KR20060132070A - Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby - Google Patents

Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby Download PDF

Info

Publication number
KR20060132070A
KR20060132070A KR1020050052170A KR20050052170A KR20060132070A KR 20060132070 A KR20060132070 A KR 20060132070A KR 1020050052170 A KR1020050052170 A KR 1020050052170A KR 20050052170 A KR20050052170 A KR 20050052170A KR 20060132070 A KR20060132070 A KR 20060132070A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
composition
antireflective
formula
aromatic ring
Prior art date
Application number
KR1020050052170A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100673625B1 (en
Inventor
오창일
어동선
김도현
이진국
남이리나
윤희찬
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR1020050052170A priority Critical patent/KR100673625B1/en
Publication of KR20060132070A publication Critical patent/KR20060132070A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100673625B1 publication Critical patent/KR100673625B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C33/00—Unsaturated compounds having hydroxy or O-metal groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C33/26—Polyhydroxylic alcohols containing only six-membered aromatic rings as cyclic part
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Abstract

Anti-reflective hardmask composition including aromatic ring-containing polymer is provided to exhibit excellent anti-reflection useful for short-wavelength lithography, endow optical and mechanical properties and etch selectivity, and confer coatable property using spin-on application by comprising the aromatic ring-containing polymer. The composition comprises: (a) 1-20wt.% of at least two aromatic ring-containing polymer containing a compound represented by the formula(1), wherein n ranges from 1 to 190, R1 and R2 are hydrogen or methyl group, R3 and R4 include hydrogen or reactive or chromophore member reacting with cross-linking component, and OH group is one of ortho-, meta- or para type, and another compound represented by the formula(2); (b) 0.1-5wt.% of cross-linking component; (c) 0.001-0.05wt.% of acid catalyst; and the balance of organic solvent or surfactant. The polymer represented by the formula(1) has weight average molecular weight ranging from 500 to 30,000.

Description

반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용하여 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법{HARDMASK COMPOSITION HAVING ANTIREFLECTIVE PROPERTY AND PATERNING MATERIALS ON PRINTED BOARD USING THEREBY}Anti-reflective hard mask composition and a method of forming a patterned material shape on the substrate using the same {HARDMASK COMPOSITION HAVING ANTIREFLECTIVE PROPERTY AND PATERNING MATERIALS ON PRINTED BOARD USING THEREBY}

도 1은 본 발명의 하드마스크 조성물이 이용되는 분야인 집적 회로 디바이스의 제조 및 설계공정의 순서를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a procedure of manufacturing and designing an integrated circuit device, which is an area in which the hard mask composition of the present invention is used.

본 발명은 리쏘그래픽 공정에 유용한 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 짧은 파장 영역(예를 들어, 157, 193, 248㎚)에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다. FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to hardmask compositions having antireflective properties useful in lithographic processes, and more particularly to aromatic rings having strong absorption in short wavelength ranges (eg, 157, 193, 248 nm). A hardmask composition comprising a containing polymer.

마이크로일렉트로닉스 산업에서 뿐만 아니라 마이크로스코픽 구조물(예를 들어, 마이크로머신, 마그네토레지스트 헤드 등)의 제작을 비롯한 다른 산업에서, 구조적 형상의 크기를 감소시키고자 하는 지속적인 요구가 존재한다. 마이크로일렉트로닉스 산업에서, 마이크로일렉트로닉 디바이스의 크기를 감소시켜, 주어진 칩 크기에 보다 많은 양의 회로를 제공하고자 하는 요구가 존재한다.In the microelectronics industry as well as in other industries, including the fabrication of microscopic structures (eg, micromachines, magnetoresist heads, etc.), there is a continuing need to reduce the size of structural features. In the microelectronics industry, there is a desire to reduce the size of microelectronic devices, thereby providing a larger amount of circuitry for a given chip size.

효과적인 리쏘그래픽 기법은 형상 크기의 감소를 달성시키는데 필수적이다. 리쏘그래픽은 소정의 기판 상에 패턴을 직접적으로 이미지화시킨다는 측면에서 뿐만 아니라 그러한 이미지화에 전형적으로 사용된 마스크를 제조한다는 측면에서 마이크로스코픽 구조물의 제조에 영향을 미친다.Effective lithographic techniques are essential to achieving a reduction in shape size. Lithographic influences the fabrication of microscopic structures not only in terms of directly imaging the pattern on a given substrate, but also in the manufacture of masks typically used for such imaging.

전형적인 리쏘그래픽 공정은 이미지화 방사선에 방사선-민감성 레지스트를 패턴 방식으로 노출시킴으로써 패턴화된 레지스트 층을 형성시키는 과정을 수반한다. 이어서, 이미지는 노출된 레지스트 층을 임의의 물질(전형적으로 수성 알칼리 현상액)과 접촉시킴으로써 현상시킨다. 이어서, 패턴은 패턴화된 레지스트 층의 개구부 내에 있는 그 물질을 에칭시킴으로써 이면 재료에 전사시킨다. 전사가 완료된 후, 잔류하는 레지스트 층은 제거한다.Typical lithographic processes involve forming a patterned resist layer by patterning exposing the radiation-sensitive resist to imaging radiation. The image is then developed by contacting the exposed resist layer with any material (typically an aqueous alkaline developer). The pattern is then transferred to the backing material by etching the material in the openings of the patterned resist layer. After the transfer is completed, the remaining resist layer is removed.

상기 리쏘그래픽 공정 중 대부분은 이미지화층, 예컨대 방사선 민감성 레지스트 재료층과 이면층 간의 반사성을 최소화시키는데 반사방지 코팅(ARC)을 사용하여 해상도를 증가시킨다. 그러나, 패터닝 후 ARC의 에칭 중에 많은 이미지화층도 소모되어, 후속 에칭 단계 중에 추가의 패터닝이 필요하게 될 수 있다.Most of the lithographic processes increase the resolution by using an antireflective coating (ARC) to minimize the reflectivity between the imaging layer, such as a layer of radiation sensitive resist material and backing layer. However, many imaging layers may also be consumed during the etching of the ARC after patterning, requiring further patterning during subsequent etching steps.

다시 말하면, 일부 리쏘그래픽 이미지화 공정의 경우, 사용된 레지스트는 레지스트 이면에 있는 층으로 소정의 패턴을 효과적으로 전사시킬 수 있을 정도로 후속적인 에칭 단계에 대한 충분한 내성을 제공하지 못한다. 많은 실제 예(예를 들면, 초박막 레지스트 층이 필요한 경우, 에칭 처리하고자 하는 이면 재료가 두꺼운 경우, 상당할 정도의 에칭 깊이가 필요한 경우 및/또는 소정의 이면 재료에 특정한 부식제(etchant)를 사용하는 것이 필요한 경우)에서, 일명 하드마스크 층이라는 것 은 레지스트 층과 패턴화된 레지스트로부터 전사에 의해 패턴화될 수 있는 이면 재료 사이에 중간체로서 사용한다. 그 하드마스크 층은 패턴화된 레지스트 층으로부터 패턴을 수용하고, 이면 재료로 패턴을 전사시키는 데 필요한 에칭 공정을 견디어 낼 수 있어야 한다.In other words, for some lithographic imaging processes, the resist used does not provide sufficient resistance to subsequent etching steps to effectively transfer a desired pattern to the layer behind the resist. Many practical examples (e.g. when ultra thin resist layers are required, when the backing material to be etched is thick, when a significant amount of etching depth is required and / or by using an etchant specific to a given backing material) In what is needed, a so-called hardmask layer is used as an intermediate between the resist layer and the backing material which can be patterned by transfer from the patterned resist. The hardmask layer must be able to withstand the etching process required to receive the pattern from the patterned resist layer and transfer the pattern to the backing material.

