KR20070068902A - Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle - Google Patents

Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle Download PDF

Info

Publication number
KR20070068902A
KR20070068902A KR1020050130991A KR20050130991A KR20070068902A KR 20070068902 A KR20070068902 A KR 20070068902A KR 1020050130991 A KR1020050130991 A KR 1020050130991A KR 20050130991 A KR20050130991 A KR 20050130991A KR 20070068902 A KR20070068902 A KR 20070068902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photo mask
rear surface
pellicle
cleaning
chuck
Prior art date
Application number
KR1020050130991A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이동욱
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020050130991A priority Critical patent/KR20070068902A/en
Publication of KR20070068902A publication Critical patent/KR20070068902A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

An apparatus for eliminating pollution from a rear surface of a photomask having sticked pellicle is provided to supply hydrogen ionic water and deionized water onto the rear surface while rotating a rear surface cleaning chuck, in state pellicle is attached to the rear surface. A rear surface cleaning chuck(10) is mounted on a rear surface of a photomask to clean the rear surface of the photomask. A cleaning solution supplying unit supplies hydrogen ionic water and deionized water onto the rear surface cleaning chuck. A mega sonic nozzle is connected to the cleaning solution supplying unit to apply mega sonic. The hydrogen ionic water and deionized water are supplied onto the rear of the photomask through the cleaning solution supplying unit and the mega sonic nozzle, while rotating the rear surface cleaning chuck.

Description

펠리클 부착 상태에서 포토 마스크 후면의 오염을 제거할 수 있는 장치{Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle}Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle}

도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 포토 마스크의 후면의 오염 제거 장치에 이용되는 후면 세정용 척을 도시한 단면도 및 평면도이다.1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view showing a rear cleaning chuck used in the decontamination apparatus of the rear surface of the photo mask of the present invention, respectively.

도 3 내지 5는 본 발명에 의해 펠리클 부착 상태에서 포토 마스크 후면의 오염을 제거할 수 있는 오염 제거 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 3 to 5 are views for explaining a decontamination apparatus capable of removing the contamination of the rear surface of the photo mask in the pellicle attached state by the present invention.

본 발명은 포토 마스크의 오염 제거 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 펠리클 부착 상태에서 포토 마스크 후면의 오염을 제거할 수 있는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a decontamination apparatus of a photo mask, and more particularly, to an apparatus capable of removing decontamination on the rear surface of a photo mask in a pellicle attached state.

일반적으로, 포토 마스크의 제조가 완료된 후에는 표면의 오염을 방지하기 위해 펠리클을 부착하여 출하하게 된다. 상기 제조가 완료된 포토 마스크의 표면에는 세정후 잔존하는 SO4 이온 및 NH3 이온이 극소량 존재하여 이는 장기간의 웨이퍼 노광후의 헤이즈(haze) 발생을 야기하는 원인으로 작용한다. In general, after the manufacture of the photo mask is completed is shipped with a pellicle to prevent contamination of the surface. A very small amount of SO 4 ions and NH 3 ions remaining after cleaning are present on the surface of the fabricated photo mask, which acts as a cause of haze after long-term wafer exposure.

상기 포토 마스크의 이동 및 보관 과정에서 장비 자체 및 작업자의 실수 등으로 기인되는 오염물의 흡착이 발생할 수 있다. 이러한 경우 포토 마스크의 후면의 헤이즈와 오염물질을 제거하기 위해서는 일반적으로 전면에 부착된 펠리클을 제거한 후, 포토 마스크를 세정하고 다시 펠리클을 재부착하여 사용하게 된다. 이와 같은 포토 마스크이 후면 세정을 위하여 펠리클을 제거하고 부착할 경우 제조 공정시간이 길어지고 포토 마스크의 신뢰성에도 문제가 발생할 수 있다.In the process of moving and storing the photo mask, adsorption of contaminants due to mistakes of the equipment itself and the operator may occur. In this case, in order to remove haze and contaminants on the rear surface of the photo mask, the pellicle attached to the front side is generally removed, the photo mask is cleaned, and the pellicle is reattached again. If such a photo mask is removed and attached to the pellicle for the rear surface cleaning, the manufacturing process may take a long time and may cause problems in the reliability of the photo mask.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 펠리클을 부착한 상태에서 포토 마스크의 후면의 헤이즈와 오염 물질을 제거하기 위한 장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an apparatus for removing haze and contaminants on the rear surface of a photo mask in a state where a pellicle is attached.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 포토 마스크의 후면을 세정하고, 펠리클이 부착된 포토 마스크의 후면을 위쪽으로 장착할 수 있는 후면 세정용 척과, 상기 후면 세정용 척 상에 수소 이온수 및 탈이온수를 공급할 수 있는 세정액 공급부와, 상기 세정액 공급부에 연결되고 메가소닉을 인가할 수 있는 메가소닉 노즐을 포함하여 이루어진다. In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a rear cleaning chuck capable of cleaning the rear surface of the photo mask and mounting the rear surface of the photo mask with a pellicle upward, and hydrogen ionized water and desorption on the rear cleaning chuck. And a megasonic nozzle capable of supplying ionized water, and a megasonic nozzle connected to the cleaning liquid supply part and capable of applying megasonic.

상기 포토 마스크의 후면에 상기 세정액 공급부 및 메가소닉 느즐을 통하여 수소 이온수 및 탈이온수를 공급하면서 상기 후면 세정용 척을 회전시키면서 상기 펠리클이 부착된 포토 마스크의 후면 오염을 제거할 수 있다. 상기 메가소닉 노즐은 1MHz 및 3MHz를 동시에 인가할 수 있다.The contamination of the rear surface of the photomask with the pellicle may be removed while rotating the rear surface cleaning chuck while supplying hydrogen ionized water and deionized water through the cleaning liquid supply unit and the megasonic nozzle on the rear surface of the photo mask. The megasonic nozzle may simultaneously apply 1 MHz and 3 MHz.

이상과 같이 본 발명은 펠리클의 제거 후에 재부착을 실시하지 않고 포토 마스크의 후면 결함 제거 장치를 이용하여 수소 이온수 및 탈이온수로 포토 마스크의 후면의 헤이즈와 유/무기 오염 물질을 완벽히 제거할 수 있다. As described above, the present invention can completely remove the haze and organic / inorganic contaminants on the rear surface of the photo mask with hydrogen ionized water and deionized water using the rear defect removal device of the photo mask without reattaching after removing the pellicle. .

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 포토 마스크의 후면의 오염 제거 장치에 이용되는 후면 세정용 척을 도시한 단면도 및 평면도이다. 1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view showing a rear cleaning chuck used in the decontamination apparatus of the rear surface of the photo mask of the present invention, respectively.

구체적으로, 본 발명에 의한 포토 마스크 후면의 오염 제거 장치에는 후면 세정용 척(10)을 포함한다. 상기 후면 세정용 척(10)은 테플론 재질로 구성하며, 모터 연결부(26)를 통하여 스핀 클리너(미도시)와 연결된다. 상기 후면 세정용 척(10)은 펠리클(22)이 부착된 포토 마스크(14)를 장착할 수 있는 장착부(12)가 마련되어 있다. 상기 장착부(12)에는 펠리클(22)이 장착되고 위쪽으로는 포토 마스크 (14)의 후면이 위치한다. 상기 펠리클(22)이 부착된 포토 마스크(14)의 후면은 후에 설명하는 바와 같이 위로하여 오염을 제거한다. 상기 후면 세정용 척(10)은 포토 마스크의 크기에 따라 크기도 다르게 구성한다. 도 1 및 도 2에서, 참조번호 20은 펠리클 보호벽을 나타낸다. Specifically, the decontamination apparatus of the rear surface of the photo mask according to the present invention includes a rear cleaning chuck 10. The rear cleaning chuck 10 is made of Teflon material, and is connected to a spin cleaner (not shown) through the motor connection part 26. The rear cleaning chuck 10 is provided with a mounting portion 12 for mounting the photomask 14 to which the pellicle 22 is attached. The pellicle 22 is mounted on the mounting portion 12, and the rear surface of the photo mask 14 is positioned upward. The rear face of the photomask 14 to which the pellicle 22 is attached is upwardly decontaminated as described later. The rear cleaning chuck 10 has a different size according to the size of the photo mask. 1 and 2, reference numeral 20 denotes a pellicle protective wall.

도 3 내지 5는 본 발명에 의해 펠리클 부착 상태에서 포토 마스크 후면의 오염을 제거할 수 있는 오염 제거 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 도 3 내지 도 5에서, 도 1 및 도 2와 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다. 도 3에서는 세정액 공급부(16)를 통하여 수소 이온수(hydro-generated DI)와 탈이온수(DI)를 공급하여 포토 마스크(14)의 후면의 오염(17)을 제거하는 것을 나타낸다. 도 4에서는 메가소닉 노즐(18)이 포토 마스크(14)의 후면을 30도 정도 간격으로 이동하면서 수소 이온수와 탈이온수를 공급하는 것을 나타내며, 도 5에서는 포토 마스크의 후면을 스핀 클리너(미도시)를 이용하여 고속으로 회전시키면서 건조시키는 것을 나타낸다. 3 to 5 are views for explaining a decontamination apparatus capable of removing the contamination of the rear surface of the photo mask in the pellicle attached state by the present invention. 3 to 5, the same reference numerals as used in FIGS. 1 and 2 denote the same members. In FIG. 3, hydrogen-ionized water (DI) and deionized water (DI) are supplied through the cleaning solution supply unit 16 to remove contamination 17 on the rear surface of the photo mask 14. In FIG. 4, the megasonic nozzle 18 supplies hydrogen ionized water and deionized water while moving the rear surface of the photo mask 14 at about 30 degree intervals. In FIG. 5, the rear surface of the photo mask is spin cleaner (not shown). It shows drying by rotating at high speed using.

구조적으로는, 본 발명의 포토 마스크 후면의 오염 제거 장치는 후면 세정용 척(10)을 포함하며, 상기 후면 세정용 척(10)은 스핀 클리너(미도시)에 모터 연결부(26)를 통하여 연결된다. 상기 후면 세정용 척(10)의 장착부(12)에 펠리클(22)이 부착된 포토 마스크(14)를 장착한다. 상기 장착된 포토 마스크(14)는 후면이 위로 노출된다. Structurally, the decontamination apparatus at the rear of the photomask of the present invention includes a rear cleaning chuck 10, which is connected to a spin cleaner (not shown) through a motor connection 26. do. The photomask 14 having the pellicle 22 attached thereto is mounted on the mounting portion 12 of the rear cleaning chuck 10. The mounted photo mask 14 has its back side exposed upward.

상기 포토 마스크(14) 상에는 유기물의 제거를 위해 1.4ppm의 농도를 가진 수소 이온수 및 탈이온수(DI)를 공급할 수 있는 세정액 공급부(16)가 설치되어 있다. 상기 세정액 공급부(16)에는 메가소닉 인가를 할 수 있는 메가소닉 노즐(18)이 연결되어 있다. 상기 세정액 공급부(16)에 연결된 메가소닉 노즐(18)을 통하여는 1MHz 및 3MHz의 메가소닉을 동시에 인가할 수 있다.On the photo mask 14, a cleaning solution supply unit 16 may be provided to supply hydrogen ionized water and deionized water (DI) having a concentration of 1.4 ppm to remove organic matter. The cleaning solution supply unit 16 is connected to a megasonic nozzle 18 capable of applying megasonic. Megasonics of 1 MHz and 3 MHz may be simultaneously applied through the megasonic nozzle 18 connected to the cleaning liquid supply unit 16.

상기 세정액 공급부(16)를 통하여 1.4ppm의 농도를 가진 수소 이온수가 공급되고, 공급된 수소 이온수는 메카소닉의 인가를 통해 라디칼(radical) 단위의 강한 활동성을 가지면서 포토 마스크(14)의 배면에 도포된다. 이렇게 수소 이온수가 포토 마스크(14)의 배면에 도포되면 유기 성분의 이물(결함)의 분해 제거가 가능하고, 수용성 물질인 성장성 이물, 즉 헤이즈(haze) 역시 수소 이온수와 탈이온수만을 이용해도 제거할 수 있다. Hydrogen ion water having a concentration of 1.4 ppm is supplied through the cleaning liquid supply unit 16, and the supplied hydrogen ion water has strong activity in radical units through the application of mechasonic to the rear surface of the photo mask 14. Is applied. When the hydrogen ion water is applied to the rear surface of the photo mask 14, the foreign substances (defects) of organic components can be decomposed and removed, and the growth foreign substances, ie, haze, which are water-soluble substances, can also be removed by using only hydrogen ion water and deionized water. Can be.

상기 후면 세정용 척(10)의 모터 연결부(26)를 통하여 연결된 스핀 클리너의 회전속도는 세정액이 포토 마스크(14)의 전면으로 흘러 들어가지 못하도록 모든 스텝에서 도 3 및 도 4에서는 500rpm 이상의 고속을 유지한다. 그리고, 도 5에서는 메가소닉 노즐(18)을 포토 마스크(14) 위에서부터 바깥쪽으로 이동한 후 스핀 클리너를 1200rpm의 속도로 회전시켜 포토 마스크(14)를 건조시켜 완료한다. 다시 말해, 포토 마스크의 전면으로 수분침투 방지를 위해 스핀 클리너에 장착된 후면 세정용 척을 고속 회전시켜 강한 원심력을 이용하여 세정액이 포토 마스크의 전면에 침투하는 것을 막는다. The rotation speed of the spin cleaner connected through the motor connection part 26 of the rear cleaning chuck 10 is a high speed of 500 rpm or higher in FIGS. 3 and 4 in all steps to prevent the cleaning liquid from flowing into the front surface of the photo mask 14. Keep it. In FIG. 5, the megasonic nozzle 18 is moved outwardly from above the photo mask 14, and the spin cleaner is rotated at a speed of 1200 rpm to dry the photo mask 14. In other words, the rear cleaning chuck mounted on the spin cleaner is rotated at a high speed to prevent water penetration into the front of the photo mask, thereby preventing the cleaning liquid from penetrating the front of the photo mask using a strong centrifugal force.

상술한 바와 같이 포토 마스크를 다룰 때 포토 마스크의 후면에 성장성 결함(이물)이 헤이즈 형태로 발생하였을 경우와 기타 요인으로 인한 포토 마스크의 측면의 오염이 발생한다. As described above, when a growth defect (foreign material) is generated in the haze shape and other factors on the rear surface of the photo mask, contamination of the side surface of the photo mask occurs due to other factors.

이러한 경우에 본 발명은 펠리클의 제거 후에 재부착을 실시하지 않고 포토 마스크의 후면 결함 제거 장치를 이용하여 15분 정도의 짧은 시간 안에 수소 이온수 및 탈이온수로 포토 마스크의 후면의 헤이즈와 유/무기 오염 물질을 완벽히 제거할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 펠리클 원자의 절감과 함께 작업 시간 및 화학용액 사용량의 절감이 가능하다. In this case, the present invention uses haze and organic / inorganic contamination of the back side of the photo mask with hydrogen ionized water and deionized water in a short time of about 15 minutes by using the back defect removal device of the photo mask without reattaching after removing the pellicle. The material can be completely removed. Accordingly, the present invention can reduce the working time and the amount of chemical solution while reducing the pellicle atoms.

