KR20060051463A - Substrate processing system - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로서 피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 도포 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템((100))에 있어서 피처리 기판을 각각 재치하는 제 1 의 스테이지(50) 및 제 2의 스테이지(59)와 상기 제 1 의 스테이지(50) 및 제 2의 스테이지(59)에 각각 재치된 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포해 막형성하는 처리액 도포 수단을 가지는 도포막형성 수단과 복수의 노광 장치(4a ; 4b)에 대하여 상기 도포막형성 수단에 의해 막형성된 피처리 기판의 반송을 실시하는 기판 반송 수단(42a; 42b)을 구비하는 피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 도포 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템에 있어서 각 기판에 처리액을 균일하게 도포할 수 있고 노광 장치와 연동했을 때의 기판 처리의 수율을 향상할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다.The present invention relates to a substrate processing system, in which a substrate to be processed is applied in a substrate processing system (100) in which a film of processing liquid is applied to a surface of a substrate to be formed and a predetermined pattern is formed on the substrate in conjunction with an exposure apparatus. The treatment liquid is applied to the surface of the substrate to be placed on the first stage 50 and the second stage 59 to be mounted, and the first stage 50 and the second stage 59, respectively. The substrate conveyance means 42a; 42b which conveys the to-be-processed board | substrate formed by the said coating film formation means with respect to the coating film formation means which has the process liquid application means to form, and the some exposure apparatus 4a; 4b. In the substrate processing system which coats and forms the process liquid film on the surface of the to-be-processed substrate provided, and forms a predetermined | prescribed pattern in a board | substrate in connection with an exposure apparatus, a process liquid can be apply | coated uniformly to each board | substrate, and is exposed Provides a substrate processing system that can improve the yield of the substrate processing when the work with values.

Description

기판처리시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate Processing System {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

도 1은 본 발명과 관련되는 기판 처리 시스템으로서의 레지스트 도포 현상 처리 장치의 제 1의 실시 형태에 있어서의 전체 구성을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the whole structure in 1st Embodiment of the resist coating image development processing apparatus as a substrate processing system which concerns on this invention.

도 2는 도 1의 레지스트 도포 현상 처리 장치가 구비하는 레지스트 도포 장치의 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of a resist coating apparatus included in the resist coating and developing apparatus of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2의 레지스트 도포 장치의 측면도이다.3 is a side view of the resist coating apparatus of FIG. 2.

도 4는 도 2의 레지스트 도포 장치가 구비하는 레지스트 공급 노즐의 선단 확대 단면도이다.4 is an end enlarged cross-sectional view of a resist supply nozzle included in the resist coating apparatus of FIG. 2.

도 5는 도 2의 레지스트 도포 장치가 구비하는 레지스트 공급 노즐의 토출구 부근 레지스트액 균일화 처리를 설명하기 위한 도이다.It is a figure for demonstrating the resist liquid uniformity process of the discharge port vicinity of the resist supply nozzle with which the resist coating apparatus of FIG. 2 is equipped.

도 6은 도 2의 레지스트 도포 장치가 구비하는 레지스트 공급 노즐의 이동 방향을 나타내는 모식도이다.It is a schematic diagram which shows the moving direction of the resist supply nozzle with which the resist coating apparatus of FIG. 2 is equipped.

도 7은 도 2의 레지스트 도포 장치가 구비하는 레지스트 공급 노즐의 동작 제어 공정을 나타내는 플로우이다.FIG. 7 is a flow diagram illustrating an operation control process of a resist supply nozzle included in the resist coating apparatus of FIG. 2.

도 8은 도 1의 레지스트 도포 현상 처리 장치가 구비하는 레지스트 도포 장치의 제 1의 변형예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.FIG. 8: is a side view which shows typically the 1st modified example of the resist coating apparatus with which the resist coating and developing process apparatus of FIG. 1 is equipped.

도 9는 도 8의 레지스트 도포 장치가 가지는 레지스트 공급 노즐에 의한 도 포 처리를 설명하기 위한 도이다.FIG. 9 is a view for explaining a coating process by a resist supply nozzle of the resist coating apparatus of FIG. 8.

도 10은 도 8의 레지스트 도포 장치가 가지는 레지스트 공급 노즐의 프라이밍 처리를 설명하기 위한 도이다.It is a figure for demonstrating the priming process of the resist supply nozzle which the resist coating apparatus of FIG. 8 has.

도 11은 도 1의 레지스트 도포 현상 처리 장치가 구비하는 레지스트 도포 장치의 제 2의 변형예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows typically the 2nd modified example of the resist coating apparatus with which the resist coating and developing process apparatus of FIG. 1 is equipped.

도 12는 도 1의 레지스트 도포 현상 처리 장치가 구비하는 레지스트 도포 장치의 제 3 변형예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows typically the 3rd modified example of the resist coating apparatus with which the resist coating and developing apparatus of FIG. 1 is equipped.

도 13은 본 발명과 관련되는 기판 처리 시스템으로서의 레지스트 도포 현상 처리 장치의 제 2의 실시 형태에 있어서의 전체 구성을 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows the whole structure in 2nd Embodiment of the resist coating image development processing apparatus as a substrate processing system which concerns on this invention.

도 14는 종래의 도포막형성 장치를 2대 구비하는 경우의 레지스트 공급 노즐의 동작을 나타내는 도이다.It is a figure which shows operation | movement of the resist supply nozzle in the case of providing two conventional coating film forming apparatuses.

*주요부위를 나타내는 도면부호의 설명** Description of reference numerals indicating major parts *

23 레지스트 도포 처리 유니트23 Resist Coating Unit

23a 레지스트 도포 장치(도포막형성 수단) 23a resist coating apparatus (coating film forming means)

50 스테이지(제 1 의 스테이지)50 stages (the first stage)

51 레지스트 공급 노즐(처리액 공급 노즐) 51 Resist Supply Nozzle (Process Liquid Supply Nozzle)

51a 토출구51a outlet

51b 하단면 51b bottom view

51c 경사면 51c slope

52 프라이밍 롤러(제 1의 프라이밍 수단)52 priming roller (primary priming means)

55 노즐 대기부(프라이밍 처리 수단)55 Nozzle waiting part (priming means)

59 스테이지(제 2의 스테이지)       59 stages (second stage)

86 노즐 이동 수단86 nozzle moving means

63 프라이밍 롤러(제 2의 프라이밍 수단)63 priming roller (second priming means)

65 롤러 회전 제어 수단65 roller rotation control means

95 레지스트액 공급원(처리액 공급 수단) 95 Resist liquid supply source (treatment liquid supply means)

100 레지스트 도포 현상 처리 장치100 resist coating developing apparatus

101 레지스트 도포 현상 처리 장치 101 resist coating and developing apparatus

G LCD 기판(피처리 기판) G LCD substrate (to-be-processed substrate)

G1 LCD 기판(피처리 기판) G1 LCD Substrate

G2 LCD 기판(피처리 기판) G2 LCD Substrate

R 레지스트액(처리액)R resist liquid (treatment liquid)

본 발명은 피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템에 관한다.The present invention relates to a substrate processing system which forms a film of a processing liquid on the surface of a substrate to be processed and forms a predetermined pattern on the substrate in conjunction with an exposure apparatus.

예를 들면 LCD의 제조에 있어서는 피처리 기판인 LCD 기판에 소정의 막을 성막 한 후 포토레지스트액을 도포해 레지스트막을 형성하고 회로 패턴에 대응해 레지스트막을 노광하고 이것을 현상 처리 하는 이른바 포트리소 그래피 기술에 의해 회로 패턴을 형성한다. 이 포트리소 그래피 기술에서는 피처리 기판인 LCD 기판은 주된 공정으로서 세정 처리→탈수베이크→애드히젼(소수화) 처리→레지스트 도포→프리베이크→노광→현상→포스트베이크라고 하는 일련의 처리를 거쳐 레지스트층에 소정의 회로 패턴을 형성한다.For example, in the manufacture of LCDs, a predetermined film is formed on an LCD substrate to be processed, and then a photoresist solution is applied to form a resist film, so-called photolithography technology in which a resist film is exposed to a circuit pattern and developed. Thereby forming a circuit pattern. In this photolithography technique, an LCD substrate, which is a substrate to be processed, is subjected to a series of processes such as cleaning treatment, dehydration baking, adhibization, resist coating, prebaking, exposure, development, and postbaking. A predetermined circuit pattern is formed on the.

또한 이러한 처리에 있어서는 종래부터 노광 처리를 실시하는 노광 장치와 그 이외의 처리를 실시하는 레지스트 도포 현상 처리 장치가 연동하고 상기 한 바와 같은 일련의 처리를 하고 있다.Moreover, in such a process, the exposure apparatus which performs an exposure process conventionally and the resist coating and developing process apparatus which performs other processes are interlocked and perform a series of processes as mentioned above.

상기 레지스트 도포 현상 처리 장치에 있어서 LCD 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 방법으로서 레지스트액을 띠모양으로 도포하는 레지스트 공급 노즐과 LCD 기판을 노즐 토출구의 긴 방향과 직교 하는 방향으로 상대적으로 이동시켜 도포하는 방법이 있다. 이 경우 레지스트 공급 노즐에는 기판의 폭방향으로 늘어나는 작은 틈새를 가지는 슬릿 형상 토출구가 설치되고 이 슬릿 형상 토출구로부터 띠모양으로 토출되는 레지스트액을 기판의 표면 전체에 공급함으로써 레지스트막을 형성한다.In the resist coating and developing apparatus, a method of forming a resist film by applying a resist liquid to an LCD substrate is performed by relatively moving a resist supply nozzle and a LCD substrate in a direction perpendicular to the long direction of the nozzle discharge port. There is a method to apply. In this case, the resist supply nozzle is provided with a slit discharge port having a small gap extending in the width direction of the substrate, and a resist film is formed by supplying the resist liquid discharged in a band form from the slit discharge port to the entire surface of the substrate.

이 방법에 의하면 기판 한 변으로부터 다른 변에 걸쳐서 레지스트액을 띠형상으로 토출(공급)하기 위하여 레지스트액을 불필요하지 않게 각형의 기판의 전면에 레지스트막을 형성할 수가 있다. 또한 이러한 도포막형성 방법을 채용한 도포막형성 장치에 대해서는 특허 문헌 1(특개평10-1562(55))에 개시되어 있다.According to this method, in order to discharge (supply) the resist liquid from one side of the substrate to the other side in a band shape, the resist film can be formed on the entire surface of the square substrate unnecessarily. Moreover, about the coating film forming apparatus which employ | adopted such a coating film forming method, it is disclosed by patent document 1 (examined-Japanese-Patent No. 10-1562 (55)).

[특허 문헌 1]일본국 특개평10-1562(55)호 공보(제3페이지 우측란 제 5행 내지 제 4페이지 좌측란 제 6행 제 1도)[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-1562 (55) (Right Line 3 on Page 3, Line 5 to Line 4, Left Line 6, Line 1)

그런데 전술의 도포막형성 방법에 의한 도포막형성 장치에 있어서 단지 막형성 처리의 수율을 향상시키기에는 도 14에 나타나는 바와 같이 기판(G)을 재치하는 스테이지((200)) 레지스트 공급 노즐(201)과 노즐(201) 선단에 부착하는 레지스트액의 상태를 정돈하는 노즐 대기부(202)로 이루어지는 장치를 2개 설치하면 좋다. 이와 같이 하면 각각의 스테이지(200)에 있어서 기판에 대한 막형성 처리를 병행해 실시할 수가 있다.However, in the coating film forming apparatus according to the above-described coating film forming method, in order to improve the yield of the film forming process, as shown in FIG. 14, the stage 200 for mounting the substrate G and the resist supply nozzle 201 are shown. And two nozzle standby parts 202 for arranging the state of the resist liquid attached to the tip of the nozzle 201 may be provided. In this way, the film formation process with respect to a board | substrate can be performed in parallel in each stage 200. FIG.

그렇지만 이 경우 도포막형성 장치에 있어서의 수율 및 장치의 코스트가 증대한다고 하는 기술적 과제가 있었다.In this case, however, there has been a technical problem that the yield in the coating film forming apparatus and the cost of the apparatus increase.

또 상기 과제를 해결하고 도포막형성 장치에 있어서의 수율이 향상했다고 하여도 노광 장치에 있어서의 처리 속도가 늦기 때문에 노광 장치로의 기판 반송 단계에서 처리가 크게 체류 하고 레지스트 도포 현상 처리 장치(기판 처리 시스템) 전체적으로의 수율은 향상하지 않을 우려가 있었다.Moreover, even if the said subject is solved and the yield in a coating film forming apparatus improves, the process speed in an exposure apparatus is slow, and a process stays large in the board | substrate conveyance step to an exposure apparatus, and a resist coating developing apparatus (substrate process) There was a fear that the overall yield would not improve.

본 발명은 상기 한 바와 같은 사정아래에 이루어진 것이고 피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 도포 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템에 있어서 각 기판에 처리액을 균일하게 도포할 수가 있어 노광 장치와 연동했을 때의 기판 처리의 수율을 향상할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made under the above circumstances, and in the substrate processing system which coats and forms a film of the processing liquid on the surface of the substrate to be processed and forms a predetermined pattern on the substrate in conjunction with the exposure apparatus, the processing liquid is uniformly applied to each substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate processing system that can be applied in a smooth manner and that can improve the yield of substrate processing when interlocked with an exposure apparatus.

상기 한 과제를 해결하기 위해서 본 발명과 관련되는 기판 처리 시스템은 피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 도포 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소 정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템에 있어서 피처리 기판을 각각 재치하는 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지와 상기 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지에 각각 재치된 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포해 막형성하는 처리액도포 수단을 가지는 도포막형성 수단과 복수의 노광 장치에 대해서 상기 도포막형성 수단에 의해 막형성된 피처리 기판의 반송을 실시하는 기판 반송 수단을 구비하는 특징을 가진다.In order to solve the above problems, the substrate processing system according to the present invention is a substrate processing system in which a film of processing liquid is coated on the surface of a substrate to be processed and a predetermined pattern is formed on the substrate in conjunction with an exposure apparatus. Film having a processing liquid coating means for coating and forming a processing liquid on a surface of a substrate to be placed on each of the first and second stages and the first and second stages, respectively It has the characteristics provided with the board | substrate conveyance means which conveys the to-be-processed board | substrate formed by the said coating film formation means with respect to a formation means and some exposure apparatus.

