KR20070038281A - 박막 트랜지스터 표시판 - Google Patents
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Abstract
기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 입력 단자, 출력 단자 및 제어 단자를 가지는 스위칭 소자, 상기 출력 단자에 전기적으로 연결되어 있는 투명 전극, 상기 출력 단자에 전기적으로 연결되어 있는 제1 반사 전극, 상기 출력 단자의 아래에 층을 달리하여 형성되어 있으며 상기 출력 단자와 절연되어 있고 상기 출력 단자와의 사이에서 유지 축전기를 형성하는 유지 전극, 상기 출력 단자의 위에 층을 달리하여 형성되어 있으며 상기 출력 단자와 절연되어 있으며 상기 출력 단자와의 사이에서 보조 축전기를 형성하는 제2 반사 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다.
박막 트랜지스터 표시판, 반투과, 투과 영역, 반사 영역, 보조 축전기
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 개략도이다.
도 3은 도 2에 도시한 액정 표시 장치의 단면 구조의 한 예를 도시한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시한 액정 표시 장치의 제1 및 제2 반사 전극의 반사율 곡선을 투과율 곡선과 함께 도시한 도면이다.
도 5는 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 배치도의 한 예이다.
도 6은 도 5에 도시한 액정 표시 장치를 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 10은 도 2에 도시한 액정 표시 장치의 단면 구조의 다른 예를 도시한 도면이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 반투과형(transflective) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극과 편광판이 구비된 한 쌍의 표시판 사이에 위치한 액정층을 포함한다. 전계 생성 전극은 액정층에 전계를 생성하고 이러한 전계의 세기가 변화함에 따라 액정 분자들의 배열이 변화한다. 예를 들면, 전계가 인가된 상태에서 액정층의 액정 분자들은 그 배열을 변화시켜 액정층을 지나는 빛의 편광을 변화시킨다. 편광판은 편광된 빛을 적절하게 차단 또는 투과시켜 밝고 어두운 영역을 만들어 냄으로써 원하는 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 스스로 발광하지 못하는 수광형 표시 장치이므로 별개로 구비된 후광 장치(backlight unit)의 램프에서 나오는 빛을 액정층을 통과시키거나 자연광 등 외부에서 들어오는 빛을 액정층을 일단 통과시켰다가 다시 반사하여 액정층을 다시 통과시킨다. 전자의 경우를 투과형(transmissive) 액정 표시 장치라 하고 후자의 경우를 반사형(reflective) 액정 표시 장치라 하는데, 후자의 경우는 주로 중소형 표시 장치에 사용된다. 또한 환경에 따라 후광 장치를 사용하기도 하고 외부광을 사용하기도 하는 반투과형 또는 반사-투과형 액정 표시 장치가 개발되어 주로 중소형 표시 장치에 적용되고 있다.
반투과형 액정 표시 장치의 경우 각 화소에 투과 영역과 반사 영역을 두는데, 투과 영역에서는 빛이 액정층을 한 번만 통과하고 반사 영역에서는 두 번 통과하므로 투과 영역에서의 감마 곡선과 반사 영역에서의 감마 곡선이 일치하지 않아 두 영역에서 화상이 다르게 표시된다.
따라서, 이를 해소하기 위하여 투과 영역과 반사 영역의 액정층 두께, 즉 셀 간격(cell gap)을 다르게 한다. 이와는 달리 투과 영역을 주로 사용하는 투과 모드일 때와 반사 영역을 주로 사용하는 반사 모드일 때 서로 다른 전압으로 구동하기도 한다.
그런데, 셀 간격을 다르게 하는 방식에서는 반사 영역에 두꺼운 막을 형성하는 공정이 필요하고, 이에 따라 공정이 복잡해 진다. 또한 투과 영역과 반사 영역의 경계에서 큰 단차를 가지므로 액정 배향이 제대로 되지 않고(disclination), 잔상이 발생할 수 있다. 더욱이 반사 전극에 인가되는 전압이 커짐에 따라 반사 휘도가 감소하는 현상도 발생한다. 한편, 투과 영역과 반사 영역에서 서로 다른 전압을 인가하는 방식에서는 반사 휘도의 임계 전압이 투과 휘도의 임계 전압과 달라 두 영역의 감마 곡선을 일치시킬 수 없다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 셀 간격이 실질적으로 동일하면서도 반사 모드의 감마 곡선을 투과 모드의 감마 곡선에 일치시킬 수 있는 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에서는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 입력 단자, 출력 단자 및 제어 단자를 가지는 스위칭 소자, 상기 출력 단자에 전기적으로 연결되어 있는 투명 전극, 상기 출력 단자에 전기적으로 연 결되어 있는 제1 반사 전극, 상기 출력 단자의 아래에 층을 달리하여 형성되어 있으며 상기 출력 단자와 절연되어 있고 상기 출력 단자와의 사이에서 유지 축전기를 형성하는 유지 전극, 상기 출력 단자의 위에 층을 달리하여 형성되어 있으며 상기 출력 단자와 절연되어 있으며 상기 출력 단자와의 사이에서 보조 축전기를 형성하는 제2 반사 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 보조 축전기는 상기 출력 단자의 연장부와 상기 제2 반사 전극이 중첩하여 이루어지고, 상기 출력 단자의 연장부는 상기 투명 전극과 동일한 물질로 이루어져 있으며 상기 투명 전극과 동일한 층에 형성되어 있다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 보조 축전기는 상기 출력 단자와 상기 제2 반사 전극의 연장부가 중첩하여 이루어지고, 상기 제2 반사 전극의 연장부는 상기 투명 전극과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되어 있으며 상기 투명 전극과 전기적으로 분리되어 있다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 유지 전극과 상기 출력 단자 전극은 모두 상기 제1 반사 전극 및 상기 제2 반사 전극과 중첩한다.