Claims (2)

포토 마스크의 후면을 세정하고, 펠리클이 부착된 포토 마스크의 후면을 위쪽으로 장착할 수 있는 후면 세정용 척;A rear cleaning chuck capable of cleaning the rear surface of the photo mask and mounting the rear side of the photo mask to which the pellicle is attached; 상기 후면 세정용 척 상에 수소 이온수 및 탈이온수를 공급할 수 있는 세정액 공급부; 및 A cleaning liquid supply unit capable of supplying hydrogen ionized water and deionized water onto the rear cleaning chuck; And 상기 세정액 공급부에 연결되고 메가소닉을 인가할 수 있는 메가소닉 노즐을 포함하여 이루어지고, A megasonic nozzle connected to the cleaning liquid supply unit and capable of applying a megasonic, 상기 포토 마스크의 후면에 상기 세정액 공급부 및 메가소닉 느즐을 통하여 수소 이온수 및 탈이온수를 공급하면서 상기 후면 세정용 척을 회전시키면서 상기 펠리클이 부착된 포토 마스크의 후면 오염을 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 후면의 오염을 제거하는 장치.It is possible to remove the back contamination of the photomask with the pellicle while rotating the back cleaning chuck while supplying hydrogen ion water and deionized water through the cleaning liquid supply unit and the megasonic nozzle on the back of the photo mask. Decontamination device on the back of the photo mask. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 메가소닉 노즐은 1MHz 및 3MHz를 동시에 인가할 수 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 후면의 오염을 제거하는 장치 The megasonic nozzle is a device for removing the contamination of the back of the photo mask, characterized in that to apply at the same time 1MHz and 3MHz
KR1020050130991A 2005-12-27 2005-12-27 Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle KR20070068902A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050130991A KR20070068902A (en) 2005-12-27 2005-12-27 Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050130991A KR20070068902A (en) 2005-12-27 2005-12-27 Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070068902A true KR20070068902A (en) 2007-07-02

Family

ID=38504747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050130991A KR20070068902A (en) 2005-12-27 2005-12-27 Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070068902A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100935730B1 (en) * 2008-02-11 2010-01-08 주식회사 하이닉스반도체 Method for forming photomask to suppress haze
CN104766793A (en) * 2014-01-03 2015-07-08 北大方正集团有限公司 Method for etching silicon on the back of wet bench

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100935730B1 (en) * 2008-02-11 2010-01-08 주식회사 하이닉스반도체 Method for forming photomask to suppress haze
CN104766793A (en) * 2014-01-03 2015-07-08 北大方正集团有限公司 Method for etching silicon on the back of wet bench

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI552220B (en) Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory media
KR100335450B1 (en) A semiconductor device washing apparatus and a method of washing a semiconductor device
KR101822950B1 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning system
US5372651A (en) Method for cleaning a substrate
JP2006278392A (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP2007052300A (en) Cleaning device for mask substrate, and cleaning method for mask substrate using the same
KR19990082694A (en) Method of manufacturing liquid crystal display panel and washing machine used for the same
KR20070068902A (en) Apparatus for removing contamination on the backside of photo mask having sticked pellicle
JPS6116528A (en) Cleaning device for wafer
JP2000252252A (en) Spin process equipment and support pin therefor
JP2000070874A (en) Spin treatment apparatus and its method
JPH02966A (en) Reticle cleaning device
JP2001203182A (en) Cleaning method of object surface and cleaning equipment for method
JP2009218249A (en) Wafer cleaning equipment and production process of semiconductor device
KR100591777B1 (en) Spin cleaning apparatus
JP2006351574A (en) Jig for cleaning, and equipment using the same
KR20000020585U (en) Apparatus for cleansing semiconductor wafer of coating system
KR20070068886A (en) Impurities remover of liquid crystal display panel
JP2005032915A (en) Method and device for treating substrate
JP2000315672A (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor substrate
JP2007012887A (en) Substrate processing method, substrate processor, and method for removing electricity from peripheral member
JPH09199462A (en) Wafer cleaning method and device
KR20030093791A (en) Spin scrubber
Dillenbeck Wafer Cleaning: Present and Future
KR20070017677A (en) Spin scrubber

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination