KR20070083125A

KR20070083125A - Manufacturing method of vacuum vessel for electron emission display device

Info

Publication number: KR20070083125A
Application number: KR1020060016417A
Authority: KR
Inventors: 송기영
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-02-20
Filing date: 2006-02-20
Publication date: 2007-08-23

Abstract

A method for manufacturing a vacuum receptacle for an electron emission display device is provided to increase a degree of vacuum after sealing up an exhaust tube by removing impurity gases in an exhaust process by using a first getter. Edges of first and second electrodes(10,12) are attached to each other by using a sealing member(14). An exhaust process is performed in an internal space between the first and second electrodes through an exhaust tube provided on one of the first and second electrodes and impurity gases are removed by activating a first getter(24) provided on one of the first and second electrodes. The first getter is separated from one of the first and second electrodes. A vacuum receptacle is formed by sealing up the exhaust tube. The remaining gases are removed from the inside of the vacuum receptacle by activating a second getter install in the inside of the vacuum receptacle.

Description

전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD OF VACUUM VESSEL FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}Manufacturing method of vacuum container for electron emission display device {MANUFACTURING METHOD OF VACUUM VESSEL FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략 단면도이다.1A to 1D are schematic cross-sectional views at each step shown for explaining a method of manufacturing a vacuum container for an electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제조 방법에 의해 제작된 진공 용기를 이용한 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.2 is a partially exploded perspective view of a field emission array (FEA) type electron emission display device using a vacuum container manufactured by the manufacturing method of the present invention.

도 3은 본 발명의 제조 방법에 의해 제작된 진공 용기를 이용한 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view of a field emission array (FEA) type electron emission display device using a vacuum container manufactured by the manufacturing method of the present invention.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내부를 높은 진공도로 유지할 수 있는 진공 용기의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a vacuum container for an electron emission display device, and more particularly, to a method of manufacturing a vacuum container capable of keeping the inside of a vacuum container at a high degree of vacuum.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, electron emission elements may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron-emitting device using the cold cathode is a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, a metal-insulation layer-metal Metal (MIM) type and Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) type are known.

상기 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 전자 방출 원리와 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로 전자 방출부와 구동 전극을 구비하여 전자 방출부로부터 소정의 전자들을 방출시킨다.The electron-emitting devices differ in structure from the electron-emitting principle and their detailed structure depending on the kind thereof, but basically include an electron-emitting part and a driving electrode to emit predetermined electrons from the electron-emitting part.

전자 방출 소자들은 제1 기판 위에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 유닛을 형성하고, 형광층과 흑색층 및 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 제1 기판을 향한 제2 기판의 일면에 배치되어 전자 방출 유닛과 함께 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.The electron emission devices are arranged in an array on the first substrate to form an electron emission unit, and a light emitting unit including a fluorescent layer, a black layer, an anode electrode, and the like is disposed on one surface of the second substrate facing the first substrate so as to emit an electron emission unit. Together with the electron emission display device.

상기에서 제1 기판과 제2 기판은 프릿 바(frit bar)와 같은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합되고, 전자의 방출과 이동이 원활하게 이루어질 수 있도록 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판에 마련된 배기관을 통해 내부를 배기시킨 다음 배기관을 밀봉시키는 과정을 거쳐 진공 용기로 완성된다.In the above, the first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other by a sealing member such as a frit bar, and any one of the first substrate and the second substrate can be smoothly discharged and moved. After exhausting the inside through an exhaust pipe provided on the substrate and sealing the exhaust pipe is completed in a vacuum container.

그리고 배기 후 진공 용기 내부를 고진공 상태로 유지하기 위하여 게터 플래싱(getter flashing) 공정을 진행한다. 게터 플래싱 공정은 게터 용기 또는 게터 챔버에 봉입된 게터 물질, 일례로 바륨이나 마그네슘 같은 활성 금속을 증발시켜 진공 용기 내부의 기체 분자를 화학적으로 흡착 및 제거하는 공정을 의미한다.After the evacuation, a getter flashing process is performed to maintain the inside of the vacuum container in a high vacuum state. The getter flashing process refers to a process of chemically adsorbing and removing gas molecules inside a vacuum vessel by evaporating a getter material encapsulated in a getter vessel or getter chamber, for example, a barium or magnesium active metal.

