KR20070087905A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070087905A
KR20070087905A KR1020060009443A KR20060009443A KR20070087905A KR 20070087905 A KR20070087905 A KR 20070087905A KR 1020060009443 A KR1020060009443 A KR 1020060009443A KR 20060009443 A KR20060009443 A KR 20060009443A KR 20070087905 A KR20070087905 A KR 20070087905A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
common electrode
electrode
layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020060009443A
Other languages
English (en)
Inventor
김홍규
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020060009443A priority Critical patent/KR20070087905A/ko
Publication of KR20070087905A publication Critical patent/KR20070087905A/ko

Links

Images

Classifications

    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
    • E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
    • E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
    • E04B1/82—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls specifically with respect to sound only
    • E04B1/84—Sound-absorbing elements
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
    • E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
    • E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
    • E04B1/82—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls specifically with respect to sound only
    • E04B1/84—Sound-absorbing elements
    • E04B1/86—Sound-absorbing elements slab-shaped
    • G—PHYSICS
    • G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
    • G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
    • G10K11/16—Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
    • G10K11/162—Selection of materials
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
    • E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
    • E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
    • E04B2001/742—Use of special materials; Materials having special structures or shape
    • E04B2001/745—Vegetal products, e.g. plant stems, barks
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
    • E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
    • E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
    • E04B1/82—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls specifically with respect to sound only
    • E04B1/84—Sound-absorbing elements
    • E04B2001/8423—Tray or frame type panels or blocks, with or without acoustical filling
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
    • E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
    • E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
    • E04B1/82—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls specifically with respect to sound only
    • E04B1/84—Sound-absorbing elements
    • E04B2001/8423—Tray or frame type panels or blocks, with or without acoustical filling
    • E04B2001/8433—Tray or frame type panels or blocks, with or without acoustical filling with holes in their face
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B2103/00—Material constitution of slabs, sheets or the like
    • E04B2103/04—Material constitution of slabs, sheets or the like of plastics, fibrous material or wood

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드(OLED) 패널에서 공통 전극의 내부 저항에 의한 문제점을 해결하여 휘도 편차를 줄이고 수명을 연장시킬 수 있도록 한 발광장치에 관한 것으로, 이를 위하여 투명한 도전성 산화물이나 금속 박막 혹은 이들의 적층으로 공통 전극을 형성하고, 그 상부 일부에 내부 저항이 낮은 불투명한 보조 공통 전극을 더 형성하도록 함으로써, 소자 간 구동 전압 편차를 줄여 표시 영상의 품질을 개선하고, 발열을 줄여 소자의 수명과 소비 전력을 개선하는 효과가 있다.

Description

발광 장치{EMITTING APPARATUS}
도 1은 능동형 유기 발광 다이오드 패널의 구조를 보인 단면도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명 일 실시예의 제조 과정 및 구조를 보이는 공정 수순 단면도.
***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***
10: 기판 20: 게이트 전극
30: 게이트 절연막 40: 반도체층
50: 도핑 전도막 60: 금속 전극
70: 평탄막 80: 화소 전극
90: 절연막 100: 제 1유기 공통막
110: 발광층 120: 제 2유기 공통막
130: 공통 전극 135: 보조 공통 전극
140: 보호막 150: 실란트
160: 보호캡
본 발명은 발광장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED) 패널에서 공통 전극의 내부 저항에 의한 문제점을 해결하여 휘도 편차를 줄이고 수명을 연장하도록 한 발광장치에 관한 것이다. 본 명세서 전반에서 사용되는 용어 '발광장치'는 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 유기 발광 소자(Organic EL), OLED 패널, 그리고 구동을 위한 소자들 각각 혹은 그 조합을 총징하는 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 디스플레이 패널들이 개발되고 있다. 이러한 평판 디스플레이 패널에는 액정 표시 장치(LCD : Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(FED : Field Emission Display) 및 플라즈마 표시 장치(PDP : Plasma Display Panel), 유기 EL(Organic Electro Luminescence)을 근간으로 하는 유기 전계 발광소자(Organic Light Emitting Diode, 이하 OLED라 칭함) 디스플레이 등이 있다.
이 중에서도 상기 OLED는 전자 주입전극(캐소드 전극)과 정공 주입 전극(애노드 전극)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
이러한 원리로 인해 종래 박형 표시소자로 사용되던 LCD와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있으며, 반응속도가 LCD 대비 천배이상 빠르기 때문에 동영상을 표시할 때 잔상이 남지 않아 차세대 표시장치로 부각되고 있다.
이러한 OLED는 그 크기에 따라 다양한 구동 방식이 사용되고 있는데, 대표적으로 중대형의 OLED 디스플레이는 능동(Active) 매트릭스 구동 방식(AM 방식)이 주류를 이루고 있고, 소형 OLED 디스플레이에서는 능동 매트릭스 구동 방식과 수동(Passive) 매트릭스 구동 방식(PM 방식)이 혼재되어 사용된다. 상기 AM 방식 OLED 디스플레이는 각 OLED 소자(픽셀)에 박막 트랜지스터로 형성된 스위칭 소자를 설치하고, 상기 스위칭 소자가 전류 제어를 담당하도록 함으로써, 별도의 제어 신호 없이도 다음번 제어시점까지 특정 픽셀을 발광시킬 수 있는 방식이다. 반면에, PM 방식 디스플레이는 일반적인 매트릭스 구성에 의해 OLED를 순차 구동시켜 잔상을 이용하여 전체 패널 면적을 동작시키는 방식이다.
도 1은 종래 일반적인 AM OLED의 소자 구조를 보인 평면도로서, 비정질 실시콘 트랜지스터를 스위칭 소자로 사용하는 구성을 보인 것이다. 비록 비정질 실리콘 트랜지스터가 폴리실리콘 트랜지스터에 비해 모빌리티가 낮아 고속 동작에는 불리하지만, 소재 및 제조 비용이 낮고 장비의 범용성이 높기 때문에 구동 속도를 증가시키고자 하는 연구를 통해 다시 주목받고 있다.
도시된 구조를 보면, 게이트 전극(20)이 형성된 기판(10) 상부에 게이트 절연막(30)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(20)이 형성된 부분의 게이트 절연막(30) 상부에 차례로 반도체층(40), 분리된 도핑 전도막(50)및 금속 전극(60)이 형성되어 스위칭 소자를 구성하고 있으며, 그 상부 전면에 평탄막(70)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 평탄막(70) 상부에 차례로 화소 전극(80), 유기 공통막들(100, 120) 사이에 형성된 발광층(110) 및 공통 전극(130)이 형성되어 OLED를 구성한다. 상기 화소 전극(80)은 상기 스위칭 소자의 금속 전극(60)과 연결된다. 그리고, 상기 구조물 상부에 외부 습기나 가스를 차단하는 보호막(140)과, 밀봉을 위한 실란트(150) 및 호보캡(160)이 형성된다.
상기 구조는 복수의 OLED와 개별 OLED의 구동을 위한 스위칭 소자들로 이루어진 패널의 일부를 보인 것으로, 상기 설명된 구조가 반복되어 OLED 패널을 형성하게 된다. 이때, 상기 공통 전극(130)은 패널 상의 OLED에 공통적으로 연결되는 전극이기 때문에 단일 전극물질을 패널 전면에 적용하여 형성하며, 상기 발광층(110)에서 발생된 광을 투과시키기 위해서 투명한 재질의 도전성 물질을 이용한다. 따라서, 전면 발광형 OLED 패널의 각 소자에 적용되는 상기 공통 전극(130)은 투명 전도성 산화물(TCO: transparent conducting oxide)로 이루어져야 하며, 대표적으로 ITO나 IZO등이 사용된다. 그러나, 이러한 투명 전도성 산화물은 일반 금속 전극에 비해 내부 저항이 높으며, 그로 인해서 발열로 인한 OLED 소자 열화와 OLED 위치에 따른 휘도 편차가 발생한다.
