KR101552985B1 - 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소비전력 증가 및 휘도 불균일 현상을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 발광 영역과 비발광 영역으로 정의된 기판 상의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역의 소정 영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 발광 영역의 상기 제 1 전극이 노출되도록 상기 기판의 상기 비발광 영역에 뱅크 절연층을 형성하는 단계와, 상기 비발광 영역의 상기 뱅크 절연층 상부면에 보조 전극을 형성하는 단계와, 상기 보조 전극이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 제 2 전극을 형성하는 단계 및 레이저를 조사하여 상기 보조 전극 상부에 형성된 상기 유기 발광층을 제거하고, 상기 보조 전극과 상기 제 2 전극을 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
OLED, 제 2 전극, 전압 강하, 레이저, 보조 전극

Description

유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 {Organic Light Emitting Display Device and Method for fabricating the same}
본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기전계발광 표시장치의 소비전력 증가 및 휘도 불균일 현상을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 근래 정보화 사회의 발전과 더불어, 표시장치에 대한 다양한 형태의 요구가 증대되면서, LCD(Liquid Crystalline Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), FED(Field Emission Display) 등 평판표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기전계발광 표시장치 등이 각광 받고 있다.
유기전계발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다. 액티브 매트릭스 유기전계발 광 표시장치(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기전계 발광소자와, 그 유기전계 발광소자를 독립적으로 구동하는 셀 구동부를 구비한다. 셀 구동부는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터를 포함하여 데이터 신호에 따라 유기전계발광 표시장치로 공급되는 전류량을 제어하여 유기전계발광 표시장치의 밝기를 제어한다.
종래의 유기전계 발광소자는 제 2 전극과, 유기발광층과, 제 1 전극으로 구성되며, 전면 발광(top emission)의 경우 발광면 쪽에 반투명 또는 투명 도전층으로 형성된 제 2 전극을 형성한다. 발광면 쪽의 제 2 전극은 하부의 물질층들 위에 전면적으로 형성되는데, 대화면으로 갈수록 제 2 전극의 면적이 증가하고, 이에 따라 저항값도 더욱 증가하여 전압 강하(IR drop) 현상이 발생한다. 이때, 제 2 전극의 저항 증가에 따른 전압 강하의 증가에 의하여 소비전력은 상승하고 유기전계발광 표시장치의 휘도 불균일을 초래하여 신뢰성이 감소한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기전계발광 표시장치의 소비전력 증가 및 휘도 불균일 현상을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 발광 영역과 비발광 영역으로 정의된 기판 상의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역의 소정 영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 발광 영역의 상기 제 1 전극이 노출되도록 상기 기판의 상기 비발광 영역에 뱅크 절연층을 형성하는 단계와, 상기 비발광 영역의 상기 뱅크 절연층 상부면에 보조 전극을 형성하는 단계와, 상기 보조 전극이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 제 2 전극을 형성하는 단계 및 레이저를 조사하여 상기 보조 전극 상부에 형성된 상기 유기 발광층을 제거하고, 상기 보조 전극과 상기 제 2 전극을 접촉시키는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 레이저는 상기 보조 전극 상부면의 상기 유기 발광층에 조사된다.
그리고, 상기 레이저의 파장 범위는 500nm ~ 650nm이다.
상기 보조 전극은 은, 구리, 금, 알루미늄, 마그네슘, 네오디뮴, 이들의 합 금, 또는 이들의 적층으로 형성된다.
유기전계발광 표시장치의 제조방법은 상기 제 1 전극을 형성하는 단계 전에 상기 기판의 상기 비발광 영역에 구동용 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 구동용 트랜지스터의 소정 영역을 노출시키도록 상기 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
이때, 상기 보조 전극은 상기 구동용 트랜지스터를 형성하는 단계에서 사용되는 도전 물질로 형성된다.
상기 뱅크 절연층은 폴리 이미드로 형성된다.
이때, 상기 보조 전극의 폭이 상기 뱅크 절연층의 폭보다 좁도록 상기 보조 전극을 형성한다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 발광 영역과 비발광 영역으로 정의된 기판의 상기 비발광 영역에 형성된 구동용 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제 1 전극과, 상기 발광 영역의 상기 제 1 전극이 노출되도록 상기 기판의 상기 비발광 영역에 형성되어 서브 화소 단위를 분리시키는 뱅크 절연층과, 상기 비발광 영역의 상기 뱅크 절연층 상부면에 형성된 보조 전극과, 상기 발광 영역의 상기 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층 및 상기 보조 전극 및 상기 유기 발광층을 포함하는 상기 기판에 형성된 제 2 전극을 포함한다.
본 발명은 뱅크절연막 상부의 보조 전극을 제 2 전극과 접촉시켜 제 2 전극의 저항을 낮춤으로써, 면저항의 증가에 따른 전압강하를 방지하고 유기전계발광 표시장치의 소비전력 상승을 방지할 수 있다.
아울러, 대면적 유기전계발광 표시장치의 휘도 불균일을 방지하여 유기전계발광 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 다수의 서브 화소들로 구성되며, 하나의 서브 화소는 발광 영역과 비발광 영역으로 정의된 기판(110) 상에 형성된 서브 화소 구동부와, 유기전계 발광소자와, 서브 화소를 정의하는 뱅크 절연층(138) 및 뱅크 절연층(138) 상에 형성된 보조 전극(150)을 포함한다.
서브 화소 구동부는 다수의 신호 라인과 박막 트랜지스터 및 절연막들을 포함하며, 각 서브 화소에 형성된 서브 화소 구동부는 주로 스위치용 트랜지스터(미도시)와, 구동용 트랜지스터(120)와 스토리지 커패시터(160)를 포함한다. 스위치용 트랜지스터는 게이트 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호를 공급하고, 구동용 트랜지스터(120)는 스위치용 트랜지스터로부터의 데이터 신호에 응답하여 유기전계 발광소자에 흐르는 전류량을 제어한다. 스토리지 커패시터(160)는 스위치용 트랜지스터가 턴-오프되더라도 구동용 트랜지스터(120)를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 역할을 한다.
구동용 트랜지스터(120)는 기판(110)의 비발광 영역의 버퍼층(112) 상에 형성된 반도체층(122)과, 게이트 절연막(114)을 사이에 두고 반도체층(122)의 채널부와 중첩되도록 형성된 게이트 전극(124)을 포함한다. 그리고, 구동용 트랜지스터(120)는 게이트 전극(124) 양 측부의 반도체층(122) 내에 불순물 이온이 주입된 소오스 영역과 드레인 영역 각각에 층간 절연막(116) 및 게이트 절연막(114)에 형성된 콘택홀을 통해 콘택된 소스 전극(126) 및 드레인 전극(127)을 더 포함한다.
이때, 커패시터(160)의 하부 전극은 반도체층(122)과 동일한 물질로 이루어지고, 상부 전극은 게이트 전극(124)과 동일한 물질로 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 지고, 커패시터(160)의 하부 전극이 게이트 전극과 동일한 물질과 이루어지고, 상부 전극은 소오스 전극(126) 및 드레인 전극(127)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
상술한 구동용 트랜지스터(120)는 평탄화막(118)에 형성된 콘택홀(119)을 통해 제 1 전극(132)과 전기적으로 접속되어 유기전계 발광소자에 전계를 인가한다.
유기전계 발광소자는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 제 1 전극(132)과, 대향 전극인 제 2 전극(136) 및 이들 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광층(134)을 포함한다. 제 1 전극(132)과 제 2 전극(136)은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광층(134)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광이 이뤄지도록 한다.
제 1 전극(132)은 평탄화막(118)에 형성된 콘택홀(119)을 통해 구동용 트랜지스터(120)의 드레인 전극(127)과 전기적으로 연결되도록 평탄화막(118) 위에 형 성된다. 이때, 제 1 전극(132)은 Cr, Al, AlNd, Mo, Cu, W, Au, Ni, Ag 등으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성 가능하다. 또는, ITO/반사층/ITO의 다층(multilayer)으로 형성하여 유기 발광층(134)의 발광색이 반사층에 의해 위로 향하게 할 수도 있다. 제 1 전극(132)은 서브 화소의 경계에서 소정 거리가 이격되어 인접한 서브 화소의 제 1 전극(132)과 연결되지 않도록 형성된다.
유기 발광층(134)은 제 1 전극(132)과 제 2 전극(136)에서 각기 주입된 정공과 전자가 결합하여 형성된 액시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 발광되는 층이다. 이러한 유기 발광층(134)은 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층(emission layer: EL), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL)을 포함한다. 이때, 유기 발광층(134)은 구동용 트랜지스터(120)가 형성된 비발광 영역을 제외한 발광 영역에 형성되도록 뱅크 절연층(138)의 측벽으로부터 연장되어 발광 영역의 기판(110) 상에 형성된다.
제 2 전극(136)은 유기 발광층(134)으로부터 발광된 빛이 소자 밖으로 나올 수 있도록 투명 도전층으로 형성된다. 투명 도전층으로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 주석산화물(Tin Oxide: TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 또는 이들의 조합으로 형성된다. 제 2 전극(136)은 판형으로 기판(110) 상에 전면적으로 형성된다.
이와 같이 형성된 유기전계 발광소자는 뱅크 절연층(138)에 의하여 서브 화소 단위로 분리되며, 서브 화소 단위로 적, 녹, 청색광을 방출하여 영상을 표현할 수 있다.
한편, 뱅크 절연층(138)은 유기전계 발광소자의 제 2 전극(136)과 그 하부에 형성된 다른 배선 또는 소자들이 서로 간섭되지 않도록 절연시키는 역할도 한다. 이를 위해, 뱅크 절연층(138)은 비발광 영역의 구동용 트랜지스터(120) 상의 제 1 전극(132)은 덮고 발광 영역의 제 1 전극(132)은 노출시키도록 기판(110)의 비발광 영역에 형성된다.
뱅크 절연층(138)의 재료는 유기 물질 또는 무기 물질이 사용될 수 있으며, 유기 물질로는 폴리이미드 등을 들 수 있고, 무기 물질로는 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 등을 들 수 있다. 뱅크 절연층(138)을 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 이용하여 형성할 경우, 보조 전극(150)을 형성하기 위한 후속 공정에서 뱅크 절연층(138)이 평탄화막(118)으로부터 들뜨는 필링 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 필링 현상의 발생방지 등 유기전계 발광소자의 열화를 방지하기 위하여 뱅크 절연층(138)으로 폴리이미드를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
뱅크 절연층(138)과 제 2 전극(136) 사이에는 제 2 전극(136)의 면 저항을 저하시키기 위한 보조 전극(150)이 형성된다.
보조 전극(150)은 제 2 전극(136)과 전기적으로 연결되도록 뱅크 절연층(138)의 상부면에 형성된다. 보조 전극(150)은 서브 화소 구동부의 배선에 사용되는 각종 도전물질을 이용하여 형성될 수 있다. 보조 전극(150)의 예로는 제 2 전극(136)에 비해 낮은 전기저항을 갖으면서 전기 전도도가 높은 은(Ag), 구리(Cu), 금(AU), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 네오디뮴(Nd), 이들의 합금, 또는 이들의 적층을 이용하여 형성될 수 있다.
이때, 보조 전극(150)의 두께는 1000Å~3000Å이 되도록 한다. 보조 전극(150)의 폭이 넓을수록 제 2 전극(136)의 저항값을 낮출 수 있으나, 보조 전극(150)의 폭은 뱅크 절연층(138)의 폭보다 좁게 형성되도록 한다. 보조 전극(150)을 뱅크 절연층(138)의 폭보다 좁게 형성하는 것은 공정마진을 고려한 것으로 마진에 오차가 생기더라도 발광 영역에는 영향이 없도록 하여 개구율 저하를 방지하기 위함이다.
이렇듯, 제 2 전극(136) 하부에 제 2 전극(136)과 전기적으로 연결되는 보조 전극(150)을 형성할 경우 제 2 전극(136)의 면 저항을 저하시켜 제 2 전극(136)의 전압 강하 발생을 억제할 수 있다. 아울러, 제 2 전극(136)의 전압 강하에 따른 휘도 불균일 현상을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 낮은 구동전압으로 구동이 가능하고 휘도를 균일하게 하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도면에서는 전면 발광의 유기전계발광 표시장치에 대하여 도시하고 있지만, 제 1 전극과 제 2 전극의 재료를 바꿈으로써 후면 발광의 유기전계발광 표시장치를 실시할 수도 있다.
이하, 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 2a를 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 우선, 서브 화소 단위로 형성된 구동용 트랜지스터(120)와, 구동용 트랜지스터(120) 를 덮는 평탄화막(118)이 형성된 기판(110)을 준비한다. 이때, 기판(110)은 발광 영역과 비발광 영역으로 정의되고, 기판(110)의 비발광 영역에 구동용 트랜지스터(120)가 형성되어 있다. 구동용 트랜지스터(120) 측부에는 구동용 트랜지스터(120)를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 역할을 하는 스토리지 커패시터(160)가 형성되어 있다. 도시하고 있지 않지만 기판(110) 상에는 구동용 트랜지스터(120) 외에 스위치 역할을 하는 스위치용 트랜지스터와, 소자에 전원과 구동용 신호를 공급하는 다수의 배선(미도시)들이 더 형성될 수 있다.
구체적으로, 비발광 영역의 기판(110) 위에 포토 및 식각 공정으로 다결정 실리콘막을 섬 형상으로 패터닝하여 반도체층을 형성한다. 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막과 금속막을 차례로 적층한 후 포토 및 식각 공정으로 금속막을 패터닝하여 반도체층의 중앙 부분에 대응하여 중첩되는 위치에 게이트 전극을 형성한다.
다음으로, 게이트 전극을 마스크로 이용해 반도체층에 소스-드레인 영역을 형성하고, 불순물 이온이 주입되지 않은 채널 영역을 형성한 다음, 소스-드레인 영역에 각각 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 도 1에 도시된 바와 같이 구동용 트랜지스터(120)를 기판(110) 상에 서브 화소 단위로 형성한다.
이어서, 구동용 트랜지스터(120)의 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(119)을 갖는 평탄화막(118)을 기판(110) 상에 형성한다. 평탄화막(118)으로는 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 실리콘 산화막/실리콘 질화막의 적층막과 같은 무기 물질이 이용될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 콘택홀(119)을 통해 노출된 구동용 트랜지스터(120)의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극(132)을 평탄화막(118) 상에 형성한다. 제 1 전극(132)은 Cr, Al, AlNd, Mo, Cu, W, Au, Ni, Ag 등이 스퍼터링 등의 증착방법으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물 또는 ITO/반사막/ITO의 다층(multilayer)으로도 형성될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 유기전계 발광소자를 서브 화소 단위별로 분리시키는 뱅크 절연층(138)을 형성한다.
구체적으로, 제 1 전극(132)이 형성된 기판(110) 전면에 절연물질을 도포한 후 선택적으로 제거하여 구동용 트랜지스터(120)가 형성된 기판(110)의 비발광 영역에 뱅크 절연층(138)을 형성한다. 이때, 뱅크 절연층(138)으로는 유기 물질 또는 무기 물질이 사용되며, 유기 물질로는 폴리이미드 등을 들 수 있고, 무기 물질로는 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 등을 들 수 있다. 한편, 후속 공정에서 뱅크 절연층(138)이 평탄화막(118)으로부터 들뜨는 필링 현상이 발생되는 것을 방지하기 위해서 뱅크 절연층(138)으로 폴리이미드를 사용하는 것이 바람직하다.
