KR20070009809A - A dual structure for shielding and absorbing electromagnetic wave and manufacturing method thereof - Google Patents

A dual structure for shielding and absorbing electromagnetic wave and manufacturing method thereof Download PDF

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Abstract

A dual structure for shielding and absorbing an electromagnetic wave and a method for manufacturing the same are provided to shield and absorb an electromagnetic wave at one structure at the same time by mixing a minute metallic compound with a silicon polymer. A dual structure for shielding and absorbing an electromagnetic wave includes a minute metallic compound conductive silicon(A) for shielding, and a minute metallic compound conductive silicon(B) for absorption. The minute metallic compound conductive silicon(A) for shielding is formed on a layer of a structure, and shields an electromagnetic wave. The minute metallic compound conductive silicon(B) for absorption is formed on the other layer of the structure, and absorbs the electromagnetic wave. The minute metallic compound conductive silicon(A) for shielding is at least one of a group composed of a silver coated copper, a silver coated glass, a silver coated aluminum, a silver coated nickel, a nickel coated graphite, a pure silver, and a compound. The minute metallic compound conductive silicon(B) for absorption is made of a ferrite and/or a metal(MMT). The ferrite is at least one of a group composed of a zinc, a nickel, a manganese, a barium, a magnesium, and a compound.

Description

전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체 및 그 제조 방법{A DUAL STRUCTURE FOR SHIELDING AND ABSORBING ELECTROMAGNETIC WAVE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}A dual structure for shielding and absorbing electromagnetic waves and a method of manufacturing the same {A DUAL STRUCTURE FOR SHIELDING AND ABSORBING ELECTROMAGNETIC WAVE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명에 따른 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of a dual structure for electromagnetic shielding and absorption according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 저항과 차폐 효과와의 관계를 도시한 그래프이며, 2 is a graph showing the relationship between the resistance and the shielding effect according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 제조를 위한 압출 성형기의 개략적인 구조도이고, 3 is a schematic structural diagram of an extrusion molding machine for producing a dual structure for electromagnetic shielding and absorption according to the present invention,

도 4는 도 3의 압출 성형기를 사용한 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 제조방법을 설명하는 흐름도이다. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a dual structure for shielding and absorbing electromagnetic waves using the extrusion molding machine of FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

A : 차폐용 미세 금속 복합재 전도성 실리콘 A: Fine metal composite conductive silicone for shielding

B : 흡수용 미세 금속 복합재 전도성 실리콘B: Absorbing Fine Metallic Composite Conductive Silicone

10 : 제 1 압출기 20 : 제 2 압출기10: first extruder 20: second extruder

10a : 이중헤드10a: double head

본 발명은 미세 금속 복합재와 실리콘 폴리머를 적정 비율로 배합하여 한층은 전자파를 차폐하고 다른 한층은 전자파를 흡수하는 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a dual structure for shielding and absorbing electromagnetic waves by combining a fine metal composite material and a silicone polymer in an appropriate ratio, one layer shields electromagnetic waves, and the other layer absorbs electromagnetic waves.

일반적으로 전자파는 광범위한 주파수 영역을 갖는 전자기 에너지이며 원래 명칭은 전자기파(Electro-Magnetric Wave)로서, 공간상에서 전기장이 시간적으로 변화하게 되면 그 주위에 자기장이 발생하고, 또한 자기장이 시간적으로 변화하면 그 주위에 전기장이 발생하도록 전기력선과 (전계)자력션이 (자계)파의 진행방향과 직각을 이루고 공간을 빛의 속도로 전파하는 파동을 말한다.In general, electromagnetic waves are electromagnetic energy having a wide frequency range. The original name is Electro-Magnetric Wave, and when the electric field changes in space in time, a magnetic field is generated around it, and when the magnetic field changes in time, It refers to a wave in which electric field lines and (field) magnetism are perpendicular to the direction of movement of (magnetic field) waves and propagate space at the speed of light so that an electric field is generated.

