KR20070038101A

KR20070038101A - Ｅｕｖ 광원의 내부 구성품에 플라즈마 발생 파편의 영향을감소시키기 위한 시스템 및 방법

Info

Publication number: KR20070038101A
Application number: KR1020077000552A
Authority: KR
Inventors: 아이. 얼쇼브 알렉산더; 에프. 막스 윌리엄; 알. 보워링 노보트; 에이. 엠. 한손 브존; 올레 코드이킨; 브이. 포멘코브 이고르; 엔. 파트로 윌리엄
Original assignee: 사이머 인코포레이티드
Priority date: 2004-07-27
Filing date: 2005-07-15
Publication date: 2007-04-09
Also published as: WO2006020080A3; US20050269529A1; EP1779410A2; EP1779410B1; EP1779410A4; WO2006020080A2; US20070187627A1; US7732793B2; KR101114869B1; US7196342B2

Abstract

EUV 광원의 내부 구성품에 플라즈마 발생 파편의 영향을 감소시키기 위한 시스템 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 한 면에서, EUV 계측 모니터가 구비되는데, 이것은 퇴적된 파편을 미러로부터 제거하기에 충분한 온도까지 다층 필터링 미러를 가열하는 히터를 가지고 있다. 본 발명의 다른 면에서, 콜렉터 미러의 여러 가지 구역에서 다른 파편 퇴적 비율을 가진 EUV 광원 콜렉터 미러로부터 플라즈마 발생 파편을 제거하는 장치가 개시되어 있다. 특히, EUV 콜렉터 미러 시스템은 Li 파편과 결합되어 콜렉터 표면에서 LiH를 만드는 수소 소스; 그리고 콜렉터 표면으로부터 LiH를 스퍼터링하는 스퍼터링 시스템을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 면에서, 제어된 플라즈마 에칭 비율로 EUV 광원 콜렉터 미러의 표면으로부터 파편을 에칭하기 위한 장치가 개시되어 있다.

플라즈마, EUV 광원, EUV 계측 모니터, 방사 검출기, 히터, 콜렉터 미러, 디바이스, 플라즈마 형성 사이트, 가열 시스템, 튜브 루멘

Description

ＥＵＶ 광원의 내부 구성품에 플라즈마 발생 파편의 영향을 감소시키기 위한 시스템 및 방법{SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING THE INFLUENCE OF PLASMA-GENERATED DEBRIS ON THE INTERNAL COMPONENTS OF AN EUV LIGHT SOURCE}

본 발명은 예를 들면, 반도체 집적 회로 제조 포토리소그래피를 위해, 예를 들어, 약 50nm 이하의 파장에서, EUV 광원 발생 챔버의 외부에서 사용하도록 소스 물질로부터 만들어지고 그리고 촛점으로 향하여 모이는 EUV(extreme ultraviolet) 광을 제공하는 EUV 광 발생기에 관한 것이다.

극자외("EUV")광, 즉 약 50nm 이하의 파장(소프트 x-레이라고도 함)을 가진, 그리고 약 13.5nm의 파장의 광을 포함하는 전자(electromagnetic) 방사(radiation)는 포토리소그래피 공정에 사용될 수 있어서, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 극도로 작은 특징을 만들어 낸다.

EUV 광을 산출하는 방법은 EUV 범위에서 방사선으로 재료를 예를 들면, 크세논, 리튬 또는 주석과 같은 소자를 가진 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하고 있는데, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니다. 이러한 하나의 방법에서, 종종 방전 산출 플라즈마("DPP":electric discharge produced plasma)라고 부르는, 플라즈마는 한쌍의 전극 사이에서 방전에 의해 산출될 수 있다. 또 다른 방법에서, 필 요한 플라즈마는 레이저 빔으로 필요한 라인-방출 소자를 갖춘 재료의 방울, 흐름, 송이와 같은, 타겟 재료를 방사하므로서 산출될 수 있다. 상기한 또 다른 방법은 레이저 산출 플라즈마("LPP")라 한다.

각각의 이들 공정에 대하여, 플라즈마는 전형적으로 진공 챔버와 같은 밀봉된 용기에서 산출되고, 여러 가지 형태의 계측 장비를 사용하여 모니터한다. EUV 방사를 발생시키는 것에 더하여, 이들 플라즈마 공정은 또한 플라즈마 형성으로부터 열, 높은 에너지 이온 및 흩어진 파편(debris), 즉 플라즈마 형성 공정에서 완전히 이온화되지않은 소스 재료의 원자 및/또는 덩어리를 포함할 수 있는 플라즈마 챔버의 원하지 않는 부산물을 전형적으로 발생시킨다.

이들 플라즈마 형성 부산물은 잠재적으로 여러 가지 플라즈마 챔버 광소자의 작동 효율을 감소시키거나 손상시키는데, 이러한 광소자는 정상적으로 입사하는 EUV를 반사할 수 있는 다층 미러(MLM's:multi-layer mirrors)와 스치듯 얕은 각도의 입사 미러를 갖춘 콜렉터 미러, 계측 검출기의 표면, 플라즈마 형성 공정을 영상화하는데 사용하는 윈도우, 그리고 LPP의 경우에 레이저 입력 윈도우를 포함할 수 있는데, 여기에 한정되는 것은 아니다. 열, 높은 에너지 이온 및/또는 소스 재료 파편은 여러 가지 방식으로 광소자를 손상시킬 수 있는데, 이러한 여러 가지 방식은 광소자의 가열, 광 송신을 감소시키는 재료로 광소자를 코팅, 광소자 내로의 침투, 그리고 구조적인 손상 및/또는 광학적 특성의 손상, 예를 들면 이러한 짧은 파장으로 광을 반사하는 미러의 성능, 광소자를 코로딩(corrodin) 또는 에로딩(eroding)하고 및/또는 광소자 내로의 확산에 있어서의 손상을 포함한다. 또한, 일부의 광소자, 예를 들면 레이저 입력 윈도우는 진공 챔버의 일부를 형성하고 그러므로 진공이 플라즈마 챔버에 존재할 때 스트레스를 받는다. 이들 소자에 관해서, 퇴적과 가열이 결합하여 파손(즉, 균열)을 일으키고, 소자가 진공의 손실을 일으켜 비용이 많이 드는 수리가 필요하게 된다.

