KR20070046616A - A green sheet for preparing insulating layer of an electron emission device, an electron emission device comprising the insulating layer obtained from the green sheet, a method for preparing the electron emission device and an electron emission display device - Google Patents

Abstract

본 발명은 글라스 프릿, 분산제 및 바인더를 포함하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트, 상기 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 소자, 상기 전자 방출 소자의 제조 방법 및 상기 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 그린 시트를 이용하면, 표면 조도가 매우 우수하면서도 매우 얇은 두께의 절연체층을 얻을 수 있다. 또한, 생산 원가도 절감할 수 있다.The present invention provides a green sheet for forming an insulator layer of an electron emitting device comprising a glass frit, a dispersant and a binder, an electron emitting device having an insulator layer formed using the green sheet, a method for manufacturing the electron emitting device, and the green sheet. An electron emission display device having an insulator layer formed by using a. By using the green sheet, it is possible to obtain an insulator layer having a very thin surface thickness with excellent surface roughness. In addition, production costs can be reduced.

Description

전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트, 이로부터 얻은 절연체층을 구비한 전자 방출 소자, 상기 전자 방출 소자의 제조 방법 및 전자 방출 디스플레이 장치{A green sheet for preparing insulating layer of an electron emission device, an electron emission device comprising the insulating layer obtained from the green sheet, a method for preparing the electron emission device and an electron emission display device}A green sheet for forming an insulator layer of an electron emission device, an electron emission device having an insulator layer obtained therefrom, a method for manufacturing the electron emission device, and an electron emission display device. electron emission device comprising the insulating layer obtained from the green sheet, a method for preparing the electron emission device and an electron emission display device}

도 1은 본 발명을 따르는 전자 방출 소자 및 디스플레이 장치의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이고, 1 is a perspective view schematically showing the configuration of an electron emitting device and a display device according to the present invention;

도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

<도면 부호의 간단한 설명><Short description of drawing symbols>

60: 스페이서 70: 형광체층60: spacer 70: phosphor layer

80: 애노드 전극 90: 제2기판80: anode electrode 90: second substrate

100: 전자 방출 디스플레이 장치 101: 전자 방출 소자100: electron emission display device 101: electron emission element

102: 전면 패널 103: 발광 공간102: front panel 103: light emitting space

110: 제1기판 120: 캐소드 전극110: first substrate 120: cathode electrode

130: 제1절연체층 131: 전자 방출원 홀130: first insulator layer 131: electron emission source hole

135: 제2절연체층 140: 게이트 전극135: second insulator layer 140: gate electrode

145: 집속 전극 150: 전자 방출원145: focusing electrode 150: electron emission source

본 발명은 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트, 이를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 소자, 상기 전자 방출 소자의 제조 방법 및 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 글라스 프릿, 분산제 및 바인더를 포함하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트, 이를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 소자, 상기 전자 방출 소자의 제조 방법 및 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층은 매우 우수한 표면 조도를 가질 뿐만 아니라, 박막으로 제조될 수 있어, 이를 이용하면 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자를 얻을 수 있다.The present invention relates to a green sheet for forming an insulator layer of an electron emission device, an electron emission device having an insulator layer formed using the same, a method for manufacturing the electron emission device, and an electron emission display device. More specifically, the glass frit The present invention relates to a green sheet for forming an insulator layer of an electron emission device including a dispersant and a binder, an electron emission device having an insulator layer formed using the same, a method for manufacturing the electron emission device, and an electron emission display device. The insulator layer formed by using the green sheet not only has a very good surface roughness, but also can be made of a thin film, it can be used to obtain an electron emitting device with improved reliability.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자 방출원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는, FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal Insulator Metal)형 및 MIS (Metal Insulator Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다. In general, an electron emission device includes a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron emission source. Examples of electron-emitting devices using a cold cathode include field emitter array (FEA), surface conduction emitter (SCE) type, metal insulator metal (MIM) type, metal insulator semiconductor (MIS) type, and ballistic electron surface emitting (BSE) type. ) And the like are known.

상기 FEA형은 일함수(Work Function)가 낮거나 베타 함수(β Function)가 높은 물질을 전자 방출원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계 차이에 의하여 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si) 등을 주된 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁(tip)구조물이나 그래파이트(graphite), DLC(Diamond Like Carbon) 등의 탄소계 물질 그리고 최근 나노 튜브(Nano Tube)나 나노와이어(Nano Wire)등의 나노 물질을 전자 방출원으로 적용한 소자가 개발되고 있다. The FEA type uses a principle that electrons are easily released due to electric field difference in vacuum when a material having a low work function or a high β function is used as an electron emission source. Molybdenum (Mo) and silicon A tip structure with a major material such as (Si), a carbon-based material such as graphite, DLC (Diamond Like Carbon), and a recent nano tube or nano wire, etc. Devices have been developed that use nanomaterials as electron emission sources.

상기 SCE형은 제1기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1전극과 제2전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출원을 형성한 소자이다. 상기 소자는 상기 전극들에 전압을 인가하여 상기 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 미세 균열인 전자 방출원으로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다. The SCE type is a device in which an electron emission source is formed by providing a conductive thin film between a first electrode and a second electrode disposed to face each other on a first substrate and providing a micro crack in the conductive thin film. The device uses a principle that electrons are emitted from an electron emission source that is a micro crack by applying a voltage to the electrodes to flow a current to the surface of the conductive thin film.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출 원을 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터, 낮은 전자 전위를 갖는 금속 방향으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다. The MIM type and the MIS type electron emission devices each form an electron emission source having a metal-dielectric layer-metal (MIM) and metal-dielectric layer-semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals or metals with a dielectric layer interposed therebetween. When a voltage is applied between semiconductors, a device using the principle of emitting electrons is moved and accelerated from a metal or semiconductor having a high electron potential toward a metal having a low electron potential.

