지할 수 있다. This invention is an exposure method which transfers the pattern formed on the mask on the photosensitive object through a projection optical system from a 5th viewpoint, The at least one on the said mask image and the said photosensitive object using the inspection method of this invention. A pretreatment step of performing pretreatment for the attachment of a foreign substance to the foreign matter or a defect of a part thereof; It is a 3rd exposure method including the transfer process which transfers the said pattern on the said photosensitive object based on the said preprocessing result. In such a case, the inspection method of the present invention is used to detect the adhesion of the foreign matter on the mask or the photosensitive object or the defect of a part of the foreign matter before bringing it into the exposure apparatus, and the exposure is performed based on the detection result. The fall of the yield accompanying attachment or some defect can be prevented.

본 발명은, 제 6 관점에서 보면, 소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치와 ; 상기 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 장치를 구비하는 제 1 노광 시스템이다. 이것에 의하면, 노광에 이용되는 물체를 노광 장치에 반입하기 전에, 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득한다. 이와 같이 하면, 노광 장치에 있어서의 스루풋에 영향을 주지 않고, 그 물체의 평탄도에 관한 정보를 노광 전에 인식할 수 있다. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus configured to perform exposure using an object held in a predetermined holding apparatus; It is a 1st exposure system provided with the preacquisition apparatus which acquires the information about the flatness of the object in the state hold | maintained at the said predetermined holding | maintenance apparatus, or the state equivalent to it before bringing into the said exposure apparatus. . According to this, before the object used for exposure is carried into an exposure apparatus, the information regarding the flatness of the object in the state hold | maintained in the predetermined | prescribed holding | maintenance apparatus, or the state equivalent to it is acquired. In this way, information on the flatness of the object can be recognized before exposure without affecting the throughput in the exposure apparatus.

본 발명은, 제 7 관점에서 보면, 소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치와 ; 상기 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 물체 상의 이물질 및 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 장치를 구비하는 제 2 노광 시스템이다. 이러한 경우에는, 사전 취득 장치를 이용하여 노광에 이용되는 물체 상의 이물질 및 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를, 그 물체를 노광 장치에 반입하기 전에 취득할 수 있다. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus configured to perform exposure using an object held in a predetermined holding apparatus; It is a 2nd exposure system provided with the pre-acquisition apparatus which acquires the information regarding at least one of the foreign material and some defect | defects on the said object, before bringing into the said exposure apparatus. In such a case, the information regarding at least one of the foreign matter on the object used for exposure and a partial defect can be acquired using the prior acquisition apparatus, before carrying the object into the exposure apparatus.

도면의 간단한 설명Brief description of the drawings

도 1 은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 노광 시스템의 구성을 개략적으 로 나타내는 도면이다. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure system according to a first embodiment of the present invention.

도 2 는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 3(A) 는 레티클 홀더의 구성의 일례를 나타내는 사시도이고, 도 3(B) 는 웨이퍼 홀더의 구성의 일례를 나타내는 사시도이다. 3: (A) is a perspective view which shows an example of a structure of a reticle holder, and FIG. 3 (B) is a perspective view which shows an example of a structure of a wafer holder.

도 4 는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 레티클 계측기의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. It is a figure which shows roughly the structure of the reticle measuring device which concerns on 1st Embodiment of this invention.

도 5 는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 트랙의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration of a track according to the first embodiment of the present invention. FIG.

도 6 은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 웨이퍼 계측기의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.It is a figure which shows roughly the structure of the wafer measuring machine concerning 1st Embodiment of this invention.

도 7 은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 레티클의 면형상의 사전 계측의 준비 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. It is a flowchart which shows the processing sequence of the preparation process of the pre-measurement of the surface shape of the reticle which concerns on 1st Embodiment of this invention.

도 8 은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 레티클의 면형상의 계측의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. It is a flowchart which shows the processing procedure of the measurement of the surface shape of the reticle which concerns on 1st Embodiment of this invention.

도 9 는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 웨이퍼의 면형상의 계측의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. Fig. 9 is a flowchart showing a processing procedure of measuring the surface shape of a wafer according to the first embodiment of the present invention.

도 10 은 노광 동작의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 10 is a flowchart showing a processing procedure of an exposure operation.

도 11 은 레티클의 면형상의 계측 결과의 제 1 일례를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the 1st example of the measurement result of the surface shape of a reticle.

도 12 는 레티클의 면형상의 계측 결과의 제 2 일례를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the 2nd example of the measurement result of the surface shape of a reticle.

도 13 은 웨이퍼의 면형상의 계측 결과의 제 3 일례를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the 3rd example of the measurement result of the surface shape of a wafer.

도 14 는 본 발명의 제 1 실시 형태에 있어서의 파이프라인 처리를 설명하기 위한 도면이다. It is a figure for demonstrating the pipeline process in 1st Embodiment of this invention.

도 15 는 본 발명의 제 2 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 계측기의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다. It is a figure which shows schematic structure of the wafer measuring instrument in 2nd Embodiment of this invention.

도 16 은 본 발명의 제 2 실시 형태에 관련된 레티클의 면형상의 계측의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. It is a flowchart which shows the processing sequence of the measurement of the surface shape of the reticle which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

도 17 은 본 발명의 제 3 실시 형태에 있어서의 레티클 계측기의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다. It is a figure which shows schematic structure of the reticle measuring instrument in 3rd Embodiment of this invention.

도 18 은 본 발명의 제 3 실시 형태에 관련된 웨이퍼의 면형상의 계측의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. It is a flowchart which shows the processing sequence of the measurement of the surface shape of the wafer which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

발명을 실시하기To practice the invention 위한 최선의 형태 Best form for

<제 1 실시 형태> <1st embodiment>

이하, 본 발명의 제 1 실시 형태를 도 1∼도 14 에 기초하여 설명한다. 도 1 에는, 본 발명에 관련된 계측 방법 및 노광 방법을 바람직하게 실시할 수 있는 제 1 실시 형태의 노광 시스템 (200) 의 전체 구성이 개략적으로 나타나 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment of this invention is described based on FIGS. In FIG. 1, the whole structure of the exposure system 200 of 1st Embodiment which can implement the measuring method and exposure method which concerns on this invention preferably is shown schematically.

이 노광 시스템 (200) 은, 감광 물체로서의 반도체 웨이퍼나 유리 플레이트 등의 기판 (이하, 총칭하여 「웨이퍼」라고 한다.) 을 처리하여, 마이크로 디바이스 등의 장치를 제조하는 「기판 처리 공장」에 설치되어 있다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 노광 시스템 (200) 은, 레이저 광원 (1) 등을 구비한 노광 장치 (100), 그 노광 장치 (100) 에 인접하여 배치된 도포 현상 장치 (이하, 「트랙」이라고 한다 ; 300), 레티클의 면형상을 계측하는 레티클 계측기 (800A) 를 구비하고 있다. 트랙 (300) 내에는, 웨이퍼 계측기 (400A) 가 설치되어 있다.This exposure system 200 processes a board | substrate (henceforth generically "wafer"), such as a semiconductor wafer or a glass plate as a photosensitive object, and installs it in the "substrate processing plant" which manufactures apparatuses, such as a micro device. It is. As shown in FIG. 1, the exposure system 200 is the exposure apparatus 100 equipped with the laser light source 1, etc., and the application | coating development apparatus (henceforth "track") arrange | positioned adjacent to the exposure apparatus 100. 300), and a reticle measuring instrument 800A for measuring the surface shape of the reticle. In the track 300, a wafer measuring device 400A is provided.

이 노광 장치 (100) 및 트랙 (300) 의 조합에 대해서는, 이들을 일체로 하여 「기판 처리 장치」로 간주할 수 있다. 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼 상에 포토레지스트 등의 감광제를 도포하는 도포 공정과, 웨이퍼의 평탄도에 관한 정보 (면형상) 를 사전에 취득하는 사전 취득 공정과 ; 감광제가 도포된 웨이퍼 상에, 레티클 상에 형성된 패턴을 전사하는 노광 공정과, 노광 공정이 종료된 웨이퍼를 현상하는 현상 공정 등을, 필요한 때에는 노광 시스템 (200) 내의 다른 장치와 협조하면서 실시한다. 이 중, 도포 공정 및 현상 공정은 트랙 (300) 에 의해 실시되고, 노광 공정은 노광 장치 (100) 에 의해 실시되며, 사전 취득 공정은 트랙 (300) 및 후술하는 해석 시스템 (600) 에 의해 실시된다. 또한, 레티클의 면형상의 사전 취득 공정은, 레티클 계측기 (800A) 및 후술하는 해석 시스템 (600) 에 의해 실시된다. About the combination of this exposure apparatus 100 and the track 300, these can be considered as a "substrate processing apparatus" integrally. The substrate processing apparatus includes a coating step of applying a photoresist such as a photoresist onto a wafer, and a pre-acquisition step of acquiring information (plane shape) relating to the flatness of the wafer in advance; The exposure step of transferring the pattern formed on the reticle on the wafer coated with the photosensitive agent, the developing step of developing the wafer on which the exposure step is completed, and the like are carried out in cooperation with other apparatuses in the exposure system 200 when necessary. Among them, the coating step and the developing step are carried out by the track 300, the exposure step is carried out by the exposure apparatus 100, and the pre-acquisition step is carried out by the track 300 and the analysis system 600 described later. do. In addition, the reticle surface prior acquisition process is performed by the reticle measuring device 800A and the analysis system 600 mentioned later.

기판 처리 장치에 있어서, 노광 장치 (100) 및 트랙 (300) 은, 서로 인라인 접속되어 있다. 여기에서의 인라인 접속이란, 장치 간 및 각 장치 내의 처리 유닛 사이를, 로봇 아암이나 슬라이더 등의 웨이퍼를 자동 반송 (搬送) 하는 반송 장치를 통하여 접속하는 것을 의미한다.In the substrate processing apparatus, the exposure apparatus 100 and the track 300 are connected inline with each other. In-line connection here means connecting between the apparatuses and the processing units in each apparatus via the conveying apparatus which automatically conveys wafers, such as a robot arm and a slider.

또, 도 1 에서는, 지면의 사정상, 기판 처리 장치가 1 개밖에 도시되어 있지 않지만, 실제로는, 노광 시스템 (200) 에는 복수 대의 기판 처리 장치가 설치되어 있다. 즉, 노광 시스템 (200) 에 있어서는, 노광 장치 (100) 와, 노광 장치 (100) 에 인라인 접속된 트랙 (300) 이 복수 대 설치되어 있다. In addition, in FIG. 1, only one substrate processing apparatus is shown for the convenience of the paper, but in practice, a plurality of substrate processing apparatuses are provided in the exposure system 200. In other words, in the exposure system 200, a plurality of tracks 300 inline connected to the exposure apparatus 100 and the exposure apparatus 100 are provided.

또한, 노광 시스템 (200) 은, 각 노광 장치 (100) 에 의해 실시되는 노광 공정을 집중적으로 관리하는 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 와, 각종 연산 처리나 해석 처리를 실시하는 해석 시스템 (600) 과, 기판 처리 공장 내의 각 장치를 전체적으로 관리하는 공장 내 생산 관리 호스트 시스템 (700) 을 구비하고 있다. In addition, the exposure system 200 includes an exposure process management controller 500 that intensively manages an exposure process performed by each exposure apparatus 100, an analysis system 600 that performs various arithmetic and analysis processes; And an in-plant production management host system 700 which manages each apparatus in the substrate processing plant as a whole.

이 노광 시스템 (200) 을 구성하고 있는 각 장치 중, 적어도 각 기판 처리 장치 (100, 300) 및 레티클 계측기 (800A) 는, 온도 및 습도가 관리된 클린룸 내에 설치되어 있다. 또, 각 장치는, 기판 처리 공장 내에 부설된 LAN (Local Area Network) 등의 네트워크 또는 전용 회선 (유선 또는 무선) 을 통하여 접속되어 있고, 이들 사이에서 적절하게 데이터 통신을 실시할 수 있도록 되어 있다. Of each apparatus which comprises this exposure system 200, at least each substrate processing apparatus 100,300 and the reticle measuring device 800A are installed in the clean room in which temperature and humidity were managed. In addition, each device is connected via a network such as a LAN (Local Area Network) or a dedicated line (wired or wireless) installed in a substrate processing plant, and can perform data communication between them appropriately.

웨이퍼 계측기 (400A) 는, 노광 장치 (100) 와는 독립적으로 동작하는 장치이고, 후에 상세하게 기술하지만, 트랙 (300) 내에 배치되는 복수의 처리 유닛 중 하나로서 설치되어 있고, 노광 장치 (100) 에 웨이퍼를 반입하기 전에, 미리 웨이퍼의 노광 대상면의 면형상을 계측하는 장치이다. 또, 레티클 계측기 (800A) 는, 다른 장치 (기판 처리 장치 (100, 300) 등) 와는 독립적으로 설치된 계측 장치이며, 이 노광 시스템 (200) 에 있어서 단일 또는 복수 설치되어 있다. The wafer measuring device 400A is an apparatus that operates independently of the exposure apparatus 100, and will be described later in detail, but is provided as one of a plurality of processing units disposed in the track 300, and is provided in the exposure apparatus 100. It is an apparatus which measures the surface shape of the exposure target surface of a wafer before loading a wafer. Moreover, the reticle measuring device 800A is a measuring device provided independently of other apparatuses (substrate processing apparatuses 100 and 300, etc.), and is provided in this exposure system 200 by single or plural.

[노광 장치] [Exposure device]

노광 장치 (100) 는, 본 제 1 실시 형태에서는, 스텝·앤드·스캔 방식의 투영 노광 장치 (주사형 노광 장치) 인 것으로 한다. 도 2 에는, 노광 장치 (100) 의 개략 구성이 모식적으로 나타나 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이 노광 장치 (100) 는, 도 1 에 나타내는 레이저 광원 (1) 및 도시 생략된 조명 광학계를 포함하는 조명계, 이 조명계로부터의 에너지 빔으로서의 노광용 조명광 (이하, 「조명광」이라고 약칭한다 ; IL) 에 의해 조명되는 레티클 (R) 을 유지하는 레티클 스테이지 (RST), 투영 광학계 (PL), 반입되는 웨이퍼 (W) 가 탑재되는 웨이퍼 스테이지 (WST) 및 이들의 제어계 등을 구비하고 있다. In this 1st Embodiment, the exposure apparatus 100 shall be a projection exposure apparatus (scan type exposure apparatus) of a step-and-scan system. In FIG. 2, the schematic structure of the exposure apparatus 100 is shown typically. As shown in FIG. 2, the exposure apparatus 100 includes an illumination system including the laser light source 1 shown in FIG. 1 and an illumination optical system not shown, and illumination light for exposure as an energy beam from the illumination system (hereinafter, referred to as “illumination light”). A reticle stage RST holding a reticle R illuminated by IL, a projection optical system PL, a wafer stage WST on which a wafer W to be loaded is mounted, a control system thereof, and the like. Doing.

상기 레티클 스테이지 (RST) 는, 예를 들어, 리니어 모터 등을 포함하는 레티클 스테이지 구동부 (56R) 에 의해, 상기 조명계의 광축 (후술하는 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 에 일치) 에 수직인 XY 평면 내에서 미소 구동 가능 (Z 축 둘레의 회전을 포함한다) 함과 함께, 소정의 주사 방향 (여기에서는 Y 축 방향으로 한다) 으로 지정된 주사 속도로 구동 가능하게 되어 있다. The reticle stage RST is perpendicular to the optical axis (corresponding to the optical axis AX of the projection optical system PL described later) by the reticle stage driver 56R including, for example, a linear motor. It is possible to drive at a scanning speed specified in a predetermined scanning direction (here, in the Y-axis direction), while enabling fine driving (including rotation around the Z axis) in the XY plane.

상기 레티클 스테이지 (RST) 상에는, 레티클 홀더 (RH) 가 설치되어 있다. 그 레티클 홀더 (RH) 는, 예를 들어 진공 흡착에 의해, 레티클 (R) 을, 그 패턴 영역측의 면 (이하, 「패턴면」이라고 한다) 이 -Z 측을 향하도록 흡착 유지하고 있다. 도 3(A) 의 사시도에 나타내는 바와 같이, 레티클 홀더 (RH) 에는, 레티클 (R) 을 그 X 축 양단에서 레티클 (R) 을 흡착 유지하는 Y 축 방향으로 연장되는 3 개의 흡착면이 형성되어 있다. 이 3 개의 흡착면에는, 각각 레티클 (R) 과 맞닿는 테이블부와, 진공원과 배관을 통하여 연통하는 홈부가 각각 형성되어 있다. 도 3(A) 에서는, 양 부를 도시하고 있지 않다. 레티클 (R) 을 흡착 유지할 때에는, 테이블부에 지지된 레티클 (R) 에 의해 외기 (外氣) 로부터 차폐된 홈부가 진공 상태가 되어, 외기압의 힘에 의해 레티클 (R) 이 흡착 유지되게 된다. 따라서, 레티클 (R) 에 대한 흡착력은, 이 홈부의 진공도에 따른 것이 된다. 노광 장치 (100) 에서는, 주제어 장치 (20) 의 지시 하에, 도시 생략된 진공원에 의한 배기력을 조정함으로써, 레티클 (R) 에 대한 흡착력을 제어하는 것이 가능하게 되어 있다. On the reticle stage RST, a reticle holder RH is provided. The reticle holder RH is, for example, sucked and held so that the surface of the pattern region side (hereinafter referred to as the "pattern surface") is directed toward the -Z side by vacuum adsorption. As shown in the perspective view of FIG. 3 (A), three reticle holders RH are formed with three adsorption surfaces extending in the Y axis direction in which the reticle R is adsorbed and held at both ends of the X axis. have. Each of these three adsorption surfaces is provided with a table part which abuts with the reticle R, and the groove part which communicates with a vacuum source through piping. In Fig. 3A, both parts are not shown. When the reticle R is adsorbed and held, the groove portion shielded from the outside air by the reticle R supported by the table portion is in a vacuum state, and the reticle R is adsorbed and held by the force of the external air pressure. . Therefore, the adsorption force with respect to the reticle R becomes according to the vacuum degree of this groove part. In the exposure apparatus 100, under the instruction of the main controller 20, it is possible to control the suction force to the reticle R by adjusting the exhaust force by the vacuum source (not shown).

도 2 로 돌아와, 레티클 스테이지 (RST) 에는, 레티클 (R) 의 하방에 조명광 (IL) 의 통로가 되는 개구가 형성되어 있다. 이 개구의 크기는, 조명 영역 (IAR) 보다 커지도록 설정되어 있다. Returning to FIG. 2, the opening which becomes the passage of illumination light IL is formed in the reticle stage RST below the reticle R. As shown in FIG. The size of this opening is set to be larger than the illumination area IAR.

레티클 스테이지 (RST) 상에는, 레티클 레이저 간섭계 (이하, 「레티클 간섭계」라고 한다 ; 54R) 로부터의 레이저 빔을 반사하는 이동경 (52R) 이 고정되어 있고, 레티클 스테이지 (RST) 의 XY 면내의 위치는 레티클 간섭계 (54R) 에 의해, 예를 들어 0.5∼1㎚ 정도의 분해능으로 상시 검출된다. 여기에서, 실제로는, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 레티클 스테이지 (RST) 상에는, 주사 노광시의 비주사 방향 (X 축 방향) 에 직교하는 반사면을 갖는 이동경이 설치되고, 레티클 스테이지 (RST) 의 주사 방향 (Y 축 방향) 에 관해서는, 코너큐브형 미러 (예를 들어, 레트로 리플렉터 등) 가 2 개 설치되고, 각각에 대응하는 측장축 (側長軸) 을 갖는 간섭계가 형성되어 있지만, 도 2 에서는 이들이 대표적으로 이동경 (52R), 레티클 간섭계 (54R) 로서 나타나 있다. 즉, Y 축 방향에 관해서는, 레티클 간섭계 (54R) 는, 측장축을 2 축 갖는 2 축 간섭계이며, 이 레티클 간섭계 (54R) 의 계측값에 기초하여 레티클 스테이지 (RST) 의 Y 위치에 추가하여 Z 축 둘레의 회전 (θz 회전) 도 계측할 수 있도록 되어 있다. 또한, 예를 들어, 레티클 스테이지 (RST) 의 단면을 경면 가공하여 반사면 (이동경 (52R) 의 반사면에 상당) 을 형성해도 된다.On the reticle stage RST, a moving mirror 52R that reflects a laser beam from a reticle laser interferometer (hereinafter referred to as a "reticle interferometer" 54R) is fixed, and the position in the XY plane of the reticle stage RST is It is always detected by the interferometer 54R with the resolution of about 0.5-1 nm, for example. Here, in practice, as shown in Fig. 3A, on the reticle stage RST, a moving mirror having a reflective surface orthogonal to the non-scanning direction (X-axis direction) during scanning exposure is provided, and the reticle stage ( Regarding the scanning direction of the RST (Y axis direction), two corner cube mirrors (for example, retro reflectors, etc.) are provided, and an interferometer having corresponding side length axes is formed, respectively. However, in FIG. 2, they are typically shown as a mobile mirror 52R and a reticle interferometer 54R. That is, with respect to the Y axis direction, the reticle interferometer 54R is a biaxial interferometer having two axes of side length axes, and is added to the Y position of the reticle stage RST based on the measured value of the reticle interferometer 54R. The rotation around the Z axis (θz rotation) can also be measured. For example, you may mirror-process the cross section of the reticle stage RST to form a reflecting surface (corresponding to the reflecting surface of the movable mirror 52R).

레티클 간섭계 (54R) 로부터의 레티클 스테이지 (RST) 의 위치 정보는, 스테이지 제어 장치 (19) 및 이것을 통하여 주제어 장치 (20) 에 보내지도록 되어 있다. 스테이지 제어 장치 (19) 는, 주제어 장치 (20) 의 지시에 따라 레티클 스테이지 구동부 (56R) 를 통하여 레티클 스테이지 (RST) 의 이동을 제어한다.The positional information of the reticle stage RST from the reticle interferometer 54R is transmitted to the stage control device 19 and the main control device 20 via this. The stage control apparatus 19 controls the movement of the reticle stage RST through the reticle stage drive part 56R according to the instruction | command of the main control apparatus 20. FIG.

또한, 도 2 에서는 도시되어 있지 않지만, 레티클 스테이지 (RST) 에는, 하측 (-Z 측) 의 평면도가 양호한 유리 기판으로 이루어지는 레티클 기준 (fiducial) 마크판 (이하, 「레티클 마크판」이라고 약칭한다) 이 설치되어 있다. 이 레티클 마크판은, 레티클 (R) 과 같은 재질의 유리 소재, 예를 들어, 합성 석영이나 형석, 불화 칼륨 그 외의 불화물 결정 등으로 이루어져, 레티클 스테이지 (RST) 에 고정되어 있다. 이 레티클 마크판의 기준면은, 설계상에서 레티클 (R) 의 패턴면과 동일 높이, 그리고 상기 기술한 슬릿 형상의 조명 영역 (IAR) 과 거의 동일한 크기로 설정되어 있다. 이 기준면은, 높은 평탄도를 가지고 있어, 복수의 평가 마크가 그 기준면 전체에 거의 균등하게 (예를 들어, 매트릭스 형상으로) 형성되어 있다. 레티클 스테이지 (RST) 의 이동에 의해, 레티클 마크판이 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 상에 위치하면, 투영 광학계 (PL) 를 통하여 얻어지는 복수의 평가 마크 이미지를 웨이퍼 스테이지 (WST) 측에 형성하는 것이 가능하게 되어 있다. 이 복수의 평가 마크 이미지로 이루어지는 결상면은, 레티클 마크판의 기 준면의 투영 이미지면으로 간주할 수 있다. 본 제 1 실시 형태에서는, 이 투영 이미지면이 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 포커스·레벨링 제어를 실시할 때의 기준 이미지면이 된다.In addition, although not shown in FIG. 2, the reticle stage mark plate which consists of a glass substrate with a favorable flatness of the lower side (-Z side) to a reticle stage RST (henceforth abbreviated as a "reticle mark plate"). Is installed. This reticle mark plate is made of a glass material of the same material as the reticle R, for example, synthetic quartz, fluorite, potassium fluoride or other fluoride crystals and the like, and is fixed to the reticle stage RST. The reference surface of this reticle mark plate is set to the same height as the pattern surface of the reticle R on the design and almost the same size as the above-described slit-shaped illumination region IAR. This reference plane has a high flatness, and a plurality of evaluation marks are formed almost uniformly (for example, in a matrix) on the entire reference plane. When the reticle mark plate is located on the optical axis AX of the projection optical system PL by the movement of the reticle stage RST, a plurality of evaluation mark images obtained through the projection optical system PL are formed on the wafer stage WST side. It is possible to do. The imaging surface which consists of these evaluation mark image can be regarded as the projection image surface of the reference surface of a reticle mark plate. In this 1st Embodiment, this projection image surface becomes a reference image surface at the time of performing the focus leveling control of the wafer stage WST.

상기 투영 광학계 (PL) 는, 그 광축 (AX) 의 방향이 Z 축 방향이 되도록, 레티클 스테이지 (RST) 의 도 2 에 있어서의 하방에 배치되어 있다. 투영 광학계 (PL) 는, 양측 텔레센트릭한 축소계이며, 광축 (AX) 의 방향을 따라 소정 간격으로 배치된 복수 개의 렌즈 엘리먼트로부터 이루어지는 굴절 광학계가 사용되고 있다. 이 투영 광학계 (PL) 의 투영 배율은, 예를 들어 1/4, 1/5 등으로 되어 있다. 이 때문에, 도시 생략된 조명계로부터의 조명광 (IL) 에 의해 레티클 (R) 상의 슬릿 형상의 조명 영역 (IAR) 이 조명되면, 레티클 (R) 을 통과한 조명광 (IL) 에 의해, 투영 광학계 (PL) 를 통하여 그 조명 영역 (IAR) 내의 레티클 (R) 의 회로 패턴의 축소 이미지 (부분 축소 이미지) 가 표면에 레지스트 (감광제) 가 도포된 웨이퍼 (W) 상의 상기 조명 영역 (IAR) 과 공액인 노광 영역 (IA) 에 형성된다.The said projection optical system PL is arrange | positioned under the reticle stage RST in FIG. 2 so that the direction of the optical axis AX may become a Z-axis direction. The projection optical system PL is a bilateral telecentric reduction system, and a refractive optical system composed of a plurality of lens elements arranged at predetermined intervals along the direction of the optical axis AX is used. The projection magnification of this projection optical system PL is 1/4, 1/5, etc., for example. For this reason, when the slit-shaped illumination area IAR on the reticle R is illuminated by the illumination light IL from the illumination system which is not shown in figure, the projection optical system PL by the illumination light IL which passed the reticle R. Exposure through which the reduced image (partially reduced image) of the circuit pattern of the reticle R in the illuminated area IAR is conjugate with the illuminated area IAR on the wafer W on which a resist (photosensitive agent) is applied to the surface. It is formed in the region IA.

투영 광학계 (PL) 로는, 복수 개, 예를 들어 10∼20 개 정도의 굴절 광학 소자 (렌즈 소자 ; 13) 만으로 이루어지는 굴절계가 이용되고 있다. 이 투영 광학계 (PL) 를 구성하는 복수 매의 렌즈 소자 (13) 중, 물체면측 (레티클 (R) 측) 의 복수 매 (여기에서는, 설명을 간략화하기 위해 4 매로 한다) 의 렌즈 소자 (13₁, 13₂, 13₃, 13₄) 는, 결상 특성 보정 컨트롤러 (48) 에 의해 외부로부터 구동 가능한 가동 (可動) 렌즈로 되어 있다. 렌즈 소자 (13₁∼13₄) 는, 도시 생략된 이중 구 조의 렌즈 홀더를 통하여 경통에 각각 유지되어 있다. 이들 렌즈 소자 (13₁∼13₄) 는, 내측 렌즈 홀더에 각각 유지되고, 이들의 내측 렌즈 홀더가 도시 생략된 구동 소자, 예를 들어, 피에조 소자 등에 의해 중력 방향으로 3 지점에서 외측 렌즈 홀더에 대하여 지지되어 있다. 그리고, 이들의 구동 소자에 대한 인가 전압을 독립적으로 조정함으로써, 렌즈 소자 (13₁∼13₄) 각각을 투영 광학계 (PL) 의 광축 방향인 Z 축 방향으로 시프트 구동, 및 XY 면에 대한 경사 방향 (즉, X 축 둘레의 회전 방향 (θx 방향) 및 Y 축 둘레의 회전 방향 (θy 방향)) 으로 구동 가능 (틸트 가능) 한 구성으로 되어 있다.As the projection optical system PL, a refractometer composed of only a plurality of refractive optical elements (lens elements; 13), for example, is used. Lens elements of the projection optical system, a plurality of sheets, the object surface side (reticle (R) side) of the plurality of lens elements 13 constituting the (PL) (Here, the four sheets in order to simplify the description, 13 ₁ , 13 ₂ , 13 ₃ , and 13 ₄ are movable lenses that can be driven from the outside by the imaging characteristic correction controller 48. The lens elements 13 _{1 to} 13 ₄ are respectively held in the barrel via a dual structure lens holder (not shown). These lens elements 13 _{1 to} 13 ₄ are held in the inner lens holder, respectively, and the inner lens holder is attached to the outer lens holder at three points in the direction of gravity by a drive element (not shown), for example, a piezo element. Is supported. Then, by independently adjusting the voltage applied to these drive elements, each of the lens elements 13 _{1 to} 13 ₄ is shift-driven in the Z axis direction, which is the optical axis direction of the projection optical system PL, and the inclination direction to the XY plane. (I.e., the rotational direction around the X axis (θx direction) and the rotational direction around the Y axis (θy direction)).

그 외의 렌즈 소자 (13) 는, 통상의 렌즈 홀더를 통하여 경통에 유지되어 있다. 또한, 렌즈 소자 (13₁∼13₄) 에 한정되지 않고, 투영 광학계 (PL) 의 동공면 근방, 또는 이미지면 측에 배치되는 렌즈 소자, 혹은 투영 광학계 (PL) 의 수차, 특히, 그 비회전 대칭 성분을 보정하는 수차 보정판 (광학 플레이트) 등을 구동 가능하게 구성해도 된다. 또한, 그들의 구동 가능한 광학 소자의 자유도 (이동 가능한 방향) 는 3 개로 한정되는 것은 아니고, 1 개, 2 개 혹은 4 개 이상이어도 된다.The other lens element 13 is hold | maintained in the barrel via the normal lens holder. The aberration of the lens element disposed in the vicinity of the pupil plane of the projection optical system PL or on the image plane side or the projection optical system PL is not limited to the lens elements 13 _{1 to} 13 ₄ , in particular, its non-rotation. You may comprise an aberration correction plate (optical plate) etc. which correct a symmetrical component so that drive is possible. In addition, the freedom degree (movable direction) of these driveable optical elements is not limited to three, One, two, or four or more may be sufficient.

