KR20070059815A - Si3n4 stamp for nano-imprint, and fabrication method of si3n4 stamp - Google Patents

Si3n4 stamp for nano-imprint, and fabrication method of si3n4 stamp Download PDF

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Abstract

A nitride silicon stamp for nano-imprint and a fabricating method thereof are provided to use both quartz and silicon as a substrate by forming a silicon nitride layer pattern which is not easily etched relative to quartz or silicon. A nitride silicon layer pattern(22) is formed on a substrate(10). A self-assembled monolayer is formed on the nitride silicon layer pattern. The self-assembled monolayer is formed along the nitride silicon layer pattern, and comprises an anti-adhesive material such as silane. The nitride silicon layer pattern is dry-etched by using CF4 gas according to reactive ion etching or inductively coupled plasma.

Description

나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프, 및 이의 제작 방법 {Si3N4 stamp for nano-imprint, and fabrication method of Si3N4 stamp} Silicon nitride stamp for nanoimprint, and fabrication method thereof {Si3N4 stamp for nano-imprint, and fabrication method of Si3N4 stamp}

도 1a 내지 도 1j는 본 발명에 따른 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 1A to 1J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a silicon nitride stamp for nanoimprint according to the present invention.

도 2a 및 도 2b는 도 1h에서 질화실리콘층 패턴을 나타낸 주사전자현미경 사진들이다.2A and 2B are scanning electron micrographs showing the silicon nitride layer pattern in FIG. 1H.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프의 주사전자현미경 사진들이다.3A and 3B are scanning electron micrographs of the silicon nitride stamp for nanoimprint of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판, 20: 질화실리콘층, 30: 크롬층,10: substrate, 20: silicon nitride layer, 30: chromium layer,

40: PMMA층, 50: 자기조립단층막40: PMMA layer, 50: self-assembled monolayer film

본 발명은 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 및 이의 제작 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a silicon nitride stamp for nanoimprint and a manufacturing method thereof.

나노 임프린트는 초미세 가공인 나노 가공을 실현하기 위해 제안된 기술로 기판 위에 열가소성 수지나 광경화성 수지를 도포한 다음 전자빔을 이용하여 나노 스케일의 몰드 즉 스탬프로 압력을 가해 열이나 자외선으로 경화시켜 패턴을 전사하는 기술을 말한다.Nano imprint is a technique proposed to realize nano processing, which is ultra-fine processing, by applying a thermoplastic resin or photocurable resin on a substrate and then applying pressure with a nano-scale mold or stamp using an electron beam to harden it with heat or ultraviolet rays. Says the skill to transcribe.

이러한 나노 임프린트를 위해서는 스탬프 제작이 필수적이다. 나노 임프린트용 스탬프 재료로는 실리콘 (Si)등의 반도체 재료, 글라스, 산화실리콘 (퀴츠 또는 실리카)등의 산화물 재료, 니켈(Ni)같은 금속 재료, PDMS같은 고분자 재료등이 사용되어 왔다. Stamp production is essential for such nanoimprint. As the stamp material for nanoimprint, semiconductor materials such as silicon (Si), glass, oxide materials such as silicon oxide (quitz or silica), metal materials such as nickel (Ni), and polymer materials such as PDMS have been used.

그러나 종래 나노 임프린트용 스탬프는 나노 스케일의 스탬프 두께(높이) 조절이 용이하지 않으며, 식각 후 측면이 거칠어 지는 문제점들이 있다. However, the conventional nano imprint stamp is not easy to adjust the stamp thickness (height) of the nano-scale, there is a problem that the side is rough after etching.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 나노 스케일의 스탬프 두께를 용이하게 조절할 수 있으며, 식각 후 표면이 매끄러운 나노 임프린트용 스탬프를 제공하고자 한다. Therefore, the present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to easily control the stamp thickness of the nano-scale, to provide a stamp for nano imprint smooth surface after etching.

또한, 본 발명은 상기와 같은 나노 임프린트용 스탬프를 효과적으로 제작할 수 있는 방법을 제공하고자 한다. In addition, the present invention is to provide a method capable of effectively manufacturing the stamp for nano imprint as described above.

본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되는 질화실리콘층 패턴, 및 상기 질화실리콘층 패턴에 형성된 자기조립단층막을 포함하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프를 포함한다. The present invention includes a silicon nitride stamp for nanoimprint comprising a substrate, a silicon nitride layer pattern formed on the substrate, and a self-assembled monolayer film formed on the silicon nitride layer pattern.

상기 기판은 상기 기판은 실리콘 기판, 쿼츠, 실리카 기판, 글라스 기판 등 을 포함하는 것이 바람직하다. The substrate preferably includes a silicon substrate, a quartz, a silica substrate, a glass substrate, and the like.

상기 자기조립단층막은 반접착성 물질로, 예를 들어 사일린(silane)을 포함하는 것이 바람직하다. The self-assembled monolayer film is a semi-adhesive material, for example, preferably includes silane.

또한, 본 발명은 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법을 포함한다. The present invention also includes a method for producing a silicon nitride stamp for nanoimprint.

상기 제작 방법은 기판에 질화실리콘층을 증착하고 상기 질화실리콘층에 식각 마스크를 형성한다. 그리고 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하고 상기 식각 마스크를 제거하여 질화실리콘층 패턴을 형성한다. 그리고 상기 질화실리콘층 패턴에 자기조립단층막(Self Assembled Monolayer; SAM)을 형성하는 단계를 포함한다. The fabrication method deposits a silicon nitride layer on a substrate and forms an etch mask on the silicon nitride layer. The silicon nitride layer is etched using the etching mask and the etching mask is removed to form a silicon nitride layer pattern. And forming a Self Assembled Monolayer (SAM) on the silicon nitride layer pattern.

상기 식각 마스크는 크롬을 포함하는 것이 바람직하며, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 CF4 가스를 이용하여 건식 식각할 수 있다. Preferably, the etching mask includes chromium, and the silicon nitride layer may be dry-etched using CF 4 gas using the etching mask.

상기 질화실리콘층에 식각 마스크를 형성하는 단계는 상기 질화실리콘층에 크롬층과 감광층을 형성하고 상기 감광층을 전자 빔 리쏘그라피 방식을 이용하여 조사하고 식각하여 감광층 패턴을 형성한다. 그리고 상기 감광층 패턴을 마스크로 하고 Cl2 가스를 이용하여 상기 크롬층을 건식 식각하여 상기 크롬층을 포함하는 식각 마스크를 형성한다. The etching of the silicon nitride layer may include forming a chromium layer and a photosensitive layer on the silicon nitride layer, and irradiating and etching the photosensitive layer using an electron beam lithography method to form a photosensitive layer pattern. The photoresist layer pattern is used as a mask, and the chromium layer is dry-etched using Cl 2 gas to form an etching mask including the chromium layer.

따라서 본 발명의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프는 질화실리콘층을 포함함으로써 나노 스케일의 스탬프 두께를 용이하게 조절할 수 있으며, 건식 식각 후 표면이 매끄러우며, 실리콘 또는 쿼츠 등의 기판 접찹력이 매우 우수하다. 따라 서 양질의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프를 형성할 수 있다. Therefore, the silicon nitride stamp for nanoimprint of the present invention includes a silicon nitride layer so that the thickness of the nanoscale stamp can be easily controlled, the surface is smooth after dry etching, and the substrate adhesion such as silicon or quartz is very excellent. Therefore, a high quality silicon nitride stamp for nanoimprint can be formed.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 다음에 설명하는 본 발명의 실시예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서, 층 및 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것이다. Next, a silicon nitride stamp for nanoimprint according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention described below may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully illustrate the present invention. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity.

도 1a 내지 도 1j는 본 발명에 따른 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 1A to 1J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a silicon nitride stamp for nanoimprint according to the present invention.

도 1a를 참조하면, 4인치 실리콘 기판(10)을 준비한다. 상기 실리콘 기판(10) 대신에 쿼츠, 실리카 기판, 글라스 기판 등을 사용할 수도 있다. Referring to FIG. 1A, a 4 inch silicon substrate 10 is prepared. A quartz, a silica substrate, a glass substrate, or the like may be used instead of the silicon substrate 10.

도 1b를 참조하면, 상기 실리콘 기판(10) 위에 플라즈마 보강 화학 기상 증착법(Plasma enhanced chamical vapor deposition; PECVD) 방법에 의해 질화실리콘(Si3N4)층(20)을 250 nm의 두께로 증착한다. 상기 질화실리콘층(20) 증착 방법은 PECVD 방법에 의해 한정되는 것은 아니며, 기판보다 잘 식각되도록 식각 선택비가 높으며 두께 조절이 용이할 수 있는 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition; CVD), 물리 기상 증착(Physical vapor deposition; PVD) 방법 등 당업자에 의해 사용될 수 있는 다양한 증착 방법을 이용할 수 있다. Referring to FIG. 1B, a silicon nitride (Si 3 N 4 ) layer 20 is deposited to a thickness of 250 nm by plasma enhanced chamical vapor deposition (PECVD) on the silicon substrate 10. . The method of depositing the silicon nitride layer 20 is not limited to the PECVD method, and the chemical vapor deposition (CVD) and the physical vapor deposition (CVD), which have a high etching selectivity and can easily control the thickness, so as to be etched better than the substrate. Various deposition methods that can be used by those skilled in the art, such as a physical vapor deposition (PVD) method, can be used.

도 1c를 참조하면, 상기 질화실리콘층(20)상에 크롬(Cr)층(30)을 30 nm의 두께로 증착한다. 상기 크롬층(30) 증착 방법으로는 열증착 방법을 이용할 수 있다.  Referring to FIG. 1C, a chromium (Cr) layer 30 is deposited on the silicon nitride layer 20 to a thickness of 30 nm. As the chromium layer 30 deposition method, a thermal deposition method may be used.

도 1d를 참조하면, 상기 크롬층(30) 상에 감광성 물질 고분자인 PMMA(polymethyl methacrylate)를 130 nm의 두께로 스핀 코팅하고 열경화한다. 따라서 PMMA층(40)을 형성한다. Referring to FIG. 1D, the photosensitive material polymer PMMA (polymethyl methacrylate) is spin coated on the chromium layer 30 to a thickness of 130 nm and thermally cured. Thus, the PMMA layer 40 is formed.

도 1e를 참조하면, PMMA층(40)을 전자 빔(Resolution 10 nm, Dose 1400 mC) 리쏘그라피 (e-beam Lithography) 방식을 이용해 조사한다. 따라서 조사된 PMMA층의 일영역(44)은 중합체(polymer)가 단위체(monomer)로 절단되어 현상액에 녹는 물질로 변화된다. Referring to FIG. 1E, the PMMA layer 40 is irradiated using an electron beam (Resolution 10 nm, Dose 1400 mC) lithography (e-beam lithography) method. Therefore, one region 44 of the irradiated PMMA layer is changed into a material in which a polymer is cut into monomers and dissolved in a developer.

도 1f를 참조하면, 상기 조사된 결과물을 현상액을 이용하여 습식 식각함으로써 PMMA층 패턴(42)을 형성한다. 이와 같이 양성 감광제를 이용하여 양각 패턴을 형성할 수도 있지만, 음성 감광제를 이용하여 조사 방법, 현상액 등을 조절하여 음각 패턴을 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 1F, the irradiated product is wet-etched using a developer to form the PMMA layer pattern 42. As described above, although the embossed pattern may be formed using the positive photosensitive agent, the negative pattern may be formed by adjusting the irradiation method, the developer, and the like using the negative photosensitive agent.

도 1g를 참조하면, 상기 PMMA층 패턴(42)을 마스크로 사용하여 크롬층(30)을 식각한다. 식각 방법으로는 활성이온식각 방식(Reactive Ion Etching, RIE)과 같은 건식 식각 방법을 이용하여 Cl2 가스로 식각하는 것이 바람직하다. Cl2 가스는 크롬층(도 1f의 30)을 용이하게 식각할 수 있으며, 이에 비해 고분자나 실리콘질화물(SiN)과 같은 무기물은 용이하게 식각하지 않기 때문이다. 즉, 고분자나 무기물 대비 크롬의 식각 선택비가 우수하기 때문이다. 따라서 실리콘질화층의 식각 마스크 로 사용될 수 있는 크롬층 패턴(32)을 형성한다. Referring to FIG. 1G, the chromium layer 30 is etched using the PMMA layer pattern 42 as a mask. As an etching method, it is preferable to etch with Cl 2 gas using a dry etching method such as Reactive Ion Etching (RIE). The Cl 2 gas can easily etch the chromium layer (30 in FIG. 1F), whereas inorganic materials such as polymers or silicon nitride (SiN) are not easily etched. In other words, the etching selectivity of the chromium is excellent compared to the polymer or the inorganic material. Therefore, to form a chromium layer pattern 32 that can be used as an etching mask of the silicon nitride layer.

도 1h를 참조하면, 크롬층 패턴(32)을 이용하여 질화실리콘층(도 1f의 20)을 식각한다. 그 전에 PMMA층 패턴(42)을 제거할 수도 있으며, 잔류시켜 상기 크롬층 패턴(32)과 함께 질화실리콘층(20)의 식각 마스크로 이용될 수도 있다. 상기 질화실리콘층(20)의 식각 방법은 활성이온식각 방식(Reactive Ion Etching, RIE), 또는 유도결합플라즈마 방식(Inductively Coupled Plasma, ICP) 등과 같은 건식 식각 방법을 이용하는 것이 바람직하다. 그리고 CF4 가스를 이용하여 건식 식각 하는 것이 바람직하다. CF4 가스는 실리콘질화물(SiN)과 같은 무기물과 고분자는 크롬층 대비 용이하게 식각될 수 있기 때문이다. 또한, 실리콘 기판(10) 또는 쿼츠 등의 기판이 상기 실리콘질화층(20) 식각시 식각 저지막으로 사용됨으로써 실리콘질화층(20)만을 선택적으로 식각할 수 있다. 따라서 실리콘질화층(20)은 상기 크롬층 패턴(32)에 의해 나노 스케일의 요철 구조를 갖는 실리콘질화층 패턴(22)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 1H, the silicon nitride layer 20 (FIG. 1F) is etched using the chromium layer pattern 32. Prior to this, the PMMA layer pattern 42 may be removed or may remain to be used as an etching mask of the silicon nitride layer 20 together with the chromium layer pattern 32. The silicon nitride layer 20 may be etched using a dry etching method such as reactive ion etching (RIE) or inductively coupled plasma (ICP). And it is preferred to dry etching using CF 4 gas. This is because the CF 4 gas is an inorganic material such as silicon nitride (SiN) and the polymer can be easily etched compared to the chromium layer. In addition, since the silicon substrate 10 or a substrate such as quartz is used as an etch stop layer when the silicon nitride layer 20 is etched, only the silicon nitride layer 20 may be selectively etched. Therefore, the silicon nitride layer 20 may form the silicon nitride layer pattern 22 having a nanoscale uneven structure by the chromium layer pattern 32.

도 1i를 참조하면, O2가스를 이용한 활성이온식각 방식으로 상기 PMMA층 패턴(42)을 제거하고 CR7용액으로 크롬층 패턴(32)을 습식 제거한다. 따라서 실리콘질화층 패턴(22)을 완성한다. Referring to FIG. 1I, the PMMA layer pattern 42 is removed by an active ion etching method using O 2 gas, and the chromium layer pattern 32 is wet-removed with a CR 7 solution. Therefore, the silicon nitride layer pattern 22 is completed.

도 1j를 참조하면, 상기 실리콘질화층 패턴(22) 상에 반점착성(Anti-sticking) 물질인 사일린(silane)을 코팅하여 자기조립단층막(50)을 형성한다. 따 라서 250 nm 두께의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프를 완성할 수 있다. Referring to FIG. 1J, a self-assembled monolayer film 50 is formed by coating silane, an anti-sticking material, on the silicon nitride layer pattern 22. Thus, a 250 nm thick silicon nitride stamp can be completed.

도 2a 및 도 2b는 도 1h에서 질화실리콘층 패턴을 나타낸 주사전자현미경 사진들이다.2A and 2B are scanning electron micrographs showing the silicon nitride layer pattern in FIG. 1H.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 식각 마스크로 이용되는 PMMA층 패턴(42) 또는 크롬층 패턴(32)은 실리콘질화층(20)에 안정적으로 형성됨을 확인할 수 있다. 2A and 2B, it can be seen that the PMMA layer pattern 42 or the chromium layer pattern 32 used as an etching mask is stably formed in the silicon nitride layer 20.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프의 주사전자현미경 사진들이다.3A and 3B are scanning electron micrographs of the silicon nitride stamp for nanoimprint of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 질화실리콘층 패턴(22)이 실리콘 기판(10)의 계면에 우수하게 접착됨을 확인할 수 있다. 즉, 매우 낮은 계면 스트레인 등으로 인해 나노 구조물이 기판에 안정적으로 부착되어 있다. 3A and 3B, it can be seen that the silicon nitride layer pattern 22 is excellently bonded to the interface of the silicon substrate 10. That is, the nanostructure is stably attached to the substrate due to the very low interfacial strain.

