KR20070087501A

KR20070087501A - 충방전 보호 회로 및 전원 장치

Info

Publication number: KR20070087501A
Application number: KR1020070017332A
Authority: KR
Inventors: 가즈아키 사노; 아츠시 사쿠라이; 도시유키 고이케
Original assignee: 세이코 인스트루 가부시키가이샤
Priority date: 2006-02-23
Filing date: 2007-02-21
Publication date: 2007-08-28
Also published as: TWI419430B; JP2007228724A; US20070210759A1; CN101055999B; US7719235B2; JP4761454B2; CN101055999A; KR101162792B1; TW200740069A

Abstract

본 발명은 반도체 쌍방향 스위치 소자를 이용한 충방전 보호 회로에 있어서, 간편한 회로에 의해, 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프한 충방전 금지의 상태로부터 복귀 가능한 충방전 보호 회로를 제공한다.

충방전 제어 회로에, 충전기 또는 부하 중 어느 것이 외부 단자에 접속되어 있는지를 감지하기 위한 제2 단자를 설치하고, 제2 단자는, 전원과의 사이에 제1 저항과 제1 스위치를 직렬로 접속하고, 접지와의 사이에 제2 저항과 제2 스위치를 직렬로 접속한 구성으로 하였다.

Description

충방전 보호 회로 및 전원 장치{CHARGE/DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT AND POWER-SUPPLY UNIT}

도 1은 본 발명의 제1 실시예의 충방전 보호 회로의 블록도,

도 2는 본 발명의 제1 실시예의 충방전 보호 회로의 블록도,

도 3은 본 발명의 제1 실시예의 충방전 보호 회로의 블록도,

도 4는 본 발명의 제2 실시예의 충방전 보호 회로의 블록도,

도 5는 종래의 충방전 보호 회로의 블록도,

도 6은 종래의 충방전 보호 회로의 블록 도이다.

[부호의 설명]

1: 반도체 쌍방향 스위치 소자 2: 제1 단자

3: 제2 단자 4: 부하 및 충전기

5: 충방전 제어 회로 7: VSS 단자

8: VDD 단자 9: 중간 전위 단자

11: 제３ 단자 12: 2차 전지

13: 풀업 스위치 14: 풀업 저항

15: 풀다운 스위치 16, 17: 풀다운 저항

18: 충전 제어 MOSFET 19: 방전 제어 MOSFET

21: 음극 단자 22: 양극 단자

23: 충전 제어 단자 24: 방전 제어 단자

본 발명은, 2차 전지의 충방전을 제어하는 충방전 보호 회로에 관한 것이다.

최근, 전자기기의 소형화, 휴대형화에 수반하여 2차 전지의 이용이 활발해지고 있다. 가장 널리 이용되고 있는 2차 전지로서 리튬 2차 전지를 들 수 있지만, 과충전이나 과방전에 의한 전지의 파손, 열화, 저수명화 등 많은 문제점이 지적되고 있다.

이들 문제점을 해결하기 위해, 다양한 충방전 보호 회로가 개발되어 왔다. 이들 충방전 보호 회로의 상당수는, 충방전 제어 스위치 소자로서 충방전 경로에 2개의 MOSFET를 직렬로 삽입한 회로 구성을 가지고, 전지 전압을 전원으로 하는 제어 회로가 2개의 MOSFET의 게이트 전압을 제어함으로써 충전 및 방전을 금지한다.

도 5는, 상기의 회로 구성을 갖는 종래의 충방전 보호 회로이다(특허문헌 1 참조). 즉, 2차 전지(12)의 전지 전압이 상승하여, 미리 설정된 전압 이상이 된 것을 충방전 제어 회로(5)가 감지하였을 때에는, 충전 제어 단자(23)를 통해 충전 제어 MOSFET(18)를 오프함으로써 충전 전류를 차단한다. 충전 금지의 상태에서는, 방전 전류는 충전 제어 MOSFET(18)의 기생 다이오드를 경유하여 흐른다.

마찬가지로, 2차 전지(12)의 전지 전압이 하강하여, 미리 설정된 전압 이하 가 된 것을 충방전 제어 회로(5)가 감지하였을 때에는, 방전 제어 단자(24)를 통해 방전 제어 MOSFET(19)를 오프함으로써 방전 전류를 차단한다. 방전 금지의 상태에서는, 충전 전류는 방전 제어 MOSFET(19)의 기생 다이오드를 경유하여 흐른다.

