KR20060082142A - 원자층 증착 설비 - Google Patents

원자층 증착 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR20060082142A
KR20060082142A KR1020050002111A KR20050002111A KR20060082142A KR 20060082142 A KR20060082142 A KR 20060082142A KR 1020050002111 A KR1020050002111 A KR 1020050002111A KR 20050002111 A KR20050002111 A KR 20050002111A KR 20060082142 A KR20060082142 A KR 20060082142A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
atomic layer
process tube
layer deposition
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020050002111A
Other languages
English (en)
Inventor
박용성
이성광
김동렬
김기훈
Original Assignee
국제엘렉트릭코리아 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 국제엘렉트릭코리아 주식회사 filed Critical 국제엘렉트릭코리아 주식회사
Priority to KR1020050002111A priority Critical patent/KR20060082142A/ko
Publication of KR20060082142A publication Critical patent/KR20060082142A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판상에 원하는 박막을 순차적으로 증착시킬 수 있는 배치식의 원자층 증착 설비에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 제조를 위한 원자층 증착 설비는 복수의 기판들이 수납되는 보우트가 수용되는 공정튜브와; 상기 공정튜브를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리와; 상기 공정튜브 안으로 상기 기판 표면에 박막을 형성하기 위한 가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함하되; 상기 노즐유닛은 상기 박막 형성을 위한 제1가스와 제2가스가 각각 다른 유입부를 통해 공급되어 각각 독립된 경로를 통해 상기 복수의 기판들 표면으로 분사되는 노즐부를 포함한다. 이러한 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 각기 다른 경로를 통해 가스가 공급되기 때문에 노즐의 오염도가 낮고, 서로 다른 가스들의 반응에 의한 오염물 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 노즐에 남아 있는 잔류 가스들을 퍼지하는 시간을 단축시킬 수 있다.

Description

원자층 증착 설비{EQUIPMENT FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 설비를 보여주는 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 설비를 보여주는 평단면도이다.
도 3은 노즐 유닛의 사시도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 공정튜브
a: 내측튜브
b: 외측튜브
130 : 노즐 유닛
131 : 제1노즐부
135 : 제2노즐부
본 발명은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 설비에 관한 것으 로, 보다 상세하게는 기판상에 원하는 박막을 순차적으로 증착시킬 수 있는 배치식의 원자층 증착 설비 및 그 방법에 관한 것이다.
디바이스(Device)가 점점 고집적화됨에 따라 불순물이 적고 우수한 스텝 커버리지(step coverage)를 가지는 박막 증착이 요구되어지고 있다. 박막의 증착 방법으로는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)등 여러 방식이 있으며 또한 많이 사용되어지고 있다. 이 중 원자층 증착법의 경우 불순물의 유입을 최대한 억제하고 균일한 두께의 박막을 증착하기 위해 많이 사용되어 지고 있다.
그러나, 이러한 원자층 증착 장치에 있어서는, 2종의 가스를 일정한 시간 간격을 두고 교대로 챔버내에 주입함으로써 기판상에 원자층 박막을 순차적으로 적층시키는 방식을 취하게 되므로, 아래와 같은 문제점이 발생하게 된다. 즉, 2종의 반응가스가 서로 접촉하여 반응을 일으킴으로써 이물질을 생성시키게 되고, 이는 기판상에 결함을 발생시키게 되는 요인이 된다. 이를 방지하기 위해 종래에는 제1 반응가스를 주입하여 기판상에 제1 원자층을 증착시킨 후에, 퍼지(Purge)가스를 주입하여 제1 반응가스를 챔버 외부로 배출시킨 뒤, 제2 반응가스를 주입하는 방식을 취하였다. 그런데, 이때에도 먼저 주입된 반응가스가 분자량이 큰 경우(예를 들면, 분자량이 410.95인 TEMAH)에는 퍼지가스에 의해 완전히 챔버 외부로 배출시키기는 곤란하므로, 퍼지 시간 증가 및 퍼지가스 소모량 증가 등의 문제점은 여전히 존재하게 된다. 특히, 노즐에 남아 있는 제1반응가스가 그 이후에 공급되는 제2반응가스와 반응하게 되면서 노즐 내부에 이물질이 발생되는 문제점을 갖는다.
본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 박막 증착을 위해 공급되는 반응가스들이 기판상으로 공급되기 이전에 노즐상에서 서로 반응하지 않도록 하여 막 균일성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 새로운 형태의 원자층 증착 설비을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조를 위한 원자층 증착 설비는 복수의 기판들이 수납되는 보우트가 수용되는 공정튜브와; 상기 공정튜브를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리와; 상기 공정튜브 안으로 상기 기판 표면에 박막을 형성하기 위한 가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함하되; 상기 노즐유닛은 상기 박막 형성을 위한 제1가스와 제2가스가 각각 다른 유입부를 통해 공급되어 각각 독립된 경로를 통해 상기 복수의 기판들 표면으로 분사되는 제1,2노즐부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1노즐부는 상기 제1가스가 유입되는 제1포트를 갖는 제1유입부와; 상기 제1유입부로부터 연장되어 상기 공정튜브 내에 수용되어 있는 기판들 사이로 상기 제1가스를 분사하기 위한 분사구들을 갖는 제1분사부를 포함하고, 상기 제2노즐부는 상기 제2가스가 유입되는 제2포트를 갖는 제2유입부와; 상기 제2유입부로부터 연장되어 상기 공정튜브 내에 수용되어 있는 기판들 사이로 상기 제2가스를 분사하기 위한 분사구들을 갖는 제2분사부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1가스는 TEMAH 및 TDEAH이며, 상기 제2 가스는 03, H2O2, H2O, N2O, NO2플라즈마 O2, 리모트 플라즈마 o2, 및 플라즈마 N2O로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화제이다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 기판 열처리 공정을 위한 시스템을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
종래 기술과 비교한 본 발명의 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 설비를 보여주는 측단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 설비를 보여주는 평단면도이다. 도 3은 노즐 유닛의 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 원자층 증착 설비(100)는 복수의 기판(w)들이 적재되는 보우트(112), 이 보우트(112)가 수용되는 내측튜브(a)와 외측튜브(b)를 갖는 공정 튜브(110), 상기 공정튜브(110)를 둘러싸고 있는 히터 어셈블리(120), 상기 보우트(112)를 지지하고 상기 공정 튜브의 플랜지(114)에 결합되는 시일 캡(116) 그리고 상기 공정튜브(110)로 상기 기판 표면에 박막 증착에 기여하는 가스들을 공급하는 노즐 유닛(130)을 포함한다.
상기 공정 튜브(110)는 석영으로 된 관으로, 그 내부에 기판(w)이 적재된 보 우트( boat, 112)가 삽입되어 수용된다. 상기 공정튜브(110)의 플랜지(114) 일측에는 배기구(118)가 마련되어 있고, 그 배기구 반대편에는 상기 노즐 유닛(130)이 설치되어 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 노즐 유닛(130)은 상기 박막 형성을 위한 제1가스(기판 표면에 전구체막을 형성하기 위한 가스)와 제2가스(상기 전구체막을 산화시켜 금속 산화막을 형성하기 위한 산화제, 주로 오존이 사용됨)가 각각 다른 유입부를 통해 공급되어 각각 독립된 경로를 통해 상기 복수의 기판들 표면으로 분사하는 제1분사부(134)와 제2분사부(138)를 포함한다. 좀 더 구체적으로 살펴보면, 상기 제1노즐부(131)는 상기 제1가스가 유입되는 제1포트를 갖는 제1유입부(132), 상기 제1유입부(132)로부터 연장되어 상기 공정튜브 내에 수용되어 있는 기판들 사이로 상기 제1가스를 분사하기 위한 분사구(133)들을 갖는 제1분사부(134)를 포함한다. 상기 제2노즐부(135)는 상기 제2가스가 유입되는 제2포트를 갖는 제2유입부(136) 그리고 상기 제2유입부(136)로부터 연장되어 상기 공정튜브 내에 수용되어 있는 기판들 사이로 상기 제2가스를 분사하기 위한 분사구(137)들을 갖는 제2분사부(138)를 포함한다.
상기 제1,2노즐부(131,135)의 분사구(133,137)들은 상기 보우트(110)에 놓여진 기판들 사이 사이로 가스를 분사할 수 있도록 배치됨으로써, 기판 상의 반응성을 향상시키고 가스의 사용량을 최적화하여 불필요한 가스의 소모량을 줄일 수 있다.
상술한 구성을 갖는 원자층 증착 설비(100)에서의 하프늄 옥사이드(HfO2)의 증착 과정을 간략하게 설명하면 다음과 같다.
본 실시예에서는 TEMAH(제1가스)와 O3(제2가스)를 사용하여 하프늄 옥사이드 박막을 형성한다.
우선, 1. 기판(w)들이 보우트(112)에 로딩된다. 2. 보우트(112)는 공정 튜브(110)(일명 퍼니스) 내부로 로딩된다. 여기서, 상기 공정튜브의 온도 범위는 대략 150도~400도 정도로 하프늄 옥사이드 증착의 경우에는 180~220도를 유지한다). 조건에 따라 설정 온도는 약간씩 다를 수 있다. 3. 공정 튜브(110) 내부를 진공 상태로 한 후에 공정 튜브 내부 리크 체크를 실시한다. 4. 기판의 온도가 설정온도까지 승온하여 온도 안정화를 실시한다. 5. 제1노즐부(131)에 N2(질소)를 소량 공급한다(약 0.5~1 리터) 6. 제1노즐부(131)에 소량의 질소를 공급하며 공정 튜브에 제1가스(TEMAH)를 공급하기 위한 준비를 실시한다. 하프늄 옥사이드 박막증착의 경우에는 10초. 7. 여기서, 제1가스는 분자량이 높은 편이다. 이 제1가스는 제1노즐부(131)의 제1분사부(134)를 통해 분사된다. 공급 시간은 1~6분 정도를 실시. 이렇게, 금속 전구체를 갖는 TEMAH가 공급되면, 전구체 분자의 일부분이 상기 기판상에 화학적으로 흡착하여 기판 표면상에 전구체막을 형성하고, 금속 전구체 분자 중 나머지 부분은 화학적으로 흡착된 부분상에 물리적으로 흡착되거나 상기 공정튜브 내에서 표류하게 된다. 8. TEMAH 공급을 차단한다. 9. TEMAH 공급에 사용된 제1노즐부(131)에 질소유량(약 9리터)을 증가시켜 노즐 및 퍼니스 내부 잔류물을 제거한 다. 시간은 하프늄 옥사이드 박막증착의 경우 40~ 120초. 이렇게, 질소(또는 아르곤 가스)와 같은 불활성 가스를 공급하여 퍼지 및/또는 진공 퍼지시킴으로써 상기 기판 상에 화학적으로 흡착되지 않은 상기 금속 전구체와 제1노즐부에 잔류하는 TEMAH를 제거하게 된다. 10. 진공 펌핑을 실시한다,. 시간은 하프늄 옥사이드 박막증착의 경우 40초. 11. 제2가스인 O3(산화제)를 공급하기 위한 준비를 한다 (6번과 동일) 12. 제2노즐부(135)의 제2유입구(136)를 통해 제2가스인 오존(O3)이 공급된다. 상기 오존은 제2노즐부(135)의 제2분사부(138)의 분사구(137)들을 통해 기판상으로 분사된다. 하프늄 옥사이드 박막증착의 경우 40~60초 동안 실시한다. 상기 오존이 공급되면, 상기 전구체막(일명 화학 흡착막이라고도 함)과 상기 오존이 화학적으로 반응(전구체막의 산화반응)하여 상기 기판상에 금속 산화물인 하프늄 옥사이드 박막이 형성된다. 예컨대, 상기 제2가스는 산소 라디칼을 발생시킬 수 있는 활성화된 산화제를 포함하는 하나 이상의 산화제를 포함한다. 상기 활성화된 산화제는 플라즈마 생성기에 의해 형성된 오존(O3), 플라즈마 O2, 리모트 플라즈마 O2 및 플라즈마 N2O를 포함할 수 있다. 13. 제2가스인 오존의 공급을 차단하고 진공 펌핑을 실시한다. 14 . 제2가스 공급에 사용된 제2노즈부(135)에 질소유량(약 9리터)을 증가시켜 퍼지를 실시한다. (하프늄 옥사이드 :15~40초) 이렇게 퍼지를 통해 화학반응하지 않은 제2가스를 공정튜브로부터 제거한다. 15. 질소 유량을 감소시키고 펌핑을 실시한다 (하프늄 옥사이드 :15~40초) ( 6번부터 15번까지의 공정을 반복하여 실시하여 하프늄 옥사이드 박막 두께를 조정할 수 있다) 이렇게, 상기 공정 6번부터 15번까지 1번 진행을 하면 1사이클이 종료된다. 16. 성막 완료후 공정 튜브 내부의 잔류물을 제거하기 위하여 각 노즐부에 질소를 공급 및 정지를 하며 잔류물을 제거한다 (약 4회 정도 반복 실시) 17. 공정튜브 내부에 질소를 공급하여 상압으로 만든다. 18. 보우트를 언로딩한다. 19. 기판을 냉각 시킨다. 20. 보우트에서 기판을 꺼낸다.
본 발명의 실시예에서, 하프늄 옥사이드막을 위한 상기 금속 전구체로는 하프늄(Hf)과 아미노기를 갖는 하프늄 금속 화합물일 수 있다. 상기 금속 전구체의 예로는 TEMAH(tetrakis - ethyl methyl amino hafnium, Hf[NC 2 H 5 CH 3 ] 4 ), TDEAH(tetrakis - diethyl amino hafnium, Hf[N(C 2 H 5 ) 2 ] 4 ), TDMAH(tetrakis - dimethyl amino hafnium, Hf[N(CH 3 ) 2 ] 4 ), Hf[N(C 3 H 7 ) 2 ] 4 , Hf[N(C 4 H 9 ) 2 ] 4 등을 들 수 있다. 상기 물질들은 단독으로 또는 상기 물질들의 혼합으로 사용될 수 있다. 상기 전구체의 다른 예로서는 Ti[N(CH 3 )C 2 H 5 ] 4 , Zr[N(CH 3 )C 2 H 5 ] 4 , Sn[N(CH 3 )C 2 H 5 ] 4 , Si[N(CH 3 )C 2 H 5 ] 4 , Ta[N(CH 3 )C 2 H 5 ] 5 , Al[N(CH 3 )C 2 H 5 ] 4 , 및 (CH 3 )2 AlNH 2 가 있다.
본 발명의 원자층 증착 설비는 어떤 가스를 공급하느냐에 따라 알루미나 막 또는 하프늄 옥사이드 막이 증착된다.
이처럼, 본 발명의 원자층 증착 설비는 서로 다른 종류의 가스가 반응하지 않으면서 박막을 증착할 수 있는 것이다.