종래 기술에서는 많은 하드마스크 재료가 존재하긴 하지만, 개선된 하드마스크 조성물에 대한 요구가 지속되고 있다. 그러한 많은 종래 기술상 재료는 기판에 도포하기 어려우므로, 예를 들면 화학적 또는 물리적 증착, 특수 용매, 및/또는 고온 소성의 이용이 필요할 수 있다. 고온 소성에 대한 필요성 없이도 스핀-코팅 기법에 의해 도포될 수 있는 하드마스크 조성물을 갖는 것이 바람직하다. 추가로, 이면 포토레지스트에 선택적으로 용이하게 에칭될 수 있으며, 동시에 특히 이면층이 금속 층인 경우 그 이면 층을 패턴화하는데 필요한 에칭 공정에 내성이 있는 하드마스크 조성물을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 적당한 저장 수명을 제공하고, 이미지화 레지스트 층과의 저해한 상호작용(예를 들어, 하드마스크로부터 산 오염에 의한 것)을 피하는 것도 바람직하다. 추가로, 보다 짧은 파장(예, 157, 193, 248㎚)의 이미지 방사선에 대한 소정의 광학 특성을 지닌 하드마스크 조성물을 갖는 것이 바람직하다.Although many hardmask materials exist in the prior art, there is a continuing need for improved hardmask compositions. Many such prior art materials are difficult to apply to substrates, and therefore may require the use of chemical or physical deposition, special solvents, and / or high temperature firing, for example. It is desirable to have a hardmask composition that can be applied by spin-coating techniques without the need for high temperature firing. In addition, it is desirable to have a hardmask composition that can easily be easily etched into the backside photoresist, while at the same time resisting the etching process required to pattern the backside layer, especially when the backside layer is a metal layer. It is also desirable to provide adequate shelf life and to avoid inhibited interactions with the imaging resist layer (eg, by acid contamination from the hardmask). In addition, it is desirable to have a hardmask composition having certain optical properties for image radiation of shorter wavelengths (eg, 157, 193, 248 nm).

결론적으로 에칭 선택성이 높고, 다중 에칭에 대한 내성이 충분하며, 레지스트와 이면층 간의 반사성을 최소화하는 반사방지 조성물을 사용하여 리쏘그래픽 기술을 수행하는 것이 요망된다. 이러한 리쏘그래픽 기술은 매우 세부적인 반도체 장치를 생산할 수 있게 할 것이다.In conclusion, it is desirable to perform lithographic techniques using antireflective compositions that have high etch selectivity, sufficient resistance to multiple etching, and minimize reflectivity between the resist and backing layer. This lithographic technology will enable the production of very detailed semiconductor devices.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 리쏘그래픽 공정에서 유용하게 사용되는 신규한 하드마스크 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a novel hard mask composition usefully used in lithographic processes.

본 발명의 다른 목적은 본 발명의 하드마스크 조성물을 사용하여 기판 상의 이면 재료 층을 패턴화시키는 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of patterning a backing material layer on a substrate using the hardmask composition of the present invention.

즉, 본 발명의 한 측면은 스핀-온 반사방지 하드마스크 층의 형성에 적합한 조성물에 관한 것으로, 상기 조성물은 That is, one aspect of the invention relates to a composition suitable for the formation of a spin-on antireflective hardmask layer, wherein the composition is

(a) 짧은 파장 영역에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체;(a) an aromatic ring containing polymer having strong absorption in the short wavelength region;

(b) 가교 성분; 및(b) crosslinking components; And

(c) 산 촉매를 포함한다. (c) an acid catalyst.

본 발명의 다른 측면은 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은Another aspect of the invention relates to a method of forming a patterned material shape on a substrate, the method of

(a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(a) providing a layer of material on the substrate;

(b) 재료 층 위로 본 발명의 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(b) forming an antireflective hardmask layer of the invention over the material layer;

(c) 반사방지 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(c) forming a radiation-sensitive imaging layer over the antireflective layer;

(d) 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(d) generating a pattern of radiation-exposed areas within the imaging layer by exposing the imaging layer to the radiation in a pattern manner;

(e) 이미지화 층 및 반사방지 층의 부분을 선택적으로 제거하여 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및(e) selectively removing portions of the imaging layer and antireflective layer to expose portions of the material layer; And

(f) 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함한다.(f) forming the patterned material shape by etching the exposed portion of the material layer.

본 발명의 이러한 양태 및 다른 양태는 이하의 보다 상세한 설명에서 논의된다.These and other aspects of the invention are discussed in the detailed description below.

본 발명은 (a) 하기 화학식 1과 화학식 2의 구조를 각각 적어도 1종 이상 포함한 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체; (b) 가교 성분; 및The present invention (a) an aromatic ring containing polymer containing at least one or more structures of formula (1) and formula (2), respectively; (b) crosslinking components; And

(c) 산 촉매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물을 제공한다.(c) It provides an antireflective hard mask composition comprising an acid catalyst.

상기 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체는 하기 화학식 1과 화학식2의 블랜딩으로 형성되는 혼합물인 것을 특징으로 한다.The aromatic ring-containing polymer is characterized in that the mixture formed by the blending of the formula (1) and (2).

Figure 112005032050346-PAT00001
------ 화학식 1
Figure 112005032050346-PAT00001
------ Formula 1

(n은 1≤n<190의 범위이고, R1 및 R2는 수소 또는 메틸기이며, R3 및 R4는 수소이거나 가교 성분과 반응하는 반응성 부위 또는 발색단(chromophore) 부위를 포함하고, R5는

Figure 112005032050346-PAT00002
,
Figure 112005032050346-PAT00003
,
Figure 112005032050346-PAT00004
,
Figure 112005032050346-PAT00005
중 어느 하나이고, OH기는 Ortho-, Meta-, Para- 모두 가능하다.)(n ranges from 1 ≦ n <190, R 1 and R 2 are hydrogen or methyl groups, R 3 and R 4 are hydrogen or comprise reactive or chromophore moieties that react with the crosslinking component, R 5 Is
Figure 112005032050346-PAT00002
,
Figure 112005032050346-PAT00003
,
Figure 112005032050346-PAT00004
,
Figure 112005032050346-PAT00005
OH group is Ortho-, Meta-, Para- are all possible.)

Figure 112005032050346-PAT00006
------화학식 2
Figure 112005032050346-PAT00006
------ Formula 2

(R6은 H-, CH3C(=O)-,

Figure 112005032050346-PAT00007
,
Figure 112005032050346-PAT00008
중 어느 하나이고, R7은 H-, CH3C(=O)-,
Figure 112005032050346-PAT00009
,
Figure 112005032050346-PAT00010
중 어느 하나이나, R6와는 상이한 것이며, R8은 H-, CH3C(=O)-,
Figure 112005032050346-PAT00011
,
Figure 112005032050346-PAT00012
중 어느 하나이나, R6 또는 R7과는 상이한 것. 그리고 R6, R7, R8에 사용된 H-: CH3C(=O)-:
Figure 112005032050346-PAT00013
:
Figure 112005032050346-PAT00014
= (0.1~0.9):(0.1~0.40):(0.1~0.5):(0.1~0.5)임.)(R6 is H-, CH 3 C (= O)-,
Figure 112005032050346-PAT00007
,
Figure 112005032050346-PAT00008
Any one of and R7 is H-, CH 3 C (= 0)-,
Figure 112005032050346-PAT00009
,
Figure 112005032050346-PAT00010
Either one is different from R6, and R8 is H-, CH 3 C (= 0)-,
Figure 112005032050346-PAT00011
,
Figure 112005032050346-PAT00012
Either of which is different from R6 or R7. And H- used for R6, R7, R8: CH 3 C (= 0)-:
Figure 112005032050346-PAT00013
:
Figure 112005032050346-PAT00014
= (0.1 ~ 0.9) :( 0.1 ~ 0.40) :( 0.1 ~ 0.5) :( 0.1 ~ 0.5)

본 발명은 상기 조성물이 (a) 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%, (b) 가교 성분 0.1~5 중량%, (c) 산 촉매 0.001~0.05 중량% 이고, 잔량으로서 유기용매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물을 제공한다. According to the present invention, the composition comprises (a) 1 to 20% by weight of an aromatic ring-containing polymer, (b) 0.1 to 5% by weight of a crosslinking component, (c) 0.001 to 0.05% by weight of an acid catalyst, and the remaining amount is an organic solvent. It provides an antireflective hard mask composition comprising a.