각 구동 소자의 구동 전압 (구동 소자의 구동량) 이 주제어 장치 (20) 로부터의 지령에 따라 결상 특성 보정 컨트롤러 (48) 에 의해 제어되고, 이로써, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성, 예를 들어, 포커스, 이미지면 만곡, 디스토션, 배율, 구면 수차, 비점 수차 및 코마 수차 등을 보정하는 것이 가능하게 되어 있다.The drive voltage (drive amount of the drive element) of each drive element is controlled by the imaging characteristic correction controller 48 in accordance with a command from the main controller 20, whereby the imaging characteristic of the projection optical system PL, for example It is possible to correct focus, image plane curvature, distortion, magnification, spherical aberration, astigmatism, coma, and the like.

상기 웨이퍼 스테이지 (WST) 는 XY 스테이지 (42) 와, 그 XY 스테이지 (42) 상에 탑재된 Z 틸트 스테이지 (38) 를 포함하여 구성되어 있다.The wafer stage WST includes an XY stage 42 and a Z tilt stage 38 mounted on the XY stage 42.

상기 XY 스테이지 (42) 는, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 가동 범위에 부설된 도시 생략된 웨이퍼 스테이지 베이스의 상면의 상방에 도시 생략된 에어 베어링에 의해 예를 들어 수 ㎛ 정도의 클리어런스 (clearance) 를 통하여 부상 (浮上) 지지되고, 웨이퍼 스테이지 구동부 (56W) 를 구성하는 도시 생략된 리니어 모터 등에 의해 주사 방향인 Y 축 방향 (도 2 에 있어서의 지면 직교 방향) 및 이것에 직교하는 X 축 방향 (도 2 에 있어서의 지면 내 좌우 방향) 으로 2 차원 구동이 가능하게 구성되어 있다.The XY stage 42 is, for example, through a clearance of about several μm by an air bearing not shown above the upper surface of the not shown wafer stage base attached to the movable range of the wafer stage WST. The Y-axis direction (the paper orthogonal direction in FIG. 2) which is the floating direction and is a scanning direction by the linear motor etc. which are not shown which comprises the wafer stage drive part 56W, and the X-axis direction orthogonal to this (FIG. 2) 2D drive is possible in the left and right direction in the plane of the plane.

상기 Z 틸트 스테이지 (38) 는, 3 개의 Z 구동부 (27A, 27B, 27C ; 단, 지면 안측의 Z 구동부 (27C) 는 도시 생략) 에 의해 XY 스테이지 (42) 상에서 3 개의 점으로 지지되어 있다. 이들의 Z 구동부 (27A∼27C) 는, Z 틸트 스테이지 (38) 의 하면 각각의 지지점을 투영 광학계 (PL) 의 광축 방향 (Z 축 방향) 으로 독립적으로 구동하는 3 개의 액츄에이터 (예를 들어, 보이스 코일 모터 등 ; 21A, 21B, 21C ; 단, 지면 안측의 액츄에이터 (21C) 는 도시 생략) 와, 이들의 액츄에이터 (21A, 21B, 21C) 각각에 의한 각 지지점의 Z 축 방향의 구동량 (기준 위치로부터의 변위) 을 각각 검출하는 인코더 (23A∼23C ; 단, 지면 안측의 인코더 (23C) 는 도시 생략) 를 포함하여 구성되어 있다. 여기에서, 인코더 (23A∼23C) 로는, 예를 들어 광학식 또는 정전 용량식 등의 리니어 인코더를 사용할 수 있다. The Z tilt stage 38 is supported at three points on the XY stage 42 by three Z driving units 27A, 27B, 27C (however, the Z driving unit 27C on the inner side of the paper is not shown). These Z drive parts 27A to 27C are three actuators (for example, voices) that independently drive respective support points of the lower surface of the Z tilt stage 38 in the optical axis direction (Z axis direction) of the projection optical system PL. Coil motor, etc .; 21A, 21B, 21C; However, the actuator 21C on the inner side of the ground is not shown, and the driving amount in the Z axis direction of each support point by each of these actuators 21A, 21B, 21C (reference position) And the encoders 23A to 23C respectively detecting the displacement from the encoder (however, the encoder 23C on the inner side of the paper is not shown). Here, as the encoders 23A to 23C, for example, a linear encoder such as an optical or capacitive type can be used.

본 제 1 실시 형태에서는, 상기 액츄에이터 (21A∼21C) 에 의해 Z 틸트 스테 이지 (38) 를, 광축 (AX) 의 방향 (Z 축 방향) 및 광축에 직교하는 면 (XY 면) 에 대한 경사 방향, 즉, X 축 둘레의 회전 방향인 θx 방향, Y 축 둘레의 회전 방향인 θy 방향으로 구동하는 구동 장치가 구성되어 있다. 또, 인코더 (23A∼23C) 에서 계측되는 Z 틸트 스테이지 (38) 의 Z 구동부 (27A∼27C) 에 의한 각 지지점의 Z 축 방향의 구동량 (기준점으로부터의 변위량) 은, 스테이지 제어 장치 (19) 및 이것을 통하여 주제어 장치 (20) 에 공급되도록 되어 있다. In the first embodiment, the actuators 21A to 21C are used to tilt the Z tilt stage 38 with respect to the direction of the optical axis AX (Z axis direction) and the plane perpendicular to the optical axis (XY plane). That is, the drive device which drives in the (theta) x direction which is a rotation direction around an X axis, and the (theta) y direction which is a rotation direction around a Y axis is comprised. Moreover, the drive amount (displacement amount from a reference point) of the Z-axis direction of each support point by the Z drive part 27A-27C of the Z tilt stage 38 measured by the encoders 23A-23C is the stage control apparatus 19 And the main controller 20 through this.

Z 틸트 스테이지 (38) 상에는, 이동경 (52W) 이 고정되어 있고, 외부에 배치된 레이저 간섭계 (이하, 「웨이퍼 간섭계」라고 한다 ; 54W) 에 의해, 이동경 (52W) 을 통하여, Z 틸트 스테이지 (38 ; 웨이퍼 스테이지 (WST)) 의 XY 면내의 위치가 예를 들어 0.5∼1㎚ 정도의 분해능으로 상시 검출되고 있다. On the Z tilt stage 38, the movable mirror 52W is fixed, and the Z tilt stage 38 is moved through the movable mirror 52W by a laser interferometer (hereinafter referred to as a "wafer interferometer"; 54W) disposed outside. The position in the XY plane of the wafer stage WST is always detected at a resolution of about 0.5 to 1 nm, for example.

여기에서, 실제로는, Z 틸트 스테이지 (38) 상에는, 주사 노광시의 주사 방향인 Y 축 방향에 직교하는 반사면을 갖는 Y 이동경과 비주사 방향인 X 축 방향에 직교하는 반사면을 갖는 X 이동경이 설치되고, 이것에 대응하여 웨이퍼 간섭계도 X 축 방향 위치 계측용의 X 레이저 간섭계와 Y 축 방향 위치 계측용의 Y 레이저 간섭계가 형성되어 있지만, 도 2 에서는 이들이 대표적으로 이동경 (52W), 웨이퍼 간섭계 (54W) 로서 나타나 있다. 또한, 예를 들어, Z 틸트 스테이지 (38) 의 단면을 경면 가공하여 반사면 (상기 기술한 X 이동경, Y 이동경의 반사면에 상당) 을 형성해도 된다. 또, X 레이저 간섭계 및 Y 레이저 간섭계는 측장축을 복수 갖는 다축 간섭계이며, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 X, Y 위치 외에, 회전 (요잉 (Z 축 둘레의 회전인 θz 회전), 피칭 (X 축 둘레의 회전인 θx 회전), 롤링 (Y 축 둘레 의 회전인 θy 회전)) 도 계측 가능하게 되어 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 웨이퍼 간섭계 (54W) 에 의해, Z 틸트 스테이지 (38) 의 X, Y, θz, θy, θx 의 5 자유도 방향의 위치가 계측되는 것으로 한다. 또, 다축 간섭계는 45° 기울어져 Z 틸트 스테이지 (38) 에 설치되는 반사면을 통하여, 투영 광학계 (PL) 가 탑재되는 가대 (架臺, 도시 생략) 에 설치되는 반사면에 레이저 빔을 조사하여, 투영 광학계 (PL) 의 광축 방향 (Z 축 방향) 에 관한 상대 위치 정보를 검출하도록 해도 된다.Here, in practice, on the Z tilt stage 38, a Y moving mirror having a reflective surface orthogonal to the Y axis direction that is the scanning direction at the time of scanning exposure and an X moving having a reflective surface orthogonal to the X axis direction that is the non-scanning direction A mirror is provided and correspondingly, a wafer interferometer is also formed with an X laser interferometer for measuring X-axis position and a Y laser interferometer for measuring Y-axis position, but in Fig. 2, they are representative of a movable mirror 52W and a wafer interferometer. It is shown as (54W). For example, you may mirror-process the cross section of the Z tilt stage 38, and may form a reflection surface (corresponding to the reflection surface of the above-mentioned X moving mirror and Y moving mirror). In addition, the X laser interferometer and the Y laser interferometer are multi-axis interferometers having a plurality of side axes, and in addition to the X and Y positions of the wafer stage WST, rotation (yawing (θz rotation, which is rotation around the Z axis), pitching (circumference of the X axis) Rotation (θx rotation), and rolling (θy rotation, rotation around the Y axis) can also be measured. Therefore, in the following description, it is assumed that the wafer interferometer 54W measures the positions of five degrees of freedom of X, Y, θz, θy, and θx of the Z tilt stage 38. In addition, the multi-axis interferometer is inclined 45 ° and the laser beam is irradiated to the reflecting surface provided on the mount (not shown) on which the projection optical system PL is mounted, via the reflecting surface provided on the Z tilt stage 38. Alternatively, the relative position information regarding the optical axis direction (Z axis direction) of the projection optical system PL may be detected.

웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치 정보 (또는 속도 정보) 는, 스테이지 제어 장치 (19) 및 이것을 통하여 주제어 장치 (20) 에 공급되도록 되어 있다. 스테이지 제어 장치 (19) 는, 주제어 장치 (20) 의 지시에 따라 웨이퍼 스테이지 구동부 (56W) 를 통하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 XY 면내의 위치를 제어함과 함께, Z 구동부 (27A∼27C) 를 구동하여 Z 틸트 스테이지 (38) 의 Z 위치 및 경사를 제어한다.The positional information (or speed information) of the wafer stage WST is supplied to the stage control device 19 and the main controller 20 through this. The stage control device 19 drives the Z drive units 27A to 27C while controlling the position in the XY plane of the wafer stage WST through the wafer stage driver 56W according to the instruction of the main controller 20. To control the Z position and tilt of the Z tilt stage 38.

상기 Z 틸트 스테이지 (38) 상에 웨이퍼 홀더 (WH) 가 설치되고, 그 웨이퍼 홀더 (WH) 상에 웨이퍼 (W) 가 진공 흡착되어 있다. 도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 홀더 (WH) 는, 그 외관이 소정 두께의 원형판 형상의 본체부 (26), 그 본체부 (26) 의 상면 (도 2 에 있어서의 지면 앞측의 면) 의 외주부 (外周部) 근방의 소정 폭의 고리 형상 영역을 제외한 중앙부의 소정 면적의 영역에 소정의 간격으로 형성된 복수의 돌기 형상의 핀부 (32, 32, …), 이들 복수의 핀부 (32) 가 배치된 상기 영역을 둘러싸는 상태에서 외주 가장자리 근방에 형성된 고리 형상 의 볼록부 (이하, 「림부」라고 칭한다 ; 28) 등을 구비하고 있다. 핀부 (32) 가 배치된 영역은, 진공원과, 배관 등을 통하여 연통되어 있고, 웨이퍼 (W) 를 탑재할 때에는 이 영역이 진공 상태가 되어, 웨이퍼 (W) 가 핀 (32) 등에 지지된 상태에서 흡착 유지된다.The wafer holder WH is provided on the Z tilt stage 38, and the wafer W is vacuum-adsorbed on the wafer holder WH. As shown in FIG. 3 (B), the wafer holder WH has a circular plate-shaped body portion 26 having a predetermined thickness, and an upper surface of the body portion 26 (surface in front of the sheet in FIG. 2). A plurality of projection-shaped fin portions 32, 32, ... formed at predetermined intervals in a region of a predetermined area of the central portion excluding a ring-shaped region of a predetermined width near the outer circumferential portion of the shell), and the plurality of fin portions 32 And an annular convex portion (hereinafter referred to as a "rim portion") 28 formed in the vicinity of the outer circumferential edge in a state surrounding the region in which is disposed. The region in which the fin portion 32 is disposed is in communication with the vacuum source through a pipe or the like. When the wafer W is mounted, the region is in a vacuum state, and the wafer W is supported by the fin 32 or the like. Adsorption is maintained in the state.

도 2 로 돌아와, 또, 웨이퍼 스테이지 (WST) 상에는, 후술하는 레티클 얼라인먼트용의 복수 쌍의 제 1 기준 마크, 후술하는 얼라인먼트계 (ALG) 의 베이스 라인 계측용의 기준 마크 등이 형성된 기준 마크판 (FM) 이, 그 표면이 거의 웨이퍼 (W) 의 표면과 동일 높이가 되도록 고정되어 있다. 또한, 기준 마크판 (FM) 상에는, 상기 기술한 레티클 마크판의 기준면의 투영 이미지나, 후술하는 초점 위치 검출계의 계측점 영역을 커버하는 크기의 경면 가공이 실시된 평면도 형성되어 있다. 이 평면의 높이도, 웨이퍼 (W) 의 표면과 동일 높이가 되도록 규정되어 있다.Returning to FIG. 2, on the wafer stage WST, a reference mark plate on which a plurality of pairs of first reference marks for reticle alignment, which will be described later, and reference marks for baseline measurement of the alignment system ALG, which will be described later, are formed ( FM) is fixed so that the surface becomes substantially the same height as the surface of the wafer W. As shown in FIG. Moreover, on the reference mark plate FM, the top view in which the mirror image of the magnitude | size which covers the projection image of the reference plane of the reticle mark plate mentioned above, and the measurement point area | region of the focal position detection system mentioned later is formed. The height of this plane is also prescribed | regulated so that it may become the same height as the surface of the wafer W. As shown in FIG.

본 제 1 실시 형태의 노광 장치 (100) 에는, 주제어 장치 (20) 에 의해 온·오프가 제어되는 광원을 갖고, 투영 광학계 (PL) 의 결상면을 향하여 다수의 핀홀 또는 슬릿의 이미지를 형성하기 위한 결상 광속을 광축 (AX) 에 대해서 경사 방향으로부터 조사하는 조사계 (60a) 와, 그들의 결상 광속의 웨이퍼 (W) 의 표면에서의 반사 광속을 수광하는 수광계 (60b) 로 이루어는 경사입사 방식의 다점 초점 위치 검출계 (이하, 간단하게 「초점 위치 검출계」라고 부른다) 가 설치되어 있다. 이 다수의 슬릿 이미지가 형성되는 지점이, 이 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 의 계측점이 되고, 이 계측점으로 이루어지는 영역을 이하에서는 「계측점 영역」이라 고도 한다. 이 계측점 영역은, 노광 영역 (IA) 및 그 주변의 영역에 대응하도록 배치되어 있다. 즉, 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 의 복수의 계측점에서는, 각각 그 점에서의 웨이퍼 (W) 의 Z 축 방향의 위치 (높이) 를 검출할 수 있도록 되어 있고, 모든 계측점의 웨이퍼 (W) 의 면위치로부터, 복수의 계측점의 계측 결과로부터, 노광 영역 (IA) 및 그 주변 전체의 웨이퍼 (W) 의 표면의 Z 위치, 즉, 경사를 구할 수 있도록 되어 있다.The exposure apparatus 100 of the first embodiment has a light source whose on / off is controlled by the main controller 20 to form images of a plurality of pinholes or slits toward the image plane of the projection optical system PL. Of an incidence incident system comprising an irradiation system 60a for irradiating an imaging light beam for the optical axis AX from an oblique direction with respect to the optical axis AX, and a light receiving system 60b for receiving a light beam reflected on the surface of the wafer W of these imaging light beams. A multi-point focus position detector (hereinafter, simply referred to as a "focus position detector") is provided. The point where these many slit images are formed becomes a measurement point of this focal position detection system 60a, 60b, and the area | region which consists of this measurement point is also called "measurement point area" hereafter. This measurement point area | region is arrange | positioned so that it may correspond to exposure area IA and the area | region around it. That is, the plurality of measurement points of the focal position detection systems 60a and 60b are each capable of detecting the position (height) in the Z axis direction of the wafer W at that point, and the wafers W of all the measurement points. From the surface position of, the Z position, that is, the inclination, of the surface of the wafer W of the exposure area IA and its entire periphery can be determined from the measurement results of the plurality of measurement points.

또한, 본 제 1 실시 형태의 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 와 동일한 다점 초점 위치 검출계의 상세한 구성은, 예를 들어 일본 공개특허공보 평6-283403호 (대응 미국 특허 제 5,448,332호) 등에 개시되어 있다. 본 국제출원에서 지정한 지정국 (또는 선택한 선택국) 의 국내 법령이 허용되는 한, 상기 공보 및 대응하는 미국 특허에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다. 또한, 상기 공보 등에 기재된 다점 초점 위치 검출계는, 상기 기술한 바와 같이, 웨이퍼 (W) 상의 노광 영역 (IA) 뿐만 아니라, 그 주변의 Z 위치도 계측할 수 있도록 되어 있고, 주사 방향의 웨이퍼 (W) 의 기복을 예측하는 기능 등을 갖고 있지만, 그들 기능은 갖고 있지 않아도 되고, 또, 조사계 (60a) 에 의해 조사되는 광속의 형상은, 평행 사변형 그 외의 형상이어도 된다. In addition, the detailed structure of the multipoint focal position detection system similar to the focal position detection system 60a, 60b of this 1st Embodiment is Unexamined-Japanese-Patent No. 6-283403 (corresponding US patent 5,448,332) etc., for example. Is disclosed. As long as the national legislation of the designated country (or selected selected country) specified in this international application is permitted, the disclosures in this publication and the corresponding US patents are incorporated herein by reference. In addition, the multi-point focus position detection system described in the above publication or the like is capable of measuring not only the exposure area IA on the wafer W but also the Z position around the wafer W as described above. Although it has a function which predicts the undulation of W), etc., it is not necessary to have these functions, and the shape of the light beam irradiated by the irradiation system 60a may be a shape other than a parallelogram.

스테이지 제어 장치 (19) 에서는, 주사 노광시 등에, 수광계 (60b) 로부터의 초점 어긋남 신호 (디포커스 신호), 예를 들어, S 커브 신호에 기초하여 초점 어긋남이 0, 혹은 초점 심도 이내가 되도록, 웨이퍼 (W) 의 Z 위치 및 XY 면에 대한 경사를, 웨이퍼 스테이지 구동부 (56W) 를 통하여 제어함으로써, 오토포커스 (자동 초점 맞춤) 및 오토레벨링을 실행한다. In the stage control apparatus 19, the focus shift signal (defocus signal) from the light receiving system 60b, for example, in scanning exposure or the like, is set to be within 0 or the depth of focus based on the S curve signal, for example. By controlling the inclination with respect to the Z position and the XY plane of the wafer W through the wafer stage driver 56W, autofocus (autofocusing) and autoleveling are performed.

또한 노광 장치 (100) 는, 웨이퍼 스테이지 (WST ; 정확하게는 웨이퍼 홀더 (WH)) 에 유지된 웨이퍼 (W) 상의 얼라인먼트 마크 및 기준 마크판 (FM) 상에 형성된 기준 마크의 위치 계측 등에 이용되는 오프·액시스 (Off Axis) 방식의 얼라인먼트계 (ALG) 를 구비하고 있다. 이 얼라인먼트계 (ALG) 로는, 예를 들어 웨이퍼 (W) 상의 레지스트를 감광시키지 않는 브로드 밴드인 검출 광속을 대상 마크에 조사하고, 그 대상 마크로부터의 반사광에 의해 수광면에 결상된 대상 마크의 이미지와 도시 생략된 지표의 이미지를 촬상 소자 (CCD 등) 를 이용하여 촬상하고, 그들의 촬상 신호를 출력하는 화상 처리 방식의 FIA (Field Image Alignment) 계의 센서가 이용된다. FIA 계의 센서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평2-54103호 (대응하는 미국 특허 제 4,962,318호 명세서) 등에 개시되어 있다. 본 국제출원에서 지정한 지정국 (또는 선택한 선택국) 의 국내 법령이 허용되는 한, 상기 공보 및 대응하는 미국 특허에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다. 또한, FIA 계에 한하지 않고, 코히어런트한 검출광을 대상 마크에 조사하고, 그 대상 마크로부터 발생하는 산란광 또는 회절광을 검출하거나 그 대상 마크로부터 발생하는 2 개의 회절광 (예를 들어, 동일 차수) 을 간섭시켜 검출하거나 하는 얼라인먼트 센서를 단독으로 혹은 적절하게 조합하여 이용하는 것은 물론 가능하다.Moreover, the exposure apparatus 100 is used for off position measurement etc. used for the alignment mark on the wafer W hold | maintained at the wafer stage WST (exactly the wafer holder WH), the position mark of the reference mark formed on the reference mark plate FM, etc. Off-axis alignment system (ALG) is provided. The alignment system ALG irradiates a target mark with a detection light beam, which is a broadband that does not expose the resist on the wafer W, for example, and an image of the target mark formed on the light receiving surface by the reflected light from the target mark. And a sensor of a field image alignment (FIA) system of an image processing method which captures an image of an index (not shown) using an imaging device (such as a CCD) and outputs these imaging signals. FIA-based sensors are disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-54103 (corresponding US Patent No. 4,962,318). As long as the national legislation of the designated country (or selected selected country) specified in this international application is permitted, the disclosures in this publication and the corresponding US patents are incorporated herein by reference. Further, not only the FIA system, but also coherent detection light is irradiated to the target mark, and scattered light or diffracted light generated from the target mark is detected or two diffracted light generated from the target mark (for example, It is of course possible to use an alignment sensor that detects by interfering with the same order) alone or in appropriate combination.

또한 본 제 1 실시 형태의 노광 장치 (100) 에서는, 도시는 생략되어 있지만, 레티클 (R) 의 상방에, 투영 광학계 (PL) 를 통하여 레티클 (R) 상의 한 쌍의 레티클 마크와 대응하는 기준 마크판 상의 한 쌍의 제 1 기준 마크를 동시에 관찰하기 위한 노광 파장의 광을 이용한 TTR (Through The Reticle) 얼라인먼트계로 이루어지는 한쌍의 레티클 얼라인먼트계가 형성되어 있다. 이들 레티클 얼라인먼트계로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평7-176468호 (대응하는 미국 특허 제 5,646,413호) 등에 개시되는 것과 동일한 구성인 것이 이용된다. 본 국제출원에서 지정한 지정국 (또는 선택한 선택국) 의 국내 법령이 허용되는 한, 상기 공보 및 대응하는 미국 특허에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.In addition, although illustration is abbreviate | omitted in the exposure apparatus 100 of this 1st embodiment, the reference mark corresponding to a pair of reticle marks on the reticle R above the reticle R via the projection optical system PL. A pair of reticle alignment systems comprising a TTR (Through The Reticle) alignment system using light having an exposure wavelength for simultaneously observing a pair of first reference marks on a plate are formed. As these reticle alignment systems, the same structure as what is disclosed, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 7-176468 (corresponding US patent 5,646,413) etc. is used. As long as the national legislation of the designated country (or selected selected country) specified in this international application is permitted, the disclosures in this publication and the corresponding US patents are incorporated herein by reference.

상기 제어계는, 도 2 에서, 상기 주제어 장치 (20) 에 의해 주로 구성된다. 주제어 장치 (20) 는, CPU (중앙 연산 처리 장치), ROM (판독 전용 메모리), RAM (랜덤 액세스 메모리) 등으로 이루어지는 이른바 워크스테이션 (또는 마이크로 컴퓨터) 등으로 구성되어, 전술한 다양한 제어 동작을 실시하는 것 외에, 장치 전체를 통괄하여 제어한다. 스테이지 제어 장치 (19) 는, 주제어 장치 (20) 의 지시에 따라, 웨이퍼 스테이지 (WST ; XY 스테이지 (42), Z 틸트 스테이지 (38)) 및 레티클 스테이지 (RST) 의 위치를 제어한다.The control system is mainly configured by the main controller 20 in FIG. 2. The main controller 20 is composed of a so-called workstation (or microcomputer) made of a CPU (central processing unit), a ROM (read only memory), a RAM (random access memory), and the like, and performs various control operations described above. In addition to the implementation, the entire apparatus is controlled collectively. The stage control device 19 controls the positions of the wafer stage WST (XY stage 42, the Z tilt stage 38) and the reticle stage RST in accordance with the instruction of the main controller 20.

[레티클 계측기] [Reticle Meter]

다음으로, 레티클 계측기 (800A) 의 구성에 대하여 도 4 에 기초하여 설명한다. 이 레티클 계측기 (800A) 에서는, 노광 장치 (100) 에 있어서의 레티클 스테이지 (RST) 에 상당하는 레티클 스테이지 (RST') 와, 레티클 홀더 (RH) 와 동형 (同型) 의 홀더인 레티클 홀더 (RH') 와, 피조 (fizeau) 간섭계 (60) 를 구비하고 있다.Next, the structure of the reticle measuring instrument 800A is demonstrated based on FIG. In this reticle measuring instrument 800A, the reticle stage RST 'corresponding to the reticle stage RST in the exposure apparatus 100, and the reticle holder RH' which is a holder of the same type as the reticle holder RH. ) And a fizeau interferometer 60.

이 레티클 계측기 (800A) 는, 노광 시스템 (200) 의 레티클 (R) 을 반송하는 도시 생략된 레티클 반송계에 의한 반송 경로 중에 설치되어 있다. 노광 시스템 (200) 에서는, 예를 들어 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 의 관리 하에, 이 노광 장치 (100) 에 레티클 (R) 을 반입하기 전에, 도시 생략된 레티클 반송계에 의해 레티클 계측기 (800A) 에 레티클 (R) 이 반입되어, 레티클 홀더 (RH') 상에 적절한 진공압에서, 진공 흡착 유지되게 된다. 레티클 계측기 (800A) 는, 레티클 홀더 (RH') 상에 흡착 유지된 상태에서의 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상을 계측한다.This reticle measuring device 800A is provided in a conveying path by a reticle conveying system, not shown, which conveys the reticle R of the exposure system 200. In the exposure system 200, for example, the reticle meter 800A is carried out by a reticle conveying system (not shown) before the reticle R is carried into the exposure apparatus 100 under the management of the exposure process management controller 500. The reticle R is carried in to be held under vacuum suction at an appropriate vacuum pressure on the reticle holder RH '. The reticle measuring instrument 800A measures the surface shape of the pattern surface of the reticle R in a state of being adsorbed and held on the reticle holder RH '.

이때, 레티클 (R) 은, 그 패턴면이 -Z 측을 향하도록 유지되는 것으로 한다. 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상의 계측을 가능하게 하기 위해서, 레티클 계측기 (800A) 에 있어서는, 레티클 홀더 (RH') 의 -Z 측, 즉 레티클 홀더 (RH') 상에 유지된 레티클 (R) 의 패턴면측에, 피조 간섭계 (60) 가 형성되어 있다. At this time, it is assumed that the reticle R is maintained so that its pattern surface faces the -Z side. In order to enable the measurement of the surface shape of the pattern surface of the reticle R, in the reticle measuring instrument 800A, the reticle held on the -Z side of the reticle holder RH ', that is, on the reticle holder RH' The created interferometer 60 is formed on the pattern surface side of R).

이 피조 간섭계 (60) 는, 레이저 광원 (61), 렌즈 (62), 조리개 (63), 빔 스플리터 (64), λ/4 파장판 (65), 콜리미터렌즈 (66), 참조면 (67A, 68A) 이 형성된 참조면용 부재 (67, 68), 렌즈 (69), 간섭 무늬 검출부 (70) 및 처리 장치 (71) 등을 포함하여 구성되어 있다.This created interferometer 60 includes a laser light source 61, a lens 62, an aperture 63, a beam splitter 64, a λ / 4 wave plate 65, a collimator lens 66, a reference surface 67A. And the reference surface members 67 and 68, 68A), the lens 69, the interference fringe detection unit 70, the processing apparatus 71, and the like.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 발진 파장 633㎚ 의 He-Ne 레이저 등의 레이저 광원 (61) 으로부터 발생한 광은 가(可)간섭성을 갖고, 지면에 평행한 편광 방위 (X 축 방향) 를 갖는 직선 편광의 광속이 되도록 설정되어 있다. 이 광속은, 렌즈 (62) 및 미광 (迷光) 등을 제거하기 위한 조리개 (63) 를 거친 후, 빔 스플리터 (64) 에 입사된다.As shown in Fig. 4, for example, light generated from a laser light source 61 such as a He-Ne laser having an oscillation wavelength of 633 nm has coherence, and a polarization orientation parallel to the ground (X axis direction). It is set to become a light beam of linearly polarized light having This light beam enters the beam splitter 64 after passing through the lens 63, the stop 63 for removing stray light, and the like.

빔 스플리터 (64) 는, X 축 방향으로 편광 방위를 갖는 직선 편광의 광속을 투과시킨다. 투과된 광속은 λ/4 파장판 (65) 에 입사되고, 원편광으로 변환되어, 콜리미터렌즈 (66) 에서 평행광으로 변환된 후, 참조면용 부재 (67) 에 입사된다. 참조면용 부재 (67) 에 형성된 참조면 (67A) 에서는, 이 평행광이 일부 반사되고, 나머지가 투과하게 된다. 이 투과된 광속은, 레티클 홀더 (RH') 에 유지된 레티클 (R) 의 패턴면의 전체면에 조사되고, 예를 들어, 레티클 (R) 의 패턴면의 전체면이 크롬 증착되어 있는 경우에는, 조사된 평행광은 그 패턴면에서 반사된다.The beam splitter 64 transmits the light beam of linearly polarized light having a polarization direction in the X axis direction. The transmitted light beam is incident on the [lambda] / 4 wave plate 65, converted into circularly polarized light, converted to parallel light by the collimator lens 66, and then incident on the reference surface member 67. In the reference surface 67A formed on the reference surface member 67, this parallel light is partially reflected, and the rest is transmitted. This transmitted light beam is irradiated to the entire surface of the pattern surface of the reticle R held by the reticle holder RH ', and, for example, when the entire surface of the pattern surface of the reticle R is chromium-deposited, The irradiated parallel light is reflected at the pattern surface.