소자를 청소하거나 수리할 목적으로 플라즈마 챔버의 오염된 또는 손상된 광소자로의 접근은 값비싸고, 노동 집약적이고 그리고 시간이 많이 드는 작업이다. 특히, 이들 시스템은 플라즈마 챔버가 개방된 후 플라즈마 챔버의 퍼징 및 진공 펌프-다운하는데는 복잡하고 그리고 시간이 많이 소비된다. 이렇게 긴 공정은 생산 계획에 악영향을 미칠 수 있고 그리고 광원의 전반적인 효율을 감소시키는데, 이에 대하여 작업중단이 거의 없이 작동되는 것이 전형적으로 바람직하다.

상기한 내용을 감안하여, 본 출원인은 EUV 광원의 내부 구성품에 플라즈마-발생 파편의 영향을 감소시키기 위한 시스템 및 방법을 개발했다.

플라즈마 형성에 의해 파편이 발생하는 EUV 광원을 위한 EUV 계측 모니터다 개시되어 있다. 모니터는 방사 검출기; 방사를 여과하고 여과된 방사를 상기 검출기에 보내며, 플라즈마 형성에 의해 발생된 파편이 소자에 퇴적되는 위치에 위치되는 소자; 그리고 퇴적된 파편의 적어도 일부를 제거하기에 충분한 온도까지 소자를 가열하는 히터;를 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에서, EUV 광원 콜렉터 미러로부터 플라즈마 발생 파편을 제거하기 위한 디바이스가 개시되어 있다. 이러한 디바이스를 위해, 콜렉터 미러는 플라즈마 형성 사이트에 대하여 위치될 수 있어서, 콜렉터 미러의 여러 가지 구역에서 다른 파편 퇴적 비율을 야기할 수 있다. 이러한 디바이스는 파편을 제 1 구역으로부터 제거하도록 제 1 온도(T1)까지 콜렉터 미러의 제 1 구역을 가열하기 위한 제 1 가열 시스템; 그리고 파편을 제 2 구역으로부터 제거하도록 제 2 온도(T2)(T1≠T2)까지 콜렉터 미러의 제 2 구역을 가열하기 위한 제 2 가열 시스템;을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에서, 플라즈마 발생 파편으로부터 EUV 광원 검출기 표면을 보호하기 위한 시스템이 개시되어 있다. 이러한 시스템은 튜브 루멘을 둘러싸는 튜브 벽을 가진 적어도 하나의 중공 튜브; 그리고 튜브 벽에 퇴적된 파편을 제거하도록 튜브 벽을 가열하기 위한 히터;를 포함할 수 있고,

튜브는 플라즈마 형성 사이트와 검출기 표면 사이에 개재되어 있고, 검출기 표면쪽으로 향한 파편의 적어도 일부가 표면에 도달하는 것을 방지하도록 방향이 정해져 있으며, 그리고 플라즈마 형성 사이트에서 발생된 광의 적어도 일부가 상기 루멘을 통과하도록 되어 있다.

본 발명의 다른 실시예에서, 플라즈마 형성에 의해서 Li 파편을 발생시키는 EUV 광원과 함께 사용하기 위한 콜렉터 미러 시스템이 개시되어 있다. 이러한 콜렉터 미러 시스템은 Li 파편과 결합되고 그리고 상기 콜렉터의 표면에서 LiH를 만드는 산소 소스; 그리고 콜렉터 표면으로부터 LiH를 스퍼터링하기 위해서 상기 콜렉터 표면쪽으로 스퍼터링 분자를 향하게 하는 스퍼터링 시스템;을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 제어된 에칭 비율로 EUV 광원 콜렉터 미러의 표면으로부터 파편을 에칭하기 위한 장치가 개시되어 있다. 이 장치는 파편을 에칭하기 위해, 적어도 하나의 제어가능한 파라미터를 가지고 있어서 플라즈마 에칭 비율을 변경시키는 플라즈마 에칭 시스템; 콜렉터 미러 표면에서 적어도 하나의 구역과 실제로 동일한 양의 파편 축적을 수용하도록 위치된 표면을 가진 레퍼런스 재료; 레퍼런스 재료 표면에서 파편 축적량을 표시하는 출력을 산출하도록 상기 레퍼런스 재료 표면으로부터의 방출을 분석하는 기구; 그리고 출력에 응답하여 에칭 비율 파라미터를 변경시키고 플라즈마 에칭 비율을 제어하는 제어기;를 포함할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원의 전반적으로 넓은 개념을 도시하는 개략도;

도 2는 플라즈마 소스 재료 파편으로부터 플라즈마 챔버 광소자를 보호하기 위한 쉴드 시스템의 일 실시예의 개략적인 측면도;

도 3은 중공 튜브를 통해서 예시적인 광선의 경로 및 중공 튜브에 의해서 포착되는 예시적인 파편 입자의 경로를 도시하는 복수의 중공 튜브의 개략적인 측면도;

도 4는 EUV 계측 모니터가 퇴적된 플라즈마 발생 파편을 제거하기 위해 필터 포일을 가열하는 히터를 포함하고 있는 본 발명의 하나의 실시예의 개략적인 측면도;

도 5는 EUV 계측 모니터가 퇴적된 플라즈마 발생 파편을 제거하기 위해 다층 미러를 가열하는 히터를 포함하고 있는 본 발명의 다른 하나의 실시예의 개략적인 측면도;

도 6은 콜렉터 미러의 여러 가지 구역이 다른 에칭 비율로 플라즈마 발생 파편을 제거하도록 에칭되는 본 발명의 다른 하나의 실시예의 예시도;

도 7은 콜렉터 미러의 여러 가지 구역이 다른 제거 비율로 플라즈마 발생 파편을 제거하도록 다른 비율로 가열되는 본 발명의 다른 하나의 실시예의 예시도; 그리고

도 8은 제어된 플라즈마 에칭 비율로 EUV 광원 콜렉터 미러의 표면으로부터 파편을 에칭하기 위한 장치가 구비되어 있는 본 발명의 다른 하나의 실시예의 예시도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예에 따라서 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원(20), 즉 EUV 광원의 예시적인 산출의 개략도이다. 본 발명을 레이저 산출 플라즈마(LPP)를 참조하여 예시하였지만, 전기 방전 산출 플라즈마("DPP")를 포함하는 플라즈마를 산출하는 다른 타입의 광원에도 동일하게 적용될 수 있는데, 전기 방전 산출 플라즈마의 대표적인 구성은 동일 출원인의 미국특허 6,815,700호에 개시되어 있다.

