KR20070010619A - 웨이퍼 검사 장치 - Google Patents

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김봉수
김영남
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Abstract

웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 웨이퍼 검사 장치는 제1 정밀도를 가지며 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 제1 검사 유닛 및 제1 정밀도보다 높은 제2 정밀도를 가지며 상기 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 제2 검사 유닛을 구비한다. 스테이지는 상기 제1 검사 유닛 및 제2 검사 유닛에서 결함을 검출하는 동안 상기 웨이퍼를 지지한다. 구동유닛은 상기 일차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 검사 유닛의 제1 기준 위치에 위치하며, 상기 이차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 기준 위치와 실질적으로 동일한 상기 제2 검사 유닛의 제2 기준 위치에 위치하도록 상기 스테이지를 수평 이동시킨다.

Description

웨이퍼 검사 장치{Apparatus for inspecting a wafer}
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 도 1의 제1 검사 유닛을 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 도 2의 제2 검사 유닛을 설명하기 위한 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 제1 검사 유닛 200 : 제2 검사 유닛
300 : 스테이지 400 : 구동 유닛
W : 웨이퍼
본 발명은 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 웨이퍼 검사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴이 형성되지 않은 베어(bare) 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 웨이퍼 검사 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정 에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 검사 공정에는 상기 웨이퍼 상에 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼, 즉 베어(bare) 웨이퍼의 검사도 포함된다.
일반적으로, 디자인 룰(design rule)이 감소하고, 메모리 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 파티클 모니터링(particle monitoring)에 있어서의 검출 감도의 개선이 절실히 요구되고 있다. 셀 사이즈의 감소와 더불어 소자의 전기적 특성에 치명적인 영향을 줄 수 있는 파티클의 크기도 감소함에 따라, 30㎚이하의 크기를 가지는 파티클을 검출하기 위한 장치가 개발되어 사용되고 있다.
그러나 종래 기술에 따르면 광학 장치를 이용하여 베어 웨이퍼의 결함을 검출한다. 상기 광학 장치는 단순히 결함 유무만을 판단한다. 따라서 상기 결함이 어느 공정에서 어떠한 원인에 의해 발생되었는지 확인할 수 없다. 또한 검출되는 결 함도 크기가 큰 결함만 검출되며, 크기가 작은 결함은 검출되지 않는다. 그리고 검출된 결함이 진짜 결함인지 노이즈인지 확인이 어렵다.
한편, 상기 광학 장치에서 검출한 웨이퍼 결함을 전자를 이용한 전자주사현미경(SEM) 장치에서 리뷰할 수 있다. 상기 광학 장치와 SEM 장치의 스테이지가 매칭되지 않는다. 상기 광학 장치에서 검출된 결함을 상기 SEM 장치에서 찾지 못하는 경우가 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼의 결함 검출 능력이 향상된 웨이퍼 검사 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 웨이퍼 검사 장치는 웨이퍼의 결함을 일차로 검출하기 위한 제1 검사 유닛 및 상기 웨이퍼의 결함을 이차로 검출하기 위한 제2 검사 유닛을 구비한다. 스테이지는 상기 제1 검사 유닛 및 제2 검사 유닛에서 결함을 검출하는 동안 상기 웨이퍼를 지지한다. 구동 유닛은 상기 일차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 검사 유닛의 제1 기준 위치에 위치하며, 상기 이차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 기준 위치와 실질적으로 동일한 상기 제2 검사 유닛의 제2 기준 위치에 위치하도록 상기 스테이지를 수평 이동시킨다.
스테이지는 상기 제1 검사 유닛 및 제2 검사 유닛에서 결함을 검출하는 동안 동일한 웨이퍼 좌표를 갖도록 상기 웨이퍼를 지지한다. 구동 유닛은 상기 일차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 검사 유닛의 하부에 위치하며, 상기 이차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제2 검사 유닛의 하부에 위치하도록 상기 스테이지를 수평 이동시킨다.
