KR20070007506A - A semiconductor making device equipped back stream preventing device - Google Patents

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KR20070007506A
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한성석
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Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus is provided to prevent a back-flow of air in a vacuum pump into a process chamber by installing the back-flow preventing apparatus on a pipe between the vacuum pump and the process chamber. A pipe is connected to a process chamber. Vacuum pumps are connected to the pipe to make vacuum state in the process chamber. An upper protruded section(11) is projected for a center thereof to pass through an inner circumference side of a cylindrical body of the pipe. An O-ring(12) is formed to be adhered closely to a base(14) of a lower surface of the upper protruded section. A lower protruded section(13) is separately formed on a lower portion of the upper protruded section. A back-flow preventing apparatus(9) is located between the upper protruded section and the lower protruded section and includes the base moving to the upper and lower protruded sections by a difference of pressure.

Description

역류방지장치를 갖춘 반도체 제조장치{A semiconductor making device equipped back stream preventing device}A semiconductor making device equipped back stream preventing device

도 1은 종래 반도체 제조장치의 진공조성장치의 구성도1 is a block diagram of a vacuum manufacturing apparatus of a conventional semiconductor manufacturing apparatus

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 진공조성장치의 구성도2 is a block diagram of a vacuum manufacturing apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention

도 3은 하부 걸림턱에 베이스가 안착된 역류방지장치의 확대단면도 및 A-A' 단면도Figure 3 is an enlarged cross-sectional view and A-A 'cross section of the backflow prevention device seated on the lower locking jaw

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

1: 프로세스 챔버 2: 관1: process chamber 2: tube

3: 주 밸브 4, 5: 보조 밸브3: main valve 4, 5: auxiliary valve

6: 자동압력제어기 7: 보조 진공펌프6: automatic pressure controller 7: auxiliary vacuum pump

8: 주 진공펌프 9: 역류방지장치8: Main vacuum pump 9: Backflow prevention device

11: 상부 걸림턱 12: 오링11: upper jaw 12: O-ring

13: 하부 걸림턱 14: 베이스13: lower jaw 14: base

15: 베이스 상부 16: 중심 축15: Base Upper 16: Center Shaft

17: 베이스 하부 20: 틈17: lower base 20: gap

21: 끼움부 2 22a, 22b: 결합부21: fitting part 2 22a, 22b: coupling part

100: 진공조성장치100: vacuum forming device

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공펌프와 프로세스 챔버 사이의 관에 역류방지장치를 설치하여 진공펌프가 갑자기 멈추더라도 프로세스 챔버내로 공기가 유입되는 것을 방지하는 역류방지장치를 갖춘 반도체 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, has a backflow prevention device installed in a pipe between a vacuum pump and a process chamber to prevent air from flowing into the process chamber even when the vacuum pump is suddenly stopped. A semiconductor manufacturing apparatus.

프로세스 챔버는 고진공 상태에서 공정을 진행한다. 이러한 고진공 환경을 조성하기 위하여는 일반적으로 진공펌프와 밸브가 사용된다. The process chamber proceeds in high vacuum. In order to create such a high vacuum environment, a vacuum pump and a valve are generally used.

도 1은 종래 프로세스 챔버의 진공조성장치의 구성도로서, 상기 진공조성장치(100)는 프로세스 챔버(1), 보조 진공펌프(7), 주 진공펌프(8), 자동압력제어기(6), 주밸브 (3)및 보조밸브(4, 5)들로 구성된다.1 is a configuration diagram of a vacuum composition apparatus of a conventional process chamber, wherein the vacuum composition apparatus 100 includes a process chamber 1, an auxiliary vacuum pump 7, a main vacuum pump 8, an automatic pressure controller 6, It consists of a main valve (3) and auxiliary valves (4, 5).

