KR20060113048A - 액정표시자치용 어레이 기판과 그 제조방법 - Google Patents

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KR20060113048A
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 단선된 배선을 수리할 수 있는 수단을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판은, 게이트 배선과 교차하는 부분에서 데이터 배선이 끊기는 불량으로 인해 액정패널이 패기 되는 문제를 해결하기 위한 것으로, 게이트 배선과 교차하는 부근의 데이터 배선의 상부에 별도의 수리배선을 구성하되 이를 화소 전극과 동일한 물질로 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 하면, 두 배선의 교차부분에서 신호배선이 끊겼을 경우 기판 형태 또는 액정패널로 완성된 후에 불량이 발견되었을 경우에도 수리가 가능하다.
따라서, 액정패널의 불량을 낮출 수 있으므로 생산수율을 개선할 수 있는 장점이 있다.

Description

액정표시자치용 어레이 기판과 그 제조방법{The substrate for LCD and method for fabricating of the same}
도 1은 액정표시패널을 개략적으로 도시한 도면이고,
도 2는 수리배선을 포함하는 종래에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 단일화소를 확대한 평면도이고,
도 3은 데이터 배선이 단선되었을 경우, 수리배선을 이용하여 이를 수리하는 공정을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 제 1 및 제 2 수리배선을 포함하는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 단일 화소를 확대한 평면도이고,
도 5는 게이트 배선과 교차하는 부근에서 데이터 배선이 단선되었을 경우, 제 2 수리배선을 이용하여 이를 수리하는 공정을 설명하기 위한 도면이고,
도 6a 내지 도 10a와 도 6b 내지 도 10b는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ,Ⅶ-Ⅶ을 따라 절단하여 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 배선
104 : 게이트 전극 106 : 제 1 수리배선
110 : 액티브층 112 : 오믹 콘택층
114 : 소스 전극 116 : 드레인 전극
118 : 데이터 배선 124 : 화소 전극
126 : 제 2 수리배선
본 발명은 액정표시장치(LCD)용 어레이기판에 관한 것으로 특히, 수리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다.
상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상을 표현하게 된다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판(상부기판)과 화소전극이 형성된 어레이기판(하부기판)과, 상부 및 하부기판 사이에 충진된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이하, 도 1을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구성을 개략적으로 설명한다.
도 1은 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 액정패널(51)은 액정층(11)을 사이에 두고 서로 이격하여 구성된 제 1 기판(5)과 제 2 기판(10)으로 구성되며, 상기 제 2 기판(10)과 마주보는 제 1 기판(5)의 일면에는 블랙매트릭스(6)와 서브컬러필터(적, 녹, 청)(7)를 포함한 컬러필터(8)와, 컬러필터 상에 투명한 공통전극(9)이 구성된다.
상기 제 1 기판(5)과 마주보는 제 2 기판(10)에는 다수의 화소영역(P)이 정의되며, 상기 화소영역(P)의 일 측을 지나 연장 형성된 게이트 배선(14)과, 게이트 배선(14)이 지나는 화소영역(P)의 일측과 평행하지 않은 타측을 지나 연장 형성된 데이터 배선(26)이 구성된다.
이러한 구성으로 인해, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(14)과 데이터배선(26)이 교차하여 정의되는 영역이 되며, 두 배선의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소영역(P)에는 상기 박막트랜지스터(T)와 접촉하는 투명한 화소전극 (32)이 구성되고 이는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속으로 형성한다.
전술한 구성에서, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트 배선(14)과 연결된 게이트 전극(30)과, 상기 게이트 전극(30)의 상부에 반도체층(32)과, 상기 반도체층(32)의 상부에 위치하고 상기 데이터 배선(26)과 접촉하는 소스 전극(34)과, 상기 소스 전극(34)과 이격되어 위치하고, 상기 화소 전극(32)과 접촉하는 드레인 전극(36)을 포함한다.
전술한 바와 같이 구성된 액정표시장치용 어레이기판은, 대략 5~6 마스크 공정을 거쳐 제작되며 이를 간략히 소개하면 아래와 같다.
아래 공정은 5 마스크 공정을 예를 들어 설명한 것이며, 마스크 공정만을 나열한 것이다.
제 1 마스크 공정 : 박막트랜지스터의 게이트 전극과, 이와 연결된 게이트 배선 형성공정.
제 2 마스크 공정 : 상기 게이트 전극의 상부에 절연막을 사이에 두고 위치하는 액티브층과 오믹 콘택층 형성공정.
제 3 마스크 공정 : 상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결되고 상기 오믹 콘택층의 상부로 연장된 소스 전극과 이와 이격된 드레인 전극 형성공정.
제 4 마스크 공정 : 기판의 전면에 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극을 노출하는 콘택홀을 형성하는 공정.
제 5 마스크 공정 : 상기 콘택홀을 통해 접촉하는 화소 전극을 형성하는 공정.
이상과 같은 5 마스크 공정으로 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
이와 같이 다수의 순차적인 공정을 통해 어레이 기판이 제작되기 때문에 각 공정에서 공정상 문제가 발생할 수 있으며 특히, 배선의 끊김 불량은 자주 발생하는 공정 불량중의 하나이다.
특히, 상기 데이터 배선이 끊기는 불량은 상기 게이트 배선이 끊기는 불량에 비해 문제가 심각하다.
왜냐하면, 상기 데이터 배선을 형성하기 전 이미 다수의 공정이 완료된 상태이기 때문에 공정상 비용 및 시간이 허비되어 공정수율을 낮추는 문제가 되기 때문이다.
따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 상기 데이터 배선의 하부에 수리배선을 구성하여 데이터 배선이 끊기는 불량이 발생하였을 경우, 이를 수리할 수 있는 구조를 제안하였다.
도 2는 종래에 따른 수리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 단일 화소를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(60) 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(62)과, 게이트 배선(62)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(70)이 구성된다.
상기 게이트 배선(62)과 데이터 배선(70)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(62)과 연결된 게이트 전극(64)과, 게이트 전극(64)의 상부에 액티브층(68a)과 오믹 콘택층(68b)과, 오믹 콘택층(68b)의 상부에 이와 접촉하고 상기 데이터 배선(70)과 접촉하는 소스 전극(72)과, 소스 전극(72)과 이격되어 구성된 드레인 전극(74)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
이때, 상기 소스 및 드레인 전극(72,74) 사이에서 노출된 채널을 "U"형상으로 구성하기 위해, 상기 소스 전극(72)은 "U"형상으로 형성하고, 상기 드레인 전극(74)은 상기 소스 전극(72)의 내부에서 이와 평행하게 이격하여 위치한 막대형상으로 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(74)과 접촉하는 화소 전극(78)을 구성한다.
이때, 상기 게이트 배선(62)에서 화소 영역(P)으로 연장부(D)를 형성하고, 상기 연장부(D)의 상부에 절연막(미도시)을 사이에 두고 상기 화소 전극(78)을 연장하여 구성함으로서 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성할 수 있다.
전술한 구성에서 특징적인 것은, 상기 데이터 배선(70)의 하부에 수리배선(66)을 더욱 구성한 것이다.
상기 수리 배선(66)은 상부의 데이터 배선(70)이 단선되었을 경우, 이를 대신하기 위한 것이다.
이하, 도 3은 도 2의 A를 확대한 도면으로, 단선된 데이터 배선을 수리하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도시한 바와 같이, 상부에 데이터 배선(70)이 단선된 상태를 발견하였을 경우, 상기 데이터 배선(70)의 단선된 부분(B)의 상.하에 포인트(C1,C2)를 잡고 레이저를 이용하여 데이터 배선(70)과 하부의 수리배선(66)을 용접하는 공정을 진행한다.
이와 같이 하면, 데이터 배선(70)이 끊겨진 부분(B)에서는 수리배선(66)이 신호를 전달하는 역할을 하게 된다.
그런데, 상기 수리배선(66)을 구성할 때는 공정을 추가하지 않기 위해, 상기 게이트 전극 및 게이트 배선(도 2의 64,62)과 동일한층에서 동일 마스크로 형성하게 된다.
따라서, 상기 게이트 배선(도 2의 62)이 지나가는 부분은 수리 배선(66)을 형성할 수 없다.
이와 같은 경우, 도 2의 B부분과 같이 상기 수리배선(66)이 위치하지 않는 두 배선의 교차부분에서 상기 데이터 배선(70)이 단선되었을 경우에는 이를 수리할 수 있는 방법이 없다.
이러한 불량이 액정패널을 완성한 후 발견되었을 경우, 수리가 불가능하여 상기 액정패널을 폐기해야 하며, 실제로 매월 100개 이상의 불량품이 폐기되고 있다.
따라서, 공정상 비용증가 및 생산수율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 어레이기판의 구성 중 화소 영역의 일 측에 구성하는 데이터 배선의 단선발생시, 단선위치에 상관없이 수리가 가능하여 결함(점결함 및 선결함)이 발생하지 않는 액정표시장치를 제작하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판은 기판과; 상기 절연기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 데이터 배선의 하부에 위치하고, 상기 게이트 배선과 접촉하지 않도록 독립적으로 구성된 제 1 수리배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 투명 화소 전극과; 상기 게이트 배선과 교차하는 부근의 데이터 배선의 상부에 위치하는 제 2 수리배선을 포함한다.
상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 게이트 전극 상부의 액티브층 및 오믹 콘택층과, 오믹 콘택층 상부에서 이격되고 상기 데이터 배선과 접촉하는 소스 전극과 상기 화소 전극과 접촉하는 드레인 전극을 포함한다.
상기 제 1 수리배선은 상기 게이트 배선과 동일층 동일물질로 구성되고, 상기 제 2 수리배선은 상기 화소 전극과 동일층 동일물질로 구성된다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 기판 상에 상기 화소 영역의 일 측에 연장 구성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 접촉하지 않도록 상기 화소 영역의 사이영역 마다 제 1 수리배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차하고, 상기 제 1 수리배선의 상부로 연장 구성된 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하고 상기 화소 영역에 위치하는 투명 화소 전극과, 상기 게이트 배선과 교차하고 상기 제 1 수리배선이 하부에 위치하지 않는 데이터 배선의 상부에 제 2 수리배선을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 게이트 전극 상부의 액티브층 및 오믹 콘택층과, 오믹 콘택층 상부에서 이격되고 상기 데이터 배선과 접촉하는 소스 전극과 상기 화소 전극과 접촉하는 드레인 전극을 포함한다.
상기 제 1 수리배선은 상기 게이트 배선과 동일층 동일물질로 형성되고, 상기 제 2 수리배선은 상기 화소 전극과 동일층 동일물질로 형성된다.
상기 화소 전극과 제 2 수리배선은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
도 4는 수리배선을 포함하는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 한 화소를 확대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(100) 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(102)과, 게이트 배선(102)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(118)을 구성한다.
상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(118)의 교차지점에는 상기 게이트 배선(102)과 연결된 게이트 전극(104)과, 게이트 전극(104) 상부의 액티브층(110)과 오믹 콘택층(112)과, 오믹 콘택층(112) 상부에 위치하고 상기 데이터 배선(118)과 접촉하는 소스 전극(116)과 이와 소정간격 이격하여 하부의 액티브층(110)을 노출하는 드레인 전극(116)을 포함하는 박막트랜지스터( T)를 구성한다.
이때, 상기 소스 전극(114)은 "U"형상으로 구성하고 상기 드레인 전극(116)은 상기 소스 전극(114)의 내부에서 이와 평행하게 위치하도록 막대 형상으로 구성한다.
이와 같이 하면, 상기 소스 및 드레인 전극(114,116)이 이격된 사이로 노출된 액티브 채널을 "U"형상으로 구성할 수 있다.
이와 같은 경우, 캐리어(carrier)가 이동하는 채널의 길이를 짧게 하고 채널의 폭을 넓게 할 수 있기 때문에 온 전류(on current)가 증가하는 결과를 얻을 수 있다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(116)과 접촉하는 투명한 재질의 화소 전극(124)을 구성한다.
이때, 상기 게이트 배선(102)에서 화소 영역(P)으로 연장부(D)를 형성하고, 상기 연장부(D)의 상부에 절연막(미도시)을 사이에 두고 상기 화소 전극(124)을 연장하여 구성함으로서 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성할 수 있다.
전술한 구성에서, 특징적인 것은, 상기 화소 영역(P)에 대응하는 데이터 배선(120)의 하부에 상기 게이트 배선(102)과 동일층 동일물질로 제 1 수리배선(106)을 구성하고, 상기 게이트 배선(102)이 교차하는 부분의 데이터 배선(118) 상부에 상기 화소전극(124)과 동일층 동일물질로 제 2 수리 배선(126)을 구성하는 것이다.
이러한 구성은, 상.하의 화소 영역을 중심으로 상.하로 각각 위치한 제 1 수리배선(106) 사이에 상기 제 2 수리배선(126)이 걸쳐 구성된 형상이 된다.
전술한 제 2 수리배선(126)으로 인해 종래 제 1 수리배선(106)만으로 수리가 되지 않았던 영역 즉, 게이트 배선(102)과 교차부근에서 단선된 데이터 배선(118)을 수리 할 수 있게 된다.
이하, 도 5는 게이트 배선(102)과 교차하는 부근에서 데이터 배선(118)이 단선되었을 경우, 제 2 수리배선(126)을 이용하여 수리하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도시한 바와 같이, 도 4에서 설명하였던 제 1 수리 배선(106)이 형성되지 않은 영역의 데이터 배선(118)의 상부에 제 2 수리배선(126)을 구성함으로서, 상기 데이터 배선(118)이 단선되었을 경우, 단선된 부분(F)을 중심으로 상부와 하부에 각각 포인트(C1,C2)를 잡아 레이저(laser)를 조사하는 방식으로 데이터 배선(118)과 상부의 제 2 수리배선(126)을 연결한다.
이와 같이 하면, 상기 단선된 부분에서는 데이터 신호가 제 2 수리배선(126) 을 통해 흐르기 때문에 신호가 끊겨 화소가 구동하지 않는 불량은 발생하지 않는다.
이하, 공정도면을 참조하여 전술한 바와 같은 평면구조를 가지는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명 한다.
도 6a 내지 도 10a와 도 6b 내지 도 10b는 각각 도 4의 Ⅵ-Ⅵ,Ⅶ-Ⅶ을 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 6a와 도 6b는 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)과 제 1 수리배선(106)을 형성하는 공으로, 도시한 바와 같이 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P)을 정의한 기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo)등의 단일 금속이나 알루미늄(Al)/크롬(Cr)(또는 몰리브덴(Mo))등의 이중 금속층 구조이고 가로방향으로 연장된 게이트 배선(102)과, 상기 게이트 배선(102)과 연결되고 상기 스위칭 영역(S)에 위치하는 게이트 전극(104)을 형성한다.
동시에, 좌.우로 이웃하는 화소 영역(P)의 사이 영역에 막대형상의 제 1 수리배선(106)을 형성한다.
상기 제 1 수리배선(106)은 상기 게이트 배선(102)과 접촉하지 않는 길이로 좌.우로 이웃한 화소 영역(P)사이마다 독립적으로 구성한다.
다음으로, 상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)과 제 1 수리배선(106)이 형성된 기판(100)의 전면에 게이트 절연막(108)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(108)은 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)등이 포함된 무기절연물질 또는 경우에 따라서는 벤조사이클로 부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등이 포함된 유기절연물질 중 하나를 증착하여 형성한다.
도 7a와 도 7b는 액티브층(active layer)과 오믹 콘택층(ohmic contact layer)을 형성하는 공정으로, 도시한 바와 같이, 게이트 전극(104)에 대응하는 게이트 절연막(108)의 상부에 액티브층(110)과 오믹 콘택층(112)을 형성한다.
상기 액티브층(110)과 오믹 콘택층(112)은 상기 게이트 절연막(108)의 상부에 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ 또는 p+ a-Si:H)을 증착하여 이를 패턴함으로서 형성할 수 있다.
도 8a와 도 8b는 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)과 데이터 배선(118)을 형성하는 공정을 나타낸 도면으로, 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(110)과 오믹 콘택층(112)의 상부에 앞서 언급한 도전성 금속물질 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)과, 상기 소스 전극(114)과 연장되고 상기 게이트 배선(102)과 교차하여 상기 제 1 수리배선(106)의 상부로 연장되는 데이터 배선(118)을 형성한다.
연속하여, 상기 소스 전극(114)과 데이터 배선(118)의 이격된 사이로 노출된 오믹 콘택층(112)을 제거하여 하부의 액티브층(110)을 노출하는 공정을 진행한다.
이때, 상기 소스 전극(114)을"U"형상으로 형성하고, 상기 드레인 전극(116)은 상기 소스 전극(114)의 내부에서 이와는 평행하게 위치하는 막대형상으로 형성한다.
이와 같이 하면, 상기 소스 및 드레인 전극(114,116)의 형상에 의해 소스 및 드레인 전극(114,116)사이로 노출된 액티브층(110)은 "U"자형 채널로 형성된다.
이러한 형상은, 채널의 길이는 짧게 구성되고 채널폭은 넓게 구성되기 때문에 온 전류(on current)가 증가하는 장점이 있다.
도 9a와 도9b는 콘택홀을 포함하는 보호막(120)을 형성하는 공정을 도시한 도면으로, 상기 소스 및 드레인 전극(114,116)과 데이터 배선(118)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하거나 경우에 따라서, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 보호막(120)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(120)을 패턴하여 드레인 전극(116)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(122)을 형성한다.
도 10a와 10b는 화소 전극(124)과 제 2 수리배선(126)을 형성하는 공정을 도시한 도면으로, 상기 보호막(120)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(116)과 접촉하면서 상기 화소 영역(P)에 위치하는 화소 전극(124)을 형성한다.
동시에, 상기 제 1 수리배선(106)이 위치하지 않는 데이터 배선(118)의 상부에 이와 평면적으로 겹쳐지는 형상으로 제 2 수리배선(126)을 형성한다.
이때, 제 2 수리 배선(126)은 상기 제 1 수리배선(106)이 형성되지 않은 영역 즉, 상기 게이트 배선(102)과 교차하는 부분의 데이터 배선(118) 상부 마다 독립적으로 형성한다.
상기 제 2 수리배선(126)은 상기 상.하로 구성한 제 1 수리배선(106)에 걸쳐 구성된 형상이 된다.
이상으로, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판을 제작할 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 수리배선의 구성형태는 구동 방식에 상관없이 모든 능동 매트릭스형 액정표시장치용 어레이기판에 적용 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판은 게이트 배선과 교차하는 부근의 데이터 배선의 상부에 화소 전극과 동일한 물질로 수리배선을 더욱 구성함으로써, 데이터 배선이 단선되었을 경우 상기 수리배선을 이용하여 이를 수리할 수 있으므로, 액정패널로 완성된 후에 불량이 발견되었을 경우에도 수리가 가능하여 패널의 불량을 낮출 수 있으므로 생산수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 기판과;
    상기 절연기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 데이터 배선의 하부에 위치하고, 상기 게이트 배선과 접촉하지 않도록 독립적으로 구성된 제 1 수리배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 투명 화소 전극과;
    상기 게이트 배선과 교차하는 부근의 데이터 배선의 상부에 위치하는 제 2 수리배선
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 게이트 전극 상부의 액티브층 및 오믹 콘택층과, 오믹 콘택층 상부에서 이격되고 상기 데이터 배선과 접촉하는 소스 전극과 상기 화소 전극과 접촉하는 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 "U"형상으로 구성되고, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극의 내부에서 이와는 평행한 막대형상으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 수리배선은 상기 게이트 배선과 동일층 동일물질로 구성된 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 수리배선은 상기 화소 전극과 동일층 동일물질로 구성된 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 기판 상에 상기 화소 영역의 일 측에 연장 구성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 접촉하지 않도록 상기 화소 영역의 사이영역 마다 제 1 수리배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하고, 상기 제 1 수리배선의 상부로 연장 구성된 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하고 상기 화소 영역에 위치하는 투명 화소 전극과, 상기 게이트 배선과 교차하고 상기 제 1 수리배선이 하부에 위치하지 않는 데이터 배선의 상부에 제 2 수리배선을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 게이트 전극 상부의 액티브층 및 오믹 콘택층과, 오믹 콘택층 상부에서 이격되고 상기 데이터 배선과 접촉하는 소스 전극과 상기 화소 전극과 접촉하는 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 수리배선은 상기 게이트 배선과 동일층 동일물질로 형성된 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 수리배선은 상기 화소 전극과 동일층 동일물질로 형성된 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 제 2 수리배선은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
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