상기 제1 검사 유닛은 제1 정밀도를 가지며, 광을 이용하여 결함을 검출하고, 상기 제2 검사 유닛은 상기 제1 정밀도보다 높은 제2 정밀도를 가지며, 전자빔을 이용하여 결함을 검출할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 장치는 상기 제1 검사 유닛과 제2 검사 유닛이 동일한 좌표를 이용하므로 제1 검사 유닛에 의해 검출된 결함을 제2 검사 유닛을 통해 재검출하여 분석할 수 있다. 따라서 웨이퍼의 결함 검출 능력을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 검사 장치(1000)는 제1 검사 유닛(100), 제2 검사 유닛(200), 스테이지(300) 및 구동 유닛(400)으로 구성된다.
상기 제1 검사 유닛(100)은 광학을 이용하여 웨이퍼(W)의 결함을 검출한다. 상기 제1 검사 유닛(100)은 제1 정밀도를 갖는다.
도 2는 도 1의 제1 검사 유닛을 설명하기 위한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 광원부(110), 촬상부(120), 변환부(130), 이미지 획득부 (140), 비교부(150) 및 표시부(160)로 구성된다.
상기 광원부(110)는 웨이퍼(W)에 존재하는 결함을 검출하기 위해 상기 웨이퍼(W) 상으로 광을 조사한다. 상기 광원부(110)로는 램프 또는 발광 다이오드가 사용될 수 있다. 상기 광원부(110)는 상기 웨이퍼(W)의 표면을 조명한다.
상기 램프를 이용한 광원부(110)는 광의 근원인 램프와, 상기 광을 반사시켜 웨이퍼(W) 상으로 전사시키기 위한 반사경과, 상기 램프에서 발생된 광과 반사경에 반사된 광을 평행 광으로 형성하기 위한 콜리메이터 렌즈(collimator lens) 등을 포함할 수 있다.
상기 광원부(110)는 상기 웨이퍼(W)의 상부에 배치된다. 상기 광원부(110)는 상기 웨이퍼(W)의 상부면으로부터 수직하게 배치되거나, 소정의 각도로 기울어지게 배치될 수 있다. 상기 광원부(110)는 상기 웨이퍼(W)의 상부면으로부터 약 85 내지 90도 각도로 기울어지게 배치되는 것이 바람직하다.
상기 광원부(110)와 상기 웨이퍼(W)의 전면 사이에 광의 경로를 전환할 수 있는 경로 전환 부재를 더 배치할 수 있다. 상기 경로 전환 부재는 상기 웨이퍼(W) 전면에 대한 광의 입사각을 조절할 수도 있다.
상기 촬상부(120)는 상기 웨이퍼(W)에서 상기 광원부(110)의 광이 조사되는 부위의 이미지를 촬상한다. 상기 촬상부(120)로는 CCD(charge coupled device) 센서가 사용될 수 있다.
상기 촬상부(120)는 상기 반사광을 검출하기 적당한 위치에 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 촬상부(120)는 상기 웨이퍼(W)의 전면으로부터 약 85 내지 90도의 각도를 가지도록 배치되고, 상기 웨이퍼(W)의 전면에 입사되는 광의 입사방향을 기준으로 약 5도 이내에 배치된다. 즉, 상기 광원부(130)와 상기 촬상부(120)는 서로 인접하며, 상기 웨이퍼(W)의 상부면과 실질적으로 수직하도록 배치된다.
상기 변환부(130)는 상기 촬상부(120)와 연결되며, 상기 촬상부(120)로부터 병렬로 출력되는 아날로그 신호인 전기 신호를 디지털 신호로 변환한다. 상기 변환부(130)는 아날로그/디지털 변환기(A/D converter)가 사용된다.
상기 이미지 획득부(140)는 상기 변환기(130)와 연결되며, 상기 이미지 정보를 담고 있는 디지털 신호를 처리하여 웨이퍼(W)의 이미지를 획득한다.
상기 비교부(150)는 상기 이미지와 기 설정된 기준 이미지를 비교하여 결함을 검출한다.
상기 표시부(160)는 상기 비교부(150)에서 검출된 결함을 표시한다. 상기 결함은 웨이퍼 맵(map) 상에 표시된다. 따라서 상기 결함의 위치를 용이하게 확인할 수 있다.
상기 제2 검사 유닛(200)은 전자를 이용하여 웨이퍼(W)의 결함을 검출한다. 상기 제2 검사 유닛(200)은 제1 정밀도보다 정밀한 제2 정밀도를 갖는다. 상기 제2 검사 유닛(200)은 상기 제1 검사 유닛(100)에서 검출된 결함을 제2 정밀도로 재차 검사한다.