위의 공정에서 설명한 것처럼, 상기 노즐 유닛은 퍼지가 어려운 가스를 사용 시 잔류물이 노즐 내부에 있을 경우, 오존을 공급할 때 더블 타입이라 노즐 내부에서 처음 공급된 가스와 그 다음에 공급되는 오존이 만날 수 없어 반응이 일어나 이물질이 생기기 어렵다. (각각의 노즐에 소량의 질소를 사용하여 노즐 내부로 역류하는 현상을 방지한다) 이러한 노즐부는 분자량이 큰 부류의 소스(예) TEMAH(분자량 410.95)/TDEAH를 사용한 하프늄 옥사이드막 형성에 사용되는 것이 바람직하다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 각기 다른 경로를 통해 가스가 공급되기 때문에 노즐의 오염도가 낮고, 서로 다른 가스들의 반응에 의한 오염물 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 노즐에 남아 있는 잔류 가스들을 퍼지하는 시간을 단축시킬 수 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 제조를 위한 원자층 증착 설비에 있어서:
    복수의 기판들이 수납되는 보우트가 수용되는 공정튜브와;
    상기 공정튜브를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리와;
    상기 공정튜브 안으로 상기 기판 표면에 박막을 형성하기 위한 가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함하되;
    상기 노즐유닛은
    상기 박막 형성을 위한 제1가스와 제2가스가 각각 다른 유입부를 통해 공급되어 각각 독립된 경로를 통해 상기 복수의 기판들 표면으로 분사되는 제1,2노즐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 설비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1노즐부는
    상기 제1가스가 유입되는 제1포트를 갖는 제1유입부와;
    상기 제1유입부로부터 연장되어 상기 공정튜브 내에 수용되어 있는 기판들 사이로 상기 제1가스를 분사하기 위한 분사구들을 갖는 제1분사부를 갖으며,
    상기 제2노즐부는
    상기 제2가스가 유입되는 제2포트를 갖는 제2유입부와;
    상기 제2유입부로부터 연장되어 상기 공정튜브 내에 수용되어 있는 기판들 사이로 상기 제2가스를 분사하기 위한 분사구들을 갖는 제2분사부를 갖는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 설비.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1가스는 TEMAH 또는 TDEAH인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 설비.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2가스는 03, H2O2, H2O, N2O , NO2플라즈마 O2, 리모트 플라즈마 o2, 및 플라즈마 N2O로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화제인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 설비.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 박막은 HfO2인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 설비.
KR1020050002111A 2005-01-10 2005-01-10 원자층 증착 설비 KR20060082142A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050002111A KR20060082142A (ko) 2005-01-10 2005-01-10 원자층 증착 설비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050002111A KR20060082142A (ko) 2005-01-10 2005-01-10 원자층 증착 설비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060082142A true KR20060082142A (ko) 2006-07-18

Family

ID=37172914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050002111A KR20060082142A (ko) 2005-01-10 2005-01-10 원자층 증착 설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060082142A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101037962B1 (ko) * 2008-06-20 2011-05-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101396601B1 (ko) * 2013-02-26 2014-05-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101037962B1 (ko) * 2008-06-20 2011-05-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101396601B1 (ko) * 2013-02-26 2014-05-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100520902B1 (ko) 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
US7094708B2 (en) Method of CVD for forming silicon nitride film on substrate
US8012261B2 (en) ALD apparatus and method
TWI383064B (zh) 低溫原子層沉積二氧化矽
US7825039B2 (en) Vertical plasma processing method for forming silicon containing film
US20030198754A1 (en) Aluminum oxide chamber and process
US7771535B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
US20050223982A1 (en) Apparatus and method for depositing thin film on wafer using remote plasma
KR20020002579A (ko) 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법
JP3742641B2 (ja) ハフニウム化合物を利用した薄膜蒸着方法
KR20100056394A (ko) 성막 장치, 성막 장치의 클리닝 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
US7427572B2 (en) Method and apparatus for forming silicon nitride film
KR20070096248A (ko) 가스분리형 샤워헤드를 이용한 원자층 증착 장치
KR100758758B1 (ko) 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 층을 형성하기 위한 원자층 증착 방법
CN109950177B (zh) 立式热处理装置
KR100631305B1 (ko) 원자층 증착 설비 및 그 방법
JP2013151722A (ja) 半導体装置の製造方法
KR101175677B1 (ko) 퍼니스형 반도체 설비 및 그 설비를 사용한 기판 처리 방법
KR20060082142A (ko) 원자층 증착 설비
KR20060082141A (ko) 원자층 증착 설비
KR100407507B1 (ko) 원자층 증착장치의 가스 분사장치
KR100929535B1 (ko) 노즐 유닛 및 그 유닛을 갖는 원자층 증착 설비
KR102545757B1 (ko) 박막형성방법, 기판처리방법, 및 기판처리장치
KR20020003003A (ko) 원자층 증착법을 이용한 하프니움산화막 형성방법
KR100626366B1 (ko) 기상 증착 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application