도 1을 더 참조하면, LPP 광원(20)은, 고 전력 또는 고 펄스 반복율로 작동되는 분자 불소 레이저 또는 가스 방출 엑시머와 같은, 펄스 레이저 시스템(22)을 포함할 수 있고 그리고 예를 들면 미국특허 6,625,191호, 6,549,551호 및 6,567,450호에 개시된 바와 같이, MOPA 배열 레이저 시스템이 될 수 있다. 광원(20)은 또한 타겟 전달 시스템(24)을 포함하고 있는데, 예를 들면 액체 방울, 액체 스트림, 고체 입자 또는 클러스터, 액체 방울 내에 포함된 고체 입자 또는 액체 스트림 내에 포함된 고체 입자의 형태로 타겟을 전달한다. 타겟은 예를 들면, 플라즈마 형성 사이트(28)로 챔버(26)의 내부로 타겟 전달 시스템(24)에 의해 전달될 수 있다.

레이저 펄스는 펄스 레이저 시스템(22)으로부터 레이저 광축을 따라 레이저 입력 윈도우(57)를 통해 챔버(26) 내로 적절히 촛점 맞추어진 조사 사이트로 전달되어 타겟의 원료에 따라 일정한 특성을 가진 플라즈마를 만든다. 이들 특성은 산출된 EUV 광의 파장 그리고 플라즈마로부터 방출된 파편의 타입과 양을 포함할 수 있다.

광원은 또한 레이저 광이 통과하여 점화 사이트(28)에 도달하게 하는 구멍을 가진, 절두원추 타원의 형태의 예를 들면, 반사기와 같은 콜렉터(30)를 포함할 수 있다. 콜렉터(30)는 예를 들면 점화 사이트(28)에서 제 1 촛점 그리고 EUV 광이 광원으로부터 출력되고 그리고 예를 들면 집적회로 리소그래피 툴(도시생략)에 입력되는 소위 중간 지점(40)(또한, 중간 촛점(40)이라고도 함)에서 제 2 촛점을 가진 타원형 미러가 될 수 있다.

펄스 시스템(22)은 듀얼 챔버를 포함할 수 있는데, 예를 들면 마스터 오실레이터 파워 증폭기("MOPA"), 가스 방출 레이저 시스템 그리고 증폭기 레이저 시스 템(48)을 위한 펄스 파워 타이밍 모니터링 시스템(56)이고, 상기 가스 방출 레이저 시스템은 예를 들면, 오실레이터 레이저 시스템(44)을 위해 펄스 파워 타이밍 모니터링 시스템(54)을 따라 증폭기 레이저 시스템(48)을 위한 자기 리액터 전환 펄스 압축 및 타이밍 회로(52)와 오실레이터 레이저 시스템(44)을 위한 자기 리액터 전환 펄스 압축 및 타이밍 회로(50)를 가진 증폭기 레이저 시스템(48)과 증폭기 레이저 시스템(48)을 가지고 있다. 시스템(20)은 또한 EUV 광원 제어기 시스템(60)을 포함할 수 있고, 그리고 예를 들면, 레이저 빔 위치 시스템(66)을 따라, 타겟 위치 검출 피드백 시스템(62)과 점화 제어 시스템(65)을 포함할 수 있다.

시스템(20)은 또한 타겟 위치 검출 시스템을 포함할 수 있는데, 이것은 예를 들면 점화 사이트에 대하여 타겟 방울의 위치를 표시하는 출력을 제공하고 그리고 이러한 출력을 타겟 위치 검출 피드백 시스템에 제공하는 하나 이상의 방울 이미저(70)를 포함할 수 있고, 피드백 시스템은 예를 들면, 타겟 위치 및 궤도를 연산할 수 있고, 이로부터 타겟 에러는 방울 마다 연산되지 않는다면 평균을 근거로 연산할 수 있다. 타겟 에러는 시스템 제어기(60)에 입력으로서 제공될 수 있는데, 이것은 예를 들면, 레이저 빔 위치 시스템(66)에 레이저 위치, 방향 및 타이밍 수정 신호를 제공할 수 있고 레이저 빔 위치 시스템은 레이저 빔의 촛점을 다른 점화 지점(28)으로 변경하기 위해 레이저 타이밍 회로를 제어하고 및/또는 레이저 위치 및 방향 체인저(68)를 제어하는데 사용할 수 있다.

시스템 제어기(60)로부터의 신호에 응답하여 타겟 전달 제어 시스템(90)은 원하는 점화 사이트(28)에 도달하는 타겟 방울의 에러를 수정하기 위해서 타겟 전 달 기구(92)에 의해 방출되는 타겟 방울의 방출 지점을 조절할 수 있다. EUV 광원 검출기(100)는 또한 실제로 효과적인 EUV 광 산출을 위한 타임 그리고 정확한 위치에 타켓 방울을 적절히 인터셉트하는 레이저 펄스의 타이밍과 촛점으로서 이러한 에러를 표시할 수 있는 시스템 제어기(60)에 피드백을 제공할 수 있다.

도 1에 개략적으로 도시되고, 그리고 아래에서 상세히 설명하는 바와 같이, 본 발명의 하나의 실시예는 플라즈마 형성 사이트(28)에서 발생된 파편으로부터 플라즈마 챔버 광소자의 표면을 보호하기 위해서 쉴딩(shielding) 시스템(102)을 포함할 수 있다. 쉴딩 시스템(102)이 EUV 광원 검출기(100)의 표면을 보호하는 위치에 도시되어 있지만, 쉴딩 시스템(102)은 챔버(26)에서 다른 광소자를 보호하는데 사용될 수 있다.

도 2는 플라즈마 발생 파편으로부터 광소자, 예를 들면 EUV 광 검출기(100)의 표면(104)을 보호하기 위한 시스템(102)을 더 상세히 도시하고 있다. 도시된 바와같이, 시스템(102)은 복수의 중공 튜브(126)를 포함할 수 있는데, 소위 모세관 튜브이고, 각각의 튜브는 튜브 루멘(lumen)(즉, 구멍)을 둘러싸는 튜브 벽을 가지고 있다. 튜브(126)는 유리, 금속 또는 붕규산염과 같은 세라믹 재질로 만들 수 있는데, 이것은 스치듯 작은 입사각에서 dl 광을 반사하는데, 예를 들면 스치듯 작은(10°이하) 입사각으로 스쳐오는 입사의 반사이고, 표면의 EUV 반사력은 대부분의 재료에 대하여 비교적 높다. 도시된 바와 같이, 튜브(126)는 함께 그룹으로 되어 있으며 튜브(126)와 유사한 모양을 가진 스테인레스 스틸 하우징 튜브(128)내에 감싸여 있다. 예시적인 실시예에서, 약 50 벤트 유리 모세관 튜브(126)(외경 1mm, 내경 0.78mm, 길이 150mm)는 벤트 스테인레스 스틸 튜브(128)의 내부에 장착될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 튜브(126)는 튜브 끝(134,136)에 의해 형성된 튜브 축선(132)으로부터 측면방향으로 오프셋될 수 있는 중간 섹션(130)을 가진 형상이다. 특히, 중간 섹션(130)은 튜브(126)의 내경보다 큰 간격(138) 만큼 오프셋 될 수 있다.

