KR20060116491A - 포토마스크 - Google Patents

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KR20060116491A
KR20060116491A KR1020050038910A KR20050038910A KR20060116491A KR 20060116491 A KR20060116491 A KR 20060116491A KR 1020050038910 A KR1020050038910 A KR 1020050038910A KR 20050038910 A KR20050038910 A KR 20050038910A KR 20060116491 A KR20060116491 A KR 20060116491A
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KR1020050038910A
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최원웅
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삼성전자주식회사
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

노광 공정에 사용되는 포토마스크를 제공한다. 이 포토 마스크는 비대칭적인 형태와 위치를 정렬마크를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 상기 포토마스크가 회전되어 장착될 경우 정렬마크의 형태의 변화 또는 위치 이상이 노광 장치에 의해 감지될 수 있어 공정 불량을 방지할 수 있다.
포토마스크

Description

포토마스크{Photomask}
도 1은 종래 기술에 따른 포토 마스크의 평면도를 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 평면도를 나타낸다.
도 2b는 도 2a의 포토마스크와 도 2a의 포토마스크를 180°회전한 후의 포토마스크가 겹친 모습을 나타낸다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 평면도를 나타낸다.
도 3b는 도 3a의 포토마스크와 도 3a의 포토마스크를 180°회전한 후의 포토마스크가 겹친 모습을 나타낸다.
본 발명은 노광 공정에 사용되는 포토 마스크에 관한 것이다.
반도체 사진 식각 공정 중의 노광 공정에 사용되는 포토마스크(100)는 빛이 투과되는 노광부(12)와 빛이 차단되는 차광부(10)를 구비한다. 상기 차광부는 노광 장치가 상기 포토마스크의 위치를 인식하기 위한 정렬 마크(14)를 구비한다. 종래 기술에 따른 상기 정렬마크(14)는 예를 들면 원과 같이 대칭적인 형태를 갖으며 인접하는 변들로부터 소정의 거리(d1)만큼 이격되어 있다. 도시되지는 않았지만, 상 기 노광부(12)에는 칩 다이들의 패턴들과 스크라이브 라인들이 형성되어 있다.
노광 공정에서 상기 포토마스크(100)를 노광 장치에 장착하고 상기 포토마스크(100)의 상부에 램프가 위치하며, 상기 포토마스크(100) 하부에 노광 공정을 진행할 웨이퍼가 위치한다. 그리고 상기 램프의 빛이 상기 포토마스크(100)의 상기 노광부(12)를 투과하여 상기 웨이퍼 상에 입사하여 노광 공정이 진행된다.
한편, 경우에 따라서, 상기 노광 장치에 상기 포토마스크(100)을 장착할 때 상기 포토마스크(100)가 180° 회전되어서 장착될 수 있다. 포토마스크(100)는 정사각형의 대칭적 형태를 가지며 상기 정렬마크(14)의 형태와 위치 또한 대칭적이므로, 그 외양은 동일한 형태를 갖게 되어, 상기 노광장치가 이를 인식하지 못하게 된다. 따라서 노광 공정이 그대로 진행되며, 상기 노광부(12)에 형성된 패턴들의 방향이 바뀌게 되므로 대량의 공정 불량이 야기되어 막대한 손실을 초래하게 된다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 기술적 과제는 포토마스크의 장착 위치가 잘못 되었을 때, 노광 장치가 이를 감지할 수 있어 공정 불량을 방지할 수 있는 구조를 갖는 포토마스크를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토마스크는 비대칭적인 형태와 위치를 갖는 정렬마크를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 상기 포토마스크가 회전되어 장착될 경우 정렬마크의 형태의 변화 또는 위치 이상이 노광 장치에 의해 감지될 수 있어 공정 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 포토마스크는 칩 다이(chip die)를 패터닝하기 위한 노광이 이루어지는 정사각형의 노광부; 상기 노광부를 둘러싸며 빛의 투과가 차단된 차광부; 및 상기 차광부의 네 모서리들에 근접하여 각각 위치하며 노광장치가 포토마스크의 위치를 인식하기 위해 형성된 네개의 정렬마크들을 구비하되, 상기 정렬마크는 비대칭적인 형태를 구비한다.
본 발명의 다른 예에 따른 포토마스크는 칩 다이(chip die)를 패터닝하기 위한 노광이 이루어지는 정사각형의 노광부; 상기 노광부를 둘러싸며 빛의 투과가 차단된 차광부; 및 상기 차광부의 네 모서리들에 근접하여 각각 위치하며 노광장치가 포토마스크의 위치를 인식하기 위해 형성된 네개의 정렬마크들을 구비하되, 상기 정렬마크들은 상기 정사각형의 중심을 지나며 상기 정사각형의 일변과 평행한 직선에 대해 서로 비대칭적인 위치에 존재한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있게 하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 평면도를 나타낸다. 도 2b는 도 2a의 포토마스크와 도 2a의 포토마스크를 180°회전한 후의 포토마스크가 겹친 모습을 나타낸다.
도 2a 및 2b를 참조하면, 포토마스크(200)는 예를 들면 정사각형의 석영으로 이루어지는 투명 기판 상에 빛을 차단하는 크롬막이 선택적으로 형성되어 구분되는 노광부(22)와 차광부(20)를 구비한다. 상기 노광부(22)에는 칩 다이들의 패턴들과 스크라이브 라인들이 형성되어 있다. 상기 차광부에는 노광 장치가 상기 포토마스크의 위치를 인식하기 위한 정렬 마크(24)가 위치한다. 상기 정렬마크(24)는 상기 차광부의 네 모서리에 각각 위치하며, 본 실시예에서 예를 들면 상기 차광부(20)의 바깥 부분을 이루되 서로 평행한 두개의 변인 윗변(L1)과 아랫변(L2) 또는 좌변(L3)과 우변(L4)으로 부터 각각 동일한 거리인 제 4 거리(d5) 또는 제 5 거리(d6) 만큼 이격되어 있다. 상기 정렬마크(24)는 예를 들면 비대칭적인 삼각형 형태를 갖는다. 상기 포토마스크(200)가 180°회전될 경우, 회전되기 전의 정렬마크(24a)와 회전된 후의 정렬마크(24b)의 형태가 다르게 된다. 따라서 이러한 형태의 차이를 노광 장치가 레이저 센서등을 이용하여 감지하여 상기 포토마스크(200)가 제대로 장착되었는지를 판독할 수 있으며 이로써 오장착에 따른 공정 불량을 방지할 수 있다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 평면도를 나타낸다. 도 3b는 도 3a의 포토마스크와 도 3a의 포토마스크를 180°회전한 후의 포토마스크가 겹친 모습을 나타낸다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 포토마스크(300)는 노광부(32)와 차광부(30)를 구비하며, 상기 차광부(30)에는 정렬마크(34)가 위치한다. 본 실시예에서 예를 들면 상기 정렬마크(34)는 대칭적인 원의 형태를 가질 수 있으나, 상기 포토마스크(30)의 중심(C)를 지나며 상기 차광부(30)의 외곽의 윗변(L1) 또는 아랫변(L2)과 평행 하며 점선으로 표시된 직선(L5)을 기준으로 비대칭적인 위치에 존재한다. 즉, 상기 네개의 정렬 마크(34)는 좌변(L3) 또는 우변(L4)으로부터 모두 제 1 거리(d4)만큼 이격되어 있다. 그러나, 위의 두개의 정렬마크(34a)는 상기 윗변(L1)으로 부터 제 2 거리(d2) 만큼 이격되어 있으나 아래 두개의 정렬마크(34b)는 상기 아랫변(L2)로부터 제 3 거리(d3) 만큼 이격되어 있다.
따라서 도 3b를 참조하면, 상기 포토마스크(300)를 180°회전될 경우, 정렬 마크(34a, 34b)가 있어야 할 위치에 있지 않아 노광 장비가 이를 감지하고 상기 포토마스크(300)가 제대로 장착되었는지를 판독할 수 있으며 이로써 오장착에 따른 공정 불량을 방지할 수 있다.
상기 실시예들에 있어서 설명되지는 않았지만, 정렬 마크의 형태와 위치가 모두 동시에 비대칭적일 수 있음은 당업자에게 자명한 것이다.
따라서, 본 발명에 따른 포토 마스크는 비대칭적인 형태 또는/그리고 위치의 정렬마크를 구비함으로써, 상기 포토마스크가 회전되어 장착될 경우 정렬마크의 형태의 변화 또는 위치 이상이 노광 장치에 의해 감지될 수 있어 공정 불량을 방지할 수 있다.