이와 같이 2개의 스테이지를 나열하여 배치함으로써 각각의 스테이지에 재치되는 피처리 기판에 대해서 효율적으로 도포 처리를 실시할 수가 있다. 즉 한쪽의 스테이지에서의 도포 처리중에 다른쪽 스테이지에서의 반입출작업을 실시할 수가 있기 때문에 종래의 단일의 스테이지의 경우보다 기판 반입출에 필요로 하는 시간을 생략할 수가 있어 수율을 향상할 수가 있다.By arranging and arranging the two stages in this manner, the coating process can be efficiently performed on the substrate to be placed on each stage. In other words, the carry-out operation at the other stage can be performed during the coating process at one stage, so that the time required for carrying out the substrate can be omitted compared to the conventional single stage, and the yield can be improved. .

또 복수의 노광 장치에 대해서 기판 반송을 행하는 기판 반송 수단을 구비하는 것으로 기판의 노광 처리전에 있어서의 체류가 저감된다. 따라서 노광 장치와 연동했을 때의 기판 처리 시스템 전체의 기판 처리의 수율을 현격히 향상할 수가 있다.Moreover, by providing the board | substrate conveyance means which performs board | substrate conveyance with respect to a some exposure apparatus, retention before an exposure process of a board | substrate is reduced. Therefore, the yield of the board | substrate process of the whole substrate processing system at the time of interlocking with an exposure apparatus can be improved significantly.

또 피처리 기판을 기판 처리 방향에 맞추어 수평 방향으로 회전시키는 1개 또는 복수의 기판 회전 수단을 또한 더 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to further provide one or more board | substrate rotation means which rotates a to-be-processed board | substrate to a horizontal direction according to a board | substrate process direction.

이와 같이 구성 기판 처리 시스템 전체의 수율 축소를 위해서 기판 처리 시스템이 가지는 각 처리 유니트를 자유롭게 배치할 수가 있다. 즉 처리 유니트간의 기판 처리 방향이 차이가 나도 기판 회전 수단에 의해 기판의 방향을 다음의 공정 에 맞출 수가 있다.Thus, in order to reduce the yield of the whole structured substrate processing system, each processing unit which a substrate processing system has can be arrange | positioned freely. In other words, even if the substrate processing direction differs between the processing units, the substrate rotation means can align the direction of the substrate to the following process.

또 상기 처리액도포 수단은 피처리 기판의 폭방향으로 늘어나는 슬릿 형상의 토출구를 가지는 하나의 처리액 공급 노즐과 상기 처리액 공급 노즐을 이동하는 노즐 이동 수단과 상기 처리액 공급 노즐에 대해서 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단과 상기 토출구로부터의 처리액을 회전 자유롭게 형성된 롤러의 주위면에 토출시켜 상기 롤러를 회전시키는 것에 의해 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하는 프라이밍 처리 수단을 구비하고 상기 처리액 공급 노즐에 의해 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지에 재치된 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하는 것이 바람직하다.The processing liquid spreading means further includes a processing liquid supply nozzle having a slit-shaped ejection opening extending in the width direction of the substrate to be processed, a nozzle moving means for moving the processing liquid supply nozzle, and a processing liquid to the processing liquid supply nozzle. And a priming processing means for uniformly processing the processing liquid attached to the discharge port by rotating the roller by discharging the processing liquid supplying means to be supplied and the processing liquid from the discharge port to the peripheral surface of the roller which is freely formed. It is preferable to apply | coat a process liquid to the surface of the to-be-processed substrate mounted to the 1st stage and the 2nd stage by the liquid supply nozzle.

또 상기 프라이밍 처리 수단은 상기 제 1 의 스테이지와 제 2의 스테이지의 사이에 설치되는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said priming processing means is provided between the said 1st stage and a 2nd stage.

또 상기 피처리 기판에 대한 도포 처리전에 상기 노즐 이동 수단이 상기 처리액 공급 노즐의 토출구를 상기 롤러의 주위면에 근접시켜 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said nozzle moving means equalizes the process liquid which adheres to the discharge port by making the discharge port of the said process liquid supply nozzle close to the peripheral surface of the said roller, before the coating process to the to-be-processed substrate.

이와 같이 구성함으로써 어느 스테이지에 재치된 기판에 대해서도 처리액 공급 노즐의 토출구에 부착하는 처리액의 균일화 처리 후에 곧바로 도포 처리를 실시할 수가 있다. 따라서 어느 스테이지에서 처리되는 기판에 대해서도 막두께가 균일하게 되는 도포 처리를 실시할 수가 있는 한편 수율을 향상할 수가 있다.In this way, the coating process can be performed immediately after the uniformity treatment of the processing liquid adhering to the discharge port of the processing liquid supply nozzle to the substrate mounted on any stage. Therefore, the coating process by which a film thickness becomes uniform can be performed also to the board | substrate processed by any stage, and a yield can be improved.

또 상기 프라이밍 처리 수단은 상기 롤러의 회전을 제어하는 롤러 회전 제어 수단을 구비하고 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리할 때에 상기 롤러 회전 제어 수단은 상기 균일화 처리 후의 도포 처리가 상기 제 1 의 스테이지 또는 상기 제 2의 스테이지의 어디로 향하는가에 의해 상기 롤러의 회전 방향을 결정하는 것이 바람직하다.Moreover, the said priming processing means is equipped with the roller rotation control means which controls the rotation of the said roller, When the process liquid adhering to the said discharge port is equalized, the said roller rotation control means is that the application | coating process after the said homogenization process is a said 1st stage. Or it is preferable to determine the direction of rotation of the roller by which direction of the second stage.

이와 같이 구성하면 노즐 선단부에 있어서 토출구를 경계로 노즐 진행 방향과 반대 측에 많은 처리액이 부착하도록 제어할 수가 있다. 즉 노즐 선단부에 있어서 토출구를 경계로 노즐 진행 방향과 반대 측에 많은 처리액이 부착하는 상태이면 도포 개시시에 있어서 도포막의 불균일에 의한 막갈림등의 발생을 억제할 수가 있다.In such a configuration, it is possible to control so that a large amount of the processing liquid adheres on the side opposite to the nozzle traveling direction at the nozzle tip as a boundary. In other words, if a large amount of the processing liquid adheres to the side opposite to the nozzle travel direction at the nozzle tip, the occurrence of a crack or the like due to unevenness of the coating film can be suppressed at the start of coating.

또 상기 프라이밍 처리 수단에는 상기 처리액 공급 노즐의 선단의 건조를 억제하는 보습 수단이 설치되어 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said priming processing means is provided with the moisturizing means which suppresses drying of the front end of the said process liquid supply nozzle.

이와 같이 보습 수단을 설치하는 것으로 대기시에 있어서 노즐 선단의 건조를 억제할 수가 있다.Thus, by providing a moisturizing means, drying of a nozzle tip can be suppressed at the time of standby.

또 상기 프라이밍 수단으로서 제 1의 프라이밍 처리 수단 및 제 2의 프라이밍 처리 수단을 구비하고 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단 및 제 2의 프라이밍 처리 수단은 각각 상기 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지의 우측 또는 좌측으로 배치되는 것이 바람직하다.Further, as the priming means, a first priming processing means and a second priming processing means are provided, and the first priming processing means and the second priming processing means are respectively the right side of the first stage and the second stage, or It is preferable to arrange to the left side.

또 상기 제 1 의 스테이지에 재치되는 피처리 기판에 대한 도포 처리전에 상기 노즐 이동 수단이ㅏ 상기 처리액 공급 노즐의 토출구를 상기 롤러의 주위면에 근접시키고 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단이 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하고 한편 상기 제 2의 스테이지에 재치되는 피처리 기판에 대한 도포 처리전에 상기 노즐 이동 수단이 상기 처리액 공급 노즐의 토출구를 상기 롤러의 주위면에 근접시켜 상기 제 2의 프라이밍 처리 수단이 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하는 것이 바람직하다.Further, the nozzle moving means moves the discharge port of the processing liquid supply nozzle to the peripheral surface of the roller before the coating process on the processing target substrate placed on the first stage, and the first priming processing means is connected to the discharge port. The nozzle moving means moves the discharge port of the processing liquid supply nozzle to the peripheral surface of the roller so that the processing liquid to be applied is uniformized and applied to the processing target substrate placed on the second stage. It is preferable that the priming processing means uniformize the processing liquid attached to the discharge port.

이와 같이 2개의 스테이지를 나열하여 배치함으로써 각각의 스테이지에 재치되는 피처리 기판에 대해서 효율적으로 도포 처리를 실시할 수가 있다. 즉 한쪽의 스테이지에서의 도포 처리중에 다른족의 스테이지에서의 반입출작업을 실시할 수가 있기 때문에 종래의 단일의 스테이지의 경우보다 기판 반입출에 필요로 하는 시간을 생략할 수가 있어 수율을 향상할 수가 있다.By arranging and arranging the two stages in this manner, the coating process can be efficiently performed on the substrate to be placed on each stage. That is, during the coating process on one stage, the carry-out operation of the other group stage can be carried out, so that the time required for carrying out the substrate can be omitted compared to the conventional single stage, and the yield can be improved. have.

또 각 스테이지에 대응한 롤러를 각각 배치하기 때문에 어느 스테이지에 재치된 기판에 대해서도 처리액 공급 노즐의 토출구에 부착하는 처리액의 균일화 처리 후에 곧바로 도포 처리를 실시할 수가 있다. 따라서 어느 스테이지에서 처리되는 기판에 대해서도 막두께가 균일해지는 도포 처리를 실시할 수가 있는 한편 수율을 향상할 수가 있다.Moreover, since rollers corresponding to each stage are disposed, the substrate can be applied immediately to the substrate placed on any stage after the uniformity treatment of the processing liquid attached to the discharge port of the processing liquid supply nozzle. Therefore, the coating process to which a film thickness becomes uniform can be performed also to the board | substrate processed by any stage, and a yield can be improved.

또 상기 제 1 및 제 2의 프라이밍 수단은 상기 롤러의 회전을 제어하는 롤러 회전 제어 수단을 구비하고 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단의 롤러와 상기 제 2의 프라이밍 처리 수단의 롤러의 회전 방향이 동일 방향인 것이 바람직하다.The first and second priming means have roller rotation control means for controlling the rotation of the roller, and the rotation direction of the roller of the first priming processing means and the roller of the second priming processing means is the same direction. Is preferably.

이와 같이 구성하면 노즐 선단부에 있어서 토출구를 경계로 노즐 진행 방향과 반대 측에 많은 처리액이 부착하도록 제어할 수가 있다. 즉 노즐 선단부에 있어서 토출구를 경계로 노즐 진행 방향과 반대 측에 많은 처리액이 부착하는 상태이면 도포 개시시에 있어서 도포막의 불균일에 의한 막갈림등의 발생을 억제할 수가 있 다.In such a configuration, it is possible to control so that a large amount of the processing liquid adheres on the side opposite to the nozzle traveling direction at the nozzle tip as a boundary. In other words, if a large amount of the processing liquid adheres to the side opposite to the nozzle travel direction at the nozzle tip, the occurrence of film separation due to non-uniformity of the coating film can be suppressed at the start of coating.

또한 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단 또는 상기 제 2의 프라이밍 처리 수단에는 상기 처리액 공급 노즐의 선단의 건조를 억제하는 보습 수단이 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 보습 수단을 설치하는 것으로 대기시에 있어서 노즐 선단의 건조를 억제할 수가 있다.Moreover, it is preferable that the said 1st priming process means or the said 2nd priming process means is provided with the moisturizing means which suppresses drying of the front end of the said process liquid supply nozzle. Thus, by providing a moisturizing means, drying of a nozzle tip can be suppressed at the time of standby.

이하 본 발명에 관련되는 제 1의 실시의 형태에 대해서 도로 근거해 설명한다. 도 1은 본 발명과 관련되는 기판 처리 시스템으로서의 레지스트 도포 현상 처리 장치의 전체 구성을 나타내는 평면도이다. 이 레지스트 도포 현상 처리 장치 (100)는 피처리 기판인 복수의 LCD 기판(G, 이하 기판(G)이라고 부른다)을 수용하는 복수의 카셋트(C)를 재치하는 카셋트 스테이션(1)과 기판(G)에 처리액인 레지스트액의 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리를 가하기 위한 복수의 처리 유니트를 갖춘 처리 스테이션(2)과 복수(2대)의 노광 장치(EXP, 4a ; 4b)와의 사이에 기판(G)의 수수를 행하기 위한 인터페이스 스테이션(3)을 구비하고 있다. 또한 상기 처리 스테이션(2)의 양단에 상기 카셋트 스테이션(1) 및 인터페이스 스테이션(3)이 각각 배치되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment which concerns on this invention is described based on road. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the whole structure of the resist coating and developing apparatus as a substrate processing system which concerns on this invention. The resist coating and developing apparatus 100 includes a cassette station 1 and a substrate G on which a plurality of cassettes C, which accommodate a plurality of LCD substrates G (hereinafter referred to as substrates G) which are substrates to be processed, are placed. ) Between a processing station 2 having a plurality of processing units for applying a series of processing including application and development of a resist liquid as a processing liquid and a plurality of (two) exposure apparatuses EXP, 4a; 4b. The interface station 3 for carrying out (G) is provided. In addition, the cassette station 1 and the interface station 3 are disposed at both ends of the processing station 2, respectively.

카셋트 스테이션(1)은 카셋트(C)와 처리 스테이션(2)의 사이에 기판(G)의 반입출을 행하기 위한 반송 기구(10)를 구비하고 있다. 또 이 반송 기구(10)는 카셋트(C)의 배열 방향을 따라 설치된 반송로상을 이동 가능한 반송 암(11)을 구비하고 있다. 이 반송 암(11)에 의해 카셋트(C)와 처리 스테이션(2)의 사이에 기판(G)의 반송이 행해진다.The cassette station 1 is provided with the conveyance mechanism 10 for carrying in and out of the board | substrate G between the cassette C and the processing station 2. Moreover, this conveyance mechanism 10 is equipped with the conveyance arm 11 which can move on the conveyance path provided along the arrangement direction of the cassette C. As shown in FIG. The transfer arm 11 transfers the substrate G between the cassette C and the processing station 2.