참조면용 부재 (67) 의 참조면 (67A) 에서 반사된 광 (참조광) 과, 레티클 (R) 의 패턴면에서 반사된 광 (측정광) 은, λ/4 파장판 (65) 에 의해 Y 축 방향으로 편광 변위를 갖는 직선 편광으로 변환되어, 콜리미터렌즈 (66) 를 통해 집광되면서 빔 스플리터 (64) 에서 반사된다. 빔 스플리터 (64) 에서 반사된 광속은, 렌즈 (69) 에서 평행광으로 변환되어 CCD (전하 결합 소자 : Charge Coupled Device) 로 이루어지는 간섭 무늬 검출부 (70) 에 유도된다. 이 간섭 무늬 검출부 (70) 의 수광면에는, 참조면용 부재 (67) 의 참조면 (67A) 과, 레티클 (R) 의 패턴면의 양방의 반사면으로부터 반사되어 합성된 광의 간섭 무늬가 형성되고, 간섭 무늬 검출부 (70) 에 의해 이 간섭 무늬가 검출된다. The light (reference light) reflected from the reference surface 67A of the reference surface member 67 and the light (measured light) reflected from the pattern surface of the reticle R are Y-axis by the λ / 4 wave plate 65. Is converted into linearly polarized light having a polarization displacement in the direction, and is reflected by the beam splitter 64 while being condensed through the collimator lens 66. The light beam reflected by the beam splitter 64 is converted into parallel light by the lens 69 and guided to the interference fringe detection unit 70 made of a CCD (charge coupled device). On the light receiving surface of the interference fringe detection unit 70, an interference fringe of light reflected and synthesized from both the reference surface 67A of the reference surface member 67 and the reflective surfaces of both of the pattern surfaces of the reticle R is formed. The interference fringe detection unit 70 detects this interference fringe.

즉, 참조면용 부재 (67) 의 참조면 (67A) 과, 레티클 (R) 의 패턴면의 거리 를 d 로 하면, 1 회의 왕복으로 2d 의 광로 차이에서 참조광과 측정광이 간섭하고, 그 광로 차이가 레이저 파장의 1/2 의 홀수 배일 때에는, 서로 상쇄하여 암선 (暗線) 을 발생시키고, 광로 차이가 레이저 파장의 정수 배일 때에는, 서로 보강하여 명선 (明線) 을 발생시켜 그 결과, 간섭 무늬 검출부 (70) 의 수광면 상에 간섭 무늬가 발생한다. That is, if the distance between the reference surface 67A of the reference surface member 67 and the pattern surface of the reticle R is d, the reference light and the measurement light interfere with each other at a light path difference of 2d in one round trip. Is an odd multiple of the laser wavelength, cancels each other to generate dark lines, and when the optical path difference is an integer multiple of the laser wavelength, reinforces each other to generate bright lines, and as a result, the interference fringe detection unit An interference fringe is generated on the light receiving surface of 70.

이 간섭 무늬의 검출 결과는, 처리 장치 (71) 에 보내진다. 처리 장치 (71) 는, 이 간섭 무늬의 검출 결과에 기초하여 레티클 홀더 (RH') 에 유지된 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상을 산출한다. 구체적으로는, 처리 장치 (71) 는, 간섭 무늬의 검출 결과에 기초하여, 간섭 무늬의 명선 및 암선의 수를 누적 연산함으로써, 그 간섭 무늬의 분포 상태에 따른 레티클 (R) 의 패턴면의 구배에 따른 면형상 데이터를 가(假)결정한다. 그리고, 그 누적 연산에 수반되어, 가결정된 면형상 데이터에 포함되는 일정한 차이나 일정한 디포커스 (오프셋 성분) 를 면형상 데이터에 내재되는 누적 오차로서 제거하고, 최종적인 레티클 (R) 의 면형상 데이터를 산출한다. 이 면형상 데이터는, 예를 들어, 어느 면내 위치 (XY위치) 에 대한 면 높이 (Z 위치) 의 데이터 등의 디지털 데이터로서 산출된다.The detection result of this interference fringe is sent to the processing apparatus 71. The processing apparatus 71 calculates the surface shape of the pattern surface of the reticle R held by the reticle holder RH 'based on the detection result of this interference fringe. Specifically, the processing apparatus 71 accumulates the number of bright and dark lines of the interference fringe based on the detection result of the interference fringe, thereby gradient of the pattern surface of the reticle R according to the distribution state of the interference fringe. The surface shape data according to this is temporarily determined. With the accumulation operation, the constant difference or constant defocus (offset component) included in the tentatively determined plane shape data is removed as a cumulative error inherent in the plane shape data, and the plane shape data of the final reticle R is removed. To calculate. This planar data is computed as digital data, such as data of surface height (Z position) with respect to a certain in-plane position (XY position), for example.

한편, 레티클 (R) 이 그 패턴면에 크롬 증착이 실시되어 있지 않은 투과 레티클이었던 경우, 레티클 (R) 의 패턴면의 전체면에 조사된 광속의 일부는 그 패턴 영역에서 반사되지만, 나머지의 광속은 레티클 (R) 의 패턴면과는 반대측의 면까지 도달되어, 그 면을 일부는 반사하고, 나머지는 투과한다. 레티클 (R) 을 투과한 광속은, 다른 1 개의 참조면용 부재 (68) 의 참조면 (68A) 까지 도달한다. 이 참조면 (68A) 은 반사율이 높은 면이고, 이 면에서 이 광속이 반사되어, 레티클 (R) 까지 돌아오게 된다. 그리고, 상기 기술한 것과 동일한 광로에서, 참조면용 부재 (67, 68) 의 참조면 (67A, 68A) 을 각각 반사한 참조광과, 레티클 (R) 의 패턴면을 반사한, 혹은, 그 반대측의 면을 반사한 측정광의 간섭 무늬가 간섭 무늬 검출부 (70) 에서 검출된다.On the other hand, when the reticle R is a transmissive reticle in which the pattern surface is not subjected to chromium deposition, a part of the light beam irradiated onto the entire surface of the pattern surface of the reticle R is reflected in the pattern region, but the remaining light flux The silver reaches up to the surface on the opposite side to the pattern surface of the reticle R, partially reflects the surface, and transmits the other. The light beam transmitted through the reticle R reaches the reference surface 68A of the other reference surface member 68. This reference surface 68A is a surface having a high reflectance, and this light beam is reflected from this surface to return to the reticle R. FIG. Then, in the same optical path as described above, the reference light reflecting the reference planes 67A, 68A of the reference plane members 67, 68, respectively, and the surface reflecting the pattern plane of the reticle R, or the opposite side thereof. The interference fringes of the measurement light reflecting this are detected by the interference fringe detection unit 70.

이와 같이, 이 레티클 계측기 (800A) 에 있어서는, 패턴면에 크롬이 전체면 증착된 레티클을 레티클 홀더 (RH') 에 유지시킨 경우에는, 참조면용 부재 (67) 의 참조면 (67A) 에서 반사된 참조광과 패턴면에서 반사된 측정광의 간섭 무늬가 간섭 무늬 검출부 (70) 에서 관측되고, 레티클 (R) 로서 투과 레티클을 레티클 홀더 (RH') 에 유지시킨 경우에는, 참조면용 부재 (68) 의 참조면 (68A) 에서 각각 반사된 참조광과, 패턴면과 그 이면에서 반사된 측정광의 간섭 무늬가 관측된다. 이로써, 레티클 계측기 (800A) 에서는, 전체면이 크롬 증착된 레티클이어도, 투과 레티클이어도, 그 패턴 영역에 회로 패턴이 형성된 레티클이어도, 그 패턴면의 전체면의 면형상을 계측하는 것이 가능하다. 여기에서, 레티클 평탄도의 계측은, 패턴 전체면에 대하여 실시할 필요는 없고, 레티클 패턴 설계 데이터에 기초하여, X 축 방향, Y 축 방향으로 소정의 피치로 균등하게, 레티클면의 투과, 또는, 반사 부분의 복수의 계측점으로부터 근사적으로 구해도 된다. 예를 들어, Y 축 방향 (스캔 방향) 에 7 점, X 축 방향에 5 점에서, 레티클 면내 35 점의 계측점에 있어서의 계측값보다 근사적으로 레티클 평탄도를 구한다. As described above, in the reticle measuring instrument 800A, when the reticle in which chromium is deposited on the pattern surface is held in the reticle holder RH ', the reticle measuring instrument 800A reflects from the reference surface 67A of the reference surface member 67. When the interference fringes of the reference light and the measurement light reflected from the pattern plane are observed by the interference fringe detection unit 70 and the transmissive reticle is held in the reticle holder RH 'as the reticle R, the reference plane member 68 is referred to. The interference fringes of the reference light reflected at the surface 68A and the measurement light reflected at the pattern surface and the back surface thereof are observed. Thereby, in the reticle measuring instrument 800A, even if the entire surface is a reticle in which chromium is deposited, a transmissive reticle, or a reticle in which a circuit pattern is formed in the pattern region, the surface shape of the entire surface of the pattern surface can be measured. Here, the measurement of the reticle flatness does not have to be performed on the entire pattern surface, and the transmission of the reticle surface is uniformly uniformly at a predetermined pitch in the X axis direction and the Y axis direction based on the reticle pattern design data, or May be approximated from a plurality of measurement points of the reflective portion. For example, at 7 points in the Y-axis direction (scan direction) and 5 points in the X-axis direction, the reticle flatness is approximately approximated than the measured value at the measurement point at 35 points in the reticle plane.

또한, 이 레티클 스테이지 (RST') 에는, 레티클 스테이지 (RST) 와 동일하 게, 레티클 마크판에 상당하는 마크판이 설치되어 있다. 피조 간섭계 (60) 에 의해 레티클 홀더 (RH') 에 유지된 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상을 계측할 때에는, 이 마크판의 면형상도 함께 계측되게 된다. 즉, 레티클 계측기 (800A) 의 계측 결과에 의하면, 마크판의 면위치를 기준으로 한 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상 데이터가 얻어지게 된다. The reticle stage RST 'is provided with a mark plate corresponding to the reticle mark plate similarly to the reticle stage RST. When measuring the surface shape of the pattern surface of the reticle R held in the reticle holder RH 'by the created interferometer 60, the surface shape of this mark plate is also measured. That is, according to the measurement result of the reticle measuring device 800A, the surface shape data of the pattern surface of the reticle R based on the surface position of the mark plate is obtained.

또, 레티클 계측기 (800A) 에서는, 이 피조 간섭계 (60) 를, 레이저 광속이 피검체를 2 번 통과하는 더블패스형의 간섭계로 함으로써, 그 검출 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다. Moreover, in the reticle measuring instrument 800A, the detection accuracy can be improved by making the created interferometer 60 a double pass type interferometer through which the laser beam passes through the object twice.

[도포 현상 장치] [Application Developer]

다음으로, 각 기판 처리 장치가 구비하는 트랙 (300) 에 대하여, 도 5 를 참조하여 설명한다. 트랙 (300) 은, 노광 장치 (100) 를 둘러싸는 챔버 내에, 노광 장치 (100) 에 인라인 방식으로 접속 가능해지도록 설치되어 있다. 트랙 (300) 에는, 그 중앙부를 가로지르도록 웨이퍼 (W) 를 반송하는 반송 라인 (301) 이 배치되어 있다. 이 반송 라인 (301) 의 일단에 미(未)노광 혹은 전(前)공정의 기판 처리 장치에서 처리가 이루어진 다수의 웨이퍼 (W) 를 수납하는 웨이퍼 캐리어 (302) 와, 본기판 처리 장치에서 노광 공정 및 현상 공정을 끝낸 다수의 웨이퍼 (W) 를 수납하는 웨이퍼 캐리어 (303) 가 배치되어 있고, 반송 라인 (301) 의 타단에 노광 장치 (100) 의 챔버측 면의 셔터 (shutter) 가 부착된 반송구 (도시 생략) 가 설치되어 있다. Next, the track 300 with which each substrate processing apparatus is equipped is demonstrated with reference to FIG. The track 300 is provided in the chamber surrounding the exposure apparatus 100 so as to be connectable to the exposure apparatus 100 in an inline manner. The conveyance line 301 which conveys the wafer W is arrange | positioned in the track 300 so that the center part may be crossed. The wafer carrier 302 which accommodates the many wafers W processed by the unexposed or the previous process board | substrate processing apparatus at one end of this conveyance line 301, and exposure by this board processing apparatus. The wafer carrier 303 which accommodates the many wafer W which completed the process and the image development process is arrange | positioned, and the shutter of the chamber side surface of the exposure apparatus 100 is attached to the other end of the conveyance line 301. A conveying port (not shown) is provided.

또한, 트랙 (300) 에 형성된 반송 라인 (301) 의 1 측에 따라 코터부 (도포 부 ; 310) 가 형성되어 있고, 타측에 따라 디벨로퍼부 (현상부 ; 320) 가 형성되어 있다. 코터부 (310) 는, 웨이퍼 (W) 에 포토레지스트를 도포하는 레지스트 코터 (311) 와, 그 웨이퍼 (W) 상의 포토레지스트를 프리베이크하기 위한 핫 플레이트로 이루어지는 프리베이크 장치 (312) 와, 프리베이크된 웨이퍼 (W) 를 냉각하기 위한 냉각 장치 (313) 를 포함하여 구성되어 있다. Moreover, the coater part (coating part) 310 is formed along one side of the conveyance line 301 formed in the track 300, and the developer part (developing part) 320 is formed along the other side. The coater part 310 is a prebaking apparatus 312 which consists of a resist coater 311 which apply | coats a photoresist to the wafer W, the hotplate for prebaking the photoresist on the wafer W, and It is comprised including the cooling apparatus 313 for cooling the baked wafer W. As shown in FIG.

디벨로퍼부 (320) 는, 노광 처리 후의 웨이퍼 (W) 상의 포토레지스트를 베이킹하는, 이른바 PEB (Post-Exposure Bake) 를 실시하기 위한 포스트베이크 장치 (321), PEB 가 실시된 웨이퍼 (W) 를 냉각하기 위한 냉각 장치 (322) 및 웨이퍼 (W) 의 포토레지스트의 현상을 실시하기 위한 현상 장치 (323) 를 구비하여 구성되어 있다. The developer 320 cools the post-baking apparatus 321 for performing so-called PEB (Post-Exposure Bake), which bakes the photoresist on the wafer W after the exposure treatment, and the wafer W on which the PEB has been applied. And a developing device 323 for developing the cooling device 322 and the photoresist of the wafer W.

[웨이퍼 계측기] Wafer Instrument

또한, 본 제 1 실시 형태에서는, 웨이퍼 (W) 를 노광 장치 (100) 에 반입하기 전에, 당해 웨이퍼 (W) 의 평탄도에 관한 정보 (면형상) 를 사전 계측하는 웨이퍼 계측기 (400A) 가 인라인 설치되어 있다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 계측기 (400A) 는, 웨이퍼 스테이지 (WST') 와, 웨이퍼 홀더 (WH') 와 피조 간섭계 (60') 를 포함하여 구성되어 있다. 웨이퍼 스테이지 (WST') 는, 웨이퍼 스테이지 (WST) 와 거의 동형의 스테이지이지만, 이동 불가능한 고정된 스테이지이어도 된다. 또, 웨이퍼 홀더 (WH') 는, 웨이퍼 홀더 (WH) 와 동형의 홀더이며, 웨이퍼 (W) 를 진공 흡착함으로써 (즉, 노광 장치 (100) 의 웨이퍼 홀더 (WH) 와 동일하게 하여), 이것을 유지한다. In addition, in this 1st Embodiment, before carrying in the wafer W to the exposure apparatus 100, the wafer measuring device 400A which premeasures the information (surface shape) regarding the flatness of the said wafer W is inlined. It is installed. As shown in FIG. 6, the wafer measuring device 400A includes the wafer stage WST ', the wafer holder WH', and the created interferometer 60 '. The wafer stage WST 'is a stage substantially the same as the wafer stage WST, but may be a fixed stage which is not movable. Moreover, the wafer holder WH 'is a holder of the same type as the wafer holder WH, and this is made by vacuum-suctioning the wafer W (that is, in the same manner as the wafer holder WH of the exposure apparatus 100). Keep it.

이 웨이퍼 계측기 (400A) 에서는, 레티클 계측기 (800A) 와 동일하게, 웨이퍼 홀더 (WH') 에 흡착 유지된 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상을, 피조 간섭계 (60') 를 이용하여 계측한다. 이 피조 간섭계 (60') 는, 참조면용 부재 (68) 를 구비하지 않은 것 외에는, 피조 간섭계 (60) 와 동등한 구성으로 할 수 있기 때문에, 그 구성에 대해서는, 상세한 설명을 생략한다. 즉, 이 피조 간섭계 (60') 는, 반사 계측형의 간섭계이다. In this wafer measuring device 400A, the surface shape of the wafer W in the state of being adsorbed and held by the wafer holder WH 'is measured using the created interferometer 60' similarly to the reticle measuring device 800A. . Since the created interferometer 60 'can be made to have the same configuration as the created interferometer 60 except that the reference plane member 68 is not provided, the detailed description thereof will be omitted. That is, this created interferometer 60 'is a reflection measurement type interferometer.

또한, 이 웨이퍼 스테이지 (WST') 에는, 웨이퍼 스테이지 (WST) 와 동일하게, 기준 마크판 (FM) 에 상당하는 마크판이 설치되어 있다. 이 마크판의 면은, 엄격하게 거의 평면으로서 규정되어 있으므로, 마크판의 면형상에 상당하는 신호는, 그 마크판의 높이를 나타내는 신호가 된다. 따라서, 이 마크판의 면형상에 상당하는 신호와, 웨이퍼 (W) 의 면형상에 상당하는 신호를 비교하면, 마크판의 면의 높이와 웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측 대상면의 높이의 상대적 관계가 분명해져, 그들의 차분 (差分) 을 구할 수 있게 된다. 즉, 마크판의 면을 기준으로 하여 피조 간섭계 (60') 에 의해 웨이퍼 홀더 (WH') 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측할 수 있다. The wafer stage WST 'is provided with a mark plate corresponding to the reference mark plate FM in the same manner as the wafer stage WST. Since the surface of this mark plate is strictly defined as almost flat, the signal corresponding to the surface shape of the mark plate becomes a signal indicating the height of the mark plate. Therefore, when the signal corresponding to the surface shape of the mark plate and the signal corresponding to the surface shape of the wafer W are compared, the height of the surface of the mark plate and the height of the measurement target surface of the surface shape of the wafer W is compared. The relative relationship becomes clear and their difference can be found. That is, the surface shape of the wafer W held by the wafer holder WH 'by the created interferometer 60' can be measured based on the surface of the mark plate.

또한, 도 5 에 나타내는, 코터부 (310) 를 구성하는 각 유닛 (레지스트 코터 (311), 프리베이크 장치 (312), 냉각 장치 (313)), 디벨로퍼부 (320) 를 구성하는 각 유닛 (포스트 베이크 장치 (321), 냉각 장치 (322), 현상 장치 (323)) 및 웨이퍼 계측기 (400A) 의 구성 및 배치는 어디까지나 일례이고, 실제로는 추가로 복수의 다른 처리 유닛이나 버퍼 유닛 등이 설치됨과 함께, 각 유닛은 공간적으로 배치 되고, 각 유닛 사이에서 웨이퍼 (W) 또는 웨이퍼 홀더 (WH) 를 반송하는 로봇 아암이나 승강기 등도 설치되어 있다. 또, 웨이퍼 (W) 가 각 유닛 사이를 어떠한 경로에서 통과하여 처리되는지는, 처리 유닛의 처리 내용이나 전체로서의 처리 시간의 고속화 등의 관점으로부터 최적화되어 동적으로 변경될 수 있다. In addition, each unit which comprises the coater part 310 shown in FIG. 5 (resist coater 311, the prebaking apparatus 312, the cooling apparatus 313), and each unit which comprises the developer part 320 (post The configuration and arrangement of the baking apparatus 321, the cooling apparatus 322, the developing apparatus 323, and the wafer measuring instrument 400A are merely examples, and in reality, a plurality of other processing units, buffer units, and the like are additionally installed. In addition, each unit is spatially arranged, and a robot arm, a lift, and the like, which transfer the wafer W or the wafer holder WH, are also provided between the units. In addition, the path through which the wafers W are processed between the units can be dynamically changed from the viewpoint of the processing contents of the processing unit or the speed of the processing time as a whole.

노광 장치 (100) 가 구비하는 주제어 장치 (20), 코터부 (310) 및 디벨로퍼부 (320), 웨이퍼 계측기 (400A) 및 해석 시스템 (600) 은, 상기 기술한 바와 같이, 유선 또는 무선으로 접속되어 있고, 각각의 처리 개시 또는 처리 종료를 나타내는 신호가 송수신된다. 또, 본 제 1 실시 형태에서는, 웨이퍼 계측기 (400A) 에서 계측된 계측 결과 (웨이퍼 계측기 (400A) 의 처리 장치 (71) 에서 산출된 웨이퍼 (W) 의 면형상에 상당하는 데이터 (면형상 데이터)) 는, 해석 시스템 (600) 으로 보내지지만 (통지되지만), 해석 시스템 (600) 이 아니고, 노광 장치 (100) 의 주제어 장치 (20) 에 직접적으로, 혹은 해석 시스템 (600) 을 통하여 노광 장치 (100) 의 주제어 장치 (20) 에 보내지도록 해도 된다. As described above, the main controller 20, the coater section 310 and the developer section 320, the wafer measuring instrument 400A, and the analysis system 600 included in the exposure apparatus 100 are connected by wire or wirelessly. A signal indicating each process start or process end is transmitted and received. Moreover, in this 1st Embodiment, the measurement result measured by the wafer measuring device 400A (data corresponding to the surface shape of the wafer W calculated by the processing apparatus 71 of the wafer measuring device 400A (surface shape data)). ) Is sent to the analysis system 600 (though notified), but is not the analysis system 600, but directly to the main control device 20 of the exposure apparatus 100 or through the analysis system 600. You may make it send to the main control unit 20 of 100.

또한, 웨이퍼 계측기 (400A) 에 의한 웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측은, 웨이퍼 (W) 의 전층 (前層) 의 마크 형성이 완료된 후이면 실시할 수 있지만, 웨이퍼 (W) 가 트랙 (300) 에 반입된 후, 바람직하게는 레지스트 도포 후이고, 또한, 노광 장치 (100) 로의 반입 전에 실시된다. 또한, 웨이퍼 계측기 (400A) 의 설치 장소는, 본 제 1 실시 형태와 같이 트랙 (300) 내에 한하지 않고, 노광 장치 (100) 의 챔버 내이면, 예를 들어 트랙 (300) 내의 외부이어도 되고, 혹은 이들의 장치와는 독립된 계측 전용의 장치를 설치하여 반송 장치에서 접속되도록 해도 된다. 그러나, 웨이퍼 계측기 (400A) 를 트랙 (300) 내에 설치했을 경우에는, 웨이퍼 (W) 의 사전 처리와, 그 면형상의 자동 계측을 일괄하여 실시할 수 있기 때문에, 스루풋에 대해 유리해진다.In addition, although the measurement of the surface shape of the wafer W by the wafer measuring device 400A can be performed after the mark formation of the entire layer of the wafer W is completed, the wafer W is track | track 300 ) Is preferably carried out after resist coating and before carrying into the exposure apparatus 100. In addition, the installation place of the wafer measuring device 400A is not limited to the track 300 as in the first embodiment, and may be outside of the track 300 as long as it is within the chamber of the exposure apparatus 100. Alternatively, a device dedicated to measurement independent of these devices may be provided so as to be connected from the transport device. However, when the wafer measuring device 400A is provided in the track 300, preprocessing of the wafer W and automatic measurement of its surface shape can be performed collectively, which is advantageous for throughput.

이 노광 시스템 (200) 에 있어서의, 웨이퍼 프로세스 처리는, 각 기판 처리 장치에서 각각 실시되고 있고, 각 기판 처리 장치는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 에 의해 통괄적으로 제어·관리된다. 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 이것에 부속되는 기억 장치에, 노광 시스템 (200) 에서 처리하는 각 로트 혹은 각 웨이퍼에 대한 프로세스를 제어하기 위한 다양한 정보, 그것을 위한 다양한 파라미터 혹은 노광 이력 데이터 등의 다양한 정보를 축적한다. 그리고, 이들 정보에 기초하여, 각 로트에 적절한 처리가 실시되도록, 각 기판 처리 장치를 제어·관리한다.The wafer process processing in this exposure system 200 is performed in each substrate processing apparatus, and each substrate processing apparatus is collectively controlled and managed by the exposure process management controller 500. The exposure process management controller 500 includes various information for controlling a process for each lot or wafer processed by the exposure system 200, various parameters for the exposure history data, etc., in the storage device attached thereto. Accumulate various information. And based on these information, each board | substrate processing apparatus is controlled and managed so that an appropriate process may be performed for each lot.

또, 해석 시스템 (600) 은, 노광 장치 (100), 트랙 (300 ; 웨이퍼 계측기 (400A)), 노광 장치 (100) 의 광원, 레티클 계측기 (800A) 등과는 독립적으로 동작하는 장치이며, 그들 각종 장치로부터 네트워크를 경유하여 각종 데이터를 수집하고, 필요한 해석 처리를 실시한다. The analysis system 600 is an apparatus that operates independently of the exposure apparatus 100, the track 300 (a wafer measuring instrument 400A), the light source of the exposure apparatus 100, the reticle measuring instrument 800A, and the like. Various data are collected from the device via a network, and necessary analysis processing is performed.

공장 내 생산 관리 호스트 시스템 (700) 은, 기판 처리 공장 내의 모든 반도체 제조 프로세스를 통괄 관리한다. The in-plant production management host system 700 collectively manages all semiconductor manufacturing processes in the substrate processing plant.

[레티클 패턴면의 면형상의 사전 계측의 준비 처리] [Preparation of Pre-Measurement of Surface Shape of Reticle Pattern Surface]

다음으로, 도 1 에 나타내는 노광 시스템 (200) 에 있어서, 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 상태와 동등한 상태에서의 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상을 사전 계측하기 위한 준비 처리에 대하여, 도 7 의 플로우차트를 참조하여 설명한다. 이 준비 처리는, 기판 처리 공장 내에 있어서의, 노광 장치 (100) 나 레티클 계측기 (800A), 트랙 (300) 의 조립시에 함께 실시된다. 또한, 이때, 즉, 노광 시스템 (200) 내의 레티클 계측기 (800A) 및 노광 장치 (100) 이외의 구성 요소의 조립 및 조정은 이미 완료된 것으로 하고, 공장 내 생산 관리 호스트 시스템 (700), 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 이미 가동하고 있는 것으로 한다. 또, 이 준비 처리에서는, 그 패턴면에 크롬이 전체면에 증착된 기준 물체로서의 기준 레티클 (R_T) 이 이용된다.Next, in the exposure system 200 shown in FIG. 1, about the preparation process for pre-measuring the surface shape of the pattern surface of the reticle R in the state equivalent to the state hold | maintained by the reticle holder RH, FIG. The flowchart of 7 is demonstrated. This preparatory process is performed together at the time of assembling the exposure apparatus 100, the reticle measuring instrument 800A, and the track 300 in the substrate processing plant. In addition, at this time, that is, the assembly and adjustment of components other than the reticle meter 800A and the exposure apparatus 100 in the exposure system 200 are already completed, In-factory production management host system 700, exposure process management It is assumed that the controller 500 is already operating. In this preparation process, a reference reticle R _T as a reference object in which chromium is deposited on the entire surface is used for the pattern surface.

또한, 단계 S10 에 있어서, 레티클 계측기 (800A) 내에 피조 간섭계 (60) 를 설치하고, 이 피조 간섭계 (60) 에 의해, 도 4 에 나타내는 레티클 (R) 의 패턴면 (피검면) 의 면형상의 계측을 가능한 상태로 조정한다. 즉, 피조 간섭계 (60) 내의 광학계를 도 4 에 나타내는 상태로 설치한다. 이 조정은, 조립용 로봇에 의해 자동적으로 실시되도록 해도 된다. 이 조정에서는, 피조 간섭계 (60) 의 계측 결과를, 처리 장치 (71) 로부터 해석 시스템 (600) 으로 송신할 수 있는 조정도 함께 실시된다. 또한, 이 시점에서, 레티클 계측기 (800A) 내에 있어서, 레티클 스테이지 (RST') 및 레티클 홀더 (RH') 를, 도 4 에 나타내는 상태로는 설치하지 않는 것으로 한다. 또, 참조면용 부재 (68) 에 대해서는, 이 시점에서 아직, 도 4 에 나타내는 바와 같이 설치해 둘 필요는 없다. In addition, in step S10, the created interferometer 60 is provided in the reticle measuring instrument 800A, and by using this created interferometer 60, the surface shape of the pattern surface (test surface) of the reticle R shown in FIG. Adjust the measurement as much as possible. That is, the optical system in the created interferometer 60 is provided in the state shown in FIG. This adjustment may be performed automatically by the assembling robot. In this adjustment, the adjustment which can transmit the measurement result of the created interferometer 60 to the analysis system 600 from the processing apparatus 71 is also performed. At this time, it is assumed that the reticle stage RST 'and the reticle holder RH' are not provided in the state shown in FIG. 4 in the reticle measuring instrument 800A. In addition, about the reference surface member 68, it is not necessary to provide as still shown in FIG. 4 at this time.

다음 단계 S12 에서는, 노광 장치 (100) 에 설치되는 레티클 스테이지 (RST) 및 레티클 홀더 (RH) 를, 도 4 에 나타내는 레티클 스테이지 (RST') 및 레티클 홀 더 (RH') 와 동일하게 설치하고, 레티클 홀더 (RH') 상에 레티클 (R) 을 흡착 유지 가능한 상태로 조정함과 함께, 피조 간섭계 (60) 를 이용하여 레티클 (R) 및 마크판의 면형상을 적절한 상태에서 계측할 수 있도록, 피조 간섭계 (60) 에 대한 그들의 위치 및 자세 등을 조정한다. In the next step S12, the reticle stage RST and the reticle holder RH provided in the exposure apparatus 100 are provided in the same manner as the reticle stage RST 'and the reticle holder RH' shown in FIG. In order to adjust the reticle R on the reticle holder RH 'in such a state that the reticle R can be adsorbed and held, and to measure the surface shapes of the reticle R and the mark plate using the created interferometer 60 in an appropriate state, Their position, attitude, etc. with respect to the created interferometer 60 are adjusted.