화학식 1의 중합체는 중량 평균 분자량을 기준으로 약 500 ~ 30,000인 것을 특징으로 한다. The polymer of Formula 1 is characterized in that about 500 to 30,000 based on the weight average molecular weight.

본 발명은 상기 조성물이 추가로 용매 또는 계면활성제를 포함하는 것을 특 징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물을 제공한다.The present invention provides an antireflective hardmask composition characterized in that the composition further comprises a solvent or a surfactant.

상기 발색단 부위가 페닐, 크리센(chrysene), 피렌, 플루오르안트렌, 안트론, 벤조페논, 티오크산톤, 안트라센 및 안트라센 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 한다.The chromophore moiety is at least one selected from the group consisting of phenyl, chrysene, pyrene, fluoranthrene, anthrone, benzophenone, thioxanthone, anthracene and anthracene derivatives.

상기 가교 성분이 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물 및 비스에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 한다. The crosslinking component is characterized in that any one or more selected from the group consisting of melamine resin, amino resin, glycoluril compound and bisepoxy compound.

상기 산 촉매가 p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리딘 p-톨루엔술폰산(Pyridine p-toluenesulfonic acid), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트, 및 유기 술폰산의 다른 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 한다. The acid catalyst is p-toluenesulfonic acid mono hydrate, pyridine p-toluenesulfonic acid, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzoin At least one selected from the group consisting of tosylate, 2-nitrobenzyl tosylate, and other alkyl esters of organic sulfonic acid.

본 발명에서는 상기 반사방지 하드마스크 조성물을 이용하는 방법으로서, (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계; (b) 재료 층 위로 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계; (c) 반사방지 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계; (d) 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계; (e) 이미지화 층 및 반사방지 층의 부분을 선택적으로 제거하여 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및 (f) 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물을 이용하여 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a method of using the antireflective hard mask composition, comprising: (a) providing a layer of material on a substrate; (b) forming an antireflective hardmask layer according to any one of claims 1 to 8 over the material layer; (c) forming a radiation-sensitive imaging layer over the antireflective layer; (d) generating a pattern of radiation-exposed areas within the imaging layer by exposing the imaging layer to the radiation in a pattern manner; (e) selectively removing portions of the imaging layer and antireflective layer to expose portions of the material layer; And (f) forming a patterned material shape by etching the exposed portion of the material layer. The method of forming a patterned material shape on a substrate using an antireflective hardmask composition, comprising: Is provided.

또한, 본 발명은 상기 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 디바이스를 제공한다. The present invention also provides a semiconductor integrated circuit device which is formed by a method of forming the patterned material shape.

이하 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 하드마스크 조성물은 짧은 파장 영역(예를 들어, 157, 193, 248㎚)에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체가 존재하는 것을 특징으로 한다. The hard mask composition of the present invention is characterized by the presence of an aromatic ring containing polymer having strong absorption in the short wavelength region (eg, 157, 193, 248 nm).

즉, 본 발명의 반사방지 하드마스크 조성물은 (a) 하기 화학식 1과 화학식 2의 구조를 각각 적어도 1종 이상 포함한 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체; (b) 가교 성분; 및 (c) 산 촉매를 포함한다.That is, the antireflective hardmask composition of the present invention comprises: (a) an aromatic ring-containing polymer comprising at least one or more structures of Formula 1 and Formula 2; (b) crosslinking components; And (c) an acid catalyst.

본 발명의 하드마스크 조성물에서, 상기 방향족 고리 함유 중합체의 방향족 고리는 중합체의 골격 부분 내에 존재하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 가교 성분과 반응하는 중합체를 따라 분포된 다수의 반응성 부위를 함유하는 것이 바람직하며, 페놀, 크레졸, 나프톨을 그 단위 유니트에 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 종래의 스핀-코팅에 의해 층을 형성시키는데 도움이 되는 용액 및 막 형성(film-forming) 특성을 가져야 한다. In the hardmask composition of the present invention, the aromatic ring of the aromatic ring-containing polymer is preferably present in the backbone portion of the polymer. In addition, the aromatic ring-containing polymer preferably contains a plurality of reactive sites distributed along the polymer reacting with the crosslinking component, and preferably includes phenol, cresol and naphthol in its unit unit. In addition, they must have solution and film-forming properties to help form the layer by conventional spin-coating.

한편, 본 발명의 하드마스크 조성물에 사용되는 상기 (b) 가교 성분은 발생 된 산에 의해 촉매 작용된 반응에서 가열에 의하여 중합체의 반복단위를 가교할 수 있는 것이 바람직하고, 상기 (c) 산 촉매는 열 활성화된 산 촉매인 것이 바람직하다.On the other hand, the crosslinking component (b) used in the hardmask composition of the present invention is preferably capable of crosslinking the repeating unit of the polymer by heating in a reaction catalyzed by the generated acid, and the (c) acid catalyst Is preferably a thermally activated acid catalyst.

구체적으로, 본 발명의 하드마스크 조성물에 사용되는 상기 (a) 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 1과 화학식2의 블랜딩으로 형성되는 혼합물이 바람직하다.Specifically, the (a) aromatic ring-containing polymer used in the hard mask composition of the present invention is preferably a mixture formed by the blending of the formulas (1) and (2).

Figure 112005032050346-PAT00015
------ 화학식 1
Figure 112005032050346-PAT00015
------ Formula 1

(n은 1≤n<190의 범위이고, R1 및 R2는 수소 또는 메틸기이며, R3 및 R4는 수소이거나 가교 성분과 반응하는 반응성 부위 또는 발색단(chromophore) 부위를 포함하고, R5는

Figure 112005032050346-PAT00016
,
Figure 112005032050346-PAT00017
,
Figure 112005032050346-PAT00018
,
Figure 112005032050346-PAT00019
중 어느 하나이고, OH기는 Ortho-, Meta-, Para- 모두 가능하다.)(n ranges from 1 ≦ n <190, R 1 and R 2 are hydrogen or methyl groups, R 3 and R 4 are hydrogen or comprise reactive or chromophore moieties that react with the crosslinking component, R 5 Is
Figure 112005032050346-PAT00016
,
Figure 112005032050346-PAT00017
,
Figure 112005032050346-PAT00018
,
Figure 112005032050346-PAT00019
OH group is Ortho-, Meta-, Para- are all possible.)