전술한 구조에서 진공 용기의 진공도는 배기 장치의 배기 능력과 게터의 성능에 의해 결정된다. 그런데 종래의 진공 용기는 배기관을 밀봉시킨 후 게터 플래싱 공정을 진행하므로 배기 과정에서 전자 방출 유닛, 발광 유닛 또는 밀봉 부재 등에서 발생하는 이물 가스가 그대로 진공 용기 내부에 잔류하게 된다.In the above-described structure, the degree of vacuum of the vacuum vessel is determined by the exhaust capacity of the exhaust device and the performance of the getter. However, in the conventional vacuum container, since the getter flashing process is performed after sealing the exhaust pipe, foreign gas generated in the electron emission unit, the light emitting unit, or the sealing member and the like remains in the vacuum container as it is.

이로써 종래의 진공 용기는 게터의 부담이 높아짐으로 인해 밀봉 후 게터 플래싱 공정 만으로 고진공 확보에 어려움이 있으며, 게터의 성능 향상을 위해 게터의 개수를 늘려야 하므로 구성이 복잡해지고 제조 원가가 상승하는 등의 단점을 안고 있다.As a result, it is difficult to secure a high vacuum only by the getter flashing process after sealing because the burden of the getter is increased, and the number of getters must be increased to improve the performance of the getter. Is holding.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 배기 과정에서 발생하는 이물 가스를 배기 중에 제거하여 게터의 부담을 줄이고, 고진공 확보에 유리한 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to remove a foreign gas generated in an exhaust process in an exhaust gas, thereby reducing the burden of a getter and manufacturing a vacuum container for an electron emission display device, which is advantageous for securing high vacuum. To provide.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

밀봉 부재를 이용하여 제1 기판과 제2 기판의 가장자리를 접합시키고, 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판에 제공된 배기관을 통해 제1 기판과 제2 기판 사이의 내부 공간을 배기시킴과 동시에, 어느 일 기판에 제공된 제1 게터를 활성화하여 배기 과정에서 발생하는 이물 가스를 제거하고, 일 기판으로부터 제1 게터를 분리시키고, 배기관을 밀봉하여 진공 용기를 형성하고, 진공 용기 내부에 장착된 제2 게터를 활성화하여 진공 용기 내부의 잔류 가스를 제거하는 단계들을 포함하는 전 자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법을 제공한다.The sealing member is bonded to the edges of the first substrate and the second substrate, and the internal space between the first substrate and the second substrate is exhausted through an exhaust pipe provided in one of the first and second substrates. Activates the first getter provided on one substrate to remove foreign gas generated in the exhaust process, separates the first getter from the one substrate, seals the exhaust pipe to form a vacuum container, and A method of manufacturing a vacuum container for an electron emission display device comprising the steps of activating a getter to remove residual gas inside the vacuum container.

상기 일 기판에 보조 챔버를 장착하고, 제1 게터를 보조 챔버의 하단부에 위치시킬 수 있다.The auxiliary chamber may be mounted on the one substrate, and the first getter may be positioned at the lower end of the auxiliary chamber.

상기 제1 게터를 분리시키는 단계는 보조 챔버의 중간부를 밀봉시킨 후 제1 게터가 위치하는 끝단을 제거하는 과정으로 이루어질 수 있다.The separating of the first getter may be performed by sealing an intermediate portion of the auxiliary chamber and removing an end where the first getter is located.

상기 제1 게터는 증발형 게터일 수 있으며, 보조 챔버 외부로부터 고주파 유도 가열과 레이저 가열 중 어느 하나의 방법으로 활성화될 수 있다.The first getter may be an evaporative getter and may be activated by any one of high frequency induction heating and laser heating from the outside of the auxiliary chamber.

다른 한편으로 상기 제1 게터는 비증발형 게터일 수 있으며, 보조 챔버 외부로 인출된 도선을 통해 전류를 인가받아 활성화될 수 있다.On the other hand, the first getter may be a non-evaporable getter, and may be activated by receiving a current through a lead drawn out of the auxiliary chamber.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저 도 1a를 참고하면, 제1 기판(10) 또는 제2 기판(12)의 가장자리에 밀봉 부재(14)를 배치하고, 밀봉 부재(14) 위에 다른 일 기판을 위치시킨 다음, 제1 기판(10)과 밀봉 부재(14) 및 제2 기판(12)의 조립체를 소성로(도시하지 않음)에 투입한다. 그리고 이 조립체를 고온 분위기에서 소성하여 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 접합시키는 봉착 공정을 진행한다.Referring first to FIG. 1A, the sealing member 14 is disposed at an edge of the first substrate 10 or the second substrate 12, and another substrate is positioned on the sealing member 14, and then the first substrate ( 10) and the assembly of the sealing member 14 and the second substrate 12 are put into a firing furnace (not shown). The assembly is fired in a high temperature atmosphere to perform a sealing step of joining the first substrate 10 and the second substrate 12 together.

밀봉 부재(14)는 글래스 프릿과 유기 화합물의 혼합물을 압출 성형하여 만든 프릿 바(frit bar)로 이루어지거나 글래스 프레임의 상하면에 접착층이 위치하는 구조로 이루어질 수 있다. 두 경우 모두 전술한 소성 공정에서 프릿 바의 표면이 녹거나 접착층이 녹으면서 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 일체로 접합시킨다.The sealing member 14 may be formed of a frit bar made by extruding a mixture of the glass frit and the organic compound, or may have a structure in which an adhesive layer is positioned on the upper and lower surfaces of the glass frame. In both cases, the first substrate 10 and the second substrate 12 are integrally bonded while the surface of the frit bar is melted or the adhesive layer is melted in the aforementioned firing process.

상기 제1 기판(10) 중 제2 기판(12)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치된 전자 방출 유닛(16)이 제공되고, 제2 기판(12) 중 제1 기판(10)과의 대향면에는 형광층과 흑색층 및 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛(18)이 제공된다. 또한 도시는 생략하였으나 다수의 스페이서들이 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에 배치될 수 있다.On the opposite surface of the first substrate 10 to the second substrate 12, an electron emission unit 16 in which electron emission elements are arranged in an array is provided, and the first substrate 10 of the second substrate 12 is provided. The light emitting unit 18 which consists of a fluorescent layer, a black layer, an anode electrode, etc. is provided on the opposite surface to (). Although not illustrated, a plurality of spacers may be disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12.

이어서 도 1b를 참고하면, 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 중 어느 일 기판, 일례로 제1 기판(10)에는 배기 장치(20)와의 연결을 위한 배기관(22)과, 제1 게터(24)를 봉입한 보조 챔버(26)가 설치된다. 배기관(22)과 보조 챔버(26)는 각각 제1 기판(10)에 형성된 제1 개구부(28)와 제2 개구부(30)를 통해 조립체 내부와 연통된다.Subsequently, referring to FIG. 1B, any one of the first substrate 10 and the second substrate 12, for example, the first substrate 10 may include an exhaust pipe 22 for connecting to the exhaust device 20, and The auxiliary chamber 26 which enclosed the one getter 24 is provided. The exhaust pipe 22 and the auxiliary chamber 26 communicate with the interior of the assembly through the first opening 28 and the second opening 30 formed in the first substrate 10, respectively.

배기관(22)과 보조 챔버(26)는 전자 방출 유닛(16)의 외곽에 위치한다. 도면에서는 배기관(22)과 보조 챔버(26)가 같은 기판에 위치하는 경우를 도시하였으나, 서로 다른 기판에 설치되는 구성도 가능하다.The exhaust pipe 22 and the auxiliary chamber 26 are located outside the electron emission unit 16. In the drawing, the exhaust pipe 22 and the auxiliary chamber 26 are shown in the case where they are located on the same substrate, it is also possible to be installed on different substrates.