다음 단계 S14 에서는, 도시 생략된 레티클 반송계를 이용하여 기준 레티클 (R_T) 을 레티클 홀더 (RH) 상에 로딩하고, 레티클 홀더 (RH) 에 기준 레티클 (R_T) 을 흡착 유지시킨다. 그리고, 다음 단계 S16 에서는, 피조 간섭계 (60) 를 이용하여, 기준 레티클 (R_T) 의 패턴면의 면형상을 계측한다. 이 계측 결과는, 처리 장치 (71) 로부터 해석 시스템 (600) 으로 보내진다. 또한, 다음 단계 S18 에서는, 기준 레티클 (R_T) 을 도시 생략된 레티클 반송계를 이용하여 언로딩하여, 적당한 장소에 대기시킨다. In the next step S14, the reference reticle R _T is loaded onto the reticle holder RH using a reticle conveying system (not shown), and the reference reticle R _T is adsorbed and held on the reticle holder RH. Then, in the next step S16, using an adjustable interferometer 60, a reference to measure the surface shape of the pattern surface of the reticle (R _T). This measurement result is sent from the processing apparatus 71 to the analysis system 600. Further, in the next step S18, the reference reticle R _T is unloaded using a reticle carrier system not shown in the drawing, and the air is placed at an appropriate place.

다음 단계 S20 에서는, 레티클 스테이지 (RST) 및 레티클 홀더 (RH) 를, 레티클 계측기 (800A) 로부터 분리하고, 레티클 스테이지 (RST') 및 레티클 홀더 (RH') 를 설치하고, 레티클 홀더 (RH) 상에 기준 레티클 (R_T) 을 흡착 유지 가능한 상태로 조정함과 함께, 피조 간섭계 (60) 를 이용하여 레티클 (R) 및 마크판의 면형상을 적절한 상태에서 계측할 수 있도록, 피조 간섭계 (60) 에 대한 그들의 위치 및 자세 등을 조정한다. In the next step S20, the reticle stage RST and the reticle holder RH are separated from the reticle meter 800A, the reticle stage RST 'and the reticle holder RH' are installed, and on the reticle holder RH. In order to adjust the reference reticle R _T to a state in which adsorption and retention are possible, the interferometer 60 can be used to measure the surface shapes of the reticle R and the mark plate in an appropriate state by using the created interferometer 60. Adjust their position, posture, and more.

다음 단계 S22 에서는, 대기시키고 있던 도시 생략된 레티클 반송계를 이용하여 대기시키고 있던 기준 레티클 (R) 을 레티클 홀더 (RH) 에 로딩하고, 레티클 홀더 (RH) 에 기준 레티클 (R_T) 을 흡착 유지시킨다. 그리고, 다음 단계 S24 에서는, 피조 간섭계 (60) 를 이용하여, 기준 레티클 (R_T) 의 패턴면의 면형상을 계측한다. 이 계측 결과는, 처리 장치 (71) 로부터 해석 시스템 (600) 으로 보내진다. 또한, 다음 단계 S26 에서는, 레티클 반송계를 이용하여 기준 레티클 (R_T) 을 언로딩하여, 보관 장소로 되돌린다. In the next step S22, the reference reticle R, which has been waiting, is loaded on the reticle holder RH by using a reticle transfer system, not shown in the waiting, and the reference reticle R _T is adsorbed and held on the reticle holder RH. Let's do it. Then, in the next step S24, using an adjustable interferometer 60, a reference to measure the surface shape of the pattern surface of the reticle (R _T). This measurement result is sent from the processing apparatus 71 to the analysis system 600. In the next step S26, the reference reticle R _T is unloaded using the reticle conveying system and returned to the storage place.

다음 단계 S28 에서는, 해석 시스템 (600) 이, 단계 S16 에서 취득된 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 상태에서의 기준 레티클 (R_T) 의 패턴면의 면형상 데이터와, 단계 S24 에서 취득된 레티클 홀더 (RH') 에 유지된 상태에서의 기준 레티클 (R_T) 의 패턴면의 면형상 데이터의 차분에 상당하는 면형상 차이 데이터를 산출한다. 여기에서는, 레티클 스테이지 (RST') 의 마크판의 높이의 계측 결과를 기준으로 했을 (일치시켰을) 때의 면형상 차이 (마크판에 상당하는 신호를 중합시켰을 때의 각 패턴면의 면형상에 상당하는 신호의 차분) 가 산출된다. 해석 시스템 (600) 은, 이 산출 결과를 기억하여, 언제라도 판독할 수 있도록 관리한다. 단계 S28 의 종료 후는, 이 준비 처리를 종료한다. In the next step S28, the analysis system 600, the surface shape data of the pattern surface of the reference reticle R _T in the state held in the reticle holder RH acquired in step S16, and the reticle holder acquired in step S24 Surface shape difference data corresponding to the difference of the surface shape data of the pattern surface of the reference reticle R _T in the state held at (RH ') is calculated. Here, the difference in surface shape when (matched) the measurement result of the height of the mark plate of the reticle stage RST '(corresponds to the plane shape of each pattern surface when polymerizing the signal corresponding to the mark plate) Difference of the signal to be calculated). The analysis system 600 stores this calculation result and manages it so that it can be read at any time. After the completion of step S28, this preparation process ends.

이러한 준비 처리를 거친 후, 최종적으로 노광 시스템 (200) 의 각 구성 요소가 조립되어 (예를 들어, 노광 장치 (100) 내에서, 레티클 스테이지 (RST) 및 레티클 홀더 (RH) 가 도 2 에 나타내는 바와 같이 설치된다. 레티클 계측기 (800A) 내에 있어서의 레티클 스테이지 (RST') 및 레티클 홀더 (RH') 는, 상기 기술한 공정을 실시한 후, 도 4 에 나타내는 바와 같은 상태로, 이미 설치되어 있다 ), 실제로 운용 가능한 상태로 조정된다. After this preparation process, each component of the exposure system 200 is finally assembled (for example, in the exposure apparatus 100, the reticle stage RST and the reticle holder RH are shown in FIG. 2). The reticle stage RST 'and the reticle holder RH' in the reticle measuring instrument 800A are already installed in a state as shown in Fig. 4 after performing the above-described process). In this case, it is adjusted to be operational.

또한, 웨이퍼 계측기 (400A) 에 대해서도, 상기 기술한 바와 같은 처리와 동일한 처리가 실시된다. 즉, 웨이퍼 스테이지 (WST') 및 웨이퍼 홀더 (WH') 대신에 웨이퍼 스테이지 (WST) 및 웨이퍼 홀더 (WH) 를 설치하여, 표면이 경면 가공된 기준 물체로서의 기준 웨이퍼를 흡착 유지시켰을 때의 기준 웨이퍼의 면형상을 피조 간섭계 (60') 에 의해 계측하고, 웨이퍼 스테이지 (WST') 및 웨이퍼 홀더 (WH') 를 설치하여, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 기준 웨이퍼를 유지시켰을 때의 기준 웨이퍼의 면형상을 피조 간섭계 (60') 에 의해 계측하고, 기준 마크판 (FM) 에 상당하는 마크판의 표면을 기준으로 한, 각각의 경우의 면형상 차이 데이터를 해석 시스템 (600) 에 의해 구한다. 해석 시스템 (600) 은, 이 면형상 차이 데이터를 도시 생략된 기억 장치에 저장하여, 그 데이터를 언제라도 판독할 수 있도록 관리한다. In addition, the same process as the above-mentioned process is performed also about the wafer measuring apparatus 400A. That is, the reference wafer when the wafer stage WST and the wafer holder WH are provided in place of the wafer stage WST 'and the wafer holder WH', and the surface is adsorbed and held as a reference object whose mirror surface is processed. The surface shape of the reference wafer when the surface shape of the wafer was measured by the created interferometer 60 ', the wafer stage WST' and the wafer holder WH 'were provided, and the reference wafer was held in the wafer holder WH. Is measured by the created interferometer 60 ', and the plane shape difference data in each case based on the surface of the mark plate corresponding to the reference mark plate FM is obtained by the analysis system 600. The analysis system 600 stores this planar difference data in a storage device not shown, and manages the data so that it can be read at any time.

상기 기술한 준비 처리는, 노광 시스템 (200) 내의 모든 노광 장치 (100) 각각에 대하여 실시된다. 또, 노광 장치 1 대 1 대가, 복수의 레티클 홀더 (RH) 중에서 노광에 이용하는 레티클 홀더 (즉, 실제로 레티클 (R) 을 유지하는 홀더) 를 택일적으로 선택 가능한 경우에는, 복수의 레티클 홀더 (RH) 각각에 대하여, 상기 기술한 동작이 실시되고, 레티클 계측기 (800A) 의 레티클 홀더 (RH') 와의 면형상 차이가 해석 시스템 (600) 에 의해 구해진다. 해석 시스템 (600) 은, 이들 모든 레티클 홀더 (RH) 와, 그 레티클 홀더 (RH) 에 대하여 상기 기술한 바와 같이 하여 산출된 면형상 차이 데이터를 관련지어, 도시 생략된 기억 장치에 저장 하고, 몇 개의 레티클 홀더 (RH) 가 이용될 때에는, 그 레티클 홀더 (RH) 에 대응하는 면형상 차이 데이터를 판독할 수 있도록 관리하고 있다. The preparation process described above is performed for each of all exposure apparatuses 100 in the exposure system 200. Moreover, when one to one exposure apparatus can selectively select the reticle holder (namely, the holder which actually holds the reticle R) used for exposure among the some reticle holder RH, the some reticle holder RH ), The above-described operation is performed, and the plane shape difference with the reticle holder RH 'of the reticle measuring instrument 800A is determined by the analysis system 600. The analysis system 600 associates all these reticle holders RH with the planar difference data calculated as described above with respect to the reticle holders RH, and stores them in a storage device (not shown). When two reticle holders RH are used, management is performed so that surface shape difference data corresponding to the reticle holders RH can be read.

[웨이퍼 프로세스] [Wafer process]

다음으로, 도 1 에 나타내는 노광 시스템 (200) 에 있어서, 1 층째의 노광이 이미 완료된 1 매의 웨이퍼 (W) 에 대한 노광 처리를 실시하는 경우의 동작에 대하여 도 8∼도 10 의 플로우차트 및 도 11∼도 13 에 기초하여 설명한다. 또한, 전제로서 노광 장치 (100) 에 있어서는, 레티클 스테이지 (RST) 에 설치된 레티클 마크판의 투영 이미지 (공간 이미지) 계측 처리 또는 테스트 노광 등에 의해, 그 레티클 마크판의 투영 광학계 (PL) 에 의한 투영 이미지면 (최선 결상면) 이 검출되고 있고, 스테이지 제어 장치 (19) 에 의한 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 포커스·레벨링 제어에 있어서는, 검출된 이 최량 (最良) 결상면에, 웨이퍼 (W) 의 노광 영역 (IA) 에 대응하는 표면이 합치되는 포커스·레벨링 제어가 실시되도록, 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 의 검출 오프셋이 조정되고 있는 것으로 한다.Next, in the exposure system 200 shown in FIG. 1, the flowchart of FIGS. 8-10 about the operation | movement at the time of performing exposure processing with respect to the one wafer W which already completed the exposure of 1st layer, and It demonstrates based on FIGS. 11-13. In addition, in the exposure apparatus 100 as a premise, projection by the projection optical system PL of the reticle mark plate by the projection image (spatial image) measurement process, test exposure, etc. of the reticle mark plate provided in the reticle stage RST. The image plane (best imaging plane) is detected, and in the focus leveling control of the wafer stage WST by the stage control device 19, the wafer W is exposed to this detected best imaging plane. The detection offsets of the focus position detection systems 60a and 60b are adjusted so that the focus leveling control in which the surface corresponding to the area IA coincides is performed.

도 8 에 나타내는 바와 같이, 우선, 단계 S50 에서는, 공장 내 생산 관리 시스템 (700) 의 관리 하에, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 가 도시 생략된 레티클 반송계에 의해, 노광 장치 (100) 에 로딩되는 레티클 (R) 을 레티클 계측기 (800A) 까지 반송시켜, 레티클 홀더 (RH') 상에 로딩시킨다. 다음 단계 S52 에서는, 레티클 계측기 (800A) 가 레티클 홀더 (RH') 상에 유지된 상태에서의 레티클 (R) 의 패턴면에 상당하는 면형상을 계측한다. 이 계측된 면형상 데이터 R(x, y)(x, y 는, 레티클 (R) 의 패턴 중심을 원점으로 하는 X 축 방향, Y 축 방향의 위 치 좌표) 은 해석 시스템 (600) 에 송신된다. 도 11, 도 12 에는, 계측된 면형상 R(x, y) 의 일례가 나타나 있다. 도 11 에서는, +Z 측에서 보았을 때의 XY 면에 대한 레티클 (R) 의 패턴면의 Z 위치의 변화가 나타나고, 도 12 는, XY 면에 대한 레티클 (R) 의 패턴면의 Z 위치를 3 차원 그래프 표시한 것이다. 도 11, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 레티클 (R) 은 레티클 홀더 (RH') 에 유지됨으로써, 그 유지 부분에 대하여 레티클 (R) 의 패턴면의 중심 부근이 움푹 들어가는 형상으로 변형된다. 도 12 에 나타내는 바와 같이, 레티클 (R) 의 패턴면의 Z 위치의 최대값과 최소값의 차이는, 0.5 미크론 정도로 되어 있다. 또한, 도 12 의 그래프에 있어서는, 레티클 (R) 의 마크판 면의 Z 위치의 최소치를 원점으로서 표시하고 있다.As shown in FIG. 8, first, in step S50, under the control of the in-house production control system 700, the exposure process control controller 500 is loaded to the exposure apparatus 100 by the reticle conveying system not shown in figure. The reticle R is conveyed to the reticle measuring instrument 800A and loaded onto the reticle holder RH '. In the next step S52, the surface shape corresponding to the pattern surface of the reticle R in a state where the reticle measuring instrument 800A is held on the reticle holder RH 'is measured. The measured surface data R (x, y) (where x and y are the coordinates of the X axis direction and Y axis direction whose origin is the pattern center of the reticle R) is transmitted to the analysis system 600. . 11 and 12 show an example of the measured surface shape R (x, y). In FIG. 11, the change of the Z position of the pattern surface of the reticle R with respect to the XY plane as seen from the + Z side appears, and FIG. 12 shows the Z position of the pattern surface of the reticle R with respect to the XY surface by 3. It is a dimensional graph. As shown to FIG. 11, FIG. 12, the reticle R is hold | maintained in the reticle holder RH ', and it deform | transforms into the shape which the vicinity of the center of the pattern surface of the reticle R with respect to the holding part. As shown in FIG. 12, the difference between the maximum value and minimum value of the Z position of the pattern surface of the reticle R is about 0.5 micron. In addition, in the graph of FIG. 12, the minimum value of the Z position of the mark plate surface of the reticle R is shown as an origin.

도 8 로 돌아와, 단계 S54 에서는, 도시 생략된 레티클 반송계에 의해 레티클 (R) 을 레티클 계측기 (800A) 로부터 언로딩시킨다. 이어서, 레티클 반송계는, 이 레티클 (R) 을 노광 장치 (100) 에 반송한다. Returning to FIG. 8, in step S54, the reticle R is unloaded from the reticle measuring instrument 800A by a reticle carrier system not shown. Next, the reticle conveying system conveys this reticle R to the exposure apparatus 100.

다음 단계 S56 에서는, 해석 시스템 (600) 은, 노광 장치 (100) 의 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 상태와 거의 등가인 상태에서의 레티클 (R) 의 면형상 데이터를 산출한다. 즉, 해석 시스템 (600) 은, 상기 단계 S28 에서 산출된 면형상 차이 데이터 (이것을 dR(x, y) 로 한다) 와, 단계 S52 에서 취득된 레티클 홀더 (RH') 에 유지된 상태에서의 레티클 (R) 의 면형상 데이터 (R(x, y)) 에 기초하여, 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 상태와 거의 등가인 상태에서의 레티클 (R) 의 면형상 데이터 (R'(x, y)=R(x, y)+dR(x, y)) 를 산출한다. 레티클 (R) 의 면형상 데이 터 R'(x, y) 는, 해석 시스템 (600) 으로부터 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 에 보내진다. In the next step S56, the analysis system 600 calculates the surface shape data of the reticle R in a state almost equivalent to the state held by the reticle holder RH of the exposure apparatus 100. That is, the analysis system 600 reticle in the state hold | maintained in the surface shape difference data (this is set to dR (x, y)) computed at said step S28, and the reticle holder RH 'acquired at step S52. Based on the surface data R (x, y) of (R), the surface data R '(x, y) of the reticle R in a state almost equivalent to the state held in the reticle holder RH. ) = R (x, y) + dR (x, y)) is calculated. The planar data R '(x, y) of the reticle R is sent from the analysis system 600 to the exposure process management controller 500.

다음 단계 S58 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 레티클 (R) 의 패턴면의 평탄도가 이상한지 아닌지, 바꿔 말하면, 평탄도에 관한 요구 정밀도를 만족시킬 수 없는 레티클 (R) 인지 아닌지를 판단한다. 여기에서는, 상기 기술한 바와 같이 하여 구해진 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상 데이터 R'(x, y) 로부터, 그 평탄도에 관한 지표값을 산출하여, 상기 판단을, 그 값에 기초하여 실시한다. 예를 들어, 여기에서는, 면형상 데이터 R'(x, y) 에 있어서의 면위치의 최대값과 최소값의 차이가, 허용 범위 내에 없으면, 레티클 (R) 은 평탄도 이상이라고 판단한다. 이 판단이 긍정되면, 단계 S60 로 진행되고, 그 레티클 (R) 을 리젝트 (reject) 하도록 지시하여 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 그 레티클 (R) 의 리젝트를 재촉하여), 처리를 종료시킨다. 한편, 이 판단이 긍정되면, 단계 S62 로 진행된다. In the next step S58, the exposure process management controller 500 checks whether the flatness of the pattern surface of the reticle R is abnormal or, in other words, whether it is the reticle R that cannot satisfy the required precision regarding the flatness. To judge. Here, an index value relating to the flatness is calculated from the planar data R '(x, y) of the pattern surface of the reticle R obtained as described above, and the judgment is made based on the value. Conduct. For example, here, if the difference between the maximum value and minimum value of the surface position in surface shape data R '(x, y) does not fall within an allowable range, it determines with the reticle R being more than flatness. If this determination is affirmed, the flow proceeds to step S60, instructing to reject the reticle R (or to prompt the rejection of the reticle R using a display function or the like on a monitor). The process ends. On the other hand, if this determination is affirmative, the flow advances to step S62.

단계 S62 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 주제어 장치 (20) 에 면형상 데이터 R'(x, y) 를 보내거나, 또는 해석 시스템 (600) 에 이 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상 데이터 R'(x, y) 를 주제어 장치 (20) 에 보내게 한다. 다음 단계 S64 에서는, 레티클 (R) 을 노광 장치 (100) 에 반입시키고, 레티클 (R) 을 도 2 에 나타내는 바와 같이 레티클 홀더 (RH) 상에 흡착 유지시킨다. 그리고, 다음 단계 S66 에서는, 노광 장치 (100) 에 대해, 도시 생략된 레티클 얼라인먼트계에 의한 레티클 얼라인먼트 및 베이스 라인 계측 등의 레티클 (R) 에 관한 준비 작업을, 도시 생략된 레티클 얼라인먼트계 및 얼라인먼트계 (ALG) 등을 이용하여 실시하도록 지시한다. 또한, 이러한 노광 장치 (100) 에 있어서의 일련의 동작은, 통상의 스캐너와 동일하기 때문에, 상세 설명에 대해서는 생략한다. 단계 S66 완료 후에는, 도 9 의 단계 S70 로 진행된다. In step S62, the exposure process management controller 500 sends the surface data R '(x, y) to the main controller 20 or the surface of the pattern surface of the reticle R to the analysis system 600. The shape data R '(x, y) is sent to the main controller 20. In the next step S64, the reticle R is carried into the exposure apparatus 100, and the reticle R is adsorbed and held on the reticle holder RH as shown in FIG. 2. In the next step S66, the preliminary work on the reticle R such as the reticle alignment and the baseline measurement by the reticle alignment system, not shown, is performed on the exposure apparatus 100. (ALG) or the like to instruct the operation. In addition, since a series of operation | movement in such exposure apparatus 100 is the same as that of a normal scanner, detailed description is abbreviate | omitted. After step S66 is completed, the process proceeds to step S70 of FIG.

다음 단계 S70 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 기판 처리 장치, 즉 노광 장치 (100) 및 트랙 (300 ; 코터부 (310), 디벨로퍼부 (320) 및 웨이퍼 계측기 (400A) 등) 에 대하여, 소정의 순서로 웨이퍼 (W) 에 대한 처리를 실시하도록 지시한다. 이 지시를 받으면, 웨이퍼 캐리어 (302) 로부터 취출된 1 매의 웨이퍼 (W) 는, 반송 라인 (301) 상을 레지스트 코터 (311) 까지 반송된다. 그리고, 레지스트 코터 (311) 내에 반입된 웨이퍼 (W) 에 대하여 포토레지스트가 도포되고, 또한 그 웨이퍼 (W) 는 반송 라인 (301) 을 따라 프리베이크 장치 (312) 및 냉각 장치 (313) 에 반송되어 그 웨이퍼 (W) 에 대한 레지스트 처리가 실시된다. 레지스트 처리가 완료되면, 트랙 (300) 으로부터 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 에 대해, 레지스트 처리 완료 통지가 보내진다. 단계 S72 에 있어서, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 이 통지를 취득한다. In the next step S70, the exposure process management controller 500 is directed to the substrate processing apparatus, that is, the exposure apparatus 100 and the track 300 (the coater 310, the developer 320, the wafer measuring instrument 400A, etc.). Instructs the wafer W to be processed in a predetermined order. Upon receiving this instruction, one wafer W taken out from the wafer carrier 302 is transferred onto the transfer line 301 to the resist coater 311. And the photoresist is apply | coated to the wafer W carried in the resist coater 311, and the wafer W is conveyed to the prebaking apparatus 312 and the cooling apparatus 313 along the conveyance line 301. Then, resist processing is performed on the wafer W. As shown in FIG. When the resist process is completed, the resist process completion notification is sent from the track 300 to the exposure process management controller 500. In step S72, the exposure process management controller 500 acquires this notification.

다음 단계 S74 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 웨이퍼 계측기 (400A) 에 웨이퍼 (W) 를 로딩시키고, 단계 S76 에 있어서, 웨이퍼 계측기 (400A) 에 의해 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측시키고, 그 면형상 데이터 W(x, y) 를 취득시킨다. 도 13 에는, 여기에서, 취득된 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W(x, y) 의 일례가 나타나 있다. In the next step S74, the exposure process management controller 500 loads the wafer W into the wafer measuring instrument 400A, and in step S76 measures the surface shape of the wafer W by the wafer measuring instrument 400A. , The surface data W (x, y) is obtained. 13 shows an example of the planar data W (x, y) of the wafer W obtained here.

다음 단계 S78 에서는, 웨이퍼 계측기 (400A) 로부터 웨이퍼 (W) 를 언로딩하고, 도시 생략된 반송계에 의해, 웨이퍼 (W) 를 노광 장치 (100) 에 반송시킨다. 그리고, 단계 S80 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 해석 시스템 (600) 에 상기 단계 S28 에서 산출된 면형상 차이 데이터 (dW(x, y) 로 한다) 와, 단계 S52 에서 취득된 웨이퍼 홀더 (WH') 에 유지된 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 (W(x, y)) 에 기초하여, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태와 거의 등가인 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 (W'(x, y)=W(x, y)+dW(x, y)) 를 산출시킨다. 산출된 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 는, 해석 시스템 (600) 으로부터 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 에 보내진다. In the next step S78, the wafer W is unloaded from the wafer measuring device 400A, and the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 100 by a transfer system not shown. And in step S80, the exposure process management controller 500 makes the surface shape difference data (dW (x, y) calculated by the said step S28) to the analysis system 600, and the wafer holder acquired in step S52. Wafer W in a state substantially equivalent to the state held in wafer holder WH based on surface shape data W (x, y) of wafer W in state held in WH '. The planar shape data of W '(x, y) = W (x, y) + dW (x, y) is calculated. The calculated planar shape data W '(x, y) of the wafer W is sent from the analysis system 600 to the exposure process management controller 500.

다음 단계 S82 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 요구 정밀도를 만족시킬 수 있는지 없는지를 판단한다. 이 판단은, 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 에 기초하여 그 평탄도를 나타내는 지표값을 산출하여, 그 값을 판단 기준으로 하여 이루어진다. 예를 들어, 면형상 데이터 W'(x, y) 에 있어서의 최대값과 최소값의 차이가, 허용 범위가 아니면, 그 평탄도는, 요구 정밀도를 만족시키지 않아 이상한 것으로 판단할 수 있다. 이 판단이 긍정되면, 단계 S84 로 진행되고, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 그 웨이퍼 (W) 를 리젝트하도록 지시하여 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 그 웨이퍼 (W) 의 리젝트를 재촉하여), 처리를 종료시킨다.In the next step S82, the exposure process management controller 500 determines whether or not the flatness of the wafer W can satisfy the required accuracy. This determination is made on the basis of the surface shape data W '(x, y) of the wafer W, and the index value which shows the flatness is computed, and this value is made into a judgment reference. For example, if the difference between the maximum value and the minimum value in the planar data W '(x, y) is not within the allowable range, the flatness does not satisfy the required accuracy and can be determined to be abnormal. If this determination is affirmed, the flow advances to step S84, and the exposure process management controller 500 instructs to reject the wafer W (or by using a display function on a monitor or the like) to replace the wafer W. Prompting the project) ends the processing.

한편, 이 판단이 긍정되면, 단계 S86 로 진행된다. 단계 S86 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 를 주제어 장치 (20) 에 보내거나, 또는 해석 시스템 (600) 에 대하여, 구해진 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 를 주제어 장치 (20) 에 보내도록 지시한다. 그리고, 다음 단계 S88 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 트랙 (300) 에 대하여, 웨이퍼 (W) 를 노광 장치 (100) 에 반송시키도록 지시한다. 이로써, 웨이퍼 (W) 가 노광 장치 (100) 에 반입된다. 이것에 맞춰, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 노광 장치 (100) 에 대해, 일련의 노광 동작을 개시하도록 지시한다. 이후, 도 10 의 단계 S90∼단계 S108 까지의 동작은, 노광 장치 (100) 의 주제어 장치 (20) 에 의해 실시되는 것이다.On the other hand, if this determination is affirmed, the flow proceeds to step S86. In step S86, the exposure process management controller 500 sends the surface shape data W '(x, y) of the wafer W to the main controller 20 or obtains the obtained wafer W with respect to the analysis system 600. ), The plane shape data W '(x, y) is sent to the main controller 20. In the next step S88, the exposure process management controller 500 instructs the track 300 to convey the wafer W to the exposure apparatus 100. Thereby, the wafer W is carried in to the exposure apparatus 100. In accordance with this, the exposure process management controller 500 instructs the exposure apparatus 100 to start a series of exposure operations. Subsequently, the operations from step S90 to step S108 in FIG. 10 are performed by the main controller 20 of the exposure apparatus 100.

이 지시가 보내진 주제어 장치 (20) 에서는, 단계 S90 에 있어서, 도시 생략된 프리얼라인먼트 장치에 의해, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동 위치 (웨이퍼 간섭계 (54W) 의 계측치에 기초하는 위치) 를 규정하는 스테이지 좌표계 (본 제 1 실시 형태에서는 XY 좌표계로 한다) 와, 웨이퍼 (W) 상의 쇼트 영역의 배열에 의해 규정되는 좌표계 (웨이퍼 좌표계) 가 어느 정도까지 일치하도록, 웨이퍼 스테이지 (WST) 에 대한 웨이퍼 (W) 의 회전 어긋남과 중심 위치 어긋남이 고정밀도로 조정되는 이른바 웨이퍼 프리얼라인먼트를 실시한다. In the main control apparatus 20 to which this instruction was sent, in step S90, the stage which prescribes the moving position (position based on the measured value of the wafer interferometer 54W) of the wafer stage WST by the pre-alignment apparatus not shown in figure. The wafer W with respect to the wafer stage WST so that the coordinate system (which is referred to as the XY coordinate system in the first embodiment) and the coordinate system (wafer coordinate system) defined by the arrangement of the shot regions on the wafer W to some extent coincide. The so-called wafer prealignment is performed in which the rotational shift and the center position shift are adjusted to high precision.

다음 단계 S92 에서는, 도시 생략된 웨이퍼 로더를 통하여, 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼 스테이지 (WST) 상의 웨이퍼 홀더 (WH) 상에 로딩한다. In the next step S92, the wafer W is loaded onto the wafer holder WH on the wafer stage WST through a wafer loader not shown.

다음 단계 S94 에서는, 웨이퍼 얼라인먼트를 실시한다. 여기에서는, 얼라인먼트계 (ALG) 등을 이용한, EGA 방식 등의 웨이퍼 얼라인먼트가 실시된다. 또한, 이 EGA 방식의 웨이퍼 얼라인먼트에 대해서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 소61-44429호 및 이것에 대응하는 미국 특허 제 4,780,617호 등에 개시되어 있기 때문에, 상세한 설명을 생략한다. 본 국제출원에서 지정한 지정국 (또는 선택한 선택국) 의 국내 법령이 허용되는 한, 상기 공보 및 대응하는 미국 특허에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다. In the next step S94, wafer alignment is performed. Here, wafer alignment such as an EGA method using an alignment system (ALG) or the like is performed. In addition, since this EGA system wafer alignment is disclosed, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 61-44429, US Pat. No. 4,780,617, etc. corresponding to this, detailed description is abbreviate | omitted. As long as the national legislation of the designated country (or selected selected country) specified in this international application is permitted, the disclosures in this publication and the corresponding US patents are incorporated herein by reference.