상기 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(7, 8)는 관으로 연결되어 있으며 프로세스 챔버(1) 내부의 진공상태는 진공펌프(7, 8)의 작동으로 이루어진다. 진공펌프(7, 8)는 주 진공펌프(8)와 보조 진공펌프(7)로 나누어지는 데, 주 진공펌프(8)는 진공도를 급격하게 증가시킬 때, 보조 진공펌프(7)는 섬세한 진공도를 조성하는데 사용된다.The process chamber 1 and the vacuum pumps 7 and 8 are connected by pipes, and the vacuum state inside the process chamber 1 is made by the operation of the vacuum pumps 7 and 8. The vacuum pumps 7 and 8 are divided into a main vacuum pump 8 and a subsidiary vacuum pump 7. When the main vacuum pump 8 sharply increases the degree of vacuum, the subordinate vacuum pump 7 has a fine degree of vacuum. Used to formulate

한편, 상기 관(2)에는 주 밸브(3) 및 보조 밸브(4, 5)들이 있어 진공펌프(7, 8)와 프로세스 챔버(1) 사이의 관(2)을 밀폐 또는 개방한다.On the other hand, the tube 2 has a main valve 3 and auxiliary valves 4 and 5 to seal or open the tube 2 between the vacuum pumps 7 and 8 and the process chamber 1.

상기 프로세스 챔버(1) 내부 진공도는 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(7, 8) 사이에 설치된 자동압력제어기(6)를 통하여 제어하는데, 공정 진행중 진공펌프(7, 8)에 이상이 생기면 자동압력제어기(6)의 전기적 신호에 의하여 밸브(3, 4, 5)를 닫는다. 그러나, 전기적 신호를 받아 밸브(3, 4, 5)를 닫을 때는 이미 압력차에 의하여 진공펌프쪽 관 내의 공기들이 오염 물질과 함께 프로세스 챔버(1) 내부로 유입되어 공정 진행중인 웨이퍼는 치명적인 손상을 입게 되는 문제점이 있었다.The vacuum degree inside the process chamber 1 is controlled by an automatic pressure controller 6 installed between the process chamber 1 and the vacuum pumps 7 and 8, and when an error occurs in the vacuum pumps 7 and 8 during the process, The valves 3, 4, and 5 are closed by the electrical signals of the pressure controller 6. However, when the valves 3, 4, and 5 are closed by receiving an electrical signal, the air in the vacuum pipe tube is introduced into the process chamber 1 together with the contaminants due to the pressure difference, and the wafer in process may be fatally damaged. There was a problem.

본 발명은 상기 문제점을 개선하고자 안출한 것으로서, 진공펌프와 프로세스 챔버 사이의 관에 역류방지장치를 설치하여 펌프의 정지시 압력차에 의한 베이스의 이동으로 프로세스 챔버 내부로 진공펌프관 내부의 공기가 역류되는 것을 방지하는 역류방지장치를 설치한 반도체 제조장치를 제공하고자 함에 발명의 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by installing a backflow prevention device in the tube between the vacuum pump and the process chamber, the air inside the vacuum pump tube into the process chamber by the movement of the base by the pressure difference when the pump is stopped SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a backflow preventing device for preventing backflow.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 진공펌프와 프로세스 챔버사이의 관에 역류방지장치를 설치하는 것으로서, 상기 역류방지장치는 상부 걸림턱과 그 하부에 부착된 오링, 하부 걸림턱, 상기 상·하부 걸림턱 사이에 위치하는 베이스로 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is to install a backflow prevention device in the tube between the vacuum pump and the process chamber, the backflow prevention device is an upper ring jaw and the O-ring attached to the lower portion, the lower locking jaw, the upper and lower Characterized in that the base is located between the locking jaw.

이하 본 발명의 바람직한 일실시예에 대한 구성 및 작용을 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 구성도로서, 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(7, 8) 사이의 관(2)에 역류방지장치(9)가 설치된 것을 볼 수 있다. 상기 역류방지장치(9)는 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(7, 8) 사이의 관(2)이라면 어디에 설치하더라도 무방하다.2 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and it can be seen that the backflow prevention device 9 is installed in the pipe 2 between the process chamber 1 and the vacuum pumps 7 and 8. The backflow prevention device 9 may be installed anywhere as long as the pipe 2 between the process chamber 1 and the vacuum pumps 7 and 8.

도 3은 하부 걸림턱에 베이스가 안착된 역류방지장치 확대단면도 및 A-A' 단면도로서, 역류방지장치(9)는 상부 걸림턱(11), 오링(12), 하부 걸림턱(13), 베이스(14)로 구성되어 있으며, 결합부(22a, 22b)에 의해서 관(2)과 결합되어 있다.Figure 3 is an enlarged cross-sectional view and AA 'cross-sectional view of the backflow prevention device seated on the lower locking jaw, the backflow prevention device 9 is the upper locking jaw 11, O-ring 12, the lower locking jaw 13, the base ( 14) and is coupled to the pipe (2) by the coupling portions (22a, 22b).