상기 배기관(22)을 배기 장치(20)와 연결하여 조립체 내부를 배기시키는 배기 공정을 진행함과 동시에 제1 게터(24)를 플래싱하여 배기 과정에서 전자 방출 유닛(16), 발광 유닛(18) 또는 밀봉 부재(14) 등에서 발생하는 기체 분자를 화학적으로 흡착 및 제거하는 제1 게터 플래싱 공정을 진행한다.The exhaust pipe 22 is connected to the exhaust device 20 to perform an exhaust process of exhausting the interior of the assembly, and at the same time, the first getter 24 is flashed to discharge the electron emission unit 16 and the light emitting unit 18. Alternatively, a first getter flashing process of chemically adsorbing and removing gas molecules generated from the sealing member 14 or the like is performed.

제1 게터(24)는 증발형 게터 물질인 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르 코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo) 또는 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나, 바륨-알루미늄(Ba-Al), 지르코늄-알루미늄(Zr-Al), 은-티타늄(Ag-Ti), 지르코늄-니켈(Zr-Ni) 등의 합금으로 이루어질 수 있으며, 고주파 유도 가열 또는 레이저 가열 등의 방법으로 활성화될 수 있다.The first getter 24 is a metal such as barium (Ba), titanium (Ti), vanadium (V), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), or tantalum (Ta), which are evaporative getter materials. In addition, it may be made of alloys such as barium-aluminum (Ba-Al), zirconium-aluminum (Zr-Al), silver-titanium (Ag-Ti), zirconium-nickel (Zr-Ni), and high frequency induction heating or laser. It may be activated by heating or the like.

다른 한편으로 제1 게터(24)는 비증발형 게터 물질인 ST 101(85 중량%의 지르코늄, 16 중량%의 알루미늄 및 기타 성분의 합금) 또는 ST 707(70 중량%의 지르코늄과 24.6 중량%의 바나듐 및 기타 성분의 합금) 등으로 이루어질 수 있으며, 보조 챔버(26) 외부로 인출된 도선(도시하지 않음)을 통해 전류를 인가받아 활성화될 수 있다.On the other hand, the first getter 24 is a non-evaporable getter material of ST 101 (85% zirconium, 16% aluminum and other components) or ST 707 (70% zirconium and 24.6% by weight). Vanadium and an alloy of other components), and the like, and may be activated by applying a current through a lead (not shown) drawn out of the auxiliary chamber 26.

다음으로 도 1c를 참고하면, 보조 챔버(26) 중간부를 토오치 가열 등의 방법으로 밀봉 후 끝단을 제거하여 제1 게터(24)를 제1 기판(10)으로부터 분리시키는 제1 게터(24) 분리 공정을 진행하고, 배기관(22) 중간부를 같은 방법으로 밀봉 후 끝단을 제거하는 밀봉 공정을 진행하여 진공 용기(100)를 형성한다.Next, referring to FIG. 1C, the first getter 24 which separates the first getter 24 from the first substrate 10 by removing the end after sealing the intermediate part of the auxiliary chamber 26 by a torch heating method or the like, is described. The separation process is performed, and the sealing process of removing the end after sealing the middle part of the exhaust pipe 22 in the same manner is performed to form the vacuum container 100.

상기 보조 챔버(26)를 절단할 때에는 제1 게터(24)가 위치하는 부위로부터 제1 기판(10)을 향해 일정 거리 이격된 부위를 선택하여 제1 게터(24)가 진공 용기(100)에 잔류하지 않도록 한다.When the auxiliary chamber 26 is cut, a portion of the first getter 24 located at a predetermined distance from the portion where the first getter 24 is positioned is selected to be separated from the portion of the vacuum chamber 100. Do not remain.

이어서 도 1d를 참고하면, 진공 용기(100) 내부에 설치된 제2 게터(32)를 플래싱하여 배기관(22) 밀봉 후 진공 용기(100) 내부에 잔류된 기체 분자를 다시 한번 화학적으로 흡착 및 제거하는 제2 게터(32) 플래싱 공정을 진행한다. 이로써 진공 용기(100)의 내부 진공도를 향상시킨다.Subsequently, referring to FIG. 1D, the second getter 32 installed in the vacuum vessel 100 is flashed to seal and remove the gas molecules remaining in the vacuum vessel 100 once again after the exhaust pipe 22 is sealed. The second getter 32 flashing process is performed. This improves the internal vacuum degree of the vacuum vessel 100.

제2 게터(32)는 제1 게터(24)와 마찬가지로 증발형 게터 물질 또는 비증발형 게터 물질을 구비할 수 있으며, 전자 방출 유닛(16)의 외곽에서 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 중 어느 일 기판에 설치되거나, 어느 일 기판에 부착된 보조 챔버 내부에 장착될 수 있다.Like the first getter 24, the second getter 32 may include an evaporative getter material or a non-evaporable getter material, and the first substrate 10 and the second substrate outside the electron emission unit 16. Any one of 12 may be installed in a substrate, or may be mounted in an auxiliary chamber attached to one of the substrates.

도면에서는 첫번째 경우를 도시하였으며, 도면에서 부호 34는 게터 물질을 보유하는 게터 용기를 나타내고, 부호 36은 일 기판 위에 게터 용기(34)를 지지하는 지지체를 나타낸다.In the figure, the first case is shown, in which reference numeral 34 denotes a getter container holding a getter material, and reference numeral 36 denotes a support for supporting the getter container 34 on a substrate.

이와 같이 본 실시예의 진공 용기는 제1 게터 플래싱 공정을 통해 배기 과정에서 발생하는 이물 가스를 1차로 제거하고, 제2 게터 플래싱 공정을 통해 배기관 밀봉 후 진공 용기 내부에 잔류한 이물 가스를 2차로 제거함에 따라, 제2 게터의 개수를 늘리지 않고도 진공 용기 내부를 고진공으로 확보할 수 있다.As described above, the vacuum container of the present embodiment firstly removes foreign gas generated in the exhaust process through the first getter flashing process and secondly removes foreign gas remaining in the vacuum container after sealing the exhaust pipe through the second getter flashing process. Accordingly, the inside of the vacuum vessel can be secured with high vacuum without increasing the number of second getters.

전술한 구성의 진공 용기는 전자 방출 소자의 종류에 따라 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 중 어느 한가지 형의 전자 방출 표시 디바이스로 적용될 수 있다. 상기 진공 용기를 이용한 전자 방출 표시 디바이스의 일례로 도 2와 도 3을 참고하여 전계 방출 어레이형에 대해 설명한다.The vacuum container of the above-described configuration has a field emission array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal-insulating layer-metal (MIM) type, and a metal-insulating layer-semiconductor (MIS) depending on the type of the electron emitting element. Can be applied to any one type of electron emission display device. As an example of the electron emission display device using the vacuum container, a field emission array type will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2와 도 3을 참고하면, 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스에서 전자 방출 유닛(16')은 제1 절연층(38)을 사이에 두고 서로 직교하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들(40) 및 게이트 전극들(42)과, 캐소드 전극(40)에 형성되는 전자 방출부들(44)을 포함한다.2 and 3, in a field emission array (FEA) type electron emission display device, the electron emission unit 16 ′ is formed along a direction perpendicular to each other with the first insulating layer 38 interposed therebetween. And the gate electrodes 42, and the electron emission portions 44 formed on the cathode electrode 40.

캐소드 전극들(40)과 게이트 전극들(42)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극들(40) 위로 각 화소 영역마다 전자 방출부들(44)이 형성되고, 제1 절연층(38)과 게이트 전극들(42)에는 각 전자 방출부(44)에 대응하는 개구부(381,421)가 형성되어 제1 기판(10) 상에 전자 방출부(44)를 노출시킨다.If the cross region of the cathode electrodes 40 and the gate electrodes 42 is defined as a pixel region, electron emission portions 44 are formed in each pixel region over the cathode electrodes 40, and the first insulating layer 38 is formed. And openings 381 and 421 corresponding to the electron emission units 44 are formed in the gate electrodes 42 and the gate electrodes 42 to expose the electron emission units 44 on the first substrate 10.

전자 방출부(44)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(44)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 훌러렌(C₆₀), 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.The electron emission unit 44 may be formed of materials emitting electrons when a electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer (nm) size material. The electron emission unit 44 may include, for example, carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, fullerenes (C ₆₀ ), silicon nanowires, or a combination thereof.