Figure 112005032050346-PAT00020
------화학식 2
Figure 112005032050346-PAT00020
------ Formula 2

(R6은 H-, CH3C(=O)-, ,

Figure 112005032050346-PAT00022
중 어느 하나이고, R7은 H-, CH3C(=O)-,
Figure 112005032050346-PAT00023
,
Figure 112005032050346-PAT00024
중 어느 하나이나, R6와는 상이한 것이며, R8은 H-, CH3C(=O)- ,
Figure 112005032050346-PAT00025
,
Figure 112005032050346-PAT00026
중 어느 하나이나, R6 또는 R7과는 상이한 것. 그리고 R6, R7, R8에 사용된 H-: CH3C(=O)-:
Figure 112005032050346-PAT00027
:
Figure 112005032050346-PAT00028
= (0.1~0.9):(0.1~0.40):(0.1~0.5):(0.1~0.5)임.)(R6 is H-, CH 3 C (= O)-, ,
Figure 112005032050346-PAT00022
Any one of and R7 is H-, CH 3 C (= 0)-,
Figure 112005032050346-PAT00023
,
Figure 112005032050346-PAT00024
Either one is different from R6, and R8 is H-, CH 3 C (= 0)-,
Figure 112005032050346-PAT00025
,
Figure 112005032050346-PAT00026
Either of which is different from R6 or R7. And H- used for R6, R7, R8: CH 3 C (= 0)-:
Figure 112005032050346-PAT00027
:
Figure 112005032050346-PAT00028
= (0.1 ~ 0.9) :( 0.1 ~ 0.40) :( 0.1 ~ 0.5) :( 0.1 ~ 0.5)

보다 구체적으로, 본 발명의 방향족 고리 함유 중합체의 반응성 부위 함유 기 R3 및 R4에서, 바람직한 반응성 부위로는 에폭시드기 또는 알콜 등이 가능하나, 이들로 한정되는 것은 아니다. More specifically, in the reactive site-containing groups R 3 and R 4 of the aromatic ring-containing polymer of the present invention, preferred reactive sites include, but are not limited to, epoxide groups or alcohols.

또한, 본 발명의 방향족 고리 함유 중합체의 발색단 함유 기 R3 및 R4에서, 바람직한 발색단 부위로는 193㎚과 248㎚ 파장의 방사선의 경우 이미 중합체의 골격에 포함된 방향족 고리 자체가 적합한 발색단이지만, 여기에 추가로 R3, R4가 발색단 기능을 할 수 있는 구조인 페닐, 크리센(chrysene), 피렌, 플루오르안트렌, 안트론, 벤조페논, 티오크산톤, 안트라센 및 안트라센 유도체가 될 수 있다. 9-안트라센 메탄올은 바람직한 발색단이다. 발색단 부위는 페놀 티아진과 같은 가능한 탈활성화된 아미노 질소를 제외하고는 질소를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 그리고 화학식1의 중합체는 중량 평균 분자량을 기준으로 약 500 ~ 30,000인 것이 보다 바람직하다.In addition, in the chromophore-containing groups R 3 and R 4 of the aromatic ring-containing polymer of the present invention, preferred chromophore sites are aromatic chromophores already included in the backbone of the polymer in the case of radiation of 193 nm and 248 nm wavelengths, In addition, R 3 and R 4 may be phenyl, chrysene, pyrene, fluoranthrene, anthrone, benzophenone, thioxanthone, anthracene and anthracene derivatives, which are structures capable of chromophore functions. . 9-anthracene methanol is a preferred chromophore. The chromophore moiety preferably does not contain nitrogen except for possible deactivated amino nitrogen such as phenol thiazine. And the polymer of Formula 1 is more preferably about 500 to 30,000 based on the weight average molecular weight.

본 발명의 하드마스크 조성물에서, 방향족 고리 함유 중합체는 상기 화학식 1 과 2의 혼합비율은 1:99 내지 99:1이 가능하며 특성에 따라 그 혼합비를 달리 적 용할 수 있다.In the hard mask composition of the present invention, the aromatic ring-containing polymer may have a mixing ratio of 1:99 to 99: 1 in Formulas 1 and 2, and different mixing ratios may be applied depending on characteristics.

한편, 본 발명의 하드마스크 조성물에 사용되는 상기 (b) 가교 성분은 생성된 산에 의해 촉매작용화될 수 있는 방식으로 방향족 고리 함유 중합체의 히드록시와 반응될 수 있는 가교제인 것이 바람직하다. 일반적으로, 본 발명의 반사방지 하드마스크 조성물에 사용된 가교제로는 에테르화된 아미노 수지, 예를 들면 메틸화되거나 부틸화된 멜라민 수지(N-메톡시메틸-멜라민 수지 또는 N-부톡시메틸-멜라민 수지), 및 에테르화된 아미노 수지, 예를 들면 메틸화되거나 부틸화된 우레아 레진(Urea Resin) 수지(Cymel U-65 Resin 또는 UFR 80 Resin), 아래에 나타낸 구조와 같은 메틸화된/부틸화된 글리콜루릴(Powderlink 1174), 예를들면 캐나다 특허 제1 204 547호에 기재된 화합물, 2,6-비스(히드록시메틸)-p-크레졸 화합물을 비롯한 하기 구조를 갖는 화합물, 예를 들면 일본 특허 공개 제1-293339호에 기재된 화합물이 포함된다. 상기한 아미노수지 및 글리콜루릴은 사이텍 인더스트리(Cytec Industries)로부터 구입 가능하다. 또한 비스에폭시 계통의 화합물도 가교제로 사용할 수 있다.On the other hand, the crosslinking component (b) used in the hard mask composition of the present invention is preferably a crosslinking agent that can be reacted with the hydroxy of the aromatic ring-containing polymer in a manner that can be catalyzed by the resulting acid. Generally, the crosslinking agents used in the antireflective hardmask compositions of the present invention include etherified amino resins, such as methylated or butylated melamine resins (N-methoxymethyl-melamine resins or N-butoxymethyl-melamines). Resins), and etherified amino resins, such as methylated or butylated Urea Resin resins (Cymel U-65 Resin or UFR 80 Resin), methylated / butylated glycols such as the structures shown below. Compounds having the following structure, such as ruther (Powderlink 1174), for example the compound described in Canadian Patent No. 1 204 547, 2,6-bis (hydroxymethyl) -p-cresol compound, for example Japanese Patent Laid-Open The compounds described in 1-293339. The above amino resins and glycolurils can be purchased from Cytec Industries. Bisepoxy-based compounds can also be used as crosslinking agents.

Figure 112005032050346-PAT00029
Figure 112005032050346-PAT00029

본 발명의 하드마스크 조성물에 사용되는 상기 (c) 산 촉매는 p-톨루엔술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate) 등의 일반적인 유기 산이 사용될 수 있고, 또한 보관안정성을 도모한 TAG(Thermal Acid Generater)계통의 화합물을 촉매로 사용할 수 있다. TAG는 열 처리시 산을 방출하도록 되어있는 산 생성제 화합물로서 예를 들어 피리딘 p-톨루엔술폰산(Pyridine p-toluenesulfonic acid), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트, 및 유기 술폰산의 다른 알킬 에스테르 등을 사용하는 것이 바람직하다. As the acid catalyst (c) used in the hard mask composition of the present invention, a general organic acid such as p-toluenesulfonic acid mono hydrate (p-toluenesulfonic acid mono hydrate) may be used, and TAG (Thermal Acid Generater) having a storage stability. ) Can be used as a catalyst. TAG is an acid generator compound intended to release acid upon heat treatment, for example pyridine p-toluenesulfonic acid, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzoin Preference is given to using tosylate, 2-nitrobenzyl tosylate, other alkyl esters of organic sulfonic acids, and the like.

적합한 방사선-민감성 산 촉매의 예는 미국 특허 제5,886,102호 및 제5,939,236호에 기재되어 있다. 또한, 레지스트 기술 분야에서 공지된 다른 방사선-민감성 산 촉매도 이것이 반사방지 조성물의 다른 성분과 상용성이 있는 한 사용할 수 있다. Examples of suitable radiation-sensitive acid catalysts are described in US Pat. Nos. 5,886,102 and 5,939,236. In addition, other radiation-sensitive acid catalysts known in the resist art can be used as long as they are compatible with the other components of the antireflective composition.

본 발명의 하드마스크 조성물은 (a) 짧은 파장 영역에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%, 보다 바람직하게는 3~10 중량%, (b) 가교 성분 0.1~5 중량%, 보다 바람직하게는 0.1~3 중량%, 및 (c) 산 촉매 0.001~0.05 중량%, 보다 바람직하게는 0.001~0.03 중량% 함유하는 것이 바람직하다.The hard mask composition of the present invention comprises (a) 1 to 20% by weight of an aromatic ring-containing polymer having strong absorption in a short wavelength region, more preferably 3 to 10% by weight, and (b) 0.1 to 5 crosslinking components. It is preferable to contain weight%, More preferably, 0.1 to 3 weight%, and (c) 0.001 to 0.05 weight% of an acid catalyst, More preferably, 0.001 to 0.03 weight%.

본 발명의 하드마스크 조성물은 추가적으로, 레지스트에 통상적으로 사용되는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 같은 용매를 함유할 수 있으며, 이외에도 계면 활성제 등을 함유할 수 있다. The hardmask composition of the present invention may additionally contain a solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate commonly used in resists, and may also contain surfactants and the like.

한편, 본 발명은 상기 하드마스크 조성물을 사용하여 기판 상의 이면 재료 층을 패턴화시키는 방법을 포함한다. On the other hand, the present invention includes a method of patterning a backing material layer on a substrate using the hardmask composition.

구체적으로, 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법은Specifically, the method of forming the patterned material shape on the substrate

(a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(a) providing a layer of material on the substrate;

(b) 재료 층 위로 본 발명의 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(b) forming an antireflective hardmask layer of the invention over the material layer;

(c) 반사방지 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(c) forming a radiation-sensitive imaging layer over the antireflective layer;

(d) 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(d) generating a pattern of radiation-exposed areas within the imaging layer by exposing the imaging layer to the radiation in a pattern manner;

(e) 이미지화 층 및 반사방지 층의 부분을 선택적으로 제거하여 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및(e) selectively removing portions of the imaging layer and antireflective layer to expose portions of the material layer; And

(f) 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함한다.(f) forming the patterned material shape by etching the exposed portion of the material layer.

본 발명에 따라 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법은 구체적으로 하기와 같이 수행될 수 있다. 먼저, 알루미늄과 SiN(실리콘 나트라이드)등과 같은 패턴화하고자 하는 재료를 통상적인 방법에 따라 실리콘 기판 위에 형성시킨다. 본 발명의 하드마스크 조성물에 사용되는 패턴화하고자 하는 재료는 전도성, 반전도성, 자성 또는 절연성 재료인 것이 모두 가능하다. 이어서, 본 발명의 하드마스크 조성물을 사용하여 500Å ~ 4000Å 두께로 스핀-코팅에 의해 하드마스크층을 형성하고, 100℃ 내지 300℃에서 10초 내지 10분간 베이킹하여 하드마스크 층을 형성한다. 하드마스크층이 형성되면 방사선-민감성 이미지화층을 형성시키고, 상기 이미지화층을 통한 노광(exposure) 공정에 의해 패턴이 형성될 영역을 노출시키 는 현상(develop)공정을 진행한다. 이어서, 이미지화층 및 반사방지층을 선택적으로 제거하여 재료층의 부분을 노출시키고, 일반적으로 CHF3/CF4 혼합가스 등을 이용하여 드라이 에칭을 진행한다. 패턴화된 재료 형상이 형성된 후에는 통상의 포토레지스트 스트립퍼에 의해 잔류하는 임의의 레지스트를 제거할 수 있다. The method of forming the patterned material shape on the substrate according to the present invention may be specifically performed as follows. First, a material to be patterned, such as aluminum and SiN (silicon nitride), is formed on a silicon substrate according to a conventional method. The material to be patterned used in the hardmask composition of the present invention can be any conductive, semiconducting, magnetic or insulating material. Subsequently, a hard mask layer is formed by spin-coating with a hard mask composition of the present invention at a thickness of 500 kPa to 4000 kPa, and baked at 100 ° C to 300 ° C for 10 seconds to 10 minutes to form a hardmask layer. When the hard mask layer is formed, a radiation-sensitive imaging layer is formed, and a development process of exposing an area where a pattern is to be formed is performed by an exposure process through the imaging layer. Subsequently, the imaging layer and the antireflective layer are selectively removed to expose a portion of the material layer, and generally dry etching is performed using a CHF 3 / CF 4 mixed gas or the like. After the patterned material shape is formed, any remaining resist can be removed by conventional photoresist strippers.

따라서, 본 발명의 조성물 및 형성된 리쏘그래픽 구조물은 도 1과 같은 반도체 제조공정에 따라 집적 회로 디바이스의 제조 및 설계에 사용될 수 있다. 예를 들면 금속 배선, 컨택트 또는 바이어스를 위한 홀, 절연 섹션(예, DT(Damascene Trench) 또는 STI(Shallow Trench Isolation)), 커패시터 구조물을 위한 트렌치 등과 같은 패턴화된 재료 층 구조물을 형성시키는 데 사용할 수 있다. 또한 본 발명은 임의의 특정 리쏘그래픽 기법 또는 디바이스 구조물에 국한되는 것이 아님을 이해해야 한다. Thus, the compositions of the present invention and formed lithographic structures can be used in the fabrication and design of integrated circuit devices in accordance with semiconductor fabrication processes such as FIG. For example, it can be used to form patterned material layer structures, such as metal wiring, holes for contacts or bias, insulating sections (e.g., damascene trenches or shallow trench isolations), trenches for capacitor structures, and the like. Can be. It is also to be understood that the invention is not limited to any particular lithographic technique or device structure.

이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the following Examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.

[실시예 1]Example 1

1. 화합물 (1) 합성1. Synthesis of Compound (1)

Figure 112005032050346-PAT00030
------ 화학식 1
Figure 112005032050346-PAT00030
------ Formula 1