상기 상부 걸림턱(11)은 베이스(14)의 상부와 밀착하기 위하여 하부에는 오링(12)이 부착되어 있으며 관(2)의 직경을 좁히는 역할을 한다. 가운데 부분은 공기의 소통이 가능하나 가장자리는 밀폐된 구조이다. 상기 오링(12)은 공기의 역류시 베이스(14)와 밀착하여 프로세스 챔버(1) 내부의 진공상태를 유지시키는 역할을 한다.The upper locking jaw (11) has an O-ring 12 is attached to the lower portion in close contact with the upper portion of the base 14 and serves to narrow the diameter of the tube (2). The center part allows air to communicate, but the edge is closed. The O-ring 12 is in close contact with the base 14 during the backflow of air and serves to maintain a vacuum in the process chamber 1.

상기 하부 걸림턱(13)은 베이스(14)를 받치는 역할을 하는 것으로 상기 상부 걸림턱(11)과는 달리 베이스(14)가 상면에 있더라도 공기의 유·출입이 가능한 구 조로서, 역류방지장치(9) 내벽과 일체적으로 형성될 수 도 있으나, 끼움부(21)에 의하여 끼움 결합을 하도록 형성하는 것이 하부 걸림턱(13)의 제조면에서 용이할 것이다.The lower catching jaw 13 serves to support the base 14, and unlike the upper catching jaw 11, even when the base 14 is on the upper surface, air flow is allowed to flow in and out. (9) Although it may be formed integrally with the inner wall, it may be easy to form the fitting engagement by the fitting portion 21 in the manufacturing surface of the lower locking jaw (13).

A-A' 단면도에서 도시하는 바와 같이, 베이스(14)의 외곽에 베이스(14)를 받치는 하부 걸림턱(13)이 있으며, 상부 걸림턱(11)과는 달리 공기가 드나들 수 있는 틈(20)이 형성되어 있다. 또한 하부 걸림턱(11)의 중심에는 베이스(14)의 중심축(16)을 가이드할 수 있는 통로가 있어 베이스(14)가 승·하강할 때 위치가 틀어지지 않도록 한다.  As shown in the cross-sectional view of the AA ′, there is a lower locking jaw 13 that supports the base 14 on the outer side of the base 14, and a gap 20 through which air may enter, unlike the upper locking jaw 11. Is formed. In addition, the center of the lower locking jaw 11 has a passage for guiding the central axis 16 of the base 14 so that the position is not misaligned when the base 14 is raised and lowered.

상기 베이스(14)는 상부 걸림턱(11)과 하부 걸림턱(13) 사이에 위치하며, 우산형의 모양을 이루고 있다. 베이스의 상부(15)는 단면이 부채꼴인 모양으로 진공펌프(7, 8)쪽 기압이 높을 경우 상부 걸림턱(11) 하부의 오링(12)과 밀착되어 프로세스 챔버(1)의 진공상태를 유지시킨다.The base 14 is located between the upper locking jaw 11 and the lower locking jaw 13, and has an umbrella shape. The upper part 15 of the base has a fan-shaped cross section, and when the air pressure of the vacuum pumps 7 and 8 is high, the upper part 15 is in close contact with the O-ring 12 below the upper locking jaw 11 to maintain the vacuum state of the process chamber 1. Let's do it.

베이스(14)는 작은 기압차에 의해서도 상승하여야 하기 때문에 가벼운 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 하부 걸림턱(13)과 상부 걸림턱(11) 사이는 될 수 있는 한 좁게하여 베이스(13)가 상승 및 하강시 뒤틀려질 가능성을 줄이도록 한다.Since the base 14 must be raised by a small pressure difference, it is preferable to use a light material. In addition, the gap between the lower locking jaw 13 and the upper locking jaw (11) as narrow as possible to reduce the possibility of the base 13 is distorted when raised and lowered.

한편, 상기 결합부(22a, 22b)는 고압을 견딜 수 있도록 견고히 결합되는 구조여야 하는 바, 나사 결합 형식을 취하는 것이 바람직할 것이다.On the other hand, the coupling portion (22a, 22b) should be a structure that is firmly coupled to withstand high pressure, it will be preferable to take the screw coupling type.

