KR20070047459A - Electron emission display device and fabricating method thereof - Google Patents

Abstract

본 발명은 게터 활성화를 위한 별도의 설비를 제거하는 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 전자 방출 디바이스는, 서로 대향 배치되어 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 형성되는 전자 방출 디바이스와, 상기 전자 방출 디바이스에 대응하여 상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛과, 상기 제1 기판에 부착되어 배기 홀에 연결되고 끝이 밀봉되는 배기관, 및 상기 배기관에 내장되는 게터를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device for removing extra equipment for activating getters and a method for manufacturing the same, wherein the electron emission device of the present invention comprises: a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other to constitute a vacuum container; An electron emission device formed on the first substrate, a light emitting unit formed on the second substrate corresponding to the electron emission device, an exhaust pipe attached to the first substrate, connected to an exhaust hole, and sealed at an end thereof; It includes a getter built in the exhaust pipe.

게터, 배기관, 증발형 게터, 비증발형 게터, 팁 오프 Getter, exhaust pipe, evaporative getter, non-evaporable getter, tip off

Description

전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}Electronic emission display device and manufacturing method thereof {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 평면도이다.1 is a plan view of an electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 일부를 분해하여 도시한 사시도이다.2 is an exploded perspective view illustrating a part of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도3은 도1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG.

도4a, 도4b 및 도4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에서 각 공정을 도시한 단면도이다.4A, 4B, and 4C are cross-sectional views illustrating respective processes in the method of manufacturing the electron emission display device according to the exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배기관의 밀봉 공정으로 게터를 활성화(getter flashing)시키는 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device, and more particularly, to an electron emission display device and a method for manufacturing the same, which getter flashes by a sealing process of an exhaust pipe.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, electron emission elements may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 어레이(Field Emitter Array, 이하 "FEA"라 한다)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission, 이하 "SCE"라 한다)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal, 이하 "MIM"이라 한다)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor, 이하 "MIS"라 한다)형 등이 알려져 있다.Here, as the electron-emitting device using the cold cathode, an electric field array (hereinafter referred to as "FEA") type, a surface conduction emission ("SCE") type, a metal- Insulating layer-metal (Metal-Insulator-Metal) type | mold and a metal-insulating layer-semiconductor (Metal-Insulator-Semiconductor) type | mold are now known.

MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속 쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한다.The MIM and MIS type electron emission devices each form an electron emission portion composed of a metal / insulation layer / metal (MIM) and a metal / insulation layer / semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals or metals with an insulating layer interposed therebetween. When a voltage is applied between the semiconductor and the semiconductor, a principle is used in which electrons move and accelerate from a metal having a high electron potential or from a semiconductor to a metal having a low electron potential.

SCE형 전자 방출 소자는 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 두 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다. The SCE type electron emission device forms an electron emission portion by providing a conductive thin film between a first electrode and a second electrode disposed to face each other on a substrate, and providing a micro crack in the conductive thin film, and applying a voltage to both electrodes to conduct the conductive film. When a current flows to the surface of the thin film, electrons are emitted from the electron emission unit.

그리고, FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질을 일 함수(work function) 낮거나 종횡비가 큰 물질을, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.In addition, the FEA type electron emission device has an electron emission portion and a driving electrode for controlling electron emission of the electron emission portion, and includes one cathode electrode and one gate electrode, and the material of the electron emission portion has a low work function. For example, a material having a high aspect ratio, such as carbon nanotubes and carbon-based materials such as graphite and diamond-like carbon, uses a principle that electrons are easily released by an electric field in vacuum.

한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디 바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 다른 일 기판과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.On the other hand, the electron-emitting device is formed in an array on one substrate to form an electron emission device (electron emission device), the electron-emitting device is combined with another substrate having a light emitting unit consisting of a fluorescent layer and an anode electrode, etc. An electron emission display device is configured.

즉, 통상의 전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여, 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출부의 온/오프와 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출되는 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.That is, a conventional electron emitting device has a plurality of driving electrodes which function as scan electrodes and data electrodes in addition to the electron emitting part, so that the electron emitting part on / off and the electron for each pixel are operated by the action of the electron emitting part and the driving electrodes. Control the amount of release. In addition, the electron emission display device excites the fluorescent layer with electrons emitted from the electron emission unit to perform a predetermined light emission or display function.

이 전자 방출 표시 디바이스는 전자를 방출 및 가속하여 형광층을 발광시키므로 내부를 고진공으로 유지하는 것이 요구된다. 따라서 전자 방출 표시 디바이스에 게터를 설치하고, 배기 및 봉입 후에 게터를 활성화(getter flashing)시켜 전자 방출 표시 디바이스 내부의 잔류 기체들을 화학적으로 흡착한다.Since the electron emission display device emits and accelerates electrons and emits a fluorescent layer, it is required to keep the interior at a high vacuum. Therefore, the getter is installed in the electron emission display device, and the getter flashing is activated after exhausting and encapsulation to chemically adsorb residual gas inside the electron emission display device.

