KR20070073105A

KR20070073105A - 표시 기판

Info

Publication number: KR20070073105A
Application number: KR1020060000651A
Authority: KR
Inventors: 류혜영
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-01-03
Filing date: 2006-01-03
Publication date: 2007-07-10

Abstract

리페어 효율을 향상시키기 위한 표시 기판이 개시된다. 베이스 기판은 복수의 데이터 라인들 및 복수의 게이트 라인들에 의해 복수의 화소부들이 정의된 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 이루어진다. 리페어 라인은 표시 영역을 둘러싸도록 주변 영역에 형성되고, 데이터 라인들과 교차하도록 형성된다. 리페어 패턴은 각 데이터 라인과 중첩되고 콘택홀을 통해 연결되는 제1 영역과, 리페어 라인과 중첩되는 제2 영역으로 이루어진다. 이에 따라, 리페어 패턴을 데이터 라인의 상부에 형성하여 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

레이저 쇼트, 리페어 라인, 몰리브덴, 단선

Description

표시 기판{DISPLAY SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 평면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 표시 기판의 부분 확대도이다.

도 3은 도 2에 도시된 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

도 5는 도 4에 도시된 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 기판의 부분 확대도이다.

도 9는 도 8에 도시된 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

도 11은 도 10에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

R1, R2 : 제1, 제2 리페어 영역 C : 단선 영역

130 : 리페어 라인 141, 142, 143, 144 : 리페어 패턴

151, 152, 153, 154 : 콘택홀 202 : 게이트 절연막

203 : 패시베이션층 240 : 전극 패턴

본 발명은 표시 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리페어 효율을 향상시키기 위한 표시 기판에 관한 것이다.

일반적으로 표시 기판은 주사 신호를 전달하는 게이트 라인, 화상 신호를 전달하는 데이터 라인, 게이트 라인과 데이터 라인에 연결된 스위칭소자, 상기 스위칭 소자에 연결된 화소 전극으로 이루어진 화소(Pixel)가 매트릭스 형태로 형성된다. 따라서, 스위칭 소자는 게이트 라인을 통해 인가되는 주사 신호에 의해 구동되어 화상 신호를 화소전극으로 인가한다.

상기 게이트 라인과 데이터 라인 각각은 상기 화소마다 형성되기 때문에 마이크로 미터 단위 이하의 매우 미세한 크기로 형성된다. 따라서, 표시 기판의 제조 과정에서 데이터 라인이 단선될 경우, 데이터 라인 중 단선된 부분에는 데이터 구동 신호가 전달되지 않아 전체 패널의 사용이 불가능하게 된다. 이처럼 패널상의 데이터 라인들 중 한 두 개가 단선된 경우를 모두 불량 처리한다면, LCD 패널의 생산 수율이 너무 낮아지게 된다.

따라서, 이러한 불량을 수리하기 위하여 추가 배선(Redundancy) 즉, 리페어 라인(Repair Line)을 형성하는 기술이 일반적으로 사용되고 있다. 상기 리페어 라인은 정상시에는 절연막을 경계로 라인의 배선과 전기적으로 분리되고, 특정 부위의 데이터 라인의 단선시에는 상기 리페어 라인에 의해 상기 데이터 라인에 연결된 화소들이 정상적으로 동작되어 패널의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.

상기 리페어 라인이 Cr 및 AlNd로 이루어진 이중막 구조이고, 상기 데이터 라인이 Cr 및 AlNd로 이루어진 이중막 구조에서는, 상기 데이터 라인과 상기 리페어 라인이 교차되는 지점에 레이저 쇼트를 함으로써 리페어를 진행하게 된다. 이처럼 게이트 라인 및 데이터 라인이 Cr 및 AlNd으로 구성된 이중막 구조인 경우, 레이저가 상대적으로 막 두께가 얇고 녹는점이 높은 Cr층을 통과한 후에 상부의 AlNd까지 뚫으면, 상기 금속이 녹으면서, 하부의 게이트 라인과 상부의 데이터 라인의 레이저 쇼트가 가능하게된다.

하지만 상기 게이트 라인이 알루미늄(Al)과 몰리브덴(Mo)이 적층된 이중막 구조이고, 상기 데이터 라인이 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 몰리브덴(Mo)이 적층된 삼중막 구조인 경우에는, 상대적으로 막 두께가 두껍고 녹는점이 낮은 알루미늄(Al)이 하부층을 형성하고 있으므로, 레이저 쇼트시 가장 먼저 에너지에 노출되게 되는 알루미늄(Al)에 너무나 큰 에너지가 가해짐으로 인해서, 레이저 쇼트가 어려워지는 문제가 있으며, 이는 상부의 데이터 라인 역시 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al)으로 형성되어, 레이저 쇼트를 통한 데이터 라인의 리페어가 더욱 어려운 문제가 발생한다.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 리페어 효율을 향상시키기 위한 표시 기판을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 기판은 베이스 기판, 리페어 라인 및 리페어 패턴을 포함한다. 상기 베이스 기판은 복수의 데이터 라인들 및 복수의 게이트 라인들에 의해 복수의 화소부들이 정의된 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 이루어진다. 상기 리페어 라인은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 상기 주변 영역에 형성되고, 상기 데이터 라인들과 교차하도록 형성된다. 상기 리페어 패턴은 각 데이터 라인과 중첩되고 콘택홀을 통해 연결되는 제1 영역과 상기 레페어 라인과 중첩되는 제2 영역으로 이루어진다.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 기판은 베이스기판, 리페어 라인 및 레이저 쇼트 포인트를 포함한다. 상기 베이스기판은 복수의 데이터 라인들 및 복수의 게이트 라인들에 의해 복수의 화소부들이 정의된 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 이루어진다. 상기 리페어 라인은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 상기 주변 영역에 형성되고, 상기 데이터 라인들과 교차하도록 형성된다. 상기 레이저 쇼트 포인트는 상기 데이터 라인들 중 단선이 발생한 임의의 데이터 라인과 중첩된 상기 리페어 라인의 에지 부분에 형성하여, 상기 데이터 라인과 상기 리페어 라인을 전기적으로 연결한다.

이러한 표시 기판에 의하면, 데이터 라인의 상부에 리페어 패턴을 형성하여, 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 1을 참조하면, 상기 표시 기판(100)은 표시 영역(DA)과 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 제1 주변 영역(PA1), 제2 주변 영역(PA2), 제3 주변 영역(PA3) 및 제4 주변 영역(PA4)으로 이루어진다.

상기 표시 영역(DA)은 제1 방향으로 연장된 게이트 라인(GL)들과, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터 라인(DL)들 및 상기 게이트 라인(GL)들과 상기 데이터 라인(DL)들에 의해 정의된 복수의 화소부(P)들을 포함한다.

상기 게이트 라인(GL)들은 하층으로부터 알루미늄(Al) 및 몰리브덴(Mo)이 순차적으로 적층된 이중막 구조를 갖으며, 상기 데이터 라인(DL)들은 하층으로부터 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 몰리브덴(Mo)이 순차적으로 적층된 삼중막 구조를 갖는다. 상기 리페어 라인(130)도 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 재질로 형성된 이중막 구조를 갖는다.

상기 제1 주변 영역(PA1)에는 게이트 신호들을 상기 게이트 배선(GL)들에 인가하는 게이트신호 입력부(110)가 형성된다. 상기 게이트신호 입력부(110)는 게이트 제어신호들이 입력되는 복수의 입력패드(111)들을 포함한다.

상기 제2 주변 영역(PA2)에는 데이터신호 입력부(210)가 형성된다. 상기 데이터신호 입력부(210)는 상기 데이터 배선(DL)들에 데이터 신호들을 인가하는 복수의 데이터 입력패드(211)들을 포함한다.