또는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 유지 전극을 포함하는 유지 전극선, 상기 유지 전극선 및 게이트 전극선을 덮고 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되어 있는 반도체, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체 위에까지 연장되어 있는 소스 전 극을 포함하고 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 반도체 위에서 상기 소스 전극과 마주하고 있고 상기 유지 전극과 중첩하는 확장부를 가지는 드레인 전극, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 투명 전극, 상기 투명 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제1 반사 전극, 상기 투명 전극 및 상기 제1 반사 전극과 분리되어 있고 상기 드레인 전극과 정전 용량성으로 결합되어 있는 제2 반사 전극을 포함하고, 상기 유지 전극과 상기 드레인 전극은 모두 상기 제1 반사 전극 및 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 부분을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 투명 전극과 상기 제1 및 제2 반사 전극 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 절연막은 상기 제2 접촉 구멍을 가지며, 상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막 사이에 형성되어 있으며 상기 제2 반사 전극과 상기 제2 절연막이 가지는 제2 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있고 상기 드레인 전극의 확장부와 중첩하는 보조 전극을 더 포함한다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 투명 전극은 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 부분을 포함하고, 상기 제2 절연막의 위 표면은 요철 패턴이 형성되어 있다.
또는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 유지 전극을 포함하는 유지 전극선, 상기 유지 전극선 및 게이트 전극선을 덮고 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되어 있는 반도체, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체 위에까지 연장되어 있는 소스 전극을 포함하고 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 반도체 위에서 상기 소스 전극과 마주하고 있고 상기 유지 전극과 중첩하는 확장부를 가지는 드레인 전극, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 투명 전극, 상기 투명 전극과 연결되어 있고 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 제1 반사 전극, 상기 투명 전극 및 상기 제1 반사 전극과 분리되어 있고 상기 드레인 전극과 정전 용량성으로 결합되어 있는 제2 반사 전극을 포함하고, 상기 유지 전극과 상기 드레인 전극은 모두 상기 제1 반사 전극 및 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 부분을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 제1 절연막과 상기 제1 및 제2 반사 전극 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 절연막은 상기 제1 접촉 구멍을 통해 노출된 상기 드레인 전극을 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지며 상기 제1 반사 전극은 상기 제1 및 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한 다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 개략도이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 등가 회로로 볼 때 복수의 표시 신호선과 이에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함한다. 도 1 및 도 2에 도시한 구조로 볼 때, 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판인 하부 표시판(100), 이와 마주보고 있는 공통 전극 표시판인 상부 표시판(200) 및 이들 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다. 표시 신호선은 하부 표시판(100)에 구비되어 있으며, 게이트 신호("주사 신호"라고도 함)를 전달하는 복수의 게이트선(GL)과 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DL)을 포함한다. 게 이트선(GL)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(DL)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
도 1에 도시한 바와 같이, 각 화소는 게이트선(GL) 및 데이터선(DL)에 연결되어 있는 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 투과형 액정 축전기(liquid crystal capacitor)(CLC0), 제1 반사형 액정 축전기(CLC1), 보조 축전기(CAUX) 및 유지 축전기(storage capacitor)(CST)와 보조 축전기(auxiliary capacitor)(CAUX)에 연결되어 있는 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)를 포함한다. 유지 축전기(CST)는 필요에 따라 생략할 수 있다.
스위칭 소자(Q)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등으로 이루어지며, 각각 게이트선(GL)에 연결되어 있는 제어 단자, 데이터선(DL)에 연결되어 있는 입력 단자, 그리고 투과형 액정 축전기(CLC0), 제1 반사형 액정 축전기(CLC1), 보조 축전기(CAUX) 및 유지 축전기(CST)에 연결되어 있는 출력 단자를 가지는 삼단자 소자이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 투과형 액정 축전기(CLC0)는 하부 표시판(100)의 투명 전극(192)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(192, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 투명 전극(192)은 스위칭 소자(Q)에 연결되어 있으며 공통 전극(270)은 상부 표시판(200)의 전면에 형성되어 있고 공통 전압(Vcom)을 인가 받는다. 도 2에서와는 달리 공통 전극(270)이 하부 표시판(100)에 구비되는 경우도 있으며 이때에는 두 전극(192, 270) 중 적어도 하나가 선형 또는 막대형으로 만들어질 수 있다.
제1 반사형 액정 축전기(CLC1)는 하부 표시판(100)의 제1 반사 전극(194)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(194, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 제1 반사 전극(194)은 스위칭 소자(Q)에 연결되어 있다.
제2 반사형 액정 축전기(CLC2)는 하부 표시판(100)의 제2 반사 전극(196)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(196, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 제2 반사 전극(196)은 보조 축전기(CAUX)에 연결되어 있으나 투명 전극(192) 및 제1 반사 전극(194)과는 분리되어 있다.
보조 축전기(CAUX)는 제2 반사 전극(196) 또는 이와 연결된 도체(도시하지 않음)가 투명 전극(192), 제1 반사 전극(194) 및 이들과 연결된 도체(도시하지 않음) 중 적어도 하나와 중첩하여 이루어지며 이 둘 사이에는 절연체가 개재되어 있다. 보조 축전기(CAUX)는 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)와 함께 스위칭 소자(Q)로부터의 전압을 분압하며, 이에 따라 제2 반사형 액정 축전기(CLC2) 양단에 걸리는 전압이 투과형 액정 축전기(CLC0) 및 제1 반사형 액정 축전기(CLC1) 양단에 걸리는 전압보다 작게 된다.
투명 전극(192)에 의하여 정의되는 투과 영역(TA)에서는 하부 표시판(100) 아래에 위치하는 후광 장치(도시하지 않음)의 램프에서 나오는 빛을 액정층(3)을 통과시켜 화상을 표시한다. 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)에 의하여 각각 정의되는 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에서는 자연광 등 외부에서 상부 표시판(200)을 통하여 들어오는 빛을 액정층(3)을 일단 통과시켰다가 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)에 의하여 반사하여 액정층(3)을 다시 통과시켜 화상을 표시한다.
액정 축전기(CLC0, CLC1, CLC2)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(CST)는 하부 표시판(100)에 구비된 유지 전극(도시하지 않음)과 투명 전극(192) 또는 제1 반사 전극(194)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 유지 전극에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다. 그러나 유지 축전기(CST)는 투명 전극(192) 또는 제1 반사 전극(194)이 절연체를 매개로 바로 위의 전단 게이트선과 중첩되어 이루어질 수 있다.
그러면 도 3을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면 구조에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 도 2에 도시한 액정 표시 장치의 단면 구조의 한 예를 도시한 도면이다.
본 발명의 액정 표시 장치의 단면 구조의 한 예로서, 도 3에 도시한 바와 같이, 하부 표시판(100)에는 유지 전극(133)이 절연 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 스위칭 소자(Q)의 출력 단자 전극(170)이 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있다. 유지 축전기(CST)는 유지 전극 (133)과 출력 단자 전극(170)이 중첩하여 이루어진다. 제1 절연막(801)이 출력 단자 전극(170) 위에 형성되어 있고 제1 절연막(801)에는 접촉 구멍(183)이 형성되어 있으며 제1 절연막(801) 위에는 투명 전극(192)과 보조 전극(193)이 형성되어 있다. 투명 전극(192)은 접촉 구멍(183)을 통하여 출력 단자 전극(170)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있고, 보조 전극(193)과는 분리되어 있다. 요철 패턴을 가지는 제2 절연막(802)이 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에서 투명 전극(192) 및 보조 전극(193) 위에 형성되어 있으며, 그 위에 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)이 형성되어 있다. 제1 반사 전극(194)은 투명 전극(192)과 연결되어 있으며 제2 반사 전극(196)과 분리되어 있다. 제2 반사 전극(196)은 제2 절연막(802)에 형성되어 있는 접촉구(185)를 통하여 보조 전극(193)과 연결되어 있다. 보조 축전기(CAUX)는 출력 단자 전극(170)과 보조 전극(193)이 제1 절연막(801)을 사이에 두고 중첩하여 이루어진다. 여기서 출력 단자 전극(170)은 유지 전극(133)과 유지 축전기(CST)를 형성함과 동시에 보조 전극(193)과 중첩하여 보조 축전기(CAUX)를 형성한다. 그런데 유지 전극(133)은 출력 단자 전극(170)의 아래층에 위치하고 보조 전극(193)은 출력 단자 전극(170)의 위층에 위치하므로 보조 전극(193)의 배치에 무관하게 유지 전극(133)을 출력 단자 전극(170) 전체와 중첩하도록 넓게 형성할 수 있다. 또한 출력 단자 전극(170)은 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에 걸쳐 넓게 형성하더라도 투과 영역(TA)의 개구율에 영향을 주지 않으므로 충분히 넓게 형성할 수 있다. 따라서 유지 축전기(CST)의 용량을 충분히 증가시켜 킥백(kick back) 전 압을 낮출 수 있다. 이를 통하여 킥백 전압으로 인한 플리커(flicker) 현상을 방지할 수 있다.
상부 표시판(200)에는 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
투과형 액정 축전기(CLC0)와 제1 및 제2 반사형 액정 축전기(CLC1, CLC2)는 각각 투명 전극(192), 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)과 공통 전극(270)을 두 단자로 하여 이루어진다. 투과 영역(TA)과 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)은 제2 절연막(182)의 두께만큼 단차를 가진다.
그러면 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 반사율 곡선을 투과율 곡선에 일치시키는 방법에 대하여 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 4는 도 2에 도시한 액정 표시 장치의 제1 및 제2 반사 전극의 반사율 곡선을 투과율 곡선과 함께 도시한 도면이다.
스위칭 소자(Q)를 통하여 영상 신호에 대응하는 데이터 전압이 인가되면 데이터 전압과 공통 전압(Vcom)의 차 전압[이하, 화소 전압(V)이라 함]이 투과형 액정 축전기(CLC0) 및 제1 반사형 액정 축전기(CLC1)의 양단에 걸린다. 그러나 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)의 양단에 걸리는 전압(V2)은 보조 축전기(CAUX)로 인하여 화소 전압(V)보다 작으며 다음 [수학식 1]과 같다.
여기서, 축전기와 그 축전기의 용량은 동일한 부호를 사용하였다.
도 4에 도시한 투과율 곡선(VT)은 화소 전압(V)에 따른 투과 영역(TA)에서의 휘도를 표시한 것이고, 제1 반사율 곡선(VR1)은 화소 전압(V)에 따른 반사 영역(RA)에서의 휘도를 표시한 것이다. 투과율 곡선(VT) 및 제1 반사율 곡선(VR1)은 테스트 표시판으로부터 측정한 데이터를 사용하여 도시하였다. 이때 테스트 표시판에서 반사 영역은 제2 반사 영역(RA2)을 없애고 그 대신에 제1 반사 영역(RA1)을 확장한 것이다. 제2 반사율 곡선(VR2)은 제1 반사율 곡선(VR1)을 [수학식 1]의 전압에 따라 도시한 것이고, 제3 반사율 곡선(VR3)은 제1 반사율 곡선(VR1)과 제2 반사율 곡선(VR2)을 합성한 것으로 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제1 반사 영역(RA1)과 제2 반사 영역(RA2)의 면적 비에 따라 결정된다.
제1 반사율 곡선(VR1), 제2 반사율 곡선(VR2) 및 제3 반사율 곡선(VR3)의 함수를 각각 R1(V), R2(V) 및 R3(V)라 하면, R3(V)은 다음 [수학식 2]와 같다.
여기서, 이고, A1 및 A2는 각각 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)의 면적이다. 즉, AR은 전체 반사 영역의 면적에 대한 제2 반사 영역(RA2)의 면적 비이고, k는 화소 전압(V)에 대한 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)의 양단 전압(V2)의 비이다.
면적 비(AR) 및 전압 비(k)를 변화시켜 제3 반사율 곡선(VR3)이 투과율 곡선(VT)에 최대한 근사하도록 시뮬레이션을 수행하였고, 그 결과 면적 비(AR)가 0.6이고, 전압 비(k)가 0.82인 경우에 최적의 제3 반사율 곡선(VR3)을 도출해 낼 수 있었으며, 도 4에 이를 도시하였다. 도 4에 보이는 것처럼, 제3 반사율 곡선(VR3)과 투과율 곡선(VT)이 거의 일치함을 확인할 수 있다.
한편, 전압 비(k)를 0.82로 만들기 위한 보조 용량(CAUX) 값은 다음과 같다.
즉, 보조 용량(CAUX)은 제2 반사형 액정 축전기(CLC2) 용량의 4.56배가 되어야 한다.
축전기의 용량(C)은 전극 면적이 A, 거리가 d, 유전율이 ε 인 경우에 다음과 같다.