도 3은 도 2의 제2 검사 유닛을 설명하기 위한 구성도이다.
도 3을 참조하면, 제2 검사 유닛(200)은 전자빔 소스(202), 스테이지(230), 구동부(240), 검출부(250), 이미지 획득부(260), 비교부(270) 및 디스플레이부(280)를 포함한다.
상기 전자빔 소스(202)는 전자들을 발생시키기 위한 전자총(210)과, 상기 전자들을 전자빔(204)으로 형성하고 상기 전자빔(204)을 실리콘웨이퍼와 같은 웨이퍼(W)의 표면으로 조사하기 위한 컬럼(220)을 포함한다.
전자총(210)은 전자들을 발생시키기 위한 필라멘트(212)와 상기 전자들을 추출하기 위한 추출 전극(212)을 포함한다. 상기 컬럼(220)은 축 조정 코일(224), 자기 렌즈(224), 조리개(222), 주사 코일(223) 등을 포함한다.
상기 자기 렌즈(224)는 일반적으로 코일이 감겨진 원통형의 전자석으로, 자기장을 형성하여 전자들을 집속시킨다. 일반적으로, 전자총(210)에 의해 발생되는 전자빔의 단면적은 10 내지 50㎛ 정도이며, 웨이퍼(W) 상에 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈는 약 5 내지 200㎚ 정도이다. 상기 자기 렌즈(224)는 한 쌍의 집속 렌즈(225)와 한 개의 대물 렌즈(226)를 포함한다. 상기 한 쌍의 집속 렌즈(225)는 전자총(210)으로부터 발생된 전자빔을 집속시키며, 전자빔의 세기를 조절한다. 상기 대물 렌즈(226)는 웨이퍼(W)의 표면에 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈 및 초점 거리를 조절한다.
축 조정 코일(224)은 추출 전극(212)과 자기 렌즈(224) 사이에 배치되며 상기 추출 전극(212)에 의해 형성된 전자빔을 상기 자기 렌즈(224)의 중심축에 일치시킨다.
조리개(222)와 주사 코일(223)은 한 쌍의 집속 렌즈(225)와 대물 렌즈(226) 사이에 배치되며, 주사 코일(223)은 상기 전자빔이 웨이퍼(W)를 스캔하도록 상기 전자빔을 편향시킨다.
검출부(230)는 전자빔(204)의 조사에 의해 웨이퍼(W)으로부터 방출되는 이차 전자(206)를 검출하며, 검출된 이차 전자와 대응하는 전류 신호를 전압 신호로 변환시키고, 상기 전압 신호를 증폭시킨다. 이때, 검출부(230)에는 상기 이차 전자(206)를 검출하기 위한 바이어스 전압이 인가된다.
이미지 획득부(240)는 검출부(230)와 연결되며, 상기 증폭된 전압 신호를 웨이퍼(W)의 이미지 정보로 변환시킨다. 즉, 상기 이미지 획득부(240)는 아날로그형의 전압 신호를 디지털형의 이미지 정보로 변환시키는 AD 컨버터(analog digital convertor)로써도 기능한다. 상기 이미지 획득부(240)는 상기 이미지 정보를 처리하여 웨이퍼(W)의 이미지를 획득한다.
비교부(250)는 상기 이미지 획득부(240)와 연결되며, 상기 획득된 이미지를 기 설정된 기준 이미지와 비교한다. 상기 비교시 여러 가지 파라미터를 이용하여 결함을 검출하고 분류한다. 상기 파라미터로는 대비도, 명암도, 휘도, 사이즈 등이 있으며, 이들은 단독 또는 둘 이상의 조합하여 사용될 수 있다.
표시부(260)는 상기 비교부(250)와 연결되며, 상기 비교부(250)에서 검출된 결함을 웨이퍼 맵 상에 표시한다.
상기 스테이지(300)는 상기 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)의 웨이퍼 검사시 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 스테이지(300)는 상기 제1 검사 유닛(100)과 제2 검사 유닛(200)에서 공통으로 사용된다. 상기 스테이지(300)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)는 패턴이 형성되지 않는 베어 웨이퍼(W)이다.
