KR20070030572A - Semiconductor Wafer Bake System Having Heater And Temperature Sensor - Google Patents

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KR20070030572A KR1020050085335A KR20050085335A KR20070030572A KR 20070030572 A KR20070030572 A KR 20070030572A KR 1020050085335 A KR1020050085335 A KR 1020050085335A KR 20050085335 A KR20050085335 A KR 20050085335A KR 20070030572 A KR20070030572 A KR 20070030572A
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임종길
신동화
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김태규
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 가열 시스템을 제공한다. 이 가열 시스템은 공정 챔버, 공정 챔버 내에 장착되면서 웨이퍼를 지지하기 위한 지지점을 포함하는 전도판 및 전도판 하부에 부착되면서 멤스 기술로 형성된 발열체를 구비한 발열판을 포함한다. 이에 따라, 발열량이 균일하면서 온도를 미세하게 제어하게 됨으로써, 패턴 품질이 우수한 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있는 반도체 웨이퍼 가열 시스템을 제공할 수 있다.The present invention provides a semiconductor wafer heating system. The heating system includes a process chamber, a conduction plate mounted in the process chamber, including a support point for supporting the wafer, and a heating plate having a heating element formed under MEMS technology while being attached to the bottom of the conduction plate. Accordingly, the semiconductor wafer heating system capable of producing a semiconductor wafer excellent in pattern quality can be provided by controlling the temperature minutely and finely controlling the temperature.

박막 증착 기술, 발열체, 온도 센서, 발열판, 웨이퍼 가열 시스템 Thin film deposition technology, heating element, temperature sensor, heating plate, wafer heating system

Description

발열체 및 온도 센서를 가지는 반도체 웨이퍼 가열 시스템{Semiconductor Wafer Bake System Having Heater And Temperature Sensor}Semiconductor Wafer Bake System Having Heater And Temperature Sensor

도 1은 종래기술에 따른 반도체 웨이퍼 가열 시스템의 구성을 보여주는 단면도;1 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor wafer heating system according to the prior art;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가열 시스템의 구성을 보여주는 단면도;2 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor wafer heating system according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단위 발열 영역을 구비한 발열판의 평면도;3 is a plan view of a heating plate having a unit heating area according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발열체 및 온도 센서를 구비한 단위 발열 영역의 평면 설계도;4 is a plan view of a unit heat generating region having a heating element and a temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발열체를 보여주는 평면 설계도;5 is a plan view showing a heating element according to an embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 온도 센서를 보여주는 평면 설계도;6 is a plan view showing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 발열판 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들.7A to 7E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a heating plate according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 웨이퍼 가열 시스템에 관한 것으로, 더 구체적으로 멤스 기술로 제조한 발열판을 구비하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer heating system, and more particularly, to a semiconductor wafer heating system having a heating plate manufactured by MEMS technology.

도 1은 종래기술에 따른 반도체 웨이퍼 가열 시스템의 구성을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor wafer heating system according to the prior art.

도 1을 참조하면, 공정 챔버(process chamber, 10) 상부에는 냉각 가스 주입부(20)와 냉각 가스 주입부(20)의 일측에 연결된 냉각 가스 배관(25)으로 이루어진 냉각 장치가 구비되어 있다. 공정 챔버(10) 내부에는 전도판(30), 웨이퍼(wafer, W)를 전도판(30)으로부터 띄우기 위한 지지점(35) 및 전도판(30)에 열을 가하기 위한 발열판(40)이 구비되어 있다. 참조번호 A는 웨이퍼(W) 가열 후 공정 챔버(10)의 냉각 장치에 의한 냉각 가스의 흐름을 나타내는 것이다. 단면도인 관계로 표시되지 않았지만, 냉각 가스가 흐를 수 있는 공간이 공정 챔버(10) 내벽과 전도판(30) 및 발열판(40) 사이에 존재한다.Referring to FIG. 1, a cooling device including a cooling gas injector 20 and a cooling gas pipe 25 connected to one side of the cooling gas injector 20 is provided at a process chamber 10. Inside the process chamber 10, a conductive plate 30, a support point 35 for floating the wafers W, and a heating plate 40 for applying heat to the conductive plate 30 are provided. have. Reference numeral A denotes the flow of the cooling gas by the cooling device of the process chamber 10 after the wafer W is heated. Although not shown in sectional view, a space through which cooling gas may flow is present between the inner wall of the process chamber 10, the conductive plate 30, and the heating plate 40.