기계교반기, 냉각관, 300ml 적가 깔대기, 질소가스 도입관을 구비한 1ℓ의 4구 플라스크에 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디페놀 28.03g (0.08몰)과 p-톨루엔술폰산 0.3g을 200g의 γ-부티로락톤에 녹인 용액을 담고 질소가스를 유입하면서 자기교반기로 교반하고 있는 오일조에서 플라스크를 가열하여 반응용액의 내부온도가 100℃에 도달한 시점에서, 적가 깔대기로 37중량% 포름알데히드 수용액 5.27g(0.065몰)을 30분간 천천히 적가하고 12시간 반응을 실시하였다. 반응종료 후 반응용기가 충분히 실온까지 냉각된 후, 반응용액을 메틸아민케톤(이하, MAK로 칭함)을 사용하여 20중량% 농도의 용액으로 조정하고, 3ℓ 분액깔대기로 3회 물세정하여 증발기로 농축하였다. 이어서 MAK와 메탄올을 사용하여 희석하고 15 중량% 농도의 MAK/메탄올=4/1(중량비)의 용액으로 조정하였다. 이 용액을 3ℓ 분액깔대기에 넣고, 이것에 n-헵탄을 첨가하여 모노머를 함유하는 저분자량체를 제거하여 목적하는 페놀수지(Mw=4000, n=10~11)를 얻었다.28.03 g (0.08 mol) of 4,4 '-(9-fluorenylidene) diphenol and 0.3 p-toluenesulfonic acid in a 1 L four-necked flask equipped with a mechanical stirrer, a cooling tube, a 300 ml dropping funnel and a nitrogen gas introduction tube. g of the solution dissolved in 200 g of γ-butyrolactone, the flask was heated in an oil bath stirred with a magnetic stirrer while introducing nitrogen gas, and when the internal temperature of the reaction solution reached 100 ° C, 5.27 g (0.065 mol) of an aqueous solution of wt% formaldehyde was slowly added dropwise for 30 minutes, and the reaction was carried out for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction vessel was sufficiently cooled to room temperature, and then the reaction solution was adjusted to a solution of 20% by weight using methylamine ketone (hereinafter referred to as MAK), washed three times with a 3L separatory funnel, and concentrated on an evaporator. It was. It was then diluted with MAK and methanol and adjusted to a solution of 15 wt% MAK / methanol = 4/1 (weight ratio). The solution was placed in a 3 L separatory funnel, and n-heptane was added thereto to remove the low molecular weight containing the monomer to obtain the desired phenol resin (Mw = 4000, n = 10-11).

2. 셀룰로오스 아세테이트 프탈레이트(Cellulose Acetate Phthalate) (2)2. Cellulose Acetate Phthalate (2)

본 발명에서 사용된 Cellulose Acetate Phthalate(분자량=16,000 H-:43%, Acetyl :24%, Phthalic Acid :33% )는 이스트만 화학사(Estmann Chemical LTD) 제품으로 상기 비율은 셀룰로오스의 치환비이다.Cellulose Acetate Phthalate (molecular weight = 16,000 H-: 43%, Acetyl: 24%, Phthalic Acid: 33%) used in the present invention is manufactured by Eastmann Chemical Ltd., and the ratio is the substitution ratio of cellulose.

3. 샘플용액 제조3. Sample Solution Preparation

상기 화합물(1)의 고분자 0.65g과 셀룰로오스 아세테이트 프탈레이트 0.15g 과 가교제(Powderlink 1174) 0.2g과 피리디늄 P-톨루엔 술포네이트 2mg을 PGMEA 9g에 넣어서 녹인 후 여과하여 샘플용액을 만들었다.0.65 g of the polymer of Compound (1), 0.15 g of cellulose acetate phthalate, 0.2 g of a crosslinking agent (Powderlink 1174), and 2 mg of pyridinium P-toluene sulfonate were dissolved in PGMEA 9 g, and then filtered to prepare a sample solution.

[비교예 1]Comparative Example 1

상기 화합물(1)의 고분자 0.80g과 아래의 구조단위의 반복으로 이루어진 올리고머 상태인 가교제(Powderlink 1174) 0.20g과 피리디늄 P-톨루엔 술포네이트(Pyridinium P-toluene sulfonate) 2mg을 프로필렌글리콜모노에틸아세테이트(Propyleneglycolmonoethylacetate, 이하 PGMEA이라 칭함) 9g에 넣어서 녹인 후 여과하여 샘플용액을 만들었다.0.80 g of the polymer of the compound (1) and 0.20 g of a crosslinking agent (Powderlink 1174) in an oligomeric state consisting of repetition of the following structural units and 2 mg of pyridinium P-toluene sulfonate (propylene pyrogen monoethyl acetate) (Propyleneglycolmonoethylacetate, hereinafter referred to as PGMEA) was dissolved in 9g and filtered to make a sample solution.

Figure 112005032050346-PAT00031
------파우더링크 1174구조
Figure 112005032050346-PAT00031
------ Powder Link 1174 Structure

* 실리콘웨이퍼 적용 후 굴절률 n과 흡광계수 k 측정비교* Comparison of refractive index n and extinction coefficient k after silicon wafer application

실시예 1과 비교예 1에서 만들어진 샘플을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 200℃에서 구워서 두께 1500Å의 필름을 형성시켰다. 상기 필름들에 대한 굴절률(refractive index) n과 흡광계수(extinction coefficient) k를 구하였다. 사용기기는 Ellipsometer(J. A. Woollam 사)이고 측정결과는 표 1과 같다.The samples made in Example 1 and Comparative Example 1 were coated on a silicon wafer by spin-coating, and baked at 200 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 1500 Å. The refractive index n and extinction coefficient k for the films were obtained. The instrument used was Ellipsometer (JA Woollam) and the measurement results are shown in Table 1.

필름 제조에 사용된 샘플Sample used to make film 광학 특성 (193nm)Optical properties (193nm) 광학 특성 (248nm)Optical properties (248nm) n(굴절율)n (refractive index) k(흡광계수)k (absorption coefficient) n(굴절율)n (refractive index) k(흡광계수)k (absorption coefficient) 실시예 1Example 1 1.451.45 0.790.79 1.991.99 0.240.24 비교예 1Comparative Example 1 1.421.42 0.800.80 2.012.01 0.250.25

* 알루미늄 코팅 실리콘웨이퍼에 적용한 후의 90㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴 비교* Comparison of 90 nm line and space pattern after application to aluminum coated silicon wafers

실시예 1과 비교예 1에서 만들어진 샘플을 알루미늄이 입혀진 실리콘웨이퍼 위에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 200℃에서 구워서 두께 1500Å의 필름을 형성시켰다. 상기 제조된 각각의 필름위에 KrF용 포토레지스트를 코팅하고 110℃에서 60초간 굽고 ASML(XT:1400, NA 0.93)사의 노광장비를 사용해 노광을 한 다음 TMAH(2.38wt% 수용액)으로 현상하였다. 그리고 FE-SEM을 사용하여 90nm의 라인 앤드 스페이스(line and space) 패턴을 고찰한 결과 하기 표 2와 같은 결과를 얻었다. 노광량의 변화에 따른 EL(expose latitude) 마진(margine)과 광원과의 거리변동에 따른 DoF(depth of focus) 마진(margine)을 고찰하여 기록하였다.Samples made in Example 1 and Comparative Example 1 were coated on a silicon wafer coated with aluminum by spin-coating, and baked at 200 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 1500 Å. Each film prepared above was coated with a photoresist for KrF, baked at 110 ° C. for 60 seconds, and exposed to light using an exposure equipment of ASML (XT: 1400, NA 0.93), followed by development with TMAH (2.38 wt% aqueous solution). And using a FE-SEM to examine the line and space (line and space) pattern of 90nm as shown in Table 2 below. The exposure latitude (EL) margin according to the change of the exposure dose and the depth of focus (DoF) margin according to the distance change with the light source were considered and recorded.

필름 제조에 사용된 샘플Sample used to make film 패턴특성Pattern EL 마진(△mJ/exposure energy mJ)EL margin (△ mJ / exposure energy mJ) DoF 마진 (㎛)DoF margin (μm) 실시예 1Example 1 0.070.07 0.10.1 비교예 1Comparative Example 1 0.070.07 0.10.1

상기 패턴화된 시편을 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 이어서 BCl3/Cl2 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 다시 진행하였다. 마지막으로 O2가스를 사용하여 남아 있는 유기물을 모두 제거한 다음, FE SEM으로 단면을 고찰하여 표 3에 결과를 수록하였다.The patterned specimens were subjected to dry etching using a CHF 3 / CF 4 mixed gas, followed by dry etching again using a BCl 3 / Cl 2 mixed gas. Finally, after removing all remaining organics using O 2 gas, the cross section was examined by FE SEM and the results are listed in Table 3.

