KR20060066794A - 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스 - Google Patents
외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060066794A KR20060066794A KR1020040105263A KR20040105263A KR20060066794A KR 20060066794 A KR20060066794 A KR 20060066794A KR 1020040105263 A KR1020040105263 A KR 1020040105263A KR 20040105263 A KR20040105263 A KR 20040105263A KR 20060066794 A KR20060066794 A KR 20060066794A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bridge
- external discharge
- reaction chamber
- plasma
- inductively coupled
- Prior art date
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 105
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 79
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 14
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 12
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
Claims (26)
- 상부면에 적어도 두 개의 홀을 구비하고, 내부에 피처리 작업편이 놓여지는 서셉터를 갖는 플라즈마 반응 챔버;플라즈마 반응 챔버의 외측에 위치하고, 상기 적어도 두 개의 홀에 결합되는 적어도 하나의 외부 방전 브릿지;RF 전원을 공급하는 전원 공급원;외부 방전 브릿지를 감싸도록 장착된 적어도 하나의 마그네틱 코어, 상기 마그네틱 코어는 외부 방전 브릿지와 플라즈마 반응 챔버의 내부로 플라즈마를 여기하기 위한 기전력을 발생하기 위하여 전원 공급원에 연결된 권선 코일을 구비하며;외부 방전 브릿지와 마그네틱 코어 사이에 설치되는 적어도 하나의 냉각관을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1 항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는 비도전체로 구성되는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는: 상기 플라즈마 반응 챔버의 하나의 홀에 연결되는 제1 브릿지 래그와 다른 홀에 연결되는 제2 브릿지 래그를 갖는 C-형상의 중공형의 브릿지 몸체;브릿지 몸체의 상단 중앙 부분에 돌출되어 가스 공급원으로부터 공급되는 반 응 가스를 받아들이는 가스 입구; 및제1 및 제2 브릿지 래그의 각 끝단으로서 상기 두 개의 홀에 삽입되는 제1 및 제2 가스 출구를 갖는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제3항에 있어서, 상기 가스 입구와 제1 및 제2 가스 출구는 플랜지 구조를 갖는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제3항에 있어서, 상기 가스 입구는 내경이 원만히 증가/감소하거나, 단계적으로 증가/감소하는 구조와 노즐 구조를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제3항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는 가스 입구의 상단에 관의 중심부가 연결되며 가스 공급원으로부터 공급되는 반응 가스가 가스 입구로 제공되게 하는 가스 연결관을 더 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제6항에 있어서, 상기 가스 연결관의 양단과 제1 및 제2 가스 출구는 플랜지 구조를 갖는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 냉각관은 외부 방전 브릿지를 감싸는 냉각관 몸체; 냉각관 몸체에 연결된 냉각수 입구와 냉각수 출구; 냉각수 입구로부터 냉각수 출구로 냉각수의 흐름이 굴곡 되게 유도하기 위해 냉각관 몸체의 내부에 설치되는 적어도 하나의 유도 격판을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는 상기 플라즈마 반응 챔버의 하나의 홀에 연결되는 제1 브릿지 래그와; 다른 홀에 연결되는 제2 브릿지 래그를 갖는 C-형상의 중공형의 브릿지 몸체를 갖고,상기 마그네틱 코어는 제1 브릿지 래그에 설치되는 제1 마그네틱 코어와; 제2 브릿지 래그에 설치되는 제2 마그네틱 코어를 구비하며,상기 냉각관은 제1 브릿지 래그와 제1 마그네틱 코어 사이에 설치되는 제1 냉각관과; 제2 브릿지 래그와 제2 마그네틱 코어 사이에 설치되는 제2 냉각관을 구비하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 냉각관 및 제2 냉각관은 도전체로 구성되며, 상기 제1 냉각관은 전기적으로 연결되는 제1 점화 전극을 상기 제2 냉각관은 전기적으로 연결되는 제2 점화 전극을 각기 더 구비하며, 제1 및 제2 점화 전극은 상기 외부 방전 브릿지에 배치되고;제1 및 제2 마그네틱 코어는 서로 반대 극성의 유도 기전력이 발생되도록 각기 권선 코일이 설치되며, 상기 제1 냉각관 및 제2 냉각관이 서로 반대 극성의 유도 기전력에 의해 반대 극성의 유도 전압이 발생되어 제1 및 제2 점화 전극이 플라즈마 방전을 위한 점화를 일으키는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 점화 전극은 제1 및 제2 냉각관으로부터 연장되어서 외부 방전 브릿지를 사이에 두고 마주 대향하도록 배치되는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 점화 전극은 외부 방전 브릿지의 관에 링형태로 결합되되, 제1 점화 전극이 제2 냉각관에 가깝게 설치되고 제2 점화 전극이 제1 냉각관에 가깝게 설치되는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제9항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는 브릿지 몸체의 상단 중앙 부분에 돌출되어 가스 공급원으로부터 공급되는 반응 가스를 받아들이는 가스 입구를 구비하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버는 내측 상단 영역에 가로질러 설치되고, 관통된 다수의 홀이 형성된 배플 평판(baffle plate)을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제14항에 있어서, 전체적으로 고깔 형상을 갖고 상부가 개방되며, 플라즈마 반응 챔버의 내측 천정과 배플 평판 사이에 설치되어 외부 방전 브릿지를 통해 입력되는 플라즈마 가스가 플라즈마 반응 챔버의 내측 하부로 고르게 확산되도록 유도하는 확산 유도기를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 서셉터로 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원 공급부를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버는 적어도 두 개의 홀을 포함하도록 외측 상부면에 형성된 냉각실을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제17항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는 플라즈마 반응 챔버의 하나의 홀에 연결되는 제1 브릿지 래그와 다른 홀에 연결되는 제2 브릿지 래그를 갖는 C-형상의 중공형의 브릿지 몸체와; 제1 및 제2 브릿지 래그의 각 끝단으로서 상기 두 개의 홀에 각기 연결되는 제1 및 제2 가스 출구를 구비하며,제1 및 제2 가스 출구는 상기 냉각실의 상부를 덮어 밀봉하는 공통 플랜지 구조를 갖는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제17항에 있어서, 상기 냉각실은 상기 공통 플랜지와 상기 두 개의 홀 사이에 설치되는 제1 및 제2 오링; 공통 플랜지와 플라즈마 반응 챔버 사이에 설치되는 제3 오링을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제17항에 있어서, 상기 냉각실은 공통 플랜지에 형성된 냉각수 입구과 냉각수 출구를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제20항에 있어서, 상기 외부 방전 브릿지는 브릿지 몸체의 상단 중앙 부분에 돌출되어 가스 공급원으로부터 공급되는 반응 가스를 받아들이는 가스 입구를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 반응 챔버의 내부에서 플라즈마 가스가 균일하게 확산되도록 플라즈마 이온 입자의 가속 경로를 유도하는 플라즈마 확산 수단을 더 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제22항에 있어서, 상기 플라즈마 확산 수단은:상기 플라즈마 반응 챔버의 내측벽으로 서로 대향되게 배치되는 두 평판 전극을 갖는 제1 전극쌍;상기 플라즈마 반응 챔버의 내측벽으로 서로 대향되게 배치되되 제1 전극쌍과 직교하게 배치되는 두 평판 전극을 갖는 제2 전극쌍;제1 전극쌍으로 제1 주파수를 공급하는 제1 전원 공급원;제2 전극쌍으로 제2 주파수를 공급하는 제2 전원 공급원;상기 제1 및 제2 전원 공급원을 제어하여 제1 및 제2 주파수의 위상과 전압을 제어하는 위상/전압 제어부를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제23항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극쌍의 각각의 전극들은 상기 플라즈마 반응 챔버의 내측벽에 절연체를 매개로 설치되는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제23항에 있어서, 상기 위상/전압 제어부의 제1 및 제2 전원 공급원의 제어는:제1 및 제2 주파수가 제1 위상차를 갖도록 초기화하는 단계;제1 위상차를 갖는 제1 및 제2 주파수를 시동 주파수로 출력하는 단계;제1 및 제2 주파수가 제2 위상차를 갖도록 위상을 제어하는 단계; 및제2 위상차를 갖는 제1 및 제2 주파수를 안정 주파수로 출력하는 단계를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
- 제25항에 있어서, 안정 주파수가 출력될 때 제1 전압 레벨에서 제2 전압 레벨로 전압 레벨을 변화하는 단계를 더 포함하는 유도 결합 플라즈마 소오스.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040105263A KR100686212B1 (ko) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040105263A KR100686212B1 (ko) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060066794A true KR20060066794A (ko) | 2006-06-19 |
KR100686212B1 KR100686212B1 (ko) | 2007-03-02 |
Family
ID=37161475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040105263A KR100686212B1 (ko) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100686212B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170134012A (ko) * | 2016-05-27 | 2017-12-06 | (주) 엔피홀딩스 | 챔버블럭을 이용하여 플라즈마 점화가 가능한 플라즈마 챔버 |
KR20180001801A (ko) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | (주) 엔피홀딩스 | 캐비티 구조를 갖는 플라즈마 반응기 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392351B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-05-21 | Evgeny V. Shun'ko | Inductive RF plasma source with external discharge bridge |
US6432260B1 (en) | 1999-08-06 | 2002-08-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof |
KR100507332B1 (ko) * | 2003-02-20 | 2005-08-08 | 위순임 | 대면적 교차유도 프라즈마 발생장치 |
KR100575370B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2006-05-10 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버 |
-
2004
- 2004-12-14 KR KR1020040105263A patent/KR100686212B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170134012A (ko) * | 2016-05-27 | 2017-12-06 | (주) 엔피홀딩스 | 챔버블럭을 이용하여 플라즈마 점화가 가능한 플라즈마 챔버 |
KR20180001801A (ko) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | (주) 엔피홀딩스 | 캐비티 구조를 갖는 플라즈마 반응기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100686212B1 (ko) | 2007-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8409400B2 (en) | Inductive plasma chamber having multi discharge tube bridge | |
KR100349064B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
EP1089319B1 (en) | Uniform gas distribution in large area plasma treatment device | |
KR100999182B1 (ko) | 내장 변압기를 갖는 플라즈마 반응기 | |
US20030015965A1 (en) | Inductively coupled plasma reactor | |
JPH0684812A (ja) | 多電極プラズマ処理装置 | |
US20110240222A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20100025699A (ko) | 용량 결합 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 및 이것에 의해 제조된 반도체 장치 | |
KR100803794B1 (ko) | 마그네틱 코어 블록에 매설된 플라즈마 방전 튜브를 구비한유도 결합 플라즈마 소스 | |
KR100805557B1 (ko) | 다중 마그네틱 코어가 결합된 유도 결합 플라즈마 소스 | |
KR20090130907A (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
KR101881537B1 (ko) | 가스 분해 효율 향상을 위한 플라즈마 챔버 | |
TW201944452A (zh) | 用於半導體處理及配備的磁感應電漿源 | |
KR100686212B1 (ko) | 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스 | |
KR100575370B1 (ko) | 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버 | |
KR100844150B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
KR101429263B1 (ko) | 용량 결합 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 및 이것에 의해 제조된 반도체 장치 | |
KR101475502B1 (ko) | 다중방전관을 갖는 플라즈마 반응기 | |
KR101336796B1 (ko) | 다중방전관을 갖는 플라즈마 반응기 | |
KR100798351B1 (ko) | 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버 | |
KR101336798B1 (ko) | 다중 가스 공급 구조를 갖는 다중 방전관 플라즈마 반응기 | |
KR20100026529A (ko) | 용량 결합 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 및 이것에 의해 제조된 반도체 장치 | |
KR20100010068A (ko) | 가변형 일차 권선을 갖는 변압기를 구비한 플라즈마 반응기 | |
KR102384274B1 (ko) | 냉각구조를 개선한 플라즈마 반응기 | |
KR101429852B1 (ko) | 반도체 식각 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130206 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150211 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160205 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170210 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200206 Year of fee payment: 14 |