발열판(40)은 운모(mica)에 열선을 감아서 형성한 기계적인 부품이다. 이러한 기계적인 부품을 이용하여 열을 가하는 경우에는 발열판(40)의 발열 속도 및 발열 균일도를 향상시키는데 한계점이 있다. 또한, 정밀하고 균일한 온도 제어를 위한 다수의 온도 센서 장착에도 한계점이 있다. 따라서 반도체 공정의 미세화에 따른 패턴 품질의 저하를 초래하는 문제점이 있다.The heating plate 40 is a mechanical component formed by winding a heating wire around mica. In the case of applying heat using such a mechanical component, there is a limit in improving the heat generation rate and heat generation uniformity of the heat generating plate 40. There are also limitations on mounting multiple temperature sensors for precise and uniform temperature control. Therefore, there is a problem in that the pattern quality is reduced due to the miniaturization of the semiconductor process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발열량이 균일하면서 온도를 미세하게 제어할 수 있는 반도체 웨이퍼 가열 시스템을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a semiconductor wafer heating system capable of finely controlling the temperature while generating a uniform heating value.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 웨이퍼 가열 시스템을 제공한다. 이 가열 시스템은 공정 챔버, 공정 챔버 내에 장착되면서 웨이퍼를 지지하기 위한 지지점을 포함하는 전도판 및 전도판의 일측에 부착되면서 멤스 기술로 형성된 발열체를 구비한 발열판을 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a semiconductor wafer heating system. The heating system includes a process chamber, a conduction plate mounted in the process chamber, including a support point for supporting the wafer, and a heating plate having a heating element attached to one side of the conducting plate and formed by MEMS technology.

공정 챔버는 내벽에 설치된 가열 장치를 더 포함할 수 있다. 또한 냉각 장치를 더 포함할 수 있다. 냉각 장치는 기체, 액체 또는 기체+액체를 냉각 물질로 사용할 수 있다.The process chamber may further include a heating device installed on the inner wall. It may also further comprise a cooling device. The cooling device can use gas, liquid or gas + liquid as the cooling material.