상기 구동 유닛(400)은 상기 스테이지(300)가 상기 제1 검사 유닛(100)과 제2 검사 유닛(200) 사이를 왕복하도록 구동시킨다. 구체적으로 상기 구동 유닛(400)은 상기 스테이지(300)와 연결되며, 상기 스테이지(300)에 지지된 웨이퍼(W)를 포함하는 평면에 대해 수평한 방향으로 상기 스테이지(300)를 이동시킨다. 상기 제1 검사 유닛(100)의 결함 검출 결과로 웨이퍼(W)에서 결함이 검출되는 경우, 상기 구동 유닛(400)은 보다 정밀한 결함 검출을 위해 상기 스테이지(300)를 상기 제2 검사 유닛(200)으로 이동시킨다.
상기 제1 검사 유닛(100)에서의 웨이퍼(W)의 결함을 검출하는 경우, 상기 구동 유닛(400)은 상기 웨이퍼(W)가 상기 제1 검사 유닛(100)의 제1 검사 기준 위치에 위치하도록 상기 스테이지(300)를 이동시킨다. 상기 제2 검사 유닛(200)에서의 웨이퍼(W)의 결함을 검출하는 경우, 상기 구동 유닛(400)은 상기 웨이퍼(W)가 상기 제2 검사 유닛(200)의 제2 검사 기준 위치에 위치하도록 상기 스테이지(300)를 이동시킨다. 이때, 상기 제1 검사 기준 위치와 제2 검사 기준 위치는 실질적으로 동일한 위치이다. 따라서 상기 웨이퍼(W) 상의 결함 위치를 상기 제1 검사 유닛(100)과 제2 검사 유닛(200)에서 동일한 좌표를 이용하여 나타낼 수 있다.
즉, 상기 스테이지(300)가 상기 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에서 공통으로 사용되므로, 상기 제1 검사 유닛(100)에서 웨이퍼(W)의 결함 검출시 사용되는 웨이퍼 좌표와 상기 제2 검사 유닛(200)에서 웨이퍼(W)의 결함 검출시 사용되는 웨이퍼 좌표가 실질적으로 동일하다. 따라서, 상기 제1 검사 유닛(100)에서 검출한 결함을 상기 제2 검사 유닛(200)에서 용이하게 다시 확인할 수 있다. 상기 제1 검사 유닛(100)에서 검출한 결함을 상기 제2 검사 유닛(200)에서 보다 정밀하게 검사할 수 있다. 그러므로, 상기 결함을 분류할 수 있고, 상기 결함의 생성 시기나 결함의 원인 등을 파악할 수 있다.
한편, 상기 구동 유닛(400)은 상기 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에서의 결함 검출을 위해 상기 스테이지(300)에 지지된 웨이퍼(W)를 포함하는 평면에 대해 X축 및 Y축 방향으로 상기 스테이지(300)를 이동시킨다. 상기 구동 유닛(400)에 의해 상기 웨이퍼(W)가 X축 및 Y축 방향으로 이동되므로, 광원 또는 전자빔이 상기 웨이퍼(W)의 상부면을 스캐닝한다.
한편, 도시되지는 않았으나, 상기 스테이지(300)의 하부에는 상기 제2 검사 유닛(200)에서 웨이퍼 결함 검출시 스테이지(300)의 높이를 조절하기 위한 제2 구동 유닛이 연결될 수 있다.
상기의 실시예에 따르면, 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에 각각 표시부(160, 260)가 구비되는 것으로 설명되었지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에 공통으로 한 개의 표시부가 구비될 수 있다.
상기의 실시예에 따르면, 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에 각각 표시부(160, 260)가 구비되는 것으로 설명되었지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에 공통으로 한 개의 표시부가 구비될 수 있다.
이하에서는 상기 웨이퍼 검사 장치(1000)의 동작에 대해 설명한다.
우선 구동 유닛(400)의 구동에 의해 상기 스테이지(300)가 상기 제1 검사 유닛(100)의 하부에 위치시킨다. 이후, 상기 스테이지(300)로 베어 웨이퍼(W)를 로딩한다. 로딩된 베어 웨이퍼(W)를 일차로 검사한다. 상기 일차 검사는 상기 제1 검사 유닛(100)을 이용하여 제1 정밀도로 이루어진다.