또한, 상기 질화실리콘층의 패턴(22)의 두께가 나노 스케일임에도 불구하고 일정하게 형성되며, 그 표면도 매끄럽게 형성됨을 알 수 있다. 활성이온식각시 질화실리콘층의 재질에 기인하여 완성된 질화실리콘 스탬프의 측면(Side Wall) 거칠기는 10 nm미만으로 매우 낮다. 이는 상기 질화실리콘층을 PECVD등의 공정으로 1nm미만 두께로 형성가능하며, CF4 가스 등을 이용하여 상기 질화실리콘층을 선택적으로 식각할 수 있기 때문이다. In addition, despite the fact that the thickness of the pattern 22 of the silicon nitride layer is nanoscale, it can be seen that the surface is uniformly formed. Due to the material of the silicon nitride layer during active ion etching, the sidewall roughness of the finished silicon nitride stamp is very low, less than 10 nm. This is because the silicon nitride layer can be formed to a thickness of less than 1 nm by a process such as PECVD, and the silicon nitride layer can be selectively etched using CF 4 gas or the like.

상기 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 스탬프는 실리콘질화층 패턴을 포함함으로써 상기 실리콘질화층에 비해 쿼츠나 실리콘 모두 잘 식각되지 않아 상기 쿼츠나 실리콘을 모두 기판으로 사용할 수 있다. 따라서 열경화 방식과 자외선경화 방식의 임프린트 기법 모두에 사용할 수 있는 효과가 있다. 그리고 상기 질화실리콘층은 그 박막 증착기술과 질화실리콘과 실리콘(또는 쿼츠)의 건식식각 속도가 서로 상이하여 스탬프의 두께를 1 nm이하로 매우 정밀하게 조절할 수 있는 효과가 있다. 또한, 질화실리콘층은 건식 식각후 표면이 매우 미세한 특성을 이용하여 매우 미세한 사이드 월(Side Wall)특성을 얻을 수 있다. 그리고 질화실리콘층은 실리콘이나 쿼츠와 접착력이 매우 좋다. 따라서 상기 실리콘 또는 쿼츠 기판 상에 실리콘질화층을 형성함으로써 양질의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프를 형성할 수 있다. As described above, since the stamp according to the present invention includes a silicon nitride layer pattern, neither quartz nor silicon is etched better than the silicon nitride layer, so that both quartz or silicon may be used as a substrate. Therefore, there is an effect that can be used for both thermal curing and ultraviolet curing imprint technique. In addition, the silicon nitride layer has a thin film deposition technique and a dry etching rate of silicon nitride and silicon (or quartz) so that the thickness of the stamp can be very precisely adjusted to 1 nm or less. In addition, the silicon nitride layer may obtain very fine side wall characteristics by using a very fine surface after dry etching. And the silicon nitride layer is very good adhesion with silicon or quartz. Therefore, by forming a silicon nitride layer on the silicon or quartz substrate, it is possible to form a high quality silicon nitride stamp for nanoimprint.

또한, PECVD와 같은 증착 기술을 이용하여 실리콘질화막을 기판상에 증착하고, CF4 가스를 이용하여 실리콘질화막을 건식 식각 함으로써 양질의 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프를 효과적으로 제조할 수 있는 방법을 제공할 수 있다. In addition, by depositing a silicon nitride film on a substrate using a deposition technique such as PECVD, and dry etching the silicon nitride film using CF 4 gas can provide a method for effectively producing a high quality silicon nitride stamp for nanoimprint. have.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다. In the above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and changes by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention. This is possible.