즉, 빛, X선, 방송 또는 무선통신용 전파는 모두 전자파이다. 전자파의 파장 크기에 따라 감마선, 엑스선, 자외선, 가시광선, 적외선, 전파 등으로 나눌 수 있으며 일반적으로 수맥파라고 불리는 지자계파도 전자파의 일종이라 볼 수 있다. 전자파는 연속적으로 공간중에 방사되며 매질이 없어도 장거리까지 전파되는 성질을 가지고 있으며 그 속도는 빛의 속도로 매질의 유무 밀도에 상관없이 일정하게 전파된다. 다만 전자파의 진행방향에 방해물이 있을 때 전자파는 투과, 반사, 굴절, 회절 또는 흡수하여 다른 에너지로 전환된다. 예를 들어 전자파가 인체를 만나게 되면 일부는 투과 또는 반사하게 되고 일부는 체내로 흡수되어 열에너지 등으로 변환된다.In other words, radio waves for light, X-rays, broadcasting or wireless communication are all electromagnetic waves. Depending on the wavelength of the electromagnetic wave, it can be divided into gamma rays, X-rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, and radio waves. Geomagnetic fields, commonly called water pulse waves, are also a kind of electromagnetic waves. Electromagnetic waves are continuously radiated in space and propagate up to a long distance even without a medium. The speed of light is propagated at a constant speed regardless of the density of medium. However, when there is an obstacle in the traveling direction of the electromagnetic wave, the electromagnetic wave is converted into other energy by transmission, reflection, refraction, diffraction or absorption. For example, when electromagnetic waves meet the human body, some of them are transmitted or reflected and some are absorbed into the body and converted into thermal energy.

그리고, 전자파 흡수체(EMI(Electro-Magnetic Interference)/EMC(Electro-Magnetic Compatibility) absorber)는 본질적으로 전기 에너지를 열에너지로 변환시킴으로써 전자파를 소멸시키는 열변환기로 볼 수 있다. 흡수체의 소재는 고주파 손실 특성 즉, 도전손실, 유전손실, 자성손실 등의 특성을 활용 주파수 대역별, 응용분야, 사용 환경 등을 고려하여 설계 및 제작된다. 흡수체의 성능은 정합주파수, 정합두께, 반사감쇠량, 비대역폭(흡수하는 주파수 대역폭) 등으로 평가된다.Electromagnetic absorbers (EMI) / Electro-Magnetic Compatibility (EMC) absorbers can be regarded as thermal converters that essentially dissipate electromagnetic waves by converting electrical energy into thermal energy. The absorber material is designed and manufactured in consideration of high frequency loss characteristics, that is, conductive loss, dielectric loss, magnetic loss, etc. in consideration of frequency band, application field, and use environment. The performance of the absorber is evaluated by matching frequency, matching thickness, reflection attenuation, specific bandwidth (absorbing frequency bandwidth), and the like.

또한, 전자파 차폐(EMI/EMC shield)는 불필요한 방해 전자파를 차단하여 한 공간에서 다른 공간으로 전자기적 감응(susceptibility)을 저하시키는 기술이다. TV 및 라디오 방송의 수신, 통신기기의 송수신과정, 각종기기의 원격 작동 등은 모두 전자파 에너지가 매개체로 작용하고 있기 때문에, 우리는 일상 생활에서 전자파 에너지가 아주 밀접한 관련을 갖는다. 그런데, TV 방송을 위해 방송국이나 중계소에서 방사된 TV 전자파 신호는 TV 방송을 수신하고 있는 장비나 사람에게는 유효한 전자파로 간주할 수 있지만, 이러한 TV 전자파에 의해 다른 전자파 신호가 영향을 받게된다면 이 TV 전자파는 상대적으로 방해전자파일 수 있다. 따라서, 일상생활에서는 유효전자파와 방해전자파라는 개념이 동시에 존재한다고 볼 수 있다. 방해전자파는 전달경로에 따라서 전도성과 방사성으로 구분되는데 방사성 방해현상을 감소시키는 기술에는 차폐(shield) 기술이 가장 효과적이다. In addition, EMI / EMC shield is a technology that reduces the electromagnetic susceptibility from one space to another by blocking unwanted electromagnetic waves. Since the reception of TV and radio broadcasts, the transmission and reception of communication devices, the remote operation of various devices, and the like are all mediated by electromagnetic energy, electromagnetic energy is very closely related in our daily lives. By the way, a television electromagnetic signal emitted from a broadcasting station or relay station for television broadcasting can be regarded as an effective electromagnetic wave for equipment or a person receiving the television broadcasting, but if other electromagnetic waves are affected by the television electromagnetic wave, the television electromagnetic wave Can be a relatively disturbing electronic pile. Therefore, it can be said that the concepts of effective electromagnetic wave and disturbed electromagnetic wave exist at the same time in daily life. Jamming electromagnetic waves are classified into conductive and radioactive according to transmission paths. Shielding technology is most effective for reducing radio interference.

상기에서 전자파를 차폐하고 흡수하는 기술은 각각 개별적으로 존재했으나 이를 하나의 구조체에서 동시에 구현하지 못했던 문제점이 있었다.The technology for shielding and absorbing electromagnetic waves existed individually, but there was a problem in that they could not be simultaneously implemented in one structure.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이중구조를 갖는 하나의 구조체를 통해 전자파를 차폐 및 흡수하는 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a dual structure for shielding and absorbing electromagnetic waves and a method for manufacturing the same, which shield and absorb electromagnetic waves through a single structure having a dual structure.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체는, 전자파를 차폐 및 흡수하는 구조체에 있어서, 상기 구조체의 한 층에 형성되어 상기 구조체가 전자파를 차폐하는 특성을 갖도록 하는 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘과, 상기 구조체의 다른 한 층에 형성되어 상기 구조체가 전자파를 흡수하는 특성을 갖도록 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 포함하고, 상기 차폐용 미세금속은 은 코팅 구리(Silver Coated Copper), 은 코팅 유리(Silver Coated Glass), 은 코팅 알루미늄(Silver Coated Aluminum), 은 코팅 니켈(Silver Coated Nickel), 니켈 코팅 흑연(Nickel Coated Graphite), 순 은(Pure Silver) 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나이고, 상기 흡수용 미세금속은 페라이트 및/또는 금속(MMT) 이고, 상기 페라이트는 아연, 니켈, 망간, 바륨, 마그네슘 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a dual structure for shielding and absorbing electromagnetic waves is a structure for shielding and absorbing electromagnetic waves, the shielding fine metal composite material being formed on one layer of the structure so that the structure has a characteristic of shielding electromagnetic waves. Conductive silicon, and formed on the other layer of the structure and includes a conductive micro-conductive conductive silicon to absorb the electromagnetic wave so that the structure has a characteristic of absorbing electromagnetic waves, the shielding micro-metal is a silver coated copper, silver Select from the group consisting of Silver Coated Glass, Silver Coated Aluminum, Silver Coated Nickel, Nickel Coated Graphite, Pure Silver and combinations thereof At least one, the absorption micrometal is ferrite and / or metal (MMT), the ferrite is zinc, nickel, At least one selected from the group consisting of manganese, barium, magnesium and combinations thereof.

본 발명에 있어서, 상기 차폐용 미세금속의 입자 크기는 15㎛ ~ 35㎛인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the particle size of the shielding micrometal is characterized in that the 15㎛ ~ 35㎛.

본 발명에 있어서, 상기 흡수용 미세금속의 입자 크기는 30㎛ ~ 42㎛인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the particle size of the absorption fine metal is characterized in that the 30㎛ ~ 42㎛.

본 발명에 있어서, 상기 실리콘은 고온경화용 실리콘(HTV)인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the silicon is characterized in that the high temperature curing silicone (HTV).