발열체는 금속 물질의 저항체로 이루어질 수 있다. 금속 물질은 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr) 또는 니켈(Ni)일 수 있다. 발열판은 세라믹, 석재, 금속재 또는 수지류로 이루어질 수 있으며, 멤스 기술로 형성된 온도 센서를 더 포함할 수 있다. 온도 센서는 백금으로 이루어질 수 있다. 또한 발열판은 전도판의 일정 영역별로 제어하기 위한 다수의 개별적인 발열체 및 온도 센서를 구비할 수 있다.The heating element may be made of a resistor of a metallic material. The metal material may be platinum (Pt), silver (Ag), chromium (Cr) or nickel (Ni). The heating plate may be made of ceramic, stone, metal, or resin, and may further include a temperature sensor formed by MEMS technology. The temperature sensor may be made of platinum. In addition, the heating plate may include a plurality of individual heating elements and temperature sensors for controlling by a predetermined area of the conductive plate.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다. 도면들에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다. 또한, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. In the drawings, like reference numerals designate like elements that perform the same function. In addition, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for clarity. In addition, if it is mentioned that the film is on another film or substrate, it may be formed directly on the other film or substrate, or a third film may be interposed therebetween.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가열 시스템의 구성을 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor wafer heating system according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 공정 챔버(110) 내벽에는 가열 장치(115)가 구비되어 있다. 공정 챔버(110) 상부에는 냉각 물질 주입부(120)와 냉각 물질 주입부(120)의 일측에 연결된 냉각 물질 배관(125)으로 이루어진 냉각 장치가 구비되어 있다. 공정 챔버(110) 내부에는 전도판(130), 웨이퍼(W)를 전도판(130)으로부터 띄우기 위한 지지점(135) 및 전도판(130)에 열을 가하기 위한 발열판(140)이 구비되어 있다. 전도판(130), 지지점(135) 및 발열판(140)의 한 조로 이루어진 웨이퍼 가열 장치(150)는 공정 챔버(110) 내부에 적어도 하나 이상이 구비될 수 있다.2, a heating device 115 is provided on an inner wall of the process chamber 110. A cooling device including a cooling material injection unit 120 and a cooling material pipe 125 connected to one side of the cooling material injection unit 120 is provided on the process chamber 110. In the process chamber 110, a conductive plate 130, a support point 135 for floating the wafer W from the conductive plate 130, and a heating plate 140 for applying heat to the conductive plate 130 are provided. At least one wafer heating device 150 including a conductive plate 130, a support point 135, and a heating plate 140 may be provided in the process chamber 110.

가열 장치(115)는 공정 챔버(110) 자체를 가열하기 위한 것이다. 냉각 장치의 냉각 물질 배관(125)으로 유입된 냉각 물질은 냉각 물질 주입부(120)를 통해 공정 챔버(110) 내부 및 웨이퍼(W)를 냉각하게 된다. 참조번호 B는 웨이퍼(W) 가열 후 공정 챔버(110)의 냉각 장치에 의한 냉각 물질의 흐름을 나타내는 것이다. 단면도인 관계로 표시되지 않았지만, 냉각 물질이 흐를 수 있는 공간이 공정 챔버(110) 내벽과 전도판(130) 및 발열판(140) 사이에 존재한다. 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각 물질로는 기체뿐만 아니라 분무형 액체 또는 기체+액체를 사용할 수 있다.The heating device 115 is for heating the process chamber 110 itself. The cooling material introduced into the cooling material pipe 125 of the cooling device cools the inside of the process chamber 110 and the wafer W through the cooling material injection unit 120. Reference numeral B denotes the flow of the cooling material by the cooling device of the process chamber 110 after the wafer W is heated. Although not shown in cross-sectional view, a space through which the cooling material may flow is present between the inner wall of the process chamber 110 and the conductive plate 130 and the heating plate 140. As the cooling material for cooling the wafer W, not only a gas but also a spray liquid or a gas + liquid may be used.

전도판(130)은 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있다. 지지점(135)은 전도판(130)과 웨이퍼(W) 사이의 간격이 100μm 정도 유지되도록 하여 웨이퍼(W)가 직접 적인 열적 스트레스를 받지 않도록 하는 역할을 할 수 있다.The conductive plate 130 may be formed of aluminum (Al). The support point 135 may serve to maintain the gap between the conductive plate 130 and the wafer W by about 100 μm so that the wafer W is not directly subjected to thermal stress.

발열판(140)은 멤스(Micro Electro Mechanical System : MEMS) 기술을 사용하여 발열판(140) 상부 표면에 발열체 및 온도 센서를 같은 평면 상에 박막 형태로 증착하여 만들 수 있다. 발열체 및 온도 센서는 전류를 이용하여 구동할 수 있다. 이러한 발열체 및 온도 센서를 가진 발열판(140)은 소정의 원하는 구역에만 가열이 가능하며, 발열량이 균일하고 미세한 온도 제어가 가능할 수 있다. 따라서 우수한 발열 속도 및 발열 품질과 정밀한 온도 제어가 가능하게 됨으로써, 반도체 패턴 품질이 우수한 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있다.The heating plate 140 may be made by depositing a heating element and a temperature sensor on the same plane as a thin film on the top surface of the heating plate 140 using MEMS (Micro Electro Mechanical System: MEMS) technology. The heating element and the temperature sensor can be driven using a current. The heating plate 140 having the heating element and the temperature sensor may be heated only in a predetermined desired region, and the heating value may be uniform and fine temperature control may be possible. As a result, excellent heat generation rate, heat generation quality, and precise temperature control are possible, and thus a semiconductor wafer having excellent semiconductor pattern quality can be produced.