이 게터는 게터 물질이 활성화되었을 때의 상태에 따라 비증발형 게터(non-evaporable getter)와 증발형 게터(evaporable getter)로 구분된다. 예를 들면, 전자 방출 표시 디바이스는 증발형 게터와 비증발형 게터 중 하나의 게터를 선택하여 적용한다.This getter is divided into a non-evaporable getter and an evaporable getter according to the state when the getter material is activated. For example, the electron emission display device selects and applies one of a getter of an evaporative getter and a non-evaporable getter.

이 비증발형 게터는 활성화 온도까지 가열되어 전자 방출 표시 디바이스 내부의 잔류 기체들을 화학적으로 흡착하여 진공도를 향상시킨다. 그리고 증발형 게터는 가열에 의하여 증발되는 게터가 기판 면에 게터막을 형성하고 이 게터막이 전 자 방출 표시 디바이스 내부의 잔류 기체들을 화학적으로 흡착하여 진공도를 향상시킨다.This non-evaporable getter is heated to the activation temperature to chemically adsorb residual gases inside the electron emission display device to improve the degree of vacuum. In the evaporation type getter, the getter, which is evaporated by heating, forms a getter film on the surface of the substrate, and the getter film chemically adsorbs residual gases inside the electron emission display device to improve the degree of vacuum.

한편, 전자 방출 표시 디바이스는 표시영역과 이의 외곽에 구비되는 비표시영역을 포함한다. 그리고 상기와 같은 게터는 전자 방출 표시 디바이스 내부의 비표시영역에 삽입되어 구비되거나, 전자 방출 표시 디바이스 외부에 별도의 게터 챔버를 사용하여 구비된다.On the other hand, the electron emission display device includes a display area and a non-display area provided outside the display area. The getter as described above may be inserted into a non-display area inside the electron emission display device or may be provided using a separate getter chamber outside the electron emission display device.

따라서, 전자 방출 표시 디바이스는 상기 게터들을 내부에 구비되거나, 외부의 게터 챔버에 구비하는 경우, 게터 활성화 시, 게터를 가열하기 위한 설비, 즉 레이저, 고주파 또는 전류 등을 발생시키는 설비를 별도로 요구하는 문제점을 가진다.Therefore, when the getters are provided inside or in an external getter chamber, the electron emission display device requires a separate facility for heating the getter, that is, generating a laser, a high frequency wave, or a current when the getter is activated. I have a problem.

또한, 전자 방출 표시 디바이스는 외부 설비들을 내부의 게터에 연결하거나, 게터 챔버를 내부에 연결하기 위하여 기판에 별도의 게터 홀을 형성하여야 하는 문제점을 가진다.In addition, the electron emission display device has a problem in that a separate getter hole must be formed in the substrate in order to connect external facilities to an internal getter or to connect the getter chamber therein.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 게터 활성화를 위한 별도의 설비를 제거하는 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention relates to an electron emission display device and a method of manufacturing the same that removes a separate facility for getter activation.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스는, 서로 대향 배치되어 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 형성되는 전자 방출 디바이스와, 상기 전자 방출 디바이스에 대응하여 상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛과, 상기 제1 기판에 부착되어 배기 홀에 연결되고 끝이 밀봉되는 배기관, 및 상기 배기관에 내장되는 게터를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, an electron emission device according to an embodiment of the present invention, the first substrate and the second substrate which is disposed opposite to each other and constitutes a vacuum container, and the electron emission device formed on the first substrate, And a light emitting unit formed on the second substrate corresponding to the electron emitting device, an exhaust pipe attached to the first substrate, connected to an exhaust hole, and sealed at an end thereof, and a getter embedded in the exhaust pipe.

상기 게터는 상기 배기관의 내부 벽면에 도포 형성될 수 있다.The getter may be formed on the inner wall of the exhaust pipe.

상기 게터는 증발형 게터 및 비증발형 게터 중 하나로 형성될 수 있다.The getter may be formed of one of an evaporative getter and a non-evaporable getter.

상기 증발형 게터는, 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The evaporation type getter is barium (Ba), titanium (Ti), vanadium (V), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), thorium (Th), cerium (Ce) , Phosphorus (P), barium (Ba) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, silver (Ag) -titanium (Ti) alloy, and zirconium (Zr) -nickel (Ni) alloy It may include at least one material selected from among.

상기 비증발형 게터는, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The non-evaporable getters are zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloys, zirconium (Zr) -vanadium (V) alloys, zirconium (Zr) -aluminum (Al) -vanadium (V) alloys, titanium (Ti)- It may include at least one material selected from a zirconium (Zr)-aluminum (Al) alloy, titanium (Ti)-zirconium (Zr)-vanadium (V) alloy.

상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 표시영역과 이 표시영역의 외곽에 비표시영역을 설정하며, 상기 배기 홀은 상기 비표시영역에 형성될 수 있다.The first substrate and the second substrate may set a display area and a non-display area outside the display area, and the exhaust hole may be formed in the non-display area.

상기 배기관은 상기 배기 홀을 둘러싸는 프릿을 개재하여 상기 제1 기판에 부착될 수 있다.The exhaust pipe may be attached to the first substrate via a frit surrounding the exhaust hole.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법은, 서로 대향하여 부착되는 두 기판 중 한 기판에 형성되는 배기 홀에 연결되도록 배기관을 상기 기판에 부착하는 단계와, 상기 배기관의 내부에 게터를 형성하는 단계, 및 상기 배기관을 가열하여 밀봉하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes attaching an exhaust pipe to the substrate so as to be connected to an exhaust hole formed in one of two substrates which are opposite to each other, and the inside of the exhaust pipe. Forming a getter, and sealing the exhaust pipe by heating.

상기 게터 형성 단계는 그 전후에 진행되며 상기 두 기판의 내부를 배기하는 단계를 포함할 수 있다.The getter forming step may be performed before and after and may include evacuating the interior of the two substrates.

상기 게터 형성 단계는 상기 배기관의 내부 벽면에 게터 물질을 도포할 수 있다.The getter forming step may apply a getter material to the inner wall of the exhaust pipe.

상기 게터 형성 단계는 상기 배기관의 내부 벽면에 증발형 게터 물질 및 비증발형 게터 물질 중 하나의 물질을 도포할 수 있다.The getter forming step may apply a material of one of an evaporative getter material and a non-evaporable getter material to the inner wall of the exhaust pipe.

상기 게터 형성 단계는 상기 증발형 게터 물질인, 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 도포할 수 있다.The getter forming step may include barium (Ba), titanium (Ti), vanadium (V), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), and thorium (Th). ), Cerium (Ce), phosphorus (P), barium (Ba) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, silver (Ag) -titanium (Ti) alloy, and zirconium (Zr) At least one material selected from nickel (Ni) alloys may be applied.

상기 게터 형성 단계는 상기 비증발형 게터인, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 도포할 수 있다.The getter forming step may be the non-evaporable getter, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) -vanadium (V) alloy, At least one material selected from a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy and a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy may be applied.

상기 배기관 밀봉 단계는 상기 배기관을 가열하는 열에 의하여 상기 게터를 활성화시키는 단계를 포함할 수 있다.The exhaust pipe sealing step may include activating the getter by heat for heating the exhaust pipe.

상기 배기관 밀봉 단계는 상기 배기관을 밀봉하는 단계와 상기 게터를 활성화시키는 단계를 동시에 진행할 수 있다.The exhaust pipe sealing step may include simultaneously sealing the exhaust pipe and activating the getter.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세하게 설명하 면 다음과 같다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 평면도이고, 도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 일부를 분해하여 도시한 사시도이다.1 is a plan view of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of a part of the electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

이 도면들을 참조하면, 본 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스(100)는 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 이 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(6)가, 일례로서 프릿(frit)이 배치되어 두 기판(2, 4)을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10^-6torr의 진공도로 배기되어, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재(6)가 진공 용기를 구성한다.Referring to these drawings, the electron emission display device 100 according to the present exemplary embodiment includes a first substrate 2 and a second substrate 4 disposed to face each other at a predetermined interval. At the edge of the first substrate 2 and the second substrate 4, a sealing member 6, for example, a frit is arranged to bond the two substrates 2 and 4 to each other, and the internal space is approximately 10 ^−. The evacuation is carried out at a vacuum of ⁶ torr, so that the first substrate 2, the second substrate 4 and the sealing member 6 constitute a vacuum container.

이 전자 방출 표시 디바이스(100)는 임의의 발광 및 표시를 구현하는 표시영역(8)과, 이 표시영역(8)의 외곽에 형성되어 표시를 구현하지 않는 비표시영역(10)을 구비한다.The electron emission display device 100 includes a display area 8 for implementing arbitrary light emission and display, and a non-display area 10 formed outside the display area 8 to implement no display.

제1 기판(2) 중 제2 기판(4)에 대향하는 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 어루며 배치되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스(110)를 구성하고, 이 전자 방출 디바이스(110)가 스페이서들(30)을 개재하여 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛(120)과 결합되어, 전자 방출 표시 디바이스(100)의 표시영역(8)을 구성한다.On the opposite surface of the first substrate 2 opposite the second substrate 4, electron emission elements are arranged in an array to form the electron emission device 110 together with the first substrate 2, which emits electrons. The device 110 is coupled to the second substrate 4 and the light emitting unit 120 provided on the second substrate 4 via the spacers 30 to display the display area 8 of the electron emission display device 100. Configure

제1 기판(2) 위에는 캐소드 전극들(12)이 제1 기판(2)의 일 방향(도2의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(14)이 형성된다. 제1 절연층(14) 위에는 게이트 전극들(16)이 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향(도2의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.Cathode electrodes 12 are formed on the first substrate 2 in a stripe pattern along one direction (y-axis direction of FIG. 2) of the first substrate 2, and cover the cathode electrodes 12 while the first substrate 2 is covered. The first insulating layer 14 is formed on the entire substrate 2. Gate electrodes 16 are formed on the first insulating layer 14 in a stripe pattern along a direction orthogonal to the cathode electrode 12 (the x-axis direction of FIG. 2).