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 전자파 차폐 및 흡수용 이중 구조 체의 제조 방법은, 전자파 차폐 및 흡수용 구조체를 제조하는 방법에 있어서, (a) 흡수용 미세금속복합재료를 콤파운드기에서 배합하여 이중헤드를 갖는 제 1 압출기에 투입하는 단계와, (b) 차폐용 미세금속복합재료를 콤파운드기에서 배합하여 제 2 압출기에 투입하는 단계와, (c) 상기 제 1 압출기에 의해 상기 투입된 흡수용 미세금속복합재료를 압출하여 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 성형하는 단계와, (d)상기 제 2 압출기에 의해 상기 투입된 차폐용 미세금속복합재료를 압출하여 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 성형하는 단계와, (e) 상기 압출 성형된 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 상기 제 1 압출기로 배출하는 단계와, (f) 상기 단계(e)에서 배출된 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘과 상기 단계(c)에서 압출 성형된 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 상기 제 1 압출기의 이중헤드를 통해 압출하여 이중구조체를 성형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, the method of manufacturing a double-shielding structure for absorbing and absorbing electromagnetic waves, in the method for producing a structure for shielding and absorbing electromagnetic waves, (a) by mixing a fine metal composite material for absorption in a compounding machine Injecting into a first extruder having a double head, (b) combining the shielding micrometal composite material in a compounding machine and injecting it into a second extruder, and (c) absorbing the input by the first extruder Extruding the fine metal composite material to mold the absorbing micro metal composite conductive silicon; (E) discharging the extruded shielding micrometallic composite conductive silicon into the first extruder, and (f) discharging in step (e). And extruding the shielding micrometal composite conductive silicone and the absorbing micrometal composite conductive silicone extruded in the step (c) through the double head of the first extruder to form a double structure. .

이와 같은 구성에 의해 본 발명은 하나의 구조체가 전자파를 차폐 및 흡수하여 동시에 두가지 기능을 수행할 수 있다.By such a configuration, in the present invention, one structure may perform two functions at the same time by shielding and absorbing electromagnetic waves.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어지지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 본 발명이 속한 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 명확하고 용이하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 도면상 에서 동일한 참조부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, and detailed description will be made with reference to the accompanying drawings to help understand the present invention. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more clearly and easily describe the present invention to those skilled in the art. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체는 하층을 구성하는 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(A)과, 상층을 구성하는 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘(B)으로 이루어져 있으며, 이러한 이중 구조의 모양은 성형 방법에 따라 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 도 1은 예시적으로 시트 형태의 단면을 예시하였다. 상기에서 이중구조체 중 하층을 구성하는 차폐용 미세금속복합재 전도성 실리콘(A)은 전자파를 차폐하는 기능을 한다. 또한, 전자파를 차폐하는 주된 기능을 하는 미세금속은 은 코팅 구리(Silver Coated Copper), 은 코팅 유리(Silver Coated Glass), 은 코팅 알루미늄(Silver Coated Aluminum), 은 코팅 니켈(Silver Coated Nickel), 니켈 코팅 흑연(Nickel Coated Graphite), 순 은(Pure Silver) 등을 사용하며, 입자 크기는 각각 15㎛ ~ 35㎛ 를 사용한다. 그리고, 상기 이중구조체 중 상층을 구성하는 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘(B)은 전자파를 흡수하는 기능을 한다. 전자파를 흡수하는 주된 기능을 하는 미세금속은 페라이트(아연, 니켈, 망간, 바륨, 마그네슘 중 하나 이상의 원소로 이루어짐), 금속(MMT)을 사용하며, 입자 크기는 각각 30㎛ ~ 42㎛ 를 사용한다.1 is a cross-sectional view of a dual structure for electromagnetic shielding and absorption according to the present invention. Referring to Figure 1, the electromagnetic shielding and absorption dual structure is composed of a shielding micrometal composite conductive silicon (A) constituting the lower layer, and the absorption micrometal composite composite silicon (B) constituting the upper layer, such a double The shape of the structure may be implemented in various forms according to the molding method, Figure 1 illustratively illustrates a cross section in the form of a sheet. In the above, the shielding micrometallic composite conductive silicon (A) constituting the lower layer of the double structure functions to shield electromagnetic waves. In addition, the main metals that shield electromagnetic waves are silver coated copper, silver coated glass, silver coated aluminum, silver coated nickel, and nickel. Coated graphite (Nickel Coated Graphite), pure silver (Pure Silver), etc. are used, and the particle size is used 15㎛ ~ 35㎛ respectively. In addition, the absorbing micrometal composite conductive silicon (B) constituting the upper layer of the double structure functions to absorb electromagnetic waves. As the main metal that absorbs electromagnetic waves, ferrite (made of one or more of zinc, nickel, manganese, barium and magnesium) and metal (MMT) are used, and the particle size is 30 μm to 42 μm, respectively. .