다음 단계 S96 에서는, 레티클 (R) 의 패턴면의 면형상 데이터 R'(x, y) 를 이미지면 상의 곡면으로 환산한다. 이 환산은, 투영 광학계 (PL) 의 투영 배율을 이용하여 실시된다. 이 환산된 면형상 데이터를 R''(x, y) 라고 한다. 이 R''(x, y) 는, 레티클 마크판의 평가 마크 이미지에 의한 기준면으로부터의 레티클 (R) 의 패턴 이미지의 이미지면의 어긋남 양을 나타내는 데이터로 간주할 수 있다.In the next step S96, the planar data R '(x, y) of the pattern surface of the reticle R is converted into a curved surface on the image surface. This conversion is performed using the projection magnification of the projection optical system PL. This converted surface shape data is called R '' (x, y). This R '' (x, y) can be regarded as data representing the amount of deviation of the image plane of the pattern image of the reticle R from the reference plane by the evaluation mark image of the reticle mark plate.

다음으로, 단계 S98 에서는, 쇼트 영역의 서열 번호를 나타내는 카운터 p 의 값 (이하, 「카운터값 p」로 한다) 에 1 을 설정하고, 최초의 쇼트 영역을 노광 대상 영역으로 한다.Next, in step S98, 1 is set to the value of the counter p (hereinafter, referred to as "counter value p") indicating the sequence number of the shot region, and the first shot region is an exposure target region.

다음으로, 단계 S100 에서는, 노광 대상 영역의 배열 좌표 (각 쇼트 영역의 중심 위치 좌표) 에 기초하여, 웨이퍼 (W) 의 위치가 노광 대상 영역을 노광하기 위한 가속 개시 위치가 되도록, 스테이지 제어 장치 (19), 웨이퍼 스테이지 구동부 (56W) 를 통하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 이동시킴과 함께, 레티클 (R) 의 위치가 가속 개시 위치가 되도록 스테이지 제어 장치 (19), 레티클 스테이지 구동부 (56R) 를 통하여 레티클 스테이지 (RST) 를 이동시킨다. 즉, 주제어 장치 (20) 는, 웨이퍼 얼라인먼트의 결과로서 얻어진 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트 영역의 배열 정보 및 얼라인먼트계 (ALG) 의 베이스 라인에 기초하여, 간섭계 (54W, 54R) 로부터의 위치 정보를 모니터하면서, 스테이지 제어 장치 (19) 의 제어에 의해, 웨이퍼 (W) 의 제 1 쇼트 영역의 노광을 위한 주사 개시 위치 (가속 개시 위치) 에 Z 틸트 스테이지 (38 ; 웨이퍼 스테이지 (WST)) 를 이동시킴과 함께, 레티클 스테이지 (RST) 를 주사 개시 위치 (가속 개시 위치) 에 이동시킨다. Next, in step S100, the stage control apparatus (so that the position of the wafer W becomes an acceleration start position for exposing the exposure target region based on the array coordinates (center position coordinates of each shot region) of the exposure target region. 19) The wafer stage WST is moved through the wafer stage driver 56W, and the reticle is moved through the stage control device 19 and the reticle stage driver 56R so that the position of the reticle R becomes the acceleration start position. Move the stage RST. In other words, the main controller 20 receives the positional information from the interferometers 54W and 54R based on the arrangement information of the respective shot regions on the wafer W obtained as a result of the wafer alignment and the baseline of the alignment system ALG. While monitoring, the Z tilt stage 38 (wafer stage WST) is moved to the scanning start position (acceleration start position) for the exposure of the first shot region of the wafer W by the control of the stage control device 19. In addition, the reticle stage RST is moved to the scan start position (acceleration start position).

다음 단계 S10 에서는, 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 상대 주사를 개시한다. 그리고 양 스테이지 (RST, WST) 가 각각의 목표 주사 속도에 도달하고, 등속 동기 상태에 도달하면, 도시 생략된 조명계로부터의 조명광 (IL) 에 의해 레티클 (R) 의 패턴 영역이 조명되기 시작하여 주사 노광이 개시된다. 그리고, 레티클 (R) 의 패턴 영역의 상이한 영역이 조명광 (IL) 에서 축차 조명되어, 패턴 영역의 전체면에 대한 조명이 완료됨으로써 주사 노광이 종료된다. 이로써, 레티클 (R) 의 회로 패턴 등이 투영 광학계 (PL) 를 통하여 웨이퍼 (W) 상의 노광 대상 영역에 축소 전사된다. 즉, 여기에서는, 스텝·앤드·스캔 방식의 노광이 실시된다.In the next step S10, relative scanning of the reticle stage RST and wafer stage WST is started. Then, when both stages RST and WST reach their respective target scanning speeds and reach the constant speed synchronism state, the pattern region of the reticle R begins to be illuminated by the illumination light IL from the illumination system, not shown, and is scanned. The exposure is started. Then, different regions of the pattern region of the reticle R are sequentially illuminated by the illumination light IL, and the illumination exposure to the entire surface of the pattern region is completed, thereby terminating the scanning exposure. Thereby, the circuit pattern of the reticle R, etc. are reduced and transferred to the exposure target area on the wafer W via the projection optical system PL. That is, here, exposure of a step-and-scan system is performed.

이 주사 노광 중에, 상기 단계 S96 에서 구해진 웨이퍼 이미지면 환산의 레티클 (R) 의 면형상 데이터 R''(x, y) 에 기초하여, 레티클 스테이지 (RST) 의 Y 좌표에 따라 결상 특성 보정 컨트롤러 (48) 를 통하여 가동 렌즈를 구동함과 함께, 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 의 출력에 기초하여 스테이지 제어 장치 (19) 및 액츄에이터 (21A∼21C) 를 통하여 Z 틸트 스테이지 (38) 를 구동하여, 그 보정 후의 주사 이미지면에 웨이퍼 (W) 의 면을 일치시키도록 제어한다. During this scanning exposure, the imaging characteristic correction controller (based on the Y coordinate of the reticle stage RST) is based on the planar shape data R " (x, y) of the reticle R of the wafer image plane conversion obtained in the step S96. While driving the movable lens via 48, the Z tilt stage 38 is driven through the stage control device 19 and the actuators 21A to 21C based on the output of the focus position detection systems 60a and 60b. The control is performed to match the plane of the wafer W with the scanned image plane after the correction.

이로써, 주사 노광 중에 있어서는, 비스캔 방향 (X 축 방향) 의 레티클 (R) 의 조명 영역 (IAR) 에 상당하는 부분의 면형상의 변화에 의한 이미지면 변화의 1 차 성분은, Z 틸트 스테이지 (38) 의 롤링 (X 축 방향 틸트) 제어에 의해 보정되고, 그 2 차 이상의 성분은 가동 렌즈의 구동에 의해 보정되고, 스캔 방향 (Y 축 방향) 의 이미지면 변화는, Z 틸트 스테이지 (38) 의 피칭 (Y 축 방향 틸트) 제어에 의해 보정되고, 이미지면의 오프셋 성분은, Z 틸트 스테이지 (38) 의 Z 축 방향의 제어 (포커스 제어) 에 의해 보정된다.Thus, during scanning exposure, the primary component of the image plane change due to the change in the surface shape of the portion corresponding to the illumination region IAR of the reticle R in the bisscan direction (X axis direction) is Z tilt stage ( 38) is corrected by the rolling (X-axis direction tilt) control, the second or more component is corrected by the drive of the movable lens, and the image plane change in the scanning direction (Y-axis direction) is Z tilt stage 38 Is corrected by pitching (Y axis direction tilt) control, and the offset component of the image plane is corrected by control (focus control) in the Z axis direction of the Z tilt stage 38.

또한, 주사 노광 중의 가동 렌즈의 구동에 의한 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성의 보정, 예를 들어 이미지면 만곡의 보정은, 주사 노광 중에 상시 실시하는 것은 필수가 아니고, 예를 들어 주사 노광에 앞서 실시하는 것으로 할 수도 있다. 이 경우, 가동 렌즈의 구동에 의해 포커스 위치가 변화되는 경우에는, 주제어 장치 (20) 는 발생하는 포커스 위치의 변화량 (ΔZ') 을 주사 노광 전에 산출해 두고, 주사 노광 중에는 -ΔZ' 만 변화시킨 포커스 위치의 목표값에 기초하여, 상기 기술한 포커스·레벨링 제어를 실행하는 것으로 해도 된다. 이로써, 레티클 (R) 의 패턴면의 휨에 의한 이미지면 만곡 및 디포커스가 보정되어, 웨이퍼 (W) 의 표면이 고정밀도로 레티클 (R) 의 패턴면에 대한 실제의 이미지면에 초점 심도의 범위 내에서 일치된다. In addition, correction of the imaging characteristic of the projection optical system PL by driving of the movable lens during scanning exposure, for example, correction of image plane curvature, is not essential to be always performed during scanning exposure, for example, prior to scanning exposure. It may also be carried out. In this case, when the focus position is changed by driving the movable lens, the main controller 20 calculates the change amount ΔZ 'of the generated focus position before scanning exposure, and changes only -ΔZ' during the scanning exposure. The above-described focus leveling control may be executed based on the target value of the focus position. As a result, image plane curvature and defocus due to the warp of the pattern surface of the reticle R are corrected, and the surface of the wafer W is precisely in the range of the depth of focus on the actual image surface with respect to the pattern surface of the reticle R. Is matched within.

또, 이 주사 노광 중에 있어서는, 레티클 (R) 의 면형상 데이터 R''(x, y) 에 의한 보정과 동시에, 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W(x, y) 를 이용한 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치 제어의 보정도 동시에 실시한다. 즉, 웨이퍼 간섭계 (54W) 의 계측값으로부터 얻어지는, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 X 위치, Y 위치에 기초하여, 노광 영역 (IA) 에 상당하는 웨이퍼 (W) 의 위치 (x, y) 를 산출한다. 그리고, 그 웨이퍼 (W) 의 위치 (x, y) 에 있어서의 웨이퍼의 면형상 데이터 W(x, y) 로부터 산출된 노광 영역 (IA) 에 대응하는 웨이퍼 (W) 의 표면에 기초하여, 예를 들어, 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 의 검출 오프셋을 조정한다. 이로써, 그 웨이퍼 (W) 의 기준 마크판의 Z 위치에 대한 노광 영역 (IA) 에 대응하는 웨이퍼 (W) 의 면형상의 변화에 관계없이, 패턴의 최선 결상면과, 웨이퍼 (W) 의 표면이 초점 심도의 범위 내에서 일치하게 된다. In addition, during this scanning exposure, the wafer stage WST using the planar data W (x, y) of the wafer W is simultaneously corrected by the planar data R '' (x, y) of the reticle R. The position control is also corrected at the same time. That is, the position (x, y) of the wafer W corresponding to the exposure area IA is calculated based on the X position and the Y position of the wafer stage WST obtained from the measured values of the wafer interferometer 54W. . And based on the surface of the wafer W corresponding to the exposure area IA computed from the surface shape data W (x, y) of the wafer in the position (x, y) of the wafer W, an example For example, the detection offset of the focus position detection system 60a, 60b is adjusted. Thereby, irrespective of the change in the surface shape of the wafer W corresponding to the exposure area IA with respect to the Z position of the reference mark plate of the wafer W, the best imaging surface of the pattern and the surface of the wafer W This coincides with the depth of focus.

다음 단계 S104 에서는, 카운터값 (p) 을 참조하여, 모든 쇼트 영역에 노광이 실시되었는지 아닌지를 판단한다. 여기에서는, p=1, 즉, 최초의 쇼트 영역에 대해서 노광이 실시된 것뿐이므로, 단계 S104 에서의 판단은 부정되어, 단계 S106 로 진행된다. 단계 S106 에서는, 카운터값 (p) 을 인크리먼트 (p←p+1) 하여, 다음의 쇼트 영역을 노광 대상 영역으로 하고, 단계 S100 로 돌아온다. In the next step S104, the counter value p is referred to to determine whether or not the exposure has been performed on all the shot regions. Here, since p = 1, i.e., only exposure was performed on the first shot region, the determination in step S104 is negated, and the flow proceeds to step S106. In step S106, the counter value p is incremented (p ← p + 1), and the next shot area is set as the exposure target area, and the process returns to step S100.

이하, 단계 S104 에서의 판단이 긍정될 때까지, 단계 S100→단계 S102→단계 S104→단계 S106 의 처리, 판단이 반복되어, 웨이퍼 (W) 상의 복수의 쇼트 영역에 레티클 (R) 의 회로 패턴 등이 전사된다. 웨이퍼 (W) 상의 모든 쇼트 영역에 대한 패턴의 전사가 종료되면, 단계 S104 에서의 판단이 긍정되어, 단계 S108 로 이행된다. 단계 S108 에서는, 도시 생략된 웨이퍼 로더에 의한 웨이퍼 (W) 의 언로딩을 지시한다. Hereinafter, the processing and judgment in step S100? Step S102? Step S104? Step S106 are repeated until the judgment in step S104 is affirmated, and the circuit pattern of the reticle R, etc., is applied to the plurality of shot regions on the wafer W. This is transferred. When the transfer of the pattern to all the shot regions on the wafer W is completed, the determination in step S104 is affirmed, and the process proceeds to step S108. In step S108, the unloading of the wafer W by the wafer loader not shown is instructed.

이 지시에 의해, 웨이퍼 스테이지 (WST) 로부터 언로딩된 웨이퍼 (W) 는, 도 시 생략된 웨이퍼 언로더에 의해, 트랙 (300) 의 반송 라인 (301) 까지 반송된 후, 반송 라인 (301) 을 따라 순차 포스트 베이크 장치 (321) 및 냉각 장치 (322) 를 거쳐 현상 장치 (323) 에 보내진다. 다음 단계 S110 에서는, 현상 장치 (323) 에 있어서, 웨이퍼 (W) 의 각 쇼트 영역 상에, 레티클의 디바이스 패턴에 대응한 레지스트 패턴 이미지가 현상된다. 현상이 완료된 웨이퍼 (W) 는, 필요에 따라 형성된 패턴의 선폭, 중첩 오차 등의 도시 생략된 계측 장치에서 검사되어, 반송 라인 (301) 에 의해 웨이퍼 캐리어 (303) 내에 수납된다. The wafer W unloaded from the wafer stage WST by this instruction is conveyed to the conveying line 301 of the track 300 by the wafer unloader omitted in the drawing, and then conveying line 301. It is sent to the developing apparatus 323 via the post-baking apparatus 321 and the cooling apparatus 322 sequentially. In the next step S110, in the developing apparatus 323, a resist pattern image corresponding to the device pattern of the reticle is developed on each shot region of the wafer W. FIG. The wafer W in which development is completed is inspected by the measurement apparatus not shown, such as the line width and superposition error of the pattern formed as needed, and is accommodated in the wafer carrier 303 by the conveyance line 301. As shown in FIG.

다음 단계 S112 에서는, 웨이퍼 캐리어 (303) 에 수납된 웨이퍼 (W) 는, 다른 처리 장치에 반송되고, 에칭 (레지스트에서 보호되고 있지 않은 부분을 삭제한다) 을 실시하고, 단계 S114 에 있어서, 레지스트 박리 (단계 S96, 불필요해진 레지스트를 제거한다) 를 실시한다. 노광 장치 (100) 에서 노광을 실시하는 다음의 웨이퍼 (W) 가 있는 경우에는, 상기 기술한 (S70∼S114) 의 처리를 그 웨이퍼 (W) 에 대하여 반복 실시한다. 이로써, 웨이퍼 캐리어 (302) 에 수납된 예를 들어 1 로트의 웨이퍼 (W) 에 대하여, 다중으로 회로 패턴이 형성된다. In the next step S112, the wafer W housed in the wafer carrier 303 is conveyed to another processing apparatus and subjected to etching (removing a portion not protected by the resist). In step S114, the resist is peeled off. (Step S96, the unnecessary resist is removed). When there is the next wafer W to be exposed in the exposure apparatus 100, the above-described processes of S70 to S114 are repeatedly performed on the wafer W. As shown in FIG. Thereby, the circuit pattern is formed in multiple numbers with respect to the wafer W of 1 lot accommodated in the wafer carrier 302, for example.

[파이프라인 처리] [Pipeline Processing]

상기 기술한 본 제 1 실시 형태의 처리 순서에 있어서는, 웨이퍼 계측기 (400A) 에 의한 웨이퍼 (W) 의 면형상의 노광 장치 (100) 반입 전의 계측 공정 (도 9 의 단계 S70∼단계 S88) 를 실시함으로써, 웨이퍼 프로세스 처리의 스루풋이 저하되는 것이 염려되지만, 이하와 같은 파이프라인 처리를 적용함으로써, 스루풋의 저하를 방지하는 것이 가능하다. 이에 대하여 도 14 에 기초하여 설명한다.In the above-described processing procedure of the first embodiment, a measurement process (steps S70 to S88 in FIG. 9) is carried out before the surface exposure apparatus 100 is loaded into the wafer W by the wafer measuring instrument 400A. Although it is concerned that the throughput of a wafer process process may fall by this, it is possible to prevent the fall of a throughput by applying the following pipeline processes. This will be described based on FIG. 14.

웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측 공정을 추가함으로써, 웨이퍼 프로세스 처리는, 레지스트 막을 형성하는 레지스트 처리 공정 (A), 웨이퍼 계측기 (400A) 에 의한 웨이퍼의 면형상의 계측 공정 (B), 얼라인먼트 및 노광을 실시하는 노광 공정 (C), 노광 후의 열처리나 현상을 실시하는 현상 공정 (D), 레지스트 패턴의 측정을 실시하는 경우에는 패턴 치수 계측 공정 (E) 의 5 개의 공정으로 구성되게 된다. 이들의 5 개의 공정에서, 수 매의 웨이퍼 (W ; 동일 도면에서는 3 매) 에 대하여, 병행적으로 처리하는 파이프라인 처리를 실시한다. 구체적으로는, 또, 웨이퍼 (W) 의 계측 공정 (B) 을 선행되는 웨이퍼 (W) 의 노광 공정 (C) 을 병행하여 실시함으로써, 전체의 스루풋에 주는 영향을 매우 작게 억제할 수 있다. By adding the surface measurement process of the wafer W, the wafer process treatment includes a resist processing process (A) for forming a resist film, a measurement process (B) for the surface shape of the wafer by the wafer measuring device 400A, alignment and In the case of performing the exposure process (C) which performs exposure, the development process (D) which performs heat processing and image development after exposure, and the measurement of a resist pattern, it consists of five processes of a pattern dimension measurement process (E). In these five processes, several wafers (W; 3 sheets in the same drawing) are subjected to the pipeline process performed in parallel. Specifically, by performing the measurement step (B) of the wafer (W) in parallel with the exposure step (C) of the preceding wafer (W), the influence on the overall throughput can be very small.

또한, 현상 공정 (D) 의 실시 후에 레지스트 치수 측정 공정 (E) 을 실시하는 경우에는, 사전 계측 공정 (B) 과 레지스트 치수 측정 공정 (E) 을 서로 겹치지 않는 타이밍으로, 이들을 웨이퍼 계측기 (400A) 에서 파이프라인적으로 계측함으로써, 레지스트 치수 측정 장치를 별도 설치할 필요가 없기 때문에 장치 비용을 삭감시킬 수 있고, 또한 스루풋에도 그만큼 악영향을 주는 일은 없다. In addition, when performing a resist dimension measurement process (E) after implementation of the image development process (D), these are measured at the timing which does not overlap a premeasurement process (B) and a resist dimension measurement process (E) with each other, and a wafer measuring instrument 400A. By pipeline measurement at, the device cost can be reduced because there is no need to install a resist dimensional measuring device separately, and the throughput is not adversely affected.

또한, 도 14 에 나타내는 파이프라인 처리는 어디까지나 일례이며, 선행되는 웨이퍼에 대한 노광을 실시하고 있는 동안에 다음의 웨이퍼 (W) 에 대한 웨이퍼 얼라인먼트를 실시하도록 공정을 스케줄링해도 되는 것은 물론이다. In addition, the pipeline process shown in FIG. 14 is an example to the last, Of course, you may schedule a process so that wafer alignment may be performed with respect to the next wafer W, while exposing the preceding wafer.

이상 상세하게 서술한 바와 같이, 본 제 1 실시 형태에 의하면, 노광에 이용되는 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 를 노광 장치 (100) 에 반입하기 전에, 레티클 홀더 (RH) 및 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 평탄도에 관한 정보 (그들의 면형상 데이터 R''(x, y), W'(x, y)) 를 취득한다. 이와 같이 하면, 노광 장치 (100) 에 있어서의 스루풋에 영향을 주지 않고, 그 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 평탄도에 관한 정보를, 그들을 이용한 노광 장치 (100) 에 있어서의 노광 동작을 실시하기 전에 인식할 수 있다. As described above in detail, according to the first embodiment, the reticle holder RH and the wafer holder WH before the reticle R and the wafer W used for exposure are brought into the exposure apparatus 100. Information about the flatness of the reticle R and the wafer W in the state equivalent to the state held in Fig. 2) (their planar data R '' (x, y), W '(x, y)) is obtained. do. In this way, the exposure operation in the exposure apparatus 100 using the information about the flatness of the reticle R and the wafer W can be performed without affecting the throughput in the exposure apparatus 100. It can be recognized before implementation.

보다 구체적으로는, 본 제 1 실시 형태에서는, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태에서의 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상과, 그 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 유지했을 때의 그 면형상의 차분 (면형상 차이) 이 이미 알려진 레티클 홀더 (RH'), 웨이퍼 홀더 (WH') 에 의해 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 유지한 상태에서, 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측하고, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태에서의 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터와, 상기 기술한 면형상 차이의 데이터에 기초하여, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 레티클 (RH, WH) 의 면형상 데이터를 산출한다. 이와 같이 하면, 노광 장치 (100) 의 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 직접 유지한 상태로 하지 않고도, 그것들에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 구하는 것이 가능해진다. 이로써, 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 노광 장치 (100) 에 반입하기 전에, 노광 중의 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 사전에 취득할 수 있게 된다. More specifically, in the first embodiment, the surface shape of the reticle R and the wafer W in the state held by the reticle holder RH and the wafer holder WH, the reticle R, and the wafer In the state where the reticle R and the wafer W are held by the known reticle holder RH 'and wafer holder WH', the difference in surface shape (surface shape difference) at the time of holding (W) is known. The surface shapes of the reticle R and the wafer W in the state held by the reticle holder RH and the wafer holder WH by measuring the surface shapes of the reticle R and the wafer W; Based on the data of the planar difference described above, the planar data of the reticles RH and WH in a state equivalent to the state held in the reticle holder RH and the wafer holder WH is calculated. In this manner, the reticle holder RH and the wafer holder WH of the exposure apparatus 100 are in a state equivalent to the state held therein without directly holding the reticle R and the wafer W. The surface shape of the reticle R and the wafer W can be obtained. Thereby, before carrying the reticle R and the wafer W into the exposure apparatus 100, the surface shape of the reticle R and the wafer W during exposure can be acquired beforehand.

또, 본 제 1 실시 형태에서는, 이러한 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 사전 계측하는 공정에 앞서, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 기준 레티클 (R_T), 기준 웨이퍼의 면형상과, 레티클 홀더 (RH'), 웨이퍼 홀더 (WH') 에 유지된 그들의 면형상을 각각 계측하고, 각각의 계측 결과의 차분을 레티클 홀더 (RH) 와 레티클 홀더 (RH') 의 면형상 차이, 웨이퍼 홀더 (WH) 와 웨이퍼 홀더 (WH') 의 면형상 차이로서 산출한다. 이 면형상 차이를 구함으로써, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 유지시키지 않고, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태에서의 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 산출하는 것이 가능해진다. In the first embodiment, the reference reticle R _T held by the reticle holder RH and the wafer holder WH prior to the step of preliminarily measuring the surface shape of the reticle R and the wafer W is carried out. The surface shape of the reference wafer and the surface shape held by the reticle holder (RH ') and the wafer holder (WH') are respectively measured, and the difference between the measurement results is determined by the reticle holder (RH) and the reticle holder (RH '). ) And the surface shape difference between the wafer holder WH and the wafer holder WH '. By obtaining this surface shape difference, the reticle holder RH and the wafer W are not held in the reticle holder RH and the wafer holder WH, but are held in the reticle holder RH and the wafer holder WH. The reticle R and the surface shape of the wafer W can be calculated.

또, 본 제 1 실시 형태에 의하면, 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측 결과에 기초하여, 그들의 평탄도 이상을 검출하여 이상으로 판단했을 경우에는, 그 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 리젝트한다. 이와 같이 하면, 평탄도 이상으로 간주된 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 는 노광에 이용하지 않도록 할 수 있고, 노광 공정을 적절한 것으로 할 수 있다. Moreover, according to this 1st Embodiment, when the abnormality of those flatness is detected and judged as abnormal based on the measurement result of the surface shape of the reticle R and the wafer W, the reticle R and the wafer Reject (W). In this way, the reticle R and the wafer W considered to be flat or more can be prevented from being used for exposure, and the exposure step can be made appropriate.

또, 본 제 1 실시 형태에 의하면, 상기 기술한 바와 같이, 노광 장치 (100) 에 반입되기 전에, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성의 보정과, 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 상대 위치의 보정을 실시하면서, 레티클 (R) 상에 형성된 회로 패턴 등을 웨이퍼 (W) 상에 전사하므로, 고정밀도인 노광을 실현할 수 있다. In addition, according to the first embodiment, as described above, the reticle R in a state equivalent to the state held in the reticle holder RH and the wafer holder WH before being carried into the exposure apparatus 100. ), The surface shape of the wafer W is measured, and based on the measurement result, while correcting the imaging characteristics of the projection optical system PL and correcting the relative positions of the reticle R and the wafer W, Since the circuit pattern and the like formed on the reticle R are transferred onto the wafer W, high-precision exposure can be realized.

또한, 본 제 1 실시 형태에서는, 레티클 (R) 의 면형상에 따라, 결상 특성 보정 컨트롤러 (48) 를 이용하여, 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성 중, 포커스, 이 미지면 만곡, 디스토션을 보정하였다. 이들의 수차 성분을 보정함으로써, 레티클 (R) 의 패턴을 원하는 웨이퍼 (W) 상의 위치에 전사할 수 있게 된다. Moreover, in this 1st Embodiment, focus, image surface curvature, and distortion are corrected among the imaging characteristics of the projection optical system PL using the imaging characteristic correction controller 48 according to the surface shape of the reticle R. In addition, in FIG. It was. By correcting these aberration components, the pattern of the reticle R can be transferred to a desired position on the wafer W. As shown in FIG.

또, 본 제 1 실시 형태에서는, 웨이퍼 (W) 의 면형상에 관해서는, 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 의 검출 오프셋을, 수시로 그 면형상에 맞추어 조정해 갔지만, 이것에 한하지 않는다. 예를 들어, 레티클 (R) 의 이미지면 환산의 면형상 데이터 R''(x, y) 와 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 의 합을, 노광 영역 (IA) 에 대응하는 부분에서 가산한 결과에 기초하여, 결상 특성 보정 컨트롤러 (48) 를 이용하여 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성을 조정하도록 해도 된다. In addition, in this 1st Embodiment, although the detection offset of the focal position detection system 60a, 60b was adjusted at any time about the surface shape of the wafer W, it is not limited to this. For example, the sum of the planar data R '' (x, y) of the image plane conversion of the reticle R and the planar data W '(x, y) of the wafer W is added to the exposure area IA. The imaging characteristic of the projection optical system PL may be adjusted using the imaging characteristic correction controller 48 based on the result added in the corresponding part.

또한, 본 제 1 실시 형태에서는, 레티클 (R) 의 면형상과, 웨이퍼 (W) 의 면형상을 양방 사전 (노광 장치 (100) 에 반입하기 전) 에 계측하였지만, 어느 일방만 사전 계측하면 되는 것은 물론이다. 레티클 (R) 의 면형상만을 노광시의 투영 광학계 (PL) 의 결상 특성에 반영시키는 경우에는, 보정 가능한 수차 성분으로서 투영 광학계 (PL) 의 포커스, 이미지면 만곡, 디스토션을 조정하게 되지만, 웨이퍼 (W) 의 면형상만의 경우에는, 투영 광학계 (PL) 의 포커스만을 조정하게 된다.In addition, in this 1st Embodiment, although the surface shape of the reticle R and the surface shape of the wafer W were measured by both prior (before carrying in to the exposure apparatus 100), what is necessary is just to measure previously either. Of course. When only the surface shape of the reticle R is reflected in the imaging characteristics of the projection optical system PL during exposure, the focus, image plane curvature, and distortion of the projection optical system PL are adjusted as a correctable aberration component. In the case of only the surface shape of W), only the focus of the projection optical system PL is adjusted.

또, 본 제 1 실시 형태에서는, 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 요구 정밀도를 만족시킬 수 없는 것인 경우에는, 그 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 리젝트하였지만, 이것에 한하지 않는다. 평탄도가 악화되어 있는 면이 극히 일부인 경우에는, 나머지 부분을 노광에 이용하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 레티클 (R) 의 패턴 영역에 복수의 칩 영역에 대응하는 회로 패턴이 형성되어 있는 경우, 평탄도가 악화되어 있는 칩 영역을 노광하지 않도록, 도시 생략된 조명계에 구비된 레티클 블라인드를 규정하여 노광을 실시하도록 해도 된다. 이것은, 웨이퍼 (W) 에 대해서도 동일하고, 웨이퍼 (W) 의 전체의 평탄도가, 허용값를 상회하고 있어도, 그것이 일부 평탄도의 악화에 의한 것인지 아닌지를 판단하여, 평탄도가 악화되어 있는 부분의 쇼트 영역만을 노광 대상으로부터 제외할 수 있다. In the first embodiment, when the flatness of the reticle R and the wafer W cannot satisfy the required accuracy, the reticle R and the wafer W are rejected. It is not limited. When the surface whose flatness is worsened is extremely partial, the remainder may be used for exposure. For example, when a circuit pattern corresponding to a plurality of chip regions is formed in the pattern region of the reticle R, the reticle blind provided in the illumination system not shown is not exposed so as not to expose the chip region whose flatness is deteriorated. It may be prescribed and subjected to exposure. The same applies to the wafer W, even if the entire flatness of the wafer W exceeds the allowable value, it is judged whether or not it is due to the deterioration of some flatness, Only the shot region can be excluded from the exposure target.