이 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(16)의 교차 영역을 단위 화소로 정의하면, 캐소드 전극들(12) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출부들(18)이 형성된다. 그리고 제1 절연층(14)과 게이트 전극들(16)에는 각 전자 방출부(18)에 대응하는 개구부(141, 161)가 각각 형성되어, 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(18)가 노출되도록 한다.When the intersection area between the cathode electrodes 12 and the gate electrodes 16 is defined as a unit pixel, electron emission parts 18 are formed in each unit pixel above the cathode electrodes 12. In addition, openings 141 and 161 corresponding to the electron emission units 18 are formed in the first insulating layer 14 and the gate electrodes 16, respectively, and the electron emission units 18 are formed on the first substrate 2. ) Is exposed.

이 전자 방출부(18)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(㎚) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC), C₆, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 그 제조법으로 스크린 인쇄, 직접 성장, 스퍼터링 또는 화학기상증착(CVD) 등을 적용할 수 있다.The electron emission unit 18 may be made of materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer (nm) size material. The electron emission unit 20 may include carbon nanotubes (CNT), graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons (DLC), C ₆ , silicon nanowires, and combinations thereof. Printing, direct growth, sputtering or chemical vapor deposition (CVD) can be applied.

다른 한편으로, 전자 방출부(18)는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 끝이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the electron emission unit 18 may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

이 전자 방출부들(18)은 각 단위 화소에서 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16) 중 어느 한 전극, 일례로 캐소드 전극(12)의 길이 방향을 따라 일렬로 위치할 수 있으며, 원형의 평면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 단위 화소별 전자 방출부 들(18)의 배열 형상과 전자 방출부(18)의 평면 형상은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.The electron emission portions 18 may be positioned in a line along the length direction of one of the cathode electrode 12 and the gate electrode 16, for example, the cathode electrode 12, in each unit pixel. It may be formed to have a shape. The arrangement of the electron emission units 18 and the planar shape of the electron emission units 18 for each pixel are not limited to the illustrated example, and may be variously modified.

또한, 상기에서는 제1 절연층(14)을 사이에 두고 게이트 전극들(16)이 캐소드 전극들(12) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하며, 이 경우 전자 방출부들은 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다(미도시).In addition, in the above, the structure in which the gate electrodes 16 are positioned on the cathode electrodes 12 with the first insulating layer 14 therebetween has been described, but the gate electrodes have the first insulating layer interposed therebetween. A structure located below the electrodes is also possible, in which case the electron emission parts may be formed on the side of the cathode electrode over the first insulating layer (not shown).

그리고, 게이트 전극들(16)과 제1 절연층(14) 위로 집속 전극(22)이 형성된다. 이 집속 전극(22)의 하부에는 제2 절연층(20)이 위치하여 게이트 전극들(16)과 집속 전극(22)을 절연시킨다. 그리고 이 집속 전극(22) 및 제2 절연층(20)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(221, 201)가 각각 마련된다.The focusing electrode 22 is formed on the gate electrodes 16 and the first insulating layer 14. The second insulating layer 20 is positioned below the focusing electrode 22 to insulate the gate electrodes 16 and the focusing electrode 22. Openings 221 and 201 for passing the electron beam are also provided in the focusing electrode 22 and the second insulating layer 20, respectively.

이 개구부(221, 201)는 단위 화소마다 하나씩 형성되어 집속 전극(22)이 하나의 단위 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하거나, 각 게이트 전극(16)의 개구부(161)마다 하나씩 형성되어 각 전자 방출부(18)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속할 수 있다. 도면에서는 일례로 전자(前者)의 경우를 도시하였다. Each of the openings 221 and 201 is formed for each unit pixel so that the focusing electrode 22 collectively focuses electrons emitted from one unit pixel, or one for each of the openings 161 of each gate electrode 16, respectively. Electrons emitted from the electron emitter 18 may be individually focused. In the drawings, the former case is illustrated as an example.

이 집속 전극(22)은 전자 방출부(18)와의 높이 차이가 클수록 우수한 집속 효과를 발휘하므로, 제2 절연층(20)의 두께를 제1 절연층(14)의 두께보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.Since the focusing electrode 22 exhibits an excellent focusing effect as the height difference from the electron emission unit 18 increases, the thickness of the second insulating layer 20 is greater than that of the first insulating layer 14. Do.

이러한 집속 전극(22)은 제1 기판(2)의 전체에 형성된다. 또한, 집속 전극 (22)은 제2 절연층(20) 위에 코팅된 도전막으로 이루어지거나 개구부(221)를 구비한 금속 플레이트로 이루어질 수 있다.This focusing electrode 22 is formed on the entirety of the first substrate 2. In addition, the focusing electrode 22 may be made of a conductive film coated on the second insulating layer 20 or may be made of a metal plate having an opening 221.

한편, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(24), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(24R, 24G, 24B)이 서로 간에 소정의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(24) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(26)이 형성된다. 이 형광층(24)은 제1 기판(2)에 설정된 단위 화소마다 하나의 형광층(24)이 대응하도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 흑색층(26)은 형광층(24)을 제외한 비발광 영역에 형성된다.Meanwhile, on one surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2, the fluorescent layer 24, for example, the red, green, and blue fluorescent layers 24R, 24G, and 24B are spaced apart from each other. The black layer 26 is formed between the fluorescent layers 24 to improve contrast of the screen. The fluorescent layer 24 may be disposed such that one fluorescent layer 24 corresponds to each unit pixel set on the first substrate 2, and in this case, the black layer 26 may have a ratio except for the fluorescent layer 24. It is formed in the light emitting area.

이 형광층(24)과 흑색층(26) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(28)이 형성된다. 애노드 전극(28)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가 받아 형광층(24)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(24)에서 방사되는 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.An anode electrode 28 made of a metal film such as aluminum (Al) is formed on the fluorescent layer 24 and the black layer 26. The anode electrode 28 receives the high voltage required for electron beam acceleration from the outside to maintain the fluorescent layer 24 in a high potential state, and visible light emitted toward the first substrate 2 of the visible light emitted from the fluorescent layer 24. Is reflected to the second substrate 4 side to increase the brightness of the screen.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(4)을 향한 형광층(24)과 흑색층(26)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 사용하는 구조로 가능하다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) rather than a metal film. In this case, the anode is positioned on one surface of the fluorescent layer 24 and the black layer 26 facing the second substrate 4. Further, it is possible to have a structure in which the above-mentioned transparent conductive film and the metal film are simultaneously used as the anode electrode.

그리고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 다수의 스페이서들(30)이 상기한 바와 같이 배치된다. 이 스페이서들(30)은 형광층(24)을 침범하지 않도록 흑색 층(26)에 대응하여 위치한다.In addition, a plurality of spacers 30 are disposed between the first substrate 2 and the second substrate 4 to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the distance between the two substrates constant. These spacers 30 are positioned corresponding to the black layer 26 so as not to invade the fluorescent layer 24.

그러나, 본 발명에서 전자 방출 표시 디바이스의 표시영역(8)은 상기의 구조에 한정되는 것이 아니며, 상기 전극들 외에 별도의 전극을 구비하거나 집속 전극을 구비하지 않는 등 다양하게 변형될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.However, in the present invention, the display area 8 of the electron emission display device is not limited to the above structure, and may be variously modified, such as having a separate electrode or no focusing electrode in addition to the electrodes. It also belongs to the scope of the present invention.

또한, 상기에서는 일례로 FEA형 전자 방출 표시 디스플레이를 적용한 경우에 대하여 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 따라서 표시영역이 FEA형 전자 방출 표시 디바이스 이외의 냉음극 전자원을 구비하는 기타 전자 방출 표시 디바이스의 구조를 가질 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.In addition, the above has been described a case where the FEA type electron emission display is applied, but the present invention is not limited thereto. Therefore, the display area may have the structure of other electron emission display devices having a cold cathode electron source other than the FEA type electron emission display device, which is also within the scope of the present invention.

한편, 비표시영역(10)은, 표시영역(8)에 형성되는 캐소드 전극들(12), 게이트 전극들(16) 및 집속전극들(22)을 각각 외부 단자(미도시)에 연결할 수 있게 하고, 내부 공간의 진공 상태를 형성할 수 있게 하는 포괄적인 영역이다.Meanwhile, the non-display area 10 may connect the cathode electrodes 12, the gate electrodes 16, and the focusing electrodes 22 formed in the display area 8 to external terminals (not shown), respectively. And it is a comprehensive area | region which can form the vacuum state of an internal space.

도3에 도시된 바와 같이, 비표시영역(10)은 내부 공간의 배기 및 진공 형성을 위하여, 제1 기판(2)에 배기 홀(32)과 배기관(34) 및 게터(38, 도3 참조)를 구비한다. 이 배기 홀(32)과 배기관(34) 및 게터(38)는 이하에 기재되는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법에 의하여 형성되는 것으로서, 편의상 이 제조 방법을 설명하면서 구성을 설명한다.As shown in FIG. 3, the non-display area 10 refers to the exhaust hole 32, the exhaust pipe 34, and the getter 38 and the getter 38 in the first substrate 2 for exhaust and vacuum formation of the internal space. ). The exhaust hole 32, the exhaust pipe 34, and the getter 38 are formed by the electron emission display device manufacturing method described below, and the configuration will be described while explaining the manufacturing method for convenience.

도4a, 도4b 및 도4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에서 각 공정을 도시한 단면도이다.4A, 4B, and 4C are cross-sectional views illustrating respective processes in the method of manufacturing the electron emission display device according to the exemplary embodiment of the present invention.

서로 대향하여 부착되는 두 기판(2, 4) 중, 제1 기판(2)에는 내부 공간의 배 기를 위한 배기 홀(32)이 형성되어 있다. 이 배기 홀(32)은 공지의 전자 방출 표시 디바이스에서도 제1 기판(2)에 형성되어 있다. 따라서 본 발명은 이와 같이 기존에 있는 배기 홀(32)을 이용하여, 별도로 게터 홀을 구비할 필요가 없게 한다.Of the two substrates 2 and 4 attached to each other, the first substrate 2 is provided with an exhaust hole 32 for exhausting the internal space. This exhaust hole 32 is also formed in the first substrate 2 in a known electron emission display device. Accordingly, the present invention eliminates the need for a separate getter hole by using the existing exhaust hole 32.

먼저, 이 배기 홀(32)에 배기관(34)을 부착한다(도4a 참조). 이 배기관(34) 부착 공정은 배기 홀(32)의 주위에 배기 홀(32)을 둘러싸는 구조로 프릿(36)을 구비하고, 이 프릿(36)을 개재하여 배기관(34)을 제1 기판(20)에 부착함으로써, 배기관(34)을 배기 홀(32)에 연결한다.First, an exhaust pipe 34 is attached to this exhaust hole 32 (see Fig. 4A). The exhaust pipe 34 attaching process includes a frit 36 having a structure surrounding the exhaust hole 32 around the exhaust hole 32, and the exhaust pipe 34 is connected to the first substrate via the frit 36. By attaching to 20, the exhaust pipe 34 is connected to the exhaust hole 32.

이 배기관(34) 부착 후, 배기관(34) 내부에 게터(38)를 형성한다(도4b 참조). 이 게터(38) 형성 공정은 두 기판(2, 4)의 내부 공간을 배기시키는 배기 공정을 더 포함한다. 이 배기 공정은 게터(38) 형성 공정의 전후에 가능하다.After the exhaust pipe 34 is attached, a getter 38 is formed inside the exhaust pipe 34 (see Fig. 4B). The getter 38 forming process further includes an evacuation process for evacuating the internal spaces of the two substrates 2, 4. This evacuation process is possible before and after the getter 38 forming process.

즉, 게터(38) 형성 공정이 게터(38)를 배기관(34)의 내부 벽면에 고정시키게 되면, 즉 게터(38)가 배기관(34)의 내부 벽면에 견고하게 부착되면, 배기 공정은 게터(38) 형성 공정의 전후에 무관하게 진행될 수 있다. 즉, 게터 형성 공정이 선행하더라도 배기 공정시 게터(38)가 배기되지 않기 때문이다.That is, when the getter 38 forming process fixes the getter 38 to the inner wall of the exhaust pipe 34, that is, when the getter 38 is firmly attached to the inner wall of the exhaust pipe 34, the exhaust process is performed by the getter ( 38) can be carried out before or after the forming process. That is, even if the getter forming step precedes, the getter 38 is not exhausted during the exhaust step.

또한, 게터(38) 형성 공정이 게터(38)를 배기관(34)의 내부 벽면에 부착시키지 않고 단순히 배기관(34)의 내부 공간에 삽입해 두는 정도라면, 배기 공정은 게터(38) 형성 공정의 전에 진행하는 것이 바람직하다. 배기 공정이 선행됨으로써 배기 공정시, 게터(38)가 같이 배기되는 것을 방지하기 위함이다.In addition, if the getter 38 forming process is such that the getter 38 is simply inserted into the internal space of the exhaust pipe 34 without attaching the getter 38 to the inner wall surface of the exhaust pipe 34, the exhaust process is a process of forming the getter 38 process. It is preferable to proceed before. This is to prevent the getter 38 from being exhausted together in the exhaust process by preceding the exhaust process.

이 게터(38) 형성 공정은 예로 들어, 게터(38) 물질을 배기관(34)의 내부 벽면에 도포하는 방법으로 진행되며, 이때 증발형 게터 물질이나 비증발형 게터 물질 을 사용하여 도포할 수 있다.The getter 38 forming process is performed by, for example, applying the getter 38 material to the inner wall of the exhaust pipe 34, and may be applied using an evaporative getter material or a non-evaporable getter material. .