상기의 전자파 차폐 및 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘(A, B) 예컨대, 차폐용은 미세금속을 은 코팅 구리(Silver Coated Copper), 흡수용은 미세금속을 아연, 니켈, 망간, 바륨, 마그네슘 중 하나 이상의 원소로 이루어진 페라이트를 사용하여 몰딩으로 제조하는 방법에 대해서 상세히 설명하면 다음과 같다.The electromagnetic shielding and absorption of the fine metal composite material conductive silicon (A, B) For example, the shielding silver fine metal silver coated copper (Silver Coated Copper), the absorption silver metal is zinc, nickel, manganese, barium, magnesium Hereinafter, a method of manufacturing by molding using a ferrite consisting of one or more elements will be described in detail.

첫째, 차폐 및 흡수용 미세금속복합제 전도성 실리콘(A, B)의 원료인 미세금속 및 실리콘에 경화제를 첨가하여 콤파운드기(도시 안됨)에서 여러 번 배합을 한다. 즉, 차폐용은 은 코팅 구리, 실리콘 및 경화제의 전체 배합량 중 1/4을 먼저 콤파운드기에 투입하여 15분간 배합하고, 그 다음 다시 나머지 1/4을 추가 배합하는 방식으로 총 4번에 걸쳐 배합하고, 최종적인 배합량을 다시 한번 배합한다. 이때, 배합비율은 대략 미세금속 : 실리콘 : 경화제 = 5 : 1 : 0.8 ~ 1.5 이다. 여기서 경화제의 최적의 비율은 1.2이며, 몰딩용인 RC-4를 사용한다. 이렇게 배합된 원료는 찰흙과 같은 상태로 존재한다. 또한, 상기에서 흡수용은 은 코팅 구리 대신에 페라이트를 사용하고, 배합비율은 대략 미세금속 : 실리콘 : 경화제 = 7.5 : 1 : 0.8 ~ 1.5 이다.First, a shielding and absorption micrometallic composite agent is added to the micrometals and silicon, which are raw materials of conductive silicon (A, B), and mixed in a compound group (not shown) several times. That is, the shielding silver is mixed over four times by adding 1/4 of the total amount of the silver-coated copper, silicone, and hardener first to the compounder, and then mixing the remaining 1/4 again. The final blending amount is blended once again. At this time, the compounding ratio is approximately fine metal: silicone: curing agent = 5: 1: 0.8 ~ 1.5. The optimum ratio of hardener is 1.2, and RC-4, which is used for molding, is used. The blended raw materials are present in clay-like state. In addition, in the above-mentioned absorption, ferrite is used instead of silver-coated copper, and a compounding ratio is approximately a micrometal: silicone: hardener = 7.5: 1: 0.8-1.5.

둘째, 상기와 같이 배합된 미세금속복합재 전도성 실리콘 원료는 프레스에서 170℃의 온도로 120초간 열을 가해 성형한다. 여기서, 온도 및 성형시간은 원료의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 완제품의 저항에 있어서 차폐용은 0.005Ω~ 1.0Ω까지 허용되고, 여기서는 0.005Ω이하로 한다. Second, the micro-metal composite conductive silicon raw material blended as described above is molded by applying heat at a temperature of 170 ° C. for 120 seconds in a press. Here, the temperature and the molding time may vary depending on the type of raw material, the shielding for the resistance of the finished product is allowed up to 0.005Ω ~ 1.0Ω, here it is less than 0.005Ω.

상기의 제조방법과 달리 압출 성형으로 하는 경우, 같은 배합비율을 적용하나 경화제는 압출용인 LS-Ⅱ를 사용하며, 압출기의 히터 온도는 평균 650℃이다. 상기 온도는 완제품의 크기 및 재료에 따라 ±50℃이상 차이가 나므로 처음 제품 성형 설정시 표준온도 및 RPM을 정하여 제품을 생산하며, 완제품의 저항에 있어서 차폐용은 0.03Ω이하가 적절하다. 그리고, 상기 완제품의 비중은 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(A)이 대략 4.1이고, 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘 (B)이 대략 4.5이다.Unlike the above manufacturing method, in the case of extrusion molding, the same compounding ratio is applied, but the curing agent uses LS-II, which is used for extrusion, and the heater temperature of the extruder is 650 ° C on average. The temperature varies by ± 50 ℃ or more depending on the size and material of the finished product, so the product is produced by setting the standard temperature and RPM at the time of the initial molding of the product, and the shielding is less than 0.03Ω in the resistance of the finished product. The specific gravity of the finished product is about 4.1 for the shielding micrometal composite conductive silicone (A) and about 4.5 for the absorbing micrometal composite conductive silicone (B).

상기에서 저항과 차폐 효과(shielding Effectiveness)와의 관계는 도 2에 도시된다. 도 2는 본 발명에 따른 저항과 차폐 효과와의 관계를 도시한 그래프이다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 차폐 효율은 저항값이 높을수록 낮고 저항값이 낮을 수록 높은 것을 알 수 있다.The relationship between resistance and shielding effectiveness is shown in FIG. 2 above. 2 is a graph showing the relationship between the resistance and the shielding effect according to the present invention. As can be seen in Figure 2, the shielding efficiency is lower the higher the resistance value, the lower the resistance value it can be seen that higher.

이상에서 설명한 것과 같은 방식으로 차폐 및 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘(A, B)이 제조되며, 여기에 본 발명의 특징인 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체를 구현하기 위해 차폐 및 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘(A, B)을 압출 성형기를 사용하여 융착하는 방법을 도 3, 및 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.In the same manner as described above, the shielding and absorption micrometallic composite conductive silicon (A, B) is manufactured, and the shielding and absorption micrometallic composite material to realize the dual structure for electromagnetic shielding and absorption, which is a feature of the present invention. A method of fusion bonding the conductive silicon (A, B) using an extrusion molding machine will be described with reference to FIGS. 3 and 4 as follows.

도 3은 본 발명에 따른 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 제조를 위한 압출 성형기의 개략적인 구조도이고, 도 4는 도 3의 압출 성형기를 사용한 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 제조방법을 설명하는 흐름도이다. 먼저 도 3을 참조하여 설명하면, 상기 압출 성형기는 이중구조체의 하층을 형성하는 차폐용 미세금속복합재 전도성 실리콘(A)을 압출 성형하는 제 2 압출기(20)와, 상기 제 2 압출기(20)에서 배출된 차폐용 미세금속복합재 전도성 실리콘(A)과 흡수용 미세금속복합재 전도성 실리콘(B)를 이중헤드(10a)를 통해 융착시켜 이중구조체를 압출 성형하는 제 1 압출기(10)를 포함한다. Figure 3 is a schematic structural diagram of an extrusion molding machine for the production of electromagnetic shielding and absorption dual structure according to the present invention, Figure 4 is a flow chart illustrating a manufacturing method of the electromagnetic shielding and absorption dual structure using the extrusion molding machine of FIG. to be. First, referring to FIG. 3, the extrusion machine includes a second extruder 20 for extruding a shielding fine metal composite conductive silicon (A) forming a lower layer of a double structure, and the second extruder 20. And a first extruder 10 for fusing the discharged shielding micrometal composite material silicon (A) and the absorbing micrometal composite material silicon (B) through the double head 10a to extrude the double structure.