처리 스테이션(2)은 X방향으로 늘어나는 기판(G)반송용의 평행한 2열의 반송 라인(A ; B)을 가지고 있고 반송 라인(A)을 따라 카셋트 스테이션(1)측으로부터 인터페이스 스테이션(3)을 향해 스크러브 세정 처리 유니트(SCR; 21); 제 1의 열처리 유니트 섹션(26) ; 레지스트 도포 처리 유니트(23) 및 제 2의 열처리 유니트 섹션(27)이 배열되어 있다. 또한 스크러브 세정 처리 유니트(SCR; 21) 상의 일부에는 엑시머 UV조사 유니트(e-UV; 22)가 설치되어 있다.The processing station 2 has two parallel rows of conveying lines A and B for conveying the substrate G extending in the X direction, and the interface station 3 from the cassette station 1 side along the conveying line A. A scrub cleaning processing unit (SCR) 21 toward the side; First heat treatment unit section 26; The resist coating processing unit 23 and the second heat treatment unit section 27 are arranged. In addition, an excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning processing unit (SCR) 21.

또 반송 라인(B)을 따라 인터페이스 스테이션(3)측으로부터 카셋트 스테이션(1)을 향하고 현상 처리 유니트(DEV; 24) ; i선UV조사 유니트(i-UV; 25) 및 제 3의 열처리 유니트(28)가 배열되어 있다.A developing processing unit (DEV) 24 facing the cassette station 1 from the interface station 3 side along the conveying line B; An i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 and a third heat treatment unit 28 are arranged.

제 1의 열처리 유니트 섹션(26)은 기판(G)에 가열 처리 또는 냉각 처리를 가하는 열처리 유니트가 다단으로 적층된 복수의 열처리 블럭에 의해 구성된다. 즉 기판(G)에 레지스트 도포전의 가열 처리를 실시하는 베이킹 유니트 ; HMDS 가스에 의해 소수화 처리를 가하는 애드히젼 유니트등이 적층된 열처리 블럭(26a ; 26b) ;기판(G)을 소정의 온도로 냉각하는 쿨링 유니트(26c)에 의해 구성되어 있다.The first heat treatment unit section 26 is constituted by a plurality of heat treatment blocks in which a heat treatment unit for applying heat treatment or cooling treatment to the substrate G is stacked in multiple stages. That is, the baking unit which heat-processes before a resist coating to the board | substrate G; Heat treatment blocks 26a and 26b in which an adhesion unit to which hydrophobization treatment is applied by HMDS gas and the like are stacked; and a cooling unit 26c which cools the substrate G to a predetermined temperature.

또 제 1의 열처리 유니트 섹션(26)의 중앙에는 기판(G)을 반송하기 위한 반송 암(도시 생략)을 가지는 수직 반송 유니트(S/A, 5)가 배치되어 있다. 수직 반송 유니트(S/A, 5)의 반송 암은 X Y Z축방향으로 이동 가능하게 되어 또한 수평 방향으로 회동 가능하게 되어 있다. 즉 수직 반송 유니트(S/A, 5)의 반송 암이 제 1의 열처리 유니트 섹션(26)에 있어서의 각 열처리 블럭(26a ; 26b; 26c)에 액세스 하 고 기판(G)의 반송이 행해진다.Moreover, in the center of the 1st heat processing unit section 26, the vertical conveyance units S / A and 5 which have a conveyance arm (not shown) for conveying the board | substrate G are arrange | positioned. The conveying arms of the vertical conveying units S / A and 5 are movable in the X Y Z-axis direction and can be rotated in the horizontal direction. That is, the conveyance arm of the vertical conveyance unit S / A, 5 accesses each heat treatment block 26a; 26b; 26c in the 1st heat treatment unit section 26, and conveyance of the board | substrate G is performed. .

또 레지스트 도포 처리 유니트(23)는 도포막형성 수단으로서의 레지스트 도포 장치(CT, 23a)와 감압 건조 유니트(VD, 23b)에 의해 구성되어 도시하는 바와 같이 각각이 수직 반송 유니트(S/A, 6)에 인접하게 배치된다.In addition, the resist coating processing unit 23 is constituted by the resist coating apparatuses CT, 23a and the vacuum drying units VD, 23b as coating film forming means, respectively. ) Is placed adjacent to.

또한 수직 반송 유니트(S/A, 6)는 수직 반송 유니트(S/A, 5)와 동일 구성의 유니트 전체가 X축방향으로 크게 이동 가능한 구성으로 되어 있다. 즉 레지스트 도포 장치(CT, 23a)에 있어서 X축방향으로 나열하여 배치된 2개의 스테이지에 대해서1 반송 유니트로 대응 가능하게 되어 있다. 또 감압 건조 유니트(VD, 23b)에 대한 기판(G)의 반송도 수직 반송 유니트 (6, S/A)에 의해 행해진다.In addition, the vertical conveying units S / A and 6 have a configuration in which the entire unit having the same configuration as the vertical conveying units S / A and 5 can be moved greatly in the X-axis direction. That is, it is possible to cope with one conveying unit with respect to two stages arrange | positioned by the X-axis direction in resist coating apparatus CT and 23a. Moreover, the conveyance of the board | substrate G with respect to the pressure reduction drying units VD and 23b is also performed by the vertical conveyance units 6 and S / A.

또한 레지스트 도포 장치(CT, 23a)에 관해서는 상세하게 후술 한다.In addition, the resist coating apparatus CT, 23a is mentioned later in detail.

제 2의 열처리 유니트 섹션(27)은 수직 반송 유니트(S/A,7)의 주위를 둘러싸도록 배치된 3개의 열처리 블럭(27a; 27b ; 27c)에 의해 구성된다.The second heat treatment unit section 27 is constituted by three heat treatment blocks 27a; 27b; 27c arranged to surround the vertical conveying unit S / A, 7.

수직 반송 유니트(S/A,7)는 수직 반송 유니트(S/A, 5)와 동일한 구성을 가지고 있어 3개의 열처리 블럭(27a; 27b ; 27c)에 대한 기판 반송을 실시한다.The vertical conveying units S / A, 7 have the same configuration as the vertical conveying units S / A, 5, and perform substrate conveyance for three heat treatment blocks 27a; 27b;

제 3의 열처리 유니트(28)는 수직 반송 유니트(S/A, 8)에 인접한 2개의 열처리 블럭 (28a; 28b)에 의해 구성된다.The third heat treatment unit 28 is constituted by two heat treatment blocks 28a and 28b adjacent to the vertical transfer units S / A and 8. As shown in FIG.

수직 반송 유니트(S/A, 8)는 수직 반송 유니트(S/A, 5)와 동일한 구성을 가지고 있고 2개의 열처리 블럭(28a; 28b)에 대한 기판 반송을 실시한다.The vertical conveying units S / A and 8 have the same configuration as the vertical conveying units S / A and 5 and carry out substrate conveyance for two heat treatment blocks 28a and 28b.

또 인터페이스 스테이션(3)은 노광 장치(EXP, 4a ; 4b)와의 사이에 각각 기판(G)의 반입출을 실시하는 기판 반송 수단으로서의 수직 반송 유니트(S/A,42a; 42b)와 버퍼 카셋트를 배치하는 버퍼 스테이지(BUF; 43a, 43b)를 가지고 있다.In addition, the interface station 3 carries out a vertical transfer unit (S / A, 42a; 42b) and a buffer cassette as substrate transfer means for carrying in and out of the substrate G, respectively, between the exposure apparatus EXP, 4a, 4b. It has buffer stage BUF 43a, 43b arrange | positioned.

또한 수직 반송 유니트(S/A ;42a ; 42b)는 각각 상기 수직 반송 유니트(S/A, 5)와 동일한 구성을 가지고 있다.The vertical conveying units S / A 42a and 42b each have the same configuration as the vertical conveying units S / A 5.

또 인터페이스 스테이션(3)은 처리 스테이션(2)로부터의 기판 수취부인 수직 반송 유니트(S/A, 44)를 가지고 있다. 이 수직 반송 유니트(S/A, 44)는 상기 수직 반송 유니트(S/A, 5)와 동일 구성의 유니트 전체가 Y축방향으로 크게 이동 가능하게 이루어지고 처리 스테이션(2)으로부터 인도된 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A, 44)에 의해 2개의 버퍼 스테이지(BUF; 43a,43b)에 대해 반송된다.Moreover, the interface station 3 has the vertical conveyance unit S / A 44 which is a board | substrate receiving part from the processing station 2. As shown in FIG. The vertical conveying unit (S / A, 44) is made of a substrate which is formed so that the whole unit having the same configuration as the vertical conveying unit (S / A, 5) can be moved greatly in the Y-axis direction and guided from the processing station (2). G) is conveyed to the two buffer stages BUF 43a, 43b by the vertical conveying units S / A 44.

버퍼 스테이지(BUF; 43a, 43b)는 노광 장치(EXP, 4a ; 4b)에 반송하는 기판(G)을 일시적으로 수용하는 블럭이지만 그 하단부에는 기판 회전 수단인 기판 회전 유니트(ROT, 46)가 설치되어 있다. 즉 버퍼 스테이지(BUF; 43a, 43b)에 있어서는 기판(G)은 상기 기판 회전 유니트(ROT)에 의해 노광 장치(EXP, 4a ; 4b)에 있는 기판 처리 방향에 맞추어 회전이 되고 일시 수용된다.The buffer stage BUF 43a, 43b is a block for temporarily accommodating the substrate G to be conveyed to the exposure apparatus EXP 4a; 4b, but at the lower end thereof, the substrate rotating unit ROT 46, which is a substrate rotating means, is provided. It is. That is, in the buffer stages BUF 43a and 43b, the substrate G is rotated in accordance with the substrate processing direction in the exposure apparatus EXP, 4a and 4b by the substrate rotating unit ROT and temporarily accommodated.

또한 인터페이스 스테이션(3)은 타이틀러(TITLER)와 주변 노광 장치(EE)가 상하에 적층된 외부 장치 블럭(45)을 가지고 있다. 이 외부 장치 블럭(45)과 수직 반송 유니트(S/A, 42a)의 사이에는 기판 회전 수단인 기판 회전 유니트(ROT, 46)가 설치되어 있다. 즉 기판(G)은 노광 장치(EXP ; 4a, 4b)에 의한 노광 처리 후에 수직 반송 유니트(S/A, 42a) 또는 수직 반송 유니트(S/A, 44)에 의해 기판 회전 유니트(ROT, 46)에 반송되어 거기서 다음 공정에 있어서의 기판 처리 방향에 맞추어 회전이 된다.The interface station 3 also has an external device block 45 in which a titler TITLER and a peripheral exposure device EE are stacked up and down. Between this external device block 45 and the vertical conveyance units S / A and 42a, the board | substrate rotation unit ROT 46 which is a board | substrate rotation means is provided. That is, the board | substrate G is the board | substrate rotation unit ROT 46 by the vertical conveyance unit S / A, 42a or the vertical conveyance unit S / A, 44 after the exposure process by exposure apparatus EXP 4a, 4b. ) Is rotated in accordance with the substrate processing direction in the next step.

이와 같이 구성된 레지스트 도포 현상 처리 장치(100)에 있어서는 우선 카셋트스테이션(1)에 배치된 카셋트(C)내의 기판(G)이 반송 장치(10)에 의해 처리 스테이션(2)에 반입된 후 먼저 엑시머 UV조사 유니트(e-UV; 22)에 의한 스크러브 사전 처리 ; 스크러브 세정 처리 유니트(SCR; 21)에 의한 스크러브 세정 처리가 행해진다. In the resist coating and developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C disposed in the cassette station 1 is carried into the processing station 2 by the transfer device 10, and then the excimer first. Scrub pretreatment by UV irradiation unit (e-UV) 22; The scrub cleaning process by the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 is performed.

그 다음에 기판(G)은 제 1의 열처리 유니트 섹션(26)에 속하는 열처리 유니트블럭(HP, COL; 26a,26b,26c)에 반입되어 일련의 열처리(탈수베이크 처리 ; 소수화 처리등)를 한다.Subsequently, the substrate G is loaded into the heat treatment unit blocks HP and COL 26a, 26b, and 26c belonging to the first heat treatment unit section 26 to perform a series of heat treatments (dehydration bake treatment; hydrophobization treatment, etc.). .

그 후 기판(G)은 레지스트 도포 처리 유니트(23)에 반입되어 레지스트액의 막형성 처리가 실시된다. 이 레지스트 도포 처리 유니트(23)에서는 먼저 레지스트 도포 장치(CT, 23a)에 있어서 기판(G)에 레지스트액이 도포되고 그 다음에 감압 건조 유니트(VD, 23b)에 있어서 감압 건조 처리가 이루어진다.Subsequently, the substrate G is loaded into the resist coating processing unit 23 to perform a film forming process of the resist liquid. In this resist coating processing unit 23, a resist liquid is first applied to the substrate G in the resist coating apparatuses CT and 23a, and then a reduced pressure drying process is performed in the vacuum drying units VD and 23b.

레지스트 도포 처리 유니트(23)에서의 레지스트 성막 처리 후 기판(G)은 제 2의 열처리 유니트 섹션(27)에 속하는 열처리 유니트 블럭(HP, COL; 27a, 27b, 27 c)에 반입되어 일련의 열처리(프리 베이크 처리등)가 행해진다.After resist film formation in the resist coating processing unit 23, the substrate G is carried in heat treatment unit blocks HP, COL 27a, 27b, 27c belonging to the second heat treatment unit section 27 and subjected to a series of heat treatments. (Pre-baking process, etc.) is performed.