또한, 평탄도 이상이 검출되었을 경우에는, 레티클 홀더 (RH) 를 다른 홀더로 교환하도록 해도 된다. 구체적으로는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 도 8 의 단계 S58 에 있어서, 평탄도 이상으로 판단했을 경우에는, 노광 장치 (100) 의 주제어 장치 (20) 에 대하여, 레티클 홀더 (RH) 의 교환을 지시한다. 주제어 장치 (20) 는, 레티클 (R) 이 반입되기 전에, 레티클 홀더 (RH) 의 교환을 도시 생략된 레티클 홀더 교환계를 이용하여 실시한다. In addition, when abnormality in flatness is detected, you may replace the reticle holder RH with another holder. Specifically, in step S58 of FIG. 8, when the exposure process management controller 500 determines that the flatness is equal to or greater than that, the main control unit 20 of the exposure apparatus 100 is configured to have the reticle holder RH. Instruct the exchange. The main control unit 20 performs the replacement of the reticle holder RH using a reticle holder exchange system, not shown, before the reticle R is carried in.

또, 예를 들어, 노광 장치 (100) 가, 복수의 레티클 홀더 (RH) 중에서 1 개의 레티클 홀더 (RH) 를 선택하여, 레티클 스테이지 (RST) 상에 탑재 가능한 경우에는, 평탄도가 허용 범위 내로 되는 레티클 홀더 (RH) 를 선택하도록 해도 된다. 이 경우, 해석 시스템 (600) 은, 노광 장치 (100) 에 구비된 복수의 레티클 홀더 (RH) 각각에 대하여, 레티클 홀더 (RH') 와의 면형상 차이 데이터 dR(x, y) 를 도시 생략된 기억 장치에 기억하여 관리하고 있는 것으로 한다. 그리고, 도 8 의 단계 S56 에서는, 해석 시스템 (600) 은, 레티클 (R) 의 면형상 데이터 R(x, y) 와 각 레티클 홀더 (RH) 의 면형상 데이터 dR(x, y) 의 합인 면형상 데이터 R'(x, y) 를 산출하고, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 그 산출 결과에 기초하여, 패 턴면의 평탄도가 가장 양호한 레티클 홀더 (RH) 를 선택한다. 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 이 선택된 레티클 홀더 (RH) 에 관한 정보 (예를 들어 레티클 홀더 (RH) 의 식별 번호) 등을 노광 장치 (100) 의 주제어 장치 (20) 에 보낸다. 주제어 장치 (20) 는, 레티클 (R) 을 반입하기 전에, 선택된 레티클 홀더 (RH) 를 레티클 스테이지 (RST) 에 로딩한다. 또한, 이 평탄도가 가장 양호한 홀더의 선택에 대해서는, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 대해서도 동일하게 실시할 수 있는 것은 말할 필요도 없다. For example, when the exposure apparatus 100 selects one reticle holder RH from among the plurality of reticle holders RH and can be mounted on the reticle stage RST, the flatness is within the allowable range. The reticle holder RH to be used may be selected. In this case, the analysis system 600 shows and omits planar difference data dR (x, y) with the reticle holder RH 'for each of the plurality of reticle holders RH provided in the exposure apparatus 100. It is assumed that the memory is stored and managed. And in step S56 of FIG. 8, the analysis system 600 is a surface which is the sum of the surface data R (x, y) of the reticle R and the surface data dR (x, y) of each reticle holder RH. The shape data R '(x, y) is calculated, and the exposure process management controller 500 selects the reticle holder RH having the best flatness of the pattern surface based on the calculation result. The exposure process management controller 500 sends the information (for example, the identification number of the reticle holder RH) etc. regarding this selected reticle holder RH to the main control apparatus 20 of the exposure apparatus 100. The main control device 20 loads the selected reticle holder RH into the reticle stage RST before the reticle R is loaded. It goes without saying that the selection of the holder having the best flatness can be similarly carried out for the wafer holder WH.

또한, 레티클 홀더 (RH') 와 레티클 (R) 사이나, 웨이퍼 홀더 (WH') 와 웨이퍼 (W) 사이에 이물질이 끼여 그것들의 평탄도가 악화된 것도 생각할 수 있기 때문에, 일단, 레티클 홀더 (RH), 웨이퍼 홀더 (WH), 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 세정하고, 레티클 계측기 (800A), 웨이퍼 계측기 (400A) 에 있어서, 다시, 면형상의 계측을 실시하도록 해도 된다. 구체적으로는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 레티클 (R) 의 면형상 데이터 R'(x, y) 로부터 얻어지는 평탄도가 소정의 임계값을 초과한 경우에는, 평탄도 이상으로 간주하고, 기판 처리 공장 내에 구비된 세정 장치에, 레티클 홀더 (RH), 레티클 (R) 또는 웨이퍼 홀더 (WH), 웨이퍼 (W) 를 반송시켜, 그들을 세정시킨다. 세정 후, 레티클 홀더 (RH) 및 레티클 (R), 웨이퍼 홀더 (WH) 및 웨이퍼 (W) 는, 다시, 레티클 계측기 (800A) 또는 웨이퍼 계측기 (400A) 에 반송되어 도 8 또는 도 9 에 나타내는 면형상 데이터의 사전 취득 공정이 실시된다. In addition, since foreign matters are caught between the reticle holder RH 'and the reticle R, or between the wafer holder WH' and the wafer W, the flatness thereof may be deteriorated. RH), the wafer holder WH, the reticle R, and the wafer W may be cleaned, and the reticle measuring device 800A and the wafer measuring device 400A may be subjected to surface-shaped measurement again. Specifically, the exposure process management controller 500 regards the flatness obtained from the planar data R '(x, y) of the reticle R as the flatness or more, when it exceeds the predetermined threshold value. The reticle holder (RH), the reticle (R) or the wafer holder (WH), and the wafer (W) are conveyed to the cleaning apparatus provided in the substrate processing plant, and they are cleaned. After washing, the reticle holder RH and the reticle R, the wafer holder WH, and the wafer W are again conveyed to the reticle measuring instrument 800A or the wafer measuring instrument 400A and shown in FIG. 8 or 9. Pre-acquisition process of shape data is performed.

또한, 본 제 1 실시 형태에서는, 레티클 홀더 (RH') 또는 웨이퍼 홀더 (WH') 가 유지하는 레티클 (R) 또는 웨이퍼 (W) 의 유지 상태를 조정 가능한 것으로 할 수도 있다. 예를 들어 웨이퍼 홀더 (WH') 의 핀 (32) 한 개가, 예를 들어 피에조 소자 등에 접속되어 있고, 그 선단부의 높이가 각각 조정 가능한 경우, 웨이퍼에 대하여 실시되는, 도 7 에 나타내는 바와 같은 준비 처리를 실시한 후, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태에서의 기준 웨이퍼의 면형상과, 웨이퍼 홀더 (WH') 에 유지된 기준 웨이퍼의 면형상이 거의 일치하도록, 핀 (32) 을 조정하도록 해도 된다. 이와 같이 하면, 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 상태에서의 면형상과, 레티클 홀더 (RH') 에 유지된 상태에서의 면형상을 거의 동일한 상태로 할 수 있기 때문에, 그들의 면형상의 계측 정밀도를 한층 더 향상시킬 수 있다. In addition, in this 1st Embodiment, it is also possible to adjust the holding state of the reticle R or the wafer W which the reticle holder RH 'or the wafer holder WH' hold | maintains. For example, when one pin 32 of the wafer holder WH 'is connected to, for example, a piezo element or the like, and the height of the tip portion thereof is adjustable, the preparation as shown in FIG. 7 is performed on the wafer. After the treatment is performed, the pin 32 may be adjusted so that the surface shape of the reference wafer held in the wafer holder WH and the surface shape of the reference wafer held in the wafer holder WH 'are substantially matched. do. In this case, the surface shape in the state held in the reticle holder RH and the surface shape in the state held in the reticle holder RH 'can be made almost the same. It can be improved further.

<제 2 실시 형태> <2nd embodiment>

다음으로, 본 발명의 제 2 실시 형태에 대하여, 도 15, 도 16 에 기초하여 설명한다. 상기 제 1 실시 형태에서는, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태와 등가인 상태 (면형상의 차이가 이미 알려진 다른 웨이퍼 홀더 (WH') 에 유지된 상태) 에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상을 노광 장치 (100) 에 반입하기 전에 계측하였지만, 본 제 2 실시 형태에서는, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 면형상을 직접 사전 계측한다. 여기에서, 상기 제 1 실시 형태와 동일 혹은 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 이용함과 함께, 그 설명을 간략화하거나 혹은 생략하는 것으로 한다. 본 발명에 관련되는 검사 방법 및 노광 방법을 바람직하게 실시할 수 있는 제 2 실시 형태에 관련된 노광 시스템은, 상기 기술한 제 1 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 계측기 (400A ; 도 6) 대신에, 도 15 에 나타내는, 웨이퍼 계측기 (400B) 를 구비하고, 노광 장치 (100) 와 웨이퍼 계측기 (400B) 사이에서 웨이퍼 홀더 (WH) 를 반송할 수 있는 도시 생략된 반송계를 추가로 구비하는 점에 특징이 있다. Next, 2nd Embodiment of this invention is described based on FIG. 15, FIG. In the first embodiment, the surface shape of the wafer W in a state equivalent to the state held in the wafer holder WH (the state in which the surface shape is held in another known wafer holder WH ') is shown. Although it measured before carrying in to the exposure apparatus 100, in this 2nd Embodiment, the surface shape of the wafer W hold | maintained by the wafer holder WH is directly measured directly. Here, the same or equivalent components as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted. The exposure system which concerns on 2nd Embodiment which can implement the inspection method and exposure method which concern on this invention preferably is FIG. 15 instead of the wafer measuring device 400A (FIG. 6) in 1st Embodiment mentioned above. It is characterized by further including a carrier system not shown, which is provided with the wafer measuring device 400B shown in the figure, and which can convey the wafer holder WH between the exposure apparatus 100 and the wafer measuring device 400B. .

도 15 에는, 웨이퍼 계측기 (400B) 의 개략적인 구성이 나타나 있다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 계측기 (400B) 에서는, 전용의 웨이퍼 홀더 (WH') 가 아닌, 노광 장치 (100) 에서 이용되는 웨이퍼 홀더 (WH) 가 웨이퍼 스테이지 (WST') 의 위에 탑재되어 있다. 이 웨이퍼 홀더 (WH) 는, 상기 기술한 웨이퍼 홀더의 반송계에 의해 반송되고, 웨이퍼 스테이지 (WST') 의 위에 로딩된 것이다. 웨이퍼 계측기 (400B) 에서는, 노광 장치 (100) 에서 이용되는 웨이퍼 홀더 (WH) 에 흡착 유지된 상태, 즉 실제의 노광 중과 동일 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측을 실시한다. In FIG. 15, the schematic structure of the wafer measuring device 400B is shown. As shown in FIG. 15, in the wafer measuring device 400B, the wafer holder WH used in the exposure apparatus 100 is mounted on the wafer stage WST 'instead of the exclusive wafer holder WH'. . This wafer holder WH is conveyed by the conveyance system of the wafer holder mentioned above, and is loaded on the wafer stage WST '. In the wafer measuring apparatus 400B, the surface shape of the wafer W is measured in the state adsorbed and held by the wafer holder WH used in the exposure apparatus 100, that is, in the same state as during actual exposure.

다음으로, 도 15 에 나타내는 웨이퍼 계측기 (400B) 를 이용한 웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측을 실시하는 경우의 동작에 대하여 도 16 의 플로우차트에 기초하여 설명한다. 이 계측 동작은, 본 제 1 실시 형태에 있어서의 노광 동작의 도 9 의 단계 S74∼단계 S88 대신에 실시되는 것이다. Next, the operation | movement at the time of measuring the surface shape of the wafer W using the wafer measuring device 400B shown in FIG. 15 is demonstrated based on the flowchart of FIG. This measurement operation is performed instead of step S74 to step S88 in FIG. 9 of the exposure operation in the first embodiment.

우선, 단계 S200 에 있어서, 도시 생략된 웨이퍼 홀더의 반송계에 의해, 웨이퍼 홀더 (WH) 를 노광 장치 (100) 로부터 웨이퍼 계측기 (400B) 까지 반송하고, 웨이퍼 스테이지 (WST') 상에 탑재한다. 다음 단계 S202 에서는, 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼 스테이지 (WST') 에 탑재된 웨이퍼 홀더 (WH) 상에 로딩한다. 다음 단계 S204 에서는, 웨이퍼 계측기 (400B) 는 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측하고, 웨 이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 를 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 에 보낸다. 단계 S206 에 있어서, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 그 면형상 데이터 W'(x, y) 에 기초하는 평탄도가 허용 범위 내인지 아닌지를 판단한다. 이 판단이 부정되면, 단계 S208 로 진행되고, 긍정되면 단계 S214 로 진행된다. 여기에서는, 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 가 허용 범위 외에서 판단이 부정되어 단계 S208 로 진행되는 것으로 한다. 단계 S208 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 웨이퍼 (W) 의 면형상의 계측 횟수가 소정 횟수 (예를 들어 2 회) 를 초과하는지 아닌지를 판단한다. 여기에서는, 1 회째이므로, 판단은 부정되어 단계 S210 로 진행된다. First, in step S200, the wafer holder WH is conveyed from the exposure apparatus 100 to the wafer measuring device 400B by the transfer system of the wafer holder not shown, and is mounted on the wafer stage WST '. In the next step S202, the wafer W is loaded onto the wafer holder WH mounted on the wafer stage WST '. In the next step S204, the wafer measuring device 400B measures the surface shape of the wafer W and sends the surface shape data W '(x, y) of the wafer W to the exposure process management controller 500. In step S206, the exposure process management controller 500 determines whether or not the flatness based on the surface shape data W '(x, y) is within an allowable range. If this judgment is denied, the process proceeds to step S208, and if affirmative, the process proceeds to step S214. In this case, it is assumed that the planar data W '(x, y) of the wafer W is denied within the allowable range and proceeds to step S208. In step S208, the exposure process management controller 500 determines whether the number of times of measurement of the surface shape of the wafer W exceeds a predetermined number (for example, two times). Here, since it is the 1st time, a judgment is denied and it progresses to step S210.

단계 S210 에서는, 도시 생략된 반송계를 이용하여 웨이퍼 (W) 를 일단 언로딩하고, 단계 S202 로 돌아와, 웨이퍼 계측기 (400B) 에 웨이퍼 (W) 를 다시 로딩한다. 이 때, 웨이퍼 (W) 의 로딩 위치를, 전회의 단계 S202 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 로딩 위치에 대하여, 소정 거리 (예를 들어 100 미크론 정도) 어긋난 위치로 한다. 그리고, 단계 S204 에 있어서 웨이퍼 계측기 (400B) 에 있어서 웨이퍼 (W) 의 면형상을 다시 계측하고, 단계 S206 에 있어서 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는, 그 면형상 데이터 W'(x, y) 를 취득하여, 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 허용 범위 내인지 아닌지를 판단한다. In step S210, the wafer W is unloaded once using a carrier system not shown, and the flow returns to step S202 to reload the wafer W into the wafer measuring device 400B. At this time, the loading position of the wafer W is a position shifted by a predetermined distance (for example, about 100 microns) with respect to the loading position of the wafer W in the previous step S202. And in step S204, the surface shape of the wafer W is measured again in the wafer measuring device 400B, and in step S206, the exposure process management controller 500 stores the surface shape data W '(x, y). It acquires and determines whether the flatness of the wafer W is in an allowable range.

이와 같이, 단계 S206 에 있어서 판단이 긍정되거나, 단계 S208 에 있어서 판단이 긍정될 때까지, 단계 S202∼단계 S210 의 루프 처리가 반복되어 웨이퍼 홀더 (WH) 상의 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 수백 미크론 어긋나게 하면서, 그때마다, 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 가 취득된다. 이 루프 처리의 반복 횟수가 소정 횟수 이상이 되면, 단계 S208 에 있어서의 판단이 긍정되어, 단계 S208 로 진행되고, 그 웨이퍼 (W) 를 리젝트하여, 처리를 종료한다. In this way, the loop processing of steps S202 to S210 is repeated until the judgment is affirmed in step S206 or affirmative in step S208, and the holding position of the wafer W on the wafer holder WH is several hundred microns. While shifting, the surface shape data W '(x, y) of the wafer W is acquired every time. When the number of repetitions of the loop processing is equal to or greater than the predetermined number of times, the determination in step S208 is affirmed, the flow proceeds to step S208, and the wafer W is rejected to end the processing.

한편, 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 에 기초하는 평탄도가 허용 범위 내가 되어, 단계 S206 에 있어서의 판단이 긍정되면, 단계 S214 로 진행된다. 단계 S214 에서는 웨이퍼 (W) 를 언로딩하고 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 웨이퍼 (W) 의 언로딩을 촉구하고), 계속되는 단계 S216 에서는 웨이퍼 홀더 (WH) 를 언로딩하고 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 웨이퍼 홀더 (WH) 의 언로딩을 촉구하고), 노광 장치 (100) 에 반송하여, 웨이퍼 스테이지 (WST) 상에 설치한다. 또한, 단계 S218 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 최종적으로 취득된 웨이퍼 홀더 (WH) 상의 웨이퍼 (W) 의 유지 장치 및 그 유지 위치에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터 W'(x, y) 를 주제어 장치 (20) 에 송신하고, 또한 단계 S220 에서는, 웨이퍼 (W) 를 노광 장치 (100) 에 반송한다. On the other hand, if the flatness based on the surface shape data W '(x, y) of the wafer W falls within the allowable range and the determination in step S206 is affirmed, the flow proceeds to step S214. In step S214, the wafer W is unloaded (or an unloading of the wafer W is urged using a display function or the like on a monitor), and in step S216, the wafer holder WH is unloaded (or Using a display function on a monitor or the like, the unloading of the wafer holder WH is urged, and the substrate is conveyed to the exposure apparatus 100 and installed on the wafer stage WST. In addition, in step S218, the exposure process management controller 500 performs the holding device of the wafer W on the finally acquired wafer holder WH, and the planar data W '(x, y) is transmitted to the main control apparatus 20, and the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 100 in step S220.

단계 S220 의 실행 후에는, 상기 제 1 실시 형태와 동일하게, 도 10 의 단계 S90∼단계 S108 의 노광 처리가 실시되고, 현상 (단계 S110), 에칭 (단계 S112), 레지스트 박리 (단계 S114) 가 실시된다. After the execution of step S220, similarly to the first embodiment, the exposure processing of steps S90 to S108 in FIG. 10 is performed, and development (step S110), etching (step S112), and resist stripping (step S114) are performed. Is carried out.

이상 상세하게 서술한 바와 같이, 본 제 2 실시 형태에 의하면, 노광 장치 (100) 에서 이용되는 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 평탄도에 관한 정보 (면형상) 를, 직접적으로, 노광 장치 (100) 에 웨이퍼 (W) 를 반입 하기 전에 사전 계측하므로, 실제의 노광 중과 동일한 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 면형상을 직접 계측하는 것이 가능해지기 때문에, 높은 계측 정밀도를 얻을 수 있다. As described above in detail, according to the second embodiment, information (planar shape) regarding the flatness of the wafer W in the state held in the wafer holder WH used in the exposure apparatus 100 is obtained. Since the measurement is performed directly before the wafer W is brought into the exposure apparatus 100 directly, the measurement of the surface shape of the wafer W in the same state as during actual exposure can be performed directly, thus providing high measurement accuracy. You can get it.

또, 본 제 2 실시 형태에 의하면, 관점을 바꾸어 보면, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 상태에서의 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 양호해지도록, 웨이퍼 (W) 의 유지 상태를 조정하고, 조정된 유지 상태에서 웨이퍼 홀더 (WH) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 유지하면서, 레티클 (R) 상의 패턴을, 웨이퍼 (W) 상에 전사한다. 이러한 경우에는, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 웨이퍼 (W) 를 이용하여 노광을 실시할 때에, 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 양호해지도록, 그 유지 상태가 조정된 웨이퍼 홀더 (WH) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 유지할 수 있어, 고정밀도인 노광을 실현할 수 있다. In addition, according to the second embodiment, if the viewpoint is changed, the holding state of the wafer W is adjusted and adjusted so that the flatness of the wafer W in the state held in the wafer holder WH becomes good. The pattern on the reticle R is transferred onto the wafer W while the wafer W is held by the wafer holder WH in the held state. In this case, when the exposure is performed using the wafer W held by the wafer holder WH, the wafer holder WH whose adjustment state is adjusted so that the flatness of the wafer W is improved. The wafer W can be held and high precision exposure can be realized.

또한, 본 제 2 실시 형태에서는, 노광 장치 (100) 에서 이용되는 웨이퍼 홀더 (WH) 를 웨이퍼 계측기 (400B) 에 반송하고, 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측하므로, 이 계측 중, 노광 장치 (100) 에서는 웨이퍼 홀더 (WH) 를 이용할 수 없다. 따라서, 본 제 2 실시 형태에서는, 복수의 웨이퍼 홀더 (WH) 를 준비하고, 그들을 차례로 이용하도록 하면, 노광 장치 (100) 에 있어서의 노광과, 웨이퍼 계측기 (400B) 에 있어서의 계측을 동시 병행하여 실시할 수 있게 된다. 이와 같이 하면, 스루풋을 저하시키지 않고, 웨이퍼 (W) 의 면형상을 사전에 계측할 수 있게 된다. In addition, in this 2nd Embodiment, since the wafer holder WH used by the exposure apparatus 100 is conveyed to the wafer measuring device 400B, and the surface shape of the wafer W is measured, during this measurement, the exposure apparatus ( In 100), the wafer holder WH cannot be used. Therefore, in this 2nd Embodiment, when several wafer holder WH is prepared and it uses them sequentially, exposure in the exposure apparatus 100 and the measurement in the wafer measuring device 400B are simultaneously performed. It becomes possible to carry out. In this way, the surface shape of the wafer W can be measured in advance without lowering the throughput.

또, 본 제 2 실시 형태에 의하면, 단계 S202∼단계 S210 에 있어서, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 있어서의, 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 조정하면서, 웨이퍼 (W) 의 면 형상의 계측을 실시하고, 노광 장치 (100) 내에서 웨이퍼 홀더 (WH) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 유지할 때에는, 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 가장 양호했던 유지 위치에서 웨이퍼 (W) 를 유지한다. 이와 같이 하면, 웨이퍼 (W) 의 평탄도를 최적화한 상태에서 웨이퍼 홀더 (WH) 에 의해, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 것이 가능해진다. According to the second embodiment, in step S202 to step S210, the surface shape of the wafer W is measured while adjusting the holding position of the wafer W in the wafer holder WH. In the case where the wafer W is held by the wafer holder WH in the exposure apparatus 100, the wafer W is held at the holding position where the flatness of the wafer W is the best. In this way, the wafer W can be held by the wafer holder WH in a state where the flatness of the wafer W is optimized.

또한, 본 제 2 실시 형태에서는, 웨이퍼 (W) 의 면형상 W(x, y) 으로부터 얻어진 그 평탄도가 허용 범위 내가 아닌 경우에는, 웨이퍼 홀더 (WH) 상의 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 변경시켰지만, 이것에 한하지 않고, 웨이퍼 홀더 (WH) 의 흡착 유지력을 변경하도록 해도 된다. 즉, 단계 S206, S208 에 있어서 판단이 부정된 후에, 단계 S210 에 있어서의 웨이퍼 (W) 를 언로딩한 후, 단계 S202 에 있어서 웨이퍼 (W) 의 로딩을 실시하여 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 변경하는 대신에, 웨이퍼 홀더 (WH) 의 진공압을 변경하고, 단계 S204 로 돌아와, 다시 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측하도록 해도 된다. 그리고, 진공압을 소정 범위 내에서 변화시키고, 웨이퍼 (W) 의 면형상 W(x, y) 가 허용 범위 내가 되었을 때에는, 그 진공압을 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하기 위한 진공압으로서 웨이퍼 (W) 의 면형상 W(x, y) 과 함께, 노광 장치 (100) 의 주제어 장치 (20) 에 보내도록 하면 된다. In addition, in this 2nd Embodiment, when the flatness obtained from the surface shape W (x, y) of the wafer W is not in the allowable range, the holding position of the wafer W on the wafer holder WH is changed. Although not limited to this, the adsorption holding force of the wafer holder WH may be changed. That is, after the judgment is denied in steps S206 and S208, after unloading the wafer W in step S210, the wafer W is loaded in step S202 and the holding position of the wafer W is adjusted. Instead of changing, the vacuum pressure of the wafer holder WH may be changed, and the flow may return to step S204 to measure the surface shape of the wafer W again. When the vacuum pressure is changed within a predetermined range, and the surface shape W (x, y) of the wafer W is within the allowable range, the vacuum pressure is used as a vacuum pressure for adsorbing and holding the wafer W. What is necessary is just to send it to the main control apparatus 20 of the exposure apparatus 100 with the surface shape W (x, y) of W).

또한, 이 경우, 진공압을 소정 범위 내에서 변화시켜도, 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 허용 범위 내가 되지 않았던 경우에는, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 변경하여, 진공압의 조정을 더욱 실시하도록 해도 된다. 또, 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 변화시켜도, 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 허용 범위 내가 되지 않았던 경우에는, 가장 평탄도가 양호했던 유지 위치에 웨이퍼 (W) 를 유 지하고, 그 유지 위치에서 웨이퍼 (W) 의 진공압을 변화시켜, 가장 양호했던 진공압을 최적의 진공압으로서 선택하도록 해도 된다. In this case, even if the vacuum pressure is changed within a predetermined range, when the flatness of the wafer W does not fall within the allowable range, the holding position of the wafer W held by the wafer holder WH is changed, The vacuum pressure may be further adjusted. Moreover, even if the holding position of the wafer W is changed, when the flatness of the wafer W is not within the allowable range, the wafer W is held at the holding position where the flatness is most favorable, and the holding position thereof. The vacuum pressure of the wafer W may be changed to select the best vacuum pressure as the optimum vacuum pressure.

또, 웨이퍼 홀더 (WH) 상의 웨이퍼 (W) 의 유지 위치가 바람직한 위치인지 아닌지를 판단하기 위해, 그 유지 위치에서 웨이퍼 (W) 를 유지한 채로, 웨이퍼 홀더 (WH) 의 진공압을 변화시켜, 웨이퍼 (W) 의 면형상의 변화를 계측하도록 해도 된다. 여기에서, 그 변화량이 소정치보다 큰 경우에는, 그 유지 위치는 바람직한 위치가 아니라고 하여, 웨이퍼 홀더 (WH) 의 웨이퍼 (W) 의 유지 위치를 변경하도록 해도 된다. 즉, 진공압에 따라 웨이퍼 (W) 의 평탄도가 거의 변하지 않는 유지 위치를, 웨이퍼 (W) 의 최적의 유지 위치로 하여 선택하도록 해도 된다. 즉, 웨이퍼 홀더 (WH) 의 진공 흡착력의 변동에 수반되는 웨이퍼 (W) 의 면형상의 변동 정도 (크기) 에 기초하여, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 최적의 유지 위치를 요구하도록 해도 된다. Moreover, in order to judge whether the holding position of the wafer W on the wafer holder WH is a preferable position, the vacuum pressure of the wafer holder WH is changed while holding the wafer W at the holding position, The change in the surface shape of the wafer W may be measured. Here, when the amount of change is larger than the predetermined value, the holding position may be changed from the holding position of the wafer W of the wafer holder WH, not to be a desirable position. That is, the holding position where the flatness of the wafer W hardly changes in accordance with the vacuum pressure may be selected as the optimum holding position of the wafer W. That is, the optimum holding position of the wafer W in the wafer holder WH is based on the degree of variation (size) of the surface shape of the wafer W accompanying the variation in the vacuum suction force of the wafer holder WH. You may request.

또한, 본 제 2 실시 형태에서는, 웨이퍼 (W) 의 면형상으로부터 얻어지는 그 평탄도가 이상한 것으로 판단되었을 경우에는, 단계 S212 에 있어서, 웨이퍼 (W) 를 리젝트하였지만, 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼 홀더 (WH) 로부터 언로딩하고, 각각을 세정한 후, 상기 사전 계측 처리를 리트라이 (retry) 하도록 해도 된다 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 그 취지를, 즉 웨이퍼 (W) 와 웨이퍼 홀더 (WH) 각각을 세정하는 취지를 촉구하도록 해도 된다).In addition, in this 2nd Embodiment, when the flatness obtained from the surface shape of the wafer W was judged to be abnormal, in step S212, the wafer W was rejected, but the wafer W was placed in the wafer holder. After unloading from (WH) and washing each, the pre-measurement process may be retryed (or using a display function on a monitor, etc., that is, the wafer W and the wafer). May be urged to clean each of the holders WH).

또, 본 제 2 실시 형태에서는, 노광 장치 (100) 에 있어서, 복수의 웨이퍼 홀더 (WH) 를 가지고 있는 경우에는, 그 중 하나의 웨이퍼 홀더 (WH) 에 웨이퍼 (W) 를 유지한 상태에서, 그 면형상을 계측하고, 평탄도가 가장 양호했던 웨이퍼 홀더 (WH) 를 선택적으로 이용하도록 해도 된다 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 평탄도가 가장 양호했던 웨이퍼 홀더 (WH) 를 선택적으로 이용하도록 촉구해도 된다). 구체적으로는, 도 16 의 단계 S206 에서, 평탄도 허용값 내에 있어서 판단이 부정되었을 경우에는, 다른 웨이퍼 홀더 (WH) 를 웨이퍼 계측기 (400B) 상에 탑재하고, 그 웨이퍼 홀더 (WH) 에 웨이퍼 (W) 를 유지한 상태에서, 그 면형상을 계측하는 처리를, 평탄도가 허용 범위 내가 될 때까지 반복하도록 하면 된다.In addition, in the second embodiment, in the exposure apparatus 100, in the case of having the plurality of wafer holders WH, the wafer W is held in one of the wafer holders WH. The surface shape may be measured and the wafer holder WH having the best flatness may be selectively used (or the wafer holder WH having the best flatness may be selectively selected by using a display function on a monitor or the like. May be used). Specifically, in step S206 of FIG. 16, when the judgment is denied within the flatness tolerance, another wafer holder WH is mounted on the wafer measuring device 400B, and the wafer (WH) is placed on the wafer holder WH. In the state where W) is maintained, the process of measuring the surface shape may be repeated until the flatness is within the allowable range.