상기 BSE형은 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균 자유 행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여, 오믹(Ohmic) 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자 공급층을 형성하고, 전자 공급층 위에 절연체층과 금속 박막을 형성하여 오믹 전극과 금속 박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다. The BSE type uses the principle that electrons travel without scattering when the size of the semiconductor is reduced to a dimension area smaller than the average free stroke of the electrons in the semiconductor, thereby forming an electron supply layer made of a metal or a semiconductor on an ohmic electrode. And an insulator layer and a metal thin film formed on the electron supply layer to emit electrons by applying power to the ohmic electrode and the metal thin film.

이중에서 FEA형 전자 방출 소자는 캐소드 전극과 게이트 전극의 배치 형태에 따라 크게 탑 게이트형(top gate type)과 언더 게이트형(under gate type)형으로 나눌 수 있으며, 사용되는 전극의 개수에 따라 2극관, 3극관 또는 4극관 등으로 나눌 수 있다. 예를 들면, 대한민국 특허공개공보 제2004-0057420호를 참조한다.Among these, the FEA type electron emission device can be classified into a top gate type and an under gate type according to the arrangement of the cathode electrode and the gate electrode. It can be divided into a pole tube, a triode or a quadrupole. See, for example, Korean Patent Publication No. 2004-0057420.

이러한 전자 방출 소자의 절연체층은 통상적으로 인쇄법(예를 들면, 스크린 프린팅법 등)을 이용하여 형성되어 왔다. 상기 인쇄법에 따르면, 절연체층 형성용 조성물을 전자 방출 소자의 기판 상부에 직접 인쇄한 다음, 이를 소성시켜 절연체층을 얻게 된다. 그러나, 인쇄법에 따라 절연체층을 형성할 경우, 박막, 예를 들면 5㎛ 미만의 두께를 갖는 절연체층의 형성이 곤란할 뿐만 아니라, 불량한 표면 조도를 얻을 수 있는 바, 이의 개선이 요구된다.The insulator layer of such an electron emission element has been conventionally formed using the printing method (for example, the screen printing method, etc.). According to the printing method, the composition for forming the insulator layer is printed directly on the substrate of the electron-emitting device, and then fired to obtain the insulator layer. However, when the insulator layer is formed by the printing method, not only the formation of a thin film, for example, an insulator layer having a thickness of less than 5 μm is difficult, but also poor surface roughness can be obtained, and the improvement thereof is required.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 것으로서, 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트, 상기 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 소자, 상기 전자 방출 소자의 제조 방법 및 전자 방출 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, the green sheet for forming the insulator layer of the electron-emitting device, the electron-emitting device having an insulator layer formed using the green sheet, the manufacturing of the electron-emitting device It is an object to provide a method and an electron emitting display device.

상기 본 발명의 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제1태양은, 글라스 프릿, 분산제 및 바인더를 포함하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트를 제공한다.In order to achieve the above object of the present invention, a first aspect of the present invention provides a green sheet for forming an insulator layer of an electron-emitting device comprising a glass frit, a dispersant and a binder.

상기 본 발명의 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제2태양은, 전술한 바와 같은 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 소자를 제공한다.In order to achieve the above another object of the present invention, the second aspect of the present invention provides an electron emitting device having an insulator layer formed by using the green sheet as described above.

상기 본 발명의 또 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제3태양은, 글라스 프릿, 분산제, 바인더 및 용매를 포함하는 그린 시트 형성용 조성물을 준비하는 단계, 상기 그린 시트 형성용 조성물을 전사 필름에 도포한 다음 건조시켜, 그린 시트를 얻는 단계, 상기 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시키는 단계, 상기 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착된 그린 시트를 소성시켜, 전자 방출 소자의 절연체층을 얻는 단계를 포함하는, 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve another object of the present invention, a third aspect of the present invention is to prepare a composition for forming a green sheet comprising a glass frit, a dispersant, a binder and a solvent, the composition for forming a green sheet on a transfer film Applying and drying to obtain a green sheet, adhering the green sheet to the upper portion of the substrate of the electron emission element, and firing the green sheet adhered to the upper portion of the substrate of the electron emission element, thereby removing the insulator layer of the electron emission element. It provides a method of manufacturing an electron emitting device, comprising the step of obtaining.

상기 본 발명의 또 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제4태양은, 제1기판과, 상기 제1기판 상에 배치된 복수 개의 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극들과 교차하도록 배치된 복수 개의 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어 상기 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극들을 절연하는 절연체층과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극이 교차하는 지점에 형성된 전자 방출원 홀과, 상기 전자 방출원 홀 내에 배치된 전자 방출원과, 상기 제1기판과 실질적으로 평행하게 배치되는 제2기판과, 상기 제2기판에 배치된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 배치된 형광체층을 포함하고, 상기 절연체층이 전술한 바와 같은 그린 시트를 이용하여 형성된 전자 방출 디스플레이 장치를 제공한다.In accordance with still another aspect of the present invention, a fourth aspect of the present invention includes a first substrate, a plurality of cathode electrodes disposed on the first substrate, and a plurality of gates disposed to intersect the cathode electrodes. An insulator layer disposed between the electrode and the cathode and the gate electrode to insulate the cathode and the gate electrodes, an electron emission hole formed at an intersection point of the cathode and the gate electrode, An electron emission source disposed in the electron emission source hole, a second substrate disposed substantially parallel to the first substrate, an anode electrode disposed on the second substrate, and a phosphor layer disposed on the anode electrode; The present invention provides an electron emission display device in which the insulator layer is formed using the green sheet as described above.

상기 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층은 매우 박막이면서도 표면 조도가 우수하여, 이를 이용하면 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자 및 전자 방출 디스플레이 장치를 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 생산 비용도 절감할 수 있다.The insulator layer formed by using the green sheet is very thin and has excellent surface roughness, and thus, an electron emission device and an electron emission display device having improved reliability can be obtained. In addition, production costs can be reduced.

이하, 본 발명을 보다 상세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명을 따르는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트는, 글라스 프릿, 분산제 및 바인더를 포함한다.The green sheet for insulator layer formation of the electron emission element which concerns on this invention contains a glass frit, a dispersing agent, and a binder.