그 다음에 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A, 44)에 의해 외부 장치 블럭(45)의 주변 노광 장치(EE)에 반송된다. 거기서 기판(G)에 대해서 주변 레지스트 제거를 위한 노광이 행해진다. 그 후 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A, 44)에 의해 버퍼 스테이지(BUF; 43a, 43b)에 교대로 일시 수용되고 수용된 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A) (42a; 42b)에 의해 2대의 노광 장치(EXP ; 4a, 4b)의 어느 쪽인가에 반송된다.Subsequently, the substrate G is conveyed to the peripheral exposure apparatus EE of the external device block 45 by the vertical transfer units S / A and 44. There, the exposure for removing peripheral resist is performed to the board | substrate G. Subsequently, the substrate G is temporarily accommodated alternately in the buffer stages BUF 43a and 43b by the vertical transfer units S / A and 44, and the received substrate G is the vertical transfer unit S / A 42a. It is conveyed to either of two exposure apparatus EXP 4a, 4b by 42b.

즉 버퍼 스테이지(BUF,43a)에 수용된 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A, 42a)에 의해 노광 장치(EXP, 4a)에 반송되고퍼 스테이지(BUF, 43b)에 수용된 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A,42b) 의해 노광 장치(EXP,4b) 반송된다.That is, the board | substrate G accommodated in the buffer stage BUF and 43a is conveyed to the exposure apparatus EXP, 4a by the vertical transfer unit S / A, 42a, and the board | substrate G accommodated in the super stage BUF, 43b. The exposure apparatus EXP, 4b is conveyed by the vertical conveyance unit S / A, 42b.

노광 장치(EXP, 4a ; 4b) 에 있어서는 기판(G)상의 레지스트막이 노광되어 소정의 패턴이 형성된다.In the exposure apparatus EXP, 4a; 4b, a resist film on the substrate G is exposed to form a predetermined pattern.

노광 종료후 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A ;42a ; 42b; 44) 의해 일단 기판 회전 유니트(ROT, 46)에 반송된다. 거기서 다음 공정에서의 기판 처리 방향에 맞추어 수평 방향으로 기판의 회전이 이루어진다.After completion of exposure, the substrate G is conveyed to the substrate rotation unit ROT 46 once by the vertical transfer units S / A; 42a; 42b; 44. There, the substrate is rotated in the horizontal direction in accordance with the substrate processing direction in the next step.

그 다음에 기판(G)은 외부 장치 블럭(45)의 상단의 타이틀러(TITLER)에 반송되어 소정의 정보가 기록된다. 그 후 기판(G)은 회전자 반송 기구에 의해 다시 처리 스테이션(2)에 반송된다. 그리고 기판(G)은 먼저 현상 처리 유니트(DEV; 24)에 반송되어 거기서 현상 처리가 실시된다.Subsequently, the board | substrate G is conveyed to the titler TITLER of the upper end of the external device block 45, and predetermined information is recorded. Then, the board | substrate G is conveyed to the processing station 2 again by the rotor conveyance mechanism. The substrate G is first conveyed to the developing unit DEV 24, where the developing process is performed.

현상 처리 종료후 기판(G)은 현상 처리 유니트(DEV; 24)로부터 i선UV조사 유니트(i-UV; 25)에 반입되어 기판(G)에 대해서 탈색 처리가 실시된다. 그 후 기판(G)은 제 3의 열처리 유니트 섹션(28)에 반입되고 열처리 유니트 블럭(HP, 28a; 28b) 에 있어서 일련의 열처리(포스트베이크 처리등)가 실시된다.After completion of the development treatment, the substrate G is carried from the development processing unit DEV 24 to the i-ray UV irradiation unit i-UV 25 and subjected to decolorization processing on the substrate G. Subsequently, the substrate G is loaded into the third heat treatment unit section 28 and subjected to a series of heat treatments (post bake treatment or the like) in the heat treatment unit blocks HP, 28a and 28b.

그리고 기판(G)은 소정 온도로 냉각된 후 컨베이어 반송에 의해 카셋트 스테이션(1)에 반송되고 반송 장치(11)에 의해 소정의 카셋트(C)에 수용된다.After the substrate G is cooled to a predetermined temperature, the substrate G is conveyed to the cassette station 1 by conveyor conveyance and accommodated in the predetermined cassette C by the conveying device 11.

이어서 레지스트 도포 처리 유니트(23)가 가지는 레지스트 도포 장치(CT, 23a)에 대해서 도 2 및 도 3에 근거해 상세하게 설명한다. 도 2는 레지스트 도포 장치(CT, 23a)의 외관을 나타내는 사시도 ; 도 3은 레지스트 도포 장치(CT, 23a)의 측면도이다.Next, the resist coating apparatuses CT and 23a which the resist coating process unit 23 has are demonstrated in detail based on FIG. 2 and FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the resist coating apparatuses CT, 23a; 3 is a side view of the resist coating device CT, 23a.

이 레지스트 도포 장치(CT, 23a)는 기판(G)을 수평으로 유지하는 스테이지(50,제 1 의 스테이지) 및 스테이지(59,제 2의 스테이지)와 이들 스테이지에 재치된 기판(G)에 대해서 레지스트액을 도포하는 처리액 도포 수단으로 구성된다.The resist coating apparatuses CT and 23a have a stage 50 (first stage) and a stage 59 (second stage) for holding the substrate G horizontally, and the substrate G placed on these stages. It consists of the process liquid application means which apply | coats a resist liquid.

처리액 도포 수단은 스테이지(50,59)의 윗쪽에 배치하여 설치되는 레지스트 공급 노즐(처리액 공급 노즐, 51)과 이 레지스트 공급 노즐(51,이하 노즐(51)로 부른다)을 이동시키는 노즐 이동 수단(86)과 노즐(51)에 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급원(95, 처리액 공급 수단)을 구비한다.The processing liquid applying means moves a nozzle for moving the resist supply nozzle (processing liquid supply nozzle 51) and the resist supply nozzle 51 (hereinafter referred to as the nozzle 51) which are disposed and disposed above the stages 50 and 59. The resist liquid supply source 95 (process liquid supply means) which supplies a resist liquid to the means 86 and the nozzle 51 is provided.

이 구성에 있어서 노즐(51)을 노즐 이동 수단(86)에 의해 수평 이동함으로써 스테이지(50, 59)상의 기판(G, G1, G2)과 노즐(51)을 상대적으로 수평 이동 할 수 있도록 되어 있다.In this configuration, the nozzles 51 are horizontally moved by the nozzle moving means 86 so that the substrates G, G1, G2 and the nozzles 51 on the stages 50, 59 can be relatively horizontally moved. .

또한 도 3에 나타나는 바와 같이 상기 스테이지(50) 및 스테이지(59)는 승강 가능한 흡착 기구를 가지는 기판 보지부(50a ; 59a)를 각각 구비하고 있고 반입된 기판(G)을 상기 기판 보지부 (50a ; 59a)에 의해 수취하고 보지하도록 되어 있다.As shown in Fig. 3, the stage 50 and the stage 59 each have substrate holding portions 50a and 59a each having a lifting mechanism capable of lifting up and down. It is received and held by 59a).

또 도 2에 나타나는 바와 같이 상기 노즐(51)은 기판(G1; G2)의 폭방향으로 늘어나는 슬릿 형상의 토출구(51a)와 이 토출구(51a)에 연통하는 레지스트액 수용실(도시하지 않음)을 가지고 있고 이 레지스트액 수용실에 접속하는 레지스트액 공급 튜브(57)을 개입시켜 레지스트액 공급원(95)이 접속되어 있다.As shown in Fig. 2, the nozzle 51 includes a slit-shaped discharge port 51a extending in the width direction of the substrates G1 and G2 and a resist liquid accommodating chamber (not shown) in communication with the discharge port 51a. The resist liquid supply source 95 is connected through the resist liquid supply tube 57 which has a structure and is connected to this resist liquid accommodation chamber.

또한 노즐(51)의 선단부는 도 4의 확대 단면도로 나타내는 바와 같이 그 짧은측에서 볼때 테이퍼형상이 되고 노즐짧은 방향을 따라 토출구(51a)의 전후에는 하단면(51b) 및 경사면(51c)이 각각 형성되어 있다. 또 이 노즐(51)은 도포 처리시의 진행 방향으로 방향성을 가지고 있다. 즉 도 4에 나타나는 바와 같이 노즐 진행 방향과 반대측의 하단부(51b)는 노즐짧은 방향의 길이가 큰폭으로 형성되어 있다. 이와 같이 함으로써 토출되는 레지스트액(R)이 하단부(51b)의 면에 의해 기판 표면에 눌려져 도포 처리가 안정되도록 이루어져 있다.In addition, as shown in the enlarged sectional drawing of FIG. 4, the front-end | tip part of the nozzle 51 becomes a taper shape, and the lower surface 51b and the inclined surface 51c are respectively before and behind the discharge port 51a along the nozzle short direction, respectively. Formed. Moreover, this nozzle 51 has directivity in the advancing direction at the time of application | coating process. That is, as shown in FIG. 4, the lower end part 51b on the opposite side to a nozzle advancing direction is largely formed in the length of a nozzle short direction. In this way, the discharged resist liquid R is pressed against the substrate surface by the surface of the lower end portion 51b, so that the coating process is stabilized.

또 상기 처리액도포 수단은 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이 스테이지(50과 59)의 사이에 노즐 대기부(55, 프라이밍 처리 수단)를 갖춘다. 이 노즐 대기부(55)는 대기시에 노즐(51)의 선단에 부착한 레지스트액을 균일화하기(프라이밍 처리라고 부른다) 위한 회전 자재인 프라이밍 롤러(52, 롤러)와 이 프라이밍 롤러(52)를 세정하기 위해 신너에 담그는 용기(53)와 노즐(51) 선단의 건조를 억제하기 위한 보습부(보습 수단,54)을 갖춘다.In addition, the processing liquid applying means is provided with a nozzle waiting portion 55 (priming processing means) between the stages 50 and 59, as shown in Figs. This nozzle standby part 55 uses the priming roller 52 (roller) which is a rotating material for homogenizing (referred to as a priming process) and the resist liquid adhering to the front-end | tip of the nozzle 51 at the time of waiting, and this priming roller 52 A moisturizing part (moisturizing means) 54 for suppressing drying of the container 53 immersed in the thinner for cleaning and the tip of the nozzle 51 is provided.

또한 기판으로의 도포 처리전의 프라이밍 처리에 있어서는 도 5에 나타나는 바와 같이 프라이밍 롤러(52)의 주위면에 노즐(51)의 선단이 근접하게 배치된다. 그리고 토출구(51a)로부터 레지스트액(R)를 토출하는 한편 롤러 회전 제어 수단(65)에 의해 프라이밍 롤러(52)를 회전시켜 노즐(51) 선단에 부착한 레지스트액(R)의 균일화 처리를 한다.In addition, in the priming process before the coating process to a board | substrate, the tip of the nozzle 51 is arrange | positioned close to the circumferential surface of the priming roller 52, as shown in FIG. Then, the resist liquid R is discharged from the discharge port 51a while the priming roller 52 is rotated by the roller rotation control means 65 to uniformize the resist liquid R attached to the tip of the nozzle 51. .

또 도 5에 나타나는 바와 같이 토출구(51a)로부터 토출되는 레지스트액(R)은 롤러(52)의 회전 방향으로 흐르게 된다. 따라서 프라이밍 처리 후에 있어서 노즐 (51) 선단의 한쪽 측에는 롤러(52)의 회전 방향을 따라 다른쪽보다 많은 레지스트액이 부착한 상태가 된다. 또한 도포 처리시에 있어서는 토출구(51a)를 경계로 레지스트액(R)이 적게 부착한 측이 진행 방향이 되도록 노즐(51)의 이동 방향이 제어된다. 이와 같이 함으로써 도포 개시시에 있어서의 막갈림등의 발생이 억제되어 도포막이 보다 균일하게 되도록 이루어져 있다.As shown in FIG. 5, the resist liquid R discharged from the discharge port 51a flows in the rotational direction of the roller 52. Therefore, after priming, more resist liquid adheres to one side of the tip of the nozzle 51 than the other along the rotational direction of the roller 52. In addition, at the time of application | coating process, the moving direction of the nozzle 51 is controlled so that the side to which the resist liquid R adheres little to the discharge port 51a as a direction of advancing may become. By doing in this way, generation | occurrence | production of a film | membrane etc. at the time of coating start is suppressed, and a coating film is made more uniform.

또 도 5에 나타나는 바와 같이 프라이밍 롤러(52)의 도중에는 와이퍼(91)가설치되어 있다. 이 와이퍼(91)는 내약품성의 수지로 이루어지고 선단이 프라이밍 롤러(52)의 주위면에 미끄러져 접하여 주위면상의 먼저 돌아들어온 불필요한 레지스트액이나 시너(89)를 제거할 수 있도록 되어 있다.5, the wiper 91 is provided in the middle of the priming roller 52. As shown in FIG. The wiper 91 is made of a chemical-resistant resin, and the tip is slid into contact with the circumferential surface of the priming roller 52 so as to remove the unnecessary resist liquid or thinner 89 that has come back on the circumferential surface.

또한 와이퍼(91)의 선단 형상은 이 레지스트액 제거 기능을 발휘할 수 있는 것이면 되고 이 예에서 이용하고 있는 쐐기형(楔形)의 단면외에 구형 단면이나 양다리 형상의 단면 형상으로 한 임의의 형상을 채용할 수가 있다.In addition, the tip shape of the wiper 91 should just be able to exhibit this resist liquid removal function, and arbitrary shapes made into the spherical cross section or the cross leg shape in addition to the wedge-shaped cross section used in this example can be adopted. There is a number.

또 이 와이퍼(91)는 에어 실린더(90)에 의해 프라이밍 롤러(52) 주위면에 접촉하는 아래 위치와 프라이밍 롤러(52) 주위면으로부터 멀어진 상위 위치의 사이를 승강 가능하게 구성되고 있어 필요에 따라서 그 위치를 변경 가능하게 되어 있다.Moreover, this wiper 91 is comprised so that an air cylinder 90 can raise and lower between the lower position which contacts the circumferential surface of the priming roller 52, and the upper position away from the circumferential surface of the priming roller 52, as needed. The position can be changed.