상기 제2 주변 영역(PA2)과 제3 및 제4 주변 영역(PA3, PA4)에는 리페어 라인(130)이 형성된다. 상기 리페어 라인(130)은 서로 교차하지 않도록 하나 이상이 형성되며, 상기 데이터 라인(DL)과 교차하도록 형성된다. 제1 리페어 영역(R1)과 제2 리페어 영역(R2)은 단선된 데이터 라인(C)을 사이에 두고 서로 대응되는 위치에 형성된다. 상기 제1, 제2 리페어 영역(R1, R2)은 상기 데이터 라인(DL)들과 교차하도록 형성된 리페어 라인(130)과, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되고 콘택홀을 통해 연결되는 제1 영역과 상기 리페어 라인(130)과 중첩되는 제2 영역으로 이루어진 리페어 패턴을 포함한다.

임의의 데이터 라인(DL)이 단선된 경우, 상기 제2 주변영역(PA2)에 위치한 제1 리페어 영역(R1)과 상기 제4 주변 영역(PA4)에 위치한 제2 리페어 영역(R2)을 통해 상기 단선된 데이터 라인(DL)을 리페어하게 된다.

<표시 기판의 실시예-1>

도 2는 도 1에 도시된 표시 기판의 부분 확대도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(DA)에는 상기 게이트 배선(GL)들과 상기 데이터 배선(DL)들에 의해 정의된 복수의 화소부(P)들을 포함한다. 각각의 화소부(P)에는 스위칭소자(TFT)와, 상기 스위칭 소자(TFT)에 연결된 화소 전극(106)이 형성된다. 구체적으로, 상기 스위칭소자(TFT)는 게이트 배선(GL)과 연결된 게이트 전극(101)과, 데이터 배선(DL)과 연결된 소스 전극(103) 및 상기 화소 전극(106)과 연결된 드레인 전극(104)을 포함한다. 상기 스위칭 소자(TFT)는 상기 게이트 전극 (101)과 소스 및 드레인 전극(103,104) 사이에 개재된 채널부(102)를 포함한다.

상기 제2 주변 영역(PA2)에는 데이터신호 입력부(210)와 제1 리페어 영역(R1)이 형성된다. 상기 데이터신호 입력부(210)는 상기 데이터 배선(DL)들에 데이터 신호들을 인가하는 복수의 데이터 입력패드(211)들을 포함한다. 상기 데이터 입력 패드(211)는 게이트 금속패턴(201), 게이트 절연층(202) 및 패시베이션층(203)을 포함한다.

구체적으로, 상기 데이터 입력 패드(211)는 데이터 배선의 일단부(201)와 전기적으로 연결된 전극 패턴(240)을 포함한다. 상기 게이트 절연층(202)에는 상기 게이트 금속 패턴(201)의 일부 영역을 노출시키는 콘택홀(250)이 형성된다. 상기 콘택홀은 상기 게이트 금속패턴(201) 위에 형성된 게이트 절연층(202) 및 패시베이션층(203)을 관통하여 상기 게이트 금속패턴(201)의 일부 영역을 노출시킨다.

상기 제1 리페어 영역(R1)은 상기 제2 주변 영역(PA2)에 형성된다. 제1 리페어 영역(R1)의 하부에는 리페어 라인(130)이 형성된다. 상기 리페어 라인(130)은 서로 교차하지 않도록 하나 이상이 형성되며, 제2, 제3 및 제4 주변 영역(PA2, PA3, PA4)에 형성된다. 상기 리페어 라인(130)은 상기 데이터 라인(DL)과 교차하도록 형성되며, 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 금속층으로 형성된다.

도3을 참조하면, 상기 제1 리페어 영역(R1)은 하부에 위치한 리페어 라인(130)을 커버하는 게이트 절연막(202)을 포함하며, 상기 게이트 절연막(202)의 상부에는 데이터 라인(DL)이 형성된다. 상기 데이터 라인(DL)은 패시베이션층(203)으로 커버되며, 상기 패시베이션층(203)의 상부에는 상기 리페어 라인(130)과 제2 영 역(A2)을 통해 레이저 쇼트되는 리페어 패턴(141)이 형성된다. 상기 리페어 패턴(141)은 상기 화소 전극(106)과 동일한 도전성 물질로 형성되며, 바람직하게는 장변과 단변을 한쌍씩 갖는 사각판의 모양을 갖는다.

구체적으로, 상기 리페어 패턴(141)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)은 서로 다른 수평선 위에 각각 위치한다. 상기 제1 영역(A1)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역에 콘택홀(151)이 형성되며, 상기 콘택홀(151)은 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 패턴(130)을 연결한다. 상기 제2 영역(A2)은 표시 기판(100)의 배면으로부터 레이저를 방사하여 형성된 레이저 쇼트 포인트(161a, 161b)가 위치한다.

따라서, 본 발명은 상기 제1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)의 상부에 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)을 포함하는 리페어 패턴(141)을 형성한다. 이를 통해서, 리페어 라인(130) 및 데이터 라인(DL)이 상기와 같은 재질로 형성된 경우, 상대적으로 막두께가 두껍고 녹는점이 낮은 알루미늄(Al)이 하부층을 형성하더라도, 레이저 쇼트를 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)간에 직접적으로 형성하지 않고, 리페어 패턴(141)을 이용하므로 리페어 마진을 증가시킬 수 있다.

상기 제4 주변 영역(PA4)에는 상기 제2 리페어 영역(R2)이 형성된다. 즉, 임의의 데이터 라인이 단선(C)된 경우. 단선 부위의 하부에는 제2 리페어 영역(R2)이 형성되어 단선된 데이터 라인(C)으로 데이터 신호를 인가한다. 상기 제2 리페어 영역(R2)은 상기 제1 리페어 영역(R1)과 동일한 구조로 형성되므로 이하 설명은 생략하기로 한다.

따라서, 본 발명에 따르면, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)간의 레이저 쇼트를 직접적으로 형성하지 않고, 상기 데이터 라인(DL) 위에 상기 리페어 패턴(141)을 형성하여 레이저 쇼트를 함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-2>

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이고, 도 5는 도 4에 도시된 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 4를 참조하면, 상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)의 상부에 리페어 패턴(142)을 형성한다. 상기 리페어 패턴(142)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)을 포함하고, 상기 화소 전극(106)과 동일한 도전성 물질로 형성된다.

구체적으로, 상기 리페어 패턴(142)의 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)은 서로 다른 수평선 위에 각각 위치한다. 바람직하게는 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)은 'ㄱ자' 모양을 형성한다. 이로 인해 리페어 패턴(142)이 사각판 형상으로 이루어진 상기 제1 실시예와 비교할 때, 상기 리페어 패턴(142)과 상기 리페어 라인(130)의 중첩영역이 감소되어 리페어 라인(130)의 배선 저항이 줄어드는 효과가 있다.

상기 제1 영역(A1)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되어 콘택홀(152)을 통해 연결된다. 상기 제2 영역(A2)은 표시 기판(100)의 배면으로부터 레이저를 방사하여 레이저 쇼트 포인트(162)가 형성된다.

한편, 단선된 데이터 라인(C)의 하부에는 제2 리페어 영역(R2)이 형성된다. 상기 제2 리페어 영역(R2)은 상기 제1 리페어 영역(R1)과 동일한 구조로 형성되며, 단선된 데이터 라인(C)으로 데이터 신호를 인가한다.

따라서, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)간의 레이저 쇼트를 직접적으로 형성하지 않고, 상기 데이터 라인(DL) 위에 상기 리페어 패턴(142)을 형성하여 레이저 쇼트를 함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-3>

도 6을 참조하면, 상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)의 상부에 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)을 포함하는 리페어 패턴(143)을 형성한다. 상기 리페어 패턴(143)은 상기 화소 전극(106)과 동일한 도전성 물질로 형성된다.

구체적으로, 상기 리페어 패턴(143)의 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)은 서로 다른 수평선 위에 각각 위치한다. 바람직하게 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)은 'ㄷ자 '모양을 형성한다. 상기 제1 영역(A1)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되어 콘택홀(153)이 형성된다. 상기 제2 영역(A2)은 표시 기판(100)의 배면으로부터 레이저를 방사하여 레이저 쇼트 포인트(163a, 163b)가 형성된다.

한편, 단선된 데이터 라인의 하부에는 제2 리페어 영역(R2)이 형성된다. 상기 제2 리페어 영역(R2)은 상기 제1 리페어 영역(R1)과 동일한 구조로 형성되며, 단선된 데이터 라인(C)으로 데이터 신호를 인가한다.

따라서, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)간의 레이저 쇼트를 직접적으로 형성하지 않고, 상기 데이터 라인(DL) 위에 상기 리페어 패턴(143)을 형성하여 레이저 쇼트를 함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-4>

도 7을 참조하면, 상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)의 상부에 리페어 패턴(144)을 형성한다. 상기 리페어 패턴(144)은 한 쌍의 제1 영역(A1)과 한 쌍의 제2 영역(A2)을 포함하며, 상기 화소 전극(106)과 동일한 도전성 물질로 형성된다.

구체적으로, 상기 리페어 패턴(144)의 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)은 서로 다른 수평선 위에 각각 위치한다. 바람직하게 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)은 'ㅁ자 '모양을 형성한다. 상기 제1 영역(A1)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되어 콘택홀(154a, 154b)을 통해 연결된다. 상기 제2 영역(A2)은 표시 기판(100)의 배면으로부터 레이저를 방사하여 레이저 쇼트 포인트(164a, 164b)가 형성된다.

따라서, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)간의 레이저 쇼트를 직접적으로 형성하지 않고, 상기 데이터 라인(DL) 위에 상기 리페어 패턴(144)을 형성하여 레이저 쇼트를 함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-5>

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 기판의 부분 확대도이고, 도 9는 도 8에 도시된 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 8을 참조하면, 임의의 데이터 라인(DL)이 단선된 경우, 단선 부위를 중심으로 제1 리페어 영역(R1)과 제2 리페어 영역(R2)이 대칭되어 형성된다. 상기 제1 리페어 영역(R1)은 제2 주변 영역(PA2)에 형성되고, 상기 제2 리페어 영역(R2)은 제4 주변 영역(PA4)에 형성되어 단선된 데이터 라인에 데이터 신호를 인가하게 된다.

도 9를 참조하면, 상기 제2 주변 영역(PA2)에 위치한 제1 리페어 영역(R1)은 하부의 리페어 라인(130)을 게이트 절연막(202)이 커버하도록 형성되며, 상기 게이트 절연막(202) 위에 데이터 라인(DL)형성되고, 상기 데이터 라인(DL) 위에 패시베이션층(203)이 형성된다.

상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(165)를 형성하여, 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)을 전기적으로 연결시킨다. 상기 레이저 쇼트 포인트(165)는 상기 표시 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된다

즉, 레이저 쇼트 인가시, 레이저 인가가 가능한 영역의 중앙에 레이저 쇼트 를 형성하는 기존의 레이저 쇼트 포인트와 달리, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 레페어 라인(130)이 중첩되는 영역의 외곽에 레이저 쇼트를 인가해 준다. 이와 같이 중첩되는 영역의 리페어 라인(130) 경계부분에 레이저 쇼트를 인가하게 되면, 중첩되는 영역의 중앙에 레이저 쇼트를 인가할 경우에 비해, 상대적으로 레이저의 통과 경로가 단축된다. 따라서, 몰리브덴 및 알루미늄의 적층에 따른 금속간의 녹는점 차이에 따라 가해지는 에너지 차이에 의한 금속균열과 파편형성 등의 문제점을 해결할 수 있다.

한편, 단선된 데이터 라인(DL)의 하부에 위치한 제4 주변 영역(PA4)에는 제2 리페어 영역(R2)이 형성된다. 상기 제2 리페어 영역(R2)은 상기 제1 리페어 영역(R1)과 동일한 구조로 형성되며, 단선된 데이터 라인(C)으로 데이터 신호를 인가한다.

따라서, 제5 실시예에 따르면, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역에 위치한 리페어 라인(130)의 경계부분을 증가시킬 수 있는 리페어 라인(130) 구조를 제공한다. 이를 통해, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩된 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(165)를 복수개 형성함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-6>

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리페어 패턴 확대도이고, 도 11은 도 10에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 제1 리페어 영역(R1)은 하부의 리페어 라인(130)을 게이트 절연막(202)이 커버하도록 형성되며, 상기 게이트 절연막(202) 위에 데이터 라인(DL)형성되고, 상기 데이터 라인(DL) 위에 패시베이션층(203)이 형성된다.

상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(166)를 형성하여, 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)을 전기적으로 연결시킨다. 바람직하게 상기 리페어 라인(130)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역에서 다각형의 형상을 갖는다. 즉, 상기 다각형의 형상은 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역의 경계부분을 증가시킨다. 따라서, 상기 중첩 영역의 경계 외곽부분에 레이저 쇼트 포인트(166)를 복수개 형성함으로써, 리페어 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 레이저 쇼트 포인트(166)는 상기 표시 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된다

즉, 레이저 쇼트 인가시, 레이저 인가가 가능한 영역의 중앙에 레이저 쇼트를 형성하는 기존의 레이저 쇼트 포인트와 달리, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역의 외곽에 레이저 쇼트를 인가해 준다. 이와 같이 중첩되는 영역의 리페어 라인(130) 경계부분에 레이저 쇼트를 인가하게 되면, 중첩되는 영역의 중앙에 레이저 쇼트를 인가할 경우에 비해, 상대적으로 레이저의 통과 경로가 단축된다. 따라서, 몰리브덴 및 알루미늄의 적층에 따른 금속간의 녹는점 차이에 따라 가해지는 에너지 차이에 의한 금속균열과 파편형성 등의 문제점 을 해결할 수 있다.

한편, 단선된 데이터 라인(DL)의 하부에는 제2 리페어 영역(R2)이 형성된다. 상기 제2 리페어 영역(R2)은 상기 제1 리페어 영역(R1)과 동일한 구조로 형성되며, 단선된 데이터 라인(C)으로 데이터 신호를 인가한다.

따라서, 제6 실시예에 따르면, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역에 위치한 리페어 라인(130)의 경계부분을 증가시킬 수 있는 리페어 라인(130) 구조를 제공한다. 이를 통해, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩된 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(166)를 복수개 형성함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-7>

도 12를 참조하면, 상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(167)를 형성하여, 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)을 전기적으로 연결시킨다. 바람직하게 상기 리페어 라인(130)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역에서 홀(170)을 포함하는 형상을 갖는다. 즉, 상기 홀(170)의 내측과 외측의 경계 외곽부분에 레이저 쇼트 포인트(167)를 복수개 형성함으로써, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)의 중첩 영역의 경계부분을 증가시켜, 레지져 쇼트의 수율을 향상시킬 수 있다. 상기 레이저 쇼트 포인트 (167)는 상기 표시 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된다.

즉, 레이저 쇼트 인가시, 레이저 인가가 가능한 영역의 중앙에 레이저 쇼트를 형성하는 기존의 레이저 쇼트 포인트와 달리, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 레페어 라인(130)이 중첩되는 영역의 외곽에 레이저 쇼트를 인가해 준다. 이와 같이 중첩되는 영역의 리페어 라인(130) 경계부분에 레이저 쇼트를 인가하게 되면, 중첩되는 영역의 중앙에 레이저 쇼트를 인가할 경우에 비해, 상대적으로 레이저의 통과 경로가 단축된다. 따라서, 몰리브덴 및 알루미늄의 적층에 따른 금속간의 녹는점 차이에 따라 가해지는 에너지 차이에 의한 금속균열과 파편형성 등의 문제점을 해결할 수 있다.

따라서, 제7 실시예에 따르면, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역에 위치한 리페어 라인(130)의 경계부분을 증가시킬 수 있는 리페어 라인(130) 구조를 제공한다. 이를 통해, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩된 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(167)를 복수개 형성함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-8>

도 13을 참조하면, 상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(168)를 형성하여, 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)을 전기적으로 연결시킨다. 바람직하게 상기 리페어 라인(130)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역에서 다각형의 형상을 갖는다. 즉, 상기 데이터 라인(DL)과 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 경계 외곽부분에 레이저 쇼트 포인트(168)를 복수개 형성함으로써, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)의 중첩 영역의 경계부분을 증가시켜, 레지져 쇼트의 수율을 향상시킬 수 있다. 상기 레이저 쇼트 포인트(168)는 상기 표시 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된다.