상기의 구성을 바탕으로 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 제조 방법에 관해 도 5의 흐름도를 참조하여 설명하면, 이중구조체의 하층이 되는 재료이며, 콤 파운드기에서 배합된 차폐용 미세금속복합재료를 제 2 압출기(20)에 투입한다(단계 S100). 상기 단계 S100과 동시에, 이중구조체의 상층이 되는 재료이며, 콤파운드기에서 배합된 흡수용 미세금속복합재료를 제 1 압출기(10)에 투입한다(단계 S200). 그다음, 제 2 압출기(20)는 투입된 차폐용 미세금속복합재료를 압출하여 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(A)을 성형한다(단계 S300). 상기 단계 S300과 동시에, 제 1 압출기(10)는 투입된 흡수용 미세금속복합재료를 압출하여 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(B)을 성형한다(단계 S400). 상기에서 차폐 및 흡수용 미세금속복합재료에 포함된 실리콘 폴리머는 고온경화용 실리콘(HTV : Heat temperature vulcanizing)이다. 그다음, 제 2 압출기(20)는 압출 성형된 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(A)을 제 1 압출기(10)로 배출한다(단계 S500). 그다음, 제 1 압출기(10)는 상기 S400에서 압출 성형된 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(A)과 상기 단계 S500에서 배출된 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘(A)를 이중헤드(10a)를 통해 이중구조체로 압출 성형한다(단계 S600). 제 1 압출기(10)는 압출 성형된 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체를 배출한다(단계 S700).Referring to the flowchart of FIG. 5 with reference to the flowchart of FIG. 5, the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding and absorption double structure based on the said structure is a material which becomes a lower layer of a dual structure, and the shielding micrometal composite material mix | blended in a comb pound machine Injected into the second extruder 20 (step S100). Simultaneously with the step S100, the absorbing micrometal composite material, which is a material that becomes the upper layer of the double structure, is added to the first extruder 10 (step S200). Next, the second extruder 20 extrudes the shielded micrometal composite material to mold the shielding micrometal composite conductive silicon (A) (step S300). Simultaneously with the step S300, the first extruder 10 extrudes the absorbed micrometal composite material to form the absorbent micrometal composite conductive silicon (B) (step S400). The silicone polymer included in the shielding and absorption micrometallic composite material is a high temperature curing silicone (HTV: Heat temperature vulcanizing). Next, the second extruder 20 discharges the extruded shielding fine metal composite conductive silicon A to the first extruder 10 (step S500). Next, the first extruder 10 passes through the absorbent micrometal composite conductive silicon (A) extruded at S400 and the shielding micrometal composite conductive silicon (A) discharged at step S500 through the double head 10a. Extruded into a double structure (step S600). The first extruder 10 discharges the extruded electromagnetic shielding and absorption dual structure (step S700).

상기의 모든 과정을 거치게 되면 한 구조체가 전자파를 차폐 및 흡수할 수 있는 두가지 기능을 수행할 수 있는 장점을 제공할 수 있다.Through all the above processes, a structure can provide an advantage of performing two functions of shielding and absorbing electromagnetic waves.

이상에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하였다. 하지만, 본 발명의 실시예들은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 하기되는 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.In the above described with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention in detail. However, embodiments of the present invention may be variously modified or applied by those skilled in the art, the scope of the technical idea according to the present invention should be determined by the claims below. will be.

본 발명의 일 측면에 따르면, 하나의 구조체가 전자파를 차폐 및 흡수하여 동시에 두가지 기능을 수행할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is an effect that one structure can perform two functions at the same time by shielding and absorbing electromagnetic waves.