상기의 회로 구성에는 충방전 제어 회로(5)에 외부 장착되는 MOSFET가 2개 필요하고, 이것이 충방전 보호 회로의 규모를 크게 하여, 부품 비용 및 휴대기기에 요구되는 실장 면적의 공간 절약화라는 관점에서 볼 때 문제가 있었다.

또, 충방전 전류가 MOSFET의 기생 다이오드 부분을 경유하여 흐르는 전송 모드를 갖기 때문에, 소자 자체의 열화를 초래하기 쉽다는 문제점도 있었다.

이들 문제점을 해결하기 위해, 충방전 제어용 스위치 소자를 1개만 이용하고, 또한 충방전 전류가 기생 다이오드를 경유하지 않는 충방전 보호 회로도 제안되고 있다.

도 6은, 단일의 소자로서, 기생 다이오드를 갖지 않으며, 쌍방향성을 갖는 반도체 쌍방향 스위치 소자를 충방전 경로에 삽입한 충방전 보호 회로의 종래예이다(특허문헌 2 참조).

즉, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 드레인은 2차 전지(12)에 접속되고, 소스는 부하 및 충전기(4)에 접속되며, 게이트는 충방전 제어 회로(5)에 접속되어 있다. 충방전 제어 회로(5)는 2차 전지(12)의 단자 전압에 따라 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 온, 오프를 전환한다.

상기 회로에서는, 충방전 제어용 스위치 소자는 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)뿐이며, 보다 단순한 회로 구성을 실현하고 있다. 또, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)는 오프 시에 양방향의 전류를 차단하기 때문에, 기생 다이오드를 전류가 경유하는 모드도 없어, 소자 자체의 열화는 일어나기 어렵다.

(특허문헌 1) 일본국 특허2872365

(특허문헌 2) 일본국 특개2001-251772

그렇지만, 종래의 반도체 쌍방향 스위치 소자를 이용한 충방전 보호 회로에서는, 충방전 보호 회로에 부하가 접속되어 있는지, 충전기가 접속되어 있는지를, 충방전 제어 회로(5)가 감지할 수 없는 회로 구성이기 때문에, 일단 충전 전류를 차단하기 위해 반도체 쌍방향 스위치 소자가 오프되면, 충전기를 충방전 보호 회로로부터 분리하여, 부하를 접속하더라도도 방전 전류를 흐르게 할 수 없다는 문제점이 있었다. 마찬가지로, 일단 방전 전류를 차단하기 위해 반도체 쌍방향 스위치 소자가 오프되면, 충전기를 충방전 보호 회로에 접속하더라도, 충전이 개시되지 않는다는 문제점이 있었다.

또한, 상기의 종래예에서는, 반도체 쌍방향 스위치 소자의 파손으로 이어지는 것과 같은 과대한 충전 전류 또는 과대한 방전 전류가 충방전 경로로 흐른 경우에, 충방전 제어 회로(5)가 그것을 감지하여 과대 전류를 차단하도록 하는 기능을 갖고 있지 않기 때문에, 신뢰성의 관점에서도 문제가 있다.

또한, 상기의 종래예에서는, 반도체 쌍방향 스위치 소자로서, 노멀리-온(normally-on) 특성을 갖는 전계(電界) 효과형 트랜지스터가 상정되고 있다. 노멀리-온 특성이란, 게이트에 전압이 인가되고 있지 않을 때에, 스위치가 온 상태가 되어 있는 특성이다. 이것은, 뜻하지 않은 사태가 발생하여 제어 회로와 반도체 스위치 소자의 게이트의 접속이 끊어진 경우에, 충방전이 가능해져, 2차 전지의 파손이나 열화로 이어지는 충방전이 계속되어 버릴 가능성이 있다는 것을 의미한다. 이것은 2차 전지의 보호라는 관점에서는, 문제가 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 간단한 회로 구성으로, 저비용이고, 보다 사용하기 편리하며, 신뢰성이 높은 충방전 보호 회로를 제공하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 충방전 경로에 삽입된 단일의 스위치로서, 쌍방향 특성을 갖는 반도체 쌍방향 스위치 소자와, 반도체 쌍방향 스위치 소자의 온, 오프를 제어하는 충방전 제어 회로로 구성되고, 충방전 제어 회로는 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 제어하는 제1 단자와, 외부 단자에 충전기 또는 부하 중 어느 것이 접속되어 있는지를 감지하기 위한 제2 단자를 구비하는 충방전 보호 회로로 하였다.

또, 본 발명의 충방전 제어 회로는, 또한, 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프 시키는 전위와 저항을 통해 접속된 제３ 단자를 구비하고, 제３ 단자는 반도체 쌍방향 스위치 소자의 게이트에 접속되어 있는 충방전 보호 회로로 하였다.

(발명의 실시 형태)

(실시예 1)

도 1은, 본 발명의 제1 실시예를 도시하는 충방전 보호 회로이다. 충방전 제어 회로(5)는, 2차 전지(12)의 양극에 접속된 VDD 단자(8)와, 2차 전지(12)의 음 극에 접속된 VSS 단자(7)와, 제1 단자(2) 및 제2 단자(3)를 구비하고 있다. 충방전 제어 회로(5)는, VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압과, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압을 감지할 수 있다. 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)는, 드레인을 2차 전지(12)의 양극 및 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 접속하고, 소스를 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3) 및 부하 또는 충전기(4)와 접속하며, 게이트를 충방전 제어 회로(5)의 제1 단자(2)와 접속하고 있다.

우선, 부하 또는 충전기(4)의 위치에 충전기가 접속되어 있는 경우에 대해 설명한다. 이때 충방전 경로에는 충전 전류가 흐르고 있다. 충전 전류에 의해, 2차 전지(12)의 전압이 커지고, 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압이 미리 설정된 충전 금지 전압 이상이 되었을 때, 충방전 제어 회로(5)는 제1 단자(2)를 통해, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 게이트를 제어하여, 충전 전류를 차단한다. 충전 전류가 차단된 후, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 충전기의 전압과 동등해진다.

그 후, 충방전 경로로부터 충전기를 떼어내고, 부하 및 충전기(4)의 위치에 부하를 접속한다. 이때, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은, 부하에 전력이 공급되지 않기 때문에 제로와 동등해진다. 이에 따라 충방전 제어 회로(5)는 부하가 접속된 것을 감지하여, 제1 단자(2)를 통해 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 온으로 한다.

계속해서 부하 또는 충전기(4)의 위치에 부하가 접속되어 있는 경우에 대해 설명한다. 이때 충방전 경로에는 방전 전류가 흐르고 있다. 방전 전류에 의해, 2 차 전지(12)의 전압이 작아져, 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압이 미리 설정된 방전 금지 전압 이하가 되었을 때, 충방전 제어 회로(5)는 제1 단자(2)를 통해, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 게이트를 제어하여, 방전 전류를 차단한다. 방전 전류가 차단된 후, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 제로와 동등해진다.

그 후, 충방전 경로로부터 부하를 제거하고, 부하 및 충전기(4)의 위치에 충전기를 접속한다. 이때, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 충전기 전압과 동등해진다. 이에 따라 충방전 제어 회로(5)는 충전기가 접속된 것을 감지하여, 제1 단자(2)를 통해 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 온으로 한다.

도 2에, 본 발명의 제1 실시예의 충방전 보호 회로의 구체예를 도시한다. 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)는, VDD 단자(8)와의 사이에 직렬로 접속 된 풀업 저항(14)과 풀업 스위치(13)를, VSS 단자(7)와의 사이에 직렬로 접속한 풀다운 저항(16)과 풀다운 스위치(15)를 구비하고 있다.

통상의 충방전 상태에서는, 충방전 제어 회로(5)는, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)을 온 상태로, 풀업 스위치(13) 및 풀다운 스위치(15)를 모두 오프로 제어하고 있다.

최초에, 충방전 경로에 과대한 방전 전류가 흐른 경우에 대해 설명한다. 충방전 경로에 정상적인 방전 전류가 흐르고 있는 경우, 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압과, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 거의 동등하게 되어 있다. 예를 들면, 2차 전지(12)의 전압을 3V, 부하 및 충전기(4)의 위치에 접속된 부하가 1kΩ, 반도체 쌍방향 스위치 소자의 온 저항을 20mΩ로 하면, 방전 전류는 3mA이기 때문에, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 온 저항과 방전 전류에 의한 전압 강하는 20mΩ×3mA＝0.06mV가 된다. 따라서 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V－0.06mV＝2.99994V≒3V가 된다.

여기서, 부하가 1Ω이 된 경우에는, 충방전 경로에는 약 3A의 과대한 방전 전류가 흐른다. 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)가 3A의 전류에 견딜 수 없을 때에는 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)가 방전 전류에 의해 파괴되는 일도 일어날 수 있다. 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 보호하기 위해서는, 충방전 제어 회로(5)는 제1 단자(2)를 제어하여, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 오프로 하고, 방전 전류를 차단할 필요가 있다.

3A의 방전 전류와 반도체 쌍방 스위치 소자(1)가 갖는 20mΩ의 온 저항에 의한 전압 강하는 20mΩ×3A＝60mV가 된다. 따라서 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V－0.06V＝2.94V가 된다. 이 전압차는, 방전 전류가 클수록 커진다.