이상의 구성을 바탕으로 역류방지장치(9)의 작동방법을 설명하면, 우선 진공펌프(7, 8)의 작동으로 진공펌프(7, 8)쪽 기압이 프로세스 챔버(1)쪽 기압보다 낮을 때에는 베이스(14)가 하부 걸림턱(13)에 안착하게 되고, 하부 걸림턱(13)은 틈(20)이 있어 공기의 소통이 원활하기 때문에 프로세스 챔버(1)의 진공과정은 계속 이루어 진다. Referring to the operation method of the backflow prevention device 9 based on the above configuration, first, when the air pressure at the vacuum pumps 7 and 8 is lower than the air pressure at the process chamber 1 due to the operation of the vacuum pumps 7 and 8, 14 is seated on the lower locking jaw 13, the lower locking jaw 13 has a gap 20, so that the air communication is smooth, the vacuum process of the process chamber 1 is continued.

이 후 진공펌프(7, 8)가 갑자기 정지하는 경우 진공펌프(7, 8)쪽 관 내부의 기압이 프로세스 챔버(1)쪽 관 내부의 기압보다 높아져 공기는 프로세스 챔버(1)쪽으로 유입되고, 이때 기압차에 의하여 베이스(14)도 상승하게 된다. 상승된 베이스(14)가 상부 걸림턱(11) 하부의 오링(12)과 밀착하므로 프로세스 챔버(1)쪽 관과 진공펌프(7, 8)쪽 관 내부의 기압차에도 불구하고 진공펌프(7, 8)쪽 관 내부의 공기는 프로세스 챔버(1) 내부로 유입되지 않는다. Thereafter, when the vacuum pumps 7 and 8 suddenly stop, the air pressure inside the pipe on the vacuum pump 7 and 8 becomes higher than the air pressure inside the pipe on the process chamber 1, and air flows into the process chamber 1, At this time, the base 14 is also raised by the pressure difference. Since the raised base 14 is in close contact with the O-ring 12 under the upper locking jaw 11, the vacuum pump 7 despite the air pressure difference between the pipe in the process chamber 1 and the pipe in the vacuum pumps 7 and 8 No air inside the tube on side 8 is introduced into the process chamber 1.

상기한 바와 같이 본 발명은 진공펌프와 프로세스 챔버 사이의 관에 역류방지장치를 설치하여 펌프의 정지시 압력차에 의한 베이스의 이동으로 프로세스 챔버 내부로 진공펌프관 내부의 공기가 역류되는 것을 방지하는 장점이 있다.As described above, the present invention installs a backflow prevention device in the pipe between the vacuum pump and the process chamber to prevent the air inside the vacuum pump tube from flowing back into the process chamber by the movement of the base due to the pressure difference when the pump is stopped. There is an advantage.

Claims (1)

프로세스 챔버와;A process chamber; 상기 프로세스 챔버와 연결된 관과;A tube connected with the process chamber; 상기 관에 연결되어 프로세스 챔버 내부의 진공상태를 조성하는 진공펌프와;A vacuum pump connected to the tube to create a vacuum inside the process chamber; 상기 관의 원통형 몸체의 내주면측으로 중앙부가 관통되도록 돌출되는 환형의 상부 걸림턱과;An annular upper locking jaw protruding from the inner circumferential surface side of the cylindrical body of the tube to penetrate the central portion; 상기 상부 걸림턱 하면에 베이스와 밀착이 가능하도록 형성된 오링과;An o-ring formed on the lower surface of the upper locking jaw to be in close contact with the base; 상기 상부 걸림턱 하부에 이격되어 위치하며 베이스가 안착되더라도 공기의 소통이 원활한 틈을 형성하고 있는 하부 걸림턱과;A lower locking jaw positioned below the upper locking jaw and forming a smooth gap in air communication even when the base is seated; 상기 상부 걸림턱과 하부 걸림턱 사이에 위치하며 기압차에 의하여 상기 상부와 하부 걸림턱으로 이동하는 베이스를 포함하는 역류방지장치를 갖춘 반도체 제조장치.The semiconductor manufacturing apparatus having a backflow preventing device including a base positioned between the upper locking jaw and the lower locking jaw and moved to the upper and lower locking jaws by the pressure difference.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101018194B1 (en) * 2008-03-17 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Apparatus for chemical vapor deposition
KR101287893B1 (en) * 2010-10-05 2013-07-18 삼성전자주식회사 Apparatus for chemical vapor deposition

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