필름 제조에 사용된 샘플Sample used to make film 에칭 후 패턴 모양Pattern shape after etching 실시예1Example 1 수직모양Vertical shape 비교예1Comparative Example 1 테이퍼진 모양Tapered shape

시편을 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 전후의 두께차를 표 4에 수록하였다.The specimen was subjected to dry etching using CHF 3 / CF 4 mixed gas, and the thickness difference before and after was listed in Table 4.

필름 제조에 사용된 샘플Sample used to make film BCl3/Cl2 가스 에칭속도 (nm/min)BCl 3 / Cl 2 Gas Etch Rate (nm / min) 실시예1Example 1 9494 비교예1Comparative Example 1 9595

* SiN 코팅 실리콘웨이퍼에 적용한 경우의 80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴 비교* 80nm line-and-space pattern comparison for SiN-coated silicon wafers

실시예 1과 비교예 1에서 만들어진 샘플을 SiN(실리콘나이트라이드)이 입혀진 실리콘웨이퍼 위에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 200℃에서 구워서 두께 1500Å의 필름을 형성시켰다. 제조된 필름위에 ArF용 포토레지스트를 코팅하고 110℃에서 60초간 굽고 ArF 노광장비인 ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82)를 사용해 노광을 한 다음 TMAH(2.38wt% 수용액)으로 현상하였다. 그리고 FE-SEM을 사용하여 80nm의 라인 앤드 스페이스(line and space) 패턴을 고찰한 결과 하기 표 5와 같은 결과를 얻었다. 노광량의 변화에 따른 EL(expose latitude) 마진(margine)과 광원과의 거리변동에 따른 DoF(depth of focus) 마진(margine)을 고찰하여 표5에 기록하였다.The samples made in Example 1 and Comparative Example 1 were coated by spin-coating on a silicon wafer coated with SiN (silicon nitride) and baked at 200 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 1500 Å. The ArF photoresist was coated on the prepared film, baked at 110 ° C. for 60 seconds, exposed to light using an ArF exposure equipment, ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82), and developed with TMAH (2.38 wt% aqueous solution). And using a FE-SEM to examine the line and space (line and space) pattern of 80nm as shown in Table 5 below. The exposure latitude (EL) margin according to the change of the exposure dose and the depth of focus (DoF) margin according to the distance change with the light source are considered and recorded in Table 5.

필름 제조에 사용된 샘플Sample used to make film 패턴특성Pattern EL 마진(△mJ/exposure energy mJ)EL margin (△ mJ / exposure energy mJ) DoF 마진 (㎛)DoF margin (μm) 실시예 1Example 1 0.100.10 0.20.2 비교예 1Comparative Example 1 0.050.05 0.10.1

상기 패턴화된 시편을 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 이어서 선택비를 달리한 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 다시 진행하였다. 마지막으로 O2가스를 사용하여 남아 있는 유기물을 모두 제거한 다음, FE SEM으로 단면을 고찰하여 표 6에 결과를 수록하였다.The patterned specimen CHF 3 / CF 4, using a gas mixture proceeds to dry etching, and then using a CHF 3 / CF 4 gas mixture varying the selection ratio was carried out by dry etching again. Finally, all remaining organics were removed using O 2 gas, and then the cross-section was examined by FE SEM and the results are shown in Table 6.

필름 제조에 사용된 샘플Sample used to make film 에칭 후 패턴 모양Pattern shape after etching 실시예1Example 1 수직모양Vertical shape 비교예1Comparative Example 1 테이퍼진 모양Tapered shape

본 발명에 따른 조성물은 매우 우수한 광학적 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비(etch selectivity) 특성을 제공하고, 동시에 스핀-온 도포 기법(spin-on application technique)을 이용하여 도포 가능한 특성을 제공한다. 또한, 상기 조성물은 우수한 저장 수명을 가지며, 최소이거나 전혀 없는 산 오염물질 함량을 갖는다.The compositions according to the invention provide very good optical, mechanical and etch selectivity properties, while at the same time providing applicability using a spin-on application technique. In addition, the compositions have good shelf life and have minimal or no acid pollutant content.

Claims (9)

(a) 하기 화학식 1과 화학식 2의 구조를 각각 적어도 1종 이상 포함한 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체;(a) an aromatic ring-containing polymer comprising at least one or more structures of formulas (1) and (2), respectively; (b) 가교 성분; 및(b) crosslinking components; And (c) 산 촉매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.(c) An antireflective hardmask composition comprising an acid catalyst.
Figure 112005032050346-PAT00032
------ 화학식 1
Figure 112005032050346-PAT00032
------ Formula 1 (n은 1≤n<190의 범위이고, R1 및 R2는 수소 또는 메틸기이며, R3 및 R4는 수소이거나 가교 성분과 반응하는 반응성 부위 또는 발색단(chromophore) 부위를 포함하고, R5는
Figure 112005032050346-PAT00033
,
Figure 112005032050346-PAT00034
,
Figure 112005032050346-PAT00035
,
Figure 112005032050346-PAT00036
중 어느 하나이고, OH기는 Ortho-, Meta-, Para- 모두 가능하다.)(n ranges from 1 ≦ n <190, R 1 and R 2 are hydrogen or methyl groups, R 3 and R 4 are hydrogen or comprise reactive or chromophore moieties that react with the crosslinking component, R 5 Is
Figure 112005032050346-PAT00033
,
Figure 112005032050346-PAT00034
,
Figure 112005032050346-PAT00035
,
Figure 112005032050346-PAT00036
OH group is Ortho-, Meta-, Para- are all possible.)
Figure 112005032050346-PAT00037
------화학식 2
Figure 112005032050346-PAT00037
------ Formula 2 (R6은 H-, CH3C(=O)-,
Figure 112005032050346-PAT00038
,
Figure 112005032050346-PAT00039
중 어느 하나이고, R7은 H-, CH3C(=O)- ,
Figure 112005032050346-PAT00040
,
Figure 112005032050346-PAT00041
중 어느 하나이나, R6와는 상이한 것이며, R8은 H-, CH3C(=O)-,
Figure 112005032050346-PAT00042
,
Figure 112005032050346-PAT00043
중 어느 하나이나, R6 또는 R7과는 상이한 것. 그리고 R6, R7, R8에 사용된 H-: CH3C(=O)-:
Figure 112005032050346-PAT00044
:
Figure 112005032050346-PAT00045
= (0.1~0.9):(0.1~0.40):(0.1~0.5):(0.1~0.5)임.)(R6 is H-, CH 3 C (= O)-,
Figure 112005032050346-PAT00038
,
Figure 112005032050346-PAT00039
R7 is H-, CH 3 C (= 0)-,
Figure 112005032050346-PAT00040
,
Figure 112005032050346-PAT00041
Either one is different from R6, and R8 is H-, CH 3 C (= 0)-,
Figure 112005032050346-PAT00042
,
Figure 112005032050346-PAT00043
Either of which is different from R6 or R7. And H- used for R6, R7, R8: CH 3 C (= 0)-:
Figure 112005032050346-PAT00044
:
Figure 112005032050346-PAT00045
= (0.1 ~ 0.9) :( 0.1 ~ 0.40) :( 0.1 ~ 0.5) :( 0.1 ~ 0.5) 제 1항에 있어서, 상기 조성물이The composition of claim 1, wherein said composition is (a) 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%,  (a) 1 to 20% by weight of an aromatic ring containing polymer, (b) 가교 성분 0.1~5 중량%, (b) 0.1 to 5% by weight of the crosslinking component, (c) 산 촉매 0.001~0.05 중량% 이고, (c) 0.001 to 0.05 weight% of an acid catalyst, 잔량으로서 유기용매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.An antireflection hard mask composition comprising an organic solvent as a residual amount. 제 1항에 있어서, 화학식 1의 중합체는 중량 평균 분자량을 기준으로 약 500 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.The antireflective hardmask composition of claim 1, wherein the polymer of Formula 1 is about 500 to 30,000 based on weight average molecular weight. 제 1항에 있어서, 상기 조성물이 추가로 용매 또는 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.2. The antireflective hardmask composition of claim 1, wherein said composition further comprises a solvent or a surfactant. 제 1항에 있어서, 상기 발색단 부위가 페닐, 크리센(chrysene), 피렌, 플루오르안트렌, 안트론, 벤조페논, 티오크산톤, 안트라센 및 안트라센 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.The method of claim 1, wherein the chromophore moiety is any one or more selected from the group consisting of phenyl, chrysene, pyrene, fluoranthrene, anthrone, benzophenone, thioxanthone, anthracene and anthracene derivatives. Anti-reflective hard mask composition. 제 1항에 있어서, 상기 가교 성분이 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물 및 비스에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물. The antireflection hard mask composition according to claim 1, wherein the crosslinking component is at least one selected from the group consisting of a melamine resin, an amino resin, a glycoluryl compound, and a bisepoxy compound. 제 1항에 있어서, 산 촉매가 p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리딘 p-톨루엔술폰산(Pyridine p-toluenesulfonic acid), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트, 및 유기 술폰산의 다른 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성 물. The method of claim 1, wherein the acid catalyst is p-toluenesulfonic acid mono hydrate, pyridine p-toluenesulfonic acid, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexa At least one selected from the group consisting of dienes, benzoin tosylate, 2-nitrobenzyl tosylate, and other alkyl esters of organic sulfonic acids. (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(a) providing a layer of material on the substrate; (b) 재료 층 위로 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 사용하여 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(b) forming an antireflective hardmask layer using the composition according to claim 1 over the material layer; (c) 반사방지 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(c) forming a radiation-sensitive imaging layer over the antireflective layer; (d) 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(d) generating a pattern of radiation-exposed areas within the imaging layer by exposing the imaging layer to the radiation in a pattern manner; (e) 이미지화 층 및 반사방지 층의 부분을 선택적으로 제거하여 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및(e) selectively removing portions of the imaging layer and antireflective layer to expose portions of the material layer; And (f) 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물을 이용하여 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법.(f) forming a patterned material shape by etching the exposed portion of the material layer. 제 8항에 따른 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 디바이스(device).A semiconductor integrated circuit device formed by the method according to claim 8.
KR1020050052170A 2005-06-17 2005-06-17 Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby KR100673625B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050052170A KR100673625B1 (en) 2005-06-17 2005-06-17 Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050052170A KR100673625B1 (en) 2005-06-17 2005-06-17 Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060132070A true KR20060132070A (en) 2006-12-21
KR100673625B1 KR100673625B1 (en) 2007-01-24