충방전 제어 회로(5)는 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압값으로부터, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압값을 뺀 전압차가, 미리 설정된 값 이상으로 커지면, 충방전 경로에 과대한 방전 전류가 흐르고 있다고 판단하여, 제1 단자(2)를 통해, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 오프로 하고, 방전 전류를 차단한다. 또한 충방전 제어 회로(5)는 내부의 풀업 스위치(13)을 제어하여 온으로 한다. 그러면 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 제2 단자(3)는, 제어 회로 내부에서 풀업 저항(14)을 통해 접속된다. 이때 2차 전지(12)의 전압이 3V, 부하 및 충전기(4)의 위치에 접속되어 있는 부하가 1Ω, 풀업 저항(14)의 저항값이 100kΩ인 경우, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)∼VSS 단자 전압은 100kΩ와 1Ω의 저항 분할에 의해 (1Ω/100kΩ)×3V＝0.03mV≒0V가 된다.

그 후, 1Ω의 부하를 제거하면, 풀업 저항(14)에 흐르는 전류가 없어져, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)∼VSS 단자의 전압은 2차 전지(12)의 전압과 동등해진다. 충방전 제어 회로(5)는 이 전압 변화를 감지하여, 제1 단자(2)를 통해 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)을 온으로 한다. 또 풀업 스위치(13)는 오프로 제어된다.

계속해서, 충방전 경로에 과대한 충전 전류가 흐른 경우에 대해 설명한다. 충방전 경로에 정상적인 충전 전류가 흐르고 있는 경우, 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압과, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 거의 동등하게 되어 있다. 예를 들면, 2차 전지(12)의 전압을 3V, 부하 및 충전기(4)의 위치에 접속된 충전기가 흘려보내는 전류가 1A, 반도체 쌍방향 스위치 소자의 온 저항이 20mΩ가 되면, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 온 저항과 충전 전류에 의한 전압 강하는 20mΩ×1A＝20mV가 된다. 따라서 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V＋20mV＝3.02V, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V가 된다.

충전 전류가 커지면, 예를 들어 충전 전류가 3A가 되면, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)가 3A의 전류에 견딜 수 없을 때에는 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)가 충전 전류에 의해 파괴되는 일도 일어날 수 있다. 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 보호하기 위해서는, 충방전 제어 회로(5)는 제1 단자(2)를 제어하여, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 오프로 하고, 충전 전류를 차단할 필요가 있다.

3A의 충전 전류와 반도체 쌍방 스위치 소자(1)가 갖는 20mΩ의 온 저항에 의한 전압 강하는 20mΩ×3A＝60mV가 된다. 따라서 충방전 제어 회로(5)의 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V＋60mV＝3.06V, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압은 3V가 된다. 이 전압차는, 충전 전류가 클수록 커진다.

충방전 제어 회로(5)는, 제2 단자(3)와 VSS 단자(7) 사이의 전압값에서 VDD 단자(8)와 VSS 단자(7) 사이의 전압값을 뺀 전압차가, 미리 설정된 값 이상으로 커지면, 충방전 경로에 과대한 충전 전류가 흐르고 있다고 판단하여, 제1 단자(2)를 통해, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 오프로 하여 충전 전류를 차단한다. 또한 충방전 제어 회로(5)는 내부의 풀다운 스위치(15)를 제어하여 온으로 한다. 그러면 충방전 제어 회로(5)의 VSS 단자(7)와 제2 단자(3)는, 제어 회로 내부에서 풀다운 저항(16)을 통해 접속된다. 이때 부하 및 충전기(4)의 위치에 접속되어 있는 충전기가 5V인 경우, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)∼VSS 단자 전압은 5V가 된다.

그 후, 충전기를 떼어내면, 충방전 제어 회로(5)의 제2 단자(3)의 전위는 VSS 단자의 전위와 동등해져, 제2 단자(3)∼VSS 단자 전압은 0V가 된다. 충방전 제어 회로(5)는 이 전압 변화를 감지하여, 제1 단자(2)를 통해 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 온으로 한다. 또 풀다운 스위치(15)는 오프로 제어된다.

이상 설명한 바와 같이, 충방전 제어 회로(5)에 제2 단자(3)를 설치하고, 부하 또는 충전기의 전압을 검출함으로써, 2차 전지와 부하 또는 충전기가 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)에 의해 절단된 상태라 하더라도, 부하 또는 충전기의 접속을 자동적으로 검출하여 충방전을 제어하는 것이 가능하므로, 저비용으로, 사용하기 편리하고, 신뢰성이 높은 충방전 보호 회로를 제공할 수 있다.

또, 도 3에 도시한 바와 같이, 2차 전지가 복수 직렬 연결된 전원 장치에서도, 충방전 제어 회로(5)가 2개의 2차 전지의 중점의 전위를 감지함으로써, 복수의 2차 전지 상태도 검출할 수 있으므로, 동등한 효과를 얻는 것이 가능하다.

(실시예 2)

도 4는, 본 발명의 제2 실시예를 도시한 충방전 보호 회로이다. 도 2와의 차이는, 충방전 제어 회로(5)가 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 게이트에 접속된 제３ 단자(11)를 갖는 것이다. 제３ 단자(11)는, 풀다운 저항(17)을 통해, VSS 단자(7)에 접속되어 있다.

반도체 쌍방향 스위치 소자(1)는 게이트의 전위가 부정(不定)인 경우, 온 상태가 되는 노멀리 온 특성을 갖고, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 오프 상태로 하기 위해, 소스의 전위보다 낮은 전위를 부여해야 한다. 어떠한 원인에 의해, 제1 단자(2)와 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 게이트의 접속이 끊어지는 일이 있었 다 하더라도, 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)의 게이트는 풀다운 저항(17)에 의해 오프 상태로 제어시키기 때문에, 충방전 모두 차단되므로, 2차 전지(12)나 반도체 쌍방향 스위치 소자(1)를 열화나 파괴로부터 지킬 수 있게 된다.

이상, 발명의 실시 형태에 대해 반도체 스위치 소자(1)를 하이 사이드 스위치로서 사용한 경우를 예로써 설명하였지만, 마찬가지로, 로우 사이드 스위치로서 사용한 충방전 보호 회로를 구성하는 것도 가능하다.

본 발명의 충방전 제어 회로에 의하면, 단일의 스위치 소자를 이용한 간단한 회로 구성을 이용하여, 저비용이면서, 사용하기 편리하고, 신뢰성이 높은 충방전 보호 회로를 제공할 수 있다.

Claims

외부 단자와 2차 전지의 사이에 삽입된 반도체 쌍방향 스위치 소자와, 상기 2차 전지의 전압을 감시하고, 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 온, 오프하여 상기 2차 전지의 충방전을 제어하는 충방전 제어 회로를 구비한 충방전 보호 회로에 있어서,

상기 충방전 제어 회로는, 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자에 접속한 제1 단자와, 충전기 또는 부하 중 어느 것이 상기 외부 단자에 접속되어 있는지를 감지하기 위한 제2 단자를 구비한 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
청구항 1에 있어서,

상기 충방전 제어 회로의 상기 제2 단자는, 전원과의 사이에 제1 저항과 제1 스위치를 직렬로 접속하고, 접지와의 사이에 제2 저항과 제2 스위치를 직렬로 접속하여 설치한 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
청구항 2에 있어서,

상기 충방전 제어 회로는,

충전 상태에서 상기 2차 전지가 만충전이 되었을 때에, 상기 제1 단자의 출력에 의해 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프하고, 상기 제1 스위치를 온하여, 상기 제2 단자의 전압을 감시하는 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
청구항 2에 있어서,

상기 충방전 제어 회로는,

방전 상태에서 상기 2차 전지가 과방전이 되었을 때에, 상기 제1 단자의 출력에 의해 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프하고, 상기 제2 스위치를 온 하여, 상기 제2 단자의 전압을 감시하는 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
청구항 2에 있어서,

상기 충방전 제어 회로는,

충전 상태에서, 상기 제2 단자의 전압에 의해, 상기 외부 단자의 과전류를 검출하였을 때에, 상기 제1 단자의 출력에 의해 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프하고, 상기 제1 스위치를 온하여, 상기 제2 단자의 전압을 감시하는 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
청구항 2에 있어서,

상기 충방전 제어 회로는,

방전 상태에서, 상기 제2 단자의 전압에 의해, 상기 외부 단자의 과전류를 검출하였을 때에, 상기 제1 단자의 출력에 의해 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프하고, 상기 제2 스위치를 온하여, 상기 제2 단자의 전압을 감시하는 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
청구항 1에 있어서,

상기 충방전 제어 회로는, 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자를 오프시키는 전위와 저항을 통해 접속된 제３ 단자를 구비하고,

상기 제３ 단자는, 상기 반도체 쌍방향 스위치 소자의 게이트에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 충방전 보호 회로.
2차 전지와, 청구항 1에 기재된 충방전 보호 회로를 구비한 전원 장치.