KR20060113106A - Electron emission device - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일실시예를 나타내는 부분확대 사시도이다.1 is a partially enlarged perspective view showing an embodiment of an electron emission device according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일실시예를 나타내는 부분확대 단면도이다.2 is a partially enlarged cross-sectional view showing an embodiment of an electron emission device according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 다른 실시예를 나타내는 부분확대 사시도이다.3 is a partially enlarged perspective view showing another embodiment of an electron emission device according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 다른 실시예를 나타내는 부분확대 단면도이다.4 is a partially enlarged cross-sectional view showing another embodiment of the electron emission device according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 또 다른 실시예를 나타내는 부분확대 단면도이다.5 is a partially enlarged cross-sectional view showing still another embodiment of the electron emission device according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 또 다른 실시예에 있어서 전극의 구조를 나타내는 부분확대 평면도이다.6 is a partially enlarged plan view illustrating the structure of an electrode according to still another embodiment of an electron emission device according to the present invention.
본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 절연층 및/또 는 절연막을 형성하기 전에 확산방지막을 형성하는 것에 의하여 소성시에 하부의 전극물질이 위쪽으로 확산하여 전극간의 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emitting device, and more particularly, by forming a diffusion barrier film before forming an insulating layer and / or an insulating film, a lower electrode material diffuses upward during firing and a short circuit between electrodes occurs. It relates to an electron emitting device that can prevent the thing.
일반적으로 전자 방출 소자(Electron Emission Device)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다. 상기에서 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계방출 어레이(FEA;Field Emitter Array)형, 표면전도 에미션(SCE;Surface-Conduction Emission)형, 금속-유전층-금속(MIM;Metal-Insulator-Metal)형 및 금속-유전층-반도체(MIS;Metal-Insulator-Semiconductor)형, 발리스틱(BSE;Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.In general, an electron emission device may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source. The electron emission device using the cold cathode may include a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, and a metal-dielectric layer-metal (MIM) type. Metal-type, metal-insulator-semiconductor (MIS) type, ballistic electron surface emitting (BSE) type, and the like are known.
상기에서 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질을 전자방출원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의하여 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 흑연, 다이아몬드상 카본(DLC) 등의 탄소계 물질 및 나노튜브(nano tube)나 나노와이어(nano wire) 등의 나노물질을 전자방출원으로 적용하는 기술이 개발되고 있다.The FEA type electron emission device uses a principle that electrons are easily emitted by an electric field in vacuum when a material having a low work function or a large aspect ratio is used as the electron emission source, and molybdenum (Mo) or silicon ( An electron emission source is a tip structure having a sharp tip (Si) or the like, carbonaceous materials such as graphite or diamond-like carbon (DLC), and nanomaterials such as nanotubes or nanowires. Application techniques are being developed.
상기 전자 방출 소자의 전형적인 구조는, 서로 대향하는 두 기판 중 제1기판 위에 전자방출부가 형성되고, 전자방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로 캐소드 전극과 게이트 전극이 형성되며, 제1기판에 대향하는 제2기판의 일면에 형광층과 더불어 형광층을 고전위 상태로 유지시키는 애노드 전극이 형성되는 구성으 로 이루어진다.In the typical structure of the electron emitting device, an electron emission unit is formed on a first substrate of two substrates facing each other, and a cathode electrode and a gate electrode are formed as driving electrodes for controlling electron emission of the electron emission unit. It consists of a configuration in which an anode electrode for maintaining the fluorescent layer in a high potential state together with the fluorescent layer on one surface of the opposite second substrate is formed.
그리고 상기 게이트 전극과 절연층을 사이에 두고 제2게이트 전극 또는 집속전극을 형성한다.A second gate electrode or a focusing electrode is formed with the gate electrode and the insulating layer interposed therebetween.