다른 한편으로 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the electron emission unit may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

그리고 게이트 전극들(42)과 제1 절연층(38) 위로 제2 절연층(46)과 집속 전극(48)이 위치할 수 있다. 집속 전극(48)은 화소 영역마다 하나의 개구부(481)를 형성하여 하나의 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하거나, 전자 방출부(44)마다 이에 대응하는 하나의 개구부를 형성하여 각 전자 방출부(44)에서 방출되는 전자들을 개별로 집속할 수 있다. 도 2에서는 첫번째 경우를 도시하였다.In addition, the second insulating layer 46 and the focusing electrode 48 may be positioned on the gate electrodes 42 and the first insulating layer 38. The focusing electrode 48 forms one opening 481 in each pixel region to collectively focus electrons emitted from one pixel region, or one opening corresponding to each of the electron emission sections 44 to form an opening. Electrons emitted from the emitter 44 may be individually focused. 2 illustrates the first case.

발광 유닛(18')은 형광층(50), 일례로 서로간 임의의 거리를 두고 위치하는 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(50R,50G,50B)과, 각 형광층(50) 사이에 위치하여 화면의 콘트라스트를 높이는 흑색층(52)을 포함한다. 형광층(50)은 캐소드 전극 (40)과 게이트 전극(42)의 교차 영역마다 한가지 색의 형광층이 대응하도록 배치된다.The light emitting unit 18 ′ is disposed between the fluorescent layer 50, for example, red, green, and blue fluorescent layers 50R, 50G, and 50B positioned at arbitrary distances from each other, and between each fluorescent layer 50. The black layer 52 is positioned to increase the contrast of the screen. The fluorescent layer 50 is disposed such that a fluorescent layer of one color corresponds to each crossing region of the cathode electrode 40 and the gate electrode 42.

그리고 형광층(50)과 흑색층(52) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(54)이 형성된다. 애노드 전극(54)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(50)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(50)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10')을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12') 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.An anode electrode 54 made of a metal film such as aluminum (Al) is formed on the fluorescent layer 50 and the black layer 52. The anode electrode 54 receives a high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside to maintain the fluorescent layer 50 in a high potential state, and is radiated toward the first substrate 10 ′ of visible light emitted from the fluorescent layer 50. The visible light is reflected toward the second substrate 12 ′ to increase the brightness of the screen.

한편 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(12')을 향한 형광층(50)과 흑색층(52)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 금속막과 투명 도전막을 동시에 형성하는 구조도 가능하다.The anode electrode may be formed of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO). In this case, the anode is positioned on one surface of the fluorescent layer 50 and the black layer 52 facing the second substrate 12 ′. Moreover, the structure which forms simultaneously the above-mentioned metal film and a transparent conductive film as an anode electrode is also possible.

그리고 제1 기판(10')과 제2 기판(12') 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(56, 도 3 참고)이 배치된다. 스페이서들(56)은 형광층(50)을 침범하지 않도록 흑색층(52)에 대응하여 위치한다.Spacers 56 (see FIG. 3) are disposed between the first substrate 10 ′ and the second substrate 12 ′ to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the distance between the two substrates constant. The spacers 56 are positioned corresponding to the black layer 52 so as not to invade the fluorescent layer 50.

전술한 구성의 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(40), 게이트 전극들(42), 집속 전극(48) 및 애노드 전극(54)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.The field emission array (FEA) type electron emission display device of the above-described configuration supplies a predetermined voltage to the cathode electrodes 40, the gate electrodes 42, the focusing electrode 48, and the anode electrode 54 from the outside. Drive.

일례로 캐소드 전극들(40)과 게이트 전극들(42) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전 압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(48)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(54)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.For example, any one of the cathode electrodes 40 and the gate electrodes 42 serves as scan electrodes by receiving a scan driving voltage, and the other electrodes serve as data electrodes by receiving a data driving voltage. . In addition, the focusing electrode 48 receives a voltage required for electron beam focusing, for example, 0 V or a negative DC voltage of several to several tens of volts, and the anode electrode 54 is a voltage necessary for accelerating the electron beam, for example, several hundred to several thousand volts. DC voltage of is applied.