Claims (3)

  1. 칩 다이(chip die)를 패터닝하기 위한 노광이 이루어지는 사각형의 노광부;
    상기 노광부를 둘러싸며 빛의 투과가 차단된 차광부; 및
    상기 차광부의 네 모서리들에 근접하여 각각 위치하며 노광장치가 포토마스크의 위치를 인식하기 위해 형성된 네개의 정렬 마크들을 구비하되,
    상기 정렬 마크는 비대칭적인 형태를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 칩 다이(chip die)를 패터닝하기 위한 노광이 이루어지는 사각형의 노광부;
    상기 노광부를 둘러싸며 빛의 투과가 차단된 차광부; 및
    상기 차광부의 네 모서리들에 근접하여 각각 위치하며 노광장치가 포토마스크의 위치를 인식하기 위해 형성된 네개의 정렬 마크들을 구비하되,
    상기 정렬 마크들은 상기 사각형의 중심을 지나며 상기 사각형의 일변과 평행한 직선에 대해 서로 비대칭적인 위치에 존재하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 정렬 마크는 비대칭적인 형태를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI800156B (zh) * 2021-02-03 2023-04-21 采鈺科技股份有限公司 曝光遮罩
US20230282502A1 (en) * 2022-03-03 2023-09-07 Micron Technology, Inc. Wafer carrier with reticle template for marking reticle fields on a semiconductor wafer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI800156B (zh) * 2021-02-03 2023-04-21 采鈺科技股份有限公司 曝光遮罩
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