또, 본 제 2 실시 형태에서는, 웨이퍼 홀더 (WH) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 면형상을 직접적으로, 사전 계측하는 경우에 대하여 서술하였지만, 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 레티클 (R) 의 면형상을 직접 사전 계측하도록 해도 되는 것은 물론이다. 이 경우, 레티클 홀더 (RH) 에 유지된 상태에서의 레티클 (R) 의 면형상을 사전에 계측 가능한 레티클 계측기를 구비하고, 그 계측기와 노광 장치 사이에 레티클 홀더 (RH) 를 반송할 수 있는 도시 생략된 반송계를 추가로 구비할 필요가 있다.In addition, in this 2nd Embodiment, although the case where the surface shape of the wafer W hold | maintained at the wafer holder WH was mentioned directly beforehand was described, the reticle R hold | maintained in the reticle holder RH was described. It goes without saying that the surface shape may be directly measured in advance. In this case, the figure which is equipped with the reticle measuring device which can measure the surface shape of the reticle R in the state hold | maintained in the reticle holder RH beforehand, and can convey the reticle holder RH between the measuring device and the exposure apparatus. It is necessary to further provide the omitted carrier system.

<제 3 실시 형태> Third Embodiment

다음으로, 본 발명의 제 3 실시 형태에 대하여, 도 17, 도 18 에 기초하여 설명한다. 여기에서, 상기 제 1 실시 형태와 동일 혹은 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 이용함과 함께, 그 설명을 간략화하거나 혹은 생략하는 것으로 한다. 이 제 3 실시 형태에 관련된 노광 시스템에서는, 도 17 의 사시도에 서 그 구성이 모식적으로 나타나는 레티클 계측기 (800C) 를 구비하는 점에 특징이 있다.Next, 3rd Embodiment of this invention is described based on FIG. 17, FIG. Here, the same or equivalent components as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted. The exposure system according to the third embodiment is characterized by having a reticle meter 800C whose configuration is typically shown in the perspective view of FIG. 17.

도 17에 나타내는 바와 같이, 레티클 계측기 (800C) 는, 광원 (801) 과, 진동 미러 (802) 와, 주사 렌즈 (803) 와, 수광기 (808, 809, 810) 를 포함하여 구성되어 있다. 또, 레티클 (R) 의 패턴면 (피검면 (804)) 상에는, 회로 패턴이 형성되어 있는 것으로 하고, 그 일부에 이물질 (806) 이 부착되어 있는 것으로 한다.As shown in FIG. 17, the reticle measuring instrument 800C includes a light source 801, a vibration mirror 802, a scanning lens 803, and light receivers 808, 809, and 810. In addition, a circuit pattern is formed on the pattern surface (test surface 804) of the reticle R, and the foreign material 806 is attached to a part of it.

광원 (801) 으로부터 사출된 광 빔 (L1) 은, 진동 미러 (갈바노 (galvano) 스캐너 미러 또는 폴리곤 (polygon) 스캐너 미러 ; 802) 에 의해 편향되어 주사 렌즈 (803) 에 입사되고, 이 주사 렌즈 (803) 로부터 사출된 광 빔 (L2) 이, 피검면 (804) 상의 주사선 (805) 상을 주사한다. 이때에, 광 빔 (L2) 의 주사 주기보다 늦은 속도로 피검면 (804) 을 그 주사선 (805) 에 직교하는 방향으로 이동시키면, 광 빔 (L2) 에 의해 피검면 (804) 상의 전체면을 주사할 수 있다. 이 경우, 피검면 (804) 의 표면 상에 이물질 (806) 이 존재하는 영역에 광 빔 (L2) 이 조사되면 산란광 (L3) 이 발생한다. 또, 피검면 (804) 상에 부착된 이물질이나 패턴 결함과는 상이한, 예를 들어 레티클 (R) 상의 회로 패턴, 웨이퍼 (W) 상의 회로 패턴 등의 주기적인 구조 (이하, 「패턴」이라고 총칭한다 ; 807) 가 존재하는 영역에 광 빔 (L2) 이 조사되면, 그 패턴 (807) 으로부터는 회절광 (L4) 이 발생한다.The light beam L1 emitted from the light source 801 is deflected by a vibrating mirror (galvano scanner mirror or polygon scanner mirror; 802) and incident on the scanning lens 803, and this scanning lens The light beam L2 emitted from the 803 scans the scanning line 805 on the test surface 804. At this time, if the test surface 804 is moved in a direction orthogonal to the scanning line 805 at a speed later than the scanning period of the light beam L2, the entire surface on the test surface 804 is moved by the light beam L2. Can be injected. In this case, the scattered light L3 is generated when the light beam L2 is irradiated to the region where the foreign matter 806 exists on the surface of the test surface 804. Moreover, periodic structures (hereinafter, referred to as "patterns"), which are different from foreign matters and pattern defects attached on the test surface 804, for example, a circuit pattern on the reticle R, a circuit pattern on the wafer W, and the like. When the light beam L2 is irradiated to the area where 807 is present, diffracted light L4 is generated from the pattern 807.

도 17 에 있어서는, 수광기 (808, 809 및 810) 가 상이한 방향으로부터 주사선 (805) 에 대향하도록 배치되어 있다. 이물질 (806) 로부터 발생하는 산란광 (L3) 은 거의 전체 방향을 향해 발생하는 등방적 산란광인데 대해, 패턴 (807) 으로부터 발생하는 회절광 (L4) 은 회절에 의해 생기기 때문에 공간적으로 이산적인 방향으로 사출되는 광 (지향성이 강한 광) 이다. 이 산란광 (L3) 과, 회절광 (L4) 의 성질의 차이를 이용하여, 수광기 (808, 809 및 810) 의 전체에서 광을 검출했을 경우에는, 그 광은 결함으로부터의 산란광이며, 수광기 (808, 809 및 810) 내에서 1 개라도 광을 검출하지 않는 수광기가 존재하는 경우에는, 그 광은 패턴으로부터의 회절광이라고 판단한다. 이로써, 패턴 (807) 과 이물질 (806) 을 구별하여 검출할 수 있다. In FIG. 17, the light receivers 808, 809, and 810 are arranged to face the scanning line 805 from different directions. The scattered light L3 generated from the foreign matter 806 is an isotropic scattered light generated almost in the entire direction, whereas the diffracted light L4 generated from the pattern 807 is emitted by the diffraction and is emitted in a spatially discrete direction. It is light (directional light) becoming. When light is detected in all the light receivers 808, 809, and 810 by using the difference between the properties of the scattered light L3 and the diffracted light L4, the light is scattered light from a defect, In the case where there is a light receiver that does not detect light even in one of 808, 809 and 810, it is determined that the light is diffracted light from the pattern. Thereby, the pattern 807 and the foreign material 806 can be distinguished and detected.

다음으로, 본 제 3 실시 형태에 관련된 노광 시스템 (200) 의 동작에 대하여 설명한다. 도 18 에는, 도 17 의 레티클 (R) 의 면형상의 사전 계측의 처리 순서를 나타내는 플로우차트가 나타나 있다. 도 18 에 나타내는 바와 같이, 단계 S300 에 있어서, 레티클 (R) 을 레티클 계측기 (800C) 에 로딩한다. 그리고, 단계 S302 에 있어서, 상기 기술한 바와 같이하여, 레티클 (R) 의 패턴면 (먼지의 부착 및 패턴의 결함) 을 계측한다. 이 계측 결과는, 노광 공정 컨트롤러 (500) 에 보내진다. 다음 단계 S304 에서는, 레티클 (R) 을 레티클 계측기 (800C) 로부터 언로딩한다. Next, operation | movement of the exposure system 200 which concerns on this 3rd Embodiment is demonstrated. 18 is a flowchart showing a processing procedure of pre-measurement of the planar shape of the reticle R in FIG. 17. As shown in FIG. 18, in step S300, the reticle R is loaded into the reticle measuring instrument 800C. In step S302, as described above, the pattern surface (adhesion of dust and defect of the pattern) of the reticle R is measured. This measurement result is sent to the exposure process controller 500. In the next step S304, the reticle R is unloaded from the reticle measuring instrument 800C.

다음 단계 S306 에서는, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 는 이 계측이 2 회째의 계측인지 아닌지를 판단한다. 이 판단이 긍정되면 단계 S312 로 진행되고, 부정되면 단계 S308 로 진행된다. 여기에서는, 아직 계측이 1 회째이므로 판단은 부정되어 단계 S308 로 진행된다. 단계 S308 에서는, 계측 중에 산란광 (L3) 이 관측되어, 레티클 (R) 상에 이물질 (예를 들어, 도 17 의 이물질 (806)) 이 발견되었는지 아닌지를 판단한다. 이 판단이 부정되면 단계 S314 로 진행되고, 긍정되면 단계 S310 로 진행된다. In the next step S306, the exposure process management controller 500 determines whether or not this measurement is the second measurement. If this determination is affirmative, the flow advances to step S312, and if negative, the flow proceeds to step S308. Here, since the measurement is still the first time, the judgment is denied and the flow proceeds to step S308. In step S308, the scattered light L3 is observed during measurement to determine whether or not foreign matter (eg, foreign matter 806 in FIG. 17) is found on the reticle R. If this determination is denied, the flow proceeds to step S314, and if affirmative, the flow proceeds to step S310.

단계 S310 에서는, 도시 생략된 세정 장치에 있어서, 레티클 (R) 의 패턴면을 세정한다 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 레티클 (R) 의 패턴면의 세정을 촉구한다). 단계 S310 종료 후에는, 단계 S300 로 돌아와, 레티클 (R) 을 레티클 계측기 (800C) 에 다시 로딩하고, 단계 S302 에 있어서, 이물질, 패턴 결함의 사전 계측을 실시하고, 단계 S304 에 있어서, 레티클 계측기 (800C) 로부터 레티클 (R) 을 언로딩하고, 단계 S306 에서는, 2 회째의 계측이므로 판단은 긍정되어 단계 S312 에 진행된다. In step S310, in the cleaning apparatus (not shown), the pattern surface of the reticle R is cleaned (or the cleaning of the pattern surface of the reticle R is urged using a display function or the like on a monitor). After the end of step S310, the process returns to step S300 to reload the reticle R into the reticle measuring instrument 800C. In step S302, preliminary measurement of foreign matter and pattern defects is performed. In step S304, the reticle measuring instrument ( The reticle R is unloaded from 800C), and in step S306, the determination is affirmative, and the determination advances to step S312.

단계 S312 에서는, 패턴면 상에 결함이 있는지 없는지를 판단한다. 세정 후의 레티클 (R) 에 대한 2 회째의 계측에서도, 산란광 (L3) 이 관측된다는 것은, 패턴 결함이 있다는 것을 의미하고 있다. 따라서, 여기에서는, 2 회째의 계측에 있어서도 산란광 (L3) 이 관측되고 있었을 경우에는 판단을 긍정하여, 단계 S318 로 진행된다. 단계 S318 에서는, 레티클 (R) 을 리젝트하고 (혹은 모니터 상에서의 표시 기능 등을 이용하여, 그 레티클 (R) 의 리젝트를 촉구하여), 처리를 종료한다. In step S312, it is determined whether or not there is a defect on the pattern surface. Also in the second measurement of the reticle R after washing, the scattered light L3 is observed, which means that there is a pattern defect. Therefore, in the case where the scattered light L3 is observed also in the second measurement, the determination is affirmed, and the flow proceeds to step S318. In step S318, the reticle R is rejected (or a rejection of the reticle R is urged by using a display function or the like on a monitor), and the processing ends.

한편, 단계 S308 에 있어서 판단이 부정된 후 (1 회째의 계측에 있어서 레티클 (R) 상에 산란광 (L3) 이 관측되지 않았던 경우) 또는 단계 S312 에 있어서 판단이 긍정된 후 (2 회째의 계측에서도 레티클 (R) 상에 산란광 (L3) 이 관측되지 않았던 경우) 에는, 단계 S314 로 진행된다. 단계 S314 에서는, 레티클 (R) 을 노광 장치 (100) 에 반입하고, 단계 S316 에서, 제 1 실시 형태의 단계 (S66 ; 도 8 참조) 와 동일한 준비 처리를 실시한다. 단계 S316 실행 후에는, 도 9, 도 10 과 동일한 처리가 실시된다.On the other hand, after the judgment is denied in step S308 (when scattered light L3 is not observed on the reticle R in the first measurement) or after the judgment is affirmed in step S312 (even in the second measurement) In the case where the scattered light L3 was not observed on the reticle R), the flow proceeds to step S314. In step S314, the reticle R is loaded into the exposure apparatus 100, and in step S316, the same preparation process as in step S66 (see FIG. 8) of the first embodiment is performed. After the step S316 is executed, the same processing as that in Figs. 9 and 10 is performed.

이상 상세하게 서술한 바와 같이, 본 제 3 실시 형태에 의하면, 노광에 이용되는 레티클 (R) 을 노광 장치 (100) 에 반입하기 전에, 레티클 (R) 의 패턴면 상을 계측하고, 레티클 (R) 상에 부착된 이물질 및 패턴 결손에 관한 정보를 취득한다. 이와 같이 하면, 노광 장치 (100) 에 있어서의 스루풋에 영향을 주지 않고, 그 레티클 (R) 에 부착된 이물질 및 패턴 결손을 재빨리 검출하여, 대처할 수 있다.As described above in detail, according to the third embodiment, before bringing the reticle R used for exposure into the exposure apparatus 100, the pattern surface image of the reticle R is measured and the reticle R Acquire information on foreign matter and pattern defects attached on the In this way, foreign matter and pattern defects attached to the reticle R can be detected and coped quickly without affecting the throughput in the exposure apparatus 100.

또, 본 제 3 실시 형태에 의하면, 레티클 (R) 의 패턴면을 계측하고, 산란광 (L3) 이 관측되어 이물질이 부착되어 있다고 판단했을 경우에는, 단계 S310 에 있어서 한 번 레티클 (R) 의 패턴면을 세정하고, 재차 상기 계측을 실시해도, 산란광 (L3) 이 관측되었을 경우에는, 패턴 결함이 있다고 판단되므로, 패턴면 상의 이물질과, 패턴 결함도 구별하는 것이 가능해지고, 이물질이 있다고 판단했을 경우에는 세정을 실시하고, 패턴 결함이 있다고 판단했을 경우에는 레티클 (R) 의 리젝트를 실시하는 것과 같이, 각각 검출 결과에 따라 적절한 처리를 실행할 수 있게 된다.In addition, according to the third embodiment, when the pattern surface of the reticle R is measured and the scattered light L3 is observed to determine that the foreign matter is attached, the pattern of the reticle R once in step S310. Even if the surface is washed and the measurement is performed again, when scattered light L3 is observed, it is determined that there is a pattern defect, and thus, it is possible to distinguish between the foreign matter on the pattern surface and the pattern defect, and it is determined that there is a foreign matter. In the case where it is determined that there is a pattern defect and then the reticle R is rejected, appropriate processing can be executed according to the detection result, respectively.

또한, 본 제 3 실시 형태에서는, 레티클 (R) 상의 이물질 또는 패턴 결함을 사전 계측하는 레티클 계측 (800C) 을 구비하는 경우에 대하여 서술하였지만, 웨이퍼 (W) 상의 이물질 또는 패턴 결함을 사전 계측하는 웨이퍼 계측기를 구비하도록 해도 되는 것은 물론이다. 이 웨이퍼 계측기의 구성 및 동작은, 상기 기술한 레티클 계측기 (800C) 의 구성 및 동작과 거의 동등하다고 할 수 있으므로, 상세한 설명을 생략한다.In addition, in this 3rd Embodiment, although the case where the reticle measurement 800C which pre-measures the foreign material or pattern defect on the reticle R was described, the wafer which pre-measures the foreign material or pattern defect on the wafer W is described. It goes without saying that the measuring instrument may be provided. Since the structure and operation of this wafer measuring instrument can be said to be almost the same as the structure and operation of the above-described reticle measuring instrument 800C, detailed description thereof will be omitted.

또한, 본 제 3 실시 형태에 있어서도, 레티클 (R) 의 패턴 결함이 발생하고 있는 부분이 극히 일부인 경우에는, 나머지의 부분을 노광에 이용하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 레티클 (R) 의 패턴 영역에, 복수의 칩 영역에 대응하는 회로 패턴이 형성되어 있는 경우, 패턴 결함이 발생하고 있는 칩 영역을 노광하지 않도록, 도시 생략된 조명계에 구비된 레티클 블라인드를 규정하여 노광을 실시하도록 해도 된다.Moreover, also in this 3rd Embodiment, when the part in which the pattern defect of the reticle R generate | occur | produces is a very small part, the remaining part can also be used for exposure. For example, when a circuit pattern corresponding to a plurality of chip regions is formed in the pattern region of the reticle R, the reticle blind provided in the illumination system not shown so as not to expose the chip region where the pattern defect is generated. It may be prescribed to perform exposure.

이것은, 웨이퍼 (W) 에 대해서도 동일하고, 웨이퍼 (W) 상의 일부의 쇼트 영역에 패턴 결함이 발생하고 있어도, 그것이 일부의 쇼트 영역에 한정되는 것이면, 패턴 결함이 발생한 쇼트 영역만을 노광 대상으로부터 제외할 수 있다. The same applies to the wafer W. Even if a pattern defect is generated in a part of the short region on the wafer W, if it is limited to a part of the short region, only the shot region in which the pattern defect has occurred is excluded from the exposure target. Can be.

또한, 상기 제 1, 제 2 실시 형태에서는, 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 평탄도에 관한 정보를 그 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상 데이터로 하였지만, 이것에는 한하지 않고, 예를 들어 그 면형상의 미분 데이터 또는 적분 데이터여도 된다. 또, 그 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 Z 위치의 분산이나 표준 편차, 최대값과 최소값의 차이여도 된다. 또, 이 면형상 데이터로는, 각 xy 위치에 대한 Z 위치의 면형상 맵 방식으로 표현되어 있는 것이어도 되고, 함수 형식으로 표현되어 있는 것이어도 된다. In addition, in the said 1st, 2nd embodiment, although the information regarding the flatness of the reticle R and the wafer W was made into the surface shape data of the reticle R and the wafer W, it is not limited to this. For example, the differential data or integrated data of the surface shape may be sufficient. Moreover, the difference of the dispersion, the standard deviation, and the maximum value and the minimum value of the Z position of the reticle R and the wafer W may be sufficient. Moreover, as this surface data, it may be represented by the surface map method of the Z position with respect to each xy position, and may be represented by a function form.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 레티클 홀더 (RH) 를 3 개의 면에서 흡착 유지하는 것으로 하였지만, 이것에는 한하지 않고, 레티클 (R) 의 4 모서리 근방을 지지하는 4 점 지지의 레티클 홀더여도 상관없다. In addition, in each said embodiment, although the reticle holder RH was hold | maintained by three surfaces, it is not limited to this, It may be a four-point support reticle holder which supports the 4 corner vicinity of the reticle R. .

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 레티클 (R) 또는 웨이퍼 (W) 를 유지하는 레티클 홀더 (RH, RH'), 웨이퍼 홀더 (WH, WH') 를 진공 흡착식의 홀더인 것으로 하였지만, 정전 흡착 방식의 홀더여도 된다. 또, 이들 홀더 (RH, RH', WH, WH') 로의 유지시에는, 스테이지 (RST, WST) 의 주사 시에 발생하는 가속도에 의한 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 위치 어긋남을 방지하기 위해, 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 를 스테이지 (RST, WST) 에 꽉 누르는 기계적인 클램프 기구를 병용하는 것도 가능하다. 이 경우, 사전의 평탄도를 계측할 때에도, 동일한 클램프 기구를 병용한 상태로 하는 것이 바람직하다.In each of the above embodiments, the reticle holders RH and RH 'and the wafer holders WH and WH' holding the reticle R or the wafer W are assumed to be vacuum suction holders. Holder may be sufficient. Moreover, when holding | maintaining in these holders RH, RH ', WH, WH', the position shift of the reticle R and the wafer W by the acceleration which arises at the time of scanning of the stage RST, WST is prevented. For this purpose, it is also possible to use a mechanical clamping mechanism that presses the reticle R and the wafer W on the stages RST and WST together. In this case, it is preferable to make it the state which used the same clamp mechanism together also when measuring prior flatness.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상을 계측하기 위해서 피조 간섭계를 이용하였지만, 이것에는 한하지 않는다. 레티클 (R), 웨이퍼 (W) 의 면형상 계측 장치는 피검면에 접촉하지 않고, 그 면형상을 계측하는 계측 장치이면 된다. 예를 들어, 노광 장치 (100) 에 구비된, 초점 위치 검출계 (60a, 60b) 와 동일한 계측 장치 등을 이용하여, 그들 면형상을 계측하도록 해도 된다. 사입사 방식의 검출계를 이용하면, 투명한 레티클이어도, 복잡한 회로 패턴이 형성된 웨이퍼여도, 그들의 면형상을 정밀도 좋게 계측하는 것이 가능해진다.In addition, in each said embodiment, although the created interferometer was used in order to measure the surface shape of the reticle R and the wafer W, it is not limited to this. The surface shape measuring device of the reticle R and the wafer W may be a measuring device that measures the surface shape without contacting the test surface. For example, you may make it measure the surface shape using the same measuring apparatus and the like as the focal position detection systems 60a and 60b with which the exposure apparatus 100 was equipped. By using the incidence detection system, even if it is a transparent reticle or a wafer on which a complicated circuit pattern is formed, it becomes possible to accurately measure their surface shapes.

또, 상기 각 실시 형태에서는, 레티클 계측기 (800A, 800C) 를, 노광 장치 (100) 와는 인라인으로 접속되어 있지 않은 계측기 (레티클의 반송 경로 상에 구비 된 계측기) 로 하고, 웨이퍼 계측기 (400A, 400B) 를, 노광 장치 (100) 와 인라인으로 접속되어 있는 계측기로 하여, 트랙 (300) 내에 설치되는 것으로 하였다. 이와 같이 하면, 효율적으로 레티클과 웨이퍼의 사전 계측을 실시할 수 있다. 그러나, 이것에는 한하지 않고, 그 반대여도 되고, 양방 모두 노광 장치에 인라인 접속 또는 오프라인으로 설치되어 있어도 된다. 또한 이들 레티클 계측기 (혹은 레티클 검사기 ; 800A, 800C) 나, 웨이퍼 계측기 (웨이퍼 검사기 ; 400A, 400B) 에, 상기 기술한 해석 시스템 (600) 에 있어서의 해석 기능이나, 그 해석의 결과를 보여주는 지시 (예를 들어, 이미 기술한 바와 같은 웨이퍼나 레티클의 리젝트 지시 등) 를 나타내도록 해도 된다. In each of the above embodiments, the reticle measuring devices 800A and 800C are set as measuring devices (measurement devices provided on the conveying path of the reticle) that are not connected inline with the exposure apparatus 100, and the wafer measuring devices 400A and 400B. ) Was set in the track 300 as a measuring device connected inline with the exposure apparatus 100. In this manner, the reticle and the wafer can be preliminarily measured. However, it is not limited to this, and the reverse may be sufficient, and both may be provided inline connection or offline in an exposure apparatus. In addition, the reticle measuring instrument (or reticle inspector; 800A, 800C) and the wafer measuring instrument (wafer inspector; 400A, 400B) provide instructions for analyzing the analysis function in the above-described analysis system 600 and the results of the analysis ( For example, the reject instruction of the wafer or the reticle as described above may be displayed.

또, 상기 각 실시 형태에서는, 조명광 (IL) 으로서 노광 장치에 일반적으로 이용되고 있는 것이면 적용할 수 있다. 예를 들어, KrF 엑시머 레이저 광 (파장 248㎚), ArF 엑시머 레이저 광 (파장 193㎚), g 선 (파장 436㎚), i선 (파장 365㎚), F₂ 레이저 광 (파장 157㎚), 구리 증기 레이저, YAG 레이저, 반도체 레이저 등의 고조파 등을 조명광 (IL) 으로서 이용할 수 있다. Moreover, in said each embodiment, if it is generally used for exposure apparatus as illumination light IL, it is applicable. For example, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), g line (wavelength 436 nm), i line (wavelength 365 nm), F ₂ laser light (wavelength 157 nm), Harmonics, such as a copper vapor laser, a YAG laser, and a semiconductor laser, etc. can be used as illumination light IL.

또, 상기 각 실시 형태의 노광 장치에 있어서, 투영 광학계는 축소계, 등배 혹은 확대계의 어느 것을 이용해도 되고, 굴절계, 반사 굴절계, 및 반사계의 어느 것이어도 된다. 어느 광학계여도, 그 결상 특성을 조정할 수 있는 광학계이면, 상기 각 실시 형태와 같이, 투영 광학계의 결상 특성을 조정하여, 노광 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다. Moreover, in the exposure apparatus of each said embodiment, the projection optical system may use any of a reduction system, an equal magnification, or an enlargement system, and may be any of a refraction system, a reflection refraction system, and a reflection system. In any optical system, as long as the optical system can adjust the imaging characteristic, the imaging accuracy of the projection optical system can be adjusted and the exposure accuracy can be improved as in the respective embodiments.

또한, 상기 각 실시 형태에 있어서의 노광 장치를 제조할 때에는, 복수의 렌 즈로 구성되는 투영 광학계를 노광 장치에 장착한다. 그 후, 광학 조정을 함과 함께, 다수의 기계 부품으로 이루어지는 레티클 스테이지나 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 노광 장치에 설치하여 배선이나 배관을 접속하고, 또한 종합 조정 (전기 조정, 동작 확인 등) 을 함으로써, 상기 각 실시 형태의 노광 장치를 제조할 수 있다. 또한, 상기 제 1 실시 형태에 있어서는, 이 레티클 스테이지 (RST) 또는 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 노광 장치에 설치하기 전에, 기준 레티클 (R_T), 기준 웨이퍼를 이용한 평탄도 차이를 산출하는 준비 처리를 실시할 필요가 있다. 또, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린룸에서 실시하는 것이 바람직하다. In addition, when manufacturing the exposure apparatus in each said embodiment, the projection optical system comprised from several lenses is attached to an exposure apparatus. Thereafter, optical adjustment is performed, and a reticle stage or wafer stage (WST) composed of a large number of mechanical components is provided in the exposure apparatus, the wiring and piping are connected, and the overall adjustment (electric adjustment, operation check, etc.) is performed. The exposure apparatus of each said embodiment can be manufactured. In addition, the In, the reticle stage (RST) or the wafer stage (WST) to prior to installing the exposure apparatus, based on the reticle (R _T), the preparation process for the flat using the reference wafer also calculates the difference between the first embodiment It needs to be done. Moreover, it is preferable to perform manufacture of exposure apparatus in the clean room where temperature, a clean degree, etc. were managed.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 스텝·앤드·스캔 방식의 투영 노광 장치에 대하여 설명하였지만, 본 발명은, 스텝·앤드·리피트형의 투영 노광 장치의 외에, 프록시미티 방식의 노광 장치 등 다른 노광 장치에도 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다. 또, 쇼트 영역과 쇼트 영역을 합성하는 스텝·앤드·스티치 방식의 축소 투영 노광 장치에도 본 발명을 바람직하게 적용할 수 있다. 또, 웨이퍼 스테이지를 2 기 구비한 트윈 스테이지형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 또, 액침법을 이용하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있는 것은 물론이다. In addition, although each said embodiment demonstrated the projection exposure apparatus of the step-and-scan system, this invention is other exposure apparatuses, such as an exposure apparatus of a proximity type, in addition to the projection exposure apparatus of a step-and-repeat type | mold. Needless to say, it is applicable to. Moreover, this invention can be preferably applied also to the reduction projection exposure apparatus of the step and stitch system which synthesize | combines a shot area and a shot area. Moreover, it is applicable also to the twin stage type exposure apparatus provided with two wafer stages. Moreover, of course, this invention can be applied also to the exposure apparatus using the liquid immersion method.

또, 본 발명은, 반도체 제조용의 노광 장치에 한하지 않고, 액정 표시 소자 등을 포함하는 디스플레이의 제조에 이용되는, 디바이스 패턴을 유리 플레이트 상에 전사하는 노광 장치, 박막 자기 헤드의 제조에 이용되는 디바이스 패턴을 세라믹 웨이퍼 상에 전사하는 노광 장치, 및 촬상 소자 (CCD 등), 마이크로 머신, 유기 EL, DNA 칩 등의 제조에 이용되는 노광 장치 등에도 적용할 수 있다. 또, EUV 광, X 선, 혹은 전자선 및 이온빔 등의 하전입자선을 노광빔으로서 이용하는 노광 장치에 본 발명을 적용해도 된다. Moreover, this invention is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacture, The exposure apparatus which transfers a device pattern on a glass plate used for manufacture of a display containing a liquid crystal display element etc. is used for manufacture of a thin film magnetic head. The present invention can also be applied to an exposure apparatus for transferring a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus used for manufacturing an imaging device (CCD or the like), a micromachine, an organic EL, a DNA chip, or the like. Moreover, you may apply this invention to the exposure apparatus which uses EUV light, X-rays, or charged particle beams, such as an electron beam and an ion beam, as an exposure beam.

또, 반도체 소자 등의 마이크로 디바이스뿐만 아니라, 광노광 장치, EUV 노광 장치, X 선 노광 장치, 및 전자선 노광 장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해, 유리 기판 또는 실리콘 웨이퍼 등에 회로 패턴을 전사하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 여기에서, DUV (원자외) 광이나 VUV (진공자외) 광 등을 이용하는 노광 장치에서는 일반적으로 투과형 레티클이 이용되고, 레티클 기판으로는 석영 유리, 불소가 도핑된 석영 유리, 형석, 불화 마그네슘, 또는 수정 등이 이용된다. 또, 프록시미티 방식의 X 선 노광 장치, 또는 전자선 노광 장치 등에서는 투과형 마스크 (스텐실 마스크, 멤브레인 마스크) 가 이용되고, 마스크 기판으로서는 실리콘 웨이퍼 등이 이용된다. Moreover, in order to manufacture the reticle or mask used not only in a microdevice, such as a semiconductor element, but also in an optical exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, an electron beam exposure apparatus, etc., a circuit pattern is transferred to a glass substrate or a silicon wafer etc. The present invention can also be applied to an exposure apparatus. Here, in the exposure apparatus using DUV (ultra-ultraviolet) light, VUV (vacuum-ultraviolet) light, etc., a transmission type reticle is generally used, and as a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, magnesium fluoride, or Modifications and the like are used. Moreover, in a proximity X-ray exposure apparatus, an electron beam exposure apparatus, etc., a transmissive mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer etc. are used as a mask substrate.