또한, 발열판(140)의 두께가 줄어들 뿐만 아니라 전도판(130)의 두께도 줄어들 수 있다. 따라서 반도체 웨이퍼 가열 시스템의 가열 및 냉각 시간이 단축되는 장점이 있다.In addition, the thickness of the heating plate 140 may be reduced as well as the thickness of the conductive plate 130. Therefore, the heating and cooling time of the semiconductor wafer heating system is shortened.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단위 발열 영역을 구비한 발열판의 평면도이다.3 is a plan view of a heat generating plate having a unit heat generating region according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 발열체 및 온도 센서를 구비하는 다수개의 단위 발열 영역(160)이 발열판(140)의 상측 또는 하측에 배치된다. 단위 발열 영역(160)은 가열하고자 하는 전도판(도 2의 130) 일측에 부착되는 발연판(140)의 전체 또는 임의의 소정 구역에 형성할 수 있다. 또는 발열판(140) 전체에 균일하게 단위 발열 영역(160)을 형성한 후, 전체 또는 임의의 단위 발열 영역(160)을 사용할 수도 있다.Referring to FIG. 3, a plurality of unit heat generating regions 160 including a heating element and a temperature sensor are disposed above or below the heating plate 140. The unit heat generating region 160 may be formed in the whole or any predetermined region of the fume plate 140 attached to one side of the conductive plate (130 of FIG. 2) to be heated. Alternatively, the unit heat generating region 160 may be uniformly formed on the entire heating plate 140, and then all or arbitrary unit heat generating regions 160 may be used.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발열체 및 온도 센서를 구비한 단위 발열 영역의 평면 설계도이다.4 is a plan view illustrating a unit heating region including a heating element and a temperature sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 반도체 웨이퍼 가열 시스템에 적용되는 발열체 영역(200) 및 온도 센서 영역(300)이 구비된 단위 발열 영역(160)이다. 단위 발열 영역(160)의 중심부에 발열체 영역(200)이 구비되고, 발열체 영역(200)의 양쪽 주위에 온도 센서 영역(300)이 구비될 수 있다. 발열체 영역(200)은 각각 단독적으로 사용되거나 서로 도선으로 연결하여 전체적으로 사용될 수도 있다. 온도 센서 영역(300)은 적어도 하나 이상이 구비될 수 있다.Referring to FIG. 4, a unit heating region 160 having a heating element region 200 and a temperature sensor region 300 applied to a semiconductor wafer heating system. The heating element region 200 may be provided at the center of the unit heating region 160, and the temperature sensor region 300 may be provided around both sides of the heating element region 200. The heating element regions 200 may be used alone, or may be used as a whole by connecting with each other by wires. At least one temperature sensor area 300 may be provided.

백금으로 제조한 발열체(210) 및 온도 센서(310)를 구비하는 단위 발열 영역(160)의 설계 사양은 길이 35mm, 두께 0.1mm, 총 저항 145Ω, 최대 전력 21.6W 및 최대 열 유속(heat flux) 605.30W/cm2이다.The design specification of the unit heating area 160 including the heating element 210 and the temperature sensor 310 made of platinum is 35 mm long, 0.1 mm thick, total resistance 145 Ω, maximum power 21.6 W, and maximum heat flux. 605.30 W / cm 2 .