상기 글라스 프릿은 절연성을 제공하는 공지된 글라스 프릿 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 글라스 프릿은, PbO-B₂O₃계 글라스 프릿, PbO-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿, PbO-B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃계 글라스 프릿, ZnO-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿, PbO-ZnO-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿, Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿 및 BaO-Ca0-SiO₂계 글라스 프릿으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The glass frit may be selected from known glass frits that provide insulation. For example, the glass frit may include PbO-B ₂ O ₃ -based glass frit, PbO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -based glass frit, PbO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -Al ₂ O ₃ -based glass frit, ZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ glass frit, PbO-ZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ glass frit, Na ₂ OB ₂ O ₃ -SiO ₂ glass frit and BaO-Ca0-SiO ₂ glass frit At least one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

상기 글라스 프릿은 예를 들면, 구 형상의 분말일 수 있는데, 이 때, 0.3㎛ 내지 5㎛, 바람직하게는 0.5㎛ 내지 1㎛의 평균 입경을 갖는 분말일 수 있다. 상기 글라스 프릿의 평균 입경이 0.5㎛ 미만일 경우 생산 단가가 지나치게 상승할 수 있고, 상기 글라스 프릿의 평균 입경이 1㎛를 초과할 경우 그린 시트의 표면 평탄화가 불량해 질 수 있기 때문이다.The glass frit may be, for example, a spherical powder, which may be a powder having an average particle diameter of 0.3 μm to 5 μm, preferably 0.5 μm to 1 μm. If the average particle diameter of the glass frit is less than 0.5 μm, the production cost may be excessively increased, and if the average particle diameter of the glass frit exceeds 1 μm, the surface planarization of the green sheet may be poor.

상기 분산제는 전술한 바와 같은 글라스 프릿을 균일하게 분산시킬 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 공지된 분산제 중에서 선택될 수 있다.The dispersant is not particularly limited as long as it can uniformly disperse the glass frit as described above, and may be selected from known dispersants.

예를 들어, 상기 분산제는 음이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제, 비이온성 계면 활성제, 폴리카르복실산형 고분자 계면 활성제, 폴리에테르에스테르산아민염 및 실란 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the dispersant may be at least one selected from the group consisting of anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, polycarboxylic acid type polymer surfactants, polyetheresteramine salts, and silane coupling agents, It is not limited to this.

보다 구체적으로, 상기 음이온성 계면 활성제의 예에는, 알킬벤젠술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산나트륨염, 알킬술포숙신산나트륨염, 알킬디페닐에테르디술폰산나트륨염, 포르말린축합물나트륨염, 방향족 술폰산포르말린축합물나트륨염 등이 포함될 수 있고; 상기 양이온성 계면 활성제의 예에는, 알킬아민염, 제 4 급 암모늄염 등이 포함될 수 있고; 상기 비이온성 계면 활성제의 예에는, 폴리에틸렌글리콜모노라우레이트, 폴리에틸렌글리콜모노스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜모노올레이트, 라우르산디에탄올아미드, 데실글루코시드, 라우릴글루코시드 등의 포함될 수 있고; 상기 폴리카르복실산형 고분자 계면 활성제의 예에는, α-올레핀/무수말레산 공중합물의 부분 에스테르, 지방족 폴리카르복실산염, 지방족 폴리카르복실산 특수 실리콘 등이 포함될 수 있고; 상기 폴리에테르에스테르아민염의 예에는, 폴리에테르폴리에스테르산, 폴리에테르폴리올폴리에스테르산 등의 폴리에테르에스테르산류와, 고분자 폴리아민 등의 유기 아민류로부터 얻어지는 고분자 분산제 등이 포함될 수 있고; 상기 실란 커플링제의 예에는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란ㆍ염산염, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, 아미노실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-아닐리 노프로필트리메톡시실란, 옥타데실디메틸(3-(트리메톡시실릴)프로필)암모늄클로라이드, γ-우레이도프로필트리에톡시실란 등이 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.More specifically, examples of the anionic surfactant include alkyl benzene sulfonates, alkyl naphthalene sulfonates, sodium alkyl sulfosuccinate salts, alkyl diphenyl ether disulfonic acid salts, formalin condensates sodium salts and aromatic sulfonic acid formalin condensates. Sodium salts and the like; Examples of the cationic surfactant may include alkylamine salts, quaternary ammonium salts, and the like; Examples of the nonionic surfactants include polyethylene glycol monolaurate, polyethylene glycol monostearate, polyethylene glycol distearate, polyethylene glycol monooleate, lauric acid ethanolamide, decylglucoside, lauryl glucoside, and the like. Can; Examples of the polycarboxylic acid type polymer surfactant may include partial esters of α-olefin / maleic anhydride copolymers, aliphatic polycarboxylates, aliphatic polycarboxylic acid special silicones, and the like; Examples of the polyether ester amine salt may include polyether ester acids such as polyether polyester acid and polyether polyol polyester acid, and a polymer dispersant obtained from organic amines such as polymer polyamine; Examples of the silane coupling agent include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, and N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl). -γ-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β-glycidoxypropylmethyldimethoxy Silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ -(2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, aminosilane, vinyltriacetoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, octadecyldimethyl (3- (trimethoxysilyl) propyl) ammonium chloride , γ-ureidopropyltriethoxysilane, etc. may be included, but Not limited.

상기 바인더는 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시키는 역할을 하는 것으로서, 공지된 통상의 바인더 중에서 선택될 수 있다. 상기 바인더의 예에는 아크릴계 수지가 포함될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 아크릴계 수지의 예에는, 예를 들어 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, (메트)아크릴레이트 화합물의 2 종 이상의 공중합체, (메트)아크릴레이트 화합물과 다른 공중합성 단량체와의 공중합체 등을 들 수 있다. The binder serves to adhere the green sheet on the substrate of the electron emission device, and may be selected from known conventional binders. Examples of the binder may include an acrylic resin. More specifically, examples of the acrylic resin include, for example, homopolymers of (meth) acrylate compounds, two or more copolymers of (meth) acrylate compounds, (meth) acrylate compounds and other copolymerizable monomers. And copolymers.

상기 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체예로는, (메트)아크릴산; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시 프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트; 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트; 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트; 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메트)아크릴레이트; 벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As a specific example of the said (meth) acrylate compound, (meth) acrylic acid; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth ) Acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylic Alkyl (meth) acrylates such as late, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, and isostearyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxy propyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl ( Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate and 3-hydroxybutyl (meth) acrylate; Phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate; 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl ( Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate; Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxy diethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, Polyalkylene glycols such as polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, and nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate ( Meth) acrylates; Cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bor Cycloalkyl (meth) acrylates such as niel (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and tricyclodecanyl (meth) acrylate; Benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

다른 공중합성 단량체로는, 상기 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특별히 제약은 없지만, 예를 들어 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에 테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물; 등을 사용할 수 있다. As another copolymerizable monomer, if it is a compound copolymerizable with the said (meth) acrylate compound, there will be no restriction | limiting in particular, For example, unsaturated carboxylic acids, such as (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, vinylphthalic acid; Vinyl group-containing radical polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene and isoprene; Etc. can be used.

이 밖에, 상기 그린 시트는 가소제를 더 포함할 수 있다.In addition, the green sheet may further include a plasticizer.

상기 가소제는 그린 시트 제조 후 형상 유연성(flexibility) 역할을 하는 것으로서, 예를 들면, 폴리비닐 부티랄, 아디프산디-2-에틸헥실 등을 사용할 수 있다.The plasticizer plays a role of shape flexibility after manufacturing the green sheet. For example, polyvinyl butyral, di-2-ethylhexyl adipic acid, or the like may be used.

상기 그린 시트는 후술하는 바와 같이, 전자 방출 소자의 절연체층 형성시 사용될 수 있는 바, 이를 이용하면 박막이면서도 우수한 표면 조도를 갖는 절연체층을 저렴한 비용으로 대량 제조할 수 있다.As described below, the green sheet may be used when forming an insulator layer of an electron emission device. By using the green sheet, a large amount of the insulator layer having excellent surface roughness may be manufactured at low cost.

본 발명을 따르는 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층은 각종 전자 소자, 예를 들면, 전자 방출 소자에 구비될 수 있다.The insulator layer formed using the green sheet according to the present invention may be provided in various electronic devices, for example, electron emitting devices.

상기 절연체층은, 전술한 바와 같은 그린 시트를 이용하여 형성되는 바, 우수한 표면 조도를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 절연체층의 표면 조도는 0.05㎛ 내지 1㎛의 표면 조도를 가질 수 있다. 이는 종래의 절연체층(예를 들면, 스크린 인쇄법을 이용하여 형성된 절연체층)의 표면 조도가 1㎛ 내지 10㎛이라는 점을 고려해 볼 때, 유의미한 수준에서 향상된 수치이다.The insulator layer may be formed using the green sheet as described above, and may have excellent surface roughness. For example, the surface roughness of the insulator layer may have a surface roughness of 0.05 μm to 1 μm. This is a numerical value improved at a significant level, considering that the surface roughness of the conventional insulator layer (for example, the insulator layer formed using the screen printing method) is 1 µm to 10 µm.

상기 절연체층의 두께는 2㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 이는 종래의 절연체층(예를 들면, 스크린 인쇄법을 이용하여 형성된 절연체층)이 5㎛ 미만의 두께를 가질 수 없었다는 점을 고려할 때, 유의미한 수준에서 향상된 수치이다.The insulator layer may have a thickness of 2 μm to 5 μm. This is an improved figure at a significant level, considering that conventional insulator layers (eg, insulator layers formed using screen printing) could not have a thickness of less than 5 μm.

본 발명을 따르는 전자 방출 소자는, 제1기판과, 상기 제1기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 전자방출원과, 상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연하는 절연체층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 물론, 상기 절연체층은 전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 그린 시트를 이용하여 형성된 것이다.An electron emission device according to the present invention includes a first substrate, a cathode electrode and an electron emission source disposed on the first substrate, a gate electrode arranged to be electrically insulated from the cathode electrode, the cathode electrode and the gate. It may have a structure including an insulator layer disposed between the electrodes to insulate the cathode electrode and the gate electrode. Of course, the insulator layer is formed using the green sheet according to the present invention as described above.

본 발명을 따르는 전자 방출 소자는, 상기 게이트 전극의 상측을 덮는 제2절연체층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 절연체층에 의하여 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 게이트 전극과 나란한 방향으로 배치된 집속 전극을 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제2절연층도 전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 그린 시트를 이용하여 형성된 것일 수 있다.The electron emission device according to the present invention may further include a second insulator layer covering an upper side of the gate electrode. The display device may further include a focusing electrode insulated from the gate electrode by the second insulator layer and disposed in a direction parallel to the gate electrode. In this case, the second insulating layer may also be formed using the green sheet according to the present invention as described above.

전술한 바와 같은 그린 시트를 이용하여 본 발명의 전자 방출 소자를 제조하는 방법은, 글라스 프릿, 분산제, 바인더 및 용매를 포함하는 그린 시트 형성용 조성물을 준비하는 단계와, 상기 그린 시트 형성용 조성물을 전사 필름에 도포한 다음 건조시켜, 그린 시트를 얻는 단계와, 상기 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시키는 단계와, 상기 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착된 그린 시트를 소성시켜, 전자 방출 소자의 절연체층을 얻는 단계를 포함할 수 있다.Method for producing an electron-emitting device of the present invention using the green sheet as described above, preparing a composition for forming a green sheet containing a glass frit, a dispersant, a binder and a solvent, and the composition for forming the green sheet Applying to the transfer film and then drying to obtain a green sheet, adhering the green sheet to the upper portion of the substrate of the electron emission element, and firing the green sheet adhered to the upper portion of the substrate of the electron emission element to emit electrons Obtaining an insulator layer of the device.

먼저, 글라스 프릿, 분산제, 바인더 및 용매를 포함하는 그린 시트 형성용 조성물을 준비한다. 상기 글라스 프릿, 분산제 및 바인더에 관한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다. First, the composition for green sheet formation containing a glass frit, a dispersing agent, a binder, and a solvent is prepared. Detailed description of the glass frit, dispersant and binder is referred to above.