Claims (11)

기판, Board, 상기 기판상에 형성되는 질화실리콘층 패턴, 및 A silicon nitride layer pattern formed on the substrate, and 상기 질화실리콘층 패턴에 형성된 자기조립단층막을 포함하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프. Silicon nitride stamps for nanoimprint comprising a self-assembled monolayer film formed on the silicon nitride layer pattern. 제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단층막은 상기 질화실리콘층 패턴을 따라 형성된 것임을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프. The silicon nitride stamp for nanoimprint of claim 1, wherein the self-assembled monolayer film is formed along the silicon nitride layer pattern. 제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단층막은 반접착성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프. The silicon nitride stamp for nanoimprint of claim 1, wherein the self-assembled monolayer film comprises a semi-adhesive material. 제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단층막은 사일린(silane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프.The silicon nitride stamp for nanoimprint of claim 1, wherein the self-assembled monolayer film comprises silane. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 쿼츠, 실리카 기판, 및 글라스 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프. The silicon nitride stamp for nanoimprint of claim 1, wherein the substrate is any one selected from a group consisting of a silicon substrate, a quartz, a silica substrate, and a glass substrate. 기판에 질화실리콘층을 증착하는 단계,Depositing a silicon nitride layer on a substrate, 상기 질화실리콘층에 식각 마스크를 형성하는 단계, Forming an etching mask on the silicon nitride layer, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하는 단계, Etching the silicon nitride layer using the etching mask; 상기 식각 마스크를 제거하여 질화실리콘층 패턴을 형성하는 단계, Removing the etching mask to form a silicon nitride layer pattern; 상기 질화실리콘층 패턴에 자기조립단층막(Self Assembled Monolayer; SAM)을 형성하는 단계를 포함하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법.Method of manufacturing a silicon nitride stamp for the nanoimprint comprising the step of forming a self-assembled monolayer (SAM) on the silicon nitride layer pattern. 제 6 항에 있어서The method of claim 6 상기 식각 마스크는 크롬을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법. The etching mask is a silicon nitride stamp manufacturing method for nanoimprint, characterized in that containing chromium. 제 6 항에 있어서, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하는 단계는 상기 질화실리콘층을 CF4 가스를 이용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법. The method of claim 6, wherein the etching of the silicon nitride layer using the etching mask comprises dry etching the silicon nitride layer using CF 4 gas. 제 8 항에 있어서, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 질화실리콘층을 식각하는 단계는 상기 질화실리콘층을 활성이온식각 방식(Reactive Ion Etching, RIE) 및 유도결합플라즈마 방식(Inductively Coupled Plasma, ICP)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 CF4 가스를 이용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법. The method of claim 8, wherein the etching of the silicon nitride layer using the etching mask comprises: forming the silicon nitride layer using an active ion etching (RIE) method and an inductively coupled plasma (ICP) method. Method for producing a silicon nitride stamp for nanoimprint, characterized in that the dry etching using a CF 4 gas by any one method selected from the group consisting of. 제 6항에 있어서, 상기 질화실리콘층에 식각 마스크를 형성하는 단계는The method of claim 6, wherein forming an etching mask on the silicon nitride layer 상기 질화실리콘층에 크롬층과 감광층을 형성하는 단계, Forming a chromium layer and a photosensitive layer on the silicon nitride layer, 상기 감광층을 전자 빔 리쏘그라피 방식을 이용하여 조사하고 식각하여 감광층 패턴을 형성하는 단계, 및 Irradiating and etching the photosensitive layer using an electron beam lithography method to form a photosensitive layer pattern, and 상기 감광층 패턴을 마스크로 하고 Cl2 가스를 이용하여 상기 크롬층을 건식 식각하여 상기 크롬층을 포함하는 식각 마스크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법.The photosensitive layer pattern as a mask and method for manufacturing a silicon nitride stamp for nano-imprint, comprising the step of forming the etch mask, comprising the chromium layer by dry etching the chromium layer using a Cl 2 gas. 제 6 항에 있어서, 상기 질화실리콘층 패턴에 자기조립단층막을 형성하는 단계는 상기 질화실리콘층 패턴에 사일린을 포함하는 자기조립단층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프 제작 방법.The method of claim 6, wherein the forming of the self-assembled monolayer film on the silicon nitride layer pattern comprises forming a self-assembled monolayer film including silin on the silicon nitride layer pattern.
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