종래 전자 방출 소자에 있어서 게이트 전극 위에 스크린 인쇄 등의 방법을 이용하여 후막의 절연층을 형성하는 경우에는 이를 소성하는 과정을 필요로 하는 데, 소성 공정에서 하부의 게이트 전극을 이루는 전극물질이 후막의 절연층쪽으로 확산을 하여 절연층 위쪽에 형성되는 제2게이트 전극 또는 집속전극과 단락(short)을 유발시키는 문제가 있다.In the conventional electron emission device, when the insulating layer of the thick film is formed on the gate electrode by using a method such as screen printing, a process of firing the insulating layer is required. In the firing process, the electrode material forming the lower gate electrode is formed in the thick film. Diffusion toward the insulating layer may cause a short with the second gate electrode or focusing electrode formed above the insulating layer.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 후막의 절연층이나 절연막 하부에 박막의 확산방지막을 형성하여 하부의 전극 물질이 상부로 확산하는 것이 방지하여 전극간의 단락을 방지한 전자 방출 소자를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to solve the above problems, by forming a diffusion barrier of the thin film on the insulating layer or the insulating film of the thick film to prevent the diffusion of the lower electrode material to the upper to prevent short-circuit between the electrodes It is for providing an element.
본 발명이 제안하는 전자 방출 소자는 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판 상에 형성되고 적어도 2개 이상의 전극과 제2기판을 향하여 실제 전자가 방출되는 전자방출부로 구성된 다수의 전자방출구조체와, 상기 제2기판 상에 형성되고 제1기판의 전자방출구조체에서 방출된 전자에 의해 발광하는 발광구조체를 포함하여 이루어지고, 상기 전자방출구조체는 상기 제1기판 상에 서로 단락되지 않도록 형성되는 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1기판 상에 형 성되고 제2기판을 향하여 실제 전자가 방출되는 전자방출부와, 상기 제1전극 및 제2전극과 절연층을 사이에 두고 형성되고 상기 전자방출부에서 방출되어 상기 제2기판쪽으로 진행하는 전자빔을 집속시키는 집속전극을 포함하여 이루어지고, 상기 절연층과 상기 제1전극 및 제2전극 사이에는 절연물질로 이루어지는 박막의 확산방지막을 형성한다.The electron emitting device proposed by the present invention includes a first substrate and a second substrate which are disposed to face each other at a predetermined interval, and are formed on the first substrate to emit actual electrons toward at least two electrodes and the second substrate. And a light emitting structure that is formed on the second substrate and emits light by electrons emitted from the electron emitting structure of the first substrate, wherein the electron emitting structure includes the first emission structure. A first electrode and a second electrode formed on the substrate so as not to be short-circuited with each other, an electron emitting portion formed on the first substrate and emitting actual electrons toward the second substrate, and the first electrode and the second electrode And a focusing electrode formed with the insulating layer interposed therebetween and focusing an electron beam emitted from the electron emission part and traveling toward the second substrate. Between the electrode and the second electrode to form a diffusion preventing film of a thin film made of an insulating material.
상기 확산방지막은 증착 또는 졸-겔 코팅(sol-gel coating) 등을 이용하여 형성한다.The diffusion barrier is formed by vapor deposition or sol-gel coating.
다음으로 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하다.Next, a preferred embodiment of the electron emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1∼도 4는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일실시예 및 다른 실시예로서 FEA형 전자 방출 소자를 나타내며, 도 5∼도 6은 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 또 다른 실시예로서 SCE형 전자 방출 소자를 나타낸다.1 to 4 show an FEA type electron emitting device as one embodiment and another embodiment of the electron emitting device according to the present invention, and FIGS. 5 to 6 are SCEs as another embodiment of the electron emitting device according to the present invention. Type electron emission element is shown.