또, 상기 각 실시 형태에서는, 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 평탄도, 이물질 및 결함 등의 계측 결과는, 해석 시스템 (600) 에 보내지고, 그 계측 결과를 이용한 연산을 실시하고, 노광 공정 관리 컨트롤러 (500) 가 그 계측 결과, 연산 결과 등에 기초하는 공정의 제어를 실시하였지만, 이것에는 한하지 않는다. 예를 들어, 해석 시스템 (600) 에 의해, 계측 결과, 연산 결과 등에 기초하는 공정의 제어가 실시되록 해도 되고, 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 평탄도, 이물질 및 결함 등의 계측 결과가 직접, 주제어 장치 (20) 에 보내지도록 하고, 주제어 장치 (20) 에 의해 그 계측 결과를 이용한 연산을 실시하여, 그 연산 결과에 기초하는 공정의 제어를 실시하도록 해도 된다. In addition, in each said embodiment, the measurement result, such as the flatness of a reticle R and the wafer W, a foreign material, a defect, etc., is sent to the analysis system 600, an operation using the measurement result is performed, and exposure is performed. Although the process management controller 500 controlled the process based on the measurement result, the calculation result, etc., it is not limited to this. For example, the analysis system 600 may control the process based on a measurement result, a calculation result, etc., and the measurement result, such as the flatness of a reticle R and the wafer W, a foreign material, a defect, etc. The controller may be sent directly to the main controller 20, the main controller 20 may perform calculations using the measurement results, and control the process based on the calculation results.

반도체 디바이스는, 디바이스의 제조, 성능 설계를 실시하는 단계, 이 설계 단계에 기초한 레티클을 제작하는 단계, 실리콘 재료로부터 웨이퍼를 제작하는 단계, 전술한 상기 각 실시 형태의 노광 시스템 (200) 및 노광 장치 (100) 에 의해 레티클의 패턴을 웨이퍼 (W) 에 전사하는 단계, 메모리 리페어 단계, 디바이스 조립 단계 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함한다), 검사 단계 등을 거쳐 제조된다. The semiconductor device includes the steps of manufacturing the device, performing a performance design, manufacturing a reticle based on the design step, manufacturing a wafer from a silicon material, the exposure system 200 and the exposure apparatus of each of the above-described embodiments. By 100, a pattern of the reticle is transferred to the wafer W, a memory repair step, a device assembly step (including a dicing step, a bonding step, a package step), an inspection step, and the like.

산업상이용가능성Industrial availability

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 계측 방법은 노광에 이용되는 물체의 평탄도를 계측하는 데에 적합하고, 본 발명의 검사 방법은 노광에 이용되는 물체 상의 이물질 또는 일부의 결손을 검출하는 데에 적합하며, 본 발명의 노광 방법 및 노광 시스템은 반도체 소자, 액정 표시 소자, 촬상 소자, 박막 자기 헤드 등을 제조하기 위한 포토리소그래피 공정에 적합하다.As described above, the measurement method of the present invention is suitable for measuring the flatness of an object used for exposure, and the inspection method of the present invention is suitable for detecting foreign matter or a defect of a part of an object used for exposure. In addition, the exposure method and the exposure system of the present invention are suitable for a photolithography process for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, an imaging device, a thin film magnetic head, and the like.

Claims

소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 공정을 포함하는, 계측 방법.Information about the flatness of the object in a state held in or equivalent to the predetermined holding device before bringing the object into the exposure apparatus that performs exposure using the object held in the predetermined holding device. A measurement method comprising a pre-acquisition step of acquiring the data.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

상기 사전 취득 공정은, The prior acquisition step,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보와, 당해 물체를 유지한 상태에서의 그 물체의 평탄도에 관한 정보 사이의 관계가 이미 알려진 다른 유지 장치에 의해 상기 물체를 유지한 상태에서, 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 제 1 부공정과; The object is held by another holding device for which a relation between the information on the flatness of the object in the state held by the predetermined holding device and the information on the flatness of the object in the state holding the object is known. A first substep of measuring information on the flatness of the object in the held state;

상기 다른 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보의 계측 결과와, 상기 관계에 기초하여, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 산출하는 제 2 부공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.On the basis of the measurement result of the information about the flatness of the object in the state held by the other holding device and the relationship, the flatness of the object in a state equivalent to the state held in the predetermined holding device. And a second substep of calculating information relating to the measurement.

제 2 항에 있어서, The method of claim 2,

상기 사전 취득 공정에 앞서, Prior to the pre-acquisition process,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 기준 물체의 평탄도에 관한 정보와, 상기 다른 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 기준 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하고, 각각의 계측 결과를 공제함으로써, 상기 관계로서의 상기 양 평탄도에 관한 정보 간의 차분을 산출하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.The information about the flatness of the reference object in the state held by the predetermined holding device and the information about the flatness of the reference object in the state held by the other holding device are measured, and each measurement result is subtracted. The method further includes the step of calculating a difference between the information about the two flatness as the relationship.

제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein

상기 소정의 유지 장치를 복수 구비해 두고, It is provided with a plurality of said predetermined holding | maintenance apparatus,

그들 중에서, 상기 차분에 기초하여, 상기 물체의 평탄도가 가장 양호해지는 유지 장치를, 상기 물체를 유지하는 유지 장치로서 선택하는 선택 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.Among them, the method further includes a selection step of selecting a holding device, which has the best flatness of the object, as the holding device for holding the object, based on the difference.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

상기 사전 취득 공정에서는, In the prior acquisition step,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 직접 계측하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.And measuring information about the flatness of the object in a state held by the predetermined holding device.

제 5 항에 있어서, The method of claim 5,

상기 사전 취득 공정에서는, In the prior acquisition step,

상기 소정의 유지 장치에 있어서의 상기 물체의 유지 상태를 조정하면서, 상 기 물체의 평탄도에 관한 정보의 계측을 실시하고, The information regarding the flatness of the object is measured while adjusting the holding state of the object in the predetermined holding device.

상기 노광 장치 내에서 상기 소정의 유지 장치에 의해 상기 물체를 유지할 때에는, 상기 조정의 결과를 고려하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.The result of the said adjustment is considered when hold | maintaining the said object by the said predetermined holding device in the said exposure apparatus.

제 6 항에 있어서, The method of claim 6,

상기 사전 취득 공정에서는, In the prior acquisition step,

상기 소정의 유지 장치에 의한 상기 물체의 유지력, 유지 위치, 및 유지면 중 1 개 이상의 변동에 수반되는 상기 물체의 평탄도에 관한 정보의 변동 정도에 기초하여, 상기 소정의 유지 장치에 있어서의 상기 물체의 최적의 유지 위치를 구하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.In the predetermined holding device, based on the degree of change in the holding force of the object by the predetermined holding device, the holding position, and the degree of fluctuation of the information regarding the flatness of the object accompanied by one or more fluctuations in the holding surface. The measuring method characterized by obtaining the optimum holding position of an object.

제 5 항에 있어서, The method of claim 5,

상기 사전 취득 공정에 있어서의 취득 결과에 기초하여 평탄도 이상을 검출하는 검출 공정과; A detection step of detecting flatness abnormality based on an acquisition result in the pre-acquisition step;

상기 평탄도 이상이 검출되었을 경우에는, 상기 소정의 유지 장치의 교환을 실시하는 교환 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.And when said abnormality in flatness is detected, further comprising an exchange step of performing replacement of said predetermined holding device.

제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, The method according to claim 1 or 5,

상기 평탄도 이상이 검출되었을 경우에는, 상기 물체의 제외와, 상기 물체를 유지하는 유지 장치의 유지면의 세정의 적어도 일방을 실시하는 처리 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.When the abnormality in the flatness is detected, the method further includes a treatment step of removing the object and cleaning at least one of the holding surfaces of the holding device for holding the object.

마스크 상에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 통하여, 감광 물체 상에 전사하는 노광 방법으로서, As an exposure method which transfers the pattern formed on the mask on the photosensitive object via a projection optical system,

제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 계측 방법을 이용하여, 상기 마스크 및 상기 감광 물체의 적어도 일방의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 계측 공정과; A measurement step of measuring information on at least one flatness of the mask and the photosensitive object using the measurement method according to any one of claims 1 to 9;

상기 계측의 결과에 기초하여, 상기 투영 광학계의 결상 특성의 보정과, 상기 마스크 및 상기 감광 물체의 상대 위치의 보정의 적어도 일방을 실시하면서, 상기 패턴을 상기 감광 물체 상에 전사하는 전사 공정을 포함하는, 노광 방법.And a transfer step of transferring the pattern onto the photosensitive object while performing at least one of correcting the imaging characteristic of the projection optical system and correcting the relative position of the mask and the photosensitive object based on the measurement result. Exposure method.

제 10 항에 있어서, The method of claim 10,

상기 계측 공정에서는, In the measurement process,

상기 마스크의 평탄도에 관한 정보와 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보를 각각 계측하고, 상기 마스크의 평탄도에 관한 정보와 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보의 차분을 구하고,Information about the flatness of the mask and information about the flatness of the photosensitive object are respectively measured, and a difference between information about the flatness of the mask and information about the flatness of the photosensitive object is obtained,

상기 전사 공정에서는, In the transfer step,

상기 마스크의 평탄도에 관한 정보와 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보 의 차분을 고려하여, 상기 투영 광학계의 결상 특성의 보정과, 상기 마스크와 상기 감광 물체의 상대 위치의 보정의 적어도 일방을 실시하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.In consideration of the difference between the information on the flatness of the mask and the information on the flatness of the photosensitive object, at least one of correcting the imaging characteristic of the projection optical system and correcting the relative position of the mask and the photosensitive object is performed. An exposure method characterized by the above-mentioned.

제 10 항에 있어서, The method of claim 10,

상기 계측 공정에서, 상기 마스크의 평탄도에 관한 정보를 계측했을 경우에는, In the measurement step, when the information on the flatness of the mask is measured,

상기 투영 광학계의 결상 특성에는, 상기 투영 광학계의 포커스, 이미지면 만곡, 디스토션 중 1 개 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.An imaging method of the projection optical system includes one or more of focus, image plane curvature, and distortion of the projection optical system.

제 10 항에 있어서, The method of claim 10,

상기 계측 공정에서, 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측했을 경우에는, In the measuring step, when the information on the flatness of the photosensitive object is measured,

상기 투영 광학계의 결상 특성에는, 상기 투영 광학계의 포커스가 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.The imaging method of the said projection optical system contains the focus of the said projection optical system, The exposure method characterized by the above-mentioned.

제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 10 to 13,

복수의 감광 물체 각각에 대하여, 차례로 상기 계측 공정과, 상기 노광 공정을 실시하는 경우에, 선행되는 감광 물체에 대하여 상기 노광 공정을 실시하는 동안에, 계속 처리되는 감광 물체에 대하여 상기 계측 공정을 실시하는 것을 특징으 로 하는 노광 방법.For each of the plurality of photosensitive objects, in the case of performing the measurement step and the exposure step, the measurement step is performed on the photosensitive object that is continuously processed while the exposure step is performed on the preceding photosensitive object. An exposure method characterized by the above-mentioned.

소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 방법으로서, An exposure method for performing exposure using an object held in a predetermined holding device,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도가 양호해지도록, 상기 물체의 유지 상태를 조정하는 공정과; Adjusting the holding state of the object so that the flatness of the object in the state held by the predetermined holding device becomes good;

상기 조정된 유지 상태에서 상기 소정의 유지 장치에 의해 상기 물체를 유지하면서, 노광을 실시하는 공정을 포함하는, 노광 방법.And exposing while holding the object by the predetermined holding device in the adjusted holding state.

물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 물체 상에 부착된 이물질 및 상기 물체의 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 공정을 포함하는, 검사 방법.An inspection method comprising a pre-acquisition step of acquiring information on at least one of defects of a foreign matter adhered to the object and a part of the object before bringing the object into an exposure apparatus that performs exposure using the object. .

제 16 항에 있어서, The method of claim 16,

상기 사전 취득 공정에 있어서 취득된 정보에 기초하여, 상기 물체 상의 이물질의 부착 및 상기 물체의 일부의 결손을 검출하는 검출 공정과; A detection step of detecting adhesion of foreign matter on the object and defects of a part of the object based on the information acquired in the pre-acquisition step;

상기 검출 공정에 있어서 이물질의 부착이 검출되었을 경우에는, 그 이물질을 제거하는 제거 공정; 및 A removal step of removing the foreign matter when adhesion of the foreign matter is detected in the detection step; And

상기 검출 공정에 있어서 상기 물체의 일부의 결손이 검출되었을 경우에는, 그 물체를 제외하는 제외 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.And in the case of detecting a defect of a part of the object in the detection step, further comprising an exclusion step of excluding the object.

제 16 항 또는 제 17 항에 기재된 검사 방법을 이용하여, 상기 마스크 상 및 상기 감광 물체 상의 적어도 일방에 대한 이물질의 부착 또는 일부의 결손에 대한 사전 처리를 실시하는 사전 처리 공정과; A pretreatment step of performing a pretreatment for adhesion or a defect of a part of foreign matter on at least one of the image on the mask and the photosensitive object, using the inspection method according to claim 16 or 17;

상기 사전 처리 결과에 기초하여, 상기 패턴을, 상기 감광 물체 상에 전사하는 전사 공정을 포함하는, 노광 방법.And a transfer step of transferring the pattern onto the photosensitive object based on the result of the pretreatment.

제 18 항에 있어서, The method of claim 18,

상기 마스크에 형성된 패턴은, 복수의 칩 영역에 각각 대응하는 복수의 패턴을 포함하고, The pattern formed on the mask includes a plurality of patterns respectively corresponding to a plurality of chip regions,

상기 사전 처리 공정에서, In the pretreatment process,

상기 마스크 상의 1 개 이상의 패턴의 영역 내에서 이물질 또는 일부의 결손이 검출되었을 경우에는, In the case where a defect of a foreign material or a part is detected in an area of one or more patterns on the mask,

상기 전사 공정에서는, In the transfer step,

이물질 또는 일부의 결손이 검출된 패턴의 영역을 차폐하면서 노광을 실시하거나, 또는 그 칩 영역을 노광 대상의 영역으로부터 제외하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.Exposure is performed while shielding the area | region of the pattern in which the foreign material or a part defect was detected, or the chip area is excluded from the area | region to be exposed.

제 18 항에 있어서, The method of claim 18,

복수의 감광 물체 각각에 대하여, 차례로 상기 사전 처리 공정과, 상기 노광 공정을 실시하는 경우에, In the case where the pretreatment step and the exposure step are sequentially performed on a plurality of photosensitive objects,

선행되는 감광 물체에 대하여 상기 노광 공정을 실시하는 동안에, 계속 처리되는 감광 물체에 대하여 상기 사전 처리 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.And the pretreatment step is performed on the photosensitive object which is continuously processed while the exposure step is performed on the preceding photosensitive object.

소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치와;An exposure apparatus that performs exposure using an object held in a predetermined holding apparatus;

상기 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 장치를 구비하는, 노광 시스템.And a pre-acquisition device for acquiring information on the flatness of the object in a state held in the predetermined holding device or equivalent thereto before bringing the object into the exposure apparatus.

제 21 항에 있어서, The method of claim 21,

상기 사전 취득 장치는, The pre-acquisition device,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보와, 그 물체를 유지한 상태에서의 그 물체의 평탄도에 관한 정보 사이의 관계가 이미 알려진 다른 유지 장치에 의해 상기 물체를 유지한 상태에서, 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 계측 장치와; The relationship between the information about the flatness of the object in the state held by the predetermined holding device and the information about the flatness of the object in the state holding the object is known. A measurement device for measuring information about the flatness of the object in the held state;

상기 다른 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보의 계측 결과와, 상기 관계에 기초하여, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 산출하는 산출 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.On the basis of the measurement result of the information about the flatness of the object in the state held by the other holding device and the relationship, the flatness of the object in a state equivalent to the state held in the predetermined holding device. And a calculating device for calculating information relating to the exposure system.

제 21 항에 있어서, The method of claim 21,

상기 사전 취득 장치는, The pre-acquisition device,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 직접 계측하는 계측 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.And a measuring device for directly measuring information about the flatness of the object in the state held by the predetermined holding device.

제 23 항에 있어서, The method of claim 23,

상기 계측 장치는, The measuring device,

상기 소정의 유지 장치에서의 상기 물체의 유지 상태를 조정하면서, 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하고, While adjusting the holding state of the object in the predetermined holding device, information about the flatness of the object is measured,

상기 노광 장치는, The exposure apparatus,

상기 계측 장치에서의 조정의 결과를 고려하여 상기 소정의 유지 장치에 있어서의 상기 물체의 유지 상태를 조정하는 조정 장치를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.And an adjusting device for adjusting the holding state of the object in the predetermined holding device in consideration of the result of the adjustment in the measuring device.

제 24 항에 있어서, The method of claim 24,

상기 사전 취득 장치는, The pre-acquisition device,

상기 소정의 유지 장치에 의한 상기 물체의 유지력, 유지 위치, 및 유지면 중 1 개 이상의 변동에 수반되는 상기 물체의 평탄도의 변동 정도에 기초하여, 상기 소정의 유지 장치에 있어서의 상기 물체의 최적의 유지 위치를 상기 조정의 결과로서 구하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.The optimum of the object in the predetermined holding device is based on the degree of change in the holding force of the object by the predetermined holding device, the holding position, and the flatness of the object accompanied by one or more variations in the holding surface. The holding position of the exposure system is obtained as a result of the adjustment.

제 23 항에 있어서, The method of claim 23,

상기 사전 취득 장치에 있어서의 취득 결과에 기초하여 평탄도 이상을 검출하는 검출 장치와; A detection device that detects abnormality in flatness based on an acquisition result in the pre-acquisition device;

상기 평탄도 이상이 검출되었을 경우에는, 상기 소정의 유지 장치의 교환과, 상기 물체의 제외와, 상기 유지 장치의 유지면의 세정 중 1 개 이상을 실시하는 처리 장치를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.When the abnormality in the flatness is detected, the apparatus further includes one or more processing apparatuses for exchanging the predetermined holding device, removing the object, and cleaning the holding surface of the holding device. Exposure system.

제 21 항에 있어서, The method of claim 21,

상기 사전 취득 장치는, The pre-acquisition device,

상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하기 위한 비접촉 검출 방식의 계측 장치인 것을 특징으로 하는 노광 시스템.An exposure system, characterized in that the measuring device of the non-contact detection method for measuring information about the flatness of the object.

제 27 항에 있어서, The method of claim 27,

상기 계측 장치는, 피조 (fizeau) 간섭계인 것을 특징으로 하는 노광 시스템.The measuring device is an exposure interferometer.

제 28 항에 있어서, The method of claim 28,

상기 피조 간섭계는, 더블 패스형의 간섭계인 것을 특징으로 하는 노광 시스템.The created interferometer is a double pass type interferometer.

제 21 항에 있어서, The method of claim 21,

상기 노광 장치는, 마스크 상에 형성된 패턴을 투영 광학계를 통하여, 감광 물체 상에 전사하는 투영 노광 장치이며,The exposure apparatus is a projection exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a photosensitive object through a projection optical system,

상기 사전 취득 장치는, 상기 마스크 및 상기 감광 물체의 적어도 일방의 평탄도에 관한 정보를 취득하고, The pre-acquisition device acquires information about at least one flatness of the mask and the photosensitive object,

상기 노광 장치는, The exposure apparatus,

상기 취득 결과에 기초하여, 상기 투영 광학계의 결상 특성의 보정과, 상기 마스크와 상기 감광 물체의 상대 위치의 보정의 적어도 일방을 실시하면서, 노광을 실시하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.Exposure based on the said acquisition result, performing exposure, correcting the imaging characteristic of the said projection optical system, and correct | amending at least one of the relative position of the said mask and the said photosensitive object.

제 30 항에 있어서, The method of claim 30,

상기 사전 취득 장치는, The pre-acquisition device,

상기 마스크의 평탄도에 관한 정보와, 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하고, 각각의 계측 결과에 기초하여 상기 마스크의 평탄도에 관한 정보와 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보의 차분을 추가로 구하고,The information about the flatness of the mask and the information about the flatness of the photosensitive object are measured, and the difference between the information about the flatness of the mask and the information about the flatness of the photosensitive object is based on each measurement result. Find additional

상기 노광 장치는, The exposure apparatus,

상기 마스크의 평탄도에 관한 정보와 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보의 차분을 고려하여, 상기 투영 광학계의 결상 특성의 보정과, 상기 마스크 및 상기 감광 물체의 상대 위치의 보정의 적어도 일방을 실시하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.In consideration of the difference between the information about the flatness of the mask and the information about the flatness of the photosensitive object, at least one of correcting the imaging characteristics of the projection optical system and correcting the relative positions of the mask and the photosensitive object is performed. An exposure system, characterized in that.

제 30 항에 있어서, The method of claim 30,

상기 마스크의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 사전 취득 장치와, 상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 사전 취득 장치를 구비하고,A pre-acquisition device for measuring information about the flatness of the mask, and a pre-acquisition device for measuring information about the flatness of the photosensitive object,

상기 감광 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 사전 취득 장치는, 상기 노광 장치와 인라인 접속되고, 상기 마스크의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 사전 취득 장치는, 상기 마스크를 반송하는 반송 경로 상에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 시스템. The pre-acquisition apparatus for measuring information about the flatness of the photosensitive object is connected inline with the exposure apparatus, and the pre-acquisition apparatus for measuring information about the flatness of the mask is on the conveyance path for conveying the mask. An exposure system, which is provided.

물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치와; An exposure apparatus that performs exposure using an object;

상기 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 물체 상의 이물질 및 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 취득하는 사전 취득 장치를 구비하는, 노광 시스템.An exposure system comprising a pre-acquisition device for acquiring information relating to at least one of the foreign matters on the object and some defects before bringing the object into the exposure apparatus.

제 33 항에 있어서, The method of claim 33, wherein

상기 사전 취득 장치에 있어서 취득된 정보에 기초하여, 상기 물체 상의 이 물질의 부착 및 일부의 결손을 검출하는 검출 장치와; A detection device for detecting adhesion of a foreign substance on the object and a defect of a part of the object based on the information acquired in the pre-acquisition device;

상기 검출 장치에 있어서 물체 상의 이물질의 부착이 검출되었을 경우에는, 그 이물질을 제거하는 이물질 제거 장치; 및 A foreign material removal device that removes the foreign matter when the adhesion of foreign matter on the object is detected in the detection device; And

상기 검출 장치에 있어서, 상기 물체의 일부의 결손이 검출되었을 경우에는, 그 물체를 제외하는 제외 장치를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.The said detection apparatus WHEREIN: When the deficiency of a part of the said object is detected, the exposure system further equipped with the exclusion apparatus which removes the said object.

제 34 항에 있어서, The method of claim 34, wherein

상기 노광 장치는, 마스크 상에 형성된 패턴을 투영 광학계를 통하여, 감광 물체 상에 전사하는 투영 노광 장치이며, The exposure apparatus is a projection exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a photosensitive object through a projection optical system,

상기 사전 취득 장치는, 상기 마스크 상 및 상기 감광 물체 상의 적어도 일방에 대한 이물질의 부착 또는 일부의 결손에 관한 정보를 취득하고, The pre-acquisition device acquires information regarding the adhesion of a foreign matter or at least one defect on at least one of the image on the mask and the photosensitive object,

상기 검출 장치는, 상기 마스크 상 및 상기 감광 물체 상의 적어도 일방에 대한 이물질의 부착 또는 일부의 결손을 검출하고, The detection device detects a defect or adhesion of a foreign matter to at least one of the image on the mask and the photosensitive object,

상기 노광 장치는, The exposure apparatus,

상기 검출 결과에 기초하여, 상기 패턴을 상기 감광 물체 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.Based on the detection result, transferring the pattern onto the photosensitive object.

제 35 항에 있어서, 36. The method of claim 35 wherein

상기 마스크에 형성된 패턴이 복수의 칩 영역에 각각 대응하는 복수의 패턴 을 포함하고, The pattern formed on the mask includes a plurality of patterns each corresponding to a plurality of chip regions,

상기 사전 취득 장치가, 상기 마스크 상의 1 개 이상의 패턴의 영역 내에서 이물질 또는 일부의 결손이 있는 것을 검출했을 경우에는, When the said pre-acquisition apparatus detects that there exists a foreign material or a part defect in the area | region of one or more patterns on the said mask,

상기 노광 장치는, The exposure apparatus,

상기 검출 장치에 있어서 검출된 이물질 또는 일부의 결손이 있는 패턴의 영역에 대응하는 부분을 차폐하면서 노광을 실시하거나, 또는, 그 칩 영역을 노광 대상의 영역으로부터 제외하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.The exposure apparatus performs exposure while shielding a portion corresponding to a region of a detected foreign matter or a part of the missing pattern in the detection apparatus, or excludes the chip region from the region to be exposed.

제 33 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 시스템으로서, An exposure system according to any one of claims 33 to 36,

상기 사전 취득 장치는, 상기 노광 장치와 인라인 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.The said pre-acquisition apparatus is connected inline with the said exposure apparatus, The exposure system characterized by the above-mentioned.

소정의 유지 장치에 유지된 물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태 또는 그것과 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.Information about the flatness of the object in a state held in or equivalent to the predetermined holding device before bringing the object into the exposure apparatus that performs exposure using the object held in the predetermined holding device. A measurement system, characterized in that to obtain a.

제 38 항에 있어서, The method of claim 38,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 물체의 평탄도에 관한 정보와, 당해 물체를 유지한 상태에서의 그 물체의 평탄도에 관한 정보 사이의 관계가 이미 알려진 다른 유지 장치를 구비하고, 또한 그 다른 유지 장치에 의해 상기 물체를 유지한 상태에서, 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 계측 유닛과; And another holding device for which a relation between the information on the flatness of the object in the state held by the predetermined holding device and the information on the flatness of the object in the state holding the object is known. A measurement unit for measuring information about the flatness of the object in the state where the object is held by the other holding device;

상기 다른 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보의 계측 결과와, 상기 관계에 기초하여, 상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태와 등가인 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 산출하는 산출 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.On the basis of the measurement result of the information about the flatness of the object in the state held by the other holding device and the relationship, the flatness of the object in a state equivalent to the state held in the predetermined holding device. And a calculating unit for calculating information relating to the measuring system.

제 38 항에 있어서, The method of claim 38,

상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 취득하기에 앞서, Before acquiring information about the flatness of the object,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 기준 물체의 평탄도에 관한 정보와, 상기 다른 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 기준 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하고, 각각의 계측 결과를 공제함으로써 얻어진, 상기 관계로서의 상기 양 (both) 평탄도에 관한 정보간의 차분을 기억하는 기억 유닛을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 계측 방법.The information about the flatness of the reference object in the state held by the predetermined holding device and the information about the flatness of the reference object in the state held by the other holding device are measured, and each measurement result is subtracted. And a storage unit for storing the difference between the information about the quantity flatness as said relationship obtained by the above.

제 40 항에 있어서,The method of claim 40,

상기 소정의 유지 장치를 복수 구비하고 있는 경우에, In the case where a plurality of the predetermined holding devices are provided,

그들 중에서, 상기 차분에 기초하여, 상기 물체의 평탄도가 가장 양호해지는 유지 장치를, 상기 물체를 유지하는 유지 장치로서 선택하게 하는 선택 유닛을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.Among them, on the basis of the difference, a measurement system further comprising a selection unit for selecting a holding device that has the best flatness of the object as a holding device for holding the object.

제 38 항에 있어서, The method of claim 38,

상기 계측 유닛은, The measurement unit,

상기 소정의 유지 장치에 유지된 상태에서의 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 직접 계측하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.And measuring information about the flatness of the object in a state held by the predetermined holding device.

제 42 항에 있어서, The method of claim 42,

상기 계측 유닛은, The measurement unit,

상기 소정의 유지 장치에서의 상기 물체의 유지 상태를 조정하면서, 상기 물체의 평탄도에 관한 정보를 계측하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.And measuring information about the flatness of the object while adjusting the holding state of the object in the predetermined holding device.

제 43 항에 있어서, The method of claim 43,

상기 소정의 유지 장치에 의한 상기 물체의 유지력, 유지 위치, 및 유지면 중 1 개 이상의 변동에 수반되는 상기 물체의 평탄도에 관한 정보의 변동 정도에 기초하여, 상기 소정의 유지 장치에 있어서의 상기 물체의 최적의 유지 위치를 구하는 연산 유닛을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.In the predetermined holding device, based on the degree of change in the holding force of the object by the predetermined holding device, the holding position, and the degree of fluctuation of the information regarding the flatness of the object accompanied by one or more fluctuations in the holding surface. And a computing unit for obtaining an optimal holding position of the object.

제 42 항에 있어서,The method of claim 42,

상기 산출 유닛에서 산출된 상기 물체의 평탄도에 관한 정보에 기초하여, 상기 물체의 평탄도 이상을 검출하는 검출 유닛을 추가로 구비하고,A detection unit for detecting an abnormality in the flatness of the object further based on the information about the flatness of the object calculated by the calculating unit,

상기 평탄도 이상이 검출되었을 경우에는, 상기 소정의 유지 장치의 교환을 촉구하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.When the flatness abnormality is detected, the measurement system is urged to replace the predetermined holding device.

제 38 항 또는 제 42 항에 있어서, 43. The method of claim 38 or 42 wherein

상기 평탄도 이상이 검출되었을 경우에는, 상기 물체의 제외와, 상기 물체를 유지하는 유지 장치의 유지면의 세정의 적어도 일방을 촉구하는 것을 특징으로 하는 계측 시스템.And when the abnormality in the flatness is detected, prompting at least one of the removal of the object and the cleaning of the holding surface of the holding device for holding the object.

물체를 이용하여 노광을 실시하는 노광 장치에 그 물체를 반입하기 전에, 상기 물체 상에 부착된 이물질 및 상기 물체의 일부의 결손의 적어도 일방에 관한 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.And an information relating to at least one of defects of foreign matter attached to the object and a part of the object before the object is brought into the exposure apparatus that performs exposure using the object.

제 47 항에 있어서, The method of claim 47,

상기 취득된 정보에 기초하여, 상기 물체 상의 이물질의 부착 및 상기 물체의 일부의 결손을 검출하는 검출 유닛을 추가로 구비하고,Further comprising a detection unit that detects adhesion of foreign matter on the object and defects of a part of the object based on the obtained information,

상기 검출 유닛에서 이물질의 부착이 검출되었을 경우에는, 그 이물질의 제거를 촉구하고,When the adhesion of foreign matter is detected in the detection unit, the removal of the foreign matter is urged,

상기 검출 유닛에 있어서 상기 물체의 일부의 결손이 검출되었을 경우에는, 그 물체의 제외를 촉구하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.And in the detection unit, when a missing part of the object is detected, prompting for the removal of the object.