상기 용매는 그린 시트 형성용 조성물에 소정의 점도를 제공하여, 그린 시트 형성용 조성물의 인쇄성을 증가시키는 역할을 한다. 상기 용매는 전술한 바와 같은 글라스 프릿, 분산제 및 바인더와의 혼화성이 우수하면서도 건조가 용이한 물질이라면 특별히 제한되지 않는다. The solvent serves to provide a predetermined viscosity to the green sheet forming composition, thereby increasing the printability of the green sheet forming composition. The solvent is not particularly limited as long as it is a material easily mixed with the glass frit, the dispersing agent and the binder as described above and easy to dry.

상기 용매의 예에는, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등의 에테르류; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 락트산메틸 등의 에스테르류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류: N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디메틸아세트아미드, 헥사메틸인산포스포로아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; ε-카프롤락탐 등의 락탐류; γ-락톤, δ-락톤 등의 락톤류; 디메틸술폭사이드, 디에틸술폭사이드 등의 술폭사이드류; 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로옥탄 등의 지환식 탄화수소류; 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; 디클로로메탄, 클로로포름, 4 염화탄소, 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소류; 및 이들의 2 종 이상으로 이루어지는 혼합 용매; 등이 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the solvent include ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; Esters such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and methyl lactate; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone and cyclohexanone: N, N'-dimethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, hexamethyl phosphate phosphoamide, N-methyl Amides such as pyrrolidone; lactams such as ε-caprolactam; lactones such as γ-lactone and δ-lactone; Sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide; Aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane, nonane and decane; Alicyclic hydrocarbons such as cyclopentane, cyclohexane and cyclooctane; Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; Halogenated hydrocarbons such as dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane and chlorobenzene; And mixed solvent which consists of 2 or more types of these; And the like, but are not limited thereto.

상기 분산제의 함량은 상기 글라스 프릿 100중량부 당 0.001중량부 내지 1중량부, 바람직하게는 0.01중량부 내지 0.1중량부일 수 있다. 상기 분산제의 함량이 글라스 프릿 100중량부 당 0.001중량부 미만인 경우, 글라스 프릿이 효과적으로 분산될 수 없다는 문제점이 있을 수 있고, 상기 분산제의 함량이 글라스 프릿 100중량부 당 1중량부를 초과할 경우, 상대적으로 글라스 프릿의 함량이 감소하여 절연 체층의 절연성이 저하될 수 있기 때문이다.The content of the dispersant may be 0.001 parts by weight to 1 part by weight, preferably 0.01 parts by weight to 0.1 parts by weight, per 100 parts by weight of the glass frit. When the content of the dispersant is less than 0.001 part by weight per 100 parts by weight of glass frit, there may be a problem that the glass frit cannot be effectively dispersed, and when the content of the dispersant exceeds 1 part by weight per 100 parts by weight of glass frit, This is because the content of the glass frit may be reduced, thereby reducing the insulation of the insulator layer.

상기 바인더의 함량은 상기 글라스 프릿 100중량부 당 20중량부 내지 500중량부, 바람직하게는 300중량부 내지 400중량부일 수 있다. 상기 바인더의 함량이 글라스 프릿 100중량부 당 20중량부 미만인 경우, 그린 시트가 전자 방출 소자에 효과적으로 접착되지 않을 수 있고, 상기 바인더의 함량이 글라스 프릿 100중량부 당 500중량부를 초과할 경우, 그린 시트 소성에 지나치게 많은 비용 및 시간이 소요될 수 있기 때문이다.The content of the binder may be 20 to 500 parts by weight, preferably 300 to 400 parts by weight, per 100 parts by weight of the glass frit. When the content of the binder is less than 20 parts by weight per 100 parts by weight of glass frit, the green sheet may not be effectively adhered to the electron emitting device, and when the content of the binder exceeds 500 parts by weight per 100 parts by weight of glass frit, This is because sheet firing may take too much cost and time.

상기 용매의 함량은 상기 글라스 프릿 100중량부 당 10중량부 내지 200중량부, 바람직하게는 50중량부 내지 100중량부일 수 있다. 상기 용매의 함량이 글라스 프릿 100중량부 당 10중량부 미만인 경우, 그린 시트 형성용 조성물의 인쇄성이 불량해 질 수 있고, 상기 용매의 함량이 글라스 프릿 100중량부 당 200중량부를 초과할 경우, 그린 시트 건조에 지나치게 많은 비용 및 시간이 소요될 수 있기 때문이다.The content of the solvent may be 10 parts by weight to 200 parts by weight, preferably 50 parts by weight to 100 parts by weight, per 100 parts by weight of the glass frit. When the content of the solvent is less than 10 parts by weight per 100 parts by weight of glass frit, the printability of the composition for forming a green sheet may be poor, and when the content of the solvent exceeds 200 parts by weight per 100 parts by weight of glass frit, This is because green sheet drying may take too much cost and time.

상기 그린 시트 형성용 조성물은 가소제를 더 포함할 수 있다. 상기 가소제에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다.The green sheet forming composition may further include a plasticizer. Detailed description of the plasticizer is referred to above.

그리고 나서, 상기 그린 시트 형성용 조성물을 전사 필름에 도포한 다음 건조시켜, 그린 시트를 얻는다.Then, the composition for forming a green sheet is applied to a transfer film and then dried to obtain a green sheet.

상기 전사 필름은 상기 그린 시트 형성용 조성물과 반응하지 않으면서도, 그린 시트와의 박리가 용이한 것이라면 공지된 필름 중에서 선택될 수 있다. 상기 전사 필름의 예에는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필 름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등이 포함되나, 이에 한정되는 것은 아니다.The transfer film may be selected from known films as long as it does not react with the green sheet forming composition and is easily peeled from the green sheet. Examples of the transfer film include, but are not limited to, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polyethylene film, polypropylene film, and the like.

상기 그린 시트 형성용 조성물을 전사 필름에 도포하는 방법은 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 닥터 블레이드, 코마롤, 나이프 코터, 다이 코터 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the method for applying the green sheet forming composition to a transfer film, various known methods can be used. For example, a doctor blade, a coma roll, a knife coater, a die coater, or the like may be used, but is not limited thereto.

전사 필름에 도포된 그린 시트 형성용 조성물 중 용매 등을 휘발시키는 건조 과정을 통하여, 그린 시트를 얻을 수 있다. 상기 그린 시트 형성용 조성물을 건조시키는 방법은 열건조법 등과 같은 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있다. 열건조법을 사용할 경우, 열처리 온도 및 시간은 그린 시트 형성용 조성물에 포함된 물질 및 그린 시트의 두께에 따라 상이하나, 그린 시트 형성용 조성물 중 용매를 충분히 휘발시킬 수 있으면서도 전사 필름을 변형시키지 않을 온도면 충분하다. 예를 들면, 20℃ 내지 800℃의 온도 하에서 5분 내지 30분 동안 열처리하여 건조시킴으로써, 그린 시트를 얻을 수 있다.A green sheet can be obtained through the drying process which volatilizes a solvent etc. in the composition for green sheet formation apply | coated to the transfer film. The method for drying the green sheet forming composition may use a variety of known methods such as a thermal drying method. When the heat drying method is used, the heat treatment temperature and time vary depending on the thickness of the material and the green sheet included in the composition for forming the green sheet, but the temperature at which the solvent in the composition for forming the green sheet can be sufficiently volatilized while not deforming the transfer film. Is enough. For example, a green sheet can be obtained by heat-processing and drying for 5 to 30 minutes at the temperature of 20 to 800 degreeC.

이와 같은 그린 시트 형성용 조성물의 도포 및 건조 과정은 시판 중인 통상의 그린 시트 제작 설비를 이용하여 원-스텝으로 수행할 수도 있다.The application and drying process of the composition for forming a green sheet may be performed in one-step using a commercially available green sheet manufacturing equipment.

이 후, 상기 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시킨다. 이 때, 전사 필름의 분리는 그린 시트를 전자 방출 소자에 접착시키는 과정의 전 또는 후에 이루어질 수 있다.Thereafter, the green sheet is bonded to the upper portion of the substrate of the electron emission device. At this time, the transfer film may be separated before or after the process of adhering the green sheet to the electron-emitting device.

상기 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시키는 단계를 공지된 다양한 방법을 이용하여 이루어질 수 있다. 예를 들면, 열가압 접착법을 이용하여 수행될 수 있다. 상기 열가압 접착법은 예를 들면, 50℃ 내지 200℃의 온도 및 0.1kgf/cm² 내지 10kgf/cm²의 압력 하에서 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The step of adhering the green sheet on top of the substrate of the electron emission device may be performed using various known methods. For example, it can be carried out using a thermal pressure bonding method. The heat pressing bonding method, for example, but can be carried out under temperature and pressure of 0.1kgf / cm ² to 10kgf / cm ² for 50 ℃ to 200 ℃, but is not limited to such.

그리고 나서, 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착된 그린 시트를 소성시켜, 바인더는 일부 이상 열분해되고, 글라스 프릿 등은 일부 이상 용융시킴으로써, 절연체층을 완성한다. 상기 소성 공정은 그린 시트를 이루는 물질 및 그린 시트의 두께에 따라 다양하게 변화될 수 있으나, 예를 들면, 450℃ 내지 550℃의 소성 온도 및 5분 내지 15분의 소성 시간 하에서 수행될 수 있다.Then, the green sheet bonded to the upper substrate of the electron-emitting device is fired, the binder is thermally decomposed at least partly, and the glass frit or the like is melted at least partly to complete the insulator layer. The firing process may vary depending on the material of the green sheet and the thickness of the green sheet. For example, the firing process may be performed at a firing temperature of 450 ° C. to 550 ° C. and a firing time of 5 minutes to 15 minutes.

이와 같은 전자 방출 소자는 각종 장치에서 이용될 수 있는데, 예를 들면, LCD등의 백라이트 유니트로서 이용되거나, 전자 방출 디스플레이 장치 등으로 이용될 수 있다.Such an electron emitting device can be used in various devices. For example, the electron emitting device can be used as a backlight unit such as an LCD or an electron emitting display device.

이 중, 본 발명을 따르는 전자 방출 소자를 이용한 전자 방출 디스플레이 장치는, 제1기판과, 상기 제1기판 상에 배치된 복수 개의 캐소드 전극과, 상기 캐소오드 전극들과 교차하도록 배치된 복수 개의 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어 상기 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극들을 절연하는 절연체층과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극이 교차하는 지점에 형성된 전자 방출원 홀과, 상기 전자 방출원 홀 내에 배치된 전자 방출원과, 상기 제1 기판과 실질적으로 평행하게 배치되는 제2기판과, 상기 제2 기판에 배치된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 배치된 형광체층을 포함할 수 있다.Among these, an electron emission display apparatus using an electron emission device according to the present invention includes a first substrate, a plurality of cathode electrodes disposed on the first substrate, and a plurality of gates arranged to intersect the cathode electrodes. An insulator layer disposed between the electrode and the cathode and the gate electrode to insulate the cathode and the gate electrodes, an electron emission hole formed at an intersection point of the cathode and the gate electrode, An electron emission source disposed in the electron emission source hole, a second substrate disposed substantially parallel to the first substrate, an anode electrode disposed on the second substrate, and a phosphor layer disposed on the anode electrode; Can be.

상기 전자 방출 소자가 포함된 전자 방출 디스플레이 장치(100)는 도 1 및 도 2에 도시되어 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 전자 방출 디스플레이 장치(100)는 나란하게 배치되어 진공인 발광 공간(103)을 형성하는 전자 방출 소자(101) 및 전면 패널(102)과, 상기 전자 방출 소자(101) 및 전면 패널(102) 사이의 간격을 유지하여 주는 스페이서(60)를 구비한다. An electron emission display apparatus 100 including the electron emission device is illustrated in FIGS. 1 and 2. As shown in FIGS. 1 and 2, the electron emission display apparatus 100 is disposed side by side to form an electron emission element 101 and a front panel 102 which form a vacuum emitting space 103. A spacer 60 is provided to maintain a gap between the device 101 and the front panel 102.