도 2d를 참조하면, 뱅크 절연층(138) 상부에 보조 전극(150)을 형성한다.
구체적으로, 뱅크 절연층(138)을 포함하는 기판(110) 전면에 도전 물질을 스퍼터링 등의 증착 방법으로 증착한 후 선택적으로 제거하여 뱅크 절연층(138) 상부면에만 도전 물질이 남도록 하여 보조 전극(150)을 형성한다.
보조 전극(150)을 이루는 도전 물질로는 서브 화소 구동부의 배선에 사용되는 각종 도전 물질이 이용될 수도 있으며, 예로는 후속공정에서 형성될 제 2 전극 에 비해 낮은 전기저항을 갖으면서 전기 전도도가 높은 도전 물질이 사용될 수 있다. 구체적으로 보조 전극(150)은 은(Ag), 구리(Cu), 금(AU), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 네오디뮴(Nd), 이들의 합금, 또는 이들의 적층을 이용하여 형성된다.
이때, 보조 전극(150)의 두께는 1000Å~3000Å이 되도록 한다. 보조 전극(150)의 폭이 넓을수록 제 2 전극(136)의 저항값을 낮출 수 있으나, 보조 전극(150)의 폭은 뱅크 절연층(138)의 폭보다 좁게 형성되도록 한다. 보조 전극(150)을 뱅크 절연층(138)의 폭보다 좁게 형성하는 것을 공정마진을 고려한 것으로 마진에 오차가 생기더라도 발광 영역에는 영향이 없도록 하여 개구율 저하를 방지하기 위함이다.
한편, 보조 전극을 유기 발광층 형성 후에 형성한다면, 보조 전극 형성시 이용되는 마스크의 투과부분을 보조 전극을 이루는 물질이 메우게 되어 마스크를 더 이상 사용하지 못하고 폐기처분 해야하는 문제가 있다. 그러나, 본 발명은 보조 전극(150)을 후속 공정에서 형성될 유기 발광층(134)을 형성하기 전인 뱅크 절연층(138) 형성공정 다음으로 형성하므로, 전술한 문제가 발생하지 않고 마스크를 계속하여 사용할 수 있어 공정에 드는 비용을 감소시킬 수 있다.
도 2e를 참조하면, 발광 영역 및 비발광 영역의 기판(110) 전면에 유기 발광층(134)과 제 2 전극(136)을 순차적으로 적층한다.
구체적으로, 보조 전극(150), 뱅크 절연층(138)의 측벽 및 뱅크 절연층(138)에 의해 노출된 제 1 전극(132) 상에 열증착 등의 증착 방법을 통해 유기물로 적층된 유기 발광층(132)을 형성한다. 이러한 유기 발광층(132)은 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층(emission layer: EL), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL)을 포함한다. 여기서, 발광층은 뱅크 절연층(138)에 의하여 서브 화소 단위로 분리되어, 서브 화소 단위로 적, 녹, 청색광을 방출하도록 형성된다.
이어서, 유기 발광층(134) 상에 투명 도전층을 증착한 후 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 제 2 전극(136)을 형성한다. 투명 도전층으로 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 주석산화물(Tin Oxide: TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 또는 이들의 조합이 이용된다.
한편, 도면에서는 전면 발광의 유기전계발광 표시장치에 대하여 도시하고 있지만, 제 1 전극과 제 2 전극의 재료를 바꿈으로써 후면 발광의 유기전계발광 표시장치를 제조할 수도 있다.
도 2f를 참조하면, 보조 전극(150) 상에 형성된 유기 발광층(134)을 제거하여 보조 전극(150)과 제 2 전극(136)을 전기적으로 연결시킨다.
구체적으로, 뱅크 절연층(138) 상부면의 보조 전극(150) 상에 형성된 유기 발광층(134)에 레이저를 조사하여 유기 발광층(134)은 제거하고, 제 2 전극(136)을 녹임으로써 보조 전극(150)과 제 2 전극(136)이 전기적으로 연결되도록 한다.
이때, 레이저를 500nm 미만의 단파장으로 조사할 경우 강한 에너지로 인하여 박막이 튀는 등 이물질이 많이 발생하게 되고, 보조 전극의 하부에 형성된 뱅크 절 연층에 영향을 줄 수 있다. 레이저를 650nm 초과의 장파장으로 조사할 경우 에너지가 약해 유기 발광층을 완전히 제거할 수가 없다. 따라서, 유기 발광층(134)을 완전히 제거하여 보조 전극(150)의 전면이 제 2 전극(136)과 접촉되도록 함과 동시에 보조 전극(150) 하부의 뱅크 절연층(138)에 영향을 주지 않도록 레이저의 파장 범위는 500nm ~ 650nm가 되도록 한다.
구체적인 일 실험예로 보조 전극(AlNd; 2000Å)/유기 발광층(1000Å)/제 2 전극(Al, 10Å/Ag, 150Å)으로 구성된 유기전계 발광소자의 레이저 조사 전의 표면 저항은 7.8Ω이었으며, 레이저 조사 후의 표면 저항은 0.3Ω이었다. 이때, 레이저의 파장범위는 532nm였으며, 보조 전극 하부의 뱅크 절연층의 막질에는 아무런 영향이 없음이 확인되었다. 이렇듯, 본 발명은 제 2 전극(136)과 전기적으로 연결되는 보조 전극(150)을 비발광 영역의 뱅크 절연층(138) 상에 구비함으로써, 2 전극(136)의 면 저항을 낮출 수 있다.
그 결과, 구동용 트랜지스터(120)의 구동 전압이 증가하는 것을 방지하여 소비전력을 감소시킬 수 있다. 아울러, 제 2 전극(136)의 면 저항 성분을 보상하여 전압 강하를 방지할 수 있으므로 휘도를 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 기술들은 현재 바람직한 실시예를 나타내는 것이고, 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다. 실시예의 변경 및 다른 용도는 당업자들에게는 알 수 있을 것이며, 상기 변경 및 다른 용도는 본 발명의 취지 내에 포함되거나 또는 첨부된 청구범위의 범위에 의해 정의된다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 2f는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
<<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>>
110: 기판 118: 평탄화막
120: 구동용 트랜지스터 132: 제 1 전극
134: 유기 발광층 136: 제 2 전극
138: 뱅크 절연층 150: 보조 전극

Claims (10)

  1. 발광 영역과 비발광 영역으로 정의된 기판 상의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역의 소정 영역에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 발광 영역의 상기 제 1 전극이 노출되도록 상기 기판의 상기 비발광 영역에 뱅크 절연층을 형성하는 단계;
    상기 비발광 영역의 상기 뱅크 절연층 상부면에 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및
    레이저를 조사하여 상기 보조 전극 상부에 형성된 상기 유기 발광층을 제거하고, 상기 보조 전극과 상기 제 2 전극을 접촉시키는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저는 상기 보조 전극 상부면의 상기 유기 발광층에 조사되는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저의 파장 범위는 500nm ~ 650nm인 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 보조 전극은 은, 구리, 금, 알루미늄, 마그네슘, 네오디뮴, 이들의 합금, 또는 이들의 적층으로 형성되는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계 전에 상기 기판의 상기 비발광 영역에 구동용 트랜지스터를 형성하는 단계와,
    상기 구동용 트랜지스터의 소정 영역을 노출시키도록 상기 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 보조 전극은 상기 구동용 트랜지스터를 형성하는 단계에서 사용되는 도전 물질로 형성되는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 뱅크 절연층은 폴리 이미드로 형성되는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 보조 전극의 폭이 상기 뱅크 절연층의 폭보다 좁도록 상기 보조 전극을 형성하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
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