또 도 2에 나타나는 바와 같이 토출구(51a)의 긴 방향의 양측에는 이 토출구(51a)로부터 토출되는 레지스트액(R)의 토출압을 저감 하는 막두께 제어 수단(80)이 설치되어 있다. 이 막두께 제어 수단(80)은 토출구(51a)의 긴 방향의 양측으로 연결하는 연통로(81)에 각각 접속하는 흡인관(82)과 흡인관(82)에 설치된 예를 들면 다이어프램 펌프와 같은 흡인 펌프(83)로 구성되고 있고 흡인 펌프(83)의 구동 에 의해 토출구(51a)의 양측의 토출압(81)이 저감되도록 구성되어 있다. 또한 흡인관(82)에 있어서의 흡인 펌프(83)의 흡인측 즉 노즐(51) 측에는 개폐밸브(84)가 개설되어 있다.2, the film thickness control means 80 which reduces the discharge pressure of the resist liquid R discharged from this discharge port 51a is provided in the both sides of the discharge port 51a in the longitudinal direction. The film thickness control means 80 is a suction pump such as, for example, a diaphragm pump provided in the suction pipe 82 and the suction pipe 82 respectively connected to the communication path 81 connecting to both sides of the discharge port 51a in the long direction. It is comprised so that the discharge pressure 81 of the both sides of the discharge port 51a may be reduced by the drive of the suction pump 83. As shown in FIG. Moreover, the opening-closing valve 84 is provided in the suction side of the suction pump 83 in the suction pipe 82, ie, the nozzle 51 side.

이어서 상기 구성의 레지스트 도포 장치(CT, 23a)의 동작 양태에 대해서 설명한다. 먼저 도 2에 나타나는 바와 같이 예를 들면 스테이지(50)에 재치된 기판(G1)에 대해서 레지스트액(R)을 도포하는 경우의 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation | movement aspect of the resist coating apparatus CT and 23a of the said structure is demonstrated. First, as shown in FIG. 2, the operation | movement at the time of apply | coating the resist liquid R to the board | substrate G1 mounted in the stage 50 is demonstrated, for example.

우선 노즐(51)을 노즐 대기부(55)에 배치하는 한편 반송 암(64)에 의해 반송된 기판(G1)를 스테이지(50)상에 흡착 보지한다. 이 때 스테이지(50)에 설치된 기판 보지부(50a)에 의해 기판(G1)이 흡착된다. 그리고 레지스트액 공급원(95)으로부터 레지스트액(R)을 노즐(51)내의 레지스트액 수용실에 공급함과 동시에 노즐 이동 수단(86)에 의해 노즐(51)을 노즐 대기부(55)로부터 스테이지(50)의 좌측 단부 윗쪽 으로 이동한다.First, the nozzle 51 is arrange | positioned at the nozzle standby part 55, and the board | substrate G1 conveyed by the conveyance arm 64 is hold | maintained on the stage 50 by suction. At this time, the board | substrate G1 is attracted by the board | substrate holding part 50a provided in the stage 50. FIG. Then, the resist liquid R is supplied from the resist liquid supply source 95 to the resist liquid accommodating chamber in the nozzle 51 and the nozzle 51 is moved from the nozzle standby portion 55 by the nozzle moving means 86 to the stage 50. To the left end of the

그 다음에 노즐(51)은 토출구(51a)로부터 레지스트액(R)를 토출하면서 기판(G1)상을 우측 방향으로 이동한다. 또한 토출구(51a)와 기판(G)의 거리는 40~150 ㎛의 정도로 설치되고 바람직하게는 60 ㎛로 설정된다.Then, the nozzle 51 moves the substrate G1 on the right side while discharging the resist liquid R from the discharge port 51a. Moreover, the distance between the discharge port 51a and the board | substrate G is installed in the grade of 40-150 micrometers, Preferably it is set to 60 micrometers.

또 이 때 흡인 펌프(83)를 구동하여 토출구(51a)의 긴 방향의 양측을 흡인하는 것으로 토출구(51a)의 양측에 있어서의 레지스트액(R)의 토출압이 감소되어 토출구(51a)의 중앙부측의 토출압과 양측의 토출압이 대충 비슷한 상태 즉 레지스트액(R)의 액두께가 동일해진 상태로 기판(G)상에 띠형상으로 토출(공급)된다. 따라서 기판(G)과 노즐(51)이 상대적으로 수평 이동함으로써 기판(G)의 표면에 레지스 트액(R)이 띠형상으로 공급되어 기판(G)의 표면 전체에 균일한 막두께의 레지스트막이 형성된다.At this time, the suction pump 83 is driven to suck both sides of the discharge port 51a in the longitudinal direction, whereby the discharge pressure of the resist liquid R at both sides of the discharge port 51a is reduced, and the center portion of the discharge port 51a is reduced. The discharge pressure on the side and the discharge pressure on both sides are discharged (supplied) in a band shape on the substrate G while the liquid thickness of the resist liquid R is substantially the same. As a result, the substrate G and the nozzle 51 move relatively horizontally, so that the resist liquid R is supplied in a band shape to the surface of the substrate G, thereby forming a resist film having a uniform film thickness on the entire surface of the substrate G. do.

이와 같이 하고 기판(G)표면에 레지스트막을 형성한 후 레지스트액(R)의 공급이 정지됨과 동시에 노즐(51)을 대기 위치로 이동하고 노즐(51)의 토출구(51a)를 노즐 대기부 (55)내의 프라이밍 롤러(52)에 근접하고 다음의 도포 처리에 대비한다. 또 레지스트막이 형성된 기판(G)은 수직 반송 유니트(6)에 의해 재치대(50)로부터 감압 건조 유니트(VD, 23b)에 반송된다.In this manner, after the resist film is formed on the surface of the substrate G, the supply of the resist liquid R is stopped and the nozzle 51 is moved to the standby position, and the discharge port 51a of the nozzle 51 is moved to the nozzle standby portion 55. It is close to the priming roller 52 in the inside, and prepares for the next application | coating process. Moreover, the board | substrate G in which the resist film was formed is conveyed from the mounting base 50 to the pressure reduction drying units VD and 23b by the vertical transfer unit 6.

다음에 레지스트 도포 장치(CT, 23a) 에 있어서 복수의 기판에 대해 연속해 도포 처리를 실시할 때의 노즐(51)의 동작에 대해서 도 6 및 도 7에 근거해 설명한다. 도 6은 노즐(51)의 이동 방향을 나타내는 모식도이다. 도 7은 노즐(51)의 동작 제어 공정을 나타내는 플로우이다.Next, the operation | movement of the nozzle 51 at the time of performing a coating process with respect to several board | substrate in resist coating apparatus CT, 23a is demonstrated based on FIG. 6 and FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a moving direction of the nozzle 51. 7 is a flowchart illustrating an operation control process of the nozzle 51.

우선 노즐(51)을 노즐 대기부(55)의 프라이밍 롤러(52)에 근접시켜 노즐(51) 선단의 프라이밍 처리를 실시한다(도 7의 스텝 S1). 스테이지(50)상에 미도포 처리 상태의 기판(G1)이 반송되었을 경우(도 7의 스텝 S2) 노즐(51)은 스테이지(50)의 좌측 단부상으로 이동하고 기판(G1)으로의 레지스트액(R)의 도포 처리를 실시한다(도 7의 스텝 S3). 또한 이 때 도 6의 화살표로 나타나는 방향으로 노즐(51)이 이동하고 도포 처리를 한다.First, the nozzle 51 is brought close to the priming roller 52 of the nozzle standby part 55, and the priming process of the tip of the nozzle 51 is performed (step S1 of FIG. 7). When the substrate G1 in an uncoated process state is conveyed on the stage 50 (step S2 in FIG. 7), the nozzle 51 moves on the left end of the stage 50 and the resist liquid onto the substrate G1. The coating process of (R) is performed (step S3 of FIG. 7). At this time, the nozzle 51 is moved in the direction indicated by the arrow in Fig. 6 to apply the coating process.

그 다음에 노즐(51)은 노즐 대기부(55)로 이동하고 노즐(51) 선단의 프라이밍 처리를 실시한다(도 7의 스텝 S4). 스테이지(59)상에 미도포 처리 상태의 기판(G2)이 반송되었을 경우(도 7의 스텝 S5) 노즐(51)은 스테이지(59)의 우측 단부상 으로 이동하고 기판(G2)으로의 레지스트액(R)의 도포 처리를 실시한다(도 7의 스텝 S6). 또한 이 때 도 6의 화살표로 나타나는 방향으로 노즐(51)이 이동하고 도포 처리가 행해진다.Then, the nozzle 51 moves to the nozzle standby part 55, and performs the priming process of the tip of the nozzle 51 (step S4 of FIG. 7). When the substrate G2 in an uncoated process state is conveyed on the stage 59 (step S5 in FIG. 7), the nozzle 51 moves on the right end of the stage 59 and the resist liquid onto the substrate G2. The coating process of (R) is performed (step S6 of FIG. 7). In addition, the nozzle 51 moves in the direction shown by the arrow of FIG. 6 at this time, and a coating process is performed.

그 다음에 도 7의 스텝 S1의 처리로 돌아가 그 후 미도포 처리 상태의 기판이 연속하여 각 스테이지에 반송되었을 경우에는 상기 한 플로우에 따라 기판으로의 도포 처리를 실시한다.Subsequently, the process returns to the processing of step S1 in FIG. 7, and after that, when the substrate in an uncoated process state is continuously conveyed to each stage, the coating process is performed on the substrate according to the above-described flow.

또 상기 스텝 S2 혹은 스텝 S5 에 있어서 스테이지상에 기판이 반송되어 있지 않은 경우에는 노즐(51)은 프라이밍 처리 후에 보습부(54)로 이동하고 노즐(51) 선단이 건조하지 않는 상태로 대기한다(도 7의 스텝 S7).Moreover, when the board | substrate is not conveyed on the stage in said step S2 or step S5, the nozzle 51 moves to the moisturizing part 54 after a priming process, and waits in the state in which the front end of the nozzle 51 does not dry ( Step S7 of FIG. 7).

또한 상기 한 바와 같이 노즐(51)은 도포 처리시에 있어서의 진행 방향으로 방향성을 가지고 있다. 이 때문에 도포 처리시에 있어서 기판(G1; G2)에 대해서는 도 6의 화살표에 나타나는 바와 같이 동일 방향으로 노즐(51)이나 기판상을 이동하도록 노즐 이동 수단(86)에 의해 이동의 동작이 제어된다.As described above, the nozzle 51 has directivity in the advancing direction during the coating process. For this reason, the operation | movement operation | movement is controlled by the nozzle moving means 86 so that the board | substrate G1 and G2 may move on a nozzle 51 or a board | substrate in the same direction as shown by the arrow of FIG. 6 at the time of application | coating process. .

이상 설명한 제 1의 실시의 형태에 의하면 2개의 스테이지(50, 59)를 나열하여 배치함으로써 각각의 스테이지에 재치되는 기판(G)에 대해서 효율적으로 도포 처리를 실시할 수 있다. 즉 한쪽의 스테이지에서의 도포 처리중에 다른쪽의 스테이지에서의 반입출작업을 실시할 수가 있기 때문에 종래의 단일의 스테이지의 경우보다 기판 반입출에 필요로 하는 시간을 생략할 수가 있어 수율을 향상할 수가 있다.According to the first embodiment described above, the two stages 50 and 59 are arranged side by side, so that the coating treatment can be efficiently performed on the substrate G placed on each stage. In other words, the carry-out operation of the other stage can be performed during the coating process on one stage, so that the time required for carrying out the substrate can be omitted compared to the conventional single stage, and the yield can be improved. have.

또 2개의 스테이지(50, 59)간에 노즐 대기부(55)를 배치하기 때문에 어느 스테이지에 재치된 기판(G)에 대해서도 노즐(51)로의 프라이밍 처리 후에 곧바로 도 포 처리를 실시할 수가 있다. 이 때문에 어느 스테이지에 재치된 기판(G)에 대해서도 막두께가 균일해지는 도포 처리를 실시할 수가 있다.Moreover, since the nozzle standby part 55 is arrange | positioned between two stages 50 and 59, the application process can be performed immediately after the priming process to the nozzle 51 also with respect to the board | substrate G mounted in any stage. For this reason, the coating process by which a film thickness becomes uniform can be performed also about the board | substrate G mounted in any stage.

또 도 14에 나타난 스테이지와 노즐과 노즐 대기부로 이루어지는 장치를 2개 구비하는 경우에 비하여 수율을 축소할 수 있고 또 장치 코스트를 저감 할 수가 있다.In addition, the yield can be reduced and the apparatus cost can be reduced as compared with the case of providing two apparatuses comprising the stage, the nozzle, and the nozzle waiting portion shown in FIG. 14.

또한 상기 실시의 형태에 나타낸 구성에 의하면 스테이지 50 또는 59의 어느쪽 한쪽으로 기판 보지부 (50a ; 59a)등의 고장에 의해 도포 처리를 할 수 없는 상태가 되어도 도 7에 나타낸 플로우와는 다른 플로우를 동작시키는 것에 의해 다른쪽의 스테이지에서의 도포 처리를 실시할 수가 있다. 즉 스테이지(50) 측에 고장이 생겼을 경우에는 노즐(51) 선단의 프라이밍 처리 및 스테이지(59)상의 미처리의 기판(G2)에 대한 도포 처리를 순서로 반복하여 실시하도록 동작시킨다. 한편 스테이지(59) 측에 고장이 생겼을 경우에는 노즐(51) 선단의 프라이밍 처리 및 스테이지(50)상의 미처리의 기판(G1)에 대한 도포 처리를 순서로 반복하여 실시하도록 동작시킨다. 따라서 상기 고장에 의한 레지스트 도포 현상 처리 장치(100)의 운전중단을 회피할 수가 있다.Moreover, according to the structure shown in the said embodiment, a flow different from the flow shown in FIG. 7 even if it becomes a state which application | coating process is not able to perform by the failure of board | substrate holding part 50a; 59a etc. in either one of stage 50 or 59. By operating, the coating treatment on the other stage can be performed. In other words, when a failure occurs on the stage 50 side, the priming treatment at the tip of the nozzle 51 and the coating treatment on the untreated substrate G2 on the stage 59 are repeatedly performed in order. On the other hand, when a failure occurs on the stage 59 side, it is operated to repeat the priming treatment at the tip of the nozzle 51 and the coating treatment to the untreated substrate G1 on the stage 50 in order. Therefore, the operation stop of the resist coating and developing apparatus 100 due to the failure can be avoided.

또 상기 한 바와 같이 레지스트 도포 현상 처리 장치(100)의 구성(레이아웃)에 의하면 복수(2대)의 노광 장치(4a ; 4b)에 대해서 기판을 반송하기 위한 수직 반송 유니트(42a; 42b)를 갖춘다. 이 때문에 2개의 스테이지에 의해 효율적으로 도포막형성 처리된 기판(G)의 노광 처리전에 있어서의 체류가 저감된다. 따라서 노광 장치와 연동했을 때의 레지스트 도포 현상 처리 장치(기판 처리 시스템) 전체의 기 판 처리의 수율을 현격히 향상할 수가 있다.As described above, according to the configuration (layout) of the resist coating and developing apparatus 100, the plurality of two exposure apparatuses 4a and 4b are provided with vertical conveying units 42a and 42b for conveying the substrate. . For this reason, retention before exposure processing of the board | substrate G processed by the coating film formation process efficiently by two stages is reduced. Therefore, the yield of the board | substrate process of the whole resist coating developing apparatus (substrate processing system) at the time of interlocking with an exposure apparatus can be improved significantly.

또한 이 레이아웃에 의하면 기판 반송을 행하는 수직 반송 유니트(S/A)의 주위에 각 열처리 유니트 및 레지스트 도포 처리 유니트(23)가 배치되고 또 다음 공정에서의 기판 처리 방향에 맞추어 기판(G)을 수평 방향으로 회전하는 기판 회전 유니트가 주요 요소에 설치된다. 이것에 의해 각 처리 유니트가 한방향으로 병설되는 것을 회피하고 레지스트 도포 현상 처리 장치의 소형화를 도모할 수가 있다.According to this layout, each heat treatment unit and resist coating processing unit 23 are arranged around the vertical transfer unit S / A for carrying the substrate, and the substrate G is horizontally aligned with the substrate processing direction in the next step. The substrate rotating unit rotating in the direction is installed in the main element. As a result, it is possible to avoid the parallel processing of each processing unit in one direction and to reduce the size of the resist coating and developing apparatus.

또한 상기 실시의 형태에 있어서 설명한 레지스트 도포 장치(23a)의 구성 및 그 동작 제어는 일례로서 그에 한정되는 것은 아니다. 이어서 도 8 내지 도 10에 근거해 본 발명과 관련되는 기판 처리 시스템에 포함되는 레지스트 도포 장치의 제 1의 변형예에 대해서 설명한다.In addition, the structure and the operation control of the resist coating apparatus 23a demonstrated in the said embodiment are not limited to this as an example. Next, based on FIGS. 8-10, the 1st modified example of the resist coating apparatus contained in the substrate processing system which concerns on this invention is demonstrated.

도 8은 레지스트 도포 장치의 제 1의 변형예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 9는 도 8의 레지스트 도포 장치가 가지는 레지스트 공급 노즐에 의한 도포 처리를 설명하기 위한 도이다. 도 10은 도 8의 레지스트 도포 장치가 가지는 레지스트 공급 노즐의 프라이밍 처리를 설명하기 위한 도이다.It is a side view which shows typically the 1st modification of the resist coating apparatus. It is a figure for demonstrating the coating process by the resist supply nozzle which the resist coating apparatus of FIG. 8 has. It is a figure for demonstrating the priming process of the resist supply nozzle which the resist coating apparatus of FIG. 8 has.

이 제 1의 변형예 에 있어서는 도 8에 나타나는 바와 같이 노즐(51)은 노즐 이동 수단(86)에 의한 동작 제어에 의해 도포 처리시의 이동 방향을 스테이지 50측 혹은 59 측으로 변경 가능하게 된다.In this first modification, as shown in FIG. 8, the nozzle 51 can change the moving direction during the coating process to the stage 50 side or the 59 side by the operation control by the nozzle moving means 86.

또 도 9에 나타나는 바와 같이 노즐(51)의 선단부는 토출구(51a)를 사이에 두고 대립되는 하단부(51b)가 모두 큰폭으로 형성된다. 이와 같이 함으로써 노즐(51)의 진행 방향이 화살표로 나타나며 어느 방향에서도 토출되는 레지스트액(R)이 하단부(51b)의 면에 의해 기판 표면에 눌려질수 있어 안정되게 도포되도록 이루어져 있다.9, the lower end part 51b which opposes the distal end part of the nozzle 51 via the discharge port 51a is largely formed. In this way, the advancing direction of the nozzle 51 is indicated by an arrow, and the resist liquid R discharged in any direction can be pressed on the surface of the substrate by the surface of the lower end portion 51b, so that it can be applied stably.

또 도 10에 나타내는 프라이밍 처리에 있어서 롤러 회전 제어 수단(65)은 롤러(52)의 회전 방향을 다음의 도포 처리가 스테이지 50 또는 59중 어느 하나로 행해지는가에 의해 결정한다. 즉 노즐(51) 선단에 있어서 토출구(51a)를 경계로 다음의 도포 처리에 있어서의 노즐 진행 방향의 반대 측에 레지스트액(R)이 많이 부착하도록 롤러(52)의 회전 방향을 결정할 수 있다.Moreover, in the priming process shown in FIG. 10, the roller rotation control means 65 determines the rotation direction of the roller 52 by whether the next application | coating process is performed by any of stage 50 or 59. FIG. That is, the rotation direction of the roller 52 can be determined so that much resist liquid R may adhere to the opposite side to the nozzle advancing direction in the next application | coating process at the front end of the nozzle 51 at the discharge port 51a boundary.

또 도시하는 바와 같이 노즐(51)을 사이에 두고 롤러(52)의 좌우에는 와이퍼(91)가 각각 설치되고 롤러(52)의 회전 방향에 의해 몇개의 와이퍼(91)가 롤러(52)의 주위면에 미끄러져 접하도록 제어된다. 즉 롤러(52)의 회전 방향에 의해 몇개의 에어 실린더(90)가 구동되어 와이퍼(91)의 승강 동작이 제어된다.In addition, as shown in the figure, wipers 91 are provided on the left and right sides of the rollers 52 with the nozzles 51 interposed therebetween, and a number of wipers 91 are arranged around the rollers 52 by the rotation direction of the rollers 52. It is controlled to slide on the surface. That is, several air cylinders 90 are driven by the rotation direction of the roller 52, and the lifting operation of the wiper 91 is controlled.

이와 같이 레지스트 도포 장치(23a)의 제 1의 변형예에 의하면 스테이지(50)에 재치된 기판(G1) 혹은 스테이지(59)에 재치된 기판(G2)중 어느하나에 대해서도 프라이밍 처리 후에 즉시 처리하는 기판 방향으로 노즐(51)을 이동시켜 그대로 도포 처리를 실시할 수가 있다.As described above, according to the first modification of the resist coating device 23a, either the substrate G1 placed on the stage 50 or the substrate G2 placed on the stage 59 is immediately processed after the priming treatment. The coating process can be performed as it is by moving the nozzle 51 in the substrate direction.

즉 노즐(51)의 진행 방향으로 방향성을 갖게 한 구성보다 노즐(51)의 이동 동작에 헛됨이 없기 때문에 수율을 증가시키는 일 없이 보다 수율을 향상시킬 수가 있고 또 노즐(51) 선단의 건조를 억제할 수가 있다.That is, since there is no waste in the movement movement of the nozzle 51 than the structure which made the direction direction of the nozzle 51 advancing, the yield can be improved more without increasing a yield and the drying of the tip of the nozzle 51 is suppressed. You can do it.

이어서 도 11에 근거해 레지스트 도포 장치(23a)의 제 2의 변형예에 대해서 설명한다.Next, 2nd modified example of the resist coating apparatus 23a is demonstrated based on FIG.

도 11은 레지스트 도포 장치(23a)의 제 2의 변형예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. FIG. 11: is a side view which shows typically the 2nd modified example of the resist coating apparatus 23a. FIG.

그런데 이 레지스트 도포 장치(23a)의 제 2의 변형예에 있어서는 기판(G1)으로의 도포 처리 후에 있어서 도포 처리중에 건조 고체화 한 레지스트액이 슬릿 형상의 토출구 주변에 부착한다. 그 때문에 그 상태로 다음의 기판(G2)으로의 도포 처리를 실시하면 토출구로부터의 레지스트액의 토출이 흐트러져 기판면에 대해서 균일한 도포 처리를 할 수 없는 우려가 있는 기술적 과제가 있었다.By the way, in the 2nd modification of this resist coating apparatus 23a, after the coating process to the board | substrate G1, the resist liquid dried and solidified during the coating process adheres around the slit-shaped discharge port. Therefore, when the application | coating process to the next board | substrate G2 is performed in that state, there existed a technical subject which may disperse | distribute the discharge of the resist liquid from a discharge port, and may not be able to perform uniform application | coating process to a board surface.

거기서 상기 기술적 과제를 해결하는 예로서 도 12에 근거하고 레지스트 도포 장치(23a)의 제 3 변형예에 대해서 설명한다. 도 12는 레지스트 도포 장치의 제 3 변형예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 12에 나타나는 바와 같이 롤러(52, 제 1의 프라이밍 처리 수단) 및 보습부(54)를 스테이지(50)의 좌측으로 배치하고 롤러(63, 제 2의 프라이밍 처리 수단)를 스테이지(59)의 좌측으로 배치하는 구성으로 한다.The third modification of the resist coating apparatus 23a is demonstrated based on FIG. 12 as an example of solving the said technical subject there. It is a side view which shows typically the 3rd modified example of a resist coating apparatus. As shown in FIG. 12, the roller 52 (the first priming processing means) and the moisturizing part 54 are arranged to the left of the stage 50, and the rollers 63 (the second priming processing means) of the stage 59 are disposed. It is set as the structure arrange | positioned to the left side.

즉 롤러(63)는 스테이지 50 과 59의 사이에 배치된다. 또한 보습부(54)는 롤러(63)의 근처에 배치해도 된다. 또 도시하지 않지만 롤러(52) 및 보습부(54)를 스테이지(50)의 우측으로 배치하고 롤러(63)을 스테이지(59)의 우측으로 배치해도 괜찮다. 또 그 경우에는 보습부(54)를 롤러 59의 근처에 배치해도 괜찮다. 또한 상기 롤러(52)와 롤러(63)는 동일 방향으로 회전한다.In other words, the roller 63 is disposed between the stages 50 and 59. In addition, the moisturizing part 54 may be arranged near the roller 63. Moreover, although not shown in figure, you may arrange | position the roller 52 and the moisturizing part 54 to the right side of the stage 50, and arrange | position the roller 63 to the right side of the stage 59. FIG. In that case, the moisturizing part 54 may be arranged near the roller 59. In addition, the roller 52 and the roller 63 rotate in the same direction.

이러한 구성으로 하면 먼저 롤러(52)에 의한 프라이밍 처리 후에 스테이지(50)에서의 기판(G1)으로의 도포 처리를 실시하고 그 다음에 롤러(63)에 의한 프라 이밍 처리 후에 스테이지(59)에서의 기판(G2)으로의 도포 처리를 실시할 수가 있다.With such a configuration, first, after the priming treatment with the roller 52, the coating treatment is performed on the substrate G1 at the stage 50, and then at the stage 59 after the priming treatment with the roller 63. The coating process to the board | substrate G2 can be performed.

이와 같이 레지스트 도포 장치(23a)의 제 3 변형예에 의하면 스테이지 50 과 59 )에 각각 재치된 기판(G1) 및 기판(G2)중 어느 것에 대해서도 도포 처리전에 프라이밍 처리를 실시하기 때문에 제 2의 변형예에서의 기술적 과제를 해결할 수가 있다.Thus, according to the 3rd modification of the resist coating apparatus 23a, since the priming process is performed also before any application | coating to either the board | substrate G1 and the board | substrate G2 respectively mounted in stage 50 and 59, the 2nd modification is carried out. The technical problem in the example can be solved.

또 도 4에 나타낸 레지스트 도포 장치(23a)의 구성보다 수율 및 장치 코스트는 증대하지만 상기 제 1의 변형예에 있어서 도 8에 나타낸 레지스트 도포 장치와 동등한 수율을 얻을 수 있다.In addition, although the yield and apparatus cost increase compared with the structure of the resist coating apparatus 23a shown in FIG. 4, the yield equivalent to the resist coating apparatus shown in FIG. 8 can be obtained in the said 1st modification.

이어서 본 발명과 관련되는 기판 처리 시스템으로서의 레지스트 도포 현상 처리 장치의 제 2의 실시의 형태에 대해서 도 13에 근거해 설명한다. 도 13은 제 2의 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 현상 처리 장치의 전체 구성(레이아웃)을 나타내는 평면도이다. 또한 도 1로 나타낸 구성과 동일한 것에 대해서는 같은 부호로 나타내 그 상세한 설명은 생략 한다.Next, 2nd Embodiment of the resist coating developing processing apparatus as a substrate processing system which concerns on this invention is demonstrated based on FIG. It is a top view which shows the whole structure (layout) of the resist coating image development processing apparatus in 2nd Embodiment. In addition, the same thing as the structure shown in FIG. 1 is represented by the same code | symbol, and the detailed description is abbreviate | omitted.

이 레지스트 도포 현상 처리 장치(101)는 도 1의 레지스트 도포 현상 처리 장치(100)과 동일하게 도의 X축방향을 따라 카셋트 스테이션(1)과 처리 스테이션(2)과 인터페이스 스테이션(3)을 구비한다.This resist coating and developing apparatus 101 includes a cassette station 1, a processing station 2, and an interface station 3 along the X-axis direction of FIG. 1, similarly to the resist coating and developing apparatus 100 of FIG. 1. .

레지스트 도포 현상 처리 장치(101)에 있어서 처리 스테이션(2)은 도 1에 나타낸 레지스트 도포 현상 처리 장치(100)와 동일하게 X축방향으로 늘어나는 기판(G)반송용의 평행한 2열의 반송 라인(A ; B)을 가지고 있다. In the resist coating and developing apparatus 101, the processing station 2 is the same as the resist coating and developing apparatus 100 shown in Fig. 1, in which two parallel transfer lines for transporting the substrate G that extend in the X-axis direction ( Has A; B)

그리고 반송 라인 A를 따라 카셋트 스테이션(1)측으로부터 인터페이스 스테이션(3)을 향하고 스크러브 세정 처리 유니트(SCR; 21) ; 제 1의 열처리 유니트 섹션(26) ; 레지스트 처리 유니트(23) 및 제 2의 열처리 유니트 섹션(27)이 배열되고있다. 또한 스크러브 세정 처리 유니트(SCR; 21) 위의 일부에는 엑시머 UV조사 유니트(e-UV; 22)가 설치되어 있다.And a scrub cleaning processing unit (SCR) 21 facing the interface station 3 from the cassette station 1 side along the conveying line A; First heat treatment unit section 26; The resist processing unit 23 and the second heat treatment unit section 27 are arranged. In addition, an excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning processing unit (SCR) 21.

또 반송 라인 B를 따라 인터페이스 스테이션(3)측으로부터 카셋트 스테이션(1)을 향하고 현상 처리 유니트(DEV; 24) ; i선UV조사 유니트(i-UV; 25) 및 제 3의 열처리 유니트(28)가 배열되어 있다.A developing processing unit (DEV) 24 facing the cassette station 1 from the interface station 3 side along the conveying line B; An i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 and a third heat treatment unit 28 are arranged.

제 1의 열처리 유니트 섹션(26)은 제 1의 실시 형태와 동일하게 복수의 열처리 블럭에 의해 구성되지만 열처리 블럭(26a ; 26b) 외에 터널 통로를 회전자 반송등에 의해 반송시키고 자연 냉각하는 터널 유니트(26d)를 구비한다. 또 기판(G)을 소정의 온도로 냉각하는 쿨링 유니트(26e; 26f)를 구비한다.The first heat treatment unit section 26 is constituted by a plurality of heat treatment blocks in the same manner as in the first embodiment, but in addition to the heat treatment blocks 26a and 26b, the tunnel unit conveys tunnel passages by rotor conveyance or the like, and naturally cools them. 26d). A cooling unit 26e (26f) for cooling the substrate G to a predetermined temperature is provided.

또한 스크러브 세정 처리 유니트(SCR; 21)와 제 1의 열처리 유니트(26)의 사이에는 다음 공정에서의 기판 처리 방향에 맞추어 기판(G)을 수평 방향으로 회전시키는 기판 회전 수단으로서의 기판 회전 유니트(ROT,12)가 배치되어 있다.In addition, between the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the first heat treatment unit 26, a substrate rotating unit as a substrate rotating means for rotating the substrate G in the horizontal direction in accordance with the substrate processing direction in the next step ( ROT 12 is arranged.

또 기판 회전 유니트(ROT,12)에 의해 회전된 기판(G)을 제 1의 열처리 유니트(26)에 반송하는 수단으로서 수직 반송 유니트(S/A, 13)가 열처리 블럭 26a와 26b의 사이에 설치되어 있다. 수직 반송 유니트(S/A, 13)는 제 1의 실시 형태에 있어서의 수직 반송 유니트(S/A, 5)와 동일하게 기판(G)을 반송하기 위한 반송 암(도시 생략)을 갖고 그 반송 암은 X Y 및 Z축방향으로 이동 가능하게 이루어지고 또한 회동 가능하게 되어 있다. 이 수직 반송 유니트(S/A, 13)에 의해 열처리 블럭(26a; 26b)에 대한 기판(G)의 반송이 이루어진다.In addition, as a means for conveying the substrate G rotated by the substrate rotating unit ROT 12 to the first heat treatment unit 26, the vertical transfer units S / A and 13 are disposed between the heat treatment blocks 26a and 26b. It is installed. The vertical conveyance unit S / A, 13 has a conveyance arm (not shown) for conveying the board | substrate G similarly to the vertical conveyance unit S / A, 5 in 1st Embodiment, and conveys it The arm is made to be movable in the XY and Z-axis directions and is rotatable. The transfer of the substrate G to the heat treatment blocks 26a and 26b is performed by the vertical transfer units S / A and 13.

또한 Y축방향으로 나열하여 배치된 쿨링 유니트(26e, 26f)의 근처에는 수직 반송 유니트(S/A, 14)가 배치되어 있다. 이 수직 반송 유니트(S/A, 14)는 수직 반송 유니트(S/A, 13)와 동일하게 구성된 유니트 전체가 Y축방향을 따라 크게 이동 가능하게 구성되고 있고 2개의 쿨링 유니트(26e, 26f)에 대한 기판(G)의 반송을 1 반송 유니트로 실시하도록 되어 있다.Moreover, the vertical conveyance units S / A and 14 are arrange | positioned in the vicinity of the cooling units 26e and 26f arrange | positioned in the Y-axis direction. This vertical conveying unit (S / A, 14) is configured such that the entire unit configured in the same manner as the vertical conveying unit (S / A, 13) can be moved greatly along the Y-axis direction, and two cooling units (26e, 26f) The transfer of the substrate G to the substrate is performed in one transfer unit.

레지스트 도포 처리 유니트(23)는 도시하는 바와 같이 수직 반송 유니트(S/A, 15)를 둘러싸도록 배치된다. 즉 레지스트 도포 처리 유니트(23)가 가지는 레지스트 도포 장치(CT,23a; 도포막형성 장치) 및 감압 건조 유니트(VD, 23c ; 23d)는 각각 수직 반송 유니트(S/A, 15)에 인접하여 배치된다.The resist coating processing unit 23 is disposed so as to surround the vertical conveying units S / A 15 as shown in the figure. That is, the resist coating apparatus (CT, 23a; coating film forming apparatus) and the vacuum drying unit (VD, 23c; 23d) which the resist coating processing unit 23 has are arrange | positioned adjacent to the vertical conveying unit S / A, 15, respectively. do.

수직 반송 유니트(S/A, 15)는 수직 반송 유니트(S/A, 13)와 동일 구성의 유니트 전체가 Y축방향을 따라 크게 이동 가능하게 구성되어 있다. 따라서 레지스트 도포 처리 유니트(23)의 각 장치에 대한 기판(G)의 반송은 수직 반송 유니트(15, S/A)에 의해 행해진다.The vertical conveying unit S / A, 15 is comprised so that the whole unit of the same structure as the vertical conveying unit S / A, 13 can be moved largely along the Y-axis direction. Therefore, the conveyance of the board | substrate G with respect to each apparatus of the resist coating process unit 23 is performed by the vertical conveyance unit 15 (S / A).

또한 레지스트 도포 장치(CT, 23a)에 관해서는 제 1의 실시 형태와 동일한 구성(제 1 내지 제 3 변형예를 포함한다)을 적용할 수가 있고 그 상세한 설명을 생략 한다.Regarding the resist coating apparatuses CT, 23a, the same configuration (including the first to third modified examples) as in the first embodiment can be applied, and the detailed description thereof is omitted.

또 제 2의 열처리 유니트 섹션(27)은 수직 반송 유니트(S/A, 16)의 사방을 둘러싸도록 배치된 4개의 열처리 블럭(27a ; 27b ; 27c ; 27d)에 의해 구성된다. 수직 반송 유니트(S/A, 16)는 상기 수직 반송 유니트(S/A, 13)와 동일하게 구성되고 4개의 열처리 블럭(27a ; 27b ; 27c ; 27d)에 대한 기판 반송을 실시한다.Moreover, the 2nd heat processing unit section 27 is comprised by four heat processing blocks 27a; 27b; 27c; 27d arranged so as to surround the four sides of the vertical conveying units S / A, 16. As shown in FIG. The vertical conveying units S / A, 16 are configured in the same manner as the vertical conveying units S / A, 13 and carry out substrate conveyance for four heat treatment blocks 27a; 27b; 27c; 27d.

또 처리 스테이션(2)에 있어서 X축방향을 따라 제 3의 열처리 유니트(28)의 전후에 수직 반송 유니트(S/A; 17,18)가 설치되어 있다. 수직 반송 유니트(S/A,17 ;18)는 각각 수직 반송 유니트(S/A, 13)와 동일하게 구성되고 있고 열처리 블럭(28a, 28b)에 대한 기판(G)의 반송등을 실시한다.In the processing station 2, vertical conveying units S / A 17 and 18 are provided before and after the third heat treatment unit 28 along the X-axis direction. The vertical conveying units S / A, 17 and 18 are configured in the same manner as the vertical conveying units S / A and 13, respectively, and convey the substrate G to the heat treatment blocks 28a and 28b.

또 레지스트 도포 현상 처리 장치(101)에 있어서 인터페이스 스테이션(3)은 기판(G)을 다음 공정에서의 기판 처리 방향에 맞추어 수평 방향으로 회전시키는 기판 회전 수단으로서의 기판 회전 유니트(ROT; 19a, 19b)와 기판(G)을 2대의 노광 장치(4a ; 4b)에 대해 반송하는 기판 반송 수단으로서의 인터페이스 유니트(20)와 외부 장치 블럭(45)에 의해 구성된다.In the resist coating and developing apparatus 101, the interface station 3 serves as a substrate rotating unit (ROT) 19a, 19b as a substrate rotating means for rotating the substrate G in the horizontal direction in accordance with the substrate processing direction in the next step. And the interface unit 20 and the external device block 45 as substrate transfer means for transferring the substrate G to two exposure apparatuses 4a and 4b.

또한 인터페이스 유니트(20)는 상기 수직 반송 유니트(S/A, 13)와 동일 구성의 유니트가 Y축방향으로 이동 자유롭게 설치되고 2대의 노광 장치(4a ; 4b)의 사이를 왕래 가능하게 되어 있다.In the interface unit 20, a unit having the same configuration as the vertical conveying units S / A and 13 is provided to be movable freely in the Y-axis direction, and is capable of traveling between two exposure apparatuses 4a and 4b.

이상의 구성(레이아웃)에 있어서의 레지스트 도포 현상 처리 장치(101)의 처리 공정에 대해서 설명한다.The process of the resist coating and developing apparatus 101 in the above configuration (layout) will be described.

우선 카셋트 스테이션(1)에 배치된 카셋트(C)내의 기판(G)이 반송 장치(11)에 의해 처리 스테이션(2)에 반입된 후 먼저 엑시머 UV조사 유니트(e-UV; 22)에 의한 스크러브 사전 처리 ;스크러브 세정 처리 ;유니트(SCR; 21)에 의한 스크러브 세정 처리가 행해진다.First, the substrate G in the cassette C disposed in the cassette station 1 is loaded into the processing station 2 by the conveying device 11, and then the screen is first removed by the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22. Love pretreatment; Scrub cleaning process; Scrub cleaning process by unit (SCR) 21 is performed.

그 다음에 기판(G)은 기판 회전 유니트(12)에 반송되고 거기서 다음 공정에서의 기판 처리 방향에 맞추어 회전된다. 그 후 기판(G)은 제 1의 열처리 유니트 섹션(26)에 속하는 열처리 유니트 블럭(26a ; 26b)에 반입되어 일련의 열처리(탈수베이크 처리 소수화 처리등 )를 한다. 그리고 기판(G)은 터널 유니트(26d)를 반송하시는 것으로 자연 냉각되어 쿨링 유니트(26e, 26f)에 있어서 소정의 온도로 냉각된다.Subsequently, the substrate G is conveyed to the substrate rotating unit 12, where it is rotated in accordance with the substrate processing direction in the next step. Subsequently, the substrate G is carried in the heat treatment unit blocks 26a and 26b belonging to the first heat treatment unit section 26 and subjected to a series of heat treatments (dehydration bake treatment hydrophobization treatment and the like). The substrate G is naturally cooled by conveying the tunnel unit 26d and cooled to a predetermined temperature in the cooling units 26e and 26f.

그 후 기판(G)은 수직 반송 유니트(S/A, 14)에 의해 레지스트 도포 처리 유니트(23)에 반입되어 레지스트액의 막형성 처리가 실시된다. 이 레지스트 도포 처리 유니트(23)에서는 상기 제 1의 실시 형태로 설명한 바와 같이 레지스트 도포 장치(CT, 23a)에 있어서 기판(G)에 레지스트액이 도포되어 그 다음에 감압 건조 유니트(VD, 23c ; 23d중 어느하나) 에 있어서 감압 건조 처리가 된다.Subsequently, the substrate G is carried into the resist coating processing unit 23 by the vertical transfer units S / A and 14 to perform a film forming process of the resist liquid. In the resist coating processing unit 23, as described in the first embodiment, the resist liquid is applied to the substrate G in the resist coating apparatuses CT, 23a, and then the reduced pressure drying units VD, 23c; In any one of 23d).

또한 감압 건조 유니트(VD)가 2대(23c ; 23d) 설치되는 것으로 레지스트 도포 장치(CT, 23a) 에 있어서 효율적으로 레지스트 도포된 복수의 기판(G)에 대해서병렬해 감압 건조 처리할 수가 있어 수율을 향상하도록 되어 있다.In addition, since two vacuum drying units (VD) are provided (23c; 23d), a plurality of substrates (G) efficiently resist-coated in the resist coating apparatuses (CT, 23a) can be parallelized and subjected to a reduced pressure drying process. It is supposed to improve.

상기 레지스트 도포 처리 유니트(23)에서의 레지스트 성막 처리 후 기판(G)은 제 2의 열처리 유니트 섹션(27)에 속하는 열처리 유니트 블럭(27a ; 27b ; 27c ; 27d)에 반입되어 일련의 열처리(프리베이크 처리등)를 한다.After the resist film forming process in the resist coating processing unit 23, the substrate G is loaded into the heat treating unit blocks 27a; 27b; 27c; 27d belonging to the second heat treating unit section 27, and a series of heat treatments (free) are performed. Bake treatment).

그 다음에 기판(G)은 기판 회전 유니트(ROT,19a)에 의해 다음 공정에 맞추어 수평 방향으로 회전된 후 인터페이스 유니트(I/F, 20)에 의해 노광 장치(4a ; 4b)의 어느 쪽인가에 반송된다. 또한 인터페이스 유니트(I/F, 20)는 수직 반송 유니트 (S/A, 13)와 동일 구성의 유니트 전체가 Y축방향으로 크게 이동 가능하게 구성되고 있다.Subsequently, the substrate G is rotated in the horizontal direction by the substrate rotating unit ROT 19a in accordance with the next step, and then by the interface unit I / F 20, which of the exposure apparatuses 4a and 4b is used? Is returned. In addition, the interface unit I / F, 20 is configured such that the entire unit having the same configuration as the vertical transfer unit S / A, 13 can be moved in the Y-axis direction.

노광 장치(4a ; 4b) 에 있어서 레지스트막이 노광되어 소정의 패턴이 형성된 후 기판(G)은 인터페이스 유니트(I/F, 20)에 의해 꺼내지고 기판 회전 유니트(ROT,19b)에 의해 다음 공정에 맞추어 수평 방향으로 회전된다.In the exposure apparatus 4a; 4b, after the resist film is exposed to form a predetermined pattern, the substrate G is taken out by the interface units I / F and 20, and the substrate rotating unit ROT 19b is used to perform the next step. In the horizontal direction.

그 다음에 기판(G)은 인터페이스 스테이션(3)에 있어서의 외부 장치 블럭(45)의 주변 노광 장치(EE)에 반송되어 주변 레지스트 제거를 위한 노광이 행해진다. 그리고 외부 장치 블럭(45)의 상단의 타이틀러(TITLER)에 반송되어 기판(G)에 소정의 정보가 기록된다.Subsequently, the board | substrate G is conveyed to the peripheral exposure apparatus EE of the external device block 45 in the interface station 3, and exposure for removal of a peripheral resist is performed. Then, it is conveyed to the titler TITLER at the upper end of the external device block 45, and predetermined information is recorded on the substrate G.

그 후 기판(G)은 회전자 반송 기구에 의해 다시 처리 스테이션(2)에 반송된다. 그리고 기판(G)은 먼저 현상 처리 유니트(DEV; 24)에 반송되고 거기서 현상 처리가 베풀어지는 현상 처리 종료후 기판(G)은 현상 처리 유니트(DEV; 24)로부터 i선UV조사 유니트(i-UV; 25)에 반입되어 기판(G)에 대해서 탈색 처리가 실시된다. 그리고 기판(G)은 제 3의 열처리 유니트 섹션(28)에 반입되어 열처리 유니트 블럭(28a ; 28b)에 있어서 일련의 열처리(포스트베이크 처리등)가 실시된다.Then, the board | substrate G is conveyed to the processing station 2 again by the rotor conveyance mechanism. Then, the substrate G is first conveyed to the developing unit DEV 24, and after completion of the developing process in which the developing process is performed, the substrate G is moved from the developing unit DEV 24 to the i-ray UV irradiation unit i-. It carries in to UV (25), and decolorizes the board | substrate G. Subsequently, the substrate G is loaded into the third heat treatment unit section 28 and subjected to a series of heat treatments (post bake treatment and the like) in the heat treatment unit blocks 28a and 28b.

그리고 기판(G)은 소정 온도로 냉각된 후 컨베이어 반송에 의해 카셋트 스테이션(1)에 반송되어 반송 장치(11)에 의해 소정의 카셋트(C)에 수용된다.And after cooling the board | substrate G to predetermined temperature, it conveys to the cassette station 1 by conveyance conveyance, and is accommodated in the predetermined | prescribed cassette C by the conveying apparatus 11. As shown in FIG.

이와 같이 제 2의 실시 형태에 의하면 도 13에 나타나는 바와 같이 복수(2대)의 노광 장치(4a ; 4b)에 대해서 기판을 반송하기 위한 인터페이스 유니트(20)를 갖춘다. 이 때문에 2개의 스테이지에 의해 효율적으로 도포막형성 처리된 기판 (G)의 노광 처리전에 있어서의 체류가 저감된다. 따라서 노광 장치와 연동했을 때의 레지스트 도포 현상 처리 장치(기판 처리 시스템) 전체의 기판 처리의 수율을 현격히 향상할 수가 있다.Thus, according to 2nd Embodiment, as shown in FIG. 13, the interface unit 20 for conveying a board | substrate is provided with respect to several (two) exposure apparatus 4a; For this reason, retention before exposure processing of the board | substrate G processed by the coating film formation process efficiently by two stages is reduced. Therefore, the yield of the board | substrate process of the whole resist coating developing apparatus (substrate processing system) at the time of interlocking with an exposure apparatus can be improved significantly.

또한 이 레이아웃에 의하면 기판 반송을 행하는 수직 반송 유니트(S/A)의 주위에 각 열처리 유니트 및 레지스트 도포 처리 유니트(23)가 배치되어 다음 공정에서의 기판 처리 방향에 맞추어 기판(G)을 수평 방향으로 회전하는 기판 회전 유니트가 주요 요소에 설치된다. 이것에 의해 각 처리 유니트가 한방향에 병설되는 것을 회피하고 레지스트 도포 현상 처리 장치의 소형화를 도모할 수가 있다.According to this layout, each heat treatment unit and resist coating processing unit 23 are arranged around the vertical transfer unit S / A for carrying the substrate, and the substrate G is oriented in the horizontal direction in accordance with the substrate processing direction in the next step. The substrate rotating unit that rotates is installed on the main element. As a result, it is possible to avoid the parallel processing of each processing unit in one direction and to reduce the size of the resist coating and developing apparatus.

또한 상기 제 1 및 제 2의 실시의 형태에 있어서는 LCD 기판에 레지스트막을 도포 형성하는 경우를 예로 했지만 이것에 한정하지 않고 처리액을 피처리 기판상에 공급하는 임의의 기판 처리 시스템에 적용 가능하다. 본 발명에 있어서의 처리액으로서는 레지스트액 이외로도 예를 들면 층간 절연 재료 ; 유전체 재료; 배선 재료등의 액체도 가능하다. 또 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하지 않고 반도체 웨이퍼 ; CD기판 ; 유리 기판 ; 포토마스크 ;프린트 기판등도 가능하다.Moreover, in the said 1st and 2nd embodiment, although the case where the resist film was apply | coated and formed on the LCD board | substrate was mentioned as the example, it is applicable to the arbitrary substrate processing systems which supply a process liquid on a to-be-processed board | substrate. As a process liquid in this invention, besides resist liquid, For example, Interlayer insulation material; Dielectric materials; Liquids such as wiring materials are also possible. In addition, the to-be-processed substrate in this invention is not limited to an LCD substrate, A semiconductor wafer; CD substrate; Glass substrates; Photomasks; printed boards and the like are also possible.

본 발명은 LCD 기판이나 반도체 웨이퍼등에 처리액을 성막 하는 기판 처리 시스템에 적용할 수 있어 반도체 제조업계 ; 전자 디바이스 제조업계등 에 있어서 매우 적합하게 이용할 수가 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to a substrate processing system for forming a processing liquid onto an LCD substrate, a semiconductor wafer, or the like; It can be used suitably in the electronic device manufacturing industry.

본 발명에 의하면 피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 도포 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템에 있어서 각 기판에 처리액을 균일하게 도포할 수가 있어 노광 장치와 연동했을 때의 기판 처리의 수율을 향상할 수 있는 기판 처리 시스템을 얻을 수 있다.According to the present invention, in a substrate processing system in which a film of processing liquid is coated on a surface of a substrate to be processed and a predetermined pattern is formed on the substrate in cooperation with an exposure apparatus, the processing liquid can be uniformly applied to each substrate. The substrate processing system which can improve the yield of substrate processing at the time of interlocking can be obtained.

Claims (11)

피처리 기판의 표면에 처리액의 막을 도포 형성하고 노광 장치와 연동하여 기판에 소정의 패턴을 형성하는 기판 처리 시스템에 있어서,In the substrate processing system which coats and forms the film | membrane of a process liquid on the surface of a to-be-processed substrate, and forms a predetermined pattern in a board | substrate in cooperation with an exposure apparatus, 피처리 기판을 각각 재치하는 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지와 상기 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지에 각각 재치된 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포해 막형성하는 처리액도포 수단을 가지는 도포막형성 수단과,A processing liquid applying means for coating and forming a processing liquid on the surfaces of the first and second stages on which the substrates to be processed are respectively placed and the surfaces of the substrates placed on the first and second stages, respectively; Coating film forming means having, 복수의 노광 장치에 대해서 상기 도포막형성 수단에 의해 막형성된 피처리 기판의 반송을 실시하는 기판 반송 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.Substrate conveyance means which conveys the to-be-processed board | substrate formed by the said coating film formation means with respect to several exposure apparatus. The substrate processing system characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 피처리 기판을 기판 처리 방향에 맞추어 수평 방향으로 회전시키는 1개 또는 복수의 기판 회전 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.And one or more substrate rotating means for rotating the substrate to be processed in the horizontal direction in accordance with the substrate processing direction. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 처리액도포 수단은 피처리 기판의 폭방향으로 늘어나는 슬릿 형상의 토출구를 가지는 하나의 처리액 공급 노즐과 ; 상기 처리액 공급 노즐을 이동하는 노즐 이동 수단과 ; 상기 처리액 공급 노즐에 대해서 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단과 ; 상기 토출구로부터의 처리액을 회전 자유롭게 형성된 롤러의 주위면에 토 출시켜 상기 롤러를 회전시키는 것에 의해 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하는 프라이밍 처리 수단을 구비하고,The processing liquid applying means includes: one processing liquid supply nozzle having a slit-shaped discharge port extending in the width direction of the substrate to be processed; Nozzle moving means for moving the processing liquid supply nozzle; Processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the processing liquid supply nozzle; And priming processing means for discharging the processing liquid from the discharge port to the peripheral surface of the roller which is freely formed so as to rotate the roller to homogenize the processing liquid attached to the discharge port. 상기 처리액 공급 노즐에 의해 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지에 재치된 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The processing liquid is apply | coated to the surface of the to-be-processed substrate mounted to the 1st stage and the 2nd stage by the said process liquid supply nozzle. The substrate processing system characterized by the above-mentioned. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 제 1 의 스테이지와 제 2의 스테이지는 나열하여 배치되고,The first stage and the second stage are arranged side by side, 상기 프라이밍 처리 수단은 상기 제 1 의 스테이지와 제 2의 스테이지의 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.And said priming processing means is provided between said first stage and said second stage. 청구항 3 내지 4중 어느 하나에 있어서,The method according to any one of claims 3 to 4, 상기 피처리 기판에 대한 도포 처리전에 상기 노즐 이동 수단이 상기 처리액 공급 노즐의 토출구를 상기 롤러의 주위면에 근접시켜 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.And the nozzle moving means uniformizes the processing liquid attached to the discharge opening by bringing the discharge port of the processing liquid supply nozzle close to the peripheral surface of the roller before the coating process on the substrate to be processed. 청구항 3 내지 5중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 3 to 5, 상기 프라이밍 처리 수단은 상기 롤러의 회전을 제어하는 롤러 회전 제어 수단을 구비하고,The priming processing means has a roller rotation control means for controlling the rotation of the roller, 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리할 때에 상기 롤러 회전 제어 수단은 상기 균일화 처리 후의 도포 처리가 상기 제 1 의 스테이지 또는 상기 제 2의 스테이지 중 어느 하나에 의해 상기 롤러의 회전 방향을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.When the processing liquid to be attached to the discharge port is uniformized, the roller rotation control means determines that the coating process after the uniforming process determines the rotational direction of the roller by either the first stage or the second stage. Characterized in that the substrate processing system. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 프라이밍 처리 수단에는 상기 처리액 공급 노즐의 선단의 건조를 억제하는 보습 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The said priming processing means is provided with the moisture retention means which suppresses the drying of the front end of the said process liquid supply nozzle. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 프라이밍 수단으로서 제 1의 프라이밍 처리 수단 및 제 2의 프라이밍 처리 수단을 구비하고,A first priming processing means and a second priming processing means as the priming means; 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단 및 제 2의 프라이밍 처리 수단은 각각 상기 제 1 의 스테이지 및 제 2의 스테이지의 우측 또는 좌측으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.And the first priming processing means and the second priming processing means are disposed to the right or the left of the first stage and the second stage, respectively. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 제 1 의 스테이지에 재치되는 피처리 기판에 대한 도포 처리전에 상기 노즐 이동 수단이 상기 처리액 공급 노즐의 토출구를 상기 롤러의 주위면에 근접시켜 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단이 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하고,The nozzle moving means moves the discharge port of the processing liquid supply nozzle to the peripheral surface of the roller so that the first priming processing means attaches to the discharge port before the coating process on the processing target substrate placed on the first stage. The treatment liquid is homogenized, 또한 상기 제 2의 스테이지에 재치되는 피처리 기판에 대한 도포 처리전에 상기 노즐 이동 수단이 상기 처리액 공급 노즐의 토출구를 상기 롤러의 주위면에 근접시켜 상기 제 2의 프라이밍 처리 수단이 상기 토출구에 부착하는 처리액을 균일화 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.Further, the nozzle moving means moves the discharge port of the processing liquid supply nozzle to the peripheral surface of the roller so that the second priming processing means is attached to the discharge port before the coating process on the processing target substrate placed on the second stage. A substrate processing system characterized by uniformizing the processing liquid. 청구항 8 또는 9에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 제 1 및 제 2의 프라이밍 수단은 상기 롤러의 회전을 제어하는 롤러 회전 제어 수단을 구비하고 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단의 롤러와 상기 제 2의 프라이밍 처리 수단의 롤러의 회전방향이 동일 방향인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The first and second priming means have roller rotation control means for controlling the rotation of the roller, and the rotation direction of the roller of the first priming processing means and the roller of the second priming processing means is the same direction. Substrate processing system, characterized in that. 청구항 8 또는 9에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 제 1의 프라이밍 처리 수단 또는 상기 제 2의 프라이밍 처리 수단에는 상기 처리액 공급 노즐의 선단의 건조를 억제하는 보습 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.And said first priming processing means or said second priming processing means is provided with a moisturizing means for suppressing drying of the tip of said processing liquid supply nozzle.

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