상기 전자 방출 소자(101)는, 제1기판(110), 상기 제1기판(110) 상에 교차되도록 배치된 게이트 전극(140)들과 캐소드 전극(120)들 및 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소드 전극(120) 사이에 배치되어 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소드 전극(120)을 전기적으로 절연하는 절연체층(130)을 구비한다. 상기 절연체층(130)은 전술한 바와 같은 본 발명의 그린 시트를 이용하여 형성된 것이다.The electron emission device 101 may include a first substrate 110, gate electrodes 140, cathode electrodes 120, and the gate electrodes 140 arranged to intersect on the first substrate 110. The insulating layer 130 is disposed between the cathode electrode 120 and electrically insulates the gate electrode 140 from the cathode electrode 120. The insulator layer 130 is formed using the green sheet of the present invention as described above.

상기 게이트 전극(140)들과 상기 캐소드 전극(120)들이 교차하는 영역들에는 전자 방출원 홀(131)들이 형성되어 있으며, 그 내부에 전자 방출원(150)이 배치되어 있다. Electron emission holes 131 are formed in regions where the gate electrodes 140 and the cathode electrode 120 cross each other, and an electron emission source 150 is disposed therein.

상기 전면 패널(102)은 제2 기판(90), 상기 제2 기판(90)의 저면에 배치된 애노드 전극(80), 상기 애노드 전극(80)의 저면에 배치된 형광체층(70)을 구비한다. The front panel 102 includes a second substrate 90, an anode electrode 80 disposed on the bottom surface of the second substrate 90, and a phosphor layer 70 disposed on the bottom surface of the anode electrode 80. do.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 명확히 표현하기 위한 목적으로 기재되는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples and comparative examples of the present invention are described. The following examples are only described for the purpose of more clearly expressing the present invention, and the content of the present invention is not limited to the following examples.

[실시예]EXAMPLE

실시예Example

글라스 프릿으로서, PbO(60 중량%)-B₂O₃(10 중량%)-SiO₂(25 중량%)-Al₂O₃(5 중량%)계 글라스 프릿(평균 입경은 3㎛임) 100중량부, 분산제로서, 폴리카르복실산계 고분자 계면 활성제 0.5중량부, 바인더로서 2-에틸헥실메타크릴레이트와 2-히드록시에틸메타크릴레이트를 몰 비 95:5로 공중합하여 얻어진 공중합체 25중량부, 가소제로서, 아디프산디-2-에틸헥실 2중량부, 용매로서, 아세트산에틸과 메틸이소부틸케톤의 1:1 혼합 용매를 40중량부를 혼합 및 교반하여, 그린 시트 형성용 조성물을 제조하였다.Glass frit, PbO (60 wt%)-B ₂ O ₃ (10 wt%)-SiO ₂ (25 wt%)-Al ₂ O ₃ (5 wt%)-based glass frit (average particle diameter is 3 μm) 100 25 parts by weight of a copolymer obtained by copolymerizing 2-ethylhexyl methacrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate in a molar ratio of 95: 5 by weight, and 0.5 parts by weight of a polycarboxylic acid-based polymer surfactant as a dispersant. , 2 parts by weight of di-2-ethylhexyl adipic acid as a plasticizer and 40 parts by weight of a 1: 1 mixed solvent of ethyl acetate and methyl isobutyl ketone as a solvent were mixed and stirred to prepare a composition for forming a green sheet.

전사 필름으로서㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 준비한 다음, 상기 필름 상부에 상기 그린 시트 형성용 조성물을 닥터 블레이드를 이용하여 도포한 다음, 150℃의 온도에서 30분 동안 건조시켜, 그린 시트를 얻었다.A polyethylene terephthalate (PET) film was prepared as a transfer film, and then the green sheet forming composition was applied to the upper portion of the film using a doctor blade, and then dried at a temperature of 150 ° C. for 30 minutes, thereby allowing the green sheet to be dried. Got it.

이 후, 상기 그린 시트면을 표면에 투명 전극이 형성된 유리 기판(50㎜ ×50㎜)표면에 포갠 후, 가열 롤러를 사용하여 열압착(100℃, 2㎏/㎠)하였다.Thereafter, the green sheet surface was folded onto a glass substrate (50 mm x 50 mm) surface having a transparent electrode formed thereon, and then thermocompression-bonded (100 ° C., 2 kg / cm 2) using a heating roller.

그 후, 전사 필름(PET 필름)을 박리 제거하여 가열로 안에 넣고, 500℃의 온도에서 15분간 소성시켜, 절연체층을 얻었다. 이 후, 전자 방출원 및 게이트 전극을 형성하여, 전자 방출 소자를 얻었다. 이를 샘플 1이라 한다.Then, the transfer film (PET film) was peeled off and put in the heating furnace, and it baked at the temperature of 500 degreeC for 15 minutes, and obtained the insulator layer. Thereafter, an electron emission source and a gate electrode were formed to obtain an electron emission device. This is called sample 1.

평가예Evaluation example 1 One

상기 샘플 1의 절연체층의 표면을 TEM으로 관찰하였다. 그 결과, 본 발명을 따르는 전자 방출 소자의 절연체층은 0.1㎛ 내지 0.5㎛의 표면 조도를 갖는 것을 알 수 있다.The surface of the insulator layer of Sample 1 was observed by TEM. As a result, it can be seen that the insulator layer of the electron-emitting device according to the present invention has a surface roughness of 0.1 µm to 0.5 µm.

본 발명을 따르는 전자 방출원 형성용 그린 시트를 이용하여 전자 방출 소자의 절연체층을 형성할 경우, 박막이면서도 우수한 표면 조도를 갖는 절연체층을 저렴한 비용으로 대량 제작할 수 있다. When the insulator layer of the electron emission element is formed by using the green sheet for electron emission source formation according to the present invention, a large amount of the insulator layer having excellent surface roughness can be manufactured at low cost.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예 등을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. I can understand that you can.

Claims (14)

글라스 프릿, 분산제 및 바인더를 포함하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트.A green sheet for forming an insulator layer of an electron emitting device comprising a glass frit, a dispersant and a binder. 제1항에 있어서, 상기 글라스 프릿은 PbO-B₂O₃계 글라스 프릿, PbO-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿, PbO-B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃계 글라스 프릿, ZnO-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿, PbO-ZnO-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿, Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 글라스 프릿 및 BaO-Ca0-SiO₂계 글라스 프릿으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트.The glass frit of claim 1, wherein the glass frit comprises PbO-B ₂ O ₃ -based glass frit, PbO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -based glass frit, PbO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -Al ₂ O ₃ -based glass frit , ZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ glass frit, PbO-ZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ glass frit, Na ₂ OB ₂ O ₃ -SiO ₂ glass frit and BaO-Ca0-SiO ₂ glass Green sheet for forming an insulator layer of an electron-emitting device, characterized in that at least one selected from the group consisting of a frit. 제1항에 있어서, 상기 분산제는 음이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제, 비이온성 계면 활성제, 폴리카르복실산형 고분자 계면 활성제, 폴리에테르에스테르산아민염 및 실란 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트.The method of claim 1, wherein the dispersing agent is at least one selected from the group consisting of anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, polycarboxylic acid type polymer surfactants, polyether ester acid amine salts and silane coupling agents A green sheet for forming an insulator layer of an electron emitting device. 제1항에 있어서, 상기 바인더가 아크릴계 수지인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 절연체층 형성용 그린 시트.The green sheet for forming an insulator layer of the electron emission device according to claim 1, wherein the binder is an acrylic resin. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 그린 시트를 이용하여 형성된 절연체층을 구비한 전자 방출 소자.The electron emission element provided with the insulator layer formed using the green sheet of any one of Claims 1-4. 제5항에 있어서, 상기 절연체층의 표면 조도가 0.05㎛ 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.6. The electron emission device according to claim 5, wherein the surface roughness of the insulator layer is 0.05 µm to 1 µm. 제5항에 있어서, 상기 절연체층의 두께가 2㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.The electron emission device according to claim 5, wherein the insulator layer has a thickness of 2 µm to 5 µm. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 제1기판; A first substrate; 상기 제1기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 전자방출원; A cathode electrode and an electron emission source disposed on the first substrate; 상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극; 및A gate electrode disposed to be electrically insulated from the cathode electrode; And 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연하는 절연체층; An insulator layer disposed between the cathode electrode and the gate electrode to insulate the cathode electrode and the gate electrode; 을 포함하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.Electron emitting device having a structure comprising a. 제5항에 있어서, 상기 게이트 전극의 상측을 덮는 제2절연체층과, 상기 제2 절연체층에 의하여 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 게이트 전극과 나란한 방향으로 배치된 집속 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.The semiconductor device of claim 5, further comprising a second insulator layer covering an upper side of the gate electrode, and a focusing electrode insulated from the gate electrode by the second insulator layer, and arranged in a direction parallel to the gate electrode. An electron emission element made into. 제9항에 있어서, 상기 제2절연체층이 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 그린 시트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.The electron emission device according to claim 9, wherein the second insulator layer is formed using the green sheet of any one of claims 1 to 4. 글라스 프릿, 분산제, 바인더 및 용매를 포함하는 그린 시트 형성용 조성물을 준비하는 단계;Preparing a composition for forming a green sheet including a glass frit, a dispersant, a binder, and a solvent; 상기 그린 시트 형성용 조성물을 전사 필름에 도포한 다음 건조시켜, 그린 시트를 얻는 단계;Applying the green sheet forming composition to a transfer film and then drying to obtain a green sheet; 상기 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시키는 단계; 및Adhering the green sheet on top of a substrate of an electron emission device; And 상기 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착된 그린 시트를 소성시켜, 전자 방출 소자의 절연체층을 얻는 단계;Firing the green sheet bonded to the substrate of the electron emission device to obtain an insulator layer of the electron emission device; 를 포함하는, 전자 방출 소자의 제조 방법.It includes, the manufacturing method of the electron emitting device. 제11항에 있어서, 상기 그린 시트 형성용 조성물이 가소제 또는 필러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.The method for manufacturing an electron emission device according to claim 11, wherein the green sheet forming composition further comprises a plasticizer or a filler. 제5항에 있어서, 상기 그린 시트를 전자 방출 소자의 기판 상부에 접착시키는 단계를 열가압 접착법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.The method of manufacturing an electron emission device according to claim 5, wherein the step of adhering the green sheet to the upper portion of the substrate of the electron emission device is performed by using a thermal pressure bonding method. 제1기판; A first substrate; 상기 제1기판 상에 배치된 복수 개의 캐소드 전극; A plurality of cathode electrodes disposed on the first substrate; 상기 캐소드 전극들과 교차하도록 배치된 복수 개의 게이트 전극; A plurality of gate electrodes disposed to intersect the cathode electrodes; 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어 상기 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극들을 절연하는 절연체층; An insulator layer disposed between the cathode electrode and the gate electrode to insulate the cathode electrodes from the gate electrodes; 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극이 교차하는 지점에 형성된 전자 방출원 홀; An electron emission source hole formed at a point where the cathode electrode and the gate electrode cross each other; 상기 전자 방출원 홀 내에 배치된 전자 방출원; 및 An electron emission source disposed in the electron emission hole; And 상기 제1기판과 실질적으로 평행하게 배치되는 제2기판; A second substrate disposed substantially parallel to the first substrate; 상기 제2기판에 배치된 애노드 전극; 및 An anode disposed on the second substrate; And 상기 애노드 전극에 배치된 형광체층을 포함하고, 상기 절연체층이 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 그린 시트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 디스플레이 장치. An electron emission display device comprising a phosphor layer disposed on the anode electrode, wherein the insulator layer is formed using the green sheet of claim 1.

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