상기 검사 결과, 베어 웨이퍼(W)에 결함이 존재하지 않는 경우에는 상기 베어 웨이퍼(W)를 언로딩하여 후속 공정을 진행한다. 베어 웨이퍼(W)에 결함이 존재하는 경우에는 상기 결함을 검출한다.
상기 제1 검사 유닛(100)에서 검출된 결함이 웨이퍼(W) 상에 실제로 존재하는지 여부와 상기 결함에 대한 보다 많은 정보를 얻기 위해 상기 결함에 대한 보다 정밀한 검사가 필요하다. 따라서 상기 구동 유닛(400)은 상기 베어 웨이퍼(W)의 검사를 위해 상기 베어 웨이퍼(W)를 지지한 스테이지(300)가 상기 제2 검사 유닛(200)의 하부에 위치하도록 이동시킨다.
상기 제2 검사 유닛(200)의 하부에 위치한 상기 베어 웨이퍼(W)를 이차로 검사한다. 상기 이차 검사는 상기 제2 검사 유닛(200)을 이용하여 상기 베어 웨이퍼(W)를 제1 정밀도보다 정밀한 제2 정밀도로 이루어진다. 상기 스테이지(300)가 상기 제1 검사 유닛(100) 및 제2 검사 유닛(200)에서 공통으로 사용되므로 상기 베어 웨이퍼(W) 상에 존재하는 결함의 좌표도 동일하게 사용할 수 있다. 그러므로 상기 제1 검사 유닛(100)에서의 검사 결과 검출된 결함 위치를 상기 제2 검사 유닛(200)에서 신속하고 용이하게 재확인할 수 있다. 따라서 상기 결함이 실제로 존재하는 결함인지 여부를 빠르게 확인할 수 있다. 또한 상기 결함을 보다 정밀하게 검사하여 상기 결함을 종류에 따라 분류할 수 있다. 그리고 상기 결함의 종류에 따라 발생 원인을 파악할 수 있다.
상기 베어 웨이퍼(W)에 대한 검사가 종료된 베어 웨이퍼(W)를 언로딩하고, 구동 유닛(400)의 구동에 의해 상기 스테이지(300)는 상기 제1 검사 유닛(100)의 하부에 위치된다.
이후 상기 과정을 반복하여 웨이퍼(W)의 검사를 진행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치는 제1 검사 유닛에서 웨이퍼의 결함을 검사하여 결함이 검출되는 제2 검사 유닛에서 웨이퍼의 결함을 재차 검사한다. 이때, 상기 웨이퍼를 지지하는 스테이지를 이동시켜 상기 제1 검사 유닛 및 제2 검사 유닛에서 공통으로 사용한다. 따라서 상기 제1 검사 유닛에서 검출된 웨이퍼의 결함을 상기 제2 검사 유닛에서 신속하게 확인하여 검사할 수 있다. 그러므로 상기 웨이퍼의 검사에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
또한 상기 제2 검사 유닛의 검사를 통해 상기 결함을 유형이나 크기 별로 분류할 수 있고, 상기 결함의 발생 원인도 파악할 수 있다. 그러므로 이를 반도체 제조 공정에 피드백하여 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있 음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 웨이퍼의 결함을 일차로 검출하기 위한 제1 검사 유닛;
    상기 웨이퍼의 결함을 이차로 검출하기 위한 제2 검사 유닛;
    상기 제1 검사 유닛 및 제2 검사 유닛에서 결함을 검출하는 동안 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지; 및
    상기 일차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 검사 유닛의 제1 기준 위치에 위치하며, 상기 이차 검출시 상기 웨이퍼가 상기 제1 기준 위치와 실질적으로 동일한 상기 제2 검사 유닛의 제2 기준 위치에 위치하도록 상기 스테이지를 수평 이동시키기 위한 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 검사 유닛은 제1 정밀도를 가지며, 상기 제2 검사 유닛은 상기 제1 정밀도보다 높은 제2 정밀도를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 검사 유닛은 광을 이용하여 결함을 검출하며, 상기 제2 검사 유닛은 전자빔을 이용하여 결함을 검출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 베어(bare) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨 이퍼 검사 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101275711B1 (ko) * 2007-07-12 2013-06-14 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 반복적 패턴을 갖는 대상을 평가하기 위한 방법 및 시스템
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