그러면 캐소드 전극(40)과 게이트 전극(42)의 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(44) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(48)의 개구부(481)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(54)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 화소의 형광층(50)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.Then, in the pixels where the voltage difference between the cathode electrode 40 and the gate electrode 42 is greater than or equal to the threshold, an electric field is formed around the electron emission part 44 to emit electrons therefrom. The emitted electrons are focused through the opening 481 of the focusing electrode 48 to the center of the electron beam bundle, and are attracted by the high voltage applied to the anode electrode 54 to impinge on the fluorescent layer 50 of the corresponding pixel to emit light. Let's do it.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

이와 같이 본 발명의 제조 방법에 따르면, 제1 게터를 이용해 배기 과정에서 발생하는 이물 가스를 제거하므로 배기관 밀봉 직후 진공도를 높일 수 있으며, 제2 게터를 이용해 진공 용기 내부에 잔류한 이물 가스를 2차로 제거함으로써 최종 진공 용기 내부의 진공도를 더욱 향상시킬 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 진공 용기는 제2 게터의 개수를 늘리지 않고도 그 내부를 고진공으로 확보할 수 있다.As described above, according to the manufacturing method of the present invention, since the foreign matter gas generated in the exhaust process is removed using the first getter, the degree of vacuum can be increased immediately after the exhaust pipe is sealed. The removal can further improve the degree of vacuum inside the final vacuum vessel. Therefore, the vacuum container according to the present invention can secure the inside of the vacuum chamber without increasing the number of second getters.

Claims

밀봉 부재를 이용하여 제1 기판과 제2 기판의 가장자리를 접합시키고;Bonding edges of the first substrate and the second substrate using the sealing member;

상기 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판에 제공된 배기관을 통해 제1 기판과 제2 기판 사이의 내부 공간을 배기시킴과 동시에, 어느 일 기판에 제공된 제1 게터를 활성화하여 배기 과정에서 발생하는 이물 가스를 제거하고;The internal space between the first substrate and the second substrate is exhausted through an exhaust pipe provided on one of the first and second substrates, and the first getter provided on one of the substrates is activated to generate the exhaust gas. Remove foreign gas;

상기 일 기판으로부터 상기 제1 게터를 분리시키고;Separating the first getter from the one substrate;

상기 배기관을 밀봉하여 진공 용기를 형성하고;Sealing the exhaust pipe to form a vacuum container;

상기 진공 용기 내부에 장착된 제2 게터를 활성화하여 진공 용기 내부의 잔류 가스를 제거하는 단계들Activating a second getter mounted in the vacuum vessel to remove residual gas inside the vacuum vessel;

을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법.Method for producing a vacuum container for an electron emission display device comprising a.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 일 기판에 보조 챔버를 장착하고, 상기 제1 게터를 보조 챔버의 하단부에 위치시키는 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법.A method of manufacturing a vacuum container for an electron emission display device, wherein the auxiliary chamber is mounted on the one substrate, and the first getter is positioned at a lower end of the auxiliary chamber.

제2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 제1 게터를 분리시키는 단계가 상기 보조 챔버의 중간부를 밀봉시킨 후 제1 게터가 위치하는 끝단을 제거하는 과정들로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법.And separating the first getter comprises the steps of sealing the intermediate portion of the auxiliary chamber and then removing the end where the first getter is located.

제2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 제1 게터가 증발형 게터로 이루어지고, 보조 챔버 외부로부터 고주파 유도 가열과 레이저 가열 중 어느 하나의 방법으로 활성화되는 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법.And the first getter is an evaporative getter and is activated by any one of high frequency induction heating and laser heating from outside the auxiliary chamber.

제2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 제1 게터가 비증발형 게터로 이루어지고, 보조 챔버 외부로 인출된 도선을 통해 전류를 인가받아 활성화되는 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법.And the first getter is made of a non-evaporable getter, and is activated by being supplied with a current through a lead drawn out of the auxiliary chamber.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 밀봉 부재가 글래스 프레임과 접착층의 적층 구조와 프릿 바 중 어느 하나로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 진공 용기의 제조 방법.And the sealing member is formed by any one of a laminated structure of a glass frame and an adhesive layer and a frit bar.