예를 들면, 게터(38) 형성 공정은 증발형 게터 물질인 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 도포할 수 있다.For example, the process of forming the getter 38 includes barium (Ba), titanium (Ti), vanadium (V), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), and tantalum (Ta), which are evaporative getter materials. , Thorium (Th), cerium (Ce), phosphorus (P), barium (Ba) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, silver (Ag) -titanium (Ti) alloy, and At least one material selected from zirconium (Zr) -nickel (Ni) alloys may be applied.

또한, 예를 들면, 게터(38) 형성 공정은 비증발형 게터인 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 도포할 수도 있다.Further, for example, the getter 38 forming process is a zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, a zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy, a zirconium (Zr) -aluminum (Al)-which is a non-evaporable getter. At least one material selected from a vanadium (V) alloy, a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, and a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy may be applied.

이 배기 및 게터(38) 형성 후, 배기관(34)을 가열하여 밀봉한다(도4c 참조). 보다 자세히 설명하면, 제1 기판(2)의 반대측에서 배기관(34)을 가열하여 밀봉한 다음, 배기관(34)의 최소 길이만을 남겨두고 불필요한 부분(35)을 잘라낸다(tip off).After the exhaust and the getter 38 are formed, the exhaust pipe 34 is heated and sealed (see Fig. 4C). In more detail, the exhaust pipe 34 is heated and sealed on the opposite side of the first substrate 2, and then the unnecessary portion 35 is cut off while leaving only the minimum length of the exhaust pipe 34.

이 배기관(34) 밀봉 공정은 게터(38) 활성화 공정을 포함한다. 즉 밀봉 시 배기관(34)에 가해지는 열에 의하여 배기관(34) 내부의 게터(38)가 활성화된다. 따라서 배기관(34) 밀봉 공정과 게터(38) 활성화 공정은 동시에 진행된다.This exhaust pipe 34 sealing process includes a getter 38 activation process. That is, the getter 38 inside the exhaust pipe 34 is activated by the heat applied to the exhaust pipe 34 during sealing. Therefore, the exhaust pipe 34 sealing process and the getter 38 activation process proceed simultaneously.

이 배기관(34)을 밀봉하기 위하여 가해지는 열은 일례로 비증발형의 게터(38)를 활성화시키고, 이렇게 활성화된 게터(38)는 배기 홀(32)을 통하여 내부 공간의 잔류 가스를 화학적으로 흡착하여 진공도를 향상시킨다.The heat applied to seal the exhaust pipe 34 activates, for example, the non-evaporable getter 38, and the activated getter 38 chemically removes residual gas in the internal space through the exhaust hole 32. Adsorption improves the degree of vacuum.

또한, 증발형인 경우 게터(38)는 배기관(34)에 가해지는 열에 의하여 증발되어 배기 홀(32)에 대응하는 비표시영역(10)의 제2 기판(4)에 게터막(미도시)을 형성하고, 이 게터막이 화학적 진공 펌프로 작용하여 내부 공간의 잔류 가스를 화학적으로 흡착하여 진공도를 향상시킨다.In addition, in the case of the evaporation type, the getter 38 is evaporated by the heat applied to the exhaust pipe 34 so that the getter film (not shown) is applied to the second substrate 4 of the non-display area 10 corresponding to the exhaust hole 32. This getter film acts as a chemical vacuum pump to chemically adsorb the residual gas in the internal space to improve the degree of vacuum.

이와 같이 본 발명의 일 실시예는 배기관(34)에 게터(38)를 형성하므로 빈 공간으로 유지되고 있던 배기관(34)을 활용하므로, 기존에 사용되는 게터 챔버와 및 게터를 가열하기 위한 기타 설비들을 불필요하게 한다.Thus, one embodiment of the present invention forms a getter 38 in the exhaust pipe 34, and thus utilizes an exhaust pipe 34 that was maintained in an empty space, and thus, a getter chamber and other facilities for heating the getter. Makes them unnecessary.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스에 의하면, 배기관 내에 게터를 도포하고 이 배기관을 밀봉할 때의 열로 게터를 활성화시키는 바와 같이, 배기 홀을 게터 홀로 사용하고 배기관을 게터 챔버로 사용하므로, 기판에 별도의 게터 홀을 구비하지 않게 하고 또한 게터 활성화를 위한 별도의 설비나 공정을 구비하지 않게 하는 효과가 있다. 즉 본 발명은 배기관의 밀봉 공정으로 게터 활성화를 구현할 수 있다.As described above, according to the electron emission display device according to the present invention, the exhaust hole is used as the getter hole and the exhaust pipe is used as the getter chamber, as the getter is applied in the exhaust pipe and the getter is activated by the heat when sealing the exhaust pipe. In addition, there is an effect of not having a separate getter hole on the substrate and not having a separate facility or process for activating the getter. That is, the present invention can implement getter activation by the sealing process of the exhaust pipe.

Claims (15)

서로 대향 배치되어 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과;A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other to constitute a vacuum container; 상기 제1 기판에 형성되는 전자 방출 디바이스와;An electron emission device formed on said first substrate; 상기 전자 방출 디바이스에 대응하여 상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛과;A light emitting unit formed in the second substrate corresponding to the electron emitting device; 상기 제1 기판에 부착되어 배기 홀에 연결되고 끝이 밀봉되는 배기관; 및An exhaust pipe attached to the first substrate and connected to an exhaust hole and sealed at an end thereof; And 상기 배기관에 내장되는 게터를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And a getter embedded in said exhaust pipe. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게터는 상기 배기관의 내부 벽면에 도포 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.And the getter is formed on the inner wall of the exhaust pipe. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게터는 증발형 게터 및 비증발형 게터 중 하나로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.And the getter is formed of one of an evaporative getter and a non-evaporable getter. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 증발형 게터는, 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨(Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄 (Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.The evaporation type getter is barium (Ba), titanium (Ti), vanadium (V), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), thorium (Th), cerium (Ce) , Phosphorus (P), barium (Ba) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, silver (Ag) -titanium (Ti) alloy, and zirconium (Zr) -nickel (Ni) alloy An electron emission display device comprising at least one material selected from among. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 비증발형 게터는, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.The non-evaporable getters are zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloys, zirconium (Zr) -vanadium (V) alloys, zirconium (Zr) -aluminum (Al) -vanadium (V) alloys, titanium (Ti)- An electron emission display device comprising at least one material selected from a zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy and a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 표시영역과 이 표시영역의 외곽에 비표시영역을 설정하며,The first substrate and the second substrate set a display area and a non-display area outside the display area. 상기 배기 홀은 상기 비표시영역에 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.And the exhaust hole is formed in the non-display area. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 배기관은 상기 배기 홀을 둘러싸는 프릿을 개재하여 상기 제1 기판에 부착되는 전자 방출 표시 디바이스.And the exhaust pipe is attached to the first substrate via a frit surrounding the exhaust hole. 서로 대향하여 부착되는 두 기판 중 한 기판에 형성되는 배기 홀에 연결되도 록 배기관을 상기 기판에 부착하는 단계와;Attaching an exhaust pipe to said substrate so as to be connected to an exhaust hole formed in one of two substrates opposite to each other; 상기 배기관의 내부에 게터를 형성하는 단계; 및Forming a getter in the exhaust pipe; And 상기 배기관을 가열하여 밀봉하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.Heating and sealing said exhaust pipe. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 게터 형성 단계는 그 전후에 진행되며 상기 두 기판의 내부를 배기하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.And the getter forming step is performed before and after the step of evacuating the interior of the two substrates. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 게터 형성 단계는 상기 배기관의 내부 벽면에 게터 물질을 도포하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.And wherein said getter forming step applies a getter material to an inner wall of said exhaust pipe. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 게터 형성 단계는 상기배기관의 내부 벽면에 증발형 게터 물질 및 비증발형 게터 물질 중 하나의 물질을 도포하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.And forming the getter to apply one of an evaporable getter material and a non-evaporable getter material to the inner wall of the exhaust pipe. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 게터 형성 단계는 상기 증발형 게터 물질인, 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 토륨(Th), 세륨 (Ce), 인(P), 바륨(Ba)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 은(Ag)-티타늄(Ti) 합금, 및 지르코늄(Zr)-니켈(Ni) 합금 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 도포하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.The getter forming step may include barium (Ba), titanium (Ti), vanadium (V), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), and thorium (Th). ), Cerium (Ce), phosphorus (P), barium (Ba) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, silver (Ag) -titanium (Ti) alloy, and zirconium (Zr) -A method of manufacturing an electron emission display device for applying at least one material selected from nickel (Ni) alloys. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 게터 형성 단계는 상기 비증발형 게터인, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금, 지르코늄(Zr)-알루미늄(Al)-바나듐(V) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-알루미늄(Al) 합금, 티타늄(Ti)-지르코늄(Zr)-바나듐(V) 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 도포하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.The getter forming step may be the non-evaporable getter, zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy, zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy, zirconium (Zr) -aluminum (Al) -vanadium (V) alloy, A method of manufacturing an electron emission display device for applying at least one material selected from a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -aluminum (Al) alloy and a titanium (Ti) -zirconium (Zr) -vanadium (V) alloy. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 배기관 밀봉 단계는 상기 배기관을 가열하는 열에 의하여 상기 게터를 활성화시키는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.And said exhaust pipe sealing step includes activating said getter by heat to heat said exhaust pipe. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 배기관 밀봉 단계는 상기 배기관을 밀봉하는 단계와 상기 게터를 활성화시키는 단계를 동시에 진행하는 전자 방출 표시 디바이스 제조 방법.And the sealing of the exhaust pipe comprises simultaneously sealing the exhaust pipe and activating the getter.

Images