액정 표시 장치에서 절연막으로 주로 사용되는 질화 규소(SiNx)의 유전율(εSiNx)과 액정 분자의 유전율(εLC)은 비슷하므로 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)와 보조 축전기(CAUX)의 전극 면적이 같은 경우 보조 축전기(CAUX)의 절연막의 두께(dSiNx)는 대략 다음과 같이 계산할 수 있다.
여기서 dLC는 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)의 액정층의 두께이다.
액정층의 두께(dLC)가 3㎛라면, 절연막의 두께는 0.66㎛이다. 이러한 절연막의 두께는 공정적으로 무리가 될 수 있으므로 필요에 따라 절연막의 두께를 줄이고 보조 축전기(CAUX)의 전극 면적도 줄여서 [수학식 3]의 보조 용량 값을 생성할 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시되어 있는 것처럼, 출력 단자 전극(170)과 보조 전극(193)이 중첩하는 면적과 제1 절연막(801)의 두께를 조절함으로써 필요한 보조 용량(CAUX)을 만들어 낼 수 있다.
그러면, 한 예로서, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 도 5 및 도 6을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 5는 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 배치도의 한 예이고, 도 6은 도 5에 도시한 액정 표시 장치를 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 이와 마주보고 있는 공통 전극 표시판(200), 그리고 이들 사이에 삽입되어 있으며 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직 또는 수평으로 배향되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)으로 이루어진다.
먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에는, 도 5 및 도 6에 보이는 바와 같이, 투명한 유리 등으로 이루어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)과 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고, 서로 분리되어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 각 게이트선(121)은 게이트 전극(124)을 이루는 복수의 돌기를 가지며, 게이트선(121)의 한쪽 끝의 확장부(129)는 외부 회로와의 연결을 위하여 면적이 넓다.
유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 유지 전극(133)을 이루는 복수의 돌출부를 포함한다. 유지 전극(133)은 제1 반사 영역(RA1)에 위치하는 제1 유지 전극(133a)와 제2 반사 영역(RA2)에 위치하는 제2 유지 전극(133b)을 포함한다. 제1 유지 전극(133a)과 제2 유지 전극(133b)을 연결하는 부분은 제1 및 제2 유지 전극(133a, 133b)에 비하여 폭이 좁게 형성되어 제1 유지 전극(133a)과 제2 유지 전극(133b)이 구분되도록 형성되어 있으나, 유지 전극(133)을 제1 유지 전극(133a)과 제2 유지 전극(133b)으로 구분함이 없이 제1 반사 영역(RA1)과 제2 반사 영역(RA2)에 걸쳐 넓게 형성할 수도 있다. 유지 전극선(131)에는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)에 인가되는 공통 전압(common voltage) 따위의 미리 정해진 전압을 인가 받는다.
게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 알루미늄과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하다. 게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막(도시하지 않음)과 그 위의 상부막(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 상부막은 게이트선(121)과 유지 전극선(131)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진다. 이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 등으로 이루어진다. 하부막과 상부막의 조합의 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금을 들 수 있다.
게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 단일막 구조를 가지거나 세 층 이상을 포함할 수 있다.
또한 게이트선(121)과 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 20-80도이다.
게이트선(121)과 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 복수의 돌출부(extension)(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다. 또한 선형 반도체(151)는 게이트선(121)과 만나는 지점 부근에서 폭이 커져서 게이트선(121)의 넓은 면적을 덮고 있다.
반도체(151)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30-80도이다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 이로부터 분리되어 있는 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차하며 데이터 전압을 전달한다. 데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위하여 면적이 넓은 한쪽 끝의 확장부(179)를 포함한다.
각 드레인 전극(175)은 하나의 유지 전극(133)과 중첩하는 확장부(177)를 포함한다. 확장부(177)는 제1 및 제2 유지 전극(133a, 133b)과 각각 중첩하는 두 부분과 이들 두 부분을 연결하며 다른 부분에 비하여 폭이 좁은 연결부를 포함하여 유지 전극(133)과 유사한 모양을 가진다. 그러나 확장부(177)도 제1 및 제2 유지 전극(133a, 133b)과 각각 중첩하는 두 부분으로 구분함이 없이 제1 반사 영역(RA1)과 제2 반사 영역(RA2)에 걸쳐 넓게 형성할 수도 있다.
각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)의 한쪽 끝부분을 둘러싸는 형태로 돌출한 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 따위의 하부막(도시하지 않음)과 그 위에 위치한 알루미늄 계열 금속인 상부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다.
데이터선(171)과 드레인 전극(175)도 게이트선(121), 유지 전극선(131)과 마 찬가지로 그 측면이 약 30-80도의 각도로 각각 경사져 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 하부의 반도체(151)와 그 상부의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 무기 물질인 질화 규소나 산화 규소 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(801)이 형성되어 있다. 보호막(801)에는 데이터선(171)의 확장부(179)를 드러내는 접촉 구멍(contact hole)(182)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140)과 함께 게이트선(121)의 확장부(129)를 드러내는 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 또한 보호막(801)에는 드레인 전극(175)의 확장부(177)를 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.
보호막(801)의 위에는 서로 분리되어 있는 투명 전극(192)과 보조 전극(193)이 형성되어 있다. 투명 전극(192)과 보조 전극(193)은 투명한 도전 물질인 ITO, IZO 또는 도전성 폴리머(polymer)로 이루어져 있다. 투명 전극(192)은 접촉 구멍(185)를 통하여 드레인 전극(175)의 확장부(177)와 연결되어 있고, 투과 영역(TA) 및 제1 반사영역(RA1)에 걸쳐 형성되어 있다. 보조 전극(193)은 제2 반사 영역(RA2)에 형성되어 있다.
투명 전극(192)과 보조 전극(193) 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질로 이루어진 유기 절연막(802)이 형성되어 있다. 이때, 유기 절연막(802)의 표면은 요철 패턴을 가지고, 유기 절연막(802) 위에 형성되는 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)에 요철 패턴을 유도하여 반사 전극(194, 196)에서의 빛의 난반사를 유도하여 화면에 물체가 비치는 현상을 방지한다.
게이트선(121) 및 데이터선(171)의 확장부(129, 179)가 형성되어 있는 패드부에는 유기 절연막(802)이 제거되어 있으며 보호막(801)만 남아 있다. 유기 절연막(802)은 보조 전극(193)의 일부를 노출하는 접촉 구멍(183)을 가지며, 투과 영역(TA)에서는 투명 전극(192)를 노출하는 투과창(187)을 가진다.
접촉 구멍(181, 182, 183, 185)은 다각형 또는 원 모양 등 다양한 모양으로 만들어질 수 있으며, 유기 절연막(802)의 접촉 구멍(183)의 측벽은 30-80도의 각도로 기울어져 있거나 계단형일 수 있다.
유기 절연막(802) 위에는 서로 분리되어 있는 복수의 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)이 각각 형성되어 있다. 제1 반사 전극(194)은 투과창(187) 아래에 까지 연장되어 투명 전극(192)과 전기적으로 연결되어 있고, 제2 반사 전극(196)은 접촉 구멍(183)을 통하여 보조 전극(193)과 연결되어 있다.
반사 전극(194, 196)은 불투명하며 반사도를 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 은 또는 은 합금 등으로 이루어진다.
하나의 화소는 투과 영역(TA)과 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)으로 구분된다. 투과 영역(TA)은 투과창(187)을 통하여 투명 전극(192)이 노출되어 있는 영역이고, 제1 반사 영역(RA1)은 제1 반사 전극(194)이 존재하는 영역이다. 제2 반사 영역(RA2)은 제2 반사 전극(196)이 존재하는 영역이다. 한 화소에서 전단 게이트 선(121)으로부터 투과 영역(TA), 제1 반사 영역(RA1) 및 제2 반사 영역(RA2)이 차례로 배치되어 있다. 투과창(187)으로 인하여 투과 영역(TA)의 셀갭이 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)의 셀갭에 비하여 거의 두 배 정도 크다.
투명 전극(192)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)의 확장부(177)와 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받고, 제1 반사 전극(194)은 투명 전극(192)를 통하여 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 투명 전극(192) 및 제1 반사 전극(194)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 둘 사이의 액정층(3)의 액정 분자들을 재배열시킨다. 노출된 투명 전극(192)과 공통 전극(270)은 투과형 액정 축전기(CLC0)를 이루고, 제1 반사 전극(194)과 공통 전극(270)은 제1 반사형 액정 축전기(CLC1)를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기(CLC0, (CLC1)와 병렬로 연결된 유지 축전기(CST)를 둔다. 유지 축전기(CST)는 드레인 전극(175)의 확장부(177)와 유지 전극(133)이 중첩하여 만들어 진다. 유지 축전기(CST)는 투명 전극(192) 및 이와 이웃하는 게이트선(121)의 중첩 등으로 만들어질 수도 있으며, 이때 유지 전극선(131)은 생략할 수 있다. 본 발명에서는 유지 전극(133)과 드레인 전극(175)의 확장부(177)를 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에 걸쳐 넓게 형성함으로써 유지 축전기(CST)의 정전 용량을 충분히 크게 만들 수 있다.
보조 축전기(CAUX)는 드레인 전극(175)의 확장부(177)와 보조 전극(193)이 중첩하여 이루어지며, 드레인 전극(175)으로부터의 데이터 전압보다 낮은 전압을 보조 전극(193)에 인가한다.
제2 반사 전극(196)은 접촉 구멍(183)을 통하여 보조 전극(193)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 보조 전극(193)으로부터 데이터 전압보다 낮은 전압을 인가 받는다. 이러한 전압이 인가된 제2 반사 전극(196)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 둘 사이의 액정층(3)의 액정 분자들을 재배열시킨다. 제2 반사 전극(196)과 공통 전극(270)은 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)를 이루며, 제2 반사형 액정 축전기(CLC2)는 보조 축전기(CAUX)와 직렬로 연결된다.
제2 반사 전극(196)은 게이트선(121)과 중첩되어 반사율을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다. 이와 반대로 투명 전극(192)과 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)은 이웃하는 데이터선(171)과 중첩되어 있지 않으나 각각 개구율 및 반사율을 높이기 위하여 중첩될 수도 있다.
패드 부의 보호막(801) 위에는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 각각 게이트선(121)의 확장부(129) 및 데이터선(171)의 확장부(179)와 연결되어 있는 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 확장부(129, 179)와 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다. 또한 이들은 투명 전극(192, 193) 또는 반사 전극(194, 196)과 동일한 층으로 형성될 수도 있다.
한편, 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 공통 전극 표시판(200)에는 투명한 유리 등의 절연 물질로 이루어진 기판(210) 위에 블랙 매트릭스라고 하는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 투명 전극(192)과 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)으로 이루어진 화소 전극 사이의 빛샘을 방지하고 화소 전극과 마주 보는 개구 영역을 정의한다.
복수의 색필터(230)가 기판(210)과 차광 부재(220) 위에 형성되어 있으며, 차광 부재(220)가 정의하는 개구 영역 내에 거의 들어가도록 배치되어 있다. 이웃하는 두 데이터선(171) 사이에 위치하며 세로 방향으로 배열된 색필터(230)들은 서로 연결되어 하나의 띠를 이룰 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색 등 삼원색 중 하나를 나타낼 수 있다.
각 색필터(230)는 투과 영역(TA)에서의 두께와 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에서의 두께가 실질적으로 동일하게 형성되어 있다. 반사 영역(RA1, RA2)에는 라이트 홀(light hole)(240)이 형성되어 있다. 이에 따라 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA1, RA2)에서 광이 색필터(230)를 통과하는 수효의 차이에 따른 색상 톤의 차이를 보상할 수 있다. 이와 달리 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA1, RA2)에서 색필터(230)의 두께를 다르게 하여 색상 톤의 차이를 보상할 수도 있다. 라이트 홀(240) 내부에는 충진재가 충진되어 있어서 색필터(230)의 표면을 평탄화하며, 이에 따라 라이트 홀(240)에 의해 형성될 수 있는 단차를 줄인다.
차광 부재(220) 및 색필터(230) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질 로 이루어져 있는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
도 7 내지 도 10은 도 2에 도시한 액정 표시 장치의 단면 구조의 다른 예를 도시한 도면이다.
본 발명의 액정 표시 장치의 단면 구조의 다른 예로서, 도 7에 도시한 바와 같이, 하부 표시판(100)에는 유지 전극(133)이 절연 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 스위칭 소자(Q)의 출력 단자 전극(170)이 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있다. 유지 축전기(CST)는 유지 전극(133)과 출력 단자 전극(170)이 중첩되어 이루어진다. 요철 패턴을 가지는 절연막(801)이 출력 단자 전극(170) 위에 형성되어 있으며 절연막(801)에는 접촉 구멍(183)이 형성되어 있다. 절연막(801) 위에는 투명 전극(192)과 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)이 형성되어 있다. 제1 반사 전극(194)은 접촉 구멍(183)을 통하여 출력 단자 전극(170)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있으며, 투명 전극(192)과도 연결되어 있으나 제2 반사 전극(196)과는 분리되어 있다. 보조 축전기(CAUX)는 제2 반사 전극(196)과 출력 단자 전극(170)이 절연막(801)을 사이에 두고 중첩되어 이루어진다.
상부 표시판(200)에는 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
투과형 액정 축전기(CLC0)와 제1 및 제2 반사형 액정 축전기(CLC1, CLC2)는 각각 투명 전극(192), 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)과 공통 전극(270)을 두 단자 로 하여 이루어진다. 투과 영역(TA)과 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에서 셀 간격은 실질적으로 동일하다.
여기서 유지 전극(133)은 출력 단자 전극(170)의 아래층에 위치하고 제2 반사 전극(196)은 출력 단자 전극(170)의 위층에 위치하므로 제2 반사 전극(196)의 배치에 무관하게 유지 전극(133)을 출력 단자 전극(170) 전체와 중첩하도록 넓게 형성할 수 있다. 또한 출력 단자 전극(170)은 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에 걸쳐 넓게 형성하더라도 투과 영역(TA)의 개구율에 영향을 주지 않으므로 충분히 넓게 형성할 수 있다. 따라서 유지 축전기(CST)의 용량을 충분히 증가시켜 킥백(kick back) 전압을 낮출 수 있다. 이를 통하여 킥백 전압으로 인한 플리커(flicker) 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 액정 표시 장치의 단면 구조의 또 다른 예로서, 도 8에 도시한 바와 같이, 하부 표시판(100)에는 유지 전극(133)이 절연 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 스위칭 소자(Q)의 출력 단자 전극(170)이 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있다. 유지 축전기(CST)는 유지 전극(133)과 출력 단자 전극(170)이 중첩되어 이루어진다. 제1 절연막(801)이 출력 단자 전극(170) 위에 형성되어 있고 제1 절연막(801)에는 접촉 구멍(183)이 형성되어 있으며 제1 절연막(801) 위에는 투명 전극(192)이 형성되어 있다. 투명 전극(192)은 접촉 구멍(183)을 통하여 출력 단자 전극(170)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있다. 요철 패턴을 가지는 제2 절연막(802)이 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에서 투명 전극(192) 위에 형성되어 있으며, 그 위에 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)이 형성되어 있다. 제1 반사 전극(194)은 투명 전극(192)과 연결되어 있으며 제2 반사 전극(196)과 분리되어 있다. 보조 축전기(CAUX)는 투명 전극(192)과 제2 반사 전극(196)이 제2 절연막(802)을 사이에 두고 중첩되어 이루어진다.
상부 표시판(200)에는 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
투과형 액정 축전기(CLC0)와 제1 및 제2 반사형 액정 축전기(CLC1, CLC2)는 각각 투명 전극(192), 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)과 공통 전극(270)을 두 단자로 하여 이루어진다. 투과 영역(TA)과 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)은 제2 절연막(802)의 두께만큼 단차를 가진다.
유지 전극(133)은 출력 단자 전극(170)의 아래층에 위치하고 투명 전극(192)은 출력 단자 전극(170)의 위층에 위치하므로 투명 전극(192)의 배치에 무관하게 유지 전극(133)을 출력 단자 전극(170) 전체와 중첩하도록 넓게 형성할 수 있다. 또한 출력 단자 전극(170)은 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에 걸쳐 넓게 형성하더라도 투과 영역(TA)의 개구율에 영향을 주지 않으므로 충분히 넓게 형성할 수 있다. 따라서 유지 축전기(CST)의 용량을 충분히 증가시켜 킥백(kick back) 전압을 낮출 수 있다. 이를 통하여 킥백 전압으로 인한 플리커(flicker) 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 액정 표시 장치의 단면 구조의 또 다른 예로서, 도 9에 도시한 바 와 같이, 하부 표시판(100)에는 유지 전극(133)이 절연 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 스위칭 소자(Q)의 출력 단자 전극(170)이 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있다. 유지 축전기(CST)는 유지 전극(133)과 출력 단자 전극(170)이 중첩되어 이루어진다. 제1 절연막(801)이 출력 단자 전극(170) 위에 형성되어 있고 제1 절연막(801) 위에는 투명 전극(192)이 형성되어 있다. 투명 전극(192)은 투과 영역(TA)과 제1 반사 영역(RA1) 일부에만 형성되어 있고 제2 반사 영역(RA2)에는 형성되어 있지 않다. 제1 반사 영역(RA1)과 제2 반사 영역(RA2)의 제1 절연막(801) 위에는 요철 패턴을 가지는 제2 절연막(802)이 형성되어 있으며, 그 위에 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 절연막(801, 802)에는 접촉 구멍(183)이 형성되어 있고 제1 반사 전극(194)은 접촉 구명(183)을 통하여 출력 단자 전극(170)과 물리적 전기적으로 연결되어 있다. 제1 반사 전극(194)은 투명 전극(192)과 연결되어 있으며 제2 반사 전극(196)과 분리되어 있다. 보조 축전기(CAUX)는 출력 단자 전극(170)과 제2 반사 전극(196)이 제1 및 제2 절연막(801, 802)을 사이에 두고 중첩되어 이루어진다.
상부 표시판(200)에는 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
투과형 액정 축전기(CLC0)와 제1 및 제2 반사형 액정 축전기(CLC1, CLC2)는 각각 투명 전극(192), 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)과 공통 전극(270)을 두 단자 로 하여 이루어진다. 투과 영역(TA)과 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)은 제2 절연막(802)의 두께만큼 단차를 가진다.
유지 전극(133)은 출력 단자 전극(170)의 아래층에 위치하고 제2 반사 전극(196)은 출력 단자 전극(170)의 위층에 위치하므로 제2 반사 전극(196)의 배치에 무관하게 유지 전극(133)을 출력 단자 전극(170) 전체와 중첩하도록 넓게 형성할 수 있다. 또한 출력 단자 전극(170)은 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에 걸쳐 넓게 형성하더라도 투과 영역(TA)의 개구율에 영향을 주지 않으므로 충분히 넓게 형성할 수 있다. 따라서 유지 축전기(CST)의 용량을 충분히 증가시켜 킥백(kick back) 전압을 낮출 수 있다. 이를 통하여 킥백 전압으로 인한 플리커(flicker) 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 액정 표시 장치의 단면 구조의 또 다른 예로서, 도 10에 도시한 바와 같이, 하부 표시판(100)에는 유지 전극(133)이 절연 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 스위칭 소자(Q)의 출력 단자 전극(170)이 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있다. 유지 축전기(CST)는 유지 전극(133)과 출력 단자 전극(170)이 중첩되어 이루어진다. 제1 절연막(801)이 출력 단자 전극(170) 위에 형성되어 있고 제1 절연막(801)에는 접촉 구멍(183)이 형성되어 있으며 제1 절연막(801) 위에는 투명 전극(192)이 형성되어 있다. 투명 전극(192)은 접촉 구멍(183)을 통하여 출력 단자 전극(170)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있다. 요철 패턴을 가지는 제2 절연막(802)이 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에서 투명 전극(192) 및 제1 절연막(801) 위에 형성되어 있으며, 그 위에 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)이 형성되어 있다. 제1 반사 전극(194)은 투명 전극(192)과 연결되어 있으며 제2 반사 전극(196)과 분리되어 있다. 보조 축전기(CAUX)는 출력 단자 전극(170)과 제2 반사 전극(196)이 제1 및 제2 절연막(801, 802)을 사이에 두고 중첩되어 이루어진다.
상부 표시판(200)에는 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
투과형 액정 축전기(CLC0)와 제1 및 제2 반사형 액정 축전기(CLC1, CLC2)는 각각 투명 전극(192), 제1 및 제2 반사 전극(194, 196)과 공통 전극(270)을 두 단자로 하여 이루어진다. 투과 영역(TA)과 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)은 제2 절연막(802)의 두께만큼 단차를 가진다.
유지 전극(133)은 출력 단자 전극(170)의 아래층에 위치하고 제2 반사 전극(196)은 출력 단자 전극(170)의 위층에 위치하므로 제2 반사 전극(196)의 배치에 무관하게 유지 전극(133)을 출력 단자 전극(170) 전체와 중첩하도록 넓게 형성할 수 있다. 또한 출력 단자 전극(170)은 제1 및 제2 반사 영역(RA1, RA2)에 걸쳐 넓게 형성하더라도 투과 영역(TA)의 개구율에 영향을 주지 않으므로 충분히 넓게 형성할 수 있다. 따라서 유지 축전기(CST)의 용량을 충분히 증가시켜 킥백(kick back) 전압을 낮출 수 있다. 이를 통하여 킥백 전압으로 인한 플리커(flicker) 현상을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반사 영역을 두 개로 나누어 그 중 하나에는 투과 영역과 동일한 데이터 전압을 인가하고 다른 하나에는 데이터 전압보다 작은 전압을 인가함으로써 셀 간격이 실질적으로 동일하게 하면서도 반사 모드의 감마 곡선을 투과 모드의 감마 곡선에 일치시킬 수 있다.
또한 유지 축전기와 보조 축전기를 출력 단자 전극을 중심으로 하여 상하에 형성함으로써 한 쪽의 용량 증대가 다른 한 쪽의 용량 감소를 초래하는 것을 방지한다. 이는 유지 용량을 충분히 크게 형성하는 것을 가능하게 하여 플리커 불량을 방지한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (14)
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 입력 단자, 출력 단자 및 제어 단자를 가지는 스위칭 소자,상기 출력 단자에 전기적으로 연결되어 있는 투명 전극,상기 출력 단자에 전기적으로 연결되어 있는 제1 반사 전극,상기 출력 단자의 아래에 층을 달리하여 형성되어 있으며 상기 출력 단자와 절연되어 있고 상기 출력 단자와의 사이에서 유지 축전기를 형성하는 유지 전극,상기 출력 단자의 위에 층을 달리하여 형성되어 있으며 상기 출력 단자와 절연되어 있으며 상기 출력 단자와의 사이에서 보조 축전기를 형성하는 제2 반사 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 보조 축전기는 상기 출력 단자의 연장부와 상기 제2 반사 전극이 중첩하여 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제2항에서,상기 출력 단자의 연장부는 상기 투명 전극과 동일한 물질로 이루어져 있으 며 상기 투명 전극과 동일한 층에 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 보조 축전기는 상기 출력 단자와 상기 제2 반사 전극의 연장부가 중첩하여 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제4항에서,상기 제2 반사 전극의 연장부는 상기 투명 전극과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되어 있으며 상기 투명 전극과 전기적으로 분리되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 유지 전극과 상기 출력 단자 전극은 모두 상기 제1 반사 전극 및 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선,상기 기판 위에 형성되어 있으며 유지 전극을 포함하는 유지 전극선,상기 유지 전극선 및 게이트 전극선을 덮고 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 중첩하는 위 치에 형성되어 있는 반도체,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체 위에까지 연장되어 있는 소스 전극을 포함하고 상기 게이트선과 교차하는 데이터선,상기 반도체 위에서 상기 소스 전극과 마주하고 있고 상기 유지 전극과 중첩하는 확장부를 가지는 드레인 전극,상기 데이터선과 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연막,상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 투명 전극,상기 투명 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제1 반사 전극,상기 투명 전극 및 상기 제1 반사 전극과 분리되어 있고 상기 드레인 전극과 정전 용량성으로 결합되어 있는 제2 반사 전극을 포함하고, 상기 유지 전극과 상기 드레인 전극은 모두 상기 제1 반사 전극 및 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 부분을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제7항에서,상기 투명 전극과 상기 제1 및 제2 반사 전극 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제8항에서,상기 제2 절연막은 상기 제2 접촉 구멍을 가지며,상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막 사이에 형성되어 있으며 상기 제2 반사 전극과 상기 제2 절연막이 가지는 제2 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있고 상기 드레인 전극의 확장부와 중첩하는 보조 전극을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제8항에서,상기 투명 전극은 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 부분을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제8항에서,상기 제2 절연막의 위 표면은 요철 패턴이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선,상기 기판 위에 형성되어 있으며 유지 전극을 포함하는 유지 전극선,상기 유지 전극선 및 게이트 전극선을 덮고 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되어 있는 반도체,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체 위에까지 연장되어 있는 소스 전극을 포함하고 상기 게이트선과 교차하는 데이터선,상기 반도체 위에서 상기 소스 전극과 마주하고 있고 상기 유지 전극과 중첩하는 확장부를 가지는 드레인 전극,상기 데이터선과 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연막,상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 투명 전극,상기 투명 전극과 연결되어 있고 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 제1 반사 전극,상기 투명 전극 및 상기 제1 반사 전극과 분리되어 있고 상기 드레인 전극과 정전 용량성으로 결합되어 있는 제2 반사 전극을 포함하고, 상기 유지 전극과 상기 드레인 전극은 모두 상기 제1 반사 전극 및 상기 제2 반사 전극과 중첩하는 부분을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제12항에서,상기 제1 절연막과 상기 제1 및 제2 반사 전극 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제13항에서,상기 제2 절연막은 상기 제1 접촉 구멍을 통해 노출된 상기 드레인 전극을 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지며 상기 제1 반사 전극은 상기 제1 및 제2 접촉 구 멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050093440A KR101197051B1 (ko) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 박막 트랜지스터 표시판 |
JP2006271417A JP5101851B2 (ja) | 2005-10-05 | 2006-10-03 | 薄膜トランジスタ表示板 |
US11/543,317 US7948588B2 (en) | 2005-10-05 | 2006-10-03 | Thin film transistor array panel comprising first and second reflective electrodes |
TW095137135A TWI395332B (zh) | 2005-10-05 | 2006-10-05 | 薄膜電晶體陣列面板 |
CNB200610140365XA CN100573882C (zh) | 2005-10-05 | 2006-10-08 | 薄膜晶体管阵列面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050093440A KR101197051B1 (ko) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 박막 트랜지스터 표시판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070038281A true KR20070038281A (ko) | 2007-04-10 |
KR101197051B1 KR101197051B1 (ko) | 2012-11-06 |
Family
ID=37901540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050093440A KR101197051B1 (ko) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 박막 트랜지스터 표시판 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7948588B2 (ko) |
JP (1) | JP5101851B2 (ko) |
KR (1) | KR101197051B1 (ko) |
CN (1) | CN100573882C (ko) |
TW (1) | TWI395332B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101404550B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040109103A1 (en) * | 1998-06-30 | 2004-06-10 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
KR20060069080A (ko) * | 2004-12-17 | 2006-06-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR20080077538A (ko) * | 2007-02-20 | 2008-08-25 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 기판과 액정표시장치 |
JP5053374B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2012-10-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
CN101576681B (zh) * | 2008-05-08 | 2013-08-21 | 群创光电股份有限公司 | 半透射半反射显示单元 |
KR20100022372A (ko) * | 2008-08-19 | 2010-03-02 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 제조 방법 |
CN102073179B (zh) * | 2009-11-20 | 2013-04-17 | 群康科技(深圳)有限公司 | 半穿透半反射式液晶显示装置及其驱动方法 |
KR101958392B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2019-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시판 및 표시 장치 |
CN105158946B (zh) * | 2015-09-10 | 2019-01-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示模组及其制备方法 |
US11644715B2 (en) * | 2021-07-08 | 2023-05-09 | Sharp Display Technology Corporation | Liquid crystal display device comprising a plurality of pixels each having a reflective region with a reflective electrode and a transmissive region with a transparent electrode |
JP7503092B2 (ja) * | 2022-04-12 | 2024-06-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5576858A (en) | 1991-10-14 | 1996-11-19 | Hosiden Corporation | Gray scale LCD control capacitors formed between a control capacitor electrode on one side of an insulating layer and two subpixel electrodes on the other side |
US6830787B1 (en) * | 1994-03-17 | 2004-12-14 | Hitachi, Ltd. | Active matrix liquid crystal display apparatus |
KR100254856B1 (ko) * | 1997-05-30 | 2000-05-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 |
TW527513B (en) * | 2000-03-06 | 2003-04-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
JP3864678B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
KR100462376B1 (ko) | 2001-12-31 | 2004-12-17 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2004163461A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルター表示板及びその製造方法とそれを含む反射透過型液晶表示装置 |
US7807999B2 (en) | 2002-12-21 | 2010-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Array substrate, liquid crystal display apparatus having the same and method for driving liquid crystal display apparatus |
KR100936954B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법 |
JP2004252047A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半透過型表示装置 |
KR100617031B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2005258410A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3915792B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
KR20060069080A (ko) * | 2004-12-17 | 2006-06-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
US7768604B2 (en) * | 2005-09-20 | 2010-08-03 | Au Optronics Corporation | Transflective liquid crystal display with partially shifted reflectivity curve |
-
2005
- 2005-10-05 KR KR1020050093440A patent/KR101197051B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-10-03 JP JP2006271417A patent/JP5101851B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-03 US US11/543,317 patent/US7948588B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-05 TW TW095137135A patent/TWI395332B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-08 CN CNB200610140365XA patent/CN100573882C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101404550B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100573882C (zh) | 2009-12-23 |
TW200721504A (en) | 2007-06-01 |
KR101197051B1 (ko) | 2012-11-06 |
US7948588B2 (en) | 2011-05-24 |
JP5101851B2 (ja) | 2012-12-19 |
JP2007102226A (ja) | 2007-04-19 |
US20070076148A1 (en) | 2007-04-05 |
CN1956200A (zh) | 2007-05-02 |
TWI395332B (zh) | 2013-05-01 |
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