Claims (5)

전자파를 차폐 및 흡수하는 구조체에 있어서,In the structure that shields and absorbs electromagnetic waves, 상기 구조체의 한 층에 형성되어 상기 구조체가 전자파를 차폐하는 특성을 갖도록 하는 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘과, A fine metal composite conductive silicon for shielding formed on one layer of the structure such that the structure has a property of shielding electromagnetic waves; 상기 구조체의 다른 한 층에 형성되어 상기 구조체가 전자파를 흡수하는 특성을 갖도록 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 포함하고,It is formed on the other layer of the structure and comprises a micro metal composite conductive silicon for absorption so that the structure has the property of absorbing electromagnetic waves, 상기 차폐용 미세금속은 The shielding fine metal is 은 코팅 구리(Silver Coated Copper), 은 코팅 유리(Silver Coated Glass), 은 코팅 알루미늄(Silver Coated Aluminum), 은 코팅 니켈(Silver Coated Nickel), 니켈 코팅 흑연(Nickel Coated Graphite), 순 은(Pure Silver) 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나이고,Silver Coated Copper, Silver Coated Glass, Silver Coated Aluminum, Silver Coated Nickel, Nickel Coated Graphite, Pure Silver ) And combinations thereof, and at least one selected from the group consisting of 상기 흡수용 미세금속은The absorption fine metal is 페라이트 및/또는 금속(MMT) 이고,Ferrite and / or metal (MMT), 상기 페라이트는 아연, 니켈, 망간, 바륨, 마그네슘 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체.Wherein the ferrite is at least one selected from the group consisting of zinc, nickel, manganese, barium, magnesium and combinations thereof Electromagnetic shielding and absorption dual structure. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차폐용 미세금속의 입자 크기는 15㎛ ~ 35㎛인 것을 특징으로 하는 전 자파 차폐 및 흡수용 이중구조체.The particle size of the shielding fine metal is electromagnetic shielding and absorption dual structure, characterized in that the 15㎛ ~ 35㎛. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡수용 미세금속의 입자 크기는 30㎛ ~ 42㎛인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체.The particle size of the absorption fine metal is 30㎛ ~ 42㎛ dual structure for electromagnetic shielding and absorption. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실리콘은 고온경화용 실리콘(HTV)인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체.The silicon is a dual structure for electromagnetic shielding and absorption, characterized in that the high-temperature curing silicone (HTV). 전자파 차폐 및 흡수용 구조체를 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing a structure for shielding and absorbing electromagnetic waves, (a) 흡수용 미세금속복합재료를 콤파운드기에서 배합하여 이중헤드를 갖는 제 1 압출기에 투입하는 단계와, (a) combining the absorbing micrometal composite material in a compounding machine and feeding the same into a first extruder having a double head; (b) 차폐용 미세금속복합재료를 콤파운드기에서 배합하여 제 2 압출기에 투입하는 단계와,(b) mixing the shielding fine metal composite material in a compounding machine and injecting it into a second extruder; (c) 상기 제 1 압출기에 의해 상기 투입된 흡수용 미세금속복합재료를 압출하여 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 성형하는 단계와,(c) extruding the absorbed micrometal composite material by the first extruder to form an absorbent micrometal composite conductive silicon; (d) 상기 제 2 압출기에 의해 상기 투입된 차폐용 미세금속복합재료를 압출하여 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 성형하는 단계와,(d) extruding the shielded micrometal composite material by the second extruder to form a shielding micrometal composite conductive silicon; (e) 상기 압출 성형된 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 상기 제 1 압출기로 배출하는 단계와, (e) discharging the extruded shielding fine metal composite conductive silicon to the first extruder; (f) 상기 단계(e)에서 배출된 차폐용 미세금속 복합재 전도성 실리콘과 상기 단계(c)에서 압출 성형된 흡수용 미세금속 복합재 전도성 실리콘을 상기 제 1 압출기의 이중헤드를 통해 압출하여 이중구조체를 성형하는 단계를(f) extruding the shielding micrometallic composite conductive silicon discharged in the step (e) and the absorbing micrometallic composite conductive silicon extruded in the step (c) through the double head of the first extruder to form a double structure. Molding steps 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 이중구조체의 제조 방법.Method for producing a dual structure for electromagnetic shielding and absorption, comprising the.
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