도 3은 튜브(126)가 플라즈마 형성 사이트(28)와 검출기 표면(104) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 도 3은 EUV 광선의 예시적인 통로 및 파편 입자의 예시적인 통로(142)를 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, EUV 광선은 튜브(126)의 내벽 면으로부터 하나 이상의 스치듯 작은 입사의 반사 후에 튜브(126)의 루멘(즉, 보어)을 통과하고 그리고 표면(104)에 도달한다. 한편, 도시된 바와 같이, 파편 입자는 중공 튜브의 내벽을 타격하고 그리고 내벽을 관통한다. 더욱이, 일부의 경우에는, 내벽에 파편의 축적은 스치는 입사각으로 EUV 광을 적절히 반사하도록 충분히 부드러운 표면을 이루게 된다. 튜브(126)의 사용은 광을 검출기로 향하게 하는 편평한 미러의 사용보다 유리한데, 이것은 광을 튜브의 끝쪽으로 향하게 하고 그리고 방향을 바꾸는 미러의 사용에서와 같이 복잡한 정렬이 필요하지 않다.

사용중에, 튜브(126)는 플라즈마 챔버(26)(도 1 참조) 내부에 위치할 수 있고 그리고 플라즈마 형성 사이트(28) 와 광소자(즉, 검출기(100)) 사이에 위치하여, 파편이 튜브(126)의 내벽면에 잠시 퇴적되게 한다. 도시된 바와 같이, 검출기(100)는 하나 이상의 얇은 EUV 필터 포일(146), 다층 미러(148) 및 포토다이오드 검출기(150)를 포함할 수 있다.

도 2를 더 참조하면, 시스템(102)은 히터(154)를 포함할 수 있어서 각각의 튜브(126)의 부분을 가열할 수 있고, 또는 일부의 경우에 각각의 튜브는 퇴적된 파편의 적어도 일부를 제거하기에 충분한 온도까지 전체를 가열하여, 예를 들면 하나이상의 퇴적된 종(species)의 일부(또는 전부)를 제거한다. 열의 적용은 또한 퇴적물을 부드럽게 하는 기능을 하고 그에 따라 스치는 반사 각도를 증가시킨다. 예를 들면, 히터는 퇴적된 물질의 적어도 일부를 기화시키기에 충분한 온도까지 튜브(126)를 가열할 수 있다. 리튬으로 이루어진 플라즈마 소스 재료에 대하여, 히터(154)는 약 400 내지 550℃의 범위의 온도까지 쉴드(108')를 가열하도록 설계될 수 있어서 튜브 표면으로부터 리튬을 기화시킬 수 있다.

일부의 경우에, 히터는 튜브(126) 내로 유입되는 부식액 가스와 퇴적 물질 사이에 화학적 반응을 시작하도록 충분한 온도로 튜브(126)를 가열할 수 있다. 도 2는 시스템(102)이 부식액이 각각의 튜브(126) 내로 흐르도록 방출하기 위한 서브시스템(144)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 서브시스템(144)은 부식액이 검출기(100)로부터 튜브(126)를 통해 챔버(26) 쪽으로 이송되도록 방출하는 위치에 있다. HBr, Br₂, Cl₂, H₂, HCF₃ 및 그 화합물과 같은 부식액에 반드시 한정될 필요는 없고 적절한 부식액이 포함될 수 있다.

Sn을 포함하는 플라지마 소스 물질에 대하여, 히터(154)는 약 200 내지 325℃ 범위의 온도까지 튜브(126)(또는 그 일부)를 가열하여 Sn 퇴적물과 하나 이상의 기상 부식액, 즉 HBr 사이에 반응을 개시하여, 내부 튜브 벽으로부터 제거될 수 있 는 반응 산출물을 만든다.

도 2에 도시된 바와 같이, 더 상세한 구조에서, 히터(154)는 튜브(126)를 둘러 싸는 가열 소자(156)와, 가열 소자(156)를 통해 전류가 흐르게 하는 전원(158)을 포함할 수 있다. 가열 소자(156)는 도체 재질로 만들 수 있고 그러므로 전류가 흐르는 동안 저항 가열을 통해 가열된다. 히터는 방사 히터, 마이크로웨이브 히터, RF 히터 및 그 조합에 한정되지 않고, 튜브(126)를 가열하는 다른 수단이 포함될 수 있다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예를 도시하고 있는데 EUV 광 파라미터, 즉 펄스 에너지 또는 플럭스를 측정하기 위한 검출기(150')를 가진 EUV 계측 모니터(100')를 포함하고 있다. 일부의 경우에는, 약 13.5nm의 파장 및 약 2% 이하의 밴드 폭을 가진 광을 측정하는 검출기가 바람직하다. 이러한 목적을 위해서, EUV 광원으로부터의 광이 모니터(100')에서 여과될 수 있다. 특히, 도시된 바와 같이, 모니터(100')는 하나 이상의 필터 포일(146a',146b',146c',146d'), 하나 이상의 CaF₂ 윈도우(160a,b), 그리고 정상적인 입사에서 13.5nm에 중심이 맞추어진 광의 밴드를 반사할 수 있는 하나 이상의 다층 미러(148')를 포함할 수 있다. 다층 미러(148'), 즉 MoSi₂ 및 Si의 층을 교대로 갖춘 다층 미러는 광, 즉 13.5nm에 중심이 맞추어진 2% 밴드 외부의 광을 흡수할 수 있고 그러므로, 밴드-패스 광 필터로서 작용할 수 있다. 한편, CaF₂ 윈도우(160a,b)가 빔 통로를 따라서 개입되어 있을 때, EUV 광은 흡수될 수 있는 한편, UV 와 가시광은 윈도우(160a,b)를 통해서 전달 될 수 있다. 그러므로, CaF₂ 윈도우는 광 필터로서 작용할 수도 있다. 유사하게, 안티몬의 얇은 층으로 이루어질 수 있는 필터 포일(146a'-d')은 가시광을 흡수하거나 반사하는 한편 EUV 방사는 전달할 수 있다.

도 4는 한쌍의 선형운동 액추에이터(162a,b)를 포함할 수 있어서 빔 통로(164)를 따라 하나 이상의 필터(146a'-d',160a,b)를 선택적으로 개입시킬 수 있다. 모니터(100')는 또한 입구 구멍(166) 및 급속 셔터(168)를 포함할 수 있다. 이러한 장치로, 필터(146a'-d',160a,b)는 입구 구멍(166)을 통해 모니터(100')를 들어오는 플라즈마 발생 파편에 원하지않게 노출될 수 있다. 일부의 경우에, 파편 퇴적은 필터(146a'-d',160a,b)의 작동효율을 감소시킬 수 있다. 이 때문에, 모니터(100')는 히터(170)를 포함할 수 있는데, 히터는 도시된 모니터(100')를 위해서 방사 히터가 될 수 있어서, 필터(146a'-d',160a,b)를 가열하여 일시적으로 퇴적되는 플라즈마 발생 파편을 제거할 수 있다. 필터(146a'-d',160a,b)를 가열하는 히터는 저항 히터, 방사 히터 마이크로웨이브 히터, RF 히터 및 그 조합에 한정되지 않고 다른 수단을 포함할 수 있다.

Li를 포함하는 플라즈마 소스 물질을 위해서, 히터(170)는 필터(146a'-d',160a,b)를 약 400 내지 550℃의 온도 범위까지 가열하도록 설계될 수 있어서 필터 표면으로부터 Li를 기화시킨다. Sn을 포함하는 플라즈마 소스 물질을 위해서, 히터(170)는 필터(146a'-d',160a,b)를 약 200 내지 325℃의 온도 범위로 가열하도록 설계될 수 있어서 Sn 퇴적물과 기상 부식액, 즉 HBr 사이의 반응을 시작하여, 필터 표면으로부터 제거될 수 있는 반응 산출물을 만든다. 기상 부식액은 모니터(100')내로 또는 챔버(26)(도 1 참조)내로 직접 도입될 수 있다.

도 5는 모니터(전체적으로 모니터(100'')로 표시되어 있다)의 다른 장치를 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, EUV 계측 모니터(100'')는 EUV 광 파라미터, 즉 펄스 에너지 또는 플럭스를 측정하기 위한 검출기(150'')를 갖출 수 있고 그리고 하나 이상의 필터(146a'',146b'',146c'',146d'',160a',b')를 포함할 수 있는데, 하나 이상의 필터는 빔 통로(164')를 따라 선택적으로 개입될 수 있다. 모니터(100'')는 또한 하나 이상의 다층 미러(148'')를 포함할 수 있다. 모니터(100''는 또한 구멍(166') 및 급속 셔터(168')를 포함할 수 있다. 이러한 장치로, 다층 미러(148'')는 입구 구멍(166')을 통해 모니터(100'')를 들어오는 플라즈마 발생 파편에 원하지않게 노출될 수 있다. 일부의 경우에, 파편 퇴적은 미러(148'')의 작동효율을 감소시킬 수 있다. 이 때문에, 모니터(100'')는 히터(170')를 포함할 수 있는데, 히터는 도시된 모니터(100')를 위해서 미러(148'')의 배면에 장착되는 저항 히터가 될 수 있어서 미러(148'')를 가열하고 그리고 일시적으로 퇴적되는 플라즈마 발생 파편을 제거할 수 있다. 미러(148'')를 가열하는 히터는 방사 히터 마이크로웨이브 히터, RF 히터 및 그 조합에 한정되지 않고 다른 수단을 포함할 수 있다.

Li를 포함하는 플라즈마 소스 물질에 대해서, 히터(170')는 약 400 내지 550℃ 범위의 온도까지 미러(148'')를 가열하도록 설계될 수 있어서 미러 표면으로부터 Li를 기화시킨다. Sn을 포함하는 플라즈마 소스 물질에 대해서, 히터(170)는 약 200 내지 325℃ 범위의 온도까지 미러(148'')를 가열하도록 설계될 수 있어서 Sn 퇴적물과 기상 부식액, 즉 HBr 사이에 반응을 시작하여, 미러 표면으로부터 제거될 수 있는 반응 산출물을 만들 수 있다. 기상 부식액은 모니터(100') 내로 또는 챔버(26)(도 1 참조) 내로 직접 도입될 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 하나의 실시예에서, 리튬을 포함하고 있는 타겟 물질은 플라즈마 형성 사이트(28)에서 플라즈마를 발생시키는데 사용될 수 있다. 이러한 장치로, 리튬 및 리튬 화합물을 포함하는 파편은 콜렉터 미러(30)에 퇴적될 수 있다. 본래, 리튬은 매우 반응적인 물질이고 그리고 콜렉터 표면상에서 거의 모든 오염물질과 반응하고, 그러므로 리튬 화합물을 만든다. 전형적으로, 결합되지 않은 리튬은 상승된 온도, 즉 350-450℃로 콜렉터 미러(30)를 가열하므로서 증발될 수 있다. 특히, 리튬 증발율이 리튬 파편 퇴적물의 증발율보다 높도록 온도를 선택할 수 있다. 불행하게도, 일부의 리튬 화합물은 이들 적당한 온도(즉 350-450℃)에서 증발되지 않는다. 예를 들면, Li₂CO₃ 또는 Li₂O와 같은 화합물은 증발시키는데 더 높은 온도가 필요하고 그리고 콜렉터(30)의 표면으로부터 쉽게 스퍼터(sputter) 되지 않는다. 리튬 화합물을 증발시키기 위해서 전형적인 다층 미러의 반사력을 감소시키거나 파괴하는 매우 높은 온도(600-700℃ 이상)로 콜렉터를 가열할 필요가 있다. 그러므로, 리튬 화합물의 증발 및/또는 스퍼터는 해결하기가 어려울 수 있다.

상기 문제를 감안하여, 도 1은 분자 수소의 소스 또는 원격 플라즈마 소스로 부터의 원자 수소의 소스인 수소 소스(220)를 예시하고 있는데, 이것은 리튬과 반응을 위해 수소를 챔버 내로 도입시킬 수 있어서 LiH를 만든다. 스퍼터링 시스템(202)이 제공되어 스퍼터링 이온 및/또는 분자를 발생시키고 그리고 이들을 충분한 에너지로 콜렉터의 표면으로 향하게 하여 LiH를 스퍼터링 한다. 예를 들면, 스퍼더링 시스템은 스퍼터링 물질로서 헬륨 또는 아르곤과 용량성 또는 유도적으로 연결된 RF 크리닝 플라즈마를 설정할 수 있다. 도시된 바와 같이, 콜렉터(30)는 콜렉터(30)에 퇴적된 파편에 충격을 가하는 이온의 에너지를 선택적으로 제어하도록 RF 바이어스되어 있을 수 있다. 일반적으로, Li₂O 또는 Li₂CO₃ 보다는 콜렉터 표면으로부터 LiH를 스퍼터하는 것이 상당히 더 쉬울 수 있다. 또한 LiH 퇴적물은 Li2O 보다 더 투명할 수 있다. 이러한 방식으로의 스퍼터링은 리튬 및 리튬 화합물을 스퍼터하는데 단독으로 사용될 수 있고 또는, 가열과 결합되어 사용하여 리튬 및/또는 플라즈마 에칭을 증발시킨다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예를 예시하고 있는데, 레이저(300)는 챔버(26')에서 플라즈마 형성 사이트(28')에 촛점이 맞추어져 있다. 콜렉터(30'), 즉 플라즈마 형성 사이트에 또는 그 근처에 제 1 촛점 그리고 중간 촛점(도 1 참조)에서 제 2 촛점을 가진 타원형 콜렉터가 구비될 수 있다. 이러한 장치로, 플라즈마 발생 파편은 콜렉터 미러(30')의 여러 구역에서 다른 비율로 퇴적될 수 있다. 예를 들면, 위치(302b)보다 위치(302a)에서 더 많은 파편이 퇴적될 수 있다(말하지면, 타원형 콜렉터이므로, 플라즈마 개시 사이트(28')로부터 위치(302b)는 위치(302a) 보다 더 멀리 있다). 그러므로, 도 6에 도시된 시스템에서, 콜렉터(30')로부터 파편을 제거하는데 플라즈마 에칭을 사용하고, 위치(302b)보다는 위치(302a)에서 더 높은 에칭 비율이 바람직하다(말하자면, 퇴적된 파편이 제거된 후 미러의 일부분을 계속 에칭하는 것은 미러에 손상을 줄 수 있다). 이를 위해, 시스템은 도시된 바와 같이, 시스템은 플라즈마 부식액의 소스(144')와 제 1 및 제 2 독립적으로 제어가능한 RF 전원(304a,b)을 포함할 수 있고, 이 전원은 각각 개별적인 RF 전극(306a,b)에 커패시터를 통해서 연결되어 있다. 2개의 RF 시스템이 실제로 환상의 콜렉터 구역에서 각각 작동을 위해 도시되어 있지만, 2개 이상의 RF 시스템이 채용될 수 있고 그리고 RF 시스템의 사용은 도시된 환상의 모양과 같이, 임의의 특정 형상을 가진 구역에 한정되는 것은 아니다.

부식액은 HBr, Br₂, Cl₂, H₂, HCF₃ 및 그 조합과 같은 것에 한정되지 않고, 적절한 부식액을 포함할 수 있다. 아르곤 또는 헬륨과 같은 논-에칭 가스가 도입되어 에칭 플라즈마를 설정할 수 있다. 여기에서 사용된, "플라즈마 에칭"이라는 용어는 1)플라즈마에서 반응 종(species)의 발생; 2)부식되는 물질의 표면에 이들 종의 확산; 3)표면에 이들 종의 흡착; 4)종과 에칭되는 물질 사이에서 하나 이상의 화학적 반응의 발생으로 휘발성 부산물의 형성; 5)표면으로부터 부산물의 분리; 그리고 6)분리된 부산물을 가스내로 확산; 시키는 단계중 하나 이상의 단계를 포함할 수 있다. 도 6에 도시된 실시예는 리튬, 주석, 크세논 및/또는 다른 물질을 포함하는 타겟 물질을 위해 사용될 수 있다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예를 도시하고 있는데, 콜렉터(30'')의 여러가지 구역은 다른 비율로 가열될 수 있다. 특히, 에칭 비율은 온도에 상당히 영향을 받는다. 예를 들면, HBr 및/또는 Br₂를 사용하는 주석 제거 비율은 150-400℃의 온도 범위에서 상당히 영향을 받는다는 것을 알았다. 도 7에 도시된 바와 같이, 예시적인 타원형 콜렉터(30'')의 배면이 도시되어 있는데, 저항 가열 시스템을 사용하여 여러가지 가열이 채용될 수 있어서 여러가지 콜렉터 구역에 다른 에칭 비율을 설정할 수 있다. 특히, 각각의 가열 시스템은 각각의 형상을 가진 콘덕터(402a,b)에 연결된 전원(400a,b)을 포함하고 있다. 히터는 방사 히터, 마이크로웨이브 히터, RF 히터 및 그 조합에 한정되지 않고, 콜렉터 구역을 여러가지 온도로 가열하기 위해 다른 형태의 히터도 가능하다. 도 7에 도시된 실시예는 리튬, 주석, 크세논 및/또는 다른 물질을 포함하는 타겟 물질을 위해 사용될 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예를 예시하고 있는데, 제어된 플라즈마 에칭 비율로, EUV 광원 콜렉터 미러(30''')의 표면으로부터 파편을 에칭하기 위한 장치가 구비될 수 있다. 도시된 바와 같이, 장치는 레퍼런스(reference) 재료, 즉 증명(witness) 판(700)을 포함할 수 있는데, 이 판은 콜렉터(30''')의 표면의 위치(702)에서와 실제로 동일한 양의 파편 축적을 수용하도록 위치된 표면을 가지고 있다. 예를 들면, 작은(약 1×1cm) 증명 판(700)은 MLM 콜렉터(30''') 옆에 위치시킬 수 있고 그리고 In 또는 Sb와 같은 적절한 할로겐 에칭 비율을 가진 재료로 만들 수 있다. 이러한 장치로, 플라즈마 에칭 시스템은 대략 동일한 에칭 비율로, 콜렉터(30''')의 위치(702)와 판(700)으로부터 파편을 에칭하도록 배치될 수 있다. 도시된 바와 같이, 플라즈마 에칭 시스템은 플라즈마 부식액의 소스(144'') 그리고 제어가능한 RF 전원(304')을 포함할 수 있고, 이 전원은 도시된 바와 같이, RF 전극(306')에 커패시터를 통해 연결되어 있다.

시스템은 증명 판(700)으로부터 에칭 플라즈마 방출을 분석하기 위한 기구(704)를 더 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 광 파이버(706), 즉 파이버 광 케이블은 증명 판(700)으로부터 기구((704)까지 에칭 플라즈마 방출을 전달하는데 사용될 수 있다. 증명 판(700)으로부터 기구까지 에칭 플라즈마 방출을 효율적으로 전달하기 위한 다른 적절한 기술은 광 촛점, 즉 렌즈(도시 생략)를 포함할 수 있다. 에칭 제어 시스템에서, 상기 기구는 증명 판(700)에서 파편 축적량을 표시하는 출력을 산출할 수 있다. 이러한 출력은 제어기(708)에 의해 수신되고 이 출력은 에칭 비율 파라미터를 변경시켜서 플라즈마 에칭 비율을 제어하는데 사용된다. 예를 들면, 제어기(708)는 챔버(26)에서 부식액 농도 또는 RF 파원를 변경시킬 수 있다.

증명 판(700)에서 파편 축적의 양을 측정하기 위해서, 상기 기구는 증명 판 재료, 즉 In 또는 Sb를 위한 스펙트럼 라인 강도를 측정한다. 증명 재료 라인 강도가 허용가능한 가장 높은 소정의 값을 초과하면, 에칭 효율이 파편 플럭스, 즉 Sn 플럭스를 넘는다는 표시를 한다. 이러한 경우에, RF 파워 또는 부식액 농도는 제어기(708)에 의해 감소될 수 있다. 또한, 증명 재료 라인 강도가 특정의 최소값보다 작아지면, 에처(etcher)의 클리닝 파워가 도착하는 파편 플럭스, 즉 Sn 플럭 스를 위해 불충분하다고 표시하고 그리고 RF 파원 또는 부식액 농도가 증가할 수 있다.

증명 판 재료 스펙트럼 라인 강도는 RF 파워 및/또는 부식액 농도를 제어하기 위한 피드백으로서 사용할 수 있어서 증명 판 재료 스펙트럼 라인 강도(기구(704)로 측정됨)를 특정 레벨 또는 특정 범위 내에 유지할 수 있다. 또한, EUV 플라즈마 타켓, 즉 주석 라인과 증명 재료 라인에 대한 스펙트럼 강도의 비율은 특정 타겟 값에서 또는 특정 범위 내에서 유지될 수 있다.

상기한 본 발명의 실시예들은 단지 바람직한 실시예이고 이들은 본 발명의 개시를 한정하는 것이 아니고 본 발명은 특정 바람직한 실시예에 한정되는 것이 아니라는 것은 당업자라면 이해할 것이다. 본 발명의 개시된 실시예들에 많은 변경과 수정이 이루어질 수 있다는 것도 이해될 것이다. 첨부된 청구범위는 본 발명의 개시된 실시예들을 의도된 범위이고 이들을 커버할 뿐만 아니라 당업자라면 알 수 있는 등가물 및 다른 수정과 변경을 커버하는 것이다.

Claims

플라즈마 형성에 의해 파편을 발생시키는 EUV 광원을 위한 EUV 계측 모니터에 있어서, 상기 모니터는:

방사 검출기;

EUV 광원에 의해서 발생된 방사를 여과하고 여과된 방사를 상기 검출기에 보내며, 플라즈마 형성에 의해 발생된 파편이 소자에 퇴적되는 위치에 위치되는 상기 소자; 그리고

퇴적된 파편의 적어도 일부를 제거하기에 충분한 온도까지 상기 소자를 가열하는 히터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 1 항에 있어서, 상기 소자는 다층 미러인 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 2 항에 있어서, 상기 다층 미러는 적어도 하나의 MoSi₂층과 하나의 Si층을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 1 항에 있어서, 상기 소자는 금속 포일인 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 4 항에 있어서, 상기 포일은 지르코늄인 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 1 항에 있어서, 상기 히터는 저항 히터, 방사 히터, 무선-주파수 히터 및 마이크로웨이브 히터로 이루어진 히터 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마는 플라즈마 형성 재료를 포함하고 있고, 플라즈마 형성 제료를 위한 부식액은 모니터 내로 도입되고 그리고 히터는 퇴적된 Sn과 부식액 사이에서 화학적 반응을 개시하도록 200℃ 이상의 온도까지 상기 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 재료는 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 7 항에 있어서, 부식액은 HBr, Br₂, Cl₂, HCl, H₂ 및 그 조합으로 이루어진 부식액 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마는 플라즈마 형성 재료를 포함하고 있고 그리고 히터는 퇴적된 플라즈마 형성 재료를 증발시키도록 400℃ 이상의 온도까지 상기 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 재료는 Li를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
플라즈마 형성에 의해 발생된 파편을 EUV 광원 콜렉터 미러로부터 제거하는 디바이스로서, 상기 콜렉터 미러는 플라즈마 형성 사이트에 대하여 위치하여 콜렉터 미러의 여러가지 구역에서 다른 파편 퇴적율을 야기하는 상기 디바이스에 있어서, 상기 디바이스는;

파편을 제 1 구역으로부터 제거하도록 제 1 온도(T1)까지 상기 콜렉터 미러의 제 1 구역을 가열하기 위한 제 1 가열 시스템; 그리고

파편을 제 2 구역으로부터 제거하도록 제 2 온도(T2)(T1≠T2)까지 상기 콜렉터 미러의 제 2 구역을 가열하기 위한 제 2 가열 시스템;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 가열 시스템은 저항 히터, 방사 히터, 무선-주파수 히터 및 마이크로웨이브 히터로 이루어진 히터 그룹으로부터 선택된 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
제 12 항에 있어서, 상기 콜렉터 미러는 챔버에 위치해 있고, 플라즈마는 Sn을 포함하고 있으며, 상기 챔버내에 부식액이 도입되고, 그리고 상기 제 1 온도(T1)와 상기 제 2 온도(T2)는 퇴적된 Sn과 부식액 사이에서 화학적 반응을 개시하도록 각각 150 내지 400℃의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스.
제 14 항에 있어서, 상기 부식액은 HBr, Br₂, Cl₂, HCl, H₂ 및 그 조합으로 이루어진 부식액 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
제 12 항에 있어서, 상기 플라즈마는 Li를 포함하고 있고, 그리고 상기 제 1 온도(T1)와 상기 제 2 온도(T2)는 퇴적된 Li를 증발시키도록 각각 400℃ 이상인 것을 특징으로 하는 디바이스.
플라즈마 형성에 의해 발생된 파편으로부터 EUV 광원 광소자의 표면을 보호하기 위한 시스템으로서, 상기 시스템은:

튜브 루멘을 둘러싸는 튜브 벽을 가진 적어도 하나의 중공 튜브를 포함하는 쉴드; 그리고

튜브 벽에 퇴적된 파편을 제거하도록 튜브 벽을 가열하기 위한 히터;를 포함하고 있고,

상기 튜브는 플라즈마 형성 사이트와 표면 사이에 개재되어 있고, 표면쪽으로 향한 파편의 적어도 일부가 표면에 도달하는 것을 방지하도록 방향이 정해져 있으며, 그리고 플라즈마 형성 사이트에서 발생된 광의 적어도 일부가 상기 루멘을 통과하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 시스템.
제 17 항에 있어서, 상기 히터는 저항 히터, 방사 히터, 무선-주파수 히터 및 마이크로웨이브 히터로 이루어진 히터 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 시스템.
제 17 항에 있어서, 상기 플라즈마는 플라즈마 형성 재료를 포함하고 있고, 플라즈마 형성 재료를 위한 부식액은 모니터 내로 도입되고 그리고 히터는 퇴적된 Sn과 부식액 사이에서 화학적 반응을 개시하도록 200℃ 이상의 온도까지 상기 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는 시스템.
제 19 항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 재료는 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
제 19 항에 있어서, 상기 부식액은 HBr, Br₂, Cl₂, HCl, H₂ 및 그 조합으로 이루어진 부식액 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 시스템.
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마는 플라즈마 형성 재료를 포함하고 있고, 그리고 상기 히터는 퇴적된 플라즈마 형성 재료를 증발시키도록 400℃ 이상의 온도까지 상기 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 22 항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 재료는 Li를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 EUV 계측 모니터.
제 19 항에 있어서, 부식액은 튜브를 통해 그리고 검출기 표면으로부터 먼 방향으로 향해 있는 것을 특징으로 하는 시스템.
제 17 항에 있어서, 쉴드는 각각의 루멘을 각각 가진 복수의 중공 튜브를 포함하고 있고, 각각의 튜브는 플라즈마 형성 사이트에서 발생된 광이 각각의 튜브 루멘을 통과하여 검출기 표면에 도달하도록 방향이 정해져 있고, 각각의 중공 튜브는 각각의 제 1 끝과 각각의 제 2 끝, 각각의 루멘 직경(d)을 가지고 있고; 그리고 각각의 제 1 끝으로부터 각각의 제 2 끝까지 각각의 선형 튜브 축을 형성하며, 각각의 튜브는 각각의 제 1 끝과 각각의 제 2 끝 사이에 각각의 중간 부분으로 형성되어 있고, 각각의 중간 부분은 오프셋 간격(D)(D≥d) 만큼 각각의 튜브 축으로부터 측면으로 오프셋되어 있는 것을 특징으로 하는 시스템.
제 17 항에 있어서, 광소자는 검출기와 이미징 윈도우로 이루어진 광소자 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 시스템.
플라즈마 형성에 의해 파편을 발생하는 EUV 광원과 함께 사용되는 콜렉터 미러 시스템으로서, 상기 시스템은:

파편과 결합되고 그리고 상기 콜렉터의 표면에서 산소를 만드는 산소 소스; 그리고

상기 콜렉터 표면으로부터 수소화물을 스퍼터링하기 위해서 상기 콜렉터 표면쪽으로 스퍼터링 분자를 향하게 하는 스퍼터링 시스템;을 포함하는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 27 항에 있어서, 상기 파편은 Li를 포함하고 그리고 상기 수소화물은 LiH인 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 27 항에 있어서, 상기 수소는 H₂로서 도입되는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 27 항에 있어서, 상기 스퍼터링 시스템은 RF 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 30 항에 있어서, 상기 스퍼터링 분자는 아르곤을 포함하는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 30 항에 있어서, 상기 스퍼터링 분자는 헬륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 27 항에 있어서, 상기 시스템은 다층 콜렉터 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제 33 항에 있어서, 상기 미러는 적어도 하나의 MoSi₂층과 하나의 Si층을 포함하는 것을 특징으로 하는 콜렉터 미러 시스템.
제어된 에칭 비율로 EUV 광원 콜렉터 미러의 표면으로부터 파편을 에칭하는 장치로서, 상기 장치는:

파편을 에칭하기 위해, 적어도 하나의 제어가능한 파라미터를 가지고 있어서 플라즈마 에칭 비율을 변경시키는 플라즈마 에칭 시스템;

콜렉터 미러 표면에서 적어도 하나의 구역과 실제로 동일한 양의 파편 축적을 수용하도록 위치된 표면을 가진 레퍼런스 재료;

상기 레퍼런스 재료 표면에서 파편 축적량을 표시하는 출력을 산출하도록 상기 레퍼런스 재료 표면으로부터의 방출을 분석하는 기구; 그리고

상기 출력에 응답하여 에칭 비율 파라미터를 변경시키고 플라즈마 에칭 비율을 제어하는 제어기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
제 35 항에 있어서, 상기 방출은 에칭 플라즈마 방출을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
제 35 항에 있어서, 상기 레퍼런스 재료는 인듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
제 35 항에 있어서, 상기 러퍼런스 재료는 안티몬을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
제 35 항에 있어서, 상기 기구는 스펙트로미터인 것을 특징으로 하는 장치.
제 39 항에 있어서, 상기 출력은 상기 레퍼런스 재료를 위한 스펙트럼 라인 강도인 것을 특징으로 하는 장치.
제 39 항에 있어서, EUV 광원은 EUV 광을 발생시키도록 주석을 포함하는 플 라즈마를 만들고 그리고 상기 출력은 상기 레퍼런스 재료를 위한 스펙트럼 라인 강도와 주석을 위한 스펙트럼 라인 강도의 비율인 것을 특징으로 하는 장치.
제 35 항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭 시스템은 RF 플라즈마를 설정하고 그리고 상기 에칭 비율 파라미터는 RF 파워인 것을 특징으로 하는 장치.
제 35 항에 있어서, 상기 방출을 상기 기구에 전달하는 파이버 광 케이블을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.