상기와 같은 공통 전극의 높은 내부 저항에 의한 문제점을 해결하기 위해 새롭게 제안하는 본 발명 실시예의 목적은 투명한 도전성 산화물이나 금속 박막 혹은 이들의 적층으로 공통 전극을 형성하고, 그 상부에 내부 저항이 낮은 불투명한 보조 공통 전극을 더 형성하도록 하여 소자 간 구동 전압 편차를 줄이고 발열량을 줄이도록 한 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명 실시예의 다른 목적은 내부 저항이 높은 공통 전극의 저항을 낮추기 위하여 저항이 낮은 불투명한 보조 공통 전극을 비발광 영역에 위치한 공통 전극 상부에 형성하도록 함으로써, 발광 영역의 크기를 유지하면서 소자 특성 및 수명을 개선한 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명 실시예의 또 다른 목적은 공통 전극과 보호막 사이에 보조 공통 전극을 더 형성하도록 하는 간단한 구조 추가 만으로 소자의 특성과 수명을 개선하도록 함으로써 공정 수율 하락 및 비용 상승을 최소한으로 억제하도록 한 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 기판 상에 형성된 화소 전극과, 상기 화소 전극 상부에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상부를 포함하는 소자의 발광 영역 및 이를 초과하는 비발광 영역까지 연장 형성된 투명 공통 전극과, 상기 비 발광 영역에 형성된 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극의 상부 일부에 배치된 금속 보조 전극을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치는, 기판 상에 형성된 구동 소자와, 상기 소자 상부에 형성된 평탄막과, 상기 평탄막 상부에 형성된 화소 전극과, 상기 구조물 전면에 형성되면서 상기 화소 전극 중 발광 영역에 해당하는 부분을 노출시키는 절연막과, 상기 노출된 화소 전극 상부에 형성된 유기 발광층과, 상기 구조물 전면에 형성되는 공통 전극과, 상기 발광 영역 이외의 부분에 형성된 상기 공통 전극의 상부에 배치된 보조 공통 전극을 포함한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면들을 통해 상세히 설명 하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명 일 실시예의 제조 과정 및 구조적 특징을 보이는 공정의 수순 단면도로서, 도시한 바와 같이 공통 전극 부분의 구조 및 재질을 변경하는 것으로 공통 전극의 내부 저항으로 인해 야기되는 소자 수명 감소와 패널의 휘도 불균일을 방지하고자 하는 것이다. 비록, 도시된 실시예에서는 AM OLED 패널에 적용하는 과정을 보인 것이지만, PM OLED 패널이나 OLED 소자 단품에도 적용될 수 있는 구조라는 것에 주의한다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이 기판(10) 상부에 게이트 전극(20)을 형성하고, 그 상부에 게이트 절연막(30)을 성막한 후 그 상부에 차례로 반도체 물질(40)과 B, P 등이 도핑된 전도막(50)을 형성하고, 상기 도핑된 전도막(50) 및 반도체 물질(40)을 섬 모양으로 식각한다.
그리고, 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 구조물 전면에 금속 전극 물질(주로 Al)을 증착하고 상기 금속 전극 물질 및 하부의 도핑된 전도막(50)을 차례로 패터닝하여 전극 배선(60)과 소스-드레인 영역을 정의한다. 상기 형성된 트랜지스터는 비정질 실리콘을 이용하는 경우의 구조이며, 폴리 실리콘을 이용하는 경우에는 폴리실리콘을 형성하고, 형성된 폴리 실리콘의 일부 영역들을 도핑하는 것으로 소스-드레인 영역을 정의하게 된다. 본 실시예에서는 제조 비용이 저렴한 비정질 실리콘 트랜지스터 구조를 이용하는 경우를 도시하고 있으나, 구동 속도가 빠른 폴리 실리콘 트랜지스터 구조를 이용하더라도 본 실시예의 기술적 특징과는 무관하므로 사용되는 스위칭 트랜지스터의 종류는 다양할 수 있다.
그리고, 도 2c에 도시한 바와 같이 상기 구동 소자가 모두 형성된 기판 상의 구조물 상부 전면에 유기물로 평탄막(70)을 형성하고 표면 평탄화를 실시한 다음 상기 형성한 트랜지스터의 금속 전극 배선(60) 중 드레인 영역이 노출되도록 관통홀을 형성하고, 그 상부에 화소 전극(80)을 형성한다. 상기 화소 전극(80)은 캐소드 전극 혹은 애노드 전극으로 동작하며, 여기서는 트랜지스터의 드레인 영역과 연결되시켜 캐소드 전극으로 동작하도록 한 것이다. 그리고, 그 상부에 절연막(90)을 형성한 후 상기 화소 전극(80)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝한다.
상기 노출된 화소 전극(80) 영역은 발광 영역이 되므로 이러한 절연막(90)의 패터닝에 의해 발광 영역과 비발광 영역이 정의되게 된다. 비록, 도시된 구성에서는 트랜지스터 소자(다른 영역에 형성된 커패시터 구조도 포함)가 형성된 영역이 모두 비발광 영역에 포함되지만, 반드시 도시된 구성과 같이 구동 소자 영역이 모두 비발광 영역이 되는 것은 아니며, 해당 트랜지스터가 상기 노출된 화소 전극(80)의 하부에 위치할 수도 있다. 따라서, 상기 비발광 영역은 상기 노출된 화소 전극과 인접하는 화소 전극의 노출 부분 사이의 모든 영역으로 포괄적으로 간주되어야 한다.
그리고, 도 2d에 도시한 바와 같이 상기 절연막(90) 및 노출된 화소 전극(80) 상부 전면에 제 1유기 공통막(100)을 증착하고, 쉐도우 마스크를 이용하여 R, G, B 유기 발광층(110)을 각각 위치에 맞추어 증착하며, 그 상부에 제 2유기 공통막(120)을 증착한 다음, 그 상부 전면에 공통 전극(본 실시예에서는 애노드 전극)(130)을 증착한다. 상기 제 1유기 공통막(100)은 전자 전달층/전자 주입층 중 하 나 이상이 적용될 수 있고, 상기 제 2유기 공통막(120)은 전공 주입층/정공 전달층 중 하나 이상이 적용될 수 있다. 즉, 전자수송층/발광층/정공수송층의 적층 구조(대부분의 이 구조를 사용함), 전자수송층/발광층/정공수송층/정공주입층, 전자주입층/전자수송층/발광층/정공수송층/정공주입층의 적층 구조를 사용할 수도 있다.
그리고, 상기 공통 전극(130)은 일반적으로 투명 전도성 산화물이 사용되며, 대표적으로 ITO 혹은 IZO 등이 사용된다. 그러나, 상기 투명 전도성 산화물의 경우 도전성 특성을 얻기 위해서 재료에 미량으로 포함된 산소원자가 요구되므로 도전 특성이 뛰어지 않으며 내부 저항이 크다. 따라서, 금속 물질을 상기 투명 전도성 산화물 대신 박막(금속 박막은 투명 혹은 반투명 특성을 가짐)으로 적용하는 것도 가능하다. 예를 들어, 상기 공통 전극(130)은 Ag, Mg, Al, Ni, Au를 포함하는 주기율표상의 금속 물질 또는 그 합금을 30nm 이하의 두께(투명 혹은 반투명 상태)로 형성할 수 있다. 극단적인 경우, 상기 두께를 1nm 정도 혹은 그 이하로도 형성할 수 있다. 이는 후속 공정을 통해 실질적으로 전류의 흐름을 위한 보조 공통 전극을 추가로 형성하기 때문에 가능한 것이며, 이러한 보조 공통 전극을 형성하지 않는 경우라면 지속적으로 큰 전류가 흘러야 하는 공통 전극으로 상기 두께와 같은 박막의 금속 전극을 사용할 수 없다.
그 외에, 상기 공통 전극(130)으로 투명 전도성 산화물과 상기 박막(30nm이하) 금속 전극을 적층한 것을 이용할 수 있으며, 이 경우 투명 전도성 산화물의 두께와 금속 전극의 두께를 줄여 투명도와 내부 저항을 적절히 결정할 수 있다.
그리고, 도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 공통 전극(130) 상부 영역 중에서 비 발광 영역(도 2c에 정의한 바와 같이, 절연막이 형성된 부분)에 금속 물질을 형성하여 보조 공통 전극(135)을 형성함으로써, 모든 공통 전극 부분에 균일한 전압이 제공될 수 있도록 한다. 이때, 상기 보조 공통 전극(135)은 Ag, Mg, Al, Ni, Au를 포함하는 주기율표상의 금속 물질 또는 그 합금을 30~1000nm 정도로 증착하여 사용할 수 있다. 상기 구조를 통해, 상기 공통 전극(130)에 제공되는 전류는 실제로 전류가 싱크되는 OLED 소자 영역 근처까지는 상기 보조 공통 전극(135)을 통해 흐르고, OLED 소자 영역에서야 비로서 공통 전극(130)을 통해 분산되면서 해당 소자 내부로 흐르게 되므로, 공통 전극(130)이 전류를 흘려주는 경로의 길이가 크게 줄어들게 된다. 따라서, 과도한 전압 강하가 발생하지 않아 각 OLED 소자들의 휘도가 균일해지고, 소자의 손상을 줄 정도로 발열하지도 않게 되어 전체 패널의 특성, 소비 전력 등이 개선되고, 수명이 연장될 수 있게 된다.
이후, 도 2f에 도시한 바와 같이 상기 구조물 상부 전면에 외부 산소나 습기 혹은 기타 불순물의 침투를 방지하는 보호막(14)을 유기물이나 유기물/무기물 적층을 이용하여 형성하고, 그 상부에 실란트(15)를 이용하여 보호캡(16)을 부착한다.
전술한 실시예에서 보인 구조는 AM 구동 방식을 이용하는 AM OLED 패널에 보조 애노드 전극을 형성한 경우를 보인 것이지만, 앞서 언급했던 바와 같이 PM OLED나 OLED 개별 소자에도 상기 실시예를 변형하여 적용할 수 있다. 특히, 보조 공통 전극은 패널의 전면에 적용되는 공통 전극 영역 중에서 비발광 영역에 적용되기만 하면 그 기능을 수행할 수 있으므로, 단순 매트릭스 구조로 형성된 PM OLED 소자라 할지라도 하나의 라인에 해당하는 복수의 소자들 사이에 공통 전극(광이 방출 되는 부분의 라인 전극)이 형성되기 때문에 인접한 발광 영역들 사이의 경계 부분(비발광 영역)에 보조 공통 전극을 형성할 수 있어 라인 단위의 모든 소자들에 균일한 전압이 인가되도록 할 수 있다. 또한, 단품 소자의 경우라도 일측에만 전극 패드를 형성하는 것이 아니라 소자의 전체 비발광 영역에 보조적인 전극을 형성하도록 하여 투명 전극을 통해 전류가 흐르는 거리를 최소화할 수 있다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치는 투명한 도전성 산화물이나 금속 박막 혹은 이들의 적층으로 공통 전극을 형성하고, 그 상부 일부에 내부 저항이 낮은 불투명한 보조 공통 전극을 더 형성하도록 함으로써, 소자 간 구동 전압 편차를 줄여 표시 영상의 품질을 개선하고, 발열을 줄여 소자의 수명과 소비 전력을 개선하는 효과가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 장치는 주기율표 상의 금속이나 이들의 합금을 비발광 영역 부분에 위치한 공통 전극 상부에 형성함으로써, 발광 영역의 크기를 유지하면서도 소자 특성과 수명을 개선할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 장치는 공통 전극과 보호막 사이에 보조 공통 전극을 더 형성하도록 하는 간단한 구조 추가 만으로 소자의 특성과 수명을 개선함으로써, 공정 수율 하락 및 비용 상승을 최소한으로 억제하는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 기판 상에 형성된 화소 전극과;
    상기 화소 전극 상부에 형성된 유기 발광층과;
    상기 유기 발광층 상부를 포함하는 소자의 발광 영역 및 이를 초과하는 비발광 영역까지 연장 형성된 투명 공통 전극과;
    상기 비 발광 영역에 형성된 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극의 상부 일부에 배치된 금속 보조 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극은 투명 전도성 산화물이나 박막 금속 물질로 이루어지며, 상기 금속 보조 전극은 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극 물질보다 내부 저항이 낮은 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 비 발광 영역은 상기 화소 전극에 구동 전압을 제공하기 위한 구동 소자들 그리고/또는 구동 전극이 형성된 영역으로 상기 화소 전극 및 유기 발광층으로 정의된 발광 영역 외부에 위치한 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극은 상기 기판 상부에 형 성된 모든 유기 발광층 상부 전면에 일괄 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 금속 보조 전극은 비 발광 영역에 형성된 상기 투명 공통 전극의 상부 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 유기 발광층은 정공주입층/정공수송층 중 하나 이상인 제 1유기 공통막과, 발광층, 그리고 전자수송층/전자주입층 중 하나 이상인 제 2유기 공통막으로 이루어진 적층 구조인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극은 30nm 이하의 두께를 가지는 금속 물질이며, 상기 금속 보조 전극은 30nm~1000nm의 두께를 가지는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 투명 혹은 반투명 공통 전극 및 보조 전극의 금속 물질은 Ag, Mg, Al, Ni, Au를 포함하는 주기율표상의 금속 물질 또는 그 합금으로 이루어진 물질인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 공통 전극은 투명 전도성 산화물과 30nm 이하의 두께를 가지는 금속 물질의 적층인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 기판 상에 형성된 구동 소자와;
    상기 소자 상부에 형성된 평탄막과;
    상기 평탄막 상부에 형성된 화소 전극과;
    상기 구조물 전면에 형성되면서, 상기 화소 전극 중 발광 영역에 해당하는 부분을 노출시키는 절연막과;
    상기 노출된 화소 전극 상부에 형성된 유기 발광층과;
    상기 구조물 전면에 형성되는 공통 전극과;
    상기 발광 영역 이외의 부분에 형성된 상기 공통 전극의 상부에 배치된 보조 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 보조 공통 전극은 Ag, Mg, Al, Ni, Au를 포함하는 주기율표상의 금속 물질 또는 그 합금으로 이루어지며, 30nm~1000nm의 두께를 가진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 공통 전극은 ITO, IZO를 포함하는 투명 전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 공통 전극은 투명 전도성 산화물과 30nm 이하의 두께를 가지는 금속 물질의 적층인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 공통 전극은 Ag, Mg, Al, Ni, Au를 포함하는 주기율표상의 금속 물질 또는 그 합금으로, 30nm 이하의 두께를 가진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  15. 제 10항에 있어서, 상기 보조 공통 전극이 형성된 공통 전극 상부 전면에 수분 및 외부 기체 침투를 차단하는 보호막을 형성하며, 실란트 그리고/또는 보호캡이 상기 보호막 상부에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
KR1020060009443A 2006-01-31 2006-01-31 발광 장치 KR20070087905A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009443A KR20070087905A (ko) 2006-01-31 2006-01-31 발광 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009443A KR20070087905A (ko) 2006-01-31 2006-01-31 발광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070087905A true KR20070087905A (ko) 2007-08-29

Family

ID=38613674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060009443A KR20070087905A (ko) 2006-01-31 2006-01-31 발광 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070087905A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100949509B1 (ko) * 2007-10-09 2010-03-24 캐논 가부시끼가이샤 표시장치 및 그 제조방법
KR101035359B1 (ko) * 2010-01-22 2011-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US20140138631A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR20160012783A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100949509B1 (ko) * 2007-10-09 2010-03-24 캐논 가부시끼가이샤 표시장치 및 그 제조방법
KR101035359B1 (ko) * 2010-01-22 2011-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US20140138631A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN103824964A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
KR101407590B1 (ko) * 2012-11-19 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US8941142B2 (en) 2012-11-19 2015-01-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR20160012783A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8004180B2 (en) Organic light emitting display and its method of fabrication
KR100592273B1 (ko) 평판 디스플레이 장치
WO2018045658A1 (zh) Amoled显示装置
KR101649225B1 (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
KR101576834B1 (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
US10872948B2 (en) Electroluminescent display device
KR102146367B1 (ko) 유기 발광 장치
KR20050119891A (ko) 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101552985B1 (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
KR100739144B1 (ko) 전면 발광형 ｏｌｅｄ 소자 및 그 제조 방법
KR101560233B1 (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20160034414A (ko) 유기발광 다이오드의 애노드 연결구조 및 그 제작방법
KR20110015757A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US20190198600A1 (en) Electroluminescent display device
KR20070087905A (ko) 발광 장치
US20210359043A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
KR100611155B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100764773B1 (ko) 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR100778443B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101717075B1 (ko) 유기전기발광소자
KR20180061777A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR100739143B1 (ko) 전면 발광형 ｏｌｅｄ 소자 및 그 제조 방법
KR100764774B1 (ko) 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR100761124B1 (ko) 전계 발광 소자
KR100739645B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
N231 Notification of change of applicant
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20070725

Effective date: 20080613

Free format text: TRIAL NUMBER: 2007101008172; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20070725

Effective date: 20080613