먼저 도 1∼도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일실시예인 FEA형 전자 방출 소자는 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판(20) 및 제2기판(22)과, 상기 제1기판(20) 상에 소정의 간격으로 형성되는 다수의 캐소드 전극인 제1전극(24)과, 절연막(25)을 사이에 두고 상기 제1전극(24) 위에 교차하는 패턴으로 형성되는 다수의 게이트 전극인 제2전극(26)과, 상기 제2전극(26)과 교차하는 부분의 제1전극(26) 위에 형성되는 전자방출부(28)와, 상기 제2기판(22) 상에 형성되는 애노드 전극(30)과, 상기 애노드 전극(30)의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막(33)과, 상기 제1기판(20)과 제2기판(22) 사이에 설치되고 상기 전자방출부(28)를 벗어난 위치에 설치되는 스페이서(60)와, 절연층(50)을 사이에 두고 상기 제1기판(20)의 제1전극(24) 및 제2전극(26) 위에 형성되며 상기 전자방출부(28)에서 방출된 전자빔이 통과하는 빔통과공(41)이 소정의 패턴으로 배열되어 형성되는 집속전극(40)을 포함하여 이루어진다.First, as shown in FIGS. 1 and 2, an FEA type electron emitting device, which is an embodiment of an electron emitting device according to the present invention, includes a
상기 집속전극(40)은 포커싱(focusing)전극으로서 상기 전자 방출원(28)에서 방출되는 전자빔의 집속 성능을 높이는 역할과 애노드 전극(30)의 전계를 차폐하는 역할을 한다. 상기 집속전극(40)은 제2게이트 전극으로 기능하는 것도 가능하다.The focusing
상기 집속전극(40)과 게이트 전극인 제2전극(26) 사이에는 전기적인 절연을 위하여 절연층(50)을 형성한다. 상기 절연층(50)에는 상기 전자방출부(28)에 대응되는 위치에 빔통과공을 형성한다.An
상기 절연층(50)은 대략 수십㎛ 정도의 두께를 갖는 후막으로 형성한다.The
그리고 상기 절연층(50)과 게이트 전극인 제2전극(26) 사이에는 대략 수㎛ 정도의 두께를 갖는 박막으로 확산방지막(52)을 형성한다.In addition, a
상기 확산방지막(52)은 폴리이미드, BCB(benzocyclobutene), SiO2, Si3N4, SiO 등의 절연물질을 이용하여 형성하고, CVD 증착이나 졸-겔 코팅(sol-gel coating) 등을 이용하여 형성한다.The
즉 상기 제2전극(26)을 형성한 다음에, 박막의 확산방지막(52)을 형성하고, 확산방지막(52) 위에 후막의 절연층(50)을 형성한다.That is, after the
상기와 같이 박막의 확산방지막(52)을 형성하게 되면, 후막의 절연층(50)을 형성하고 소성을 행하는 공정에서 하부에 형성된 제2전극(26)의 전극물질이 절연층(50)으로 확산되는 것을 방지하는 것이 가능하다. 따라서 제2전극(26)과 집속전극(40)이 단락하는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능하다.When the
그리고 절연층(50)을 형성하는 과정에서 국부적으로 절연물질이 형성되지 않는 경우에도 제2전극(26)과 집속전극(40) 사이의 단락을 방지하는 것이 가능하다.In addition, even when the insulating material is not locally formed in the process of forming the
상기에서 제1전극(24) 및 제2전극(26)과, 전자방출부(28), 집속전극(40)은 제2기판(22)을 향하여 실제 전자를 방출하는 전자방출구조체를 구성한다.In the above, the
그리고 애노드 전극(30)과 형광막(32)은 상기 제1기판(20)의 전자방출구조체에서 방출된 전자에 의해 발광하는 발광구조체를 구성한다.The
상기 제1전극(24) 및 제2전극(26)은 스트라이프 패턴으로 형성하며, 서로 직교하는 방향으로 배열하여 형성한다. 예를 들면 상기 제1전극(24)은 도 1의 X축 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성하고, 상기 제2전극(26)은 도 1의 Y축 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성한다.The
상기 제1전극(24) 및 제2전극(26)의 사이에는 제1기판(20)의 전체 면적에 걸쳐서 절연막(25)을 형성한다.An
상기에서 제1전극(24)과 제2전극(26)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극인 제1전극(24) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자방출부(28)를 형성하고, 상기 절연막(25)과 게이트 전극인 제2전극(26)에는 각 전자방출부(28)에 대응하는 개구부를 형성하여 제1기판(20) 상에 전자방출부(28)가 노출되도록 한다.If the cross region of the
도면에서는 전자방출부(28)가 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 제1전극(24)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성으로 나타냈지만, 전자방출부(28)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도면에 나타낸 예에 한정되지 않는다.In the figure, although the
상기 전자방출부(28)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질로써 탄소계 물질 또는 나노물질(나노미터 사이즈 물질)등으로 이루어진다. 상기 전자방출부(28)로 사용하는 바람직한 물질로는 흑연(graphite), 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC;Diamond Liked Carbon), C60(fulleren) 등의 탄소계 물질 또는 탄소나노튜브(CNT;Carbon Nanotube), 흑연 나노파이버, 실리콘 나노와이어 등의 나노물질 및 이들의 조합 물질이 있다.The
또 상기에서는 제1기판(20)에 캐소드 전극인 제1전극(24)을 형성하고 그 위에 절연막(25)을 사이에 두고 게이트 전극인 제2전극(26)을 형성하는 것으로 설명하였지만, 제1기판(20)에 게이트 전극인 제2전극(26)을 형성하고 그 위에 절연막을 사이에 두고 캐소드 전극인 제1전극(24)을 형성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 제1전극(24)과 제2전극(26)의 교차영역 부분의 캐소드 전극인 제1전극(24) 표면에 직접 전자방출부(28)를 형성한다.In the above description, the
그리고 상기 제1기판(20)에 대향하는 제2기판(22)의 일면에는 형광막(32)과 흑색영역(33)이 형성되고, 형광막(32)과 흑색영역(33) 일면에는 알루미늄과 같은 도전성을 갖는 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(30)이 형성된다. 상기 애노드 전극(30)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광막(32)에서 방사된 가시광 중 제1기판(20)을 향해 방사된 가시광을 제2기판(22)쪽으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.A
한편, 애노드 전극(30)은 금속막이 아닌 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 광투과율이 우수한 투명한 도전막으로 구성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 상기 애노드 전극은 제2기판(22)을 향한 형광막(32)과 흑색영역(33)의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성되는 것도 가능하다.Meanwhile, the
상기 제2기판(22)에 형성되는 형광막(32)은 적색(R) 형광막(32R), 녹색(G) 형광막(32G), 청색(B) 형광막(32B)을 소정의 간격을 두고 차례로 교대로 배열하여 이루어진다. 상기 각각의 형광막(32R), (32G), (32B) 사이에는 콘트라스트 향상을 위하여 흑색영역(33)을 형성한다.The
상기 형광막(32)은 각 형광체가 소정의 패턴으로 배열되어 형성된다.The
상기와 같이 구성되는 제1기판(20)과 제2기판(22)은 전자방출부(28)와 형광막(32)이 마주한 상태에서 소정의 간격을 두고 실링물질(frit)인 밀봉재(도면에 나타내지 않음)에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간은 배기시켜 진공상태를 유지한다.The
그리고 제1기판(20)과 제2기판(22)의 간격을 일정하게 유지시키기 위하여 상기 스페이서(60)를 제1기판(20)과 제2기판(22)의 사이에 소정의 간격으로 배열하여 설치한다. 상기 스페이서(60)는 화소의 위치 및 전자빔의 경로를 피하여 비발광 영역에 설치하는 것이 바람직하다.The
상기 스페이서(60)는 도 1 내지 도 2에 나타낸 바와 같이,상기 제1기판(20)과 제2기판(22)을 지지하여 일정한 간격을 유지하도록 설치된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the
그리고 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 다른 실시예는 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기한 일실시예에 있어서 상기 제1전극(24)과 제2전극(26) 사이에 형성되는 절연막(25)의 하부에 확산방지막(54)을 형성한다.Another embodiment of the electron emission device according to the present invention is an insulating film formed between the
즉 상기 제1전극(24)과 절연막(25) 사이에 절연물질로 이루어지는 박막의 확산방지막(54)을 형성한다.That is, a thin
상기 확산방지막(54)는 상기 확산방지막(52)과 마찬가지로 대략 수㎛ 정도의 두께를 갖는 박막으로 형성하고, 폴리이미드, BCB(benzocyclobutene), SiO2, Si3N4, SiO 등의 절연물질을 이용하여 형성하고, CVD 증착이나 졸-겔 코팅(sol-gel coating) 등을 이용하여 형성한다.The
상기 확산방지막(54)은 제1전극(24)을 형성한 다음 절연막(25)을 형성하기 전에 형성한다.The
상기와 같이 확산방지막(54)을 형성하게 되면, 대략 수십㎛ 정도 두께의 후막으로 절연막(25)을 형성하고 소성하는 과정에서 제1전극(24)의 전극물질이 절연막(25)쪽으로 확산하여 제1전극(24)과 절연막(25) 위에 형성되는 제2전극(26)이 서로 단락되는 것을 방지하는 것이 가능하다.When the
상기한 다른 실시예에 있어서도 상기한 구성 이외에는 상기한 일실시예와 마찬가지의 구성으로 실시하는 것이 가능하므로 상세한 설명은 생략한다.Also in the above-described other embodiments, the present invention can be implemented in the same configuration as the above-described embodiment except for the above-described configuration, and thus detailed description thereof will be omitted.
그리고 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 또 다른 실시예인 SCE형 전자 방출 소자는 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판(20) 및 제2기판(22)과, 상기 제1기판(20) 상에 소정의 간격을 두고 서로 대향하여 형성되는 제1전극(72) 및 제2전극(74)과, 상기 제1전극(72) 및 제2전극(74)에 연결되어 형성되는 전자방출부(78)와, 상기 제2기판(22) 상에 형성되는 애노드 전극(30)과, 상기 애노드 전극(30)의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막(32)과, 절연층(50)을 사이에 두고 상기 제1기판(20)의 제1전극(72) 및 제2전극(74) 위에 형성되며 상기 전자방출부(78)에서 방출된 전자빔이 통과하는 빔통과공(41)이 소정의 패턴으로 배열되어 형성되는 집속전극(40)과, 상기 제1기판(20)과 제2기판(22) 사이의 간격을 일정하게 유지하는 스페이서(60)를 포함하여 이루어진다.In addition, as shown in FIGS. 5 and 6, the SCE type electron emitting device, which is another embodiment of the electron emitting device according to the present invention, has a
상기 제1전극(72)과 제2전극(74)은 상기 제1기판(20)의 동일 평면상에 형성된다.The
상기에서 제1전극(72) 및 제2전극(74)에는 각각 표면의 일부를 덮으면서 서로 근접하도록 제1도전박막(73) 및 제2도전박막(75)을 형성하고, 상기 전자방출부(78)는 서로 근접하여 형성되는 상기 제1도전박막(73)과 제2도전박막(75) 사이에 상기 제1도전박막(73) 및 제2도전박막(75)과 연결되어 형성된다. 따라서 상기 전자방출부(78)는 제1도전박막(73) 및 제2도전박막(75)을 통하여 상기 제1전극(72) 및 제2전극(74)에 전기적으로 연결된다.In the
상기에서 제1전극(72) 및 제2전극(74)에 각각 전압을 인가하면, 제1도전박막(73)과 제2도전박막(75)을 통하여 작은 면적의 박막으로 형성되는 전자방출부(78) 의 표면과 수평으로 전류를 흐르면서 표면전도형 전자 방출이 이루어진다.When the voltage is applied to the
상기 제1전극(72)과 제2전극(74) 사이의 간격은 대략 수십nm~수백㎛ 정도의 범위에서 설정한다.An interval between the
상기 제1전극(72) 및 제2전극(74)은 전기적으로 도전성을 가진 다양한 재료가 사용가능하며, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt), 티탄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag) 등의 금속 및 그 합금, 금속산화물로 이루어지는 인쇄도체 및 ITO 등의 투명전극 등이 모두 사용가능하다.The
상기 제1도전박막(73) 및 제2도전박막(75)은 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 등의 도전성 재료를 이용한 미립자 박막으로 형성한다.The first conductive
상기 전자방출부(78)는 흑연형 탄소나 탄소화합물 등으로 형성하는 것이 바람직하다. 또 상기 전자방출부(78)는 상기한 일실시예와 마찬가지로, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 카본 나노튜브, C60 등에서 선정하여 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 형성하는 것도 가능하다.The
상기에서 제1전극(72) 및 제2전극(74), 제1도전박막(73) 및 제2도전박막(75), 전자방출부(78), 집속전극(40)은 제2기판(22)을 향하여 실제 전자를 방출하는 전자방출구조체를 구성한다.The
그리고 애노드 전극(30)과 형광막(32)은 상기 제1기판(20)의 전자방출구조체에서 방출된 전자에 의해 발광하는 발광구조체를 구성한다.The
상기한 또 다른 실시예에 있어서도 상기 제1전극(72) 및 제2전극(74)과 상기 집속전극(40) 사이에 대략 수십㎛ 정도의 두께를 갖는 후막의 절연층(50)이 형성된다.In another embodiment described above, a thick insulating
그리고 상기 절연층(50)과 상기 제1전극(72) 및 제2전극(74) 사이에는 대략 수㎛ 정도의 두께를 갖는 박막의 확산방지막(52)이 형성된다.A thin
상기한 또 다른 실시예에 있어서도 상기한 구성 이외에는 상기한 일실시예 및 다른 실시예와 마찬가지의 구성으로 실시하는 것이 가능하므로 상세한 설명은 생략한다.Also in the above-described other embodiments, the present invention can be implemented in the same configurations as the above-described embodiments and other embodiments except for the above-described configuration, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.
상기한 실시예에서 설명하지 않은 구체적인 구성은 일반적인 FEA형 전자 방출 소자나 SCE형 전자 방출 소자의 다양한 구성을 적용하여 실시하는 것이 가능하다.The specific configuration not described in the above embodiments can be implemented by applying various configurations of a general FEA type electron emission device or SCE type electron emission device.
상기에서는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.In the above, a preferred embodiment of the electron emitting device according to the present invention has been described. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims, the detailed description of the invention, and the accompanying drawings. This also belongs to the scope of the present invention.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 전자 방출 소자에 의하면, 후막의 절연층 및/또는 절연막을 형성하기 전에 박막의 확산방지막을 형성하므로, 확산방지막에 의하여 후막의 절연층 및/또는 절연막을 형성하고 소성하는 과정에서 하부에 형성된 전극의 전극물질이 상부로 확산하는 것을 방지하는 것이 가능하고, 전극 사이의 단락을 확실하게 방지할 수 있다.According to the electron-emitting device according to the present invention made as described above, the diffusion barrier of the thin film is formed before the insulating layer and / or the insulating film of the thick film is formed, thereby forming the insulating layer and / or insulating film of the thick film by the diffusion barrier film and firing In the process, it is possible to prevent the electrode material of the electrode formed in the lower portion from diffusing to the upper portion, it is possible to reliably prevent the short circuit between the electrodes.
그리고 본 발명에 따른 전자 방출 소자에 의하면, 후막의 절연층 및/또는 절연막에 더하여 박막의 확산방지막을 형성하므로, 절연성능이 향상되고 내전압 성능이 향상된다.In addition, according to the electron-emitting device according to the present invention, since the diffusion barrier of the thin film is formed in addition to the insulating layer and / or the insulating film of the thick film, the insulating performance is improved and the withstand voltage performance is improved.
본 발명에 따른 전자 방출 소자에 의하면, 박막의 확산방지막을 형성한 다음에 후막의 절연층 및/또는 절연막을 형성하므로, 후막의 절연층 및/또는 절연막을 형성하는 과정에서 국부적으로 결점이 발생하는 경우에도 전극 사이의 단락을 확실하게 방지하는 것이 가능하다.According to the electron-emitting device according to the present invention, since the diffusion barrier of the thin film is formed and then the insulating layer and / or the insulating film of the thick film is formed, local defects occur in the process of forming the insulating layer and / or the insulating film of the thick film. Even in this case, it is possible to reliably prevent a short circuit between the electrodes.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050035982A KR20060113106A (en) | 2005-04-29 | 2005-04-29 | Electron emission device |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020050035982A KR20060113106A (en) | 2005-04-29 | 2005-04-29 | Electron emission device |
Publications (1)
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KR20060113106A true KR20060113106A (en) | 2006-11-02 |
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ID=37651518
Family Applications (1)
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KR1020050035982A KR20060113106A (en) | 2005-04-29 | 2005-04-29 | Electron emission device |
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2005
- 2005-04-29 KR KR1020050035982A patent/KR20060113106A/en not_active Application Discontinuation
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