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발열체를 보여주는 평면 설계도이다.5 is a plan view showing a heating element according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 도 4의 발열체 영역(200)을 확대한 것으로, 반도체 웨이퍼 가열 시스템에 적용되는 단위 발열 영역(도 4의 160) 상에 증착된 발열체(210)이다. 발열체(210)는 백금, 은, 크롬 또는 니켈과 같은 금속 물질의 저항체로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 5, an enlarged portion of the heating element region 200 of FIG. 4 is a heating element 210 deposited on a unit heating region (160 of FIG. 4) applied to a semiconductor wafer heating system. The heating element 210 may be made of a resistor made of a metal material such as platinum, silver, chromium, or nickel.

백금으로 제조한 발열체(210)의 설계 사양은 크기 0.27mm × 0.18mm, 총 저항 106.50Ω, 최대 전력 0.17W, 두께 4,000Å, 선폭(C) 10μm, 선 간격(C') 10μm 및 표면저항 0.42Ω/(C × C')이다.The design specifications of the heating element 210 made of platinum are 0.27mm × 0.18mm, total resistance 106.50Ω, maximum power 0.17W, thickness 4,000Å, line width (C) 10μm, line spacing (C ') 10μm and surface resistance 0.42 Ω / (C × C ′).

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 온도 센서를 보여주는 평면 설계도이다.6 is a plan view showing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 도 4의 온도 센서 영역(300)을 확대한 것으로, 반도체 웨 이퍼 가열 시스템에 적용되는 단위 발열 영역(도 4의 160) 상에 증착된 온도 센서(310)이다. 온도 센서(310)는 백금으로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 6, an enlarged temperature sensor region 300 of FIG. 4 is a temperature sensor 310 deposited on a unit heating region (160 of FIG. 4) applied to a semiconductor wafer heating system. The temperature sensor 310 may be made of platinum.

100Ω 백금 측온 저항체(RTD : Resistance Temperature Detector)로 제조한 온도 센서(310)의 설계 사양은 크기 115μm × 100μm, 두께 4,000Å, 선폭(D) 10μm 및 선 간격(D') 10μm이다.The design specifications of the temperature sensor 310 made of a 100Ω platinum resistance temperature detector (RTD) are 115 μm × 100 μm, thickness 4,000 μm, line width (D) 10 μm, and line spacing (D ′) 10 μm.

일반적으로 금속 물질의 전기적 저항은 온도 변화에 따라 민감하다. 이러한 현상을 이용한 온도측정 센서를 측온 저항체 센서라 하며, 다른 온도 센서들보다 정밀한 온도측정이 가능하다.In general, the electrical resistance of metal materials is sensitive to changes in temperature. The temperature measuring sensor using this phenomenon is called a RTD sensor, and it is possible to measure temperature more precisely than other temperature sensors.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 발열체 및 온도 센서를 구비하는 발열판 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.7A to 7E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a heating plate including a heating element and a temperature sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7a를 참조하면, 수분과 이물질을 제거하기 위해 베이킹(baking) 공정을 거친 발열판(440) 상에 식각용 하부막(430)을 형성한다. 발열판(440)은 세라믹, 석재, 금속재 또는 수지류로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 7A, an etching lower layer 430 is formed on a heating plate 440 that has undergone a baking process to remove moisture and foreign matter. The heating plate 440 may be made of ceramic, stone, metal, or resin.

도 7b 및 도 7c를 참조하면, 하부막(430) 상에 포토레지스트를 형성한 후, 노광 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴(420)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(420)을 식각 마스크로 하부막(430)을 식각하여 발열판(440)의 소정 부위를 노출한다.7B and 7C, after the photoresist is formed on the lower layer 430, an exposure process is performed to form the photoresist pattern 420. The lower layer 430 is etched using the photoresist pattern 420 as an etching mask to expose a predetermined portion of the heating plate 440.

도 7d를 참조하면, 발열판(440) 상부 전면에 박막(410)을 증착한다. 박막(410)은 백금, 은, 크롬 또는 니켈과 같은 금속 물질의 저항체로 이루어질 수 있다. 온도 센서를 형성하는 박막(410)을 동시에 형성할 경우에는 백금으로 증착할 수 있다.Referring to FIG. 7D, the thin film 410 is deposited on the entire upper surface of the heating plate 440. The thin film 410 may be formed of a resistor of a metal material such as platinum, silver, chromium, or nickel. When the thin film 410 forming the temperature sensor is formed at the same time, it may be deposited with platinum.

도 7e를 참조하면, 포토레지스트 패턴(420) 상의 박막(410), 포토레지스트 패턴(420) 및 하부막(430)을 제거함으로써, 반도체 웨이퍼 가열 시스템의 발열판을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 7E, the heating plate of the semiconductor wafer heating system may be manufactured by removing the thin film 410, the photoresist pattern 420, and the lower layer 430 on the photoresist pattern 420.

상기한 본 발명의 실시예에 따른 방법으로 발열판을 제조하게 됨으로써, 정확한 온도 제어와 뛰어난 발열 품질을 가지는 반도체 웨이퍼 가열 시스템를 제공할 수 있다. 따라서 패턴 품질이 우수한 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있는 반도체 웨이퍼 가열 시스템을 제공할 수 있다.By manufacturing the heating plate by the method according to the embodiment of the present invention described above, it is possible to provide a semiconductor wafer heating system having accurate temperature control and excellent heat generation quality. Therefore, it is possible to provide a semiconductor wafer heating system capable of producing a semiconductor wafer with excellent pattern quality.

상술한 것과 같이, 본 발명에 따르면 멤스 기술로 제조한 발열체 및 온도 센서를 구비한 발열판으로 반도체 웨이퍼를 가열함으로써, 패턴 품질이 우수한 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있는 반도체 웨이퍼 가열 시스템을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, a semiconductor wafer heating system capable of producing a semiconductor wafer having excellent pattern quality can be provided by heating the semiconductor wafer with a heating plate provided with a heating element and a temperature sensor manufactured by MEMS technology.

Claims (10)

공정 챔버;Process chambers; 상기 공정 챔버 내에 장착되되, 웨이퍼를 지지하기 위한 지지점을 포함하는 전도판; 및A conductive plate mounted in the process chamber, the conductive plate including a support point for supporting a wafer; And 상기 전도판의 일측에 부착되되, 멤스 기술로 형성된 발열체를 구비한 발열판을 포함하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.A semiconductor wafer heating system attached to one side of the conductive plate, comprising a heating plate having a heating element formed by MEMS technology. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정 챔버는 내벽에 설치된 가열 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The process chamber further comprises a heating device installed on the inner wall. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정 챔버는 냉각 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.And the process chamber further comprises a cooling device. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 냉각 장치는 기체, 액체 또는 기체+액체를 냉각 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The cooling device is a semiconductor wafer heating system, characterized in that the use of gas, liquid or gas + liquid as the cooling material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열체는 금속 물질의 저항체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The heating element is a semiconductor wafer heating system, characterized in that consisting of a resistor of a metal material. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 금속 물질은 백금, 은, 크롬 또는 니켈인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.And the metallic material is platinum, silver, chromium or nickel. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열판은 세라믹, 석재, 금속재 또는 수지류로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The heating plate is a semiconductor wafer heating system, characterized in that made of ceramic, stone, metal or resin. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열판은 멤스 기술로 형성된 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The heating plate further comprises a temperature sensor formed by MEMS technology. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 온도 센서는 백금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The temperature sensor is a semiconductor wafer heating system, characterized in that made of platinum. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열판은 상기 전도판의 일정 영역별로 제어하기 위한 다수의 개별적인 상기 발열체 및 상기 온도 센서를 구비할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가열 시스템.The heating plate may include a plurality of individual heating elements and the temperature sensor for controlling by a predetermined region of the conductive plate.
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