따라서, 제8 실시예에 따르면, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역에 위치한 리페어 라인(130)의 경계부분을 증가시킬 수 있는 리페어 라인(130) 구조를 제공한다. 이를 통해, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩된 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(168)를 복수개 형성함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

<표시 기판의 실시예-9>

도 14를 참조하면, 상기 제 1 리페어 영역(R1)내의 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(169)를 형성하여, 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페어 라인(130)을 전기적으로 연결시킨다. 바람직하게 상기 리페어 라인(130)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩되는 영역에서 다각형의 형상을 갖는다. 즉, 상기 데이터 라인(DL)과 리페어 라인(130)이 중첩된 영역에 위치한 상기 리페어 라인(130)의 경계 외곽부분에 레이저 쇼트 포인트(169)를 복수개 형성함으로써, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)의 중첩 영역의 경계부분을 증가시켜, 레지져 쇼트의 수율을 향상시킬 수 있다. 상기 레이저 쇼트 포인트(169)는 상기 표시 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된다.

따라서, 제9 실시예에 따르면, 삼중막 구조로 이루어진 상기 데이터 라인(DL)이 단선(C)된 경우, 상부의 데이터 라인(DL)과 하부의 리페어 라인(130)이 중첩되는 영역에 위치한 리페어 라인(130)의 경계부분을 증가시킬 수 있는 리페어 라인(130) 구조를 제공한다. 이를 통해, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩된 상기 리페어 라인(130)의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트(169)를 복수개 형성함으로써 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 몰리브덴, 알루미늄, 몰리브덴의 삼중막 구조로 형성된 데이터 라인의 상부에 도전성물질로 이루어진 리페어 패턴을 형성하여, 상기 데이터 라인과 상기 리페어 패턴을 레이저 쇼트함으로써, 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

또한 상기 리페어 라인과 상기 데이터 라인의 중첩영역의 에지 부분에 레이저 쇼트 포인트를 복수개 형성하여 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

복수의 데이터 라인들 및 복수의 게이트 라인들에 의해 복수의 화소부들이 정의된 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 이루어진 베이스 기판;

상기 표시 영역을 둘러싸도록 상기 주변 영역에 형성되고, 상기 데이터 라인들과 교차하도록 형성된 리페어 라인; 및

각 데이터 라인과 중첩되고 콘택홀을 통해 연결되는 제1 영역과, 상기 리페어 라인과 중첩되는 제2 영역으로 이루어진 리페어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제1항에 있어서, 각 화소부에는 화소 전극이 형성되며,

상기 리페어 패턴은 상기 화소 전극과 동일한 도전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제1항에 있어서, 상기 리페어 라인은 상기 게이트 라인과 동일한 금속층으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제1항에 있어서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 서로 다른 수평선 위에 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제1항에 있어서, 상기 데이터 라인은 몰리브덴, 알루미늄 및 몰리브덴이 순차적으로 적층된 삼중막 구조인 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제5항에 있어서, 상기 데이터 라인에 단선이 발생한 경우, 상기 제2 영역에 레이저 쇼트 포인트를 형성하여 상기 데이터 라인을 리페어 하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제6항에 있어서, 상기 레이저 쇼트 포인트는 상기 베이스 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
복수의 데이터 라인들 및 복수의 게이트 라인들에 의해 복수의 화소부들이 정의된 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 이루어진 베이스 기판; 및

상기 표시 영역을 둘러싸도록 상기 주변 영역에 형성되고, 상기 데이터 라인들과 교차하도록 형성된 리페어 라인을 포함하며,

상기 데이터 라인들 중 단선이 발생한 임의의 데이터 라인은 중첩된 상기 리페어 라인의 에지에서 레이저 쇼트 포인트를 형성하여 상기 리페어 라인과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제8항에 있어서, 상기 데이터 라인은 몰리브덴, 알루미늄 및 몰리브덴이 순차적으로 적층된 삼중막 구조인 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제8항에 있어서, 상기 레이터 쇼트 포인트는 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
제8항에 있어서, 상기 레이저 쇼트 포인트는 상기 베이스 기판의 배면으로부터 방사되는 레이저에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.