Family

ID=37811688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050052170A KR100673625B1 (en) 2005-06-17 2005-06-17 Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100673625B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008150058A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cheil Industries Inc. Hardmask composition having antireflective properties and method of patterning material on substrate using the same
KR100930673B1 (en) * 2007-12-24 2009-12-09 제일모직주식회사 Method for patterning materials using antireflective hard mask compositions
US8415424B2 (en) 2009-12-31 2013-04-09 Cheil Industries, Inc. Aromatic ring-containing polymer for underlayer of resist and resist underlayer composition including the same
US9568825B2 (en) 2014-07-15 2017-02-14 Samsung Sdi Co., Ltd. Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6890448B2 (en) 1999-06-11 2005-05-10 Shipley Company, L.L.C. Antireflective hard mask compositions
JP3779260B2 (en) 2002-11-26 2006-05-24 京都エレックス株式会社 Alkali development type photosensitive resin composition

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008150058A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cheil Industries Inc. Hardmask composition having antireflective properties and method of patterning material on substrate using the same
US7981594B2 (en) 2007-06-05 2011-07-19 Cheil Industries, Inc. Hardmask composition having antirelective properties and method of patterning material on susbstrate using the same
US8445187B2 (en) 2007-06-05 2013-05-21 Cheil Industries, Inc. Hardmask composition having antireflective properties and method of patterning material on substrate using the same
KR100930673B1 (en) * 2007-12-24 2009-12-09 제일모직주식회사 Method for patterning materials using antireflective hard mask compositions
US8153349B2 (en) 2007-12-24 2012-04-10 Cheil Industries, Inc. Polymer composition, hardmask composition having antireflective properties, and associated methods
US8415424B2 (en) 2009-12-31 2013-04-09 Cheil Industries, Inc. Aromatic ring-containing polymer for underlayer of resist and resist underlayer composition including the same
US9568825B2 (en) 2014-07-15 2017-02-14 Samsung Sdi Co., Ltd. Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR100673625B1 (en) 2007-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100662542B1 (en) Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby
KR100655064B1 (en) Hardmask composition having antireflective property
KR100665758B1 (en) Hardmask composition having antireflective property
KR100671115B1 (en) Hardmask composition having antireflective property
KR100697979B1 (en) Antireflective hardmask composition
KR100930673B1 (en) Method for patterning materials using antireflective hard mask compositions
KR100908601B1 (en) Anti-reflective hard mask composition and patterning method of substrate material using same
KR100896451B1 (en) HIGH ETCH RESISTANT HARDMASK COMPOSITION HAVING ANTIREFLECTIVE PROPERTY?WITH IMPROVEMENT OF CARBON CONTENTS?and Process of producing patterned materials by using the same
KR100671120B1 (en) Novel fluorene polymer and hardmask composition having antireflective property prepared by using the same
KR100888611B1 (en) Hardmask composition having antireflective property?and?method of patterning materials using the same
KR100816735B1 (en) Hardmask composition having antireflective property, process of producing patterned materials by using the same and integrated circuit devices
KR101311942B1 (en) Aromatic ring-containing compound for resist underlayer, and resist underlayer composition
KR100950318B1 (en) Polymer having aromatic rings, hardmask composition with anti-reflective property, and method of patterning materials using the same
KR100826104B1 (en) High etch resistant hardmask composition having antireflective property and process of producing patterned materials by using the same
KR101257697B1 (en) High etch resistant polymer having high carbon with aromatic rings, composition containing the same, and method of patterning materials using the same
KR100866015B1 (en) Hardmask composition having antireflective property and method of patterning materials using the same
KR100833212B1 (en) Hardmask composition having antireflective property
KR101225945B1 (en) High etch resistant polymer having aromatic rings, composition containing the same,d of patterning materials using the same
KR100819162B1 (en) Hardmask composition having antireflective property and method of patterning materials using the same
KR100844019B1 (en) HIGH ETCH RESISTANT HARDMASK COMPOSITION HAVING ANTIREFLECTIVE PROPERTY WITH IMPROVEMENT OF CARBON CONTENTS and Process of producing patterned materials by using the same
KR20100062629A (en) Hardmask composition having antireflective property
KR101288573B1 (en) High etch resistant hardmask composition having antireflective property with calixarene and Process of producing patterned materials by using the same
KR100826103B1 (en) Hardmask composition having antireflective property
KR100673625B1 (en) Hardmask composition having antireflective property and paterning materials on printed board using thereby
KR100865684B1 (en) High etch resistant hardmask composition having antireflective property, method of manufacturing of patterning materials and semiconductor ic device produced by the method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101221

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee