KR20060043106A - 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법 - Google Patents
열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060043106A KR20060043106A KR1020050014818A KR20050014818A KR20060043106A KR 20060043106 A KR20060043106 A KR 20060043106A KR 1020050014818 A KR1020050014818 A KR 1020050014818A KR 20050014818 A KR20050014818 A KR 20050014818A KR 20060043106 A KR20060043106 A KR 20060043106A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- radiation
- image
- radiation beam
- reflected
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 282
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 264
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 89
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 13
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- 기판 영역을 열 처리 하는 장치에 있어서,연속 제 1 방사 빔 및 상기 기판 영역을 가열시킬 수 있는 파장을 제공할 수 있는, 연속 방사 소스;상기 제 1 방사 빔을 수광하고 그로부터 상기 기판에 이미지를 형성하는 제 2 방사 빔을 형성하도록 구성된, 광학 시스템;상기 기판으로부터 반사된 방사를 수광하고 상기 반사된 방사를 순환 방사 빔으로서 상기 기판으로 다시 향하게 하도록 배열된, 순환 광학 시스템; 및상기 기판을 지지하고, 상기 광학 시스템으로부터의 제 1 방사 펄스 및 상기 순환 광학 시스템으로부터의 제 2 방사 펄스로 상기 영역을 열 처리하는데 충분한 온도까지 상기 영역을 가열하도록 상기 이미지에 호응하여 상기 기판을 주사하도록 구성된 스테이지를 포함하는, 열 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지는 선 이미지인, 열 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 순환 광학 시스템은 집광/초점 렌즈 및 코너 큐브 반사기를 포함하는, 열 처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 순환 방사 빔 및 상기 제 2 방사 빔은 각각의 입사 각을 갖고,상기 순환 광학 시스템은 광학 축을 가지며,상기 코너 큐브 반사기는 상기 순환 방사 빔 및 상기 제 2 방사 빔들의 상기 입사각들을 적어도 부분적으로 분리하도록 상기 광학 축에 대해 이동된, 열 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 순환 광학 시스템은 텔레센트릭 중계기 및 회절 격자를 포함하는, 열 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 순환 광학 시스템은 상기 기판으로부터 광학 축을 따라 순서대로,원기둥형 거울;단위 배율 (1X) 중계기; 및상기 단위 배율 중계기를 통해 상기 반사된 방사를 상기 기판으로 다시 반사하도록 구성된, 편광 보존 루프 거울을 포함하는, 열 처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 단위 배율 중계기는,동일한 초점 거리를 갖고 그들의 초점 거리의 2 배만큼 떨어진 제 1 원기둥형 렌즈 및 제 2 원기둥형 렌즈; 및상기 제 1 원기둥형 렌즈와 제 2 원기둥형 렌즈 사이 중간의 동공을 포함하는, 열 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 순환 광학 시스템은 상기 순환 복사 빔이 브루스터 각 또는 그 근처의 입사각으로 상기 기판 측으로 향하게 하도록 구성된, 열 처리 장치.
- 기판 영역을 열 처리하는 장치에 있어서,연속 제 1 방사 빔 및 상기 기판 영역을 가열할 수 있는 파장을 각각 제공할 수 있는 2 이상의 연속 방사 소스들;각각의 2 이상의 광학시스템으로서, 상기 제 1 방사 빔들 중 대응하는 하나를 수광하고, 그로부터 상기 기판에 이미지를 형성하는 제 2 방사 빔을 형성하도록 구성되어, 그에 의해 상기 기판에 2 이상의 이미지 각각을 형성하는, 각각의 2 이상의 광학 시스템; 및상기 기판을 지지하고, 상기 영역을 열 처리하기에 충분한 온도까지 각각의 2 이상 방사 펄스로 상기 영역를 가열하도록 상기 2 이상의 이미지들과 호응하여 상기 기판을 주사하도록 구성된, 스테이지를 포함하는, 열 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 2 이상의 광학 시스템은 각각의 상기 2 이상의 이미지들을 선 이미지들로서 형성하도록 구성된, 열 처리 장치.
- 기판의 하나 이상의 영역을 열 처리하는 방법에 있어서,a. 상기 하나 이상의 영역을 가열할 수 있는 파장을 갖는 연속 방사 빔을 생성하는 단계;b. 제 1 방사 빔으로서의 상기 연속 방사 빔으로 상기 기판을 조사하는 단계;c. 상기 기판의 상기 하나 이상의 영역들로부터의 반사된 연속 방사를 포착하고, 순환 방사 빔으로서 상기 반사된 방사를 상기 하나 이상의 영역으로 다시 향하게 하는 단계; 및d. 상기 하나 이상의 영역이 상기 하나 이상의 영역을 처리할 수 있는 열 에너지량을 받도록 상기 하나 이상의 영역 상에 상기 제 1 방사 빔 및 상기 순환 방사를 주사하는 단계를 포함하는, 열 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 순환 방사 빔은 상기 선택된 파장에서의 최소한의 기판 반사도에 대응하는 입사각을 갖도록 형성되는, 열 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 반사된 방사를 상기 하나 이상의 영역으로 다시 향하게 하는 단계는 수광된 방사를 모서리 큐브 반사기에 의해 반사하는 단계를 포함하는, 열 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 반사된 방사를 상기 하나 이상의 영역으로 다시 향하게 하는 단계는 루프 거울 및 원기둥형 거울로부터의 상기 반사된 방사를 반사하는 단계를 포함하는, 열 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 반사된 방사를 상기 하나 이상의 영역으로 다시 향하게 하는 단계는, 상기 기판으로 다시 향하는 상기 반사된 방사가 상기 하나 이상의 영역에 걸쳐 초점이 유지되도록, 상기 반사된 방사에 대해 기울어진 회절 격자에 의해 상기 반사된 방사를 회절시키는 단계를 포함하는, 열 처리 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 반사된 방사를 상기 하나 이상의 영역으로 다시 향하게 하는 단계는:원기둥형 거울 및 단위 배율 (1X) 중계기를 통해 상기 반사된 광을 편광 보존 루프 거울로 향하게 하는 단계를 포함하며,상기 루프 거울은 상기 기판 부분에 초점이 맞춰진 이미지를 형성하도록 상기 반사된 방사를 상기 단위 배율 중계기를 통하여 다시 반사시키도록 구성되는, 열 처리 방법.
- 기판 영역을 열 처리하는 방법에 있어서,상기 기판 영역을 가열할 수 있는 파장을 갖는 2 이상의 연속 제 1 방사 빔들을 발생하는 단계;상기 제 1 방사 빔들 중 대응하는 하나를 수광하도록 각각 구성된 대응하는 2 이상의 광학 시스템에 의해, 상기 2 이상의 연속 제 1 방사 빔들을 수광하고, 그로부터 제 2 방사 빔을 형성하는 단계로서, 상기 제 2 방사 빔 각각이, 상기 기판에서 이미지를 형성하고 그에 의해 상기 기판에서 적어도 부분적으로 오버랩되는 각각의 2 이상의 이미지들을 형성하는 단계; 및상기 영역을 열 처리 하기에 충분한 온도까지 각각의 2 이상의 동시 방사 펄스로 상기 영역을 가열하도록 상기 2 이상의 이미지들에 호응하여 상기 기판을 주사하는 단계를 포함하는, 열 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/787,664 | 2004-02-26 | ||
US10/787,664 US7154066B2 (en) | 2002-11-06 | 2004-02-26 | Laser scanning apparatus and methods for thermal processing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060043106A true KR20060043106A (ko) | 2006-05-15 |
KR100722723B1 KR100722723B1 (ko) | 2007-05-29 |
Family
ID=35025552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050014818A KR100722723B1 (ko) | 2004-02-26 | 2005-02-23 | 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4001602B2 (ko) |
KR (1) | KR100722723B1 (ko) |
TW (1) | TWI272149B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101382994B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-04-09 | 울트라테크 인크. | 표면 반사도 변화의 최소화 |
KR101385826B1 (ko) * | 2008-05-12 | 2014-04-16 | 울트라테크 인크. | 감소된 휨 및/또는 제어된 변형의 기판 처리 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5105903B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-12-26 | 住友重機械工業株式会社 | レーザアニール装置及びアニール方法 |
US20090181553A1 (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Blake Koelmel | Apparatus and method of aligning and positioning a cold substrate on a hot surface |
EP2210696A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Excico France | Method and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy |
US7947968B1 (en) | 2009-01-29 | 2011-05-24 | Ultratech, Inc. | Processing substrates using direct and recycled radiation |
JP2011003630A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置、及びレーザ照射方法 |
KR20140062427A (ko) * | 2011-09-15 | 2014-05-23 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리판 절단 방법 |
US8946594B2 (en) * | 2011-11-04 | 2015-02-03 | Applied Materials, Inc. | Optical design for line generation using microlens array |
JP2013120936A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Ultratech Inc | パターン効果を低減したGaNLEDのレーザーアニール |
US8546805B2 (en) * | 2012-01-27 | 2013-10-01 | Ultratech, Inc. | Two-beam laser annealing with improved temperature performance |
JP5902529B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-04-13 | 株式会社ディスコ | レーザ加工方法 |
CN105448681B (zh) * | 2014-07-04 | 2018-11-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 激光退火装置 |
US10083843B2 (en) * | 2014-12-17 | 2018-09-25 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
US10665504B2 (en) * | 2017-07-28 | 2020-05-26 | Veeco Instruments Inc. | Laser-based systems and methods for melt-processing of metal layers in semiconductor manufacturing |
KR102384289B1 (ko) * | 2017-10-17 | 2022-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
CN110047781B (zh) * | 2019-03-14 | 2021-08-24 | 云谷(固安)科技有限公司 | 激光退火设备及激光退火方法 |
WO2023203733A1 (ja) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3562389B2 (ja) | 1999-06-25 | 2004-09-08 | 三菱電機株式会社 | レーザ熱処理装置 |
US6366308B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-04-02 | Ultratech Stepper, Inc. | Laser thermal processing apparatus and method |
JP2002141301A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置 |
JP2002139697A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 複数レーザビームを用いたレーザ光学系とレーザアニーリング装置 |
JP2002141302A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | レーザアニーリング用レーザ光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置 |
-
2005
- 2005-01-19 TW TW094101534A patent/TWI272149B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-20 JP JP2005013256A patent/JP4001602B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-23 KR KR1020050014818A patent/KR100722723B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101382994B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-04-09 | 울트라테크 인크. | 표면 반사도 변화의 최소화 |
KR101385826B1 (ko) * | 2008-05-12 | 2014-04-16 | 울트라테크 인크. | 감소된 휨 및/또는 제어된 변형의 기판 처리 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005244191A (ja) | 2005-09-08 |
TWI272149B (en) | 2007-02-01 |
JP4001602B2 (ja) | 2007-10-31 |
TW200528223A (en) | 2005-09-01 |
KR100722723B1 (ko) | 2007-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100722723B1 (ko) | 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법 | |
KR100776949B1 (ko) | 열처리용 레이저 스캐닝 장치 및 방법 | |
US7399945B2 (en) | Method of thermal processing a substrate with direct and redirected reflected radiation | |
US20060091120A1 (en) | Recycling optical systems and methods for thermal processing | |
KR101115174B1 (ko) | 이중 파장 열적 흐름 레이저 어닐 | |
US7494272B2 (en) | Dynamic surface annealing using addressable laser array with pyrometry feedback | |
US10181409B2 (en) | Thermal processing apparatus | |
KR101226634B1 (ko) | 레이저 기반 어닐링 시스템에서의 고온계에 대한 다수의 대역 통과 필터링 | |
KR100699211B1 (ko) | 저농도로 도핑된 실리콘 기판의 레이저 열 어닐링 | |
US8314360B2 (en) | Apparatuses and methods for irradiating a substrate to avoid substrate edge damage | |
US7910499B2 (en) | Autofocus for high power laser diode based annealing system | |
US20170040194A1 (en) | Process sheet resistance uniformity improvement using multiple melt laser exposures | |
US7238915B2 (en) | Methods and apparatus for irradiating a substrate to avoid substrate edge damage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130502 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140